▶ アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-10-05
(45)【発行日】2023-10-16
(54)【発明の名称】処理チャンバにおける流量制御の改善のための装置
(51)【国際特許分類】
C23C 16/44 20060101AFI20231006BHJP
C23C 16/455 20060101ALI20231006BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20231006BHJP
【ＦＩ】
C23C16/44 B
C23C16/455
H01L21/31 B
【請求項の数】
18
(21)【出願番号】P 2021570234
(86)(22)【出願日】2020-05-28
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-08-04
(86)【国際出願番号】 US2020034904
(87)【国際公開番号】W WO2020243289
(87)【国際公開日】2020-12-03
【審査請求日】2022-01-20
(31)【優先権主張番号】62/853,694
(32)【優先日】2019-05-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ムスタファ， ムハンナド
(72)【発明者】
【氏名】ラシード， ムハンマド エム．
【審査官】西田 彩乃
(56)【参考文献】
【文献】特開２００５－２４４２４４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１４６４３４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００６／０００１８４８（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特表２０１６－５３６７９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２６１１７６（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２３Ｃ １６／４４
Ｃ２３Ｃ １６／４５５
Ｈ０１Ｌ ２１／３１
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理チャンバ用のポンプライナーであって、内部周壁と、外部周壁と、上部と、下部とを有するリング型の本体と；
環状上部チャネルであって、前記外部周壁の前記上部に形成され、前記環状上部チャネルと前記内部周壁の前記上部との間に流体連結を提供する複数の円周方向に離間された開口部を有し、前記複数の開口部が高さを有し、前記開口部のそれぞれが独立した幅を有する、環状上部チャネルと；
パーティションによって前記環状上部チャネルから分離された前記外部周壁の前記下部の下部チャネルであって、前記パーティション内の少なくとも一つの通路を通じて前記上部チャネルと流体連結している下部チャネルと；
前記内部周壁から前記外部周壁へ延びる前記本体の前記下部のスリットバルブ開口部と；
を含み、前記開口部の前記幅が、最大幅と最小幅の間で変化し、前記最小幅が前記パーティション内の前記通路に隣接しており、前記開口部が長方形の形をしている、ポンプライナー。
【請求項2】
前記開口部の前記高さが、０．１インチから０．８インチの範囲である、請求項１に記載のポンプライナー。
【請求項3】
前記開口部の前記高さが、０．２インチから０．６インチの範囲である、請求項２に記載のポンプライナー。
【請求項4】
前記上部チャネルの前記外部周壁が、前記下部チャネルの前記外部周壁の半径方向距離よりも小さい、前記リング型の本体の中心からの半径方向距離を有する、請求項１に記載のポンプライナー。
【請求項5】
前記スリットバルブ開口部が、半導体ウエハがそれを通って移動することを可能にするのに十分な幅を有する、請求項１に記載のポンプライナー。
【請求項6】
前記スリットバルブ開口部が、半導体ウエハを支持するロボットエンドエフェクタがそれを通って移動することを可能にするのに十分な高さを有する、請求項５に記載のポンプライナー。
【請求項7】
前記外部周壁内の前記スリットバルブ開口部が、前記リング型の本体の１００度から１４０度の範囲で延びる、請求項１に記載のポンプライナー。
【請求項8】
前記下部チャネルが、１５０度から２５０度の範囲で前記外部周壁の周りに延びる、請求項１に記載のポンプライナー。
【請求項9】
前記下部チャネルが、２００度から２２５度の範囲で前記外部周壁の周りに延びる、請求項８に記載のポンプライナー。
【請求項10】
４個から２５６個の範囲の開口部がある、請求項１に記載のポンプライナー。
【請求項11】
３６個から１４４個の範囲の開口部がある、請求項１０に記載のポンプライナー。
【請求項12】
２個から２４個の範囲の異なるサイズの開口部がある、請求項１０に記載のポンプライナー。
【請求項13】
４個から１２個の範囲の異なるサイズの開口部がある、請求項１２に記載のポンプライナー。
【請求項14】
前記パーティション内の前記通路が、前記外部周壁に面する凹面を有する円弧型のセグメントである、請求項１に記載のポンプライナー。
【請求項15】
処理チャンバであって、ガス分配アセンブリと；
前記ガスアセンブリに面する支持表面を有する基板支持体と；
請求項１に記載のポンプライナーと；
を含む処理チャンバ。
【請求項16】
処理チャンバ用のポンプライナーであって、内部周壁と、外部周壁と、上部と、下部とを有するリング型の本体と；
環状上部チャネルであって、前記外部周壁の前記上部に形成され、前記環状上部チャネルと前記内部周壁の前記上部との間に流体連結を提供する複数の円周方向に離間された長方形の開口部を有し、前記複数の開口部のそれぞれが０．２インチから０．６インチの範囲の同じ高さと、最大幅と最小幅の間で変化する独立した幅を有する、環状上部チャネルと；
パーティションによって前記環状上部チャネルから分離された前記外部周壁の前記下部の下部チャネルであって、前記パーティション内の少なくとも一つの通路を通じて前記上部チャネルと流体連結している下部チャネルと；
前記内部周壁から前記外部周壁へ延びる前記本体の前記下部のスリットバルブ開口部であって、前記外部周壁の前記スリットバルブ開口部が、１００度から１４０度の範囲で第１の側面から第２の側面へ延びる、スリットバルブ開口部と；
を含み、
４個から１２個の範囲の異なるサイズの開口部があり、前記最小幅が前記パーティション内の前記通路に隣接している、
ポンプライナー。
【請求項17】
処理チャンバであって、ガス分配アセンブリと；
前記ガス分配アセンブリに面する支持表面を有する基板支持体と；
請求項１６に記載のポンプライナーと；
を含む処理チャンバ。
【請求項18】
処理チャンバからガスを除去する方法であって、内部周壁と、外部周壁と、上部と、下部とを有するリング型の本体を含むポンプライナーの下部に減圧を適用して、円周方向に離間された開口部を通じて前記内部周壁内からガスを引き出し、前記本体の前記外部周壁の前記上部に形成された環状上部チャネル中に引き入れて、前記上部と前記下部とを分離するパーティション内の通路に通して、前記外部周壁の前記下部の下部チャネル内に流すことを含み、
前記複数の円周方向に離間された開口部が、等しい高さと、最も狭い幅から最も広い幅まで変化する独立した幅と有し、前記最も狭い幅が、前記パーティション内の前記通路に隣接し、前記開口部が長方形の形をしている、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［０００１］本開示の実施態様は、電子デバイス製造の分野に関する。より具体的には、本開示の実施態様は、処理チャンバにおける流量制御を改善するための装置を対象とする。
【背景技術】
【0002】
［０００２］さまざまな処理チャンバ、例えば、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ及び化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバは、ポンプライナーを使用して、反応ガスを基板表面に隣接する反応空間にとどめる。ポンプライナーは、反応空間内にガスを有し、反応空間からのガスの迅速な排気を可能にすることに役立つ。ポンプライナーは、複数の開口部を含み、反応ガスがライナーを通って流れて排気できるようにする。ポンプポートは、他の開口部よりも一部の開口部に近い。例えば、ポンプポートがリング型のライナーの片側にある場合、ポンプポートに直に隣接するライナーの開口部は、ライナーの反対側の開口部よりも近い。異なる距離を補正するために、現在の処理チャンバライナーは、ポンピングポートに向かうガスの流れをチョークするための可変サイズの開口部を有する。ポンプポートに最も近い開口部は、ポンプポートからさらに離れた開口部よりも小さい。
【0003】
［０００３］可変の孔サイズを有する現在のポンピングライナーは、より小さな孔によってポンピングポートに向かうガスの流れをチョークし、より大きな孔を通ってライナーの側面に向かうより多くの流れを可能にして、処理空間内の流れ圧力分布を最適化するために使用される。孔は円形であるため、孔の面積の増加によって、孔の高さ及び幅の両方が増加する。孔の一部が覆われている、例えば、孔の下半分が覆われている状況では、孔の面積関係は非線形に変化する。これは、異なるプロセスごとに処理空間が異なるため、流れ特性の拡張性及び一貫性に悪影響を与える可能性がある。
【0004】
［０００４］したがって、当該技術分野では、処理空間にガスの均一な流れを提供するための装置及び方法が必要である。
【発明の概要】
【0005】
［０００５］本開示の一又は複数の実施態様は、処理チャンバ用のポンプライナーを対象とする。ポンプライナーは、内部周壁と、外部周壁と、上部と、下部とを有するリング型の本体を含む。外部周壁の上部内には環状上部チャネルが形成され、その環状上部チャネルは、環状上部チャネルと内部周壁の上部との間の流体連結を提供する、円周方向に離間された複数の開口部を有する。複数の開口部は、高さを有し、開口部のそれぞれは、独立した幅を有する。パーティションによって環状上部チャネルから分離された外部周壁の下部には、下部チャネルがある。下部チャネルは、パーティション内の少なくとも一つの通路を通じて上部チャネルと流体連結している。内部周壁から外部周壁へ延びる本体の下部には、スリットバルブ開口部がある。
【0006】
［０００６］本開示の追加の実施態様は、処理チャンバ用のポンプライナーを対象とする。ポンプライナーは、内部周壁と、外部周壁と、上部と、下部とを有するリング型の本体を含む。外部周壁の上部内には環状上部チャネルが形成され、その環状上部チャネルは、環状上部チャネルと内部周壁の上部との間の流体連結を提供する、円周方向に離間された複数の長方形の開口部を有する。複数の開口部のそれぞれは、０．２インチから０．６インチの範囲の同じ高さと、最大幅と最小幅の間で変化する独立した幅とを有する。パーティションによって環状上部チャネルから分離された外部周壁の下部には、下部チャネルがある。下部チャネルは、パーティション内の少なくとも一つの通路を通じて上部チャネルと流体連結している。内部周壁から外部周壁へ延びる本体の下部には、スリットバルブ開口部がある。外部周壁のスリットバルブ開口部は、１００度から１４０度の範囲で第１の側面から第２の側面へ延びる。４から１２の異なるサイズの開口部には、パーティションの通路に隣接する最小幅がある。
【0007】
［０００７］本開示のさらなる実施態様は、処理チャンバからガスを除去する方法を対象とする。内部周壁と、外部周壁と、上部と、下部とを有するリング型の本体を含むポンプライナーの下部には減圧が適用されて、円周方向に離間された開口部を通じて内部周壁内からガスを引き出し、本体の外部周壁の上部に形成された環状上部チャネル中に引き入れて、上部と下部とを分離するパーティション中の通路を通じて流して、外部周壁の下部の下部チャネル中に流す。複数の円周方向に離間された開口部は、等しい高さと、最も狭い幅から最も広い幅まで変化する独立した幅とを有し、最も狭い幅はパーティション中の通路に隣接している。
【0008】
［０００８］本開示の上述の特徴を詳細に理解し得るように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施態様を参照することによって得られ、一部の実施態様は、添付の図面に例示されている。しかし、添付の図面は本開示の典型的な実施態様のみを示すものであり、従って、本開示の範囲を限定するものと見做されず、本開示が他の等しく有効な実施態様も許容し得ることに留意されたい。本書に記載の実施態様では、限定ではなく例示のために添付図面を用いて記載されており、図面においては同様の要素は類似の参照符号で示されている。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】［０００９］本開示の一又は複数の実施態様による、ポンピングライナーの等角図を示す。
【図5】［００１３］本開示の一又は複数の実施態様による、ポンピングライナーを組み込んだ処理チャンバの等角図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
［００１４］本開示のいくつかの例示的な実施態様を説明する前に、本開示が以下の説明で提示される構成又は処理ステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施態様も可能であり、さまざまな方法で実施又は実行することができる。
【0011】
［００１５］本書で使用する「基板」とは、製造プロセス中に膜処理が実行される任意の基板又は基板上に形成された材料表面のことを指す。例えば、処理が実行され得る基板表面には、用途に応じて、シリコン、酸化シリコン、ストレインドシリコン、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化シリコン、アモルファスシリコン、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどの材料、並びに金属、金属窒化物、金属合金、及びその他の導電材料などの任意の他の材料が含まれる。基板は、半導体ウエハを含むが、それに限定されるわけではない。基板表面を研磨し、エッチングし、還元し、酸化させ、ヒドロキシル化し、アニールし、かつ／又はベイクするために、基板は前処理プロセスに曝露されることがある。本開示では、基板自体の表面に直接的に膜処理を行うことに加えて、開示されている膜処理工程のうちの任意のものが、より詳細に後述するように、基板に形成された下層に実施されることもある。「基板表面（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｓｕｒｆａｃｅ）」という語は、文脈に示唆されるこのような下層を含むことを意図している。したがって、例えば、膜／層又は部分的な膜／層が基板表面に堆積している場合には、新たに堆積した膜／層の露出面が基板表面となる。
【0012】
［００１６］「前駆体」、「反応物質」、「反応性ガス」などの用語は、本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、基板表面と反応することができる任意のガス種を指すために、交換可能に使用される。
【0013】
［００１７］本開示の一又は複数の実施態様は、さまざまなスリット開口部を有するポンピングライナーを対象とする。いくつかの実施態様は、シャワーヘッドとウエハとの間のさまざまな処理間隔に対してより良好な前駆体流れ分布を有利に提供する。いくつかの実施態様は、幅に沿ってのみ変化し、一定の高さを有するスリットタイプの開口部を有利に提供する。いくつかの実施態様は、さまざまな反応空間サイズで流れチョーク効果を有しないポンピングライナーを有利に提供する。
【0014】
［００１８］円形の開口部を有する現在のポンピングライナーは、開口部の水平寸法又は垂直寸法のいずれかを変化させることによって制御することはできない。本開示のいくつかの実施態様は、ポンピングライナーのスリットの高さがポンピングポートの位置に関係なく同じであるため、孔の幅を変えるだけで流れ分布を調整できるポンピングライナーを有利に提供する。
【0015】
［００１９］スリットタイプのポンピングライナーでは、開口部は、流れ圧力分布の歪度に基づいて幅に沿ってのみ変化する。すべてのスリット開口部の高さは同じままである。さまざまな処理間隔（ウエハとシャワーヘッドとの間の距離）では、ライナー開口部は、円形の孔と異なり、開口部のすべてについて垂直方向に沿って同じになる。スリットタイプのライナー開口部は、さまざまな処理間隔で流れチョーク効果を有しない。さまざまな実施態様のポンピングライナーは、より小さな処理空間が使用される多くの種類の処理チャンバで使用され得る。
【0016】
［００２０］図１及び２は、本開示の一又は複数の実施態様による、処理チャンバのポンプライナー１００の平行投影図を示す。ポンプライナー１００は、内部１０１を取り囲むリング型の本体１０２を含む。リング型の本体１０２は、頂部１０４と、底部１０６と、内部周壁１０８と、外部周壁１１０とを有する。本体は、パーティション１１６によって分離された上部１１２と下部１１４とを有する。
【0017】
［００２１］外部周壁１１０の上部１１２には、環状上部チャネル１２０が形成される。いくつかの実施態様の環状上部チャネル１２０は、本体１０２の周りに３６０度延びる。図に示される環状上部チャネルは、本体１０２の頂部１０４の底面１０３と、パーティション１１６の頂面１１７とに接している。上部チャネル１２０の外部周辺面（外壁１２１）は、上部チャネル１２０の深さを画定する外部周壁１１０からの距離、凹んでいる。
【0018】
［００２２］上部チャネル１２０は、環状上部チャネル１２０と内部周壁１０８の上部１１２との間に流体連結を提供する複数の円周方向に離間された開口部１３０を有する。いくつかの実施態様では、複数の開口部１３０のそれぞれは、同じ高さＨを有する（図３及び４を参照）。いくつかの実施態様では、開口部１３０のそれぞれは、独立した幅Ｗを有する（図３及び４にも示される）。
【0019】
［００２３］図１及び２に戻ると、ポンプライナー１００は、外部周壁１１０の下部１１４に下部チャネル１４０を含む。下部チャネル１４０は、パーティション１１６によって環状上部チャネル１２０から分離されている。下部チャネル１４０の高さは、パーティション１１６の下面１１８と本体の底部１０６の上面１０７との間の距離によって画定される。下部チャネル１４０の外部周辺面（外壁１４１）は、下部チャネル１４０の深さを画定する外部周壁１１０からの距離、凹んでいる。
【0020】
［００２４］示された実施態様では、上部チャネル１２０の外壁１２１は、下部チャネル１４０の外壁１４１の半径方向距離ＤＬよりも小さい、リング型の本体１０２の中心１０５からの半径方向距離ＤＵを有する。言い換えれば、いくつかの実施態様では、上部チャネル１２０の深さは、下部チャネル１４０の深さよりも大きい。当業者は、図面にマークされた中心１０５は、実際の物理的な点ではなく、リング型の本体１０２の半径方向の中心であることを認識するであろう。
【0021】
［００２５］いくつかの実施態様では、上部チャネル１２０の外壁１２１は、下部チャネル１４０の外壁１４１の半径方向距離ＤＬに等しいか又はそれよりも大きい、リング型の本体１０２の中心１０５からの半径方向距離ＤＵを有する。言い換えれば、いくつかの実施態様では、上部チャネル１２０の深さは、下部チャネル１４０の深さに等しいか又はそれよりも大きい。
【0022】
［００２６］下部チャネル１４０は、パーティション１１６内の少なくとも一つの通路１５０を通じて上部チャネル１２０と流体連結している。通路１５０は、通路１５０を通るガスの十分な伝導を可能にするのに、任意の適切な形及びサイズであり得る。いくつかの実施態様では、パーティション１１６内の通路１５０は、外部周壁１１０に面する凹面１５２を有する円弧型のセグメント１５１である。
【0023】
［００２７］開口部１３０は、ポンプライナー１００の内部１０１のガスが上部チャネル１２０内へ入ることを可能にする。開口部１３０のサイズは、さまざまな角度位置で開口部１３０を通るガスの伝導を変えるために変化し得る。例えば、通路１５０に隣接する開口部１３０は、通路１５０からさらに離れた開口部よりも小さい可能性がある。
【0024】
［００２８］いくつかの実施態様の開口部１３０は、長方形の形をしている。このように使用される場合、「長方形」という用語は、平行な辺の各セットが他の平行な辺のセットに垂直であるように、平行な辺の２つのセットを有する四辺形を意味する。一又は複数の実施態様による長方形は、丸まった角、又は９０度、もしくは８５～９５度、もしくは８７～９３度、もしくは８８～９２度、もしくは８９～９１度の交差角度を有する角を有する。
【0025】
［００２９］図３及び４を参照すると、いくつかの実施態様によれば、開口部１３０の幅Ｗは、最大幅ＷＬと最小幅ＷＳの間で変化する。いくつかの実施態様では、最小幅ＷＳは、パーティション１１６内の通路１５０に隣接している。開口部１３０の高さＨは実質的に同じである。つまり、任意の開口部１３０の高さは、開口部１３０の平均高さの５％、２％、１％、又は０．５％内である。いくつかの実施態様では、開口部１３０の高さＨは、０．１インチから０．８インチの範囲、又は０．２インチから０．６インチの範囲、又は０．２５インチから０．５５インチの範囲である。
【0026】
［００３０］ガスの伝導を制御できるよう、開口部１３０の数を変えることができる。いくつかの実施態様では、４個から２５６個の範囲の開口部、又は３６個から１４４個の範囲の開口部がある。いくつかの実施態様では、４個、８個、１６個、２４個、３０個、３６個、４８個、６０個、７２個、８４個、９０個、１２０個、１５０個、又は１８０個以上の開口部がある。
【0027】
［００３１］いくつかの実施態様の開口部１３０は、異なるサイズのグループで配置されている。例えば、通路１５０に隣接する開口部のグループは、同じ最小幅ＷＳを有し得、通路から９０度中心にある開口部のグループは同じ最大幅ＷＬを有し得る。いくつかの実施態様では、２個から２４個の範囲の異なるサイズの開口部、又は３個から１８個の範囲の開口部、又は４個から１２個の範囲の開口部、又は６個から１０個の範囲の開口部がある。
【0028】
［００３２］図１及び２に戻ると、いくつかの実施態様のポンプライナー１００は、本体１０２の下部１１４にスリットバルブ開口部１７０を含む。スリットバルブ開口部１７０は、本体１０２を通って内部周壁１０８から外部周壁１１０へ延びる。スリットバルブ開口部１７０は、底面１７１と、側面１７２と、頂面１７３とを有する。側面１７２は、第１の側面及び第２の側面とも称される。
【0029】
［００３３］いくつかの実施態様では、スリットバルブ開口部１７０は、半導体ウエハがそれを通って移動することを可能にするのに十分な幅を有する。例えば、処理されている半導体ウエハが３００ｍｍの直径を有する場合、スリットバルブ開口部１７０の幅は、最も近いポイント間で少なくとも３００ｍｍである。いくつかの実施態様では、スリットバルブ開口部１７０は、半導体ウエハを支持するロボットエンドエフェクタがそれを通って移動することを可能にするのに十分な高さを有する。
【0030】
［００３４］いくつかの実施態様では、外部周壁１１０のスリットバルブ開口部１７０は、リング型の本体１０２の８０度から１８０度の範囲、又は９０度から１６０度の範囲、又は１００度から１４０度の範囲で延びる。いくつかの実施態様では、下部チャネル１４０は、１５０度から２５０の範囲、又は２００度から２２５度の範囲で、外部周壁１１０の周りに延びる。
【0031】
［００３５］図５を参照すると、本開示の一又は複数の実施態様は、本明細書に記載のポンプライナー１００を含む処理チャンバ２００を対象とする。処理チャンバ２００は、ガス分配アセンブリ２２０と、ガス分配アセンブリに面する指示表面を有して処理中に基板２３０を指示する基板支持体２１０とを有する。ポンプライナー１００は、ガス分配アセンブリ２２０と基板支持体２１０の周り及び／又は間にある。
【0032】
［００３６］本開示の一又は複数の実施態様は、処理チャンバからガスを除去する方法を対象とする。図１から４に示すように、ポンプライナー１００の下部には減圧が適用される。減圧は、真空ポンプを含むがこれに限定されない、当業者に知られる任意の適切な技法又は装置を使用して適用される。減圧は、ガスを内部周壁内から引き出し、環状上部チャネル内の円周方向に離間された開口部を通って環状上部チャネルへ入れ、パーティション内の少なくとも一つの通路を通って、ライナーの下部の下部チャネルへ引き入れる。
【0033】
［００３７］上述の明細書では、本開示の特定の例示の実施態様を参照しながら本開示の実施態様を説明してきた。以下の特許請求の範囲に記載されるように、本開示の実施態様のより広い主旨及び範囲から逸脱しない限り、本開示にさまざまな修正を加えることができることが明らかになろう。したがって、本明細書及び図面は、限定を意味するのではなく、例示を意味すると見なすべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】