特許 7361892 基板処理システムおよび基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-05

(45)【発行日】2023-10-16

(54)【発明の名称】基板処理システムおよび基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/306 20060101AFI20231006BHJP

【ＦＩ】

H01L21/306 J

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2022515310

(86)(22)【出願日】2021-04-02

(86)【国際出願番号】 JP2021014349

(87)【国際公開番号】W WO2021210431

(87)【国際公開日】2021-10-21

【審査請求日】2022-09-29

(31)【優先権主張番号】P 2020071619

(32)【優先日】2020-04-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】李 水根

(72)【発明者】

【氏名】丸本 洋

(72)【発明者】

【氏名】中森 光則

【審査官】鈴木 聡一郎

(56)【参考文献】

【文献】特開平１１－２２０００４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０２３６２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－２４３６７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２５２９４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－０４９３８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－２１５１９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－０２１８５１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｎ ２１／８４－２１／９５８

Ｈ０１Ｌ ２１／３０２

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６－２１／３０８

Ｈ０１Ｌ ２１／４６１

Ｈ０１Ｌ ２１／４６５－２１／４６７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の表面に形成された膜をエッチングするエッチング処理を行うエッチング処理部と、
前記エッチング処理後の前記基板の表面を撮像する検査部と、
前記検査部によって撮像された画像に基づいて前記エッチング処理後における前記膜の膜厚を推定する推定部と、
前記エッチング処理前における前記膜の膜厚と、前記推定部によって推定された前記エッチング処理後における前記膜の膜厚とに基づいて前記膜のエッチング量を算出する算出部と、
前記エッチング処理前における前記膜の膜厚が正常か否かを判定する処理、および、前記算出部によって算出された前記エッチング量に基づいて前記エッチング処理の良否を判定する処理を行う判定部と、
前記判定部によって前記エッチング処理前における前記膜の膜厚が正常と判定された場合に、前記エッチング処理前における前記膜の膜厚に基づき、前記基板に対する前記エッチング処理の処理条件を補正する補正処理を行う補正部と、
前記判定部によって前記エッチング処理前における前記膜の膜厚が正常でないと判定された場合に、前記基板に対する前記エッチング処理の実行を中止し、前記判定部によって前記エッチング処理が不良と判定された場合に、当該エッチング処理を行った前記エッチング処理部を用いた前記エッチング処理の実行を禁止する異常対応処理部と
を備え、
前記補正処理は、前記基板に対して前記エッチング処理を行う前記エッチング処理部が決定された後、当該エッチング処理部に対して行われる、基板処理システム。

【請求項2】

前記判定部は、前記エッチング処理前における前記膜の膜厚が予め設定された閾値範囲内である場合に、前記エッチング処理前における前記膜の膜厚が正常と判定し、前記エッチング処理前における前記膜の膜厚が予め設定された閾値範囲を逸脱する場合に、前記エッチング処理前における前記膜の膜厚が正常でないと判定する、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項3】

前記補正部は、前記判定部によって前記エッチング処理前における前記膜の膜厚が正常と判定され、かつ、前記エッチング処理前における前記膜の膜厚が前記閾値範囲よりも狭い第２閾値範囲を逸脱する場合に、前記エッチング処理前における前記膜の膜厚に基づき、前記基板に対する前記エッチング処理の処理条件を補正する、請求項２に記載の基板処理システム。

【請求項4】

前記検査部は、前記エッチング処理前の前記基板の表面を撮像することによって処理前画像を取得し、前記エッチング処理後の前記基板の表面を撮像することによって処理後画像を取得し、
前記推定部は、前記処理前画像に基づいて、前記エッチング処理前における前記膜の膜厚を推定し、前記処理後画像に基づいて、前記エッチング処理後における前記膜の膜厚を推定する、請求項１～３の何れか一つに記載の基板処理システム。

【請求項5】

前記検査部は、
前記エッチング処理前の前記基板の表面を撮像することによって処理前画像を取得する処理前検査部と、
前記処理前検査部と別体に設けられ、前記エッチング処理後の前記基板の表面を撮像することによって処理後画像を取得する処理後検査部と
を含み、
前記推定部は、前記処理前画像に基づいて、前記エッチング処理前における前記膜の膜厚を推定し、前記処理後画像に基づいて、前記エッチング処理後における前記膜の膜厚を推定する、請求項１～３の何れか一つに記載の基板処理システム。

【請求項6】

複数の前記エッチング処理部を備え、
前記判定部は、
一の前記エッチング処理部における前記エッチング処理の良否を、複数の前記エッチング処理部における前記エッチング量に基づいて判定する、請求項１～５の何れか一つに記載の基板処理システム。

【請求項7】

前記算出部によって算出された前記エッチング量を前記エッチング処理を行った前記エッチング処理部の識別情報と関連づけて記憶する記憶部を備え、
前記判定部は、
前記記憶部に記憶された複数の前記エッチング量に基づき算出される前記エッチング量の経時変化に基づいて前記エッチング処理の良否を判定する、請求項１～５の何れか一つに記載の基板処理システム。

【請求項8】

基板の表面に形成された膜をエッチング処理部を用いてエッチングする工程と、
前記エッチングする工程の前における前記膜の膜厚が正常か否かを判定する工程と、
前記膜の膜厚が正常か否かを判定する工程によって前記エッチングする工程の前における前記膜の膜厚が正常と判定された場合に、前記エッチングする前における前記膜の膜厚に基づき、前記基板に対する前記エッチングする工程における処理条件を補正する工程と、
前記エッチングする工程の後の前記基板の表面を撮像する工程と、
前記撮像する工程によって撮像された画像に基づいて前記エッチングする工程の後における前記膜の膜厚を推定する工程と、
前記エッチングする工程の前における前記膜の膜厚と、前記推定する工程によって推定された前記エッチングする工程の後における前記膜の膜厚とに基づいて前記膜のエッチング量を算出する工程と、
前記算出する工程によって算出された前記エッチング量に基づいて前記エッチングする工程の良否を判定する工程と、
前記膜の膜厚が正常か否かを判定する工程によって前記エッチングする工程の前における前記膜の膜厚が正常でないと判定された場合に、前記基板に対する前記エッチングする工程の実行を中止する工程と、
前記エッチングする工程の良否を判定する工程によって前記エッチングする工程が不良と判定された場合に、当該エッチングする工程を行った前記エッチング処理部を用いた前記エッチングする工程の実行を禁止する工程と
を含み、
前記補正する工程は、前記基板に対して前記エッチングする工程を行う前記エッチング処理部が決定された後、当該エッチング処理部に対して行われる、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理システムおよび基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体の製造工程の一つとして、半導体ウエハ等の基板に形成された膜をエッチングするエッチング工程が知られている。また、エッチング工程後、複数の工程を経た基板の表面を検査することにより、基板の良否を判定する工程も知られている。

【0003】

特許文献１には、基板の表面を撮像した基板画像に基づいて基板の表面における欠陥の有無を判定する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１６－２１２００８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、エッチング処理の不良を早期に発見することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様による基板処理システムは、エッチング処理部と、検査部と、推定部と、算出部と、判定部とを備える。エッチング処理部は、基板の表面に形成された膜をエッチングするエッチング処理を行う。検査部は、エッチング処理後の基板の表面を撮像する。推定部は、検査部によって撮像された画像に基づいて膜の膜厚を推定する。算出部は、エッチング処理前における膜の膜厚と、推定部によって推定された膜の膜厚とに基づいて膜のエッチング量を算出する。判定部は、算出部によって算出されたエッチング量に基づいてエッチング処理の良否を判定する。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、エッチング処理の不良を早期に発見することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。

【図2】図２は、実施形態に係るエッチング処理部の構成を示す図である。

【図3】図３は、実施形態に係る積層部の構成を示す図である。

【図4】図４は、実施形態に係る検査部を上方から見た断面図である。

【図5】図５は、実施形態に係る検査部を側方から見た断面図である。

【図6】図６は、実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。

【図7】図７は、膜厚推定処理の一例を示す図である。

【図8】図８は、平均膜厚に基づく補正処理の一例を示す図である。

【図9】図９は、相関ＤＢに格納される相関情報の一例を示す図である。

【図10】図１０は、相関ＤＢに格納される相関情報の他の一例を示す図である。

【図11】図１１は、膜厚の面内分布に基づく補正処理の一例を示す図である。

【図12】図１２は、実施形態に係る基板処理システムにおいて実行される処理の手順を示すフローチャートである。

【図13】図１３は、変形例に係る基板処理システムの構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本開示による基板処理システムおよび基板処理方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

【0010】

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。

【0011】

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。

【0012】

＜基板処理システムの構成＞
図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

【0013】

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

【0014】

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、積層部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと積層部１４に設けられた受渡部との間でウエハＷの搬送を行う。

【0015】

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数のエッチング処理部１６とを備える。複数のエッチング処理部１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

【0016】

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて積層部１４とエッチング処理部１６との間でウエハＷの搬送を行う。

【0017】

エッチング処理部１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対してエッチング処理を行う。エッチング処理とは、ウエハＷの表面に形成された膜の全てまたは一部を除去する処理である。ここでは、エッチング処理部１６がウェットエッチングを行う場合を例に挙げて説明するが、エッチング処理部１６が行うエッチング処理は、ドライエッチングであってもよい。

【0018】

基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

【0019】

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【0020】

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを積層部１４の受渡部に載置する。受渡部に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって積層部１４から取り出されて、エッチング処理部１６へ搬入される。

【0021】

エッチング処理部１６へ搬入されたウエハＷは、エッチング処理部１６によってエッチング処理された後、基板搬送装置１７によってエッチング処理部１６から搬出されて、積層部１４に載置される。そして、積層部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

【0022】

＜エッチング処理部の構成＞
次に、エッチング処理部１６の構成について図２を参照して説明する。図２は、実施形態に係るエッチング処理部１６の構成を示す図である。

【0023】

図２に示すように、エッチング処理部１６は、チャンバ６１と、基板保持機構６２と、供給部６３と、回収カップ６４とを備える。

【0024】

チャンバ６１は、基板保持機構６２と供給部６３と回収カップ６４とを収容する。チャンバ６１の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）６１ａが設けられる。ＦＦＵ６１ａは、チャンバ６１内にダウンフローを形成する。

【0025】

基板保持機構６２は、保持部６２ａと、支柱部６２ｂと、駆動部６２ｃと、温度調整部６２ｄとを備える。保持部６２ａは、ウエハＷを水平に保持する。支柱部６２ｂは、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部６２ｃによって回転可能に支持され、先端部において保持部６２ａを水平に支持する。駆動部６２ｃは、支柱部６２ｂを鉛直軸まわりに回転させる。温度調整部６２ｄは、たとえば保持部６２ａに内蔵され、保持部６２ａに保持されたウエハＷを加熱または冷却することにより、ウエハＷの温度を調整する。

【0026】

かかる基板保持機構６２は、駆動部６２ｃを用いて支柱部６２ｂを回転させることによって支柱部６２ｂに支持された保持部６２ａを回転させ、これにより、保持部６２ａに保持されたウエハＷを回転させる。

【0027】

供給部６３は、ウエハＷに対して薬液（エッチング液）を供給する。供給部６３は、薬液供給源６３ａに接続される。薬液は特に限定されないが、たとえば、フッ酸、希フッ酸、硝酸、ＳＣ１（アンモニア／過酸化水素／水の混合液）等が用いられ得る。

【0028】

供給部６３は、濃度調整部６３ｂと、温度調整部６３ｄと、流量調整部６３ｅとを備える。濃度調整部６３ｂは、薬液供給源６３ａおよび希釈液供給源６３ｃに接続され、薬液供給源６３ａから供給される薬液と、希釈液供給源６３ｃから供給される希釈液（たとえば、水など）とを混合して薬液を希釈する。濃度調整部６３ｂは、薬液と希釈液との混合比率を変更可能であり、これにより、薬液を所望の濃度に調整することができる。

【0029】

温度調整部６３ｄは、濃度調整部６３ｂよりも下流側に設けられ、薬液の温度を加熱または冷却することにより、薬液の温度を調整する。流量調整部６３ｅは、濃度調整部６３ｂよりも下流側に設けられ、ウエハＷへ吐出する薬液の流量を調整する。

【0030】

回収カップ６４は、保持部６２ａを取り囲むように配置され、保持部６２ａの回転によってウエハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ６４の底部には、排液口６４ａが形成されており、回収カップ６４によって捕集された処理液は、かかる排液口６４ａからエッチング処理部１６の外部へ排出される。また、回収カップ６４の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体をエッチング処理部１６の外部へ排出する排気口６４ｂが形成される。

【0031】

＜積層部の構成＞
次に、積層部１４の構成について図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る積層部１４の構成を示す図である。

【0032】

図３に示すように、積層部１４には、複数の処理部が高さ方向（Ｚ軸方向）に積層されている。たとえば、積層部１４には、複数の受渡部４０が設けられる。受渡部４０は、ウエハＷを収容可能である。かかる受渡部４０において、基板搬送装置１３，１７間でのウエハＷの受け渡しが行われる。

【0033】

また、積層部１４には、ウエハＷの表面を検査するための検査部５０として、処理前検査部５０＿１と処理後検査部５０＿２とが設けられる。処理前検査部５０＿１は、エッチング処理前のウエハＷの表面を撮像することによって処理前画像を取得する。また、処理後検査部５０＿２は、エッチング処理後の基板の表面を撮像することによって処理後画像を取得する。

【0034】

＜検査部の構成＞
ここで、検査部５０（処理前検査部５０＿１および処理後検査部５０＿２）の構成について図４および図５を参照して説明する。図４は、実施形態に係る検査部５０を上方から見た断面図である。また、図５は、実施形態に係る検査部５０を側方から見た断面図である。

【0035】

図４および図５に示すように、検査部５０は、ケーシング５１を有している。ケーシング５１内には、ウエハＷを保持する保持部５２が設けられている。保持部５２は、たとえばバキュームチャックであり、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持する。

【0036】

ケーシング５１の底面には、Ｙ軸方向に沿って延在するガイドレール５３が設けられている。ガイドレール５３上には、保持部５２を回転させると共に、ガイドレール５３に沿って移動自在な駆動部５４が設けられている。

【0037】

ケーシング５１内の側面には、撮像部５５が設けられている。撮像部５５としては、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。ケーシング５１の上部中央付近には、ハーフミラー５６が設けられている。ハーフミラー５６は、撮像部５５と対向する位置に、鏡面が鉛直下方を向いた状態から撮像部５５の方向に向けて４５度上方に傾斜した状態で設けられる。

【0038】

ハーフミラー５６の上方には、照明装置５７が設けられている。ハーフミラー５６と照明装置５７は、ケーシング５１内部の上面に固定されている。照明装置５７からの照明は、ハーフミラー５６を通過して下方に向けて照らされる。したがって、照明装置５７の下方にある物体によって反射した光は、ハーフミラー５６でさらに反射して、撮像部５５に取り込まれる。すなわち、撮像部５５は、照明装置５７による照射領域にある物体を撮像することができる。

【0039】

検査部５０は、駆動部５４を用いて保持部５２をガイドレール５３に沿って移動させながら撮像部５５による撮像を行う。これにより、検査部５０は、ウエハＷの表面の画像すなわち処理前画像または処理後画像を得ることができる。検査部５０によって撮像されたウエハＷの画像は、制御装置４に入力される。

【0040】

＜制御装置の構成＞
次に、制御装置４の構成について図６を参照して説明する。図６は、実施形態に係る制御装置４の構成を示すブロック図である。

【0041】

図６に示すように、制御装置４は、制御部１８と記憶部１９とを備える。制御部１８は、推定部１８１と、補正部１８２と、算出部１８３と、判定部１８４と、異常対応処理部１８５とを備える。また、記憶部１９は、処理前膜厚ＤＢ（データベース）１９１と、処理後膜厚ＤＢ（データベース）１９２と、エッチング量ＤＢ（データベース）１９３と、相関ＤＢ（データベース）１９４とを有する。

【0042】

なお、制御装置４は、たとえば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、入出力ポートなどを有するコンピュータや各種の回路を含む。

【0043】

コンピュータのＣＰＵは、たとえば、ＲＯＭに記憶されたプログラムを読み出して実行することによって、制御部１８の推定部１８１、補正部１８２、算出部１８３、判定部１８４および異常対応処理部１８５として機能する。なお、推定部１８１、補正部１８２、算出部１８３、判定部１８４および異常対応処理部１８５の少なくともいずれか一つまたは全部は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のハードウェアで構成されてもよい。

【0044】

また、記憶部１９は、たとえば、ＲＡＭやＨＤＤに対応する。なお、制御装置４は、有線や無線のネットワークで接続された他のコンピュータや可搬型記録媒体を介して上記したプログラムや各種情報を取得することとしてもよい。

【0045】

推定部１８１は、検査部５０によって撮像された画像に基づいてウエハＷの表面に形成された膜の膜厚を推定する。具体的には、推定部１８１は、処理前検査部５０＿１によって撮像された処理前画像に基づいて、エッチング処理前における膜厚を推定し、処理後検査部５０＿２によって撮像された処理後画像に基づいてエッチング処理後における膜厚を推定する。

【0046】

ここで、推定部１８１による膜厚推定処理について図７を参照して説明する。図７は、膜厚推定処理の一例を示す図である。

【0047】

図７の上図は、検査部５０によって撮像されたウエハＷ表面の画像におけるＲ（赤）、Ｇ（緑）および青（青）の各画素値とウエハＷ表面の膜の膜厚との関係を示したグラフである。同図に示すように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）および青（青）の各画素値と膜厚との間には周期的な相関が見られる。

【0048】

図７の下図は、図７上図の一部の膜厚範囲、具体的には、想定される膜厚を含む膜厚範囲を抜き出して拡大したものである。同図に示すように、ある膜厚範囲で見たとき、各画素値と膜厚との関係は線形に近似することができる。

【0049】

そこで、たとえば、Ｒ，Ｇ，Ｂの３チャネルのうち膜厚との関係が最も線形に近い１つのチャネルを選択し、選択したチャネル（たとえばＲ）のデータを線形近似することで、一次関数である膜厚予測式を得ることができる。

【0050】

推定部１８１は、上記の膜厚予測式を用い、検査部５０によって撮像された画像の各画素におけるＲの画素値を当該画素における膜厚に変換する。このようにして、推定部１８１は、検査部５０によって撮像された画像に基づいて膜厚を推定することができる。

【0051】

推定部１８１は、処理前検査部５０＿１から入力される処理前画像に基づいて膜厚を推定した場合には、推定した膜厚をウエハＷの識別番号と関連づけた情報を処理前膜厚情報として処理前膜厚ＤＢ１９１に格納する。また、推定部１８１は、処理後検査部５０＿２から入力される処理後画像に基づいて膜厚を推定した場合には、推定した膜厚をウエハＷの識別番号と関連づけた情報を処理後膜厚情報として処理後膜厚ＤＢ１９２に格納する。

【0052】

なお、推定部１８１は、Ｒ，Ｇ，Ｂの全てチャネルを用いた膜厚予測式に基づいて膜厚を推定してもよい。これにより、膜厚の推定精度を高めることができる。

【0053】

図６に戻る。補正部１８２は、処理前膜厚ＤＢ１９１に格納された処理前膜厚情報に基づき、ウエハＷに対するエッチング処理の処理条件を補正する。

【0054】

補正部１８２による補正処理について図８～図１１を参照して説明する。図８は、平均膜厚に基づく補正処理の一例を示す図であり、図９は、相関ＤＢ１９４に格納される相関情報の一例を示す図である。また、図１０は、相関ＤＢ１９４に格納される相関情報の他の一例を示す図であり、図１１は、膜厚の面内分布に基づく補正処理の一例を示す図である。

【0055】

図８には、厚めの膜Ｆ＿１が形成されたウエハＷ＿１をエッチング処理部１６＿１により処理し、薄めの膜Ｆ＿２が形成されたウエハＷ＿２をエッチング処理部１６＿２により処理する様子を示している。

【0056】

補正部１８２は、ウエハＷ＿１の処理前膜厚情報を処理前膜厚ＤＢ１９１から取得し、取得した処理前膜厚情報を用いて膜Ｆ＿１の平均膜厚を算出する。平均膜厚は、ウエハＷ＿１の表面の各位置（各画素）における膜厚の平均値である。

【0057】

膜Ｆ＿１の平均膜厚は、エッチング処理部１６＿１に予め設定された処理条件（以下、「初期レシピ」と記載する）によるエッチング処理では完全に除去しきれないものとする。言い換えれば、膜Ｆ＿１の平均膜厚は、初期レシピによるエッチング量を超えている（初期レシピによるエッチング量に相当する膜厚よりも厚い）ものとする。この場合、補正部１８２は、膜Ｆ＿１の膜厚に応じたエッチング量となるように、膜Ｆ＿１の平均膜厚に応じてエッチング処理部１６＿１の処理条件を初期レシピから変更して、膜Ｆ＿２のエッチング量を増やす。

【0058】

処理条件のうち、たとえば薬液温度、ウエハ温度、薬液濃度、処理時間は、エッチング量を変化させることができるパラメータである。薬液温度は、供給部６３（図２参照）から供給される薬液の温度であり、温度調整部６３ｄによりエッチング処理部１６ごとに変更可能である。ウエハ温度は、エッチング処理時におけるウエハＷの温度であり、温度調整部６２ｄによりエッチング処理部１６ごとに変更可能である。薬液濃度は、供給部６３から供給される薬液の濃度であり、濃度調整部６３ｂによりエッチング処理部１６ごとに変更可能である。処理時間は、供給部６３からウエハＷへの薬液の吐出時間である。

【0059】

補正部１８２は、たとえば、初期レシピに対して薬液温度、ウエハ温度および薬液濃度を高くし、処理時間を長くする。これにより、膜Ｆ＿１のエッチング量を初期レシピによるエッチング量から増加させることができる。

【0060】

また、補正部１８２は、ウエハＷ＿２の処理前膜厚情報を処理前膜厚ＤＢ１９１から取得し、取得した処理前膜厚情報を用いて膜Ｆ＿２の平均膜厚を算出する。

【0061】

膜Ｆ＿２の平均膜厚は、初期レシピによるエッチング処理を行った場合に、エッチング過剰となる厚さであるものとする。言い換えれば、膜Ｆ＿２の平均膜厚は、初期レシピによるエッチング量を下回っている（初期レシピによるエッチング量に相当する膜厚よりも薄い）ものとする。この場合、補正部１８２は、膜Ｆ＿２の膜厚に応じたエッチング量となるように、膜Ｆ＿２の平均膜厚に応じてエッチング処理部１６＿２の処理条件を初期レシピから変更して、膜Ｆ＿２のエッチング量を減らす。

【0062】

たとえば、補正部１８２は、初期レシピに対して薬液温度、ウエハ温度および薬液濃度を低くし、処理時間を短くする。これにより、膜Ｆ＿２のエッチング量を初期レシピによるエッチング量から低下させることができる。

【0063】

このように、エッチング処理前における膜Ｆの膜厚にウエハＷごとのバラツキがあったとしても、ウエハＷの処理前膜厚情報に応じてウエハＷごとにエッチング量を変更することで、エッチング処理後のウエハＷの状態を揃えることができる。

【0064】

ここでは、複数のパラメータを変更する場合の例を挙げたが、補正部１８２は、少なくとも１つのパラメータを変更すればよい。

【0065】

補正部１８２は、相関ＤＢ１９４に記憶された相関情報に基づいて、処理条件に含まれる複数のパラメータのうち、変更するパラメータおよびその変更量を決定してもよい。

【0066】

図９に示すように、相関ＤＢ１９４には、複数の相関情報が格納されている。相関情報とは、処理条件に含まれるパラメータとエッチング量との相関を示す情報である。たとえば、図９には、薬液温度とエッチング量との相関を示す相関情報、薬液濃度とエッチング量との相関を示す相関情報および処理時間とエッチング量との相関を示す相関情報を示している。これらの相関情報は、膜Ｆの種類ごと、薬液の種類ごとに用意される。

【0067】

補正部１８２は、たとえば、複数のパラメータのうち、膜Ｆおよび薬液の組み合わせに対して、エッチング量の変化率が最も高いパラメータを補正対象のパラメータとして選択してもよい。たとえば、図９に示す例では、薬液温度、薬液濃度および処理時間のうち、薬液温度がエッチング量の変化率が最も高い。この場合、補正部１８２は、薬液温度を補正対象のパラメータとして選択する。

【0068】

一方、図１０に示すように、相関ＤＢ１９４には、ウエハＷの径方向における位置ごとに、複数のパラメータのエッチング量に対する寄与度を関連づけた相関情報も格納されている。ここでは、一例として、排気量、回転数、薬液流量および薬液温度のエッチング量に対する寄与度が関連づけられている。

【0069】

図１０に示すように、エッチング量に対する薬液温度の寄与度は、ウエハＷの中央において最も高く、外周に近づくほど低くなる。これとは逆に、エッチング量に対する薬液流量の寄与度は、ウエハＷの外周に近づくほど高くなる。

【0070】

図１１には、中央と比べて外周が厚い膜Ｆ＿３が形成されたウエハＷ＿３をエッチング処理部１６＿３により処理し、外周と比べて中央が厚い膜Ｆ＿４が形成されたウエハＷ＿４をエッチング処理部１６＿４により処理する様子を示している。

【0071】

補正部１８２は、ウエハＷ＿３の処理前膜厚情報を処理前膜厚ＤＢ１９１から取得する。ウエハＷ＿３の処理前膜厚情報は、膜Ｆ＿３の膜厚分布の情報に相当する。補正部１８２は、膜Ｆ＿３の膜厚のバラツキが解消されるように、ウエハＷ＿３の処理前膜厚情報に応じてエッチング処理部１６＿３の処理条件を初期レシピから変更する。

【0072】

具体的には、補正部１８２は、図１０に示した相関情報に基づき、初期レシピに対して薬液流量を多くし、薬液温度を低くする。上述したように、エッチング量に対する薬液流量の寄与度は、ウエハＷの外周に近いほど高く、中央に近いほど低い。このため、薬液流量を多くすることで、ウエハＷ＿３の外周における膜Ｆ＿３のエッチング量をウエハＷの中央における膜Ｆ＿３のエッチング量よりも多くすることができる。また、エッチング量に対する薬液温度の寄与度は、ウエハＷの外周に近いほど低く、中央に近いほど高い。このため、薬液温度を低くすることで、ウエハＷ＿３の中央における膜Ｆ＿３のエッチング量をウエハＷの外周における膜Ｆ＿３のエッチング量よりも少なくすることができる。

【0073】

このように、ウエハＷの外周におけるエッチング量への寄与度が高い薬液流量を多くし、同寄与度が低い薬液温度を低くすることで、ウエハＷの外周におけるエッチング量を中央に対して高くすることができる。この結果、中央と比べて外周が厚い膜Ｆ＿３を適切にエッチングすることができる。

【0074】

一方、補正部１８２は、膜Ｆ＿４の膜厚のバラツキが解消されるように、ウエハＷ＿４の処理前膜厚情報に応じてエッチング処理部１６＿４の処理条件を初期レシピから変更する。

【0075】

具体的には、補正部１８２は、図１０に示した相関情報に基づき、初期レシピに対して薬液流量を少なくし、薬液温度を高くする。薬液温度を高くすることで、ウエハＷ＿４の中央における膜Ｆ＿４のエッチング量をウエハＷ＿４の中央における膜Ｆ＿４のエッチング量よりも多くすることができる。また、薬液流量を少なくことで、ウエハＷ＿４の外周における膜Ｆ＿４のエッチング量をウエハＷ＿４の中央における膜Ｆ＿４のエッチング量よりも少なくすることができる。

【0076】

このように、ウエハＷの中央におけるエッチング量への寄与度が高い薬液温度を高くし、同寄与度が低い薬液流量を少なくすることで、ウエハＷの中央におけるエッチング量を外周に対して高くすることができる。この結果、外周と比べて中央が厚い膜Ｆ＿４を適切にエッチングすることができる。

【0077】

なお、膜厚のバラツキを解消させることができるパラメータは、上述した排気量、回転数、薬液流量、薬液温度以外にも、たとえば、薬液の吐出位置、吐出位置をスキャンさせる場合のスキャン開始位置やスキャン速度等がある。補正部１８２は、これらのパラメータを変更することによっても膜厚のバラツキを解消させることができる。

【0078】

図６に戻る。算出部１８３は、エッチング処理前における膜の膜厚と、エッチング処理後における膜の膜厚とに基づいてエッチング量を算出する。具体的には、算出部１８３は、処理前膜厚ＤＢ１９１から該当するウエハＷの処理前膜厚情報を取得し、処理後膜厚ＤＢ１９２から同ウエハＷの処理後膜厚情報を取得する。

【0079】

そして、算出部１８３は、処理前膜厚情報に含まれるエッチング処理前の膜厚から処理後膜厚情報に含まれるエッチング処理後の膜厚を減じることにより、このウエハＷのエッチング量を算出する。算出部１８３は、算出したエッチング量を、ウエハＷの識別情報およびこのウエハＷを処理したエッチング処理部１６の識別情報と関連づけた情報をエッチング量情報としてエッチング量ＤＢ１９３に格納する。

【0080】

判定部１８４は、算出部１８３によって算出されたエッチング量に基づいてエッチング処理の良否を判定する。

【0081】

たとえば、判定部１８４は、エッチング量ＤＢ１９３から該当するウエハＷのエッチング量情報を取得し、取得したエッチング量情報に含まれるエッチング量が予め設定された閾値範囲に含まれるか否かを判定する。この結果、エッチング量が閾値範囲に含まれる場合には、エッチング処理が正常に行われたと判定する。一方、エッチング量が閾値範囲を逸脱している場合、判定部１８４は、エッチング処理が不良であると判定する。

【0082】

判定部１８４は、エッチング処理が不良であると判定した場合、不良と判定されたウエハＷの識別情報と、不良と判定されたウエハＷを処理したエッチング処理部１６の識別情報とを含む異常情報を生成して異常対応処理部１８５へ出力する。

【0083】

このように、実施形態に係る基板処理システム１では、基板処理システム１の内部において、エッチング処理の良否を判定することで、エッチング処理の不良を早期に発見することができる。

【0084】

エッチング処理の不良は、エッチング処理部１６のトラブルが原因で発生する場合がある。この場合、エッチング処理の不良を早期に発見することができれば、不良が発見されるまでの間にこのエッチング処理部１６によって処理されるウエハＷの枚数を少なく抑えることができる。すなわち、同じようにエッチング不良となるおそれのあるウエハＷの枚数を低減することができる。

【0085】

判定部１８４は、一のエッチング処理部１６におけるエッチング処理の良否を、複数のエッチング処理部１６におけるエッチング量に基づいて判定してもよい。

【0086】

上述したように、エッチング量ＤＢ１９３には、エッチング量をエッチング処理部１６の識別情報と関連づけたエッチング量情報が格納される。判定部１８４は、エッチング処理部１６ごとに、過去に行ったエッチング処理におけるエッチング量の平均値（個別平均値）を算出する。また、判定部１８４は、全てのエッチング処理部１６において過去に行われたエッチング処理におけるエッチング量の平均値（全体平均値）を算出する。個別平均値および全体平均値の算出は、エッチング処理部１６においてエッチング処理が行われる度に行われる。

【0087】

そして、判定部１８４は、個別平均値の全体平均値からのずれが閾値を超えた場合に、閾値を超えたエッチング処理部１６において行われたエッチング処理を不良と判定してもよい。このようにすることで、エッチング処理部１６間におけるエッチング量のバラツキを早期に発見することができる。

【0088】

また、判定部１８４は、エッチング量ＤＢ１９３に格納されたエッチング量情報に基づき、各エッチング処理部１６におけるエッチング量の経時変化を監視してもよい。この場合、判定部１８４は、エッチング処理部１６においてエッチング処理が行われる度に、今回のエッチング量の初期のエッチング量からのずれを算出する。そして、判定部１８４は、今回のエッチング量の初期のエッチング量からのずれが閾値を超えた場合に、閾値を超えたエッチング処理部１６において行われたエッチング処理を不良と判定してもよい。このようにすることで、エッチング処理部１６の経年劣化を早期に発見することがきる。

【0089】

異常対応処理部１８５は、判定部１８４によってエッチング処理が不良と判定された場合に、そのエッチング処理を行ったエッチング処理部１６を用いたエッチング処理の実行を禁止する。

【0090】

このように、エッチング処理が不良と判定されたエッチング処理部１６の使用を禁止することで、エッチング不良となるおそれのあるウエハＷの枚数を低減することができる。

【0091】

なお、異常対応処理部１８５は、判定部１８４から取得した異常情報を基板処理システム１に接続される上位装置に出力してもよい。

【0092】

＜基板処理システムの具体的動作＞
次に、基板処理システム１の具体的動作について図１２を参照して説明する。図１２は、実施形態に係る基板処理システム１において実行される処理の手順を示すフローチャートである。

【0093】

基板処理システム１では、まず、処理前検査処理が行われる（ステップＳ１０１）。具体的には、基板搬送装置１３が、キャリアＣからエッチング処理前のウエハＷを取り出して積層部１４に配置された受渡部４０に載置する。その後、基板搬送装置１７が受渡部４０からウエハＷを取り出して処理前検査部５０＿１へ搬送する。そして、処理前検査部５０＿１がウエハＷの表面を撮像することによって処理前画像を取得し、推定部１８１が処理前画像に基づき膜Ｆの膜厚を推定する。

【0094】

つづいて、判定部１８４は、エッチング処理前の膜厚が正常であるか否かを判定する（ステップＳ１０２）。たとえば、判定部１８４は、エッチング処理前の膜厚が後述する補正処理では解消しきれないほど大きくずれている場合に、エッチング処理前の膜厚が不良であると判定する。具体的には、判定部１８４は、ステップＳ１０１において推定された膜厚が予め設定された第１閾値範囲から逸脱する場合に、エッチング処理前の膜厚が不良であると判定する。

【0095】

ステップＳ１０２においてエッチング処理前の膜厚が正常であると判定された場合（ステップＳ１０２，Ｙｅｓ）、補正処理が行われる（ステップＳ１０３）。補正処理では、補正部１８２が、処理前膜厚情報に基づいてエッチング処理の処理条件を補正する。この補正処理は、ウエハＷの搬送先となるエッチング処理部１６が決定した後、そのエッチング処理部１６に対して行われる。

【0096】

なお、判定部１８４は、補正処理に先立ち、補正処理の要否を判定してもよい。たとえば、基板処理システム１は、補正処理を行う補正ありモードと補正処理を行わない補正なしモードとを有していてもよい。この場合、判定部１８４は、現在のモードが補正ありモードである場合に、ステップＳ１０３の補正処理を行い、現在のモードが補正なしモードである場合には、ステップＳ１０３を省略してステップＳ１０４へ移行してもよい。また、判定部１８４は、ステップＳ１０１において推定された膜厚が第１閾値範囲よりも狭い第２閾値範囲を逸脱している場合に、ステップＳ１０３の補正処理を行うようにしてもよい。

【0097】

つづいて、エッチング処理が行われる（ステップＳ１０４）。エッチング処理において、ウエハＷは、基板搬送装置１７によって処理前検査部５０＿１から取り出されてエッチング処理部１６へ搬送され、エッチング処理部１６の保持部６２ａに保持される。エッチング処理部１６は、駆動部６２ｃを用いて保持部６２ａに保持されたウエハＷを回転させつつ、ウエハＷに対して供給部６３から薬液を供給する。これにより、ウエハＷ上の膜Ｆがエッチングされる。その後、エッチング処理部１６は、ウエハＷに対して供給部６３からＤＩＷ（脱イオン水）等のリンス液を供給し、さらにその後、駆動部６２ｃを用いてウエハＷを高速で回転させることにより、ウエハＷ上のリンス液を振り切ってウエハＷを乾燥させる。

【0098】

つづいて、処理後検査処理が行われる（ステップＳ１０５）。処理後検査処理において、ウエハＷは、基板搬送装置１７によってエッチング処理部１６から取り出されて処理後検査部５０＿２へ搬送される。そして、処理後検査部５０＿２がウエハＷの表面を撮像することによって処理後画像を取得し、推定部１８１が処理後画像に基づき膜Ｆの膜厚を推定する。

【0099】

つづいて、エッチング量算出処理が行われる（ステップＳ１０６）。エッチング量算出処理では、算出部１８３が、ステップＳ１０１において推定されたエッチング処理前の膜厚からステップＳ１０５において推定されたエッチング処理後の膜厚を減じることにより、エッチング量を算出する。

【0100】

つづいて、判定部１８４は、ステップＳ１０６において算出されたエッチング量に基づき、エッチング処理が正常か否かを判定する（ステップＳ１０７）。この処理において、エッチング処理が不良であると判定した場合（ステップＳ１０７，Ｎｏ）、異常対応処理部１８５が、エッチング処理を行ったエッチング処理部１６の使用を禁止する等の異常対応処理を行う（ステップＳ１０８）。

【0101】

なお、ステップＳ１０２において膜厚が不良であると判定された場合も（ステップＳ１０２，Ｎｏ）、異常対応処理部１８５による異常対応処理が行われる。この場合、異常対応処理部１８５は、異常対応処理として、たとえば、膜厚が不良であることを示す情報と該当するウエハＷの識別情報とを関連づけた異常情報を上位装置に出力したり、該当するウエハＷをキャリアＣに戻す処理を行ったりする。

【0102】

ステップＳ１０７において、エッチング処理が正常であると判定された場合（ステップＳ１０７，Ｙｅｓ）、または、ステップＳ１０８の処理を終えた場合、基板処理システム１における一連の処理が終了する。

【0103】

＜変形例＞
図１３は、変形例に係る基板処理システムの構成を示す図である。図１３に示すように、基板処理システム１Ａは、検査部５０を備える第１の装置１Ａ＿１と、複数のエッチング処理部１６を備える第２の装置１Ａ＿２とを含んでいてもよい。第１の装置１Ａ＿１と第２の装置１Ａ＿２とは、別体であり、第１の装置１Ａ＿１および第２の装置１Ａ＿２間におけるウエハＷの搬送は、キャリアＣにより行われる。第２の装置１Ａ＿２は、たとえば、図１に示す基板処理システム１から検査部５０、具体的には、処理前検査部５０＿１および処理後検査部５０＿２を除外した構成に相当する。

【0104】

基板処理システム１，１Ａは、少なくとも処理後検査部５０＿２を備えていればよく、必ずしも処理前検査部５０＿１を備えることを要しない。すなわち、基板処理システム１，１Ａは、処理前画像または処理前膜厚情報を基板処理システム１，１Ａの外部に設けられた検査装置から取得してもよい。

【0105】

基板処理システム１，１Ａは、１つの検査部５０を用いて処理前画像および処理後画像を取得してもよい。

【0106】

上述してきたように、実施形態に係る基板処理システム（一例として、基板処理システム１）は、エッチング処理部（一例として、エッチング処理部１６）と、検査部（一例として、検査部５０）と、推定部（一例として、推定部１８１）と、算出部（一例として、算出部１８３）と、判定部（一例として、判定部１８４）とを備える。エッチング処理部は、基板（一例として、ウエハＷ）の表面に形成された膜（一例として、膜Ｆ）をエッチングするエッチング処理を行う。検査部は、エッチング処理後の基板の表面を撮像する。推定部は、検査部によって撮像された画像に基づいて膜の膜厚を推定する。算出部は、エッチング処理前における膜の膜厚と、推定部によって推定された膜の膜厚とに基づいて膜のエッチング量を算出する。判定部は、算出部によって算出されたエッチング量に基づいてエッチング処理の良否を判定する。したがって、実施形態に係る基板処理システムによれば、エッチング処理の不良を早期に発見することができる。

【0107】

検査部は、エッチング処理前の基板の表面を撮像することによって処理前画像を取得し、エッチング処理後の基板の表面を撮像することによって処理後画像を取得してもよい。また、推定部は、処理前画像に基づいて、エッチング処理前における膜の膜厚を推定し、処理後画像に基づいて、エッチング処理後における膜の膜厚を推定してもよい。本構成によれば、エッチング処理直前の処理前画像およびエッチング処理直後の処理後画像を取得することができる。したがって、エッチング処理前の膜厚およびエッチング処理後の膜厚の双方を精度良く推定することができる。

【0108】

検査部は、エッチング処理前の基板の表面を撮像することによって処理前画像を取得する処理前検査部（一例として、処理前検査部５０＿１）と、処理前検査部と別体に設けられ、エッチング処理後の基板の表面を撮像することによって処理後画像を取得する処理後検査部（一例として、処理後検査部５０＿２）とを含んでいてもよい。また、推定部は、処理前画像に基づいて、エッチング処理前における膜の膜厚を推定し、処理後画像に基づいて、エッチング処理後における膜の膜厚を推定してもよい。このように、処理前画像および処理後画像をそれぞれ異なる検査部を用いて取得するようにすることで、スループットを向上させることができる。

【0109】

実施形態に係る基板処理システムは、判定部によってエッチング処理が不良と判定された場合、当該エッチング処理を行ったエッチング処理部を用いたエッチング処理の実行を禁止する異常対応処理部（一例として、異常対応処理部１８５）を備えていてもよい。このように、エッチング処理が不良と判定されたエッチング処理部の使用を禁止することで、エッチング不良となるおそれのある基板の枚数を低減することができる。

【0110】

実施形態に係る基板処理システムは、複数のエッチング処理部を備えていてもよい。この場合、判定部は、一のエッチング処理部におけるエッチング処理の良否を、複数のエッチング処理部におけるエッチング量に基づいて判定してもよい。これにより、エッチング処理部間におけるエッチング量のバラツキを早期に発見することができる。

【0111】

実施形態に係る基板処理システムは、算出部によって算出されたエッチング量を記憶する記憶部（一例として、記憶部１９）を備えていてもよい。この場合、判定部は、記憶部に記憶された複数のエッチング量に基づき算出されるエッチング量の経時変化に基づいてエッチング処理の良否を判定してもよい。これにより、エッチング処理部の経年劣化を早期に発見することがきる。

【0112】

実施形態に係る基板処理システムは、エッチング処理前における膜の膜厚に基づき、基板に対するエッチング処理の処理条件を補正する補正部（一例として、補正部１８２）を備えていてもよい。このように、エッチング処理前の膜厚（平均膜厚や膜厚分布）に基板ごとのバラツキがあったとしても、エッチング処理の処理条件を補正することで、エッチング処理後の基板の状態を揃えることができる。

【0113】

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0114】

１ ：基板処理システム
４ ：制御装置
１６ ：エッチング処理部
１８ ：制御部
１９ ：記憶部
５０ ：検査部
５０＿１ ：処理前検査部
５０＿２ ：処理後検査部
５１ ：ケーシング
５２ ：保持部
５３ ：ガイドレール
５４ ：駆動部
５５ ：撮像部
５６ ：ハーフミラー
５７ ：照明装置
６２ｄ ：温度調整部
６３ａ ：薬液供給源
６３ｂ ：濃度調整部
６３ｃ ：希釈液供給源
６３ｄ ：温度調整部
６３ｅ ：流量調整部
１８１ ：推定部
１８２ ：補正部
１８３ ：算出部
１８４ ：判定部
１８５ ：異常対応処理部
Ｃ ：キャリア
Ｗ ：ウエハ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】