(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-10-06
(45)【発行日】2023-10-17
(54)【発明の名称】オブジェクトテーブル
(51)【国際特許分類】
H01J 37/20 20060101AFI20231010BHJP
H01J 37/244 20060101ALI20231010BHJP
H01L 21/66 20060101ALN20231010BHJP
【ＦＩ】
H01J37/20 D
H01J37/244
H01L21/66 J
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2021535560
(86)(22)【出願日】2019-12-16
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-02-09
(86)【国際出願番号】 EP2019085233
(87)【国際公開番号】W WO2020126963
(87)【国際公開日】2020-06-25
【審査請求日】2021-08-16
(31)【優先権主張番号】18214362.8
(32)【優先日】2018-12-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(31)【優先権主張番号】19171929.3
(32)【優先日】2019-04-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(31)【優先権主張番号】62/946,340
(32)【優先日】2019-12-10
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ヴァン デル トールン，ヤン－ヘラルト，コルネリス
(72)【発明者】
【氏名】フインク，イェルーン，ゲートルダ，アントニウス
(72)【発明者】
【氏名】セヴァート，ハン，ウィレム，ヘンドリク
(72)【発明者】
【氏名】コーイケル，アラード，エルコ
(72)【発明者】
【氏名】ロンド，マイケル，ヨハネス，クリスティアーン
(72)【発明者】
【氏名】ウェリンク，アルノ，マリア
(72)【発明者】
【氏名】リウ，シビン
(72)【発明者】
【氏名】ルオ，イン
(72)【発明者】
【氏名】ワン，イーシャン
(72)【発明者】
【氏名】チェン，チア－ヤオ
(72)【発明者】
【氏名】チュー，ボハン
(72)【発明者】
【氏名】ヴァン ゾースト，ユルゲン
【審査官】小林 幹
(56)【参考文献】
【文献】特開平０９－２６０４７５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－３４９６６３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－２７２５８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１０－１７２４９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－２１２６７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－３０３１３８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｊ ３７／００－３７／３６
Ｈ０１Ｌ ２１／６６－２１／６８
Ｈ０５Ｈ １／００－１／５４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、前記オブジェクトを前記オブジェクトテーブル上にクランプするように構成された静電クランプと、
前記オブジェクトテーブルから前記オブジェクトをアンロードするように構成されたアンロードユニットと、
前記静電クランプの電荷を少なくとも部分的に中和するように構成された中和器と、を備え、
前記アンロードユニットが前記オブジェクトをアンロードしている間、前記中和器は少なくとも部分的に前記電荷を中和するように構成されており、
前記静電クランプの表面の領域に半導電性コーティングが適用されることにより、前記静電クランプの前記表面の全部又は一部に前記電荷が均一に分布するように調整され、
前記半導電性コーティングは、複数の異なるクランプ電極に対応する前記静電クランプの前記表面の領域を電気的に接続しないように配置されており、その結果、前記複数の異なるクランプ電極のいくつかが電気的に接続されることがない、オブジェクトテーブル。
【請求項2】
前記中和器は、前記静電クランプに放電電圧を供給することにより前記電荷を少なくとも部分的に中和するように構成されている、請求項１に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項3】
前記オブジェクトテーブルは、前記静電クランプに帯電電圧を印加して前記オブジェクトをクランプするように構成され、前記放電電圧は、前記帯電電圧とは反対の極性を有する、請求項２に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項4】
前記電荷に関する情報を取得するためのセンサを備える、請求項２又は３に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項5】
前記センサは、前記オブジェクトと前記静電クランプとの間の力に関する情報を取得するように構成されている、請求項４に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項6】
前記センサは、アンロード中に、前記オブジェクトを前記オブジェクトテーブルから持ち上げるために、前記アンロードユニットによって前記オブジェクトに印加される持ち上げ力を監視するように構成されている、請求項５に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項7】
前記センサは、前記持ち上げ力を測定するための力センサを備える、請求項６に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項8】
前記アンロードユニットは、アンロード中に、前記オブジェクトテーブルから離れる方向に前記オブジェクトを押すように構成された少なくとも１つの持ち上げピンを備え、前記持ち上げピンは前記力センサを備える、請求項７に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項9】
前記センサは、第１の状態にある前記オブジェクト及び第２の状態にある前記オブジェクトに関連付けられた測定値を提供するように構成され、前記第１の状態では、前記オブジェクトは前記オブジェクトテーブル上にあり、
前記第２の状態では、前記オブジェクトは前記オブジェクトテーブルから離れている、請求項４に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項10】
使用時に、前記オブジェクトが前記第１の状態から前記第２の状態に移動すると、前記測定値は前記オブジェクトと前記オブジェクトテーブルとの間の移動を表す、請求項９に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項11】
前記中和器は、前記センサによって取得した情報に基づき前記放電電圧を決定するように構成されている、請求項４～１０の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項12】
アンロード中に、前記中和器は、更新された力又は更新された電荷を表す更新された情報信号を受信するように構成され、前記中和器は、前記更新された情報信号に基づき、前記放電電圧を調整するように構成されている、請求項４～１１の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項13】
前記中和器は、測定情報、推定情報、及び内部信号のうちの少なくとも１つに基づき、前記放電電圧を決定するように構成されている、請求項４～１２の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項14】
前記アンロードすることは、前記オブジェクトテーブルから前記オブジェクトを持ち上げることを含む、請求項１～１３の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【請求項15】
請求項１～１４の何れか一項に記載のオブジェクトテーブルを備える装置であって、前記装置は、粒子ビーム装置、電子ビーム装置、走査型電子顕微鏡、電子ビームダイレクトライタ、電子ビーム投影リソグラフィ装置、電子ビーム検査装置、電子ビーム欠陥検証装置、電子ビーム計測装置、リソグラフィ装置、計測装置、及び真空チャンバを備える装置、のうちの１つである、装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１８年１２月２０日に出願された欧州特許出願公開第１８２１４３６２．８号、及び２０１９年４月３０日に出願された欧州特許出願公開第１９１７１９２９．３号、及び２０１９年１２月１０日に出願された米国特許出願第６２／９４６３４０号の優先権を主張するものであり、その全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
[0001] 本出願は、２０１８年１２月２０日に出願された欧州特許出願公開第１８２１４３６２．８号、及び２０１９年４月３０日に出願された欧州特許出願公開第１９１７１９２９．３号、及び２０１９年１２月１０日に出願された米国特許出願第６２／９４６３４０号の優先権を主張するものであり、その全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本発明は、オブジェクトテーブル、特に粒子ビーム検査装置などの検査装置に適用され得るようなオブジェクトテーブルに関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] 本発明は、オブジェクトテーブル、特に粒子ビーム検査装置などの検査装置に適用され得るようなオブジェクトテーブルに関する。そのような検査装置は、例えば、リソグラフィプロセスで適用されるオブジェクト、例えばウェーハとも呼ばれる半導体基板、の検査に適用され得る。そのような検査装置はまた、レチクルとも呼ばれるパターニングデバイスの検査に適用され得る。
【0004】
[0004] 半導体プロセスでは、欠陥が生成される場合があり、それがデバイス性能に影響を与え、デバイス故障を引き起こす場合さえある。したがって、デバイスの歩留まりに影響を及ぼし、その結果、コストが上昇し得る。半導体プロセスの歩留まりを制御するために、欠陥のモニタリングが重要である。欠陥のモニタリングに有用なツールの１つは、１つ以上の電子ビームを使用して試料のターゲット部分をスキャンする、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）などの電子ビーム検査システムである。
【0005】
[0005] 検査ツールの動作中、基板は典型的にはオブジェクトテーブルによって保持される。検査ツールは、典型的には、基板がオブジェクトテーブルによって保持されている間に、基板上のターゲット領域、すなわち検査が必要な領域を電子ビームの動作範囲内に位置決めするために、電子ビームなどの粒子ビームに対してオブジェクトテーブルを位置決めするための基板位置決めデバイスを備える。そのような基板位置決めデバイスは、例えば、必要な位置決めを実現するための複数のアクチュエータ及びモータを備えてもよい。
【0006】
[0006] 基板位置決めデバイスは、例えば、第１の部分であって、例えば第１の部分のオブジェクトテーブルと共に基板を支持する、第１の部分と、第１の部分を移動可能に支持する第２の部分とを備える。この実施形態では、第２の部分に対する第１の部分の移動が、２つのリニアアクチュエータシステムを互いの上に置くことによって実現される。第１のアクチュエータシステムは、第１の水平方向の移動を提供するように配置され、第１の作動システム上で支持される第２の作動システムは、第１の水平方向に直角な第２の水平方向の移動を提供するように配置されている。
【0007】
[0007] 第２の部分は、基板を支持するオブジェクトテーブルを３つの自由度で、すなわち、垂直方向、及び第１の水平方向と第２の水平方向の周りの回転で、位置決めすることを可能にするショートストロークアクチュエータシステムを支持する。このショートストローク位置システムは、検査ビームの焦点における基板の水平化を可能にする。
【0008】
[0008] 検査電子ビームは、検査ツール内の偏向ユニットを使用して、第１の水平方向及び第２の水平方向に操作できる。この機能は、基板に対する検査ビームの微動位置決めに使用できる。
【0009】
[0009] オブジェクト、例えば基板、を検査プロセス中に所望の位置に確実に維持するために、オブジェクトテーブルは、典型的には、オブジェクトにクランプ力を印加するように構成される。これを実現するために、検査装置に適用されるオブジェクトテーブルは、例えば、オブジェクトに保持力又はクランプ力を印加するように構成された静電クランプを備えてもよい。そのような静電クランプは、典型的には、１つ以上の電極を、例えば誘電体材料に埋め込まれて、有し得る。更に、粒子ビーム装置などの検査装置で使用されるオブジェクトテーブルは、オブジェクトの検査中に粒子ビームに適切な電界を生成するように構成された、高電圧電極とも呼ばれる電極を備えてもよい。検査対象のオブジェクトを保持するために静電クランプを適用することが、いくつかの課題を引き起こす可能性がある。特に、オブジェクトをクランプするために静電クランプを使用する場合、クランプ表面に電荷が蓄積する場合があり、これにより、クランプされたオブジェクトのアンロードがより困難になる。すなわち、クランプに電圧が印加されていないときであっても、オブジェクトがクランプに付着する傾向がある。加えて、オブジェクトのアンロードプロセス中に、高電圧電極又はオブジェクトテーブルの他の部分に向かって火花又は放電が発生するリスクがある。
【発明の概要】
【0010】
[0010] 本発明の目的は、前述した課題が少なくとも軽減される、検査装置で使用するためのオブジェクトテーブルを提供することである。そのような検査装置は、例えば、リソグラフィプロセスで適用されるオブジェクト、例えばウェーハとも呼ばれる半導体基板、の検査に適用され得る。そのような検査装置はまた、レチクルとも呼ばれるパターニングデバイスの検査に適用され得る。本発明によるオブジェクトテーブルが適用される検査装置はまた、有利には、リソグラフィプロセスなどのプロセスのプロセス制御に適用されてもよい。そのような配置では、検査装置は、例えば、オブジェクトを検査することにより、オブジェクト、例えば基板の上の欠陥を検出するために、又は、オブジェクトのリソグラフィ処理において適用されるような、照明設定、適用される照射量などのプロセスパラメータを評価するために適用されてもよい。次いで、決定されたパラメータは、リソグラフィプロセスを調整するためのフィードバックとして適用されてもよい。
【0011】
[0011] 本発明の第１の態様によれば、オブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトを保持するためのクランプ機構と；
オブジェクトに接触してオブジェクトをロード又はアンロードするように構成されたロード／アンロード機構と；
オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトを電圧源又は電気的接地に電気的に接続して、オブジェクトに所定の電圧を印加するように構成された導電体と、を備え、導電体は、オブジェクトがオブジェクトテーブル上で保持されるときに、機械的剛性が低い接続を形成するように構成されている。
オブジェクトを保持するためのクランプ機構と；
オブジェクトに接触してオブジェクトをロード又はアンロードするように構成されたロード／アンロード機構と；
オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトを電圧源又は電気的接地に電気的に接続して、オブジェクトに所定の電圧を印加するように構成された導電体と、を備え、導電体は、オブジェクトがオブジェクトテーブル上で保持されるときに、機械的剛性が低い接続を形成するように構成されている。
【0012】
[0012] 本発明の第２の態様によれば、検査装置で使用するためのオブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、基板などのオブジェクトを保持するように構成され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトを保持するように構成された静電クランプと；
静電クランプの電気的特性を決定するように構成された測定ユニットであって、電気的特性は静電クランプの電荷状態を表す、測定ユニットと；
決定された電気的特性に基づいて、オブジェクトのアンロード中に、静電クランプの電力供給部を制御するように構成された制御ユニットと、を備える。
本発明の第３の態様によれば、オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；静電クランプの残留電荷を中和するように配置された中和器と；
中和器を制御するように配置された制御ユニットと、を備え、残留電荷は、静電クランプに電圧が印加されていないときに、静電クランプ上に存在する静電荷である。
本発明の第４の態様によれば、オブジェクトを静電クランプ上にクランプするための方法が提供され、この方法は、
ｉ）静電クランプ上にオブジェクトを提供することと；
ｉｉ）オブジェクトが静電クランプ上にクランプされているクランプ状態が検出されるまで、クランプ電圧を増加させることと；
ｉｉｉ）クランプ状態でのクランプ電圧である第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）を決定することと；
ｉｖ）第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）よりも低い第２のクランプ電圧（Ｖｆｉｎａｌ）を静電クランプに印加することと、を含む。
本発明の第５の態様によれば、オブジェクトテーブルのクランプ機構の残留電荷を決定する方法が提供され、この方法は、
粒子ビームを使用してクランプ機構の表面に衝突させることと；
表面への衝突によって生じたクランプ機構の応答を検出することと；
応答に基づいてクランプ機構の残留電荷を決定することと、を含む。
本発明の第６の態様によれば、粒子ビーム装置が提供され、粒子ビーム装置は、
粒子ビームジェネレータと；
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブルにクランプするためのクランプ機構を備える、ブジェクトテーブルと；
検出器と；
制御ユニットであって、粒子ビームジェネレータを制御して粒子ビームをクランプ機構の表面に衝突させるように構成されている、制御ユニットと；
クランプ機構に粒子ビームが衝突することによって生じる、クランプ機構の応答を検出するように構成されている検出器と；を備え、
制御ユニットは、
クランプ機構の応答を表す検出器信号を検出器から受信し、
検出器信号に基づいて、クランプ機構の残留電荷を決定する、ように更に構成されている。
本発明の第７の態様によれば、クランプ機構の表面電荷を減少させる方法が提供され、この方法は、
粒子ビームを生成することであって、粒子ビームは、クランプ機構の表面において実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有するように構成されている、ことと；
粒子ビームを使用してクランプ機構の表面に衝突させることと、を含む。
本発明の第８の態様によれば、粒子ビーム装置が提供され、粒子ビーム装置は、
粒子ビームジェネレータと；
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブルにクランプするためのクランプ機構を備える、オブジェクトテーブルと；
制御ユニットであって、
粒子ビームジェネレータを制御して、クランプ機構の表面において実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有するように構成されている粒子ビームを生成させ、
粒子ビームを制御してクランプ機構の表面に衝突させる、
ように構成されている、制御ユニット
を備える。
本発明の第９の態様によれば、オブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
クリーニングデバイスであって、静電クランプをクリーニングするように配置されたクリーニングデバイスと、を備える。
本発明の第１０の態様によれば、オブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
オブジェクトを帯電させるように配置された１つ以上の電極と、を備え、
１つ以上の電極のうちの第１のセットが、オブジェクトに電荷を印加するように配置されており、１つ以上の電極のうちの第２のセットが、オブジェクトを放電させるように配置されている。
本発明の第１１の態様によれば、オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
オブジェクトテーブルからオブジェクトを持ち上げるように配置された１つ以上の上昇ピンと；
１つ以上の上昇ピン及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部を振動させるように、１つ以上の上昇ピン位置決めデバイスに作動信号を送信するように構成されたコントローラと、を備える。
オブジェクトを保持するように構成された静電クランプと；
静電クランプの電気的特性を決定するように構成された測定ユニットであって、電気的特性は静電クランプの電荷状態を表す、測定ユニットと；
決定された電気的特性に基づいて、オブジェクトのアンロード中に、静電クランプの電力供給部を制御するように構成された制御ユニットと、を備える。
本発明の第３の態様によれば、オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；静電クランプの残留電荷を中和するように配置された中和器と；
中和器を制御するように配置された制御ユニットと、を備え、残留電荷は、静電クランプに電圧が印加されていないときに、静電クランプ上に存在する静電荷である。
本発明の第４の態様によれば、オブジェクトを静電クランプ上にクランプするための方法が提供され、この方法は、
ｉ）静電クランプ上にオブジェクトを提供することと；
ｉｉ）オブジェクトが静電クランプ上にクランプされているクランプ状態が検出されるまで、クランプ電圧を増加させることと；
ｉｉｉ）クランプ状態でのクランプ電圧である第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）を決定することと；
ｉｖ）第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）よりも低い第２のクランプ電圧（Ｖｆｉｎａｌ）を静電クランプに印加することと、を含む。
本発明の第５の態様によれば、オブジェクトテーブルのクランプ機構の残留電荷を決定する方法が提供され、この方法は、
粒子ビームを使用してクランプ機構の表面に衝突させることと；
表面への衝突によって生じたクランプ機構の応答を検出することと；
応答に基づいてクランプ機構の残留電荷を決定することと、を含む。
本発明の第６の態様によれば、粒子ビーム装置が提供され、粒子ビーム装置は、
粒子ビームジェネレータと；
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブルにクランプするためのクランプ機構を備える、ブジェクトテーブルと；
検出器と；
制御ユニットであって、粒子ビームジェネレータを制御して粒子ビームをクランプ機構の表面に衝突させるように構成されている、制御ユニットと；
クランプ機構に粒子ビームが衝突することによって生じる、クランプ機構の応答を検出するように構成されている検出器と；を備え、
制御ユニットは、
クランプ機構の応答を表す検出器信号を検出器から受信し、
検出器信号に基づいて、クランプ機構の残留電荷を決定する、ように更に構成されている。
本発明の第７の態様によれば、クランプ機構の表面電荷を減少させる方法が提供され、この方法は、
粒子ビームを生成することであって、粒子ビームは、クランプ機構の表面において実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有するように構成されている、ことと；
粒子ビームを使用してクランプ機構の表面に衝突させることと、を含む。
本発明の第８の態様によれば、粒子ビーム装置が提供され、粒子ビーム装置は、
粒子ビームジェネレータと；
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブルにクランプするためのクランプ機構を備える、オブジェクトテーブルと；
制御ユニットであって、
粒子ビームジェネレータを制御して、クランプ機構の表面において実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有するように構成されている粒子ビームを生成させ、
粒子ビームを制御してクランプ機構の表面に衝突させる、
ように構成されている、制御ユニット
を備える。
本発明の第９の態様によれば、オブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
クリーニングデバイスであって、静電クランプをクリーニングするように配置されたクリーニングデバイスと、を備える。
本発明の第１０の態様によれば、オブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
オブジェクトを帯電させるように配置された１つ以上の電極と、を備え、
１つ以上の電極のうちの第１のセットが、オブジェクトに電荷を印加するように配置されており、１つ以上の電極のうちの第２のセットが、オブジェクトを放電させるように配置されている。
本発明の第１１の態様によれば、オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
オブジェクトテーブルからオブジェクトを持ち上げるように配置された１つ以上の上昇ピンと；
１つ以上の上昇ピン及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部を振動させるように、１つ以上の上昇ピン位置決めデバイスに作動信号を送信するように構成されたコントローラと、を備える。
【0013】
[0013] 本発明は、類似の参照符号が類似の構造要素を表す、添付の図面と併せて、以下の詳細な説明によって容易に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【発明を実施するための形態】
【0015】
[0043] 本発明は、種々の修正及び代替形態を受け入れる余地があるが、本発明の具体的な実施形態は、図面中に例として示されており、本明細書で詳細に説明され得る。図面は、原寸に比例していない場合がある。しかしながら、図面及び図面についての詳細な説明は、本発明を開示された特定の形態に限定する意図はなく、それどころか、本発明が、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の趣旨及び範囲内に含まれる全ての修正、同等物、並びに代替案を網羅するものであることを理解されたい。
【0016】
[0044] ここで、本発明のいくつかの例示の実施形態を示す、添付の図面を参照しながら、本発明の種々の例示の実施形態をより完全に説明する。図面では、分かり易くするために、層及び領域の厚さが誇張されている場合がある。
【0017】
[0045] 本明細書では、本発明の詳細な例示の実施形態が開示される。しかしながら、本明細書に開示する特定の構造的且つ機能的詳細は、単に本発明の例示の実施形態を説明する目的で示すにすぎない。本発明は、しかしながら、多くの代替形態で具現化されてもよく、本明細書に記載の実施形態のみに限定されるものと解釈されるべきではない。
【0018】
[0046] よって、本発明の例示の実施形態は、種々の修正及び代替形態を受け入れる余地があるが、これらの実施形態は、図面中に例として示され、本明細書で詳細に説明されるであろう。しかしながら、本発明の例示の実施形態を開示の特定の形態に限定する意図はなく、それどころか、本発明の例示の実施形態が、本明細書の範囲内に含まれる全ての修正、同等物、及び代替案を網羅するものであることを理解されたい。類似の番号は、図の説明全体を通して類似の要素を指す。
【0019】
[0047] 本明細書で使用される場合、「試料」という用語は、概して、対象とする欠陥（ＤＯＩ）が存在し得るウェーハ又は他の任意の試料を指す。「試料」及び「サンプル」という用語は本明細書では交換可能に使用されるが、ウェーハに関して本明細書で説明する実施形態が他の任意の試料（例えば、レクチル、マスク、又はフォトマスク）用に構成及び／又は使用され得ることを理解されたい。
【0020】
[0048] 本明細書で使用される場合、「ウェーハ」という用語は、概して、半導体又は非半導体材料で形成された基板を指す。そのような半導体又は非半導体材料の例としては、限定されるものではないが、単結晶シリコン、ヒ化ガリウム、及びリン化インジウムが挙げられる。そのような基板は、一般的に、半導体製造設備内で見られ、及び／又は処理される。
【0021】
[0049] 交差点という用語は、電子ビームの焦点が合わせられる点を指す。
【0022】
[0050] 仮想光源という用語は、カソードから放出された電子ビームを「仮想」光源まで後方に辿ることができることを意味する。
【0023】
[0051] 本発明による検査ツールは、荷電粒子源、特にＳＥＭ、電子ビーム検査ツール、又はＥＢＤＷに適用できる電子ビーム源に関することもある。電子ビーム源は、当技術分野では、ｅ銃（電子銃）と称されることもある。
【0024】
[0052] 図面に関して、図が一定の縮尺で描かれていないことに留意されたい。特に、図のいくつかの要素の縮尺は、要素の特徴を強調するために大きく誇張されている場合がある。また、図が同じ縮尺で描かれていないことにも留意されたい。同様に構成され得る、２つ以上の図に示す要素は、同じ参照符号を使用して示される。
【0025】
[0053] 図面では、分かり易くするために、各コンポーネントの及び全てのコンポーネント間の相対的寸法が誇張されている場合がある。以下の図面の説明では、同じ又は類似の参照番号は、同じ若しくは類似のコンポーネント又はエンティティを指し、且つ個々の実施形態に関する相違のみを説明する。
【0026】
[0054] よって、本発明の例示の実施形態は、種々の修正及び代替形態を受け入れる余地があるが、これらの実施形態は、図面中に例として示され、本明細書で詳細に説明されるであろう。しかしながら、本発明の例示の実施形態を開示の特定の形態に限定する意図はなく、それどころか、本発明の例示の実施形態が、本明細書の範囲内に含まれる全ての修正、同等物、及び代替案を網羅するものであることを理解されたい。
【0027】
[0055] 図１Ａ及び図１Ｂは、たとえば本発明の実施形態による電子ビーム（ｅビーム）検査（ＥＢＩ）システム１００の上面図及び断面図を概略的に描く。図示の実施形態は、筐体１１０と、検査すべきオブジェクトを受け入れて検査されたオブジェクトを出力するためのインターフェースとしての役割を果たす１対のロードポート１２０とを備える。図示の実施形態は、ロードポートに／ロードポートからオブジェクトを搬送及び／又は移送するように構成された、ＥＦＥＭ、機器フロントエンドモジュール１３０と称される、オブジェクト移送システムをさらに備える。図示の実施形態では、ＥＦＥＭ１３０は、ＥＢＩシステム１００のロードポートとロードロック１５０との間でオブジェクトを移送するように構成されたハンドラロボット１４０を備える。ロードロック１５０は、筐体１１０の外側及びＥＦＥＭ内で生じる大気条件と、ＥＢＩシステム１００の真空チャンバ１６０内で生じる真空条件との間のインターフェースである。図示の実施形態では、真空チャンバ１６０は、検査すべきオブジェクト、例えば半導体基板又はウェーハ上に電子ビームを投影するように構成された電子光学システム１７０を備える。ＥＢＩシステム１００は、電子光学システム１７０によって生成された電子ビームに対してオブジェクト１９０を変位させるように構成される位置決めデバイス１８０をさらに備える。
【0028】
[0056] 実施形態では、位置決めデバイスは、オブジェクトを略水平面に位置決めするためのＸＹステージ、及びオブジェクトを垂直方向に位置決めするためのＺステージなどの、縦続形配置の複数のポジショナを備えてもよい。
【0029】
[0057] 実施形態では、位置決めデバイスは、比較的長い距離にわたってオブジェクトの粗動位置決めを行うように構成された、粗動ポジショナと、比較的短い距離にわたってオブジェクトの微動位置決めを行うように構成された、微動ポジショナとの組み合わせを備えてもよい。
【0030】
[0058] 実施形態では、位置決めデバイス１８０は、ＥＢＩシステム１００によって行われる検査プロセス中にオブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルをさらに備える。そのような実施形態では、オブジェクト１９０は、静電クランプなどのクランプを用いてオブジェクトテーブル上にクランプされてもよい。そのようなクランプは、オブジェクトテーブルに一体化されてもよい。
【0031】
[0059] 実施形態では、位置決めデバイス１８０は、オブジェクトテーブルを位置決めするための第一ポジショナと、第一ポジショナ及びオブジェクトテーブルを位置決めするための第二のポジショナとを備える。加えて、電子ビーム検査ツール１００に適用される位置決めデバイス１８０は、オブジェクトテーブル内に熱負荷を発生させるように構成された加熱デバイスを備えてもよい。
【0032】
[0060] 図２は、本発明による電子ビーム検査ツール又はシステムに適用できる電子光学システム２００の実施形態を概略的に描く。電子光学システム２００は、電子銃２１０と称される、電子ビーム源と、結像システム２４０とを備える。
【0033】
[0061] 電子銃２１０は、電子源２１２と、サプレッサ２１４と、アノード２１６と、１組の開口２１８と、コンデンサレンズ２２０とを備える。電子源２１２は、ショットキーエミッタとすることができる。より具体的には、電子源２１２は実施形態では、セラミック基板と、２つの電極と、タングステンフィラメントと、タングステンピンとを含む。２つの電極は、セラミック基板に平行に固定され、且つ２つの電極の他の側は、タングステンフィラメントの２つの端部にそれぞれ接続される。タングステンは、タングステンピンの配置のための先端部を形成するように僅かに湾曲される。次に、タングステンピンの表面がＺｒＯ２で被覆され、ＺｒＯ２が、溶融されるように１３００℃に加熱され、タングステンピンを覆うが、タングステンピンの先端を露出させる。溶融したＺｒＯ２は、タングステンの仕事関数を低下させ、且つ放出電子のエネルギー障壁を低下させることができ、したがって、電子ビーム２０２が効率的に放出される。次いで、サプレッサ２１４を負の電気に帯電させることによって、電子ビーム２０２が抑制される。よって、大きな広がり角を有する電子ビームが抑制されて一次電子ビーム２０２とされ、ひいては、電子ビーム２０２の輝度が高められる。アノード２１６の正電荷によって、電子ビーム２０２を抽出することができ、次いで、電子ビーム２０２のクーロン強制力が、開口の外側の不要な電子ビームを排除するために異なる開口サイズを有する可変開口２１８を使用することによって制御されてもよい。電子ビーム２０２を集束させるために、コンデンサレンズ２２０が電子ビーム２０２に適用され、コンデンサレンズ２２０はまた拡大ももたらす。図２に示すコンデンサレンズ２２０は、例えば、電子ビーム２０２を集束させることができる静電レンズであってもよい。その一方で、コンデンサレンズ２２０は、磁気レンズとすることもできる。
【0034】
[0062] 図３に示す結像システム２４０は、ブランカ２４８と、１組の開口２４２と、検出器２４４と、４組の偏向器２５０、２５２、２５４、及び２５６と、１対のコイル２６２と、ヨーク２６０と、フィルタ２４６と、電極２７０とを備える。電極２７０は、電子ビーム２０２を遅延させ且つ偏向させるために使用され、さらに、上部ポールピースとサンプル３００との組み合わせによる静電レンズ機能を有する。加えて、コイル２６２及びヨーク２６０は、磁気対物レンズ用に構成される。
【0035】
[0063] 上で説明した、電子ビーム２０２は、電子ピンを加熱してアノード２１６に電界を印加することによって生成され、結果として、電子ビーム２０２を安定化させるには、電子ピンを加熱させるのに長い時間をかけなければならない。ユーザ側にとって、確かに手間がかかり不都合である。よって、電子ビーム２０２をオフにするのではなく、サンプルから離れる方向に電子ビーム２０２を一時的に偏向させるために、集束された電子ビーム２０２にブランカ２４８が適用される。
【0036】
[0064] 偏向器２５０及び２５６は、電子ビーム２０２を広視野にわたってスキャンするために適用され、且つ偏向器２５２及び２５４は、電子ビーム２０２を小視野にわたってスキャンするために使用される。全ての偏向器２５０、２５２、２５４、及び２５６は、電子ビーム２０２のスキャン方向を制御することができる。偏向器２５０、２５２、２５４、及び２５６は、静電偏向器又は磁気偏向器とすることができる。ヨーク２６０の開口部は、サンプル３００に面しており、サンプル３００を磁界にさらす。その一方で、電極２７０は、ヨーク２６０の開口部の下に配置され、それゆえ、サンプル３００が損傷を受けない。電子ビーム２０２の色収差を補正するために、位相板２７０、サンプル３００、及び上部ポールピースは、電子ビーム２０２の色収差を排除するレンズを形成する。
【0037】
[0065] さらに、電子ビーム２０２がサンプル３００に衝突したときに、サンプル３００の表面から二次電子が発せられる。次に、フィルタ２４６によって２次電子が検出器２４４へ誘導される。
【0038】
[0066] 図４は、本発明によるＥＢＩシステムの可能な制御アーキテクチャを概略的に描く。図１に示すように、ＥＢＩシステムは、ロードロックと、ウェーハ移送システムと、ロード／ロックと、電子光学システムと、例えば、ｚステージ及びｘｙステージを含む、位置決めデバイスとを備える。図示のように、ＥＢＩシステムのこれらの種々のコンポーネントは、それぞれのコントローラ、すなわち、ウェーハ移送システムに接続されたウェーハ移送システムコントローラ、ロード／ロックコントローラ、電子光学コントローラ、検出器コントローラ、ステージコントローラを備えていてもよい。これらのコントローラは、例えば、通信バスを介して、例えば、システムコントローラコンピュータ及びイメージ処理コンピュータに通信可能に接続されてもよい。図示の実施形態では、システムコントローラコンピュータ及びイメージ処理コンピュータは、ワークステーションに接続されてもよい。
【0039】
[0067] ロードポートは、ＥＲＥＭ１３０などの、ウェーハ移送システムにウェーハをロードし、且つウェーハ移送システムコントローラは、ロードロック１５０などの、ロード／ロックにウェーハを移送するようにウェーハの移送を制御する。ロード／ロックコントローラは、チャンバへのロード／ロックを制御し、その結果、検査すべきオブジェクト、例えばウェーハを、クランプ、例えばｅチャックとも称される、静電クランプに固定することができる。位置決めデバイス、例えば、ｚステージ及びｘ－ｙステージは、ステージコントローラよってウェーハが移動することを可能にする。実施形態では、ｚステージの高さは、例えば、ピエゾアクチュエータなどのピエゾコンポーネントを使用して調整されてもよい。電子光学コントローラは、電子光学システムの全ての状態を制御してもよく、且つ検出器コントローラは、電子光学システムから電気信号を受信してイメージ信号に変換してもよい。システムコントローラコンピュータは、コマンドを対応するコントローラに送信する。イメージ信号を受信した後に、イメージ処理コンピュータは、欠陥を特定するためにイメージ信号を処理してもよい。
【0040】
[0068] 上述したように、検査中、オブジェクトは、クランプ又はクランプ配置によってオブジェクトテーブル上に保持される。そのようなクランプ又はクランプ配置は、例えば、静電クランプを備えてもよい。そのような静電クランプは、例えば、オブジェクト、例えば基板と、クランプとの間に引力を生じさせる静電界を生成するように構成された１つ以上の電極を備えてもよい。このように、検査プロセス中に、放射線検査ビームに対してオブジェクトテーブルが変位し得る場合、オブジェクトはオブジェクトテーブル上の固定位置に保持され得る。
【0041】
[0069] 一般に、基板などのオブジェクトを検査するプロセスは以下のステップを伴い得る。
【0042】
[0070] 第１のステップでは、検査対象のオブジェクトがオブジェクトテーブルの近くに移動する。これは、例えばロボット又はハンドラを使用して行うことができる。そのようなロボット又はハンドラは、例えば、オブジェクトをオブジェクトテーブルの上方、特にオブジェクトテーブルの支持／クランプ表面の上方に位置決めするように構成されてもよい。
【0043】
[0071] 第２のステップでは、オブジェクトは、オブジェクトテーブルに、例えば、オブジェクトテーブルの支持／クランプ表面に装着される。このステップは、例えば、オブジェクトテーブルのロード／アンロード機構によって実現され得る。一実施形態では、そのようなロード／アンロード機構は、オブジェクトテーブルを通って突出し、オブジェクトを支持し、オブジェクトをオブジェクトテーブルの支持面上に下降させることができる、１つ以上のピン形状部材を含んでもよい。
【0044】
[0072] 第３のステップでは、いったんオブジェクトがオブジェクトテーブル上に装着されると、オブジェクトをオブジェクトテーブルの支持面にクランプするために、クランプ、例えば静電クランプ、を動作させてもよい。
【0045】
[0073] 第４のステップでは、検査プロセスを実施することができ、その間に、オブジェクトは、粒子ビーム、例えば電子ビームのような、検査ビームにさらされてもよい。このような検査プロセス中に、オブジェクトテーブル及び保持されているオブジェクトを、例えば、上述したようなポジショナを用いて検査ビームに対して変位させることができる。
【0046】
[0074] 第５のステップでは、オブジェクトは、例えば、クランプ又はクランプ配置への通電を断つことによって解放され得る。
【0047】
[0075] 次いで、第６のステップでは、オブジェクトは、例えば、ロード／アンロード機構によって持ち上げられ、支持面から離れる方向に移動されて、ロボット又はハンドラによって受け取られてもよく、次いで、ロボット又はハンドラが、検査された基板を検査装置から除去してもよい。
【0048】
[0076] 前述したプロセスに関連して、１つ以上の問題又は課題が存在し得ることが本発明者らによって認められている。
【0049】
[0077] 特に、前述したような検査プロセス中に、検査装置において従来のオブジェクトテーブルを使用する場合、以下の問題が発生し得る。
【0050】
[0078] 上述した問題又は課題は、特に、検査プロセスが実施された後のオブジェクトのアンロードプロセスに関連する。特に、静電クランプを使用してオブジェクトをクランプする場合、静電クランプの表面に電荷が蓄積する場合があることが観察されている。このような電荷の蓄積は、例えば複数のオブジェクトの処理中に、徐々に生じる場合がある。この表面電荷の結果として、オブジェクトがオブジェクトテーブルから持ち上げられると、オブジェクトの電圧が増加する場合がある。オブジェクトの電圧のこの増加は、オブジェクトと静電クランプ又は周囲の表面との間に放電を生じさせ、オブジェクト、静電クランプ又はその周囲を損傷させる、又はオブジェクト及び静電クランプの周りの空間の汚染を生じさせる場合がある。これは、特に、オブジェクト及び静電クランプが真空チャンバ内に配置される任意の真空装置で問題になり得る。オブジェクトのアンロードの前に、オブジェクトは、例えば、電子ビームなどの粒子ビームを使用して検査されてもよい。そのような検査の間、オブジェクトテーブルの電極、例えばオブジェクトテーブルに装着された高電圧電極は、電圧源並びにオブジェクト自体に接続されてもよい。オブジェクトがアンロードされる必要がある場合、高電圧電極は、例えば接地されてもよく、オブジェクトは電極から切り離され、例えば、オブジェクトテーブルからオブジェクトを持ち上げる又は下降させるロード／アンロード機構を用いてアンロードされる。アンロードプロセス中に静電クランプ上に残留している表面電荷はまた、オブジェクトと静電クランプとの間に引力を生じさせる場合もある。アンロード機構によってオブジェクトをアンロードするために必要な力が増加する場合がある、又はアンロード機構がオブジェクトを持ち上げてアンロードすることができない場合さえある。
【0051】
[0079] 既知の配置では、オブジェクトテーブルの持ち上げ又は下降機構は一般に、検査プロセス中に部材に向かって火花又は放電が発生しないことを確実にするために、電気的に絶縁された部材から作製される。オブジェクトのアンロード中に発生するオブジェクトの電圧の増加は、それが、例えば、アンロードプロセス中は典型的には接地される高電圧電極に向かって、放電又は火花を生じさせるようなものである場合があることが、発明者らによって観察されている。
【0052】
[0080] 上述した問題又は課題を被る場合があるオブジェクトテーブルを図５に概略的に示す。
【0053】
[0081] 図５は、当技術分野で知られているオブジェクトテーブルの断面図を概略的に示す。図５は、オブジェクトテーブル５００の断面図を概略的に示し、オブジェクトテーブル５００は、支持部材５１０を備える。オブジェクトテーブル５００は、支持部材の凹部内に配置された静電クランプ５３０を更に備え、静電クランプ５３０は、オブジェクト５２０、例えば半導体基板、を支持するための支持面５１０．１を有する。そのような静電クランプは、電圧供給部に接続され得る１つ以上の電極を備えてもよい。オブジェクトテーブル５００は、電極５４０を更に備え、電極５４０は支持面５１０．１を取り囲み、検査中は支持面上にオブジェクト５２０が装着されている。粒子ビーム検査装置では、そのような電極５４０は、例えば、オブジェクトを検査するための適切な電界を生成させるために適用され得る。電子ビーム検査装置では、電極は、例えば、オブジェクト５２０の検査中は負電圧源に接続されてもよい。オブジェクトテーブル５００は、ピン形状部材５５０．１を備えるロード／アンロード機構５５０を更に備える。使用中、部材５５０．１は、アクチュエータ５５０．２によって垂直方向に変位させることができ、したがって、オブジェクト５２０を支持面５１０．１から持ち上げること（すなわち、オブジェクトをアンロードすること）、又はオブジェクト５２０を支持面５１０．１上に下降させること（すなわち、オブジェクトをロードすること）が可能になる。図示する配置では、アクチュエータ５５０．２は、例えば、オブジェクトテーブル５００を位置決めするように構成された位置決めデバイス５６０に装着されてもよい。典型的には、ポジショナ及びアクチュエータ５５０．２は接地される。静電クランプ５３０及び電極５４０は、動作中は比較的高い電圧にあり得るので、放電又は火花の発生を回避するために、ピン形状部材５５０．１は、典型的には、電気的に絶縁された材料から作製される。図５に概略的に示す既知のオブジェクトテーブル５００は、上述した問題を被る場合がある。これは以下の通りに示される。
【0054】
[0082] 半導体基板などのオブジェクトのクランプ中に、静電クランプ５３０の表面上に電荷の漸進的な蓄積又は集積が生じる場合がある。図５では、表面電荷とも呼ばれるこのような蓄積電荷は、＋及び－記号５３０．３で示されている。図示する配置では、表面電荷は、オブジェクト５２０の底面に面する、静電クランプ５３０の表面上に生成されている。この表面電荷の結果として、オブジェクト５２０が支持面５１０．１から持ち上げられたとき、すなわちオブジェクトがアンロードされたとき、オブジェクト５２０に電圧が誘起される。この電圧は、オブジェクトが静電クランプから絶縁されている、すなわち浮遊電位にあるという事実によって生じる。アンロード中に、絶縁されたピン形状部材５５０．１によってオブジェクトが支持面から持ち上げられると、オブジェクト５２０の底面５２０．１と、表面電荷５３０．３を有する静電クランプの表面とによって形成される静電容量の変化に起因して、オブジェクト５２０に電圧が誘起される。両方の表面間の距離が増加するにつれて、静電容量値は減少し、オブジェクト５２０における電圧が増加する。オブジェクトにおけるこの増加した電圧は、オブジェクト５２０から近くの導電性表面への、例えば電極５４０への火花５７０を生じさせる場合がある。
【0055】
[0083] この火花の課題を軽減させるために、オブジェクトテーブルの電極と、ロード／アンロード機構の上部又は先端との間に電気的接続を設けることが提案されている。このような既知の配置を図６に概略的に示す。
【0056】
[0084] 図６は、当技術分野で知られているオブジェクトテーブルの断面図を概略的に示す。図６は、オブジェクトテーブル６００の断面図を概略的に示し、オブジェクトテーブル６００は、図５のオブジェクトテーブル５００と同様に、支持部材５１０と、オブジェクト５２０、例えば半導体基板、を支持するための支持面５１０．１を提供する静電クランプ５３０とを備える。図示する配置では、静電クランプ５３０は、支持部材５１０の凹部内に配置されている。図示する配置では、静電クランプは、電圧供給部（図示せず）に接続され得る１つ以上のクランプ電極５３０．１を備える。図示する配置では、オブジェクトテーブル６００は、支持面５１０．１に隣接して配置された電極５４０を更に備える。使用中、電極５４０は、例えば、電圧源５４２、例えば負電圧源、に接続されてもよい。図示する配置では、電圧源５４２は出力端子５４２．１によって概略的に表され、出力端子を介して適切な電圧が電極５４０に印加され得る。高電圧電極５４０とも呼ばれ得る電極５４０は、検査中に、オブジェクト５２０の周囲に実質的に均一な電位が生成されるように、適切な電圧に接続されてもよい。オブジェクトテーブル６００は、ピン形状部材５５０．１を備えるロード／アンロード機構５５０を更に備える。使用中、部材５５０．１を、例えばアクチュエータ５５０．２によって垂直方向に変位させることができ、したがって、オブジェクト５２０を支持面５１０．１から持ち上げる（すなわち、アンロードする）ことが可能になる、又はオブジェクト５２０を支持面５１０．１上に下降させる（すなわち、ロードする）ことが可能になる。図示する配置では、アクチュエータ５５０．２は、例えば、オブジェクトテーブル６００を位置決めするように構成された位置決めデバイス５６０に装着されてもよい。図示する配置では、ピン形状部材５５０．１は、電気的に絶縁された材料から作製されていると考えられる。図示する配置では、オブジェクトテーブル６００は、ピン形状部材５５０．１の上面を電極５４０に接続する導電体５８０を更に備える。特に、図示する配置では、導電体５８０は、ピン形状部材５５０．１の上面に電気的に接続された１つの端部５８０．１と、電極５４０に接続された別の端部５８０．２とを有する導電性ワイヤを備える。そうすることにより、導電体５８０は、電極５４０と同じ電位に保たれる。検査プロセス中、ピン形状部材５５０．１は、ピン形状部材５５０．１とオブジェクト５２０との間に接触がないように後退位置にある。オブジェクトをアンロードする必要があるとき、電極５４０の電圧を供給する電圧源５４２は、オフにされることになる、又は低電圧、例えば０Ｖ、を出力することになる。図示する実施形態では、同じ電圧が導電体５８０に印加される。引き続いてオブジェクトがアンロードされるとき、ピン形状部材５５０．１が上向きに移動し、その結果、ピン形状部材５５０．１の上面がオブジェクト５２０の底面５２０．１と接触することになる。結果として、アンロード中は、オブジェクト５２０は、電圧源５４２によって生成され、電極５４０に供給される電圧、例えば、０Ｖ、に維持されることになる。そうすることにより、例えばオブジェクト５２０から電極５４０への、火花発生のリスクを減らすことができる。
【0057】
[0085] 図６に概略的に示す配置には、以下の欠点があることが分かっている。図６に概略的に示すような導電体５８０の適用が、導電体５８０の付近に比較的大きな電界の生成をもたらし得ることが観察された。その結果、望ましくない、いわゆる電界放出又は電界電子放出が生じる場合がある。特に、電極５４０への印加電圧が比較的高い場合に、そのようなリスクが生じる。現在、検査プロセスを改善するために、検査中に電極５４０に印加される電圧を増加させる傾向がある。したがって、－５ｋＶから－５０ｋＶの範囲、又はそれより高い電圧が印加され得る。図６に示すように、そのような電圧が電極５４０に印加される場合、導電体５８０の印加が、前述した電界放出をもたらすであろう。ロード／アンロード機構５５０のピン形状部材５５０．１と電極５４０との間に電気的接続５８０が提供される既知の配置は、検査プロセス中に機械的障害を生じさせる場合がある。図６で分かるように、電気的接続５８０は、支持部材５１０に装着された電極５４０と、位置決めデバイス５６０に装着されたピン形状部材５５０．１との間に、恒久的な機械的接続をもたらす。位置決めデバイス５６０と支持部材５１０との間のそのような機械的短絡は、位置決めデバイス５６０から、オブジェクト５２０を支持する支持部材５１０への、振動の伝達を生じさせる場合がある。支持部材５１０のそのような振動は、検査プロセスに悪影響を及ぼし得る。オブジェクトの正確な位置決めのために、位置決めデバイス５６０は、例えば、微細位置決めデバイスと粗い位置決めデバイスとのカスケード配置を備えてもよい。微細位置決めデバイスはまた、ショートストローク位置決めデバイスと呼ばれる場合もあり、一方、粗い位置決めデバイスはまた、ロングストローク位置決めデバイスと呼ばれる場合もある。そのような実施形態では、支持部材５１０は、例えば、ショートストローク位置決めデバイス（図示せず）によって正確に位置決めされ、一方、支持部材５１０は、ショートストローク位置決めデバイスと共に、位置決めデバイス５６０によって比較的長い距離にわたって変位させることができる。そのような実施形態では、５６０は、例えば、ショートストローク位置決めデバイスと一緒に比較的長い距離にわたって支持部材を移動させるように構成されたリニアモータ又は平面モータのムーバを指し得る。
【0058】
[0086] 本発明の目的は、図６に示すような配置の前述した欠点を克服する、又は少なくとも軽減させることである。
【0059】
[0087] 特に、本発明の第１の態様によれば、電界電子放出の発生を回避又は軽減するため、及び／又は検査されるオブジェクトを支持する支持部材に向かう振動の伝達を回避又は軽減するための処置が講じられる。
【0060】
[0088] したがって、本発明の第１の態様によれば、一実施形態ではオブジェクトテーブルが提供され、
オブジェクトテーブルは、基板などのオブジェクトを保持するためのクランプ機構と；
オブジェクトの底面に接触してオブジェクトをロード又はアンロードするように構成されたロード／アンロード機構と；を備え、
オブジェクトテーブルは、オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトを所定の電圧に電気的に接続するように構成された導電体を更に備える。
オブジェクトテーブルは、基板などのオブジェクトを保持するためのクランプ機構と；
オブジェクトの底面に接触してオブジェクトをロード又はアンロードするように構成されたロード／アンロード機構と；を備え、
オブジェクトテーブルは、オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトを所定の電圧に電気的に接続するように構成された導電体を更に備える。
【0061】
[0089] 一実施形態では、導電体は、オブジェクトがオブジェクトテーブル上で保持されるときに、機械的剛性が低い接続を形成するように構成されている。一実施形態では、そのような機械的剛性が低い接続は、導電体を適切に成形又は形成することによって実現されてもよい。「低い機械的剛性」の意味に関して、本発明の意味の範囲内では、ゼロに等しい機械的剛性は、低い機械的剛性の例と考えられることが指摘できる。特に、本発明の様々な実施形態では、導電体は、オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトを所定の電圧に電気的に接続するように構成することができ、オブジェクトがオブジェクトテーブル上に保持されているときに開放されてもよい、すなわち、機械的に切り離されてもよい。
【0062】
[0090] 一実施形態では、導電体は、例えば、断面を有してもよく、導電体の機械的剛性は、同じ断面を有する電線の機械的剛性よりも低い。
【0063】
[0091] そのような実施形態は、例えば、導電体にコイル形状部分又は螺旋形状部分を設けることにより実現され得る。
【0064】
[0092] 本発明の第１の態様による一実施形態では、適用される導電体はコイル形状部分を備える。そのような導電体の例は、図７ａ及び図７ｂに概略的に示されている。図示する実施形態では、電気コネクタ又はワイヤ６８０は、オブジェクト６２０の検査中に電極６４０に接続されている。したがって、検査プロセス中、ワイヤ６８０は、例えば負の、比較的高い電圧にあり得る。図示する実施形態では、電気コネクタ６８０は、一方の端部６８０．１にてピン形状部材６５０．１の上部に接続され、他方の端部６８０．２にて電極６４０に接続されている。図示する実施形態では、電線６８０は、電線が比較的高い電圧にあるときに生成される電界を軽減するために、有利には特定の形状で配置される。特に、線６８０は、コイル形状部分６８０．３、すなわち、線６８０が螺旋状に配置される部分を備える。その結果、電線が電圧源に接続されたときに電線によって生成される最大電界が減少し、したがって、いわゆる電界放出又は電界電子放出のリスクが低減される。本発明の意味の範囲内では、コイル形状とは、複数の巻線又はターンを有する、又は螺旋状に配置されていることを指す。コイル形状はまた、ばね形状と呼ばれる場合がある。導電体として電線を使用する代わりに、フレキシブルＰＣＢコネクタの使用について言及することもできる。このようなフレキシブルＰＣＢ又はフレックスＰＣＢは、両側が絶縁層で覆われた導電性材料のシートとして説明され得る。このようなフレックスＰＣＢは、コイル形状又は螺旋形状に容易に切断され、本発明の実施形態において可撓性導体として適用されてもよい。
【0065】
[0093] 図７ａ及び図７ｂは、本発明の実施形態に適用され得るような導電体６８０の予想される配置を概略的に示す。導電体６８０は、例えば、図７ａ、図７ｂに示すような形状の裸線、すなわち、絶縁されていない線であってもよい。導電体６８０の一部はまた、ピン形状部材６５０．１、特にその上部又は先端と、電極６４０又はフレックスＰＣＢとの間に配置された電気的に絶縁された又はシールドされたケーブルであってもよい。導電体６８０はまた、裸の絶縁されていないワイヤを備える第１の部分と、電気的に絶縁された又はシールドされたケーブルを備える第２の部分とを備えてもよい。
【0066】
[0094] 図７ａは、ピン形状部材が２つの異なる位置にある場合の、ピン形状部材６５０．１及び導電体６８０の断面図を概略的に示す。図７ａの上部では、ピン形状部材６５０．１は上昇位置にあり、それによりオブジェクト６２０に接触している一方で、図７ａの下部では、ピン形状部材６５０．１は後退位置にあり、その結果、オブジェクト６２０は、オブジェクトテーブル６１０上に配置されている。図示する実施形態では、電線６８０、すなわち導電体６８０を形成する電線は、ピン形状部材６５０．１の周りに螺旋状に配置され、ピン形状部材６５０．１の上部と電極６４０との間に配置されている。電極６４０はまた、例えば、電極５４０が支持部材５１０上に配置されるのと類似の方法で、オブジェクトテーブル６１０上に配置されてもよい。電線６８０を螺旋状に、すなわちコイル状に配置することにより、導体の周りに発生する電界を軽減することができる。
【0067】
[0095] 図７ｂは、ピン形状部材の上部６９０と電極６４０との間の電線６８０の予想される配置の上面図を概略的に示す。図示する実施形態では、電線６８０の第１の部分６８０．３は、上部の周りに螺旋状に配置され、電線６８０の第２の部分６８０．４は、電極６４０に向かって蛇行するように配置されている。
【0068】
[0096] 図６、図７ａ、及び図７ｂに示す実施形態では、導電体６８０は、ピン形状の持ち上げ部材６５０．１の上面をオブジェクトテーブル６００の電極６４０に接続するように配置されている。当業者は理解するように、導電体６８０はまた、ピン形状の持ち上げ部材６５０．１の上面と、電圧源、例えば電圧源５４２などの電圧源、の出力端子との間に作製されてもよい。そのような実施形態では、導電体６８０は、ピン形状部材６５０．１の上面に接続された１つの端部６８０．１と、電圧源５４２の出力端子５４２．１などの出力端子に接続された別の端部６８０．２とを有する導電性ワイヤを含んでもよい。そうすることにより、導電体６８０は、電極６４０と実質的に同じ電位に保たれる。
【0069】
[0097] この代替的実施形態に関して、電圧源５４２は、例えば、ポジショナ６６０上に配置されることを指摘できる。したがって、導電体６８０は、好ましくは、少なくとも部分的に、電圧源５４２の出力端子５４２．１とピン形状部材６５０．１との間に延びるシールドされたワイヤ又はケーブルである。そのような配置では、少なくとも１つのシールドされていない部分を電気的接続上に有することが有利な場合があり、そのようなシールドされていない部分は、ポジショナ６６０とオブジェクトテーブル６００との間での振動の伝達を軽減するように、より低い剛性を有する。
【0070】
[0098] 導電体６８０に、コイル形状部分又は螺旋状部分を設ける代わりに、電界電子放出を軽減又は回避するために、導電性シールドの適用が考慮されてもよい。そのような実施形態を、図７ｃに概略的に示す。図７ｃは、ピン形状部材６５０．１及び導電体６８０の断面図を概略的に示す。ピン形状部材６５０．１は上昇状態にあり、それにより、オブジェクト６２０をオブジェクトテーブル６１０の上方に持ち上げている。図示する実施形態では、電線７８０は、１つの端部７８０．１にてピン形状部材６５０．１の上部に配置され、別の端部７８０．２にて電極６４０に配置されている。電極６４０は例えば、例えば、電極５４０が支持部材５１０上に配置されるのと類似の方法で、オブジェクトテーブル６１０上に配置されてもよい。図示する実施形態は、例えば、オブジェクトテーブル６１０に装着され得る電気シールド７９０を更に備える。図示する実施形態では、電気シールドは、例えば、半球形状を有してもよく、ピン形状部材が突出することを可能にする第１の開口７９０．１と、電線７８０が通過することを可能にする第２の開口７９０．２とを備える。そのような電気シールド７９０は、電界電子放出を軽減又は回避することも可能にする。
【0071】
[0099] 図示する実施形態では、電線７８０は、電線をシールド７９０に接続する導体７８０．３を含み、したがって、シールドが、シールドされている電線と同じ電圧にあることが確実になる。代替として、電線７８０は、電極６４０をシールド７９０に接続する第１の電線と、シールド７９０をピン形状部材６５０．１に、特にピン形状部材の導電性上部に接続する第２の電線とを含んでもよい。代替として、シールドは、ピン形状部材６５０．１に機械的に接続され、ピン形状部材と共に移動してもよい。そのような実施形態では、電線７８０はまた、電極６４０をシールド７９０に接続する第１の電線と、シールド７９０をピン形状部材６５０．１に接続する第２の電線とを含んでもよい。代替として、シールドは、ピン形状部材６５０．１の導電性上部に機械的に接続されてもよい。そのような実施形態では、電極６４０とシールド７９０との間の電線のみが必要である。
【0072】
[00100] 図７ａ及び図７ｂを参照して説明した実施形態では、コイル形状部分を有する導電体の適用はまた、ピン形状部材６５０．１と電極６４０との間の機械的剛性を低減させる。導電体６８０の少なくとも一部を螺旋状に又は蛇行するように配置することにより、導体の機械的剛性の低減が得られる。結果として、例えばピン形状部材６５０．１から電極６４０までの振動の伝達が減少する。これにより、オブジェクト６２０のより正確な検査プロセスが可能になる。
【0073】
[00101] 本発明の一実施形態では、ロード／アンロード機構は、１つ以上の持ち上げ部材、例えば、ピン形状の持ち上げ部材を備え、ロード及びアンロード中にオブジェクトに接触するように構成されたその接触領域は恒久的に接地されている。これは、例えば、一実施形態では、導電性材料から持ち上げ部材を作製することによって実現され得る。代替として、導電性ワイヤを、接触領域、例えばピン形状部材の上面と、電気接地端子との間に接続できる。そのような実施形態では、検査プロセス中の火花の発生を回避するために、ピン形状の持ち上げ部材を、比較的長い距離にわたって後退させる必要があり得ることに留意されたい。検査プロセス中に電極６４０に印加される電圧に応じて、ピン形状の持ち上げ部材を、例えば、静電クランプの下方に数センチメートル、例えば５０ｍｍ、後退させる必要があり得る。そのような実施形態では、ピン形状部材と、電極６４０、すなわちオブジェクトテーブルの高電圧電極との間の距離が、ピン形状部材と電極との間での放電を回避するように十分に大きくなるように、恒久的に接地されたピン形状部材を後退させる又は下降させるべきである。
【0074】
[00102] 代替的実施形態では、オブジェクトテーブルは、オブジェクトのアンロード中に、又はアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトを接地するための専用のピン形状部材を備える。そのような実施形態を、図８に概略的に示す。
【0075】
[00103] 図８では、本発明の一実施形態によるオブジェクトテーブル８００を概略的に示す。オブジェクトテーブル８００は、支持部材６１０と、オブジェクト５２０、例えば半導体基板、を支持するための支持面６１０．１を提供する静電クランプ６３０とを含む。支持部材６１０は、オブジェクト６２０、例えば半導体基板又はレチクル、を支持するための支持面６１０．１を有する。図示する実施形態では、静電クランプ６３０は、支持部材６１０の凹部内に配置されている。オブジェクトテーブルは、電極６４０と、ロード／アンロード機構６５０とを更に備える。静電クランプ６３０の電極配置又は電極６４０用の電圧供給部などの更なる詳細は、明確にするために省略されている。図示する実施形態では、オブジェクトテーブル８００は、オブジェクト６２０、特にオブジェクト６２０の底面６２０．１、に接触するように構成されたピン形状部材８１０を更に備える。図示する実施形態では、ピン形状部材８１０は、導電性材料から作製されていると考えられ、恒久的に接地されている。図示する実施形態では、ピン形状部材８１０は、アクチュエータ８１５によって、示されるＺ方向に移動できる。本発明によれば、アンロード中に部材８１０を上昇させて、部材がオブジェクト６２０に接触しているように、アンロードシーケンスの前及び／又は最中に、又はその一部にて、恒久的に接地されたピン形状部材８１０を適用して、オブジェクト６２０を接地させることができる。接地の結果として、オブジェクト６２０において誘起される電圧が存在しないことになり、その結果、オブジェクト６２０から、例えば電極６４０に向かって、火花が発生するリスクは低減される。この実施形態では、ピン形状部材８１０と、電極６４０、すなわちオブジェクトテーブルの高電圧電極との間の距離が、ピン形状部材と電極との間での放電を回避するように十分に大きくなるように、ピン形状部材８１０が検査中に十分に後退している又は下降しているように構成されていることを確実にすることが重要である。
【0076】
[00104] 恒久的に接地されたピン形状部材が適用される上述した実施形態は、ピン形状部材とオブジェクトテーブルの高電圧電極との間に、振動を伝達させ得る有線の電気的接続が存在しないという利点をもたらす。このような専用の恒久的に接地されたピン形状部材の適用は、この部材がアンロード中にオブジェクトに接触しさえすればよいので、比較的直接的であり得ることも指摘できる。したがって、例えば、ロード／アンロード中に、オブジェクトの位置を制御するための部材の正確な位置制御は必要ない。上述したような高電圧電極がオブジェクトテーブルに設けられている、本発明の一実施形態では、アンロードシーケンスの前に、高電圧電極とアンロードされるオブジェクトとの間の距離を増加させることにより、高電圧電極に向かう放電が回避又は軽減される。これは、例えば、高電圧電極が後退する、例えばオブジェクトから下降される又は離れる方向に移動するように、高電圧電極を構成することによって実現され得る。そのような実施形態では、高電圧電極は、例えばオブジェクトをアンロードする前に下降させることができる、後退可能な高電圧リングとして、例えば、構成されてもよい。代替として、オブジェクトテーブルのオブジェクトを保持するためのクランプ機構は、アンロードシーケンスの前に、高電圧電極から離れる方向に移動するように構成できる。そのような実施形態では、オブジェクトを保持するクランプ機構は、高電圧電極と比較して上昇されていてもよい。その結果、クランプ機構と高電圧電極との間の距離が増加し、したがって、オブジェクトから高電圧電極への放電のリスクが低減される。
【0077】
[00105] 一実施形態では、本発明によるオブジェクトテーブルに適用される電気コネクタは２つの部材を備える。そのような実施形態では、電気コネクタの２つの部材は、特定の条件下で電気的接続を形成するように構成され得る。特に、電気コネクタの２つの部材は、ロード／アンロード機構が特定の位置又は特定の範囲にあるときに接続するように構成され得る。そうすることで、例えば、２つの部材間の機械的接続が、検査プロセス中には存在せず、アンロードシーケンスの少なくとも一部の間でのみ存在することを確認できる。したがって、検査プロセス中の電気的接続を介した振動の伝達が回避され得る。図９及び図１０は、そのような配置の２つの可能な実施形態を概略的に示す。図９は、本発明によるオブジェクトテーブルに適用されるようなロード／アンロード機構に適用できるピン形状部材９００を概略的に示す。ピン形状部材９００は、オブジェクト９２０を支持することができる支持面９１０に対して２つの異なる位置に示されている。概略的に示されるピン形状部材９００は、導電性である上部９００．１を有する。図示する配置は導電体９５０を更に備え、導電体９５０は、ピン形状部材９００．１の上部９００．１にヒンジ結合された第１の導体部材９５０．１、例えば、可撓性を有し湾曲可能な棒状の導電体を備える。第１の導体部材９５０．１は、ピン形状部材９００が上向きに移動したときに、矢印９６０によって示されるように旋回又は回転できるように更に構成されている。旋回又は回転の結果として、第１の導体部材９５０．１の端部９５０．１１を、導電体９５０の第２の導体部材９５０．２に接触させることができる。これは、図９の右上部分に概略的に示されている。図示する配置では、ピン形状部材９００の上部９００．１がオブジェクト９２０に接触したときに、端部９５０．１１が第２の導体部材９５０．２に接触するようになっている。図示する実施形態では、第２の導体部材９５０．２は、電気的接地又は接地電位に接続されてもよい。図９の右下部分に示すように、ピン形状部材９００．１が更に上向きに移動すると、第１の導体部材９５０．１は、第２の導体部材９５０．２と接触した状態を維持して湾曲し得る。第１の導体部材９５０．１は、カンチレバーとして機能すると考えることができる。ピボット点９６０の位置を適切に選択することにより、ピン形状部材９００の比較的小さな変位が、第１の導体部材９５０．１の端部９５０．１１の比較的大きな変位をもたらすことができ、それにより、端部９５０．１１と接地された第２の導体部材９５０．２との間に十分に大きなギャップが存在することが確実になる。第２の導体部分又は部材９５０．２を電気的に接地する代わりに、第２の導体部材９５０．２は、上述した電極６４０などの電極に、又は電圧源６４２に接続されてもよいことに留意されたい。
【0078】
[00106] 図１０は代替的実施形態を概略的に示し、ロード／アンロード機構が特定の位置又は範囲にある場合に、電気コネクタが接続を提供するように構成されている。図示する実施形態では、導電体はまた、２つの部材を有すると考えることもできる。
【0079】
[00107] 図示する実施形態では、ピン形状部材１０００の上部１０００．１は導電性である、例えば、導電性材料で構成されている又は導電性コーティングを含む、と考えられる。したがって、そのような導電性上部は、導電体の第１の導電性部材と考えることができる。図示する実施形態では、ピン形状部材は、電気的接続又はコネクタの第２の導電性部材１０２０の開口１０１０を通って突出するように構成され、それにより、ピン形状部材１０００が開口１０１０から突出した場合、ピン形状部材１０００と導電性部材１０２０との間に電気的接続が形成される。導電性部材１０２０は、概略的に示すように、電極６４０に接続されている。電極６４０は、上述したように、例えば、電圧源に接続され得る。導電性部材１０２０はまた、電圧源に直接接続されてもよい。電気的接触を確実にするために、開口は、複数の微細な導電性要素１０３０、例えば、ブラシ又は毛のような導電性ワイヤを備えてもよく、導電性ワイヤは、例えば、図１０の右側部分に示すように、ピン形状部材１０００が開口１０１０から突出するときに、開口を少なくとも部分的に隠すように配置されてもよく、そして偏向し得る。したがって、支持面９１０上で支持されるオブジェクト９２０のアンロードシーケンスの少なくとも一部の間、オブジェクト９２０は、所定の電圧又は電位、すなわち電極６４０に印加される電位に電気的に接続される。
【0080】
[00108] 図示する実施形態では、第２の導体部材９５０．２、１０２０は、例えば、高電圧電極を介して、直接的に又は間接的に潜在的な既定の電圧源に接続されている。したがって、これらの実施形態はまた、オブジェクト９２０のアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクト９２０が既定の電圧に接続されることを確実にする。そうすることにより、上述したように、オブジェクトの電圧を制御することができる。例えば、オブジェクトテーブルの静電クランプの表面電荷と、アンロード中の静電容量の減少とによって生じるオブジェクト９２０の電圧増加を回避又は軽減できる。
【0081】
[00109] オブジェクトテーブルが上述したような高電圧電極を備える本発明の実施形態では、例えば、アンロード中に又はアンロードの少なくとも一部の間に、上昇された電圧を高電圧電極に印加することにより、オブジェクトのアンロード中における高電圧電極への放電を回避又は軽減することができる。
【0082】
[00110] 一実施形態では、図１０に示す実施形態と同様に、適用される電気的接続は、オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクト上に蓄積した任意の電荷の制御された放電が実現されるように構成されている。電気コネクタの少なくとも１つの部材を適切に成形することにより、特に、例えば、それを先の尖った針に成形することにより、２つの導体部材間において制御された放電が生じる可能性がある。そのような実施形態を、図１１ａ及び図１１ｂに概略的に示す。
【0083】
【0084】
[00112] 図１１ａでは、電極６４０に接続されている第２の導電体部材１０２０は、開口１０１０の円周に沿って配置され、例えば内側に向いた、１つ以上の針状導電体１１１０を備える。針状導体は、開口１０１０を通るピン形状部材１０００の通路を隠す必要がないことに留意されたい。ピン形状部材１０００が、例えば、オブジェクト９２０を支持面９１０からアンロードするために、開口１０１０から突出している場合、オブジェクトの電圧増加は防止される。なぜなら、アンロードシーケンスの少なくとも一部の間、導電性上部１０００．１と針状導体１１１０を備える第２の導電体部材１０２０とによって形成される電気的接続又はコネクタが、オブジェクトの放電１１２０を可能にすることになるからである。
【0085】
[00113] 制御された放電１１２０に起因して、オブジェクトの電圧がアンロード段階中に上昇することはもはやない。したがって、オブジェクトテーブルに向かって火花又は放電が発生するリスク、例えば、オブジェクトテーブル上の電極に向かうリスクは軽減される。
【0086】
[00114] 理解されるように、ピン形状部材の導電性部分が、特定の位置範囲において電気的接続を形成し、別の範囲において切り離されるように構成された代替の配置を考案することもできる。
【0087】
[00115] 図示する実施形態では、針状導体１１１０は、第２の導電体部材１０２０上に設けられている。代替として、針状導体はまた、ピン形状部材１０００の導電性上部１０００．１に設けられてもよい。そのような実施形態では、電気的接続を必要な位置範囲に形成するために、第２の導電体部材１０２０は適切に成形され得る。そのような実施形態を、図１１ｂに概略的に示す。図示する実施形態では、ピン形状部材１０００の導電性上部１０００．１には、針状導体１１１０が設けられている。図１１ｂの右側に見られるように、ピン形状部材が上昇すると、針状導体１１１０は、放電を可能にするように第２の導電体部材１０２０と相互作用し得る。理解されるように、図１１ａ及び図１１ｂの実施形態を組み合わせてもよく、したがって、第２の導電体部材１０２０とピン形状部材１０００の導電性上部１０００．１との両方に針状導体１１１０がある。
【0088】
[00116] 図１２は、例えば、ロード／アンロード機構のピン形状部材１２００の第１の導体部材１２１０が、可撓性導電性部材１２２０．１を有する第２の導体部材１２２０に接触するように構成された配置を示す。図１２の右側部分に示されるように、例えば、オブジェクト９２０を支持面９１０からアンロードするために、ピン形状部材１２００が持ち上げられた場合、第１の導体部材１２１０は、第２の導体部材１２２０と接触することができ、それにより、オブジェクト９２０のアンロードシーケンスの少なくとも一部の間、例えば電極６４０への接続を介して、オブジェクト９２０と既定の電圧との間に接触が確立される。
【0089】
[00117] 更に、ピン形状部材の上面が、例えば接地されている又はＨＶソースに接続されている、接続された状態と、上面が、例えば、その電位を調整することが可能な、すなわち浮遊電位を有する、切り離された状態との間で、ピン形状部材を切り替える代替的方法が図１３に概略的に示される。
【0090】
[00118] 図１３では、本発明の一実施形態によるオブジェクトテーブル１３００を概略的に示す。オブジェクトテーブル８００は、支持部材６１０と、オブジェクト５２０、例えば半導体基板又はレチクル、を支持するための支持面６１０．１を提供する静電クランプ６３０とを含む。図示する実施形態では、静電クランプ６３０は、支持部材６１０の凹部内に配置されている。オブジェクトテーブルは、電極６４０と、ピン形状部材１３５０．１及び１３５０．２を備えるロード／アンロード機構１３５０とを更に備える。静電クランプ６３０の電極配置又は電極６４０用の電圧供給部などの更なる詳細は、明確にするために省略されている。
【0091】
[00119] 図１３では、ピン形状部材１３５０．１は、例えば既知のロード／アンロード配置で適用されるような、例えば従来の絶縁されたピン形状部材であってもよい。しかしながら、ピン形状部材１３５０．２は、導電性上部１３５０．２１と、例えば接地するように構成された導電性下部１３５０．２２と、イオン化可能なガスで充填され得る中間部分１３５０．２３とを備える。中間部分１３５０．２３は、例えば、ガスをイオン化するための一対の電極を備えるチューブであってもよい。このような配置では、ピン形状部材１３５０．２の導電率を制御することができる。一対の電極に供給される電圧を制御することにより、中間部分１３５０．２３においてイオン化ガスを生成させ、それにより中間部分を導電性にすることができる。そうすることにより、上部１３５０．２１は下部１３５０．２２に電気的に接地される。したがって、そのような実施形態では、ピン形状部材１３５０．１は、オブジェクトがロード又はアンロードされるときは導電させることができ、オブジェクトが検査されているときは絶縁させることができる。
【0092】
[00120] 中間部分の内部にあるガスをイオン化する代わりに、ピン形状部材のうちの１つ以上が、既にイオン化されているガスを収容するように構成されてもよい。そのような実施形態では、１つ以上のピン形状部材の導電率が、ピン形状部材の内部にあるガスをイオン化するのではなく、既にイオン化されたガスをピン形状部材に供給する及びピン形状部材から排出することによって、制御され得る。
【0093】
[00121] 比較的容易にイオン化され得る適切なガスは、例えば、アルゴン又はネオンを含み得る。
【0094】
[00122] これまで論じた実施形態では、オブジェクトは、アンロード段階の少なくとも一部の間に、ロード／アンロード機構を介して、特にこの機構のピン形状部材を介して、所定の電圧又は電圧源に接続されるように構成されている。しかしながら、電気コネクタの代替の配置もまた考案され得る。
【0095】
[00123] 一例として、オブジェクトと所定の電圧との間の電気的接続は、例えば、移動可能な電極又は電気コネクタを使用して、オブジェクトの縁部又は上面にさえ接触することによって実現されてもよい。これには、ハンドラ又はハンドリングロボットのグリッパが適している場合がある。したがって、一実施形態では、本発明によるオブジェクトテーブルは、ロボットハンドラ、例えば、エンドエフェクタグリッパ、例えば導電性又は半導電性のエンドエフェクタグリッパを備えるロボットハンドラ、と協働するように構成することができ、エンドエフェクタグリッパは、オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、アンロードされるオブジェクト、例えばオブジェクトの縁部又は上面、に接触するように構成されている。エンドエフェクタグリッパが接地されている場合、そのような配置はまた、少なくともアンロードシーケンスの一部の間に、オブジェクトが既定の電圧又は電圧源に接続されることを確実にすることを可能にする。アンロードシーケンスの少なくとも一部の間にオブジェクトに接触するためにエンドエフェクタグリッパを適用する代わりに、ロボットハンドラのエンドエフェクタグリッパは、アンロードの少なくとも一部の間にオブジェクトに接触するための電極又は接触部、例えば細い可撓性導線、を備えてもよい。一実施形態では、オブジェクトテーブルの高電圧電極は、そのようなアンロード中又はそのようなアンロードの少なくとも一部の間に、オブジェクトと高電圧電極との間に挿入された半導電性エンドエフェクタグリッパによって、オブジェクトから電気的に絶縁されてもよい。
【0096】
[00124] 代替として、オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間、可撓性を有する導電性接触部を、例えばオブジェクトの縁部に沿って設けることができる。そのような実施形態を、図１４に概略的に示す。図１４に概略的に示すオブジェクトテーブル１４００は、支持部材６１０と、オブジェクト５２０、例えば半導体基板、を支持するための支持面６１０．１を提供する静電クランプ６３０とを備える。支持部材６１０は、オブジェクト６２０、例えば半導体基板又はレチクル、を支持するための支持面６１０．１を有する。図示する実施形態では、静電クランプ６３０は、支持部材６１０の凹部内に配置されている。オブジェクトテーブルは、電極６４０と、ピン形状部材１４５０．１を備えるロード／アンロード機構１４５０とを更に備える。好ましい実施形態では、ロード／アンロード機構１４５０は、例えば、３つのピン形状部材を備えてもよい。静電クランプ６３０の電極配置又は電極６４０用の電圧供給部などの更なる詳細は、明確にするために省略されている。図示する実施形態では、オブジェクトテーブル１４００は、オブジェクト６２０のアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクト６２０の縁部又は底面に接続するための可撓性電気コネクタ又は接続部１４６０を更に備える。図示するように、可撓性電気コネクタ１４６０は、例えば電線１４６０．１を介して、電極６４０に接続されている。可撓性電気コネクタ１４６０は、例えば、スライド式でオブジェクトに接触するように構成され得る。代替として、可撓性電気コネクタ１４６０の末端部分１４６０．２にローラ接触部を設けることにより、粒子が発生するリスクを軽減できる。電気コネクタ１４６０を、例えば、板ばね又は板ばねのような部材とすることができる。この部材は、オブジェクト６２０との接触が維持されるように、オブジェクトがロードされるときに下向きに湾曲でき、アンロードの少なくとも一部の間に上向きに湾曲できる。
【0097】
[00125] 図１４に示す配置の代替として、可撓性電気コネクタ１４６０は、例えば、オブジェクトの底面６２０．１の下方、すなわち、オブジェクトの支持面６１０．１と底面６２０．１との間に装着されるばね状のコネクタであってもよい。そのとき、このばねは、コネクタ１４６０が電極に接続されるのと同様の方法で、高電圧電極６４０に接続されてもよい。
【0098】
[00126] 図１４に示す電気コネクタ１４６０の代替として、適用される電気コネクタは、支持面６１０．１と、支持されるオブジェクトの底面６２０．１との間に配置された導電性ばね又はばね様の導体を備えてもよい。そのようなばね又はばね様の導体は、オブジェクト６２０がロードされているときに圧縮されるように構成され、オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間にオブジェクト６２０との接触が維持されるように伸長するように構成され得る。ばねは更に、電線を介して電極６４０に接続されてもよい。
【0099】
[00127] オブジェクトと、所定の電圧、例えば電気接地電位との間に電気的接続を設けるための代替的方法は、オブジェクトと静電クランプとの間のボリュームをイオン化ガスでパージする方法である。そのようなガスは、オブジェクトと、その周辺にある任意の材料、例えば、上述した電極６４０などの、オブジェクトを取り囲む電極との間に、電気的接続を形成すると考えることができる。したがって、イオン化ガスは、本発明の意味の範囲内では、導電体、すなわちガス状導電体であると考えることもできる。そのようなイオン化ガスの流れの適用はまた、少なくとも部分的に、静電クランプ６３０の表面に生成された表面電荷の相殺又は補償をもたらし得ることを更に指摘できる。
【0100】
[00128] したがって、本発明の実施形態では、静電クランプ６３０の表面への表面電荷の蓄積を軽減又は回避するために、イオン化ガスを使用して、オブジェクトの下方及び／又は静電クランプの上方にあるボリュームのパージが、例えば定期的に、実施される。
【0101】
[00129] そのような実施形態では、例えばアンロード中にオブジェクトを接地することにより、蓄積された表面電荷のいかなる悪影響をも軽減しようと企てるよりもむしろ、表面電荷自体が軽減又は除去される。
【0102】
[00130] 本発明の第２の態様によれば、基板などのオブジェクトを保持するように構成されたオブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、
オブジェクトを保持するように構成された静電クランプと；
静電クランプの電気的特性を決定するように構成された測定ユニットであって、電気的特性は、静電クランプの電荷状態を表す、測定ユニットと；
決定された電気的特性に基づいて、オブジェクトのアンロード中に、静電クランプの電力供給部を制御するように構成された制御ユニットと、を備える。
オブジェクトを保持するように構成された静電クランプと；
静電クランプの電気的特性を決定するように構成された測定ユニットであって、電気的特性は、静電クランプの電荷状態を表す、測定ユニットと；
決定された電気的特性に基づいて、オブジェクトのアンロード中に、静電クランプの電力供給部を制御するように構成された制御ユニットと、を備える。
【0103】
[00131] 本発明の第２の態様によれば、オブジェクトテーブルが提供され、オブジェクトテーブルは、オブジェクトのアンロード前及び／又は最中に、静電クランプの決定された電気的特性に基づいて、オブジェクトテーブルの静電クランプの電力供給部を制御することが可能である。ここで、電気的特性は、静電クランプに電圧が印加されていないときの静電クランプの電荷状態、特に静電クランプ上の残留電荷、を表す。
【0104】
[00132] 図５を参照して上述したように、半導体基板などのオブジェクトをオブジェクトテーブル上に保持するために静電クランプを使用すると、その結果、静電クランプの表面に表面電荷が発生する場合がある。この表面電荷は、オブジェクトとオブジェクトテーブルとの間、特にオブジェクトとオブジェクトテーブルの静電クランプとの間に、付着力とも呼ばれる引力を生じさせる。当業者は理解するように、オブジェクトテーブルからオブジェクトをアンロードするためには、この付着力を克服しなければならない。換言すれば、オブジェクトテーブルからオブジェクトをアンロードするには、付着力に少なくとも等しく且つ付着力とは反対方向に向いた力を、オブジェクトに加えることが必要になる。したがって、付着力が大きいほど、アンロード力、すなわちオブジェクトをアンロードするのに必要な力は、より大きい必要があることになる。アンロード力は、典型的には、１つ以上のピン形状部材を備えるロード／アンロード機構を使用して加えられるので、生成され得るアンロード力は、比較的小さい場合がある。また、１つ以上のピン形状部材を介して比較的大きなアンロード力をオブジェクトに印加すると、オブジェクトに損傷を与える場合がある。
【0105】
[00133] 例えば図５を参照して説明したような典型的なオブジェクトテーブルでは、オブジェクトテーブルに適用されるような静電クランプは、オブジェクトのアンロード中には電力が供給されないであろう。しかしながら、本発明の第２の態様によれば、静電クランプの電荷状態を表す、決定された電気的特性に基づいて、アンロード中に、静電クランプの電力供給部、すなわち静電クランプに供給される電力、を制御することが提案される。そうすることにより、以下でより詳細に説明するように、静電クランプの帯電段階を考慮することができ、クランプ力、すなわち残留した又は恒久的なクランプ力に対する電荷状態の影響を補償する、打ち消す、又は軽減するための適切な処置を講ずることができる。決定された電気的特性に基づいて、静電クランプの電力供給部をアンロード中に制御することの代替として又はそれに加えて、オブジェクトのクランプ中にも静電クランプの電力供給部を制御してもよい。特に、本発明の一実施形態では、静電クランプの電荷状態、又はクランプ力への電荷状態の影響を、オブジェクトのクランプ中に考慮することができる。すなわち、静電クランプに適切に電力を供給することにより、静電クランプの測定された又は決定された電荷状態の影響を考慮することができ、したがって、必要なクランプ力を確実に得ることができる。一例として、クランプの負電極の近くのクランプ表面における電荷が負である場合、同じ正味のクランプ力をもたらすのに必要なクランプ電圧は、より小さくなる。同様に、正のクランプ電極の近くにある負電荷は、表面電荷がそこでのクランプ力を打ち消すので、同じクランプ力を実現するのに、正のクランプ電極に、より大きな正の電圧を必要とすることになる。
【0106】
[00134] 本発明の第２の態様によれば、静電クランプの電力供給部、又は静電クランプに供給される電力は、決定された電気的特性に基づいて、付着力を少なくとも部分的に補償し、打ち消し、又は軽減できるように、制御することができる。更に、そうすることにより、オブジェクトとオブジェクトテーブル、例えばオブジェクトテーブル上の高電圧電極、との間の放電も回避され得る。
【0107】
[00135] 図１５は、本発明の第２の態様によるオブジェクトテーブル１５００の実施形態を概略的に示す。図１５では、本発明の一実施形態によるオブジェクトテーブル１５００を概略的に示す。オブジェクトテーブル１５００は、図６のオブジェクトテーブル６００と同様に、オブジェクト６２０、例えば半導体基板、を支持するための支持面６１０．１を有する支持部材６１０を含む。図示する実施形態では、静電クランプ６３０が、例えば支持部材６１０に埋め込まれて、支持面６１０．１の下方に配置されている。図示する実施形態では、オブジェクトテーブルは、任意選択のフィーチャとして、電極６４０及びロード／アンロード機構６５０を更に備える。静電クランプ６３０の電極配置又は電極６４０用の電圧供給部などの更なる詳細は、明確にするために省略されている。本発明の第２の態様によれば、オブジェクトテーブル１５００は、静電クランプの電気的特性を決定するように構成された測定ユニット１５１０を更に含み、点線１５１０．１で示される電気的特性は、静電クランプ６３０の電荷状態を表す。本発明の第２の態様によれば、オブジェクトテーブル１５００は、決定された電気的特性に基づいて、オブジェクト６２０のアンロード中に、静電クランプ６３０の電力供給部１５３０を制御するように構成された制御ユニット１５２０を更に備える。ライン１５３０．１は、電力供給部１５３０による静電クランプ６３０への電力供給を示す。電力供給部１５３０は、例えば、静電クランプ６３０の１つ以上の電極に適切な電圧を供給することにより、静電クランプ６３０に電力を供給できる。電力供給部１５３０は、例えば、オブジェクトテーブル１５００の制御ユニット１５２０によって制御され得る。本発明の第２の態様によれば、制御ユニット１５２０は、決定された電気的特性に基づいて、オブジェクト６２０のアンロード中に、静電クランプ６３０の電力供給部１５３０を、矢印１５２０．１で示されるように制御するように構成されている。電気的特性は、例えば入力信号１５２０．２によって制御ユニット１５２０に提供され得る。
【0108】
[00136] 本発明の第２の態様によれば、オブジェクトテーブル１５００の測定ユニット１５１０は、静電クランプの電荷状態を表す電気的特性を決定するように構成されている。静電クランプの電荷状態は、例えば、静電クランプの表面上に蓄積された表面電荷を示し得る。
【0109】
[00137] 本発明によれば、電気的特性を決定し、決定された電気的特性に基づいて静電クランプの電力供給部を制御するための様々な方法が考案される。
【0110】
[00138] 静電クランプの電気的特性を決定するための第１の方法は、オブジェクトのアンロードシーケンスの初期部分の間に、例えば、オブジェクトがまだ支持面上にあるときに開始するアンロードシーケンスの部分の間に測定を実施することである。
【0111】
[00139] 一実施形態では、測定ユニット１５１０は、この初期部分の間に、測定を実行することによって、クランプの電荷状態を表す静電クランプの電気的特性を決定するように構成されている。この測定は、例えば、静電クランプの特性の測定、又はアンロード中のオブジェクトの特性の測定であり得る。
【0112】
[00140] 前者の場合、すなわち静電クランプの特性の測定が実施される場合、測定ユニット１５１０は、例えば、電気的特性として、クランプの１つ以上の電極から出る又は電極に向かう電流を測定するように構成されてもよい。そのような場合、電力供給部１５３０は、例えば、アンロードシーケンスの初期部分の間に、電極を所定の電位、例えばゼロボルトに維持する、すなわち、電力供給部は電極に０Ｖの電圧を供給するように構成され得る。
【0113】
[00141] しかしながら、アンロード中に電圧を０Ｖに維持するために、静電クランプ上の電荷の存在に起因して、電極に電流が入る又は電極から電流が出ることになる。これは次のように理解される。オブジェクトがアンロードされると、すなわちオブジェクトとクランプとの間の距離が増加すると、オブジェクト及びクランプよって形成される静電容量の変化と、静電クランプ上の表面電荷とに起因して、（上述したように）オブジェクトに電圧が誘起されることになる。表面電荷が存在に起因して、電力供給部によって電圧が印加されていない場合には電極の電圧も変化するという点で、この静電容量の変化は、静電クランプの電極にも影響を及ぼす。したがって、静電クランプ６３０の電力供給部１５３０がクランプを０Ｖに保持する場合、０Ｖを維持するために、アンロードシーケンス中に、電極から出る又は電極に向かう電流が存在する。この電流は、クランプ上の表面電荷の存在に起因して生じるので、この電流は、静電クランプの電荷状態又はクランプの表面電荷を表すと考えることができる。その電流を、電荷状態を表す電気的特性として測定した後、制御ユニット１５２０は、次いで、電気的特性に基づいて、静電クランプ６３０の電力供給部１５３０を制御してもよい。特に、制御ユニット１５２０は、静電クランプの電荷状態の影響を打ち消す又は軽減する電圧を１つ以上の電極に供給する方法で、電力供給部を制御できる。
【0114】
[00142] 静電クランプの電荷状態の影響を軽減するために必要な電圧は、例えばシミュレーションと組み合わされた、例えば、経験的データ、例えば実験データに基づいて決定され得る。
【0115】
[00143] 別の実施形態では、測定ユニットは、例えばアンロードシーケンス又はその一部の間に、クランプの電荷状態を表す静電クランプの電気的特性として、クランプの１つ以上の電極の電圧を測定するように構成され得る。そのような実施形態では、電力供給部１５３０は、例えば、アンロードシーケンス又はその一部の間に、静電クランプの１つ以上の電極を電力供給部から切り離すように構成されていてもよい。そうすることにより、１つ以上の電極の電位又は電圧は浮動又は未定義になる。結果として、電極の電位又は電圧は、アンロードシーケンス又はその一部の間に変化し得る。静電クランプ上に表面電荷が存在する場合、オブジェクトがアンロードされると、静電容量の変化に起因して、１つ以上の電極における電圧は実際に変化する。したがって、この実施形態では、測定ユニット１５１０は、オブジェクトのアンロードシーケンス中に、静電クランプの電荷状態を表す電気的特性として、静電クランプの１つ以上の電極における電圧を測定するように構成され得る。次いで、この電気的特性に基づいて、電力供給部１５３０を制御する制御ユニット１５２０は、静電クランプ６３０の電力供給部を制御してもよい。特に、制御ユニット１５２０は、静電クランプの電荷状態の影響を打ち消す又は軽減する電圧を１つ以上の電極に供給する方法で、電力供給部１５３０を制御してもよい。
【0116】
[00144] 更に別の実施形態では、上述したように、測定ユニット１５１０は、静電クランプではなくオブジェクトに対して測定を実施することにより、静電クランプの電荷状態を表す電気的特性を決定するように構成されている。本発明の第１の態様に関して上述したように、表面電荷を有する静電クランプからオブジェクトがアンロードされると、表面電荷に起因して、そしてオブジェクトがクランプから離れたときの静電容量の変化に起因して、（オブジェクトが接地されていないと想定すると）前述した電圧において電圧が誘起されることになる。したがって、一実施形態では、本発明によるオブジェクトテーブルに適用される測定ユニットは、アンロードシーケンスの初期部分の間に、オブジェクトに誘起される電圧を決定、測定するように構成することができる。誘起される電圧は、静電クランプ６３０の表面電荷又は電荷状態に直接関係するので、誘起される電圧を使用して、クランプの電荷状態を表す、静電クランプの電気的特性を決定することができる。いったん電気的特性が決定されると、静電クランプ６３０に電力を供給する電力供給部１５３０を制御するために、上述したのと同様の方法で、電気的特性を適用することができる。アンロードシーケンスの初期部分の間にオブジェクトに誘起された電圧を測定するために、上述したような電気コネクタ又は導体が例えば適用され得る。特に、例えば、ロード／アンロード機構の導電性ピン形状部材を使用して、オブジェクトにおいて誘起された電圧を測定するためのプローブとして機能させることができる。したがって、アンロードシーケンスの初期部分の間にオブジェクトにおいて誘起された測定された電圧に基づいて、制御ユニットは、静電クランプの電荷状態の影響を打ち消す又は軽減する電圧を１つ以上の電極に供給する方法で、静電クランプに電力を供給する電力供給部を制御することができる。
【0117】
[00145] 更に別の実施形態では、測定ユニット１５１０は、オブジェクトに対して電流測定を実施することにより、静電クランプの電荷状態を表す電気的特性を決定するように構成されている。オブジェクトがアンロードシーケンス中に所定の電位、例えば電気接地電位、に接続されている場合、アンロード中にこれらの電極がゼロ電圧源に接続されているときに、電流が静電クランプの電極に又は電極から流れることになるのと同様に、オブジェクトがアンロードされているときは、電流がオブジェクトに又はオブジェクトから流れることになる。この電流は、静電クランプ６３０の表面電荷又は電荷状態に直接関係するので、誘起される電圧を使用して、クランプの電荷状態を表す、静電クランプの電気的特性を決定することができる。いったん電気的特性が決定されると、静電クランプ６３０に電力を供給する電力供給部１５３０を制御するために、上述したのと同様の方法で、電気的特性を適用することができる。アンロードシーケンスの初期部分の間にオブジェクトに流入する又はオブジェクトから流出する電流を測定するために、上述したような電気コネクタ又は導体が例えば適用され得る。上述したように、そのような電気コネクタ又は導体は、少なくともアンロードシーケンスの一部の間、オブジェクトとの接触を維持するように構成され、したがって、オブジェクトの電圧の監視／測定を可能にする。したがって、アンロードシーケンスの初期部分の間にオブジェクトにおいて誘起された測定された電圧に基づいて、制御ユニットは、静電クランプの電荷状態の影響を打ち消す又は軽減する電圧を１つ以上の電極に供給する方法で、静電クランプに電力を供給する電力供給部を制御することができる。
【0118】
[00146] これまでに説明した本発明の第２の態様によるオブジェクトテーブルの実施形態では、オブジェクトテーブル、特にオブジェクトテーブルの測定ユニット及び制御ユニットは、特定のオブジェクトをアンロードするときに、
アンロードシーケンスの初期部分の間に測定を実施することにより静電クランプの電気的特性を決定し、
アンロードシーケンスの前に、及び／又はアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、電気的特性に基づいて、静電クランプに電力を供給する電力供給部を制御する、ように構成されている。
アンロードシーケンスの初期部分の間に測定を実施することにより静電クランプの電気的特性を決定し、
アンロードシーケンスの前に、及び／又はアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、電気的特性に基づいて、静電クランプに電力を供給する電力供給部を制御する、ように構成されている。
【0119】
[00147] 説明した実施形態では、静電クランプの電気的特性は、アンロードシーケンス又はその一部の間の静電クランプ又はオブジェクトの電流又は電圧の測定値に基づいて決定されたものである。
【0120】
[00148] そのような決定は、例えば、アンロードシーケンスの部分又は一部の間に、例えば、オブジェクトのアンロードシーケンスの初期部分の間に実施され得る。アンロードの初期部分の間にクランプの電気的特性が決定されると、この情報は、アンロードシーケンスの次の部分の間で、クランプに電力を供給する電力供給部を制御するために即座に適用され得る。したがって、そのような実施形態では、オブジェクトのアンロード中の電力供給部の制御は、そのオブジェクトのアンロードシーケンスの初期部分の間に実施される測定に基づく。そのような配置は、測定値の比較的速い処理及び／又は電力供給部の比較的速い制御を必要とし得る。以下は、代替的手法について記載している。
【0121】
[00149] 静電クランプの電荷状態を表す静電クランプの電気的特性はまた、他の方法で決定されてもよいことを指摘することが重要である。この点で、静電クランプの表面電荷は急速に変化するのではなく、むしろ複数のオブジェクトの処理中に徐々に変化することに言及する価値がある。これを考慮すると、静電クランプの電気的特性を、オブジェクトのアンロードシーケンスの初期部分の間ではなく、それ以外の瞬間に決定できることも理解できる。特に、静電クランプの電荷状態を表す電気的特性はまた、オブジェクトのアンロードシーケンスの初期部分の間よりも早く決定されてもよい。
【0122】
[00150] 特に、静電クランプの電荷状態を表す電気的特性はまた、オブジェクトのロード中に決定されてもよい。オブジェクトのロード中に、オブジェクトは、例えば、上述したようなロード／アンロード機構によって、静電クランプ上に下降され、その間に、オブジェクトが絶縁されているか又は接地されているかに応じて、オブジェクトに電圧が誘起され得る、又は電流がオブジェクトから流出する若しくはオブジェクトに流入し得る。このような誘起された電圧又は生成された電流は、静電クランプの電荷状態に直接関係する、又は静電クランプの電荷状態によって生じるので、静電クランプの電気的特性を決定するために使用することもできる。したがって、本発明の一実施形態では、オブジェクトテーブルは、
静電クランプ上へのオブジェクトのロードシーケンス中に測定を実施することにより、静電クランプの電気的特性を決定し、
オブジェクトのアンロードシーケンスの前及び／又はそのシーケンスの少なくとも一部の間に、電気的特性に基づいて、静電クランプに電力を供給する電力供給部を制御する、ように構成されてもよい。
静電クランプ上へのオブジェクトのロードシーケンス中に測定を実施することにより、静電クランプの電気的特性を決定し、
オブジェクトのアンロードシーケンスの前及び／又はそのシーケンスの少なくとも一部の間に、電気的特性に基づいて、静電クランプに電力を供給する電力供給部を制御する、ように構成されてもよい。
【0123】
[00151] 代替として、静電クランプの電荷状態を表す電気的特性は、前のオブジェクトのロード又はアンロード中に決定されてもよい。そのような実施形態では、第１のオブジェクトのロード又はアンロード中に決定された電荷状態を使用して、後続の第２のオブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間の静電クランプの電力供給が制御される。そのような実施形態は、電荷状態を決定し、静電クランプに必要な電力制御を決定するのに利用可能な時間がより多い、という利点をもたらす。
【0124】
[00152] 静電クランプの電荷状態は経時的に徐々に変化するだけであることが観察されているので、アンロードされる全てのオブジェクトについて静電クランプの電気的特性を決定する必要さえない。換言すれば、静電クランプの電荷状態を表す電気的特性は、処理されるｎ個のオブジェクトごとに１回決定するだけで十分な場合がある。ｎは例えば、５又は１０に等しい。一実施形態では、数ｎは、例えば、静電クランプの特定された電荷状態又は特定された帯電段階の履歴に基づいて決定されてもよい。一例として、特定された電荷状態が大きい場合、又は連続測定における電荷状態の変化が大きい場合、より小さな数ｎを選択できる。しかしながら、Ｎは１まで小さくてもよい。
【0125】
[00153] したがって、そのような実施形態では、静電クランプの電気的特性は、第１のオブジェクトのロード及び／又はアンロード中に決定されてもよい一方で、決定された電気的特性は、第１のオブジェクトとは異なる第２のオブジェクトのアンロード中に電力供給部を制御するために使用される。したがって、一実施形態では、本発明の第２の態様によるオブジェクトテーブルは、
静電クランプ上への第１のオブジェクトのロードシーケンス中、及び／又は静電クランプからの第１のオブジェクトのアンロードシーケンス中に測定を実施することにより、静電クランプの電気的特性を決定し、
第１のオブジェクトとは異なる第２のオブジェクトのアンロードシーケンスの前及び／又はそのシーケンスの少なくとも一部の間に、電気的特性に基づいて、静電クランプに電力を供給する電力供給部を制御する、ように構成され得る。
静電クランプ上への第１のオブジェクトのロードシーケンス中、及び／又は静電クランプからの第１のオブジェクトのアンロードシーケンス中に測定を実施することにより、静電クランプの電気的特性を決定し、
第１のオブジェクトとは異なる第２のオブジェクトのアンロードシーケンスの前及び／又はそのシーケンスの少なくとも一部の間に、電気的特性に基づいて、静電クランプに電力を供給する電力供給部を制御する、ように構成され得る。
【0126】
[00154] クランプ表面の全部又は一部にわたる静電クランプの電荷状態分布は一様ではない場合がある。すなわち、電荷状態は、静電クランプのクランプ電極に対応するクランプ表面の領域にわたって不均一に分布し得る。例えば、その領域にわたって、負電荷と正電荷の組み合わせ、又は符号は等しいが大きさが異なる複数の電荷が存在する場合がある。
【0127】
[00155] これらのクランプ電極にクランプ電圧を印加して、反発力を発生させてもよく、又はクランプ表面の電荷を中和させてもよい。各電極について、印加電圧は、クランプ表面の正味電荷に応じて決定され得る。しかしながら、これらクランプ電極に対する単一の電圧は、電荷分布の状況において適切でない又は十分でない場合がある。残留力の分布は、クランプ表面の全体又はその一部にわたって不均一である。なぜなら、クランプ表面にわたって、負の表面電荷と正の表面電荷の組み合わせが存在し得る場合、又はこれらクランプ電極の周りに、符号は等しいが大きさが異なる複数の電荷が存在し得る場合は、クランプ表面の一部にとっては、単一の決定された電圧が低すぎる又は高すぎる場合があるからである。
【0128】
[00156] 更に別の実施形態では、上記で特定された課題は、ランプ表面の全部又は一部に電荷分布が均一に分布するように調整することにより回避できる。例えば、半導電性コーティングがクランプ表面の領域に適用されてもよい。半導電性コーティングは、異なるクランプ電極に対応するクランプ表面の領域を電気的に接続しないように配置されるべきであり、その結果、これらクランプ電極のいくつかが電気的に接続されて電気的短絡を形成することはない。
【0129】
[00157] 更に別の実施形態では、上記で特定された課題は、２つ以上の電極を提供し、各電極に印加される電圧を別々に制御することによって解決される。例えば、単一の正電極及び単一の負電極を有する代わりに、本実施形態は、２つ以上の正電極及び／又は２つ以上の負電極が存在することを含む。電極の周りのクランプ表面の領域の不均一な電荷分布を克服するために、適宜、各電極に別々の電圧を印加してもよい。個々の電極に印加される各電圧は、本発明の第２の態様による、電極に印加される電圧を決定するための技術の少なくともいくつかに従って、決定されてもよい。各電極はまた、オブジェクトに保持力を印加する又はオブジェクトを解放するためのクランプ電極であり得る。代替として、電極のうちの１つ以上を使用して、前述の１つ以上の電極における局所電荷分布によって引き起こされる残留力を打ち消すための力を印加するためだけに使用し、前述の１つ以上の電極は、オブジェクトに保持力を印加するために使用されなくてもよい。
【0130】
[00158] 構成要素の相対的な配置について記載する場合、特定の方向が示されている。これらの方向は、純粋に例として与えられており、限定することを意図するものではないことが理解されるであろう。例えば、位置決めデバイス１８０のｘｙステージは、実質的に水平な平面にオブジェクトを位置決めするように動作可能であると記載してきた。位置決めデバイス１８０のｘｙステージは、代替として、オブジェクトを垂直面又は傾斜面に位置決めするように動作可能であり得る。構成要素の向きは、この構成要素の意図される機能的効果を維持しながらも、本明細書に記載される向きとは異なる場合がある。
【0131】
[00159] 図１６は、本発明の第３の態様によるオブジェクトテーブル１６００の実施形態を概略的に示す。オブジェクトテーブル１６００は、以下を除いて、上述したオブジェクトテーブルと実質的に同じ構造を有し得る。オブジェクトテーブル１６００は、オブジェクト６２０を保持するためのものである。オブジェクトテーブル１６００は、静電クランプ６３０、イオナイザデバイス１６１０、制御ユニット１５２０、及び例えば、力センサ１６２０及び／又はギャップセンサ１６３０及び／又は高さセンサ１６４０を含む測定ユニット、を備える。静電クランプ６３０は、オブジェクト６２０をオブジェクトテーブル６１０上にクランプするためのものである。測定ユニットは、静電クランプ６３０からオブジェクト６２０をアンロードする間の、静電クランプ６３０によってオブジェクト６２０に印加された残留力を表す力信号１５２０．３を提供するように構成されている。イオナイザデバイス１６１０は、イオン化ガスの流れ１６１０．１を静電クランプ６３０に供給するように構成され、静電クランプ６３０上の残留電荷を中和する中和器として機能する。制御ユニット１５２０は、力信号１５２０．３に基づいてイオナイザデバイス１６１０を制御するように配置されている。
【0132】
[00160] 代替的実施形態では、オブジェクトテーブル１６００は、静電クランプ６３０、イオナイザデバイス１６１０、及び制御ユニット１５２０を備えてもよい。静電クランプは、オブジェクト６２０をオブジェクトテーブル６１０上にクランプするためのものである。イオナイザデバイス１６１０は、イオン化ガスの流れを供給するためのものである。制御ユニット１５２０は、イオン化ガスの流れを静電クランプに供給するようにイオナイザデバイス１６１０を制御するように配置されている。
【0133】
[00161] 制御ユニット１５２０は、残留力又は残留電荷を表す情報信号を受信するように配置されてもよい。残留力は、静電クランプ６３０からのオブジェクト６２０のアンロード中に、静電クランプ６３０によってオブジェクト６２０に印加される。残留電荷は、静電クランプ６３０に帯電電圧が印加されていないときに、静電クランプ６３０上に存在する静電荷である。制御ユニット１５２０は、情報信号に基づいてイオナイザデバイス１６１０を制御するように配置されてもよい。理想的には、静電クランプ６３０からのオブジェクト６２０のアンロード中に、残留力及び残留電荷が存在しない。しかしながら、静電クランプ６３０上での電荷蓄積に起因して、静電クランプ６３０に帯電電圧が印加されていないときでさえ、残留力及び／又は残留電荷が残っている。
【0134】
[00162] 情報信号は、測定情報を含み得る。以下に示すように、測定ユニットは、測定信号の形で測定情報を提供し得る。測定情報のより多くの例が以下に与えられ、この測定情報は、オブジェクトテーブル６１０からオブジェクト６２０を持ち上げるのに必要な力の量に関する情報、又はオブジェクト６２０とオブジェクトテーブル６１０との間のギャップ又は静電容量に関する情報を含んでもよい。他の測定情報は、オブジェクト６２０の形状、及び／又はオブジェクトテーブル６１０からオブジェクト６２０をクランプ解除及びアンロードするために必要な力の量を表すことができる。情報信号は、残留力及び／又は残留電荷を表す、静電クランプ６３０及び／又はロード／アンロード機構の内部信号であり、例えば、ロード／アンロード機構がオブジェクト６２０を静電クランプ６３０から持ち上げることができないという検出を表す信号である。
【0135】
[00163] 情報信号は、推定情報を含み得る。測定情報は残留力又は残留電荷を表す測定値に基づくが、推定情報は経験的データ及びシミュレーションなどの他のパラメータに基づく。推定情報は、一定時間の後、又は一定数のオブジェクト６２０をアンロードした後、制御ユニット１５２０がイオナイザデバイス１６１０及び／又は放電電圧を制御して、蓄積残留電荷又は残留力に対抗する必要があることを含み得る。シミュレーションは、オブジェクト６２０をどれくらいの時間にわたってアンロードした後に、又は何回アンロードした後に、残留電荷及び残留力が許容レベルの端に至るかを予測し得る。推定情報は、例えば、オブジェクト６２０の更なる処理ステップにおいて、例えば、オブジェクトテーブル１６００の外側にあるオブジェクト６２０の残留電荷を測定する外部測定デバイスを介して、オブジェクトテーブル１６００の外側から得られた情報を含み得る。推定情報は、本発明の実施形態による、特に本発明の第２の態様、並びに第５及び第６の態様の実施形態による、推定残留電荷を含み得る。制御ユニット１５２０は、測定情報、又は推定情報、又は測定情報と推定情報との組み合わせを使用できる。
【0136】
[00164] オブジェクトテーブル１６００は、測定ユニットを更に備えてもよい。測定ユニットは、残留力又は残留電荷を表す測定信号を提供するように構成されている。情報信号は、測定信号を含む。制御ユニット１５２０は、測定信号に基づいてイオナイザデバイス１６１０を制御するように配置されている。
【0137】
[00165] 一実施形態では、静電クランプ６３０及び制御ユニット１５２０を備えるオブジェクトテーブル１６００が提供される。静電クランプ６３０は、オブジェクト６２０をオブジェクトテーブル６１０上にクランプするためのものである。制御ユニット１５２０は、オブジェクト６２０を静電クランプ６３０上にクランプするための帯電電圧と、静電クランプ６３０からオブジェクト６２０をクランプ解除するための放電電圧とを、静電クランプ６３０に供給するように配置されている。放電電圧は、クランプ力を、例えば実質的にゼロに低減させることによって、又はオブジェクト６２０を静電クランプ６３０から離れる方向に押すための反発力を提供することによって、オブジェクト６２０をクランプ解除してもよい。制御ユニット１５２０は、残留力又は残留電荷を表す情報信号を受信するように配置されている。制御ユニット１５２０は、情報信号に基づいて静電クランプ６３０上の残留電荷を中和する中和器として機能する電源により、放電電圧を提供するように配置されている。
【0138】
[00166] 放電電圧は、帯電電圧とは反対の極性を有する場合がある。一実施形態では、オブジェクトテーブル１６００はまた、静電クランプ６３０にイオン化ガスの流れ１６１０．１を提供するためのイオナイザデバイス１６１０などのイオナイザデバイスを含み得る。制御ユニット１５２０は、情報信号に基づいてイオナイザデバイス１６１０を制御するように配置されている。
【0139】
[00167] 静電クランプ６３０を使用してオブジェクト６２０をクランプした後は、帯電電圧がもはや印加されていなくても、静電クランプ６３０上に残留電荷が残り得る。理想的には、帯電電圧がもはや印加されていない場合は、残留電荷がなく、したがって、静電クランプ６３０によってオブジェクト６２０に加えられる力は存在しないであろう。残留力は、残留電荷と重力によって生成される。重力は、静電クランプ６３０によって支持されているオブジェクト６２０の重量によって残留力に追加される。残留電荷による残留力への寄与は、重力の寄与よりも遥かに大きい場合があり、例えば、１０倍又は１００倍、又はそれを超える場合がある。残留力は、オブジェクト６２０を静電クランプ６３０上にクランプしたままにする。静電クランプ６３０からオブジェクト６２０をアンロードするために、残留力を超えるアンロード力をオブジェクト６２０に印加する必要がある。しかしながら、アンロード力が高いほど、オブジェクト６２０のアンロード中に、より多くの粒子が生成される。粒子は、オブジェクト６２０、又はオブジェクト６２０が処理される環境を汚染する場合がある。オブジェクト６２０を静電クランプ６３０上にロードすること、及び静電クランプ６３０からアンロードすることを繰り返した後、残留力は非常に大きくなる場合があり、ある時点で、極端な手段なしでは、オブジェクト６２０を静電クランプ６３０からアンロードすることはもはや可能ではなくなる。極端な手段は、オブジェクト６２０を静電クランプ６３０から手動でアンロードすることであり得る。
【0140】
[00168] 図１６に概略的に示すオブジェクトテーブル１６００は、イオナイザデバイス１６１０を使用することにより、放電電圧を印加することにより、又はそれらの組み合わせにより、そのような手段の必要性を除去、緩和、又は軽減することを可能にする。測定ユニット１６２０が測定信号を供給する場合、制御ユニット１５２０は、測定信号１５２０．３が許容範囲内にあるかどうかを評価するように配置されている。測定信号が許容範囲内にある場合、オブジェクト６２０は、静電クランプ６３０から適切に除去できる。しかしながら、測定信号が許容範囲内にない場合、制御ユニット１５２０が対応することができる。
【0141】
[00169] 制御ユニット１５２０は、制御信号１５２０．１を電力供給部１５３０に送信するように配置されてもよい。電力供給部１５３０は、電力１５３０．２をイオナイザデバイス１６１０に供給するように配置されている。電力を供給することにより、制御ユニット１５２０は、イオナイザデバイス１６１０をオンに切り替えることができ、イオン化ガスの流れ１６１０．１の量を制御することができる。制御ユニット１５２０は、イオナイザデバイス１６１０の移動を制御して、静電クランプ６３０の表面にわたって移動させて、イオン化ガス１６１０の流れを静電クランプ６３０の表面全体に供給してもよい。代替として、イオナイザデバイス１６１０は静止して、静電クランプ６３０を取り囲む空間をイオン化ガスで充填するように配置されてもよい。別の実施形態では、イオナイザデバイス１６１０は静止し、オブジェクトテーブル６２０が制御ユニット１５２０によって移動されて、イオン化ガスの流れ１６１０．１を静電クランプ６３０の表面全体に供給する。イオン化ガスは、静電クランプ６３０上の残留電荷を中和する。
【0142】
[00170] イオン化ガスの流れ１６１０．１は、静電クランプ６３０と接触できなければならないことに留意されたい。したがって、好ましくは、イオナイザデバイス１６１０を動作させるとき、静電クランプ６３０上にオブジェクト６２０が存在してはならない。したがって、オブジェクト６２０をアンロードするときに情報信号が許容範囲内にない、と制御ユニット１５２０が判断した場合は、イオナイザデバイス１６１０がアクティブにされる前に、オブジェクト６２０が最初にアンロードされる。次のオブジェクト６２０の残留電荷は、イオナイザデバイス１６１０による残留電荷の中和に起因して、より小さいであろう。この許容範囲は、情報信号が許容範囲のすぐ外側にある場合でも、あまり多くの粒子を生成することなくオブジェクト６２０を静電クランプ６３０からアンロードできるように設定され得る。
【0143】
[00171] 代替として、制御ユニット１５２０は、制御信号１５２０．１を電力供給部１５３０に送信することができ、電力供給部１５３０は、電力１５３０．１を静電クランプ６３０に供給する。オブジェクト６２０のクランプ中に、制御ユニット１５２０は、オブジェクト６２０をクランプするように、電力供給部１５３０を介して帯電電圧を静電クランプ６３０に供給する。アンロードするとき、制御ユニット１５２０は帯電電圧の供給を停止する。アンロード中に、情報信号が許容範囲内にない、と制御ユニット１５２０が評価すると、制御ユニット１５２０は静電クランプ６３０に放電電圧を供給する。放電電圧は、残留電荷を少なくとも部分的に中和し得る。残留電荷を中和することにより、オブジェクト６２０のアンロードが許容可能なアンロード力で行われ得る。アンロード力がオブジェクト６２０を静電クランプ６３０から除去するのに十分でない場合、放電電圧を印加することは特に有益であり得る。
【0144】
[00172] 一実施形態では、制御ユニット１５２０は、イオナイザデバイス１６１０及び静電クランプ６３０の両方を制御してもよい。そのような実施形態では、オブジェクトテーブル１６００は、情報信号が許容範囲を超えるまで動作されてもよい。制御ユニット１５２０は、放電電圧を制御して残留電荷を一時的に低減させるので、オブジェクト６２０を静電クランプ６２０から適切に除去できる。オブジェクト６２０が静電クランプ６２０から除去された後、制御ユニット１５２０は放電電圧の供給を停止し、これにより、静電クランプ６２０上の残留電荷が増加する。次いで、イオナイザデバイス１６１０を使用して、静電クランプ６２０からの残留電荷を中和する。この実施形態は、イオナイザデバイス１６１０の使用が可能な限り少なく、それにより、オブジェクトテーブル１６００の動作使用が邪魔されることが可能な限り少ないという利点を有し得る。
【0145】
[00173] 制御ユニット１５２０は、更新された残留力又は更新された残留電荷を表す更新された情報信号を受信するように配置されてもよい。更新された残留力又は更新された残留電荷は、残留力又は残留電荷、及び静電クランプ６３０に供給される放電電圧に基づく。制御ユニット１５２０が静電クランプ６３０に放電電圧を供給する場合、測定ユニットは測定信号の変化を検出してもよい。測定信号の変化により、測定信号は更新された情報信号を形成する。制御ユニット１５２０は、更新された情報信号を使用して放電電圧を調整できる。更新された情報信号が情報信号よりも小さい場合がある。その場合、放電電圧の極性は正しい。しかしながら、更新された情報信号が情報信号よりも大きい場合、放電電圧の極性が正しくない場合がある。その結果、制御ユニット１５２０は、反対極性の放電電圧を印加してもよい、又はより小さい放電電圧を印加してもよい。
【0146】
[00174] オブジェクトテーブル１６００は、静電クランプ６３０からオブジェクト６２０をアンロードするためのアンロード機構を備えてもよい。アンロード機構は、ピン形状部材６５０のような持ち上げピンを備えてもよく、又は任意の他のタイプの機構、例えば、ロボットアーム、オブジェクト６２０の底面６２０．１と係合するグリッパ、若しくはオブジェクト６２０の上面と係合する真空グリッパ、を備えてもよい。測定ユニットは、アンロード中にオブジェクト６２０を静電クランプ６３０から持ち上げるために、アンロード機構によってオブジェクト６２０に印加される持ち上げ力を監視するように配置されてもよい。持ち上げ力は、残留力及び／又は残留電荷に基づく。オブジェクト６２０を静電クランプ６３０から持ち上げるために、アンロード機構は、オブジェクト６２０の重量に起因する残留力及び重力に打ち勝つための持ち上げ力を提供する必要がある。一般に、適用される測定ユニットは、持ち上げ力を監視するのに適切な任意のタイプのセンサを備えてもよい。例えば、測定ユニットは、アンロード機構に取り付けられたひずみゲージ、オブジェクト６２０を静電クランプ６３０から持ち上げるためにアンロード機構が必要とする電力量を監視する電力ゲージ、及び／又はアンロード機構によって印加される持ち上げ力を監視する力センサ、を備えてもよい。
【0147】
[00175] 図１６の実施形態では、アンロード機構はピン形状部材６５０を備える。ピン形状部材は、測定ユニットの一部を形成する力センサ１６２０を備える。力センサ１６２０は、持ち上げ力を監視するように配置されている。ピン形状部材６５０がオブジェクト６２０を押し上げて、オブジェクト６２０を静電クランプ６３０からアンロードするとき、持ち上げ力が発生する。持ち上げ力は、オブジェクト６２０からピン形状部材６５０及び力センサ１６２０を通って伝搬する。力センサ１６２０は、力信号１５２０．３を制御ユニット１５２０に送信する。
【0148】
[00176] 測定ユニットは、第１の状態にあるオブジェクト６２０及び第２の状態にあるオブジェクト６２０に基づいて、測定信号を提供するように配置されたギャップセンサ１６３０を備えてもよい。第１の状態では、オブジェクト６２０は静電クランプ６３０によって保持されている。第２の状態では、オブジェクトは静電クランプ６３０から離れている。例えば、第２の状態では、オブジェクト６１０はアンロード機構によって保持されている。オブジェクト６２０が第１の状態にあるとき、ギャップセンサ１６３０は、ギャップセンサ１６３０とオブジェクト６２０、例えば底面６２０．１、との間の距離又はギャップを測定してもよい。第２の状態では、オブジェクト６２０は静電クランプ６３０から更に離れているので、ギャップセンサ１６３０は、ギャップセンサ１６３０とオブジェクト６２０との間のより大きな距離又はより大きなギャップを測定し得る。第２の状態では、オブジェクト６２０の一部、例えば中央部分は、静電クランプ６３０から更に離れていてもよく、一方で、オブジェクト６２０の別の部分、例えば縁部は、静電クランプ６３０に依然としてクランプされている。
【0149】
[00177] オブジェクト６２０は、第１の状態から第２の状態への移動を実施してもよい。オブジェクト６２０は、第１の状態から第２の状態へとジャンプしてもよい。ジャンプの変化が、残留力又は残留電荷の変化を示す場合がある。測定信号は、移動、例えば移動の距離又は速度、を表し得る。アンロード機構がオブジェクト６２０に持ち上げ力を提供し始めるとき、オブジェクト６２０は第１の状態のままであり得る。アンロード機構が持ち上げ力を増加させるとき、持ち上げ力が残留力を超えると、オブジェクト６２０は静電クランプ６２０から突然、脱離し得る。突然の脱離により、オブジェクト６２０は特定の距離を移動する又は特定の速度で移動する場合がある。残留力が大きいほど、特定の距離又は特定の速度は大きくなり得る。ギャップセンサ１６３０は、残留力の尺度として距離及び／又は速度を監視し得る。距離又は速度に影響を及ぼし得る他の既知のパラメータは、アンロード機構の剛性、質量又は減衰、及びオブジェクト６２０の剛性、質量又は減衰であり得る。ギャップセンサ１６３０は、容量性センサを備え得る、又は容量性センサであり得る。ギャップセンサ１６３０は、静電クランプ６３０内に、又は静電クランプ６３０に配置され得る。
【0150】
[00178] ギャップセンサ１６３０の代替として又はそれに加えて、高さセンサ１６４０を使用してもよい。高さセンサ１６４０は、例えば、オブジェクトテーブル１６００又は他の任意の基準に対して、オブジェクト６２０の高さを決定するように配置されている。高さセンサ１６４０は、オブジェクト６２０の平坦度を決定するように配置されてもよい。高さセンサ１６４０は、オブジェクトテーブル１６００の一部として配置されてもよく、又は、例えば計測フレームに取り付けて、別々に配置されてもよい。高さセンサ１６４０は、干渉計などの光学距離測定センサであってもよい。
【0151】
[00179] 制御ユニット１５２０は、情報信号を閾値と比較するように配置されている。力信号が閾値を超えない場合、制御ユニット１５２０は何ら動作する必要はない。情報信号が閾値を超えた場合、制御ユニット１５２０は、上述したように動作するように配置されている。
【0152】
[00180] オブジェクトテーブル１６００は、任意の適切な装置、例えば、粒子ビーム装置、電子ビーム装置、走査型電子顕微鏡、電子ビームダイレクトライタ、電子ビーム投影リソグラフィ装置、電子ビーム検査装置、電子ビーム欠陥検証装置、電子ビーム計測装置、リソグラフィ装置、及び計測装置、のうちの１つにおいて使用されてもよい。
【0153】
[00181] オブジェクト６２０は、以下の方法、すなわち、オブジェクト６２０を静電クランプ６３０からアンロードすること、及びイオン化ガスの流れを静電クランプ６３０に供給すること、を実施することにより、静電クランプ６３０からアンロードされ得る。イオン化ガスの流れを供給することは、オブジェクト６２０が静電クランプ６３０からアンロードされた後に起こり得る。
【0154】
[00182] この方法は、残留力又は残留電荷を表す情報信号を提供するステップを更に含み得る。残留力は、静電クランプ６３０からのオブジェクト６２０のアンロード中に、静電クランプ６３０によってオブジェクト６２０に印加される。残留電荷は、静電クランプ６３０に帯電電圧が印加されていないときに、静電クランプ６３０上に存在する。この方法は、情報信号に基づいて、静電クランプ６３０からオブジェクト６２０をクランプ解除するための放電電圧を供給するステップを更に含む。この方法は、情報信号に基づいて、イオン化ガスの流れ１６１０．１を静電クランプ６３０に供給することを更に含み得る。
【0155】
[00183] 電力供給部１５３０は、イオナイザデバイス１６１０及び静電クランプ６３０のそれぞれについて、別個の電力供給部に分割されてもよいことに留意されたい。電力供給部１５３０は、イオナイザデバイス１６１０及び／又は静電クランプ６３０に統合されてもよい。
【0156】
[00184] オブジェクト６２０を静電クランプ６３０上でクランプする場合、クランプ電圧とも呼ばれる帯電電圧は、オブジェクト６２０を適切にクランプするのに十分である必要がある。適切にクランプされているとは、オブジェクト６２０が静電クランプ６３０に対して十分に平坦に押し付けられていることを意味する。オブジェクト６２０がクランプされる前はオブジェクト６２０は平坦でなくてもよく、例えば、碗形、又は鞍形、又は傘形であってもよい。オブジェクト６２０を静電クランプ６３０に対して平坦にするために、高いクランプ電圧が必要である。しかしながら、クランプ電圧が高くなると、より多くの粒子が生成される。したがって、静電クランプ６３０上でオブジェクト６２０を適切にクランプしながら、可能な限り低いクランプ電圧を印加することが望ましい。
【0157】
[00185] 本発明の第４の態様によれば、これは、以下の方法で静電クランプ６３０上にオブジェクト６２０をクランプすることによって行うことができる：ｉ）静電クランプ６３０上にオブジェクト６２０を提供することと；ｉｉ）オブジェクト６２０が静電クランプ６３０上にクランプされているクランプ状態が検出されるまで、静電クランプ６３０のクランプ電圧を増加させることと；ｉｉｉ）クランプ状態でのクランプ電圧である第１のクランプ電圧を決定することと；ｉｖ）第１のクランプ電圧よりも低い第２のクランプ電圧を静電クランプ６３０に印加することと、を含む方法。クランプ状態は、クランプパラメータが閾値内にある場合に検出されてもよい。クランプパラメータは、オブジェクトの平坦度、クランプ電圧の変化によって生じるオブジェクト形状の変化、及び静電クランプと接触しているオブジェクトの中央部分、のうちの１つを含んでもよい。
【0158】
[00186] この方法では、第１のクランプ電圧は、オブジェクト６２０を静電クランプ６２０上で適切にクランプするのに十分なクランプ電圧である。そうすることにより、高すぎる電圧、すなわち不必要に高いクランプ電圧を回避できる。更に、本発明者らは、適用される第１のクランプ電圧がオブジェクト６２０を平坦にするには必要であるが、静電クランプ６２０上でオブジェクト６２０を平坦に保つにはより低いクランプ電圧で十分であることを発見した。したがって、第１のクランプ電圧を印加した後に、第２のクランプ電圧を第１のクランプ電圧よりも低い値に設定できる。その結果、第２のクランプ電圧では、第１のクランプ電圧が維持された場合よりも、もたらされる粒子が少ない。
【0159】
[00187] 図１７は、本発明の実施形態による、静電クランプ６３０に供給されるクランプ電圧Ｖを時間ｔの関数として概略的に示す。クランプ電圧は、ｔ＝０から、時間ｔ＝ｔ１で第１のクランプ電圧Ｖｍａｘに到達するまで増加する。期間０～ｔ１の間、オブジェクト６２０の変形が、例えば、ギャップセンサ１６３０、又は高さセンサ１６４０、又は任意の他の適切な変形センサによって監視される。したがって、期間０～ｔ１の間、オブジェクト６２０の変形がクランプ電圧の増加の関数として決定される。弓形のオブジェクト６２０の場合、クランプ電圧が増加し始めると、変形が大きく変化する場合がある。しかし、弓形のオブジェクト６２０が静電クランプ６３０に対して平坦にされると、クランプ電圧の更なる増加に応答して、変形はこれ以上変化しない、又は無視できるほど僅かしか変化しないことになる。したがって、クランプ電圧の増加に起因する変形は、閾値、例えば所定の閾値、よりも小さいことが分かる。クランプ電圧を更に増加させても、変形に実質的な差が何ら生じない場合、オブジェクト６２０は静電クランプ６３０上で平坦になっていると結論付けることができる。図１７を参照すると、そのような状態はｔ＝ｔ１で生じている。そのとき、ｔ＝ｔ１で印加される電圧は、第１のクランプ電圧Ｖｍａｘと考え得る。
【0160】
[00188] 静電クランプ６３０に第１のクランプ電圧Ｖｍａｘを供給した後、静電クランプ６３０にクランプ電圧減少を適用することによりクランプ電圧が減少し、クランプ電圧減少によって生じるオブジェクト６２０の変形が決定される。これは、変形が更なる閾値よりも大きくなるまで繰り返される。クランプ電圧は、クランプ状態がもはや検出されなくなるまで減らされる。次いで、変形が更なる閾値よりも大きいときに、第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎが決定される。第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎは、クランプ状態がもはや検出されなくなったクランプ電圧であり、例えば、クランプ状態がもはや検出されなくなったクランプ電圧の第１の値である。第２のクランプ電圧Ｖｆｉｎａｌが、静電クランプ６３０に印加される。最終的なクランプ電圧Ｖｆｉｎａｌは、第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎよりも高い。
【0161】
[00189] 図１７に示すように、ｔ＝ｔ１とｔ＝ｔ２の間で、クランプ電圧は第１のクランプ電圧Ｖｍａｘから第３の電圧Ｖｍｉｎまで減少している。Ｖｍｉｎでは、静電クランプ６３０によって印加されるクランプ力は、オブジェクト６２０が再び平坦でなくなる程度まで減少している。オブジェクト６２０の決定された変形は、オブジェクト６２０が平坦でなくなったことを示す。ｔ＝ｔ２では、オブジェクト６２０は依然として、ｔ＝０におけるよりも、遥かに平坦であり得ることに留意されたい。
【0162】
[00190] 図１７では、ｔ＝ｔ２とｔ＝ｔ３の間で、クランプ電圧は第１のクランプ電圧Ｖｍａｘまで増加している。これは、単に時間ｔ１におけるものと同じクランプ電圧を印加することによって、又は変形が再び閾値よりも小さくなるまでのオブジェクト６２０の変形を決定することによって行うことができる。時間ｔ３では、オブジェクト６２０は、静電クランプ６３０に対して平坦になっている。ｔ３の後、クランプ電圧は、第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎよりも高く第１のクランプ電圧Ｖｍａｘよりも低い第２のクランプ電圧Ｖｆｉｎａｌに減少している。このように、オブジェクト６２０は、低いクランプ電圧で適切な平坦性を維持している。
【0163】
[00191] 上述した実施形態では、オブジェクト６２０の変形に基づいて第１のクランプ電圧Ｖｍａｘ、第２のクランプ電圧Ｖｆｉｎａｌ、及び第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎを決定する代わりに、これらクランプ電圧のうちの１つ以上は、オブジェクト６２０の中央部分が静電クランプ６３０に接触しているかどうかに基づいてもよく、又は他の任意の適切なクランプパラメータに基づいてもよい。
【0164】
[00192] 第２のクランプ電圧Ｖｆｉｎａｌは、第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎの１５０％未満、例えば、１４０％未満、又は１３０％未満、又は１２０％未満、又は１１０％未満、又は１０５％未満であってもよい。
【0165】
[00193] 図１８は、本発明の別の実施形態６３０による、静電クランプに供給されるクランプ電圧を概略的に示す。図１７の実施形態と同様に、クランプ電圧は、ｔ＝ｔ１において第１のクランプ電圧Ｖｍａｘに設定され、ｔ＝ｔ２において第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎに設定される。しかしながら、この実施形態では、第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎにおける平坦度は、オブジェクト６２０を処理するのに十分である。したがって、ｔ＝ｔ２とｔ＝ｔ３の間で、クランプ電圧は第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎから第２のクランプ電圧Ｖｆｉｎａｌに増加している。第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎにおける平坦度は十分に平坦なので、オブジェクト６２０を再び平坦にするために、クランプ電圧を増加させて第１のクランプ電圧Ｖｍａｘに戻す必要はない。クランプ電圧は、第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎから第２のクランプ電圧Ｖｆｉｎａｌまで増加し、オブジェクト６２０の処理中にオブジェクト６２０が静電クランプ６３０にクランプされたままであることが確実になる。
【0166】
[00194] 図１９は、本発明の更に別の実施形態６３０による、静電クランプに供給されるクランプ電圧を概略的に示す。時間ｔ１において第１のクランプ電圧Ｖｍａｘが印加されると、オブジェクト６２０と静電クランプ６３０との間のクランプ力が決定される。第２のクランプ電圧Ｖｆｉｎａｌは、クランプ力に基づいて供給される。例えば、第１のクランプ電圧Ｖｍａｘでの高いクランプ力は、オブジェクト６２０の良好なクランプを示し得るので、第２のクランプ電圧Ｖｆｉｎａｌは比較的低く設定され得る。これに対して、第１のクランプ電圧Ｖｍａｘでの低いクランプ力は、オブジェクト６２０の不十分なクランプを示し得るので、第２のクランプ電圧Ｖｆｉｎａｌは比較的高く設定され得る。
【0167】
[00195] オブジェクトテーブル１６００は、図１７～図１９に示すようにクランプ電圧を設定するように配置されてもよい。オブジェクトテーブル１６００は、オブジェクト６２０をクランプするための静電クランプ６３０を備えてもよく、静電クランプ６３０にクランプ電圧を供給するための制御ユニット１５２０を備えてもよい。オブジェクトテーブル１６００は、オブジェクト６２０の変形を表す測定信号を制御ユニット１５２０に供給するための測定ユニットを備えてもよい。例えば、測定ユニットは、ギャップセンサ１６３０を備える。ギャップセンサ１６３０は、オブジェクトと静電クランプ６３０との間のギャップを決定するように配置されてもよい。代替として、測定ユニットは、例えば計測フレーム上に配置され得る高さセンサ１６４０のように、オブジェクトテーブル１６００とは別々に配置される。高さセンサ１６４０は、オブジェクト６２０の高さを決定するように配置されてもよい。測定ユニットは、オブジェクト６２０が平坦であるか又は弓形であるかを決定するように配置されてもよい。オブジェクト６２０が平坦であるか又は弓形であるかに基づいて、制御ユニット１５２０は、図１７、図１８、又は図１９の何れかの方法、又は任意の他の適切な方法を使用してもよい。
【0168】
[00196] 図２０は、本発明の更なる実施形態を示す。オブジェクトテーブル２０００は、以下を除いて、オブジェクトテーブル１６００と同じであり得る。オブジェクトテーブル２０００は、力センサ２０１０を備える。力センサ２０１０は、力センサ１６２０と同じであってもよい。力センサ２０１０は、時間ｔ１の間に、最大クランプ電圧Ｖｍａｘが印加されたときに、オブジェクト６２０が力センサ２０１０上に部分的にクランプされるように、静電クランプ６３０の表面を越えて延びてもよい。このように、力センサ２０１０は、第１のクランプ電圧Ｖｍａｘが静電クランプ６３０に印加されている間に、オブジェクト６２０が静電クランプ６３０上にクランプされるクランプ力を検出するように配置されている。時間ｔ１におけるクランプ力が決定された後、力センサ２０１０は、破線で示される下方位置２０１１に移動してもよい。下方位置２０１１では、力センサ２０１０は静電クランプ６３０の表面の下方に後退しているので、力センサ２０１０はオブジェクト６２０とは接触していない。力センサ２０１０が下方位置にある場合、オブジェクト６２０は、静電クランプ６３０上で適切に平坦になることができる。図２０は、単一の力センサ２０１０を示すが、複数の力センサ２０１０を静電クランプ６３０に沿って分散して適用してもよい。
【0169】
[00197] 制御ユニット１５２０は、クランプ電圧とクランプパラメータとに基づいて第３のクランプ電圧Ｖｍｉｎを予測するように配置された機械学習ユニットを備えてもよい。例えば、機械学習ユニットは、経時的なクランプ電圧の変化、経時的な変形、及び／又は力センサ２０１０によって決定されたクランプ力を考慮に入れてもよい。機械学習ユニットは、オブジェクト６２０の材料、オブジェクト６２０の寸法、及びオブジェクト６２０に関する他の測定情報など、オブジェクトテーブル１６００の外部で取得されたオブジェクト６２０の情報を提供されてもよい。
【0170】
[00198] 本発明の第５の態様によれば、オブジェクトテーブルのクランプ機構の残留電荷を決定する方法が提供される。上に示したように、残留電荷は、リソグラフィ装置、又は粒子ビーム検査ツール若しくは電子ビーム検査ツールなどの検査装置、に適用されるようなクランプ機構の表面などの絶縁表面上に経時的に蓄積する場合がある。そのような残留電荷は、例えば、複数のオブジェクト処理サイクルにわたって蓄積する可能性があり、クランプ機構へのオブジェクトのクランプに影響を与える場合がある。本発明の意味の範囲内で、クランプ機構の残留電荷はまた、クランプ機構のクランプ表面に近い１つ又は複数の表面上の電荷、又はクランプ表面を覆う表面上の電荷を指し得る。クランプ力が発生する実際の表面を取り囲むか、囲い込むか、又は覆う、そのような表面は、本発明の意味の範囲内で、クランプ機構の一部であると考えることができる。
【0171】
[00199] 本発明の第５の態様による実施形態では、クランプ機構を粒子ビームで、例えば、検査装置で利用可能な粒子ビームでプローブすることによって、クランプ機構に存在する残留電荷を決定又は推定することが提案される。特に、一実施形態では、本発明は、粒子ビームを使用してクランプ機構の表面に衝突させる又は表面をプロービングし、表面への衝突又はプロービングに対するクランプ機構の応答を決定又は検出し、検出された応答に基づきクランプ機構の残留電荷を決定することにより、クランプ機構の残留電荷を決定する方法を提供する。図２１は、本発明による、クランプ機構の残留電荷を決定する方法のフローチャート２１００を概略的に示す。第１のステップ２１１０では、この方法は、粒子ビームをオブジェクトテーブルのクランプ機構の表面に衝突させることを含む。イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームは一般に知られており、半導体基板などのオブジェクトの表面又は構造を検査するための検査装置に適用されている。そのような装置では、検査対象のオブジェクトは、典型的には、オブジェクトテーブルのクランプ機構に保持される、例えばクランプされる。検査中、電子ビームなどの粒子ビームを使用してオブジェクトをプローブする又はオブジェクトに衝突させる。そのようなプロービング又は衝突は、オブジェクトによって放出される放射線及び粒子の生成をもたらす場合がある。一例として、電子ビームによりオブジェクトをプロービングすると、オブジェクトが二次電子を放出する、又は散乱電子を生成する場合がある。本発明による方法では、粒子ビーム、例えば電子ビームは、典型的にはオブジェクトテーブル上に保持されているオブジェクトではなく、オブジェクトテーブルのクランプ機構の表面に衝突させるために使用される。検査装置に適用されるオブジェクトテーブルの典型的なレイアウトを考慮すると、クランプ機構の表面に粒子ビームを適用するには、オブジェクトテーブルがオブジェクトを保持していないことが必要になる。そのようなオブジェクトがない場合、粒子ビームを、オブジェクトではなくクランプ機構と相互作用させることができる。
【0172】
[00200] 第２のステップ２１２０では、本発明による方法は、粒子ビームによる表面への衝突に対するクランプ機構の応答を検出することを含む。粒子ビームをクランプ機構、例えば静電クランプ、の表面に衝突させる場合、これが、表面から放出される放射線及び／又は粒子の生成を引き起こす場合がある。一例として、クランプ機構の表面に衝突する電子ビームは、二次電子又は散乱電子の生成を引き起こす場合がある。この電子は、本発明の一実施形態では、検出器によって検出され得る。そのような検出器は、例えば、二次電子の量及び／又は二次電子のエネルギー若しくはエネルギースペクトルを決定するように構成されていてもよい。
【0173】
[00201] 第３のステップ２１３０では、本発明による方法は、応答に基づいてクランプ機構の残留電荷を決定することを含む。この第３のステップに関して、クランプ機構に残留電荷が存在すると、検出器によって検出される粒子ビームへの応答は異なることが指摘できる。これは次のように理解できる。電子ビームなどの粒子ビームは、半導体基板などのオブジェクトを検査するために使用されることが知られている。そのような検査中に、オブジェクトと粒子ビーム源との間に電圧差が印加され、この電圧差により、粒子が、特定の量のエネルギーでオブジェクトに衝突する。衝突する粒子に対するオブジェクトの応答、つまり衝突する粒子の効果は、このエネルギー量に依存することになる。粒子がオブジェクトに衝突するときのエネルギー量は、入射エネルギー（ＬＥ（landing energy））と呼ばれる場合もある。オブジェクトに衝突するときに粒子が持っているエネルギーの量に応じて、応答は異なる。生成される放射線、及び／又は二次電子などの放出粒子の量は、入射エネルギーに依存することになる。検査されるオブジェクトに正電荷又は負電荷の何れかが存在する場合、これは、オブジェクトに衝突する粒子の入射エネルギーに影響を与える。したがって、オブジェクト上の電荷により、衝突する粒子ビームに対するオブジェクトの応答が異なることになる。例えば静電クランプを含むクランプ機構が粒子ビームにさらされる場合、したがって、衝突する粒子ビームに起因するクランプ機構の応答に基づいて、クランプ機構における電荷の存在を決定できる。一実施形態では、例えば、衝突する粒子ビームとクランプ機構の応答との関係を表す実験データセット及び／又はモデルを使用して、クランプ機構における電荷の存在を決定できる。
【0174】
[00202] 粒子ビームを使用して残留電荷を決定する代わりに、静電電圧計又は電圧計の使用についても言及できる。そのような実施形態では、電圧計を基板又はオブジェクトテーブルに十分に近付けて、しかし高電圧領域から十分に遠ざけて位置決めするように注意すべきである。
【0175】
[00203] 当業者は理解するように、クランプ機構上の電荷の存在は、適用される粒子ビームに対して反発力又は引力の何れかを生じさせ得る。粒子ビームが電子ビームを含む場合、クランプ機構上の正電荷は、電子ビームの電子に引力をもたらし、入射エネルギーの増加を生じさせることになる。クランプ機構上に負の電荷がある場合、電子ビームの電子は反発され、入射エネルギーが減少することになる。
【0176】
[00204] 本発明の一実施形態では、適用されるクランプ機構は静電クランプを備える。そのような静電クランプは、例えば、静電クランプの表面に埋め込まれた、１つ以上の電極を含んでもよい。
【0177】
[00205] 一実施形態では、クランプ機構の表面に衝突させるステップ２１１０は、表面上の複数の異なる場所において表面に衝突させることを含む。そうすることにより、異なる場所について、クランプ機構上の電荷の存在を決定できる。そのような実施形態では、本発明による方法は、クランプ機構の表面全体にわたる残留電荷分布を決定することを含み得る。そのような実施形態では、この方法は、例えば、粒子ビームが表面の様々な場所に衝突するように、例えばステージ装置を使用して、粒子ビームに対してクランプ機構を位置決めすることを含んでもよい。代替として又は加えて、粒子ビームの位置を制御することもでき、それにより、クランプ機構上のどの場所に粒子ビームが衝突するかを制御できる。
【0178】
[00206] 本発明の第６の態様による実施形態は、本発明による方法２１００を実施するように構成された粒子ビーム装置を提供する。そのような装置の実施形態を、図２２に概略的に示す。
【0179】
[00207] 図２２は、本発明の実施形態による粒子ビーム装置２２００を概略的に示す。図示する実施形態では、粒子ビーム装置は粒子ビームジェネレータ２２１０を備え、粒子ビームジェネレータは、粒子ビーム２２２０、例えばイオンビーム又は電子ビーム又は複数の電子ビーム、を生成するように構成されている。図示する実施形態では、装置２２００は、オブジェクト２２４０を保持するためのオブジェクトテーブル２２３０を更に備え、オブジェクトテーブル２２３０は、オブジェクト２２４０をオブジェクトテーブル２２３０にクランプするためのクランプ機構２２５０を備える。一実施形態では、クランプ機構２２５０は、例えば、静電クランプを備え得る。そのような静電クランプは、電源に接続できる１つ以上の電極を備えることができる。図示する実施形態では、装置２２００は、検出器２２６０を更に備える。そのような検出器２２６０は、オブジェクト２２４０が粒子ビーム２２２０にさらされたときに、オブジェクト２２４０の応答を検出するように構成されてもよい。特に、検出器２２６０は、粒子ビーム２２２０がオブジェクト２２４０に衝突したこと応答して生成される放射線及び／又は粒子を検出するように構成されてもよい。粒子ビームがオブジェクトに衝突したこと応答して、オブジェクトは、例えば、二次電子又は散乱電子を放出してもよく、これらが検出器２２６０によって検出されてもよい。本発明によれば、検出器２２６０は、クランプ機構に粒子ビーム２２２０が衝突したときに、クランプ機構２２５０の応答２２２０．１を検出するように構成されている。図示する実施形態では、装置２２００は、制御ユニット２２７０を更に備える。本発明によれば、制御ユニットは、
粒子ビームジェネレータ２２１０を制御して、クランプ機構２２５０の表面２２５０．１に粒子ビーム２２２０を衝突させ、
衝突する粒子ビーム２２２０に対するクランプ機構２２５０の応答を表す検出器信号２２６０．１を検出器２２６０から受信し、
検出器信号２２６０．１に基づいて、クランプ機構２２５０の残留電荷を決定する、ように構成されている。
粒子ビームジェネレータ２２１０を制御して、クランプ機構２２５０の表面２２５０．１に粒子ビーム２２２０を衝突させ、
衝突する粒子ビーム２２２０に対するクランプ機構２２５０の応答を表す検出器信号２２６０．１を検出器２２６０から受信し、
検出器信号２２６０．１に基づいて、クランプ機構２２５０の残留電荷を決定する、ように構成されている。
【0180】
[00208] したがって、本発明による装置２２００は、クランプ機構上に存在する残留電荷を決定することを可能にする。そのような残留電荷の知識を有することにより、オブジェクト２２４０などのオブジェクトが装置によって処理されたときに、アンロードが容易になり得る。
【0181】
[00209] 一実施形態では、本発明による装置２２００は、表面上の複数の異なる場所においてクランプ機構の表面に衝突するように構成されている。そうすることにより、異なる場所について、クランプ機構２２５０上の電荷の存在を決定できる。そうするために、装置２２００は、粒子ビーム２２２０に対してオブジェクトテーブル２２３０を位置決めするように構成されたステージ又はステージ装置２２８０を更に備える。特に、ステージ装置２２８０は、粒子ビーム２２２０の下方のクランプ機構２２５０をスキャンするように構成できる。そのようなステージ装置２２８０は、例えば、オブジェクトテーブル２２３０を位置決めするための１つ以上のモータ又はアクチュエータを備えてもよい。そのような実施形態では、制御ユニット２２７０は、例えば、ステージ又はステージ装置２２８０のモータ又はアクチュエータのための適切な制御信号を生成することにより、オブジェクトテーブル２２３０の位置決めも制御するように構成されてもよい。一実施形態では、装置２２００は、位置測定システム、例えば、干渉計ベースの又はエンコーダベースの測定システムを更に備えてもよく、位置測定システムは、粒子ビームジェネレータ２２１０に対して、又は基準又は基準フレームに対して、ステージ装置２２８０の位置を測定するように構成されている。クランプ機構２２５０の残留電荷が様々な場所で決定される場合、制御ユニット２２７０は、クランプ機構２２５０の表面にわたる残留電荷分布を決定するように構成できる。
【0182】
[00210] 決定された残留電荷は、有利には、オブジェクトテーブル２２３０上で処理されたオブジェクト２２４０のアンロードプロセスを制御又は調整するために使用されてもよい。一例として、適用されるクランプ機構は、例えば、１つ以上の電極を有する静電クランプである、又はそれを備えてもよい。オブジェクト２２４０のアンロードシーケンス中に電極に印加される電圧は、決定された残留電荷又は残留電荷分布を考慮して制御できる。一実施形態では、オブジェクト２２４０とクランプ機構２２５０との間に反発力が生成され得る。これは、例えば、同じ電圧をオブジェクト２２４０及びクランプ機構２２５０に印加することによって行われ得る。実施形態では、クランプ機構２２５０は、オブジェクト２２４０に電圧を印加するための１つ以上の電極を有してもよい。この電極は、オブジェクト２２４０とクランプ機構２２５０との間に、距離にわたって一定の反発力を生み出す。一実施形態では、上述したロード／アンロード機構５５０、６５０などのロード／アンロード機構によって印加された力が最初に除去されてもよく、次いで、オブジェクト２２４０とクランプ機構２２５０との間に反発力を印加されてもよい。反発力は重力よりも小さい場合がある。次に、ロード／アンロード機構を使用して、オブジェクト２２４０を持ち上げてもよい。オブジェクト２２４０が依然としてクランプ機構２２５０に付着している場合、より高い反発力が使用されてもよい。オブジェクト２２４０が移動するとすぐに、より高い反発力が停止されてもよい。したがって、ロード／アンロード機構は、オブジェクト２２４０に接触し、小さな力を印加するように設定されてもよい。ロード／アンロード機構の位置が測定され得る。移動が検出されるとすぐに（例えば、５０μｍの変位）、反発力が除去されなければならない。
【0183】
[00211] 本発明の第７の態様によれば、クランプ機構の表面電荷を減少させる方法が提供される。そのような方法が、図２３のフローチャートに概略的に示されている。本発明によれば、クランプ機構２３００の表面電荷を低減する方法は、クランプ機構、例えば、粒子ビーム装置のオブジェクトテーブルに適用されるクランプ機構、における表面電荷を低減させるために、粒子ビームを使用する。特に、本発明による方法は、粒子ビームを生成する第１のステップ２３１０を含み、粒子ビームは、クランプ機構の表面において実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有するように構成されている。当業者は理解するように、粒子ビーム、例えば、検査の目的で半導体基板に適用される電子ビーム、がオブジェクトの表面に照射されると、電子ビームとオブジェクトとの間で相互作用が発生する。そのような相互作用は、例えば、二次電子を生成させてもよい。生成される二次電子の量は、一般に、オブジェクトと粒子ビーム源との間に印加される電圧差に依存することになる。したがって、印加電圧の差を制御することにより、生成される二次電子の量を制御することができる。本発明による方法２３００の第１のステップ２３１０に従って、実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有する粒子ビームが生成される。本発明の意味の範囲内で、実質的に１に等しいＳＥＹを有する電子ビームを照射することは、平均して、オブジェクトと相互作用する電子の数が、オブジェクトから放出される、二次電子と呼ばれる電子の数に対応することを意味する。そのような状態に到達するためには、すなわち、平均して、オブジェクトに到達する各電子に対して二次電子が放出されるためには、到着する又は入射する電子は、特定のエネルギー又はエネルギーレベルを有する必要がある。オブジェクト又はオブジェクトの表面に入射するときの電子のエネルギーは、一般に入射エネルギーと呼ばれる。当業者は理解するように、電子の入射エネルギー（ＬＥ）は、とりわけオブジェクトと粒子ビーム源との間の印加電圧差に依存する。したがって、電子ビームの電子の入射エネルギーは、オブジェクトと粒子ビーム源との間の電圧差を制御することにより制御できる。したがって、電子の入射エネルギー（ＬＥ）が、実質的に１に等しいＳＥＹを有するように、印加される電圧差を制御できる。この点で、粒子ビームを使用してオブジェクトを検査する検査装置において、オブジェクトを保持するオブジェクトテーブルは、１つ以上の追加の電極、例えば、クランプ機構の電極とは異なる電極、を備えてもよいことを指摘できる。そのような電極は、例えば、高電圧プレートと呼ばれ得る。そのような１つ又は複数の電極は、例えば、オブジェクト又はオブジェクトテーブルの円周に沿って配置されてもよく、使用中に、高電圧源などの電圧源に接続されてもよい。そのような電極が適用される場合、これら電極も、電子の入射エネルギー（ＬＥ）に影響を及ぼし得ることが当業者には明らかであろう。したがって、ＳＥＹが実質的に１に等しくなる適切な入射エネルギー（ＬＥ）に到達するのに必要な電圧差を決定する場合、このような電極も考慮する必要がある。以下でより詳細に説明するように、入射エネルギー（ＬＥ）はまた、オブジェクトの電荷状態にも依存し得る。したがって、ＳＥＹが約１になる電圧差又は入射エネルギーＬＥを参照すると、オブジェクトは中性状態にある、すなわち表面電荷がないと想定される。本発明の一実施形態では、方法２３００の第１のステップ２３１０の前に以下のステップが来る、又は第１のステップ２３１０は以下のステップを含み得る：
ＳＥＹを実質的に１に等しくするために必要な、粒子ビームの発生源とクランプ機構との間の電圧差を決定すること、及び
決定された電圧差を印加することによって粒子ビームを生成すること。
ＳＥＹを実質的に１に等しくするために必要な、粒子ビームの発生源とクランプ機構との間の電圧差を決定すること、及び
決定された電圧差を印加することによって粒子ビームを生成すること。
【0184】
[00212] 本発明による方法２３００の第２のステップ２３２０では、クランプ機構の表面を、実質的に１に等しいＳＥＹを有するように調整された粒子ビームにさらすことにより、生成された粒子ビームを使用してクランプ機構の表面に衝突させる。クランプ機構上の残留電荷を低減させることができることを示すことができる。
【0185】
[00213] 当業者は理解するように、実質的に１に等しいＳＥＹをもたらすＬＥは、一般に、粒子ビームにさらされる材料に依存することになる。したがって、生成された粒子ビームが実質的に１に等しいＳＥＹをもたらすことを確実にするために、粒子ビーム源とオブジェクトとの間にどのような電圧差を印加するかを決定するために、クランプ機構の材料、及びそのＳＥＹ対ＬＥ特性、少なくとも実質的に１に等しいＳＥＹに到達するために必要なＬＥの値を知る必要がある。そのような材料特性、例えば実質的に１に等しいＳＥＹに対応するＬＥの値、ＳＥＹ対ＬＥ特性は、実験的に決定され得ることを指摘できる。
【0186】
[00214] 図２４は、典型的なＳＥＹ対ＬＥ特性２４００、すなわち、粒子ビームの電子の入射エネルギー（ＬＥ）の関数としての二次電子収率（ＳＥＹ）の特性、を概略的に示す。図から分かるように、グラフ又は特性２４００は、実質的に１に等しいＳＥＹをもたらす２つのエネルギーレベル、すなわちＥ１及びＥ２を有する。特性が、実質的に１に等しいＳＥＹをもたらすエネルギーレベルを２つ以上有する場合、必要な入射エネルギーＬＥとして、その近辺でグラフ又は特性２４００が、負の勾配を有するエネルギーレベルを選択することが重要である。図２４に示すように、グラフ２４００は、エネルギーレベルＥ１の近辺で正の勾配２４１０を有し、エネルギーレベルＥ２の近辺で負の勾配２４２０を有する。換言すれば、入射エネルギーに対するＳＥＹの導関数は、エネルギーレベルＥ１近辺で正であり、エネルギーレベルＥ２近辺で負である。入射エネルギーＥ２が適用される場合、すなわち、その近辺でグラフ２４００が負の勾配又は負の導関数を有するようなエネルギー値である場合、表面上のいかなる残留電荷も減少又は中和される結果となり得る。これは以下の通りに説明される。クランプ機構上に表面電荷が存在しない場合、粒子ビーム源とクランプ機構との間に、入射エネルギーＥ２をもたらす電圧差を印加すると、平均で、衝突する電子ごとに１つの二次電子の放出が発生する。この電圧差が、正電荷を有する表面に印加される場合、電子はこの正電荷によって引き付けられ、その結果、入射エネルギーＬＥは増加し、特にＥ２よりも大きい入射エネルギー、例えば入射エネルギーＥ３になる。グラフ２４００から分かるように、このような入射エネルギーＥ３では、対応するＳＥＹは１よりも小さくなる。ＳＥＹが１より小さい場合、表面に供給される電子の数は表面から放出される電子の数よりも多く、したがって、その結果、正の表面電荷が減少する又は中和される。この電圧差が、負電荷を有する表面に印加される場合、電子は、この負電荷によってより反発される又は引き付けが少なくなり、その結果、入射エネルギーＬＥは低減し、特にＥ２よりも小さい入射エネルギー、例えば入射エネルギーＥ４になる。グラフ２４００から分かるように、このような入射エネルギーＥ４では、対応するＳＥＹは１よりも大きくなる。ＳＥＹが１より大きい場合、表面に供給される電子の数は表面から放出される電子の数よりも少なく、したがって、その結果、負の表面電荷が減少する又は中和される。
【0187】
[00215] 本発明の第８の態様によれば、本発明による、クランプ機構の表面電荷を減少させる方法２３００は、有利には、本発明による粒子ビーム装置によって実行されてもよい。
【0188】
【0189】
[00217] 概略的に示す装置２５００は、図２２に示す装置２２００と同様の構造を有してもよい。図示する実施形態では、粒子ビーム装置２５００は、２つの粒子ビームジェネレータ２５１０、２５２０を備える。図示する実施形態では、装置２５００は、例えば、オブジェクトを検査するための電子ビームなどの粒子ビーム２５１０．１を生成するために使用され得る第１の粒子ビームジェネレータ２５１０を備える。図示する装置は、第２の粒子ビーム２５２０．１を生成するための第２の粒子ジェネレータ２５２０を更に備え、第２の粒子ジェネレータ２５２０は、例えば、オブジェクトが検査される前又は後に、オブジェクトの電荷を中和するために使用され得る。そのような粒子ビームジェネレータ２５２０は、フラッドガンとも呼ばれ得る。一般に、粒子ビームジェネレータ２５１０、２５２０は両方とも、オブジェクト２５４０に実質的に垂直な方向に粒子ビームを生成するように方向付けられ得ることに留意されたい。
【0190】
[00218] クランプ機構の表面電荷を減少させる方法を実施するために、粒子ビームジェネレータのうちの何れか１つを使用してもよいと考えられる。
【0191】
[00219] 図示する実施形態では、装置２５００は、オブジェクト２５４０を保持するためのオブジェクトテーブル２５３０を更に備え、オブジェクトテーブル２５３０は、オブジェクト２５４０をオブジェクトテーブル２５３０にクランプするためのクランプ機構２５５０を備える。図示する実施形態では、装置２５００は、制御ユニット２５７０を更に備え、制御ユニット２５７０は、粒子ビームジェネレータ２５１０、２５２０の何れか１つに、クランプ機構２５５０の表面において実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有するように構成された粒子ビーム２５１０．１、２５２０．１を生成するように構成されている。一実施形態では、粒子ビームジェネレータのうちの何れか１つによって生成される粒子ビームは、１つ以上の電子ビームを含む。上述した方法２３００を参照すると、このことは、粒子ビームの粒子の入射エネルギーが実質的に１に等しいＳＥＹをもたらすように、制御ユニット２５７０が粒子ビームジェネレータ２５１０又は２５２０を制御するように構成されていることを意味する。そのような制御は、上述したように、所望の入射エネルギーを得るように、粒子ビーム源とクランプ機構との間の電圧差を適切な値に制御することを伴い得る。図示する実施形態では、参照番号２５７０．１は、例えば、粒子ビームジェネレータ２５２０を制御して所望の粒子ビームを生成するための、制御ユニット２５７０によって生成される制御信号を示す。本発明によれば、制御ユニット２５７０は、生成された粒子ビームを制御してクランプ機構２５５０の表面に衝突させるように更に構成されている。そうすることにより、図２４を参照して上述したように、クランプ機構２５５０上のいかなる残留電荷をも少なくとも減らすことができる。
【0192】
[00220] 蓄積されていたかも知れない残留電荷がこのように減少する結果として、装置によって検査されるオブジェクトのアンロード又はクランプ解除が容易になり得る。図示する実施形態では、装置２５００は、粒子ビームジェネレータに対してオブジェクトテーブル２５３０を変位させるように構成されたステージ装置２５８０を更に備える。そうすることにより、クランプ機構上の残留電荷を低減させるために、クランプ機構２５５０の表面全体又はその特定の部分が粒子ビームにさらされ得る。
【0193】
[00221] クランプ機構上の残留電荷を低減させるための本発明による方法２３００は、定期的に適用され得ると考えることができる。この方法は、例えば、所定の間隔で、例えば、特定の数のオブジェクトが処理されるに、例えば検査されるごとに、適用することができる。代替として又は加えて、オブジェクトの処理中に得られる表示又は観察を使用できる。特に、残留電荷、又は増加したアンロード力などのその指標、を決定することを可能にする上述した方法を適用して、方法２３００の適用をトリガし、クランプ機構２５５０などのクランプ機構における残留電荷を低減させてもよい。粒子ビームジェネレータ２５１０及び／又は２５２０は、クランプ機構２５５０の表面に衝突する粒子ビームの断面積を制御するための集束手段を備えることができると更に考えることができる。適用された粒子ビームの断面積は、クランプ機構に適用された粒子の密度を決定する。粒子ビームの断面積が大きいほど、粒子の密度は低くなる。クランプ機構の特定の場所に存在する残留電荷の実際の量に応じて、その場所における表面を中和するために、その場所には特定の量の粒子が必要である。クランプ機構を横切る粒子ビームのスキャンプロセス中に、残留電荷が十分に低減されることを確実にするために、スキャン速度を決定する場合に、適用される粒子ビームの密度を考慮すべきである。典型的な粒子ビームが、既知のクランプ機構に適用され、例えば、粒子ビームが５～６ｍｍ２の断面積を有し、クランプ機構がＳｉＯ２から作製される場合、残留電荷の約９５％を除去する時間は、０．５ミリ秒以内に実現できることを本発明者らは推論した。そのようなパラメータに基づいて、典型的なクランプ機構は、２０秒未満で実質的に中和させることができる。
【0194】
[00222] 本発明の第８の態様によるクランプ機構の表面電荷を低減させる方法は、この文書に記載されているような本発明の他の態様に従って予測された、推定された、又は測定された残留力又は残留電荷に基づいて開始できることが、当業者には明らかなはずである。
【0195】
[00223] 本発明の第９の態様によれば、オブジェクト２６０１が静電クランプによって保持されているときに、オブジェクト２６０１は、オブジェクトテーブル２６０２から突出してオブジェクト２６０１の下面に接触する静電クランプの１つ以上の電極によって、高電圧に帯電されてもよい。これは、オブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２に保持する電荷蓄積の原因であり得る。一実施形態では、オブジェクトテーブル２６０２から突き出てオブジェクト２６０１の下面に接触する１つ以上の更なる電極を使用して、蓄積したあらゆる電荷を放電させる。更なる電極の数は、例えば、３つであり得る。この実施形態を図２６に示す。図２６では、左側の電極を使用して、オブジェクト２６０１を高電圧に帯電させている。蓄積された電荷を放電させるために、右側の電極をオブジェクト２６０１に接触させている。右側の電極は、他方の端部で、オブジェクト２６０１を接地電位に接触させる端部に接続することができる。
【0196】
[00224] 本発明の第９の態様の実施形態では、オブジェクト２６０１を帯電させるために使用された電極と同じ電極のうちの１つ以上が更に、オブジェクト２６０１を放電させる。したがって、放電は、オブジェクト２６０１を帯電させるために使用する電極の数を増加させることによって改善できる。オブジェクト２６０１を放電させるために１つ以上の更なる電極を使用することに加えて、オブジェクト２６０１を帯電させるために使用する電極の数を増加させてもよい。
【0197】
[00225] 本発明の第１０の態様によれば、静電クランプを制御してオブジェクト２６０１の保持を停止させた後の静電クランプの電荷に起因する、オブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２に保持し続け得る残留力を低減させるように、オブジェクトテーブルがクリーニングされる。例えば、クリーニングストーンをシステム内に設けて、オブジェクトテーブル２６０２上の、特に静電クランプの表面上の、静電クランプの表面上への電荷蓄積を生じさせ得る又は増強させ得る粒子及び／又は汚染物をクリーニングしてもよい。クリーニングストーンは、オブジェクトテーブル２６０２上で、特に静電クランプの表面上で、回転及び／又は並進移動し得る。代替として、クリーニングストーンは静止し、オブジェクトテーブル２６０２がクリーニングストーンに対して回転及び／又は並進移動するように移動してもよい。クリーニング動作中にオブジェクトテーブル２６０２とクリーニングストーンの両方を移動させて、オブジェクトテーブル２６０２、特に静電クランプの表面をクリーニングしてもよい。システム内にクリーニングストーンを設けることにより、システムの開放により生じる中断なしに、ストーンによるクリーニング動作を実施できる。
【0198】
[00226] 本発明の第１１の態様によれば、オブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２に保持し続けている残留力又はその少なくとも一部が残ったまま、オブジェクトテーブル２６０２からのオブジェクト２６０１のアンロードが実施されてもよい。
【0199】
[00227] 一実施形態では、上昇ピン位置決めデバイス２６０５は、上昇ピン位置決めデバイスの既知の実現形態よりも強力である。上昇ピン位置決めデバイス２６０５は、上昇ピン２６０４を、より大きな力で移動させるので、オブジェクト２６０１を持ち上げるのにより大きな力が使用される。これにより、上昇ピン２６０４によって印加される力が、オブジェクトテーブル２６０２からオブジェクト２６０１が持ち上げられることを妨げている残留力を克服するのに十分であるという効果を実現することが期待される。
【0200】
[00228] 別の実施形態では、上昇ピン位置決めデバイス２６０５は、上昇ピン２６０４の端部がオブジェクト２６０１にぶつかるように、上昇ピン２６０４をｚ方向に振動させる。オブジェクト２６０１に接触する上昇ピン２６０４の振動運動は、上昇ピン２６０４によりオブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２の上方に持ち上げる効果を容易に実現することが期待される。
【0201】
[00229] 更に別の実施形態では、１次位置決めデバイス５０６は、ｘ－ｙ平面内及び／又はｘ－ｙ平面内の方向に振動する。１次位置決めデバイス５０６の振動運動は、上昇ピン２６０４を介してオブジェクト２６０１に水平振動力を与える。これにより、上昇ピン２６０４によりオブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２の上方に持ち上げる効果を容易に実現することが期待される。
【0202】
[00230] 更に別の実施形態では、テーブル位置決めデバイス２６０３は、オブジェクトテーブル２６０２を、ｘ－ｙ平面、ｘ－ｙ平面、及びｚ方向のうちの１つ以上の方向に振動させる。加えて又は代替として、振動運動はまた、ｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸のうちの１つ以上の軸の周りの回転運動であってもよい。オブジェクトテーブル２６０２の振動運動は、上昇ピン２６０４によりオブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２の上方に持ち上げる効果を容易に実現することが期待される。
【0203】
[00231] 上述した実施形態では、与えられる振動運動は、ｘ－ｙ平面、ｘ－ｙ平面、及びｚ方向のうちの１つ以上の方向に沿っていてもよい。適用される振動運動は、加えて又は代替として、ｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸の何れかの軸の周りの回転運動であってもよい。テーブル位置決めデバイス２６０３、上昇ピン位置決めデバイス２６０５、及び位置決めデバイス２６０６は、振動を与えるために任意の可能な運動をしてもよい。例えば、位置決めデバイス２６０６がｚ方向に移動できる場合、位置決めデバイス２６０６は、ｚ方向に振動運動を与えてもよい。
【0204】
[00232] 振動運動は、複数の異なるタイプの制御信号の何れかに依存してもよい。例えば、信号は、のこぎり波、正弦波、雑音信号、及び／又は疑似雑音信号であってもよい。
【0205】
[00233] 更に別の実施形態を図２８に示す。更に別の実施形態では、テーブル位置決めデバイス２６０３は、図２８の矢印で示すように、オブジェクトテーブル２６０２を、ｚ方向に上昇ピン位置決めデバイス２６０５に向かう方向に移動させる。上昇ピン２６０４のｚ方向位置は、ｚ方向への上昇ピン２６０４の移動が防止されるように、機械的にロックされていてもよい。この効果は、オブジェクト２６０１が上昇ピン２６０４の端部に押し付けられることであり、これにより、オブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２から除去する効果、又は除去することをより容易にする効果の実現が期待される。
【0206】
[00234] 一実施形態では、テーブル位置決めデバイス２６０３のアクチュエータは、上昇ピン位置決めデバイス２６０５のアクチュエータよりも強力であり得る。テーブル位置決めデバイス２６０３のアクチュエータはまた、上昇ピン位置決めデバイス２６０５のアクチュエータよりも広いサーボ帯域幅を有してもよく、これにより、テーブル位置決めデバイス２６０３によって印加される力を、上昇ピン位置決めデバイス２６０５のアクチュエータよりも速く制御することが可能になる。実施形態の代替的実現形態では、テーブル位置決めデバイス２６０３は、オブジェクトテーブル２６０２を、ｚ方向に上昇ピン位置決めデバイス２６０５に向かう方向に移動させてもよく、上昇ピン位置決めデバイス２６０５もまた、上昇ピン２６０４を制御して、ｚ方向にオブジェクト２６０１に向けて移動させてもよい。
【0207】
[00235] この実施形態はまた、テーブル位置決めデバイス２６０３が既知のテーブル位置決めデバイスよりも強力なアクチュエータで設計され、上昇ピン位置決めデバイス２６０５が既知の上昇ピン位置決めデバイスよりも強力ではないアクチュエータで設計されることを可能にし得る。これにより、上昇ピン位置決めデバイス２６０５の設計と実装が簡略化されることになる。上昇ピン位置決めデバイス２６０５よりも高い力を印加できることに加えて、テーブル位置決めデバイス２６０３はまた、上昇ピン位置決めデバイス２６０５よりも多くのアクチュエータを含んでもよい。テーブル位置決めデバイス２６０３は、典型的には、ｚ方向への運動を適用するための３つ又は４つのアクチュエータを備える。
【0208】
[00236] 更に別の実施形態では、オブジェクト２６０１を、オブジェクトテーブル２６０２から効果的に剥がすことができる。
【0209】
[00237] この実施形態を図２９に示す。一実施形態では、テーブル位置決めデバイス２６０３は、オブジェクトテーブル２６０２をｘ軸及び／又はｙ軸の周りに回転させる。図２９に示す回転角の範囲は、回転を明確に示すように大きくしている。実際の回転角は、図７に示すものよりも遥かに小さい場合がある。上昇ピン２６０４のうちの１つ以上のピンのｚ方向位置は、ｚ方向への上昇ピン２６０４の移動が防止されるように、機械的にロックされていてもよい。代替として、上昇ピン２６０４のうちの１つ以上のピンのｚ方向位置は、機械的にロックされていない。上昇ピン２６０４のうちの１つ以上のピンは、オブジェクト２６０１に印加される力を増加させるためにｚ方向に移動してもよい。この効果は、オブジェクト２６０１が上昇ピン２６０４のうちの１つ以上のピンの端部に押し付けられることである。これにより、オブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２から効果的に剥がすことができるので、オブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２から除去する効果、又は除去することをより容易にする効果の実現が期待される。
【0210】
[00238] 更なる実施形態では、上昇ピン２６０４のうちの全てではないが１つ以上のピンが、オブジェクト２６０１を持ち上げるための力を印加するように制御される。代替として、上昇ピン２６０４のうちの全てのピンが、オブジェクト２６０１を持ち上げるための力を印加するように制御されてもよいが、上昇ピン２６０４のうちのいくつかのピンは、他のピンよりも大きな力を印加するように制御される。この効果は、上昇ピン２６０４が、オブジェクト２６０１の一方の側に、オブジェクト２６０１の他方の側よりも大きな力が印加され得るということである。これにより、オブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２から効果的に剥がすことができるので、オブジェクト２６０１をオブジェクトテーブル２６０２から除去する効果、又は除去することをより容易にする効果の実現が期待される。
【0211】
[00239] 本発明の態様の上述した実施形態はまた、上昇ピン２６０４の各々よって印加され得る力を、既知の技術に従って印加される力よりも増加させることを含む。上昇ピン２６０４の数は何個であってもよい。例えば、上昇ピン２６０４の数は、３個、６個、１２個、又はそれ以上であってもよい。実施形態は、オブジェクト２６０１に接触する上昇ピン２６０４の端部を、既知の上昇ピン２６０４から増加させた直径で作製することを含む。このことと、上昇ピン２６０４の数を増加させることの両方により、上昇ピン２６０４によって加えられる力の、オブジェクト２６０１表面にわたる広がりが改善され、それにより、印加された力によってオブジェクト２６０１が損傷を受けるリスクが低減される。
【0212】
[00240] 本発明の態様の実施形態では、振動は、好ましくは、それが小さな運動のみをもたらすように、小さな振幅を有する。本発明の態様の実施形態の何れかの技術を互いに組み合わせることができる。例えば、テーブル位置決めデバイス２６０３がオブジェクトテーブル２６０２をｚ方向に回転させている際に、上昇ピン２６０４をｚ方向に振動させてもよい。一実施形態によるこの実現形態では、振動する上昇ピン２６０４は、所定位置に機械的にロックされることはないであろう。
【0213】
[00241] 更なる実施形態については、以下の条項において説明され得る。
１．オブジェクトテーブルであって、
オブジェクトを保持するためのクランプ機構と；
オブジェクトに接触してオブジェクトをロード又はアンロードするように構成されたロード／アンロード機構と；
オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトを電圧源又は電気的接地に電気的に接続して、オブジェクトに所定の電圧を印加するように構成された導電体と、を備えるオブジェクトテーブル。
１．オブジェクトテーブルであって、
オブジェクトを保持するためのクランプ機構と；
オブジェクトに接触してオブジェクトをロード又はアンロードするように構成されたロード／アンロード機構と；
オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトを電圧源又は電気的接地に電気的に接続して、オブジェクトに所定の電圧を印加するように構成された導電体と、を備えるオブジェクトテーブル。
【0214】
２．導電体は、オブジェクトがオブジェクトテーブル上で保持されるときに、機械的剛性が低い接続を形成するように構成されている、条項１に記載のオブジェクトテーブル。
【0215】
３．導電体は断面積を有し、導電体の機械的剛性が、同じ断面積を有する電線の機械的剛性よりも低い、条項１又は２に記載のオブジェクトテーブル。
【0216】
４．機械的剛性は、オブジェクトがオブジェクトテーブル上に保持されている時間幅の少なくとも一部において実質的にゼロである、条項２に記載のオブジェクトテーブル。
【0217】
５．オブジェクトがオブジェクトテーブル上に保持される場合、導電体は、オブジェクトを電圧源又は電気的接地から切断するように構成されている、先行する条項の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0218】
６．導電体はコイル形状部分を有する電線を備える、先行する条項の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0219】
７．コイル形状部分は１つ以上の巻き線又はターンを備える、条項６に記載のオブジェクトテーブル。
【0220】
８．コイル形状部分は、ロード／アンロード機構のピン形状部材の周りに螺旋状に配置されている、条項６又は７に記載のオブジェクトテーブル。
【0221】
９．コイル形状部分の端部がピン形状部材に接続されている、条項８に記載のオブジェクトテーブル。
【0222】
１０．電極を更に備える、先行する条項の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0223】
１１．電極は、オブジェクトテーブルの上面に又はその近くに装着されている、条項１０に記載のオブジェクトテーブル。
【0224】
１２．電極は、クランプ機構を実質的に取り囲んでいる、条項１０又は１１に記載のオブジェクトテーブル。
【0225】
１３．導電体は、オブジェクトを電極又は電気接地に電気的に接続するように構成されている、条項１０～１２の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0226】
１４．アンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、上昇された電圧が電極に印加されるように構成されている、条項１０～１３の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0227】
１５．電極は、アンロードシーケンスの少なくとも一部の間にオブジェクトから電気的に絶縁されている、条項１０～１４の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0228】
１６．条項１０～１５の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0229】
１７．電極は、アンロードシーケンスの少なくとも一部の前に、オブジェクトから離れる方向に移動されるように構成されている。
【0230】
１８．クランプ機構は、アンロードシーケンスの少なくとも一部の前に、電極から離れる方向に移動するように構成されている、条項１０～１６の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0231】
１９．ロード／アンロード機構は、オブジェクトに接触してオブジェクトをアンロードするための１つ以上のピン形状部材を備える、条項１０～１７の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0232】
２０．導電体は、１つ以上のピン形状部材のうちの少なくとも１つを電極又は電気接地に電気的に接続する、条項１８に記載のオブジェクトテーブル。
【0233】
２１．導電体の少なくとも一部は電気的にシールドされている、条項１９に記載のオブジェクトテーブル。
【0234】
２２．オブジェクトテーブルは、少なくとも一部を導電体からシールドするように構成された電気シールドを含み、電気シールドは電極に電気的に接続されている、条項２０に記載のオブジェクトテーブル。
【0235】
２３．導電体は、オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトに接触するためのピン形状部材を備える、条項１～８の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0236】
２４．電極を更に備える条項２２に記載のオブジェクトテーブルであって、電極から導電体への放電を回避するように、電極が帯電しているときに導電体が後退可能である、オブジェクトテーブル。
【0237】
２５．導電体は、導電体がクランプ機構によって囲まれていない位置に後退可能である、条項２３に記載のオブジェクトテーブル。
【0238】
２６．ロード／アンロード機構は、オブジェクトをアンロードするためにオブジェクトに接触する１つ以上のピン形状部材を含み、１つ以上のピン形状部材のうちの少なくとも１つは、導電体の少なくとも一部を形成する、先行する条項の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0239】
２７．ピン形状部材はイオン化可能ガスを含む、条項２２～２５の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0240】
２８．ピン形状部材はイオン化可能ガスを収容するように構成されている、条項２６に記載のオブジェクトテーブル。
【0241】
２９．イオン化可能ガスはＡｒ又はＮｅを含む、条項２６又は２７に記載のオブジェクトテーブル。
【0242】
３０．電気コネクタは第１のコネクタ部材及び第２のコネクタ部材を備え、第１のコネクタ部材及び第２のコネクタ部材は、オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、電気的接続を形成するように構成されている、先行する条項の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0243】
３１．第１のコネクタ部材又は第２のコネクタ部材はカンチレバーを備える、条項２９に記載のオブジェクトテーブル。
【0244】
３２．カンチレバーは湾曲可能な導電体を備える、条項３０に記載のオブジェクトテーブル。
【0245】
３３．第１のコネクタ部材は開口を備え、第２のコネクタ部材は開口を通って突出するように構成されている、条項２９に記載のオブジェクトテーブル。
【0246】
３４．第１のコネクタ部材又は第２のコネクタ部材は、第２のコネクタ部材が開口から突出したときに電気的接続を形成するための複数のブラシ状導電性ワイヤを備える、条項３２に記載のオブジェクトテーブル。
【0247】
３５．電気コネクタはエンドエフェクタグリッパを備える、先行する条項の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0248】
３６．オブジェクトテーブルであって、
支持構造と；
オブジェクトを保持するためのクランプ機構であって、支持構造上に配置されている、クランプ機構と；
オブジェクトに接触してオブジェクトをロード又はアンロードするように構成されたロード／アンロード機構と；
支持構造に装着された電極と；
オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトを電極に電気的に接続するように構成されている導電体と、を備えるオブジェクトテーブル。
支持構造と；
オブジェクトを保持するためのクランプ機構であって、支持構造上に配置されている、クランプ機構と；
オブジェクトに接触してオブジェクトをロード又はアンロードするように構成されたロード／アンロード機構と；
支持構造に装着された電極と；
オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に、オブジェクトを電極に電気的に接続するように構成されている導電体と、を備えるオブジェクトテーブル。
【0249】
３７．電極は、クランプ機構を実質的に取り囲んでいる、条項３５に記載のオブジェクトテーブル。
【0250】
３８．導電体は、オブジェクトとの接触を維持するように、オブジェクトのアンロードシーケンスの少なくとも一部の間に変形するように構成された可撓性部分を備える、条項３５に記載のオブジェクトテーブル。
【0251】
３９．オブジェクトテーブルであって、
オブジェクトを保持するように構成されている静電クランプと；
静電クランプの１つ以上の電気的特性を決定するように構成された測定ユニットであって、１つ以上の電気的特性は、静電クランプの１つ以上の電荷状態を表す、測定ユニットと；
オブジェクトのアンロードの前及び／又はそのアンロード中に、決定された１つ以上の電気的特性に基づいて、静電クランプの１つ以上の電力供給部を制御するように構成された制御ユニットと、を備えるオブジェクトテーブル。
オブジェクトを保持するように構成されている静電クランプと；
静電クランプの１つ以上の電気的特性を決定するように構成された測定ユニットであって、１つ以上の電気的特性は、静電クランプの１つ以上の電荷状態を表す、測定ユニットと；
オブジェクトのアンロードの前及び／又はそのアンロード中に、決定された１つ以上の電気的特性に基づいて、静電クランプの１つ以上の電力供給部を制御するように構成された制御ユニットと、を備えるオブジェクトテーブル。
【0252】
４０．静電クランプは、オブジェクトと静電クランプとの間に１つ以上の電界を生成するための１つ以上の電極を備える、条項３８に記載のオブジェクトテーブル。
【0253】
４１．測定ユニットは、１つ以上の電気的特性として静電クランプの１つ以上の電圧を測定するように構成されている、条項３８又は３９に記載のオブジェクトテーブル。
【0254】
４２．静電クランプの１つ以上の電圧が、１つ以上の電極の１つ以上の電圧を含む、条項３９に従属する場合の条項４０に記載のオブジェクトテーブル。
【0255】
４３．測定ユニットは、１つ以上の電気的特性として、静電クランプに供給される１つ以上の電流を測定するように構成されている、条項３８～４１の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0256】
４４．静電クランプに供給される１つ以上の電流は、１つ以上の電極に供給される１つ以上の電流を含む、条項３９に依存する場合の条項４２に記載のオブジェクトテーブル。
【0257】
４５．測定ユニットは、オブジェクトの１つ以上の電圧、及び／又はオブジェクトから若しくはオブジェクトに供給される１つ以上の電流を測定するように構成されている、条項３８～４３の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0258】
４６．オブジェクトテーブルは、オブジェクトがオブジェクトテーブル上に位置決めされているときに、オブジェクトに電気的に接続するように構成された接続ピンを備え、測定ユニットは、接続ピンを介してオブジェクトの１つ以上の電圧のうちの少なくとも１つを測定するように構成されている、条項４４に記載のオブジェクトテーブル。
【0259】
４７．オブジェクトテーブルは、オブジェクトをロード及びアンロードするためのロード／アンロード機構を備える、条項３８～４５の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0260】
４８．ロード／アンロード機構は、静電クランプからオブジェクトを持ち上げるように構成された持ち上げ機構を備える、条項４６に記載のオブジェクトテーブル。
【0261】
４９．測定ユニットは、オブジェクトのロード又はアンロード中に、静電クランプの１つ以上の電気的特性を測定するように構成されている、条項３８～４７の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0262】
５０．オブジェクトテーブルは、静電クランプを取り囲む電極を更に備える、条項３８～４８の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0263】
５１．１つ以上の電荷状態は、静電クランプの表面上の表面電荷、又は静電クランプの表面上の表面電荷分布を含む、条項３８～４９の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0264】
５２．制御ユニットは、表面電荷によって生成された電界を少なくとも部分的に補償して、静電クランプの表面電荷によって生じるオブジェクトの付着を少なくとも部分的に補償するように構成された１つ以上の電界を生成するように、静電クランプの１つ以上の電力供給部を制御するように構成されている、条項５０に記載のオブジェクトテーブル。
【0265】
５３．導電体の少なくとも一部は電気的にシールドされている、条項１～３７の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0266】
５４．オブジェクトテーブルであって、
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするための静電クランプと；
イオン化ガスの流れ供給するためのイオナイザデバイスと；
イオナイザデバイスを制御してイオン化ガスの流れを静電クランプに供給するように配置された制御ユニットと、を備えるオブジェクトテーブル。
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするための静電クランプと；
イオン化ガスの流れ供給するためのイオナイザデバイスと；
イオナイザデバイスを制御してイオン化ガスの流れを静電クランプに供給するように配置された制御ユニットと、を備えるオブジェクトテーブル。
【0267】
５５．制御ユニットは、残留力又は残留電荷を表す情報信号を受信するように配置され、残留力は、静電クランプからのオブジェクトのアンロード中に、静電クランプによってオブジェクトに印加され、残留電荷は、静電クランプに帯電電圧が印加されていないときに、静電クランプ上に存在する静電荷であり、制御ユニットは、情報信号に基づいてイオナイザデバイスを制御するように配置されている、条項５３に記載のオブジェクトテーブル。
【0268】
５６．残留力又は残留電荷を表す測定信号を提供するための測定ユニットを備える、条項５４に記載のオブジェクトテーブルであって、情報信号は測定信号を含み、制御ユニットは、測定信号に基づいてイオナイザデバイスを制御するように配置されている、オブジェクトテーブル。
【0269】
５７．オブジェクトテーブルであって、
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするための静電クランプと；
静電クランプ上にオブジェクトをクランプするための帯電電圧と、静電クランプからオブジェクトをクランプ解除するための放電電圧と、を静電クランプに供給するように配置された制御ユニットとを備え、
制御ユニットは、残留力又は残留電荷を表す情報信号を受信するように配置され、
制御ユニットは、情報信号に基づいて放電電圧を供給するように配置されている、オブジェクトテーブル。
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするための静電クランプと；
静電クランプ上にオブジェクトをクランプするための帯電電圧と、静電クランプからオブジェクトをクランプ解除するための放電電圧と、を静電クランプに供給するように配置された制御ユニットとを備え、
制御ユニットは、残留力又は残留電荷を表す情報信号を受信するように配置され、
制御ユニットは、情報信号に基づいて放電電圧を供給するように配置されている、オブジェクトテーブル。
【0270】
５８．放電電圧が帯電電圧と反対の極性を有する、条項５６に記載のオブジェクトテーブル。
【0271】
５９．イオン化ガスの流れを静電クランプに供給するためのイオナイザデバイスを備え、制御ユニットは、情報信号に基づいてイオナイザデバイスを制御するように配置されている、条項５６又は５７に記載のオブジェクトテーブル。
【0272】
６０．情報信号は、測定情報及び／又は推定情報のうちの少なくとも１つを含む、条項５３～５８に記載のオブジェクトテーブル。
【0273】
６１．アンロード中に、制御ユニットは、更新された残留力又は更新された残留電荷を表す更新された情報信号を受信するように配置されており、ここで、制御ユニットは、更新された情報信号に基づいて放電電圧を調整するように配置されている、又は、制御ユニットは、更新された情報信号に基づいてイオナイザデバイスの制御を調整するように配置されている、条項５６～５９に記載のオブジェクトテーブル。
【0274】
６２．アンロード機構を備える、条項５３～６０の何れか一項に記載のオブジェクトテーブルであって、測定ユニットは、アンロード中に、オブジェクトを静電クランプから持ち上げるために、アンロード機構によってオブジェクトに印加された持ち上げ力を監視するように配置され、測定信号は持ち上げ力の測定値を含む、オブジェクトテーブル。
【0275】
６３．測定ユニットは、持ち上げ力の測定値を提供するための力センサを備える、条項６１に記載のオブジェクトテーブル。
【0276】
６４．アンロード機構は、アンロード中に、静電クランプから離れる方向にオブジェクトを押すように配置された少なくとも１つの持ち上げピンを備え、持ち上げピンは力センサを備える、条項６２に記載のオブジェクトテーブル。
【0277】
６５．測定ユニットは、第１の状態にあるオブジェクト及び第２の状態にあるオブジェクトに基づいて測定信号を提供するように配置されたギャップセンサを備え、第１の状態では、オブジェクトは静電クランプ上にあり、第２の状態では、オブジェクトは静電クランプから離れている、条項５３～６３の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0278】
６６．オブジェクトは、第１の状態から第２の状態への移動を行い、測定信号は移動を表す、条項６４に記載のオブジェクトテーブル。
【0279】
６７．ギャップセンサは静電容量センサを備える、条項６４又は６５に記載のオブジェクトテーブル。
【0280】
６８．制御ユニットは、情報信号を閾値と比較するように配置されている、条項５３～６６の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0281】
６９．条項５３～６７の何れか一項に記載のオブジェクトテーブルを備える装置であって、装置は、粒子ビーム装置、電子ビーム装置、走査型電子顕微鏡、電子ビームダイレクトライタ、電子ビーム投影リソグラフィ装置、電子ビーム検査装置、電子ビーム欠陥検証装置、電子ビーム計測装置、リソグラフィ装置、及び計測装置のうちの１つである、装置。
【0282】
７０．静電クランプからオブジェクトをアンロードするための方法であって、方法は、静電クランプからオブジェクトをアンロードすることと、静電クランプにイオン化ガスの流れを供給することと、を含む方法。
【0283】
７１．静電クランプからオブジェクトをアンロードするための方法であって、方法は、残留力又は残留電荷を表す情報信号を提供することであって、残留力は、静電クランプからのオブジェクトのアンロード中に、静電クランプによってオブジェクトに印加され、残留電荷は、静電クランプに帯電電圧が印加されていないときに、静電クランプ上に存在する、ことと；
情報信号に基づいて、静電クランプからオブジェクトをクランプ解除するための放電電圧を供給することと、を含む方法。
情報信号に基づいて、静電クランプからオブジェクトをクランプ解除するための放電電圧を供給することと、を含む方法。
【0284】
７２．情報信号に基づいて、静電クランプにイオン化ガスの流れを供給するステップを含む、条項７０に記載の方法。
【0285】
７３．オブジェクトを静電クランプ上にクランプするための方法であって、方法は、
ｉ）静電クランプ上にオブジェクトを提供することと；
ｉｉ）オブジェクトが静電クランプ上にクランプされているクランプ状態が検出されるまで、クランプ電圧を増加させることと；
ｉｉｉ）クランプ状態でのクランプ電圧である第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）を決定することと；
ｉｖ）第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）よりも低い第２のクランプ電圧（Ｖｆｉｎａｌ）を静電クランプに印加することと、を含む方法。
ｉ）静電クランプ上にオブジェクトを提供することと；
ｉｉ）オブジェクトが静電クランプ上にクランプされているクランプ状態が検出されるまで、クランプ電圧を増加させることと；
ｉｉｉ）クランプ状態でのクランプ電圧である第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）を決定することと；
ｉｖ）第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）よりも低い第２のクランプ電圧（Ｖｆｉｎａｌ）を静電クランプに印加することと、を含む方法。
【0286】
７４．クランプ状態は、クランプパラメータが閾値内にある場合に検出される、条項７２に記載の方法。
【0287】
７５．クランプパラメータは、オブジェクトの平坦度、クランプ電圧の変化によって生じるオブジェクト形状の変化、及び静電クランプと接触しているオブジェクトの中央部分、のうちの１つを含む、条項７３に記載の方法。
【0288】
７６．条項７４に記載の方法であって、ステップｉｉｉ）とｉｖ）の間に、
ｖ）クランプ状態がもはや検出されなくなるまでクランプ電圧を減少させることと；
ｖｉ）第３のクランプ電圧（Ｖｍｉｎ）を、クランプ状態が検出されなくなったクランプ電圧であると決定することと；
ｖｉｉ）第３のクランプ電圧（Ｖｍｉｎ）よりも高い第２のクランプ電圧（Ｖｆｉｎａｌ）を静電クランプに印加することと、を含む方法。
ｖ）クランプ状態がもはや検出されなくなるまでクランプ電圧を減少させることと；
ｖｉ）第３のクランプ電圧（Ｖｍｉｎ）を、クランプ状態が検出されなくなったクランプ電圧であると決定することと；
ｖｉｉ）第３のクランプ電圧（Ｖｍｉｎ）よりも高い第２のクランプ電圧（Ｖｆｉｎａｌ）を静電クランプに印加することと、を含む方法。
【0289】
７７．条項７５に記載の方法であって、ステップｖｉ）とｖｉｉ）の間に、
ｖｉｉｉ）クランプ電圧を第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）まで増加させることを含む、方法。
ｖｉｉｉ）クランプ電圧を第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）まで増加させることを含む、方法。
【0290】
７８．第２のクランプ電圧（Ｖｆｉｎａｌ）は、第３のクランプ電圧（Ｖｍｉｎ）の１５０％未満であり、例えば、１４０％未満、又は１３０％未満、又は１２０％未満、又は１１０％未満、又は１０５％未満である、条項７５又は７６に記載の方法。
【0291】
７９．条項７２に記載の方法であって、
ｉｘ）ステップｉｉｉ）の間に、オブジェクトと静電クランプとの間のクランプ力を決定することと、
ｘ）クランプ力に基づいて第２のクランプ電圧（Ｖｆｉｎａｌ）を供給することと、を含む方法。
ｉｘ）ステップｉｉｉ）の間に、オブジェクトと静電クランプとの間のクランプ力を決定することと、
ｘ）クランプ力に基づいて第２のクランプ電圧（Ｖｆｉｎａｌ）を供給することと、を含む方法。
【0292】
８０．オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、条項７２～７８の何れか一項に記載の方法を実施するように配置されている、オブジェクトテーブル。
【0293】
８１．オブジェクトテーブルは、オブジェクトをクランプするための静電クランプと、静電クランプにクランプ電圧を供給するための制御ユニットと、を備える、条項７９に記載のオブジェクトテーブル。
【0294】
８２．クランプパラメータを表す測定信号を制御ユニットに提供するための測定ユニットを備える、条項８０に記載のオブジェクトテーブル。
【0295】
８３．測定ユニットは、オブジェクトが平坦であるか又は弓形であるかを決定するように配置されている、条項８１に記載のオブジェクトテーブル。
【0296】
８４．測定ユニットは、オブジェクトと静電クランプとの間のギャップ又は静電容量を決定するように配置されている、条項８１又は８２に記載のオブジェクトテーブル。
【0297】
８５．測定ユニットは、オブジェクトの高さを決定するように配置されている、条項８１～８３の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0298】
８６．条項７９～８４の何れか一項に記載のオブジェクトテーブルであって、力センサを備え、ステップｉｉｉ）の間に、力センサは、静電クランプに第１のクランプ電圧（Ｖｍａｘ）が印加されている間に、オブジェクトが静電クランプ上にクランプされるクランプ力を検出するように配置されている、オブジェクトテーブル。
【0299】
８７．力センサは、ステップｉｉｉ）の間にオブジェクトに接触するように、そしてステップｉｖ）の間にオブジェクトに接触しないように移動可能である、条項８５に記載のオブジェクトテーブル。
【0300】
８８．制御ユニットは、クランプ電圧とクランプパラメータとに基づいて第３のクランプ電圧（Ｖｍｉｎ）を予測するように配置された機械学習ユニットを備える、条項７９～８６に記載のオブジェクトテーブル。
【0301】
８９．条項７９～８７の何れか一項に記載のオブジェクトテーブルを備える装置であって、装置は、粒子ビーム装置、電子ビーム装置、走査型電子顕微鏡、電子ビームダイレクトライタ、電子ビーム投影リソグラフィ装置、電子ビーム検査装置、電子ビーム欠陥検証装置、電子ビーム計測装置、リソグラフィ装置、及び計測装置のうちの１つである、装置。
【0302】
９０．オブジェクトを静電クランプから移動させる及び静電クランプ上に移動させるための持ち上げピンを備える、条項８８に記載の装置であって、制御ユニットは、持ち上げピンの位置に基づいてクランプパラメータを決定するように配置されている、装置。
【0303】
９１．オブジェクトの高さを決定するための高さセンサを備える、条項８８又は８９に記載の装置であって、制御ユニットは、高さセンサからの高さ信号に基づいてクランプパラメータを決定するように配置されている、装置。
【0304】
９２．オブジェクトテーブルのクランプ機構の残留電荷を決定する方法であって、
クランプ機構の表面に粒子ビームを衝突させることと；
表面への衝突によって生じたクランプ機構の応答を検出することと；
応答に基づいてクランプ機構の残留電荷を決定することと、を含む方法。
クランプ機構の表面に粒子ビームを衝突させることと；
表面への衝突によって生じたクランプ機構の応答を検出することと；
応答に基づいてクランプ機構の残留電荷を決定することと、を含む方法。
【0305】
９３．粒子ビームは１つ以上の電子ビームを含む、条項９１に記載の方法。
【0306】
９４．応答を検出するステップは、クランプ機構によって放出された二次電子又は散乱電子を検出するステップを含む、条項９１又は９２に記載の方法。
【0307】
９５．二次電子を検出するステップは、二次電子のエネルギースペクトルを測定するステップを含む、条項９３に記載の方法。
【0308】
９６．クランプ機構を粒子ビームの動作範囲内に位置決めするステップが、クランプ機構の表面に衝突させるステップに先行する、条項９１～９４の何れか一項に記載の方法。
【0309】
９７．クランプ機構は静電クランプを備える、条項９１～９５の何れか一項に記載の方法。
【0310】
９８．静電クランプは１つ以上の電極を備える、条項９６に記載の方法。
【0311】
９９．１つ以上の電極が静電クランプの表面に埋め込まれている、条項９７に記載の方法。
【0312】
１００．表面に衝突させるステップは、表面上の複数の場所で表面に衝突させることを含み、残留電荷を決定するステップは、クランプ機構の表面にわたって残留電荷分布を決定することを含む、条項９１～９８の何れか一項に記載の方法。
【0313】
１０１．応答に基づいて、クランプ機構に１つ以上の電圧を印加して、クランプ機構の残留電荷を少なくとも部分的に相殺するステップを更に含む、条項９１～９９の何れか一項に記載の方法。
【0314】
１０２．条項９１～１００の何れか一項に記載の方法を実施するように構成された粒子ビーム装置。
【0315】
１０３．粒子ビーム装置であって、
粒子ビームジェネレータと；
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブルにクランプするためのクランプ機構を備える、オブジェクトテーブルと；
検出器と；
制御ユニットであって、クランプ機構の表面に粒子ビームを衝突させる粒子ビームジェネレータを制御するように構成されている、制御ユニットと；
クランプ機構に粒子ビームが衝突することによって生じる、クランプ機構の応答を検出するように構成されている検出器と；を備え、
制御ユニットは、クランプ機構の応答を表す検出器信号を検出器から受信し、検出器信号に基づいて、クランプ機構の残留電荷を決定する、ように更に構成されている、粒子ビーム装置。
粒子ビームジェネレータと；
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブルにクランプするためのクランプ機構を備える、オブジェクトテーブルと；
検出器と；
制御ユニットであって、クランプ機構の表面に粒子ビームを衝突させる粒子ビームジェネレータを制御するように構成されている、制御ユニットと；
クランプ機構に粒子ビームが衝突することによって生じる、クランプ機構の応答を検出するように構成されている検出器と；を備え、
制御ユニットは、クランプ機構の応答を表す検出器信号を検出器から受信し、検出器信号に基づいて、クランプ機構の残留電荷を決定する、ように更に構成されている、粒子ビーム装置。
【0316】
１０４．粒子ビームは１つ以上の電子ビームを含む、条項１０２に記載の粒子ビーム装置。
【0317】
１０５．粒子ビームジェネレータに対してオブジェクトテーブルを位置決めするための位置決めデバイスを、装置が更に備える、条項１０２又は１０３に記載の粒子ビーム装置。
【0318】
１０６．応答は、クランプ機構によって放出された二次電子又は散乱電子を含む、条項１０２～１０４の何れか一項に記載の粒子ビーム装置。
【0319】
１０７．検出器が二次電子のエネルギースペクトルを測定するように構成されている、条項１０５に記載の粒子ビーム装置。
【0320】
１０８．位置決めデバイスは、粒子ビームが表面に衝突する前に、クランプ機構を粒子ビームの動作範囲内に位置決めするように構成されている、条項１０２～１０６の何れか一項に記載の粒子ビーム装置。
【0321】
１０９．クランプ機構は静電クランプを備える、条項１０２～１０７の何れか一項に記載の粒子ビーム装置。
【0322】
１１０．静電クランプは１つ以上の電極を備える、条項１０８に記載の方法。
【0323】
１１１．１つ以上の電極が静電クランプの表面に埋め込まれている、条項１０９に記載の方法。
【0324】
１１２．制御ユニットが、粒子ビームを制御して表面上の複数の場所で表面に衝突するように構成され、制御ユニットが、クランプ機構の表面にわたる残留電荷分布を決定するように構成されている、条項１０２～１１０の何れか一項に記載の方法。
【0325】
１１３．制御ユニットは、応答に基づいて、クランプ機構に１つ以上の電圧を印加して、クランプ機構の残留電荷を少なくとも部分的に相殺するステップを更に備えるように更に構成されている、条項１０２～１１１の何れか一項に記載の方法。
【0326】
１１４．クランプ機構の表面電荷を低減させる方法であって、
粒子ビームを生成することであって、粒子ビームは、クランプ機構の表面において実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有するように構成されている、ことと；
粒子ビームを使用してクランプ機構の表面に衝突させることと、を含む方法。
粒子ビームを生成することであって、粒子ビームは、クランプ機構の表面において実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有するように構成されている、ことと；
粒子ビームを使用してクランプ機構の表面に衝突させることと、を含む方法。
【0327】
１１５．クランプ機構の表面が中立状態にあるとき、ＳＥＹは実質的に１に等しいと考えられる、条項１１３に記載の方法。
【0328】
１１６．粒子ビームを生成するステップは、
ＳＥＹを実質的に１に等しくするために必要な、粒子ビームの発生源とクランプ機構との間の電圧差を決定すること、及び
決定された電圧差を印加することによって粒子ビームを生成することを含む、条項１１３又は１１４に記載の方法。
ＳＥＹを実質的に１に等しくするために必要な、粒子ビームの発生源とクランプ機構との間の電圧差を決定すること、及び
決定された電圧差を印加することによって粒子ビームを生成することを含む、条項１１３又は１１４に記載の方法。
【0329】
１１７．電圧差は、クランプ機構の材料特性に基づく、条項１１５に記載の方法。
【0330】
１１８．クランプ機構の表面が中立状態にあるとき、ＳＥＹが実質的に１に等しいことに対応する入射エネルギー（ＬＥ）を有する粒子ビームの粒子が得られるように、電圧差が選択される、条項１１５又は１１６に記載の方法。
【0331】
１１９．電圧差はクランプ機構のＬＥに対するＳＥＹの導関数に基づいて選択され、それにより、ＳＥＹの導関数は入射エネルギー（ＬＥ）のあたりで負である、条項１００に記載の方法。
【0332】
１２０．クランプ機構の表面にわたって粒子ビームを走査させることを更に含む、条項１１３～１１８の何れか一項に記載の方法。
【0333】
１２１．粒子ビームは１つ以上の電子ビームを含む、条項１１９に記載の方法。
【0334】
１２２．クランプ機構の材料はＳｉＯ２を含む、条項１１３～１２０の何れか一項に記載の方法。
【0335】
１２３．粒子ビーム装置であって、
粒子ビームジェネレータと；
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブルにクランプするためのクランプ機構を備える、オブジェクトテーブルと；
制御ユニットであって、粒子ビームジェネレータを制御して、クランプ機構の表面において実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有するように構成されている粒子ビームを生成させ、粒子ビームを制御してクランプ機構の表面に衝突させるように構成されている、制御ユニットと、を備える粒子ビーム装置。
粒子ビームジェネレータと；
オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブルにクランプするためのクランプ機構を備える、オブジェクトテーブルと；
制御ユニットであって、粒子ビームジェネレータを制御して、クランプ機構の表面において実質的に１に等しい二次放出収率（ＳＥＹ）を有するように構成されている粒子ビームを生成させ、粒子ビームを制御してクランプ機構の表面に衝突させるように構成されている、制御ユニットと、を備える粒子ビーム装置。
【0336】
１２４．制御ユニットは、
粒子ビームの発生源とクランプ機構との間の電圧差を、ＳＥＹが実質的に１に等しくなるように選択された電圧差となるように決定し、
決定された電圧差を印加することにより、粒子ビームジェネレータを制御して粒子ビームを生成させる、ように更に構成されている、条項１２２に記載の粒子ビーム装置。
粒子ビームの発生源とクランプ機構との間の電圧差を、ＳＥＹが実質的に１に等しくなるように選択された電圧差となるように決定し、
決定された電圧差を印加することにより、粒子ビームジェネレータを制御して粒子ビームを生成させる、ように更に構成されている、条項１２２に記載の粒子ビーム装置。
【0337】
１２５．粒子ビームジェネレータは電子ビームジェネレータを備える、条項１２２又は１２３に記載の粒子ビーム装置。
【0338】
１２６．粒子ビームジェネレータはフラッドガンを備える、条項１２２～１２４の何れか一項に記載の粒子ビーム装置。
【0339】
１２７．粒子ビームに対してオブジェクトテーブルを位置決めするように構成されたステージ装置を更に備える、条項１２２～１２５項の何れか一項に記載の粒子ビーム装置。
【0340】
１２８．クランプ機構の表面が中立状態にあるとき、ＳＥＹは実質的に１に等しいと考えられる、条項１２２～１２６の何れか一項に記載の粒子ビーム装置。
【0341】
１２９．電圧差は、クランプ機構の材料特性に基づく、条項１２３を参照する条項１２３～１２７の何れか一項に記載の粒子ビーム装置。
【0342】
１３０．クランプ機構の表面が中立状態にあるとき、ＳＥＹが実質的に１に等しいことに対応する入射エネルギー（ＬＥ）を有する粒子ビームの粒子が得られるように、電圧差が選択される、条項１２７又は１２８に記載の粒子ビーム装置。
【0343】
１３１．電圧差はクランプ機構のＬＥに対するＳＥＹの導関数に基づいて選択され、それにより、ＳＥＹの導関数は入射エネルギー（ＬＥ）のあたりで負である、条項１２９に記載の粒子ビーム装置。
【0344】
１３２．制御ユニットは、粒子ビームジェネレータを制御して、クランプ機構の表面にわたって粒子ビームをスキャンするように構成されている、条項１２２～１３０の何れか一項に記載の粒子ビーム装置。
【0345】
１３３．粒子ビームは１つ以上の電子ビームを含む、条項１３１に記載の粒子ビーム装置。
【0346】
１３４．クランプ機構の材料はＳｉＯ２を含む、条項１２２～１３２の何れか一項に記載の粒子ビーム装置。
【0347】
１３５．条項１２２～１３２の何れか一項に記載の粒子ビーム装置を備える電子ビーム装置。
【0348】
１３６．条項１２２～１３２の何れか一項に記載の粒子ビーム装置を備える電子ビーム装置であって、粒子ビーム装置は、オブジェクトを処理するための第１の電子ビームジェネレータと、クランプ機構の表面の電荷を少なくとも部分的に相殺又は中和する第２の電子ビームジェネレータとを備える、電子ビーム装置。
【0349】
１３７．オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
オブジェクトテーブルからオブジェクトを持ち上げるように配置された１つ以上の上昇ピンと；
１つ以上の上昇ピン及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部を振動させるように、１つ以上の上昇ピン位置決めデバイスに作動信号を送信するように構成されたコントローラと、を備えるオブジェクトテーブル。
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
オブジェクトテーブルからオブジェクトを持ち上げるように配置された１つ以上の上昇ピンと；
１つ以上の上昇ピン及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部を振動させるように、１つ以上の上昇ピン位置決めデバイスに作動信号を送信するように構成されたコントローラと、を備えるオブジェクトテーブル。
【0350】
１３８．条項１３６に記載のオブジェクトテーブルであって、
１つ以上の上昇ピン及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部を振動させることは、１つ以上の上昇ピン及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部を、静電クランプの表面に実質的に直交する方向に移動させること；及び／又は
１つ以上の上昇ピン及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部を、静電クランプの表面に実質的に平行な方向に移動させること、を含む、オブジェクトテーブル。
１つ以上の上昇ピン及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部を振動させることは、１つ以上の上昇ピン及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部を、静電クランプの表面に実質的に直交する方向に移動させること；及び／又は
１つ以上の上昇ピン及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部を、静電クランプの表面に実質的に平行な方向に移動させること、を含む、オブジェクトテーブル。
【0351】
１３９．１つ以上のアクチュエータを備える位置決めシステムを更に備える、条項１３６又は１３７に記載のオブジェクトテーブル。
【0352】
１４０．位置決めシステムは、
１つ以上の上昇ピンの各々を移動させるように配置された少なくとも１つのアクチュエータを備える上昇ピン位置決めデバイス、
静電クランプを移動させるように配置された少なくとも１つのアクチュエータを備えるオブジェクトテーブル位置決めデバイス、及び／又は、
テーブル位置決めデバイスを移動させるように配置された少なくとも１つのアクチュエータを備える１次位置決めデバイス、を備える、条項１３８に記載のオブジェクトテーブル。
１つ以上の上昇ピンの各々を移動させるように配置された少なくとも１つのアクチュエータを備える上昇ピン位置決めデバイス、
静電クランプを移動させるように配置された少なくとも１つのアクチュエータを備えるオブジェクトテーブル位置決めデバイス、及び／又は、
テーブル位置決めデバイスを移動させるように配置された少なくとも１つのアクチュエータを備える１次位置決めデバイス、を備える、条項１３８に記載のオブジェクトテーブル。
【0353】
１４１．オブジェクトテーブルであって、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
オブジェクトテーブルからオブジェクトを持ち上げるように配置された１つ以上の上昇ピンと；
オブジェクトが静電クランプ上にある場合に、オブジェクトが１つ以上の上昇ピンに押し付けられ、それにより、オブジェクトが静電クランプから離れる方向に移動するように、１つ以上のアクチュエータに作動信号を送信してオブジェクトテーブルの少なくとも一部を移動させるように構成されたコントローラと、を備える、オブジェクトテーブル。
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
オブジェクトテーブルからオブジェクトを持ち上げるように配置された１つ以上の上昇ピンと；
オブジェクトが静電クランプ上にある場合に、オブジェクトが１つ以上の上昇ピンに押し付けられ、それにより、オブジェクトが静電クランプから離れる方向に移動するように、１つ以上のアクチュエータに作動信号を送信してオブジェクトテーブルの少なくとも一部を移動させるように構成されたコントローラと、を備える、オブジェクトテーブル。
【0354】
１４２．オブジェクトが１つ以上の上昇ピンに押し付けられたときに、１つ以上の上昇ピンが移動しないように配置されたロックシステムを更に備える、条項１４０に記載のオブジェクトテーブル。
【0355】
１４３．ロックシステムは、１つ以上の機械式ロックを備える、条項１４１に記載のオブジェクトテーブル。
【0356】
１４４．１つ以上の上昇ピン、及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部は、コントローラからの作動信号に応答して振動するように配置されている、条項１４０～１４２の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0357】
１４５．オブジェクトテーブルであって、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
オブジェクトテーブルからオブジェクトを持ち上げるように配置された複数の上昇ピンと；
オブジェクトが支持構造の表面上にあるとき、上昇ピンのうちの少なくとも１つがオブジェクトに接触し、複数の上昇ピンの全てがオブジェクトに対して同時に同じ力を印加することがないように、１つ以上のアクチュエータに作動信号を送信して、オブジェクトテーブルの少なくとも一部及び／又は複数の上昇ピンのうちの少なくとも１つの移動を制御するように構成されたコントローラと、を備える、オブジェクトテーブル。
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
オブジェクトテーブルからオブジェクトを持ち上げるように配置された複数の上昇ピンと；
オブジェクトが支持構造の表面上にあるとき、上昇ピンのうちの少なくとも１つがオブジェクトに接触し、複数の上昇ピンの全てがオブジェクトに対して同時に同じ力を印加することがないように、１つ以上のアクチュエータに作動信号を送信して、オブジェクトテーブルの少なくとも一部及び／又は複数の上昇ピンのうちの少なくとも１つの移動を制御するように構成されたコントローラと、を備える、オブジェクトテーブル。
【0358】
１４６．オブジェクトが静電クランプ上にある場合、コントローラによって送信された作動信号に応答して静電クランプからオブジェクトを除去するときに、オブジェクトテーブル及び／又は複数の上昇ピンは、オブジェクトを静電クランプに対して傾けるように配置されている、条項１４４に記載のオブジェクトテーブル。
【0359】
１４７．オブジェクトが回転された場合に、１つ以上の上昇ピンが移動しないように配置されたロックシステムを更に備える、条項１４５に記載のオブジェクトテーブル。
【0360】
１４８．ロックシステムは、１つ以上の機械式ロックを備える、条項１４６に記載のオブジェクトテーブル。
【0361】
１４９．オブジェクトが静電クランプ上にある場合に、オブジェクトが回転方向に振動するように、コントローラは、１つ以上のアクチュエータに作動信号を送信して、オブジェクトテーブル及び／又は複数のピンの移動を制御するように構成されている、条項１４４～１４７の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0362】
１５０．１つ以上の上昇ピン、及び／又はオブジェクトテーブルの少なくとも一部は、コントローラからの作動信号及び／又は更なる作動信号に応答して振動するように配置されている、条項１４４～１４８の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0363】
１５１．オブジェクトテーブルであって、オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと、オブジェクトを帯電させるように配置された１つ以上の電極と、を備え、１つ以上の電極のうちの第１のセットが、オブジェクトに電荷を印加するように配置されており、１つ以上の電極のうちの第２のセットが、オブジェクトを放電させるように配置されている、オブジェクトテーブル。
【0364】
１５２．１つ以上の電極のうちの第２のセットは、オブジェクトを放電させるために使用されるが、オブジェクトに電荷を印加するためには使用されない、条項１５０に記載のオブジェクトテーブル。
【0365】
１５３．静電クランプから離れる方向にオブジェクトを持ち上げるように構成された１つ以上の上昇ピンを更に備える、条項１５０又は１５１に記載のオブジェクトテーブル。
【0366】
１５４．オブジェクトテーブルであって、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと、
クリーニングデバイスであって、静電クランプをクリーニングするように配置されたクリーニングデバイスと、を備える、オブジェクトテーブル。
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと、
クリーニングデバイスであって、静電クランプをクリーニングするように配置されたクリーニングデバイスと、を備える、オブジェクトテーブル。
【0367】
１５５．クリーニングデバイスは、オブジェクトと共に使用される場合、オブジェクトの表面をクリーニングするように配置されている、条項１５３に記載のオブジェクトテーブル。
【0368】
１５６．静電クランプから離れる方向にオブジェクトを持ち上げるように構成された１つ以上の上昇ピンを更に備える、条項１５３又は１５４に記載のオブジェクトテーブル。
【0369】
１５７．オブジェクトを保持するためのオブジェクトテーブルであって、
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
静電クランプの残留電荷を中和するように配置された中和器と；
中和器を制御するように配置された制御ユニットと、を備える、オブジェクトテーブル。
オブジェクトをオブジェクトテーブル上にクランプするように配置された静電クランプと；
静電クランプの残留電荷を中和するように配置された中和器と；
中和器を制御するように配置された制御ユニットと、を備える、オブジェクトテーブル。
【0370】
１５８．制御ユニットは、残留力又は残留電荷を表す情報信号を受信するように配置され、残留力は、静電クランプからのオブジェクトのアンロード中に、静電クランプによってオブジェクトに印加され、残留電荷は、静電クランプに電圧が印加されていないときに、静電クランプ上に存在する静電荷であり、制御ユニットは、情報信号に基づいて中和器を制御するように配置されている、条項１５６に記載のオブジェクトテーブル。
【0371】
１５９．情報信号は、測定情報、推定情報、及び内部信号情報のうちの少なくとも１つを含む、条項１５７に記載のオブジェクトテーブル。
【0372】
１６０．測定ユニットを更に備え、測定ユニットは、残留力の測定値を提供するように構成された力センサ、及び／又はオブジェクトと静電クランプとの間のギャップの測定値を提供するように構成されたギャップセンサを備える、条項１５７又は１５８に記載のオブジェクトテーブル。
【0373】
１６１．更なる測定ユニットを更に備える、条項１５７又は１５８に記載のオブジェクトテーブルであって、更なる測定ユニットは、静電クランプの残留電荷を表す情報信号を決定するように構成され、１つ以上の電気的特性が、静電クランプの残留電荷を表し、更なる測定ユニットは、１つ以上の電気的特性として、静電クランプの１つ以上の電圧を測定するように構成され、更なる測定ユニットは、１つ以上の電気的特性として、静電クランプに供給される１つ以上の電流を測定するように構成されている、オブジェクトテーブル。
【0374】
１６２．条項１５７又は１５８に記載のオブジェクトテーブルであって、
粒子ビームを生成するように構成された粒子ビームジェネレータと、粒子ビームを検出するように構成された検出器と、を更に備え、
制御ユニットは、粒子ビームジェネレータを制御して、粒子ビームを静電クランプの表面に衝突させるように構成され、
検出器は、粒子ビームが静電クランプに衝突することにより生じる静電クランプの応答を検出するように構成され、
制御ユニットは、静電クランプの応答を表す検出器信号を検出器から受信し、検出器信号に基づいて、静電クランプ上の残留電荷を表す情報信号を決定する、ように更に構成されている、オブジェクトテーブル。
粒子ビームを生成するように構成された粒子ビームジェネレータと、粒子ビームを検出するように構成された検出器と、を更に備え、
制御ユニットは、粒子ビームジェネレータを制御して、粒子ビームを静電クランプの表面に衝突させるように構成され、
検出器は、粒子ビームが静電クランプに衝突することにより生じる静電クランプの応答を検出するように構成され、
制御ユニットは、静電クランプの応答を表す検出器信号を検出器から受信し、検出器信号に基づいて、静電クランプ上の残留電荷を表す情報信号を決定する、ように更に構成されている、オブジェクトテーブル。
【0375】
１６３．中和器は、静電クランプに放電電圧を印加するように構成された電源を備え、制御ユニットは、電源への放電電圧を制御するように配置されている、条項１５６に記載のオブジェクトテーブル。
【0376】
１６４．中和器は、静電クランプに放電電圧を印加するように構成された電源を備え、制御ユニットは、残留電荷を表す情報信号に基づいて、電源への放電電圧を制御するように配置されている、条項１５７～１６１の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0377】
１６５．中和器は、イオン化ガスの流れを供給するように配置されたイオナイザデバイスであり、制御ユニットは、イオナイザデバイスを制御して、静電クランプにイオン化ガスの流れを供給するように配置されている、条項１５７～１６１の何れか一項に記載のオブジェクトテーブル。
【0378】
１６６．条項１５６～１６４の何れか一項に記載のオブジェクトテーブルを備える装置であって、装置は、粒子ビーム装置、電子ビーム装置、走査型電子顕微鏡、電子ビームダイレクトライタ、電子ビーム投影リソグラフィ装置、電子ビーム検査装置、電子ビーム欠陥検証装置、電子ビーム計測装置、リソグラフィ装置、及び計測装置のうちの１つである、装置。
【0379】
１６７．静電クランプからオブジェクトをアンロードするための方法であって、方法は、
静電クランプからオブジェクトをアンロードすることと、
アンロードするステップの前、最中、及び／又は後に、静電クランプの残留電荷を中和することと、を含む、方法。
静電クランプからオブジェクトをアンロードすることと、
アンロードするステップの前、最中、及び／又は後に、静電クランプの残留電荷を中和することと、を含む、方法。
【0380】
１６８．条項１６６に記載の方法であって、方法は、残留力又は残留電荷を表す情報信号を提供することを含み、残留力は、静電クランプからのオブジェクトのアンロード中に、静電クランプによってオブジェクトに印加され、残留電荷は、静電クランプに帯電電圧が印加されていないときに、静電クランプ上に存在し、残留電荷を中和するステップは、情報信号に基づく、方法。
【0381】
１６９．情報信号は、測定情報、推定情報、及び内部信号情報のうちの少なくとも１つを含む、条項１６７に記載の方法。
【0382】
１７０．情報信号に基づいて静電クランプにイオン化ガスの流れを供給するステップ、及び／又は情報信号に基づいて静電クランプに放電電圧を供給するステップを備える、条項１６６～１６８の何れか一項に記載の方法。
【0383】
[00242] 本明細書では、特に静電クランプを参照しているが、本明細書の本発明は、同様の電気現象を利用する任意の電気クランプに適用可能であり得る。
【0384】
[00243] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及する場合があるが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は他の用途を有し得ることを理解されたい。可能な他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造が挙げられる。
【0385】
[00244] 本明細書では、本発明の実施形態が、リソグラフィ装置との関連で具体的に参照され得るが、本発明の実施形態は他の装置で使用してもよい。本発明の実施形態は、マスク検査装置、計測装置、又はウェーハ（又は他の基板）又はマスク（又は他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置、の一部を形成し得る。これらの装置は、一般にリソグラフィツールと呼ばれる場合がある。そのようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用し得る。
【0386】
[00245] 本明細書では、本発明の実施形態が、検査装置との関連で具体的に参照され得るが、オブジェクトテーブルは、電子ビーム装置、走査型電子顕微鏡、電子ビームダイレクトライタ、電子ビーム投影リソグラフィ装置、電子ビーム検査装置、電子ビーム欠陥検証装置、又は電子ビーム計測装置、での使用に適切であり得る。
【0387】
[00246] 本発明を、本発明の好ましい実施形態との関連で説明してきたが、以下に特許請求される本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、他の修正及び変形を加えることができることを理解されたい。
【図1a】
【図1b】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7a】
【図7b】
【図7c】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11a】
【図11b】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】