特許 7363488 エナメル線及び塗料

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-10

(45)【発行日】2023-10-18

(54)【発明の名称】エナメル線及び塗料

(51)【国際特許分類】

   H01B 7/02 20060101AFI20231011BHJP

   C09D 179/08 20060101ALI20231011BHJP

   H01B 3/30 20060101ALI20231011BHJP

【ＦＩ】

H01B7/02 A

C09D179/08 A

H01B3/30 D

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2020000406

(22)【出願日】2020-01-06

(65)【公開番号】P2021111448

(43)【公開日】2021-08-02

【審査請求日】2022-06-17

(73)【特許権者】

【識別番号】000005083

【氏名又は名称】株式会社プロテリアル

(74)【代理人】

【識別番号】110000578

【氏名又は名称】名古屋国際弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】牛渡 剛真

(72)【発明者】

【氏名】鍋島 秀太

(72)【発明者】

【氏名】本田 祐樹

【審査官】木村 励

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－４９３７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－９５５９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１１６８５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１４／１４１３２２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１３／１３６８０７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開平９－１０６７１２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｂ ７／０２

Ｃ０９Ｄ １７９／０８

Ｈ０１Ｂ ３／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

導体と、
前記導体の周囲に設けられたポリイミドから成る絶縁皮膜と、
を備えるエナメル線であって、
前記ポリイミドは、下記式（１）で表される第１の繰り返し単位及び下記式（２）で表される第２の繰り返し単位が、
前記第１の繰り返し単位のモル数Ａ１と、前記第２の繰り返し単位のモル数Ａ２との合計モル数ＡＴに対する前記モル数Ａ１の比である比Ａ１／ＡＴについて０．６以上１．０以下となるように構成され、
前記式（１）又は前記式（２）におけるＲは、下記式（３）～（６）のいずれかで示される第１の基及び下記式（７）で示される第２の基が、
前記第１の基のモル数Ｂ１と、前記第２の基のモル数Ｂ２との合計モル数ＢＴに対する前記モル数Ｂ１の比である比Ｂ１／ＢＴについて０．８以上１．０以下となるように構成されたエナメル線。

【化1】

【化2】

【化3】

【化4】

【化5】

【化6】

【化7】

【請求項2】

請求項１に記載のエナメル線であって、
前記絶縁皮膜の膜厚が４０μｍの場合の部分放電開始電圧が９７０Ｖｐ以上であるエナメル線。

【請求項3】

請求項１又は２に記載のエナメル線であって、
前記エナメル線を２０％伸長した後に、前記エナメル線の２倍径の治具に前記エナメル線を巻き付けた場合、前記絶縁皮膜に亀裂及び割れが生じないエナメル線。

【請求項4】

請求項１～３のいずれか１項に記載のエナメル線であって、
２６０℃の空気中で前記エナメル線を５００時間保存する熱処理を行った後における前記絶縁皮膜の絶縁破壊電圧が、前記熱処理を行っていない前記絶縁皮膜の絶縁破壊電圧の７０％以上であるエナメル線。

【請求項5】

ポリアミック酸を含む塗料であって、
前記ポリアミック酸は、下記式（８）で表される第１の繰り返し単位及び下記式（９）で表される第２の繰り返し単位が、
前記第１の繰り返し単位のモル数Ｃ１と、前記第２の繰り返し単位のモル数Ｃ２との合計モル数ＣＴに対する前記モル数Ｃ１の比である比Ｃ１／ＣＴについて、０．６以上１．０以下となるように構成され、
前記式（８）又は前記式（９）におけるＲは、下記式（３）～（６）のいずれかで示される第１の基及び下記式（７）で示される第２の基が、
前記第１の基のモル数Ｄ１と、前記第２の基のモル数Ｄ２との合計モル数ＤＴに対する前記モル数Ｄ１の比である比Ｄ１／ＤＴについて０．８以上１．０以下となるように構成された塗料。

【化3】

【化4】

【化5】

【化6】

【化7】

【化8】

【化9】

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示はエナメル線及び塗料に関する。

【背景技術】

【0002】

エナメル線は、導体と、絶縁皮膜とを備える。絶縁皮膜として、ポリイミドから成るものが知られている（特許文献１、２参照）。ポリイミドとして、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）と４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）とから合成されるものが知られている。

【0003】

エナメル線は、産業用モータ等のモータに使用される。近年、モータは小型化、及び軽量化されている。また、出力を向上させるために、モータは高電圧駆動される。また、動力性能向上のために、モータはインバータ駆動される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開平９－１０６７１２号公報

【文献】特開２０１４－４９３７７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

モータが高電圧駆動され、同時にインバータ駆動される場合、高電圧駆動とインバータサージとの重畳により、モータのエナメル線に部分放電が発生するリスクが高まる。部分放電が発生すると、絶縁皮膜が徐々に浸食され、最終的には絶縁不良となる。

【0006】

部分放電を抑制する方法として、絶縁皮膜の膜厚を大きくする方法がある。しかしながら、絶縁皮膜の膜厚を大きくすると、モータ内で導体の占有率が低下してしまい、モータの高出力化が困難になる。

【0007】

本開示の１つの局面は、必ずしも絶縁皮膜の膜厚を大きくしなくても部分放電を抑制できるエナメル線、及び塗料を提供することが好ましい。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本開示の１の局面は、導体と、前記導体の周囲に設けられ、下記式（１）で表される第１の繰り返し単位及び下記式（２）で表される第２の繰り返し単位を含むか又は前記第１の繰り返し単位を含むポリイミドから成る絶縁皮膜と、を備えるエナメル線である。
前記ポリイミドにおいて、前記第１の繰り返し単位のモル数Ａ１と、前記第２の繰り返し単位のモル数Ａ２との合計モル数ＡＴに対する前記モル数Ａ１の比である比Ａ１／ＡＴが０．６以上１．０以下である。

【0009】

前記ポリイミドは、前記式（１）又は前記式（２）におけるＲとして、下記式（３）～（６）のいずれかで示される第１の基及び下記式（７）で示される第２の基を含むか又は前記第１の基を含む。
前記第１の基のモル数Ｂ１と、前記第２の基のモル数Ｂ２との合計モル数ＢＴに対する前記モル数Ｂ１の比である比Ｂ１／ＢＴが０．８以上１．０以下である。

【0010】

【化1】

【0011】

【化2】

【0012】

【化3】

【0013】

【化4】

【0014】

【化5】

【0015】

【化6】

【0016】

【化7】

【0017】

本開示の１つの局面であるエナメル線は、絶縁皮膜の膜厚を必ずしも大きくしなくても、部分放電を抑制できる。
本開示の別の局面は、ポリアミック酸を含む塗料である。前記ポリアミック酸は、下記式（８）で表される第１の繰り返し単位及び下記式（９）で表される第２の繰り返し単位を含むか又は前記第１の繰り返し単位を含む。
前記ポリアミック酸において、前記第１の繰り返し単位のモル数Ｃ１と、前記第２の繰り返し単位のモル数Ｃ２との合計モル数ＣＴに対する前記モル数Ｃ１の比である比Ｃ１／ＣＴは、０．６以上１．０以下である。

【0018】

前記ポリアミック酸は、前記式（８）又は前記式（９）におけるＲとして、下記式（３）～（６）のいずれかで示される第１の基及び下記式（７）で示される第２の基を含むか又は前記第１の基を含む。
前記第１の基のモル数Ｄ１と、前記第２の基のモル数Ｄ２との合計モル数ＤＴに対する前記モル数Ｄ１の比である比Ｄ１／ＤＴが０．８以上１．０以下である。

【0019】

【化3】

【0020】

【化4】

【0021】

【化5】

【0022】

【化6】

【0023】

【化7】

【0024】

【化8】

【0025】

【化9】

【0026】

本開示の別の局面である塗料を用いて、絶縁皮膜を形成できる。形成された絶縁皮膜は、膜厚が必ずしも大きくなくても、部分放電を抑制できる。

【発明を実施するための形態】

【0027】

本開示の例示的な実施形態について説明する。
１．エナメル線の構成
エナメル線は、導体と、絶縁皮膜とを備える。導体は、例えば、銅線、アルミニウム線等の金属線から構成される。導体の断面形状は特に限定されない。導体の断面形状として、例えば、円形、平角形状等が挙げられる。導体の直径は、例えば、０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。

【0028】

絶縁皮膜は、導体の周囲に設けられる。絶縁皮膜は、例えば、導体の外周面に接している。絶縁皮膜の膜厚は、例えば、２５μｍ以上３００μｍ以下である。絶縁皮膜はポリイミドから成る。ポリイミドは、下記式（１）で表される第１の繰り返し単位を含む。ポリイミドは、下記式（２）で表される第２の繰り返し単位を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。

【0029】

【化1】

【0030】

【化2】

【0031】

式（１）で表される第１の繰り返し単位は、例えば、３，３’４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓ－ＢＰＤＡ）がジアミンと反応して生じる繰り返し単位である。式（２）で表される第２の繰り返し単位は、例えば、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）がジアミンと反応して生じる繰り返し単位である。

【0032】

ポリイミドにおいて、式（１）で表される第１の繰り返し単位のモル数をＡ１とする。ポリイミドにおいて、式（２）で表される第２の繰り返し単位のモル数をＡ２とする。ポリイミドにおいて、Ａ１とＡ２との合計モル数をＡＴとする。ＡＴに対するＡ１の比を、比Ａ１／ＡＴとする。比Ａ１／ＡＴは、０．６以上１．０以下である。

【0033】

比Ａ１／ＡＴが０．６以上であることにより、絶縁皮膜の膜厚が必ずしも大きくなくても、絶縁皮膜の部分放電開始電圧（以下ではＰＤＩＶとする）が大きくなる。ＰＤＩＶが大きいと、部分放電が生じ難い。

【0034】

比Ａ１／ＡＴが０．６以上である場合にＰＤＩＶが大きくなる理由は、以下のように推測される。式（１）で表される第１の繰り返し単位は、式（２）で表される第２の繰り返し単位より分子量が大きい。そのため、比Ａ１／ＡＴが大きいほど、イミド基の密度が低下する。イミド基の密度が低下すると、絶縁皮膜の比誘電率と吸水率とが低下する。その結果、絶縁皮膜のＰＤＩＶが大きくなる。

【0035】

また、比Ａ１／ＡＴが０．６以上であることにより、ポリイミドの分子構造が柔軟になる。ポリイミドの分子構造が柔軟になることにより、絶縁皮膜のガラス転移温度Ｔｇ、及び高温下での貯蔵弾性率が低下し、絶縁皮膜の熱可塑性が現れる。絶縁皮膜が熱可塑性を有することにより、絶縁皮膜を構成する層間の密着性が向上する。

【0036】

ポリイミドは、絶縁皮膜の特性を損ねない範囲で、式（１）で表される第１の繰り返し単位、及び式（２）で表される第２の繰り返し単位のいずれでもない繰り返し単位（以下では他の繰り返し単位Ｘとする）を含んでいてもよい。ＡＴに対し、他の繰り返し単位Ｘのモル数の比は、０．１以下であることが好ましい。

【0037】

他の繰り返し単位Ｘとして、例えば、３，３’４、４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３’４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）、４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、４，４’－（２，２－ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸二無水物（６ＦＤＡ）等がジアミンと反応して生じる繰り返し単位が挙げられる。

【0038】

ポリイミドは、第１の基を含む。第１の基は、式（１）又は式（２）におけるＲのうち、下記式（３）～（６）のいずれかで表される基である。式（１）又は式（２）におけるＲは、下記式（３）～（６）のいずれかで表される基のうちの少なくとも１つを含む。ポリイミドは、第２の基を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。第２の基は、式（１）又は式（２）におけるＲのうち、下記式（７）で表される基である。ポリイミドが、第１の基とともに第２の基を含む場合、ＰＤＩＶが大きいまま、可撓性および耐熱性を損ねないでエナメル線の製造コストを低減することができる。

【0039】

【化3】

【0040】

【化4】

【0041】

【化5】

【0042】

【化6】

【0043】

【化7】

【0044】

式（３）で表される基は、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ－Ｑ）の残基である。ＴＰＥ－Ｑは、ポリイミドの合成に使用可能なジアミンに対応する。式（４）で表される基は、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ－Ｒ）の残基である。ＴＰＥ－Ｒは、ポリイミドの合成に使用可能なジアミンに対応する。

【0045】

式（５）で表される基は、１、３―ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）の残基である。ＡＰＢは、ポリイミドの合成に使用可能なジアミンに対応する。式（６）で表される基は、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＯＤＡ）の残基である。ＢＯＤＡは、ポリイミドの合成に使用可能なジアミンに対応する。

【0046】

式（７）で表される基は、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）の残基である。ＯＤＡは、ポリイミドの合成に使用可能なジアミンに対応する。
ポリイミドにおいて、第１の基のモル数をＢ１とする。ポリイミドにおいて、第２の基のモル数をＢ２とする。ポリイミドにおいて、Ｂ１とＢ２との合計モル数をＢＴとする。ＢＴに対するＢ１の比を、比Ｂ１／ＢＴとする。比Ｂ１／ＢＴは、０．８以上１．０以下である。

【0047】

比Ｂ１／ＢＴが０．８以上であることにより、絶縁皮膜のＰＤＩＶが大きくなる。その理由は以下のように推測される。第１の基は第２の基より分子量が大きい。そのため、比Ｂ１／ＢＴが大きいほど、イミド基の密度が低下する。イミド基の密度が低下すると、絶縁皮膜の比誘電率と吸水率とが低下する。その結果、絶縁皮膜のＰＤＩＶが大きくなる。

【0048】

式（１）又は式（２）におけるＲは、例えば、その全てが、式（３）～（７）のいずれかで表される基である。また、絶縁皮膜の特性を損ねない範囲で、Ｒの一部は、式（３）～（７）のいずれにも該当しない基であってもよい。ＢＴに対し、式（３）～（７）のいずれにも該当しない基のモル数の比は、０．１以下であることが好ましい。

【0049】

ポリイミドの末端は、キャッピングされていてもよい。キャッピングに用いる材料として、例えば、無水酸を含む化合物、アミノ基を含む化合物等が挙げられる。無水酸を含む化合物として、例えば、フタル酸無水物、４－メチルフタル酸無水物、３－メチルフタル酸無水物、１，２－ナフタル酸無水物マレイン酸無水物、２，３－ナフタレンジカルボン酸無水物、各種フッ素化フタル酸無水物、各種ブロム化フタル酸無水物、各種クロル化フタル酸無水物、２，３－アントラセンジカルボン酸無水物、４－エチニルフタル酸無水物、４－フェニルエチニルフタル酸無水物等が挙げられる。アミノ基を含む化合物として、例えば、アミノ基をひとつ含む化合物が挙げられる。

【0050】

本開示のエナメル線は、絶縁皮膜の膜厚が必ずしも大きくなくても、ＰＤＩＶが大きい。絶縁皮膜の膜厚が４０μｍの場合、ＰＤＩＶが９７０Ｖｐ以上であることが好ましい。
本開示のエナメル線は、可撓性が良好である。本開示のエナメル線を２０％伸長した後に、エナメル線の２倍径の治具にエナメル線を巻き付けた場合、絶縁皮膜に亀裂及び割れが生じないことが好ましい。

【0051】

本開示のエナメル線は、耐熱性が良好である。２６０℃の空気中でエナメル線を５００時間保存する熱処理を行った後における絶縁皮膜の絶縁破壊電圧が、熱処理を行っていない絶縁皮膜の絶縁破壊電圧の７０％以上であることが好ましい。

【0052】

エナメル線は、導体と絶縁皮膜との間に、密着層を備えていてもよい。密着層は、導体と絶縁皮膜との密着性を向上させる。密着層の膜厚は、エナメル線の可撓性や耐部分放電性を損ねないように薄いことが好ましい。耐部分放電性とは、ＰＤＩＶが大きいことを意味する。密着層の膜厚は、例えば、１～１０μｍである。

【0053】

エナメル線は、導体と絶縁皮膜との間に、軟化温度の高い皮膜（以下では耐軟化層とする）を備えていてもよい。耐軟化層を備える場合、エナメル線の耐軟化性が向上する。耐軟化層の膜厚は、エナメル線の可撓性や耐部分放電性を損ねず、且つ、エナメル線の耐軟化性が向上するように、適宜設定することができる。耐軟化層の材質は、例えば、ＰＭＤＡとＯＤＡとを主たる成分としたポリイミドである。

【0054】

絶縁皮膜は、添加剤を含んでいてもよい。添加剤として、例えば、フィルム強度を改善する添加剤、表面の滑り性や耐摩耗性を向上させる添加剤、酸化防止剤、伸び特性を向上させる添加剤、低誘電率化させる添加剤、半導電化のための添加剤等が挙げられる。

【0055】

絶縁皮膜は、例えば、内部に複数の空孔を備えた絶縁皮膜であってもよい。内部に複数の空孔を備える絶縁皮膜として、例えば、発泡剤により発泡した絶縁皮膜、中空の粒子を複数含む絶縁皮膜等が挙げられる。

【0056】

２．エナメル線の製造方法
エナメル線の製造方法は、例えば、後述する塗料を用いて、導体の周囲を囲む絶縁皮膜を形成する方法である。絶縁皮膜を形成する方法は、例えば、塗料を導体に塗装し、焼き付ける工程を繰り返す方法である。焼き付けの温度は、例えば、３００～５００℃である。１回の工程における焼き付けの時間は、例えば、１～２分間である。工程を繰り返す回数は、例えば、１０～５０回である。工程を繰り返す回数が多いほど、絶縁皮膜の膜厚は大きくなる。

【0057】

エナメル線の製造方法は、塗装の方法には限定されず、高温で絶縁皮膜を成型する方法でもよい。エナメル線が密着層又は耐軟化層を備える場合は、密着層又は耐軟化層を形成した後に、絶縁皮膜を形成する。

【0058】

３．塗料の構成
塗料は、例えば、絶縁塗料である。塗料は、例えば、エナメル線用塗料である。塗料は、ポリアミック酸を含む。ポリアミック酸は、下記式（８）で表される第１の繰り返し単位を含む。ポリアミック酸は、下記式（９）で表される第２の繰り返し単位を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。

【0059】

【化8】

【0060】

【化9】

【0061】

ポリアミック酸において、式（８）で表される第１の繰り返し単位のモル数をＣ１とする。ポリアミック酸において、式（９）で表される第２の繰り返し単位のモル数をＣ２とする。ポリアミック酸において、Ｃ１とＣ２との合計モル数をＣＴとする。ＣＴに対するＣ１の比を、比Ｃ１／ＣＴとする。比Ｃ１／ＣＴは、０．６以上１．０以下である。

【0062】

比Ｃ１／ＣＴが０．６以上であることにより、塗料を用いて形成した絶縁皮膜の膜厚が必ずしも大きくなくても、絶縁皮膜のＰＤＩＶが大きくなる。
比Ｃ１／ＣＴが０．６以上である場合にＰＤＩＶが大きくなる理由は、以下のように推測される。式（８）で表される第１の繰り返し単位は、式（９）で表される第２の繰り返し単位より分子量が大きい。そのため、比Ｃ１／ＣＴが大きいほど、イミド基の密度が低下する。イミド基の密度が低下すると、絶縁皮膜の比誘電率と吸水率とが低下する。その結果、絶縁皮膜のＰＤＩＶが大きくなる。

【0063】

また、比Ｃ１／ＣＴが０．６以上であることにより、塗料を用いて形成した絶縁皮膜に含まれるポリイミドの分子構造が柔軟になる。ポリイミドの分子構造が柔軟になることにより、絶縁皮膜のガラス転移温度Ｔｇ、及び高温下での貯蔵弾性率が低下し、絶縁皮膜の熱可塑性が現れる。絶縁皮膜が熱可塑性を有することにより、絶縁皮膜を構成する層間の密着性が向上する。

【0064】

ポリアミック酸は、塗料を用いて形成した絶縁皮膜の特性を損ねない範囲で、式（８）で表される第１の繰り返し単位、及び式（９）で表される第２の繰り返し単位のいずれでもない繰り返し単位（以下では他の繰り返し単位Ｙとする）を含んでいてもよい。ＣＴに対し、他の繰り返し単位Ｙのモル数の比は、０．１以下であることが好ましい。

【0065】

他の繰り返し単位Ｙとして、例えば、ＢＴＤＡ、ＤＳＤＡ、ＯＤＰＡ、６ＦＤＡ等がジアミンと反応して生じる繰り返し単位が挙げられる。
ポリアミック酸は、第１の基を含む。第１の基は、式（８）又は式（９）におけるＲのうち、下記式（３）～（６）のいずれかで表される基である。式（８）又は式（９）におけるＲは、下記式（３）～（６）のいずれかで表される基のうちの少なくとも１つを含む。ポリアミック酸は、第２の基を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。第２の基は、式（１）又は式（２）におけるＲのうち、下記式（７）で表される基である。
ポリアミック酸が、第１の基とともに第２の基を含む場合、ＰＤＩＶが大きいまま、可撓性および耐熱性を損ねないでエナメル線の製造コストを低減することができる。

【0066】

【化3】

【0067】

【化4】

【0068】

【化5】

【0069】

【化6】

【0070】

【化7】

【0071】

式（３）で表される基は、ＴＰＥ－Ｑの残基である。ＴＰＥ－Ｑは、ポリアミック酸の合成に使用可能なジアミンに対応する。式（４）で表される基は、ＴＰＥ－Ｒの残基である。ＴＰＥ－Ｒは、ポリアミック酸の合成に使用可能なジアミンに対応する。式（５）で表される基は、ＡＰＢの残基である。ＡＰＢは、ポリアミック酸の合成に使用可能なジアミンに対応する。式（６）で表される基は、ＢＯＤＡの残基である。ＢＯＤＡは、ポリアミック酸の合成に使用可能なジアミンに対応する。式（７）で表される基は、ＯＤＡの残基である。ＯＤＡは、ポリアミック酸の合成に使用可能なジアミンに対応する。

【0072】

ポリアミック酸において、第１の基のモル数をＤ１とする。ポリアミック酸において、第２の基のモル数をＤ２とする。ポリアミック酸において、Ｄ１とＤ２との合計モル数をＤＴとする。ＤＴに対するＤ１の比を、比Ｄ１／ＤＴとする。比Ｄ１／ＤＴは、０．８以上１．０以下である。

【0073】

比Ｄ１／ＤＴが０．８以上であることにより、塗料を用いて形成した絶縁皮膜のＰＤＩＶが大きくなる。その理由は以下のように推測される。第１の基は第２の基より分子量が大きい。そのため、比Ｄ１／ＤＴが大きいほど、イミド基の密度が低下する。イミド基の密度が低下すると、絶縁皮膜の比誘電率と吸水率とが低下する。その結果、絶縁皮膜のＰＤＩＶが大きくなる。

【0074】

式（８）又は式（９）におけるＲは、例えば、その全てが、式（３）～（７）のいずれかで表される基である。また、絶縁皮膜の特性を損ねない範囲で、Ｒの一部は、式（３）～（７）のいずれにも該当しない基であってもよい。ＤＴに対し、式（３）～（７）のいずれにも該当しない基のモル数の比は、０．１以下であることが好ましい。

【0075】

ポリアミック酸の末端は、キャッピングされていてもよい。キャッピングに用いる材料として、例えば、ポリイミドのキャッピングに用いる材料と同様のものが挙げられる。
塗料の溶媒として、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、γ－ブチロラクトン、Ｎ、Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、Ｎ、Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルイミダゾリジノン（ＤＭＩ）、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、炭化水素系等が挙げられる。上述した溶媒のうち２種以上を、塗料の特性を損ねない範囲で併用してもよい。塗料の溶媒は、例えば、ポリアミック酸を合成するときの溶媒である。

【0076】

塗料は、添加剤を含んでいてもよい。添加剤として、例えば、フィルム強度を改善する添加剤、表面の滑り性や耐摩耗性を向上させる添加剤、酸化防止剤、伸び特性を向上させる添加剤、低誘電率化させる添加剤、半導電化のための添加剤等が挙げられる。

【0077】

塗料は、例えば、発泡剤、中空粒子等を含んでいてもよい。塗料が発泡剤、中空粒子等を含んでいる場合、内部に複数の空孔を備えた絶縁皮膜を形成することができる。
４．塗料の製造方法
ポリアミック酸は、例えば、酸二無水物と、ジアミンとを反応させることで製造できる。酸二無水物と、ジアミンとのモル比は、例えば、１００：１００である。また、酸二無水物と、ジアミンとのモル比は、例えば、絶縁皮膜の特性を損ねない範囲で、１００：１００から外れていてもよい。絶縁皮膜の特性とは、例えば、可撓性である。

【0078】

例えば、１００モルの酸二無水物に対し、１００．１～１０５．０モルのジアミンを配合することができる。また、例えば、１００モルのジアミンに対し、１００．１～１０５．０モルの酸二無水物を配合することができる。酸二無水物及びジアミンのうちの一方を他方に対し過剰に配合することで、ポリアミック酸の分子量を小さく制御することができる。ポリアミック酸の分子量が小さくなると、塗料の粘度が小さくなり、塗装における作業性がよくなる。

【0079】

ポリアミック酸を合成するときの温度は、生成するポリアミック酸の特性を損ねない範囲で適宜調整することができる。ポリアミック酸を合成するときの温度は、例えば、０～１００℃の範囲内である。ポリアミック酸を合成した後に、塗料を５０～１００℃程度に加温し、塗料を撹拌することで、塗料の粘度を調整してもよい。調整後の塗料の粘度は、例えば、１～５Ｐａ・ｓである。

【0080】

５．実施例
（５－１）塗料の製造
実施例１～７の塗料、及び比較例１～５の塗料を製造した。塗料の製造方法は、まず、ＮＭＰにジアミンを溶解させ、次に、酸二無水物を溶解させ、次に、室温で１２時間攪拌する方法であった。このとき、ＮＭＰの質量は８０質量部であり、ジアミンと酸二無水物との合計質量は２０質量部であった。攪拌の結果、ポリアミック酸を含む塗料が得られた。得られた塗料を、塗装作業性を良くするために希釈し、粘度を調整した。調整後の塗料の粘度は２～３Ｐａｓ／ｓｅｃであった。

【0081】

各実施例及び各比較例において、ジアミンの種類及び量、並びに、酸二無水物の種類及び量は表１に示すとおりであった。表１におけるジアミンの量は、全てのジアミンの合計モル数に対するモル比である。表１における酸二無水物の量は、全ての酸二無水物の合計モル数に対するモル比である。

【0082】

【表1】

【0083】

ただし、さらに詳しくは、各実施例及び各比較例において、酸二無水物又はジアミンのうち一方のモル数を、他方のモル数に比べて０．１～５％だけ多くした。この理由は、塗料が過度に高粘度化することを抑制するためである。表１におけるＢＡＰＰは、２，２－ビス[４－（４－アミノフェノキシ）フェニル]プロパンである。

【0084】

なお、ＰＭＤＡは、式（２）で表される第２の繰り返し単位、及び式（９）で表される第２の繰り返し単位を生じさせる酸二無水物である。ＰＭＤＡのモル数は、式（２）で表される第２の繰り返し単位のモル数と等しく、式（９）で表される第２の繰り返し単位のモル数と等しい。ｓ－ＢＰＤＡは、式（１）で表される第１の繰り返し単位、及び式（８）で表される第１の繰り返し単位を生じさせる酸二無水物である。ｓ－ＢＰＤＡのモル数は、式（１）で表される第１の繰り返し単位のモル数と等しく、式（８）で表される第１の繰り返し単位のモル数と等しい。

【0085】

ＯＤＡは、式（７）で表される第２の基を生じさせるジアミンである。ＢＯＤＡは、式（６）で表される第１の基を生じさせるジアミンである。ＴＰＥ－Ｒは、式（４）で表される第１の基を生じさせるジアミンである。
（５－２）エナメル線の製造
各実施例及び各比較例の塗料を用いて、以下の方法でエナメル線を製造した。直径０．８ｍｍの銅線を用意した。この銅線は導体に対応する。塗料を銅線に塗装し、焼き付ける工程を繰り返した。焼き付けには塗装炉を使用した。焼き付けの温度は４５０℃であった。１回の工程における焼き付けの時間は９０秒間であった。上記の工程を繰り返した回数は１５回であった。その結果、銅線の周囲に絶縁皮膜が形成され、エナメル線が得られた。絶縁皮膜の膜厚は４０μｍであった。
（５－３）エナメル線の評価
(i)ＰＤＩＶの測定
各実施例及び各比較例のエナメル線のそれぞれについて、以下の方法でＰＤＩＶを測定した。エナメル線から、５００ｍｍの長さの切断片を複数切り出した。２本の切断片からツイストペアを作成した。このツイストペアを１０個作成した。

【0086】

ツイストペアのうち、端部を含む長さ１０ｍｍの部分（以下では端末処理部とする）の絶縁皮膜を除去した。端末処理部に電極を接続した。２５℃、湿度５０％の雰囲気で、ツイストペアに５０Ｈｚの電圧を加え、１０～３０Ｖ／ｓで昇圧した。ツイストペアに１０ｐＣの放電が毎秒５０回発生したときの電圧をＰＤＩＶとした。１つのツイストペアについて、この操作を３回繰り返し、３回の測定の平均値を、そのツイストペアのＰＤＩＶとした。１０個のツイストペアのＰＤＩＶの平均値を算出した。ＰＤＩＶの測定結果を表１に示す。

【0087】

絶縁皮膜の膜厚が４０μｍのときにＰＤＩＶが９７０Ｖｐ以上であれば、耐部分放電性が良好であるとした。表１における「○」は、耐部分放電性が良好であることを示す。
(ii)可撓性の評価
各実施例及び各比較例のエナメル線のそれぞれについて、以下の方法で可撓性を評価した。エナメル線を２０％伸長した後に、エナメル線の２倍径の治具にエナメル線を巻き付けた。次に、絶縁皮膜の表面を顕微鏡で観察した。絶縁皮膜の表面に亀裂、割れ等の欠陥が無ければ、可撓性が良好であると判断した。絶縁皮膜の表面に亀裂、割れ等の欠陥が有れば、可撓性が不良であると判断した。評価結果を表１に示す。表１における「○」は可撓性が良好であることを示す。
(iii)耐熱性の評価
各実施例及び各比較例のエナメル線のそれぞれについて、以下の方法で耐熱性を評価した。２６０℃の空気中でエナメル線を５００時間保存する熱処理を行った。熱処理には恒温槽を用いた。熱処理を行った後における絶縁皮膜の絶縁破壊電圧が、熱処理を行っていない絶縁皮膜の絶縁破壊電圧の７０％以上であれば、耐熱性が良好であると判断した。熱処理を行った後における絶縁皮膜の絶縁破壊電圧が、熱処理を行っていない絶縁皮膜の絶縁破壊電圧の７０％未満であれば、耐熱性が不良であると判断した。評価結果を表１に示す。表１における「○」は耐熱性が良好であることを示し、「×」は耐熱性が不良であることを示す。
(iv)評価結果のまとめ
各実施例のエナメル線では、絶縁皮膜の膜厚が大きくなくても、ＰＤＩＶが大きかった。また、各実施例のエナメル線は、可撓性及び耐熱性も良好であった。

【0088】

比較例１～４のエナメル線では、ＰＤＩＶが低かった。比較例５のエナメル線は、耐熱性が不良であった。耐熱性が不良である理由は、塗料の原料として、脂肪族基を有するＢＡＰＰを用いているため、高温で絶縁皮膜の劣化が起こり、絶縁皮膜の絶縁性が低下したためであると推測される。

【0089】

６．他の実施形態
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されることなく、種々変形して実施することができる。

【0090】

（１）上記各実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。

【0091】

（２）上述したエナメル線の他、当該エナメル線を構成要素とするシステム、エナメル線の製造方法、塗料の製造方法等、種々の形態で本開示を実現することもできる。