特許 7370926 端子構造、配線基板及び端子構造の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-20

(45)【発行日】2023-10-30

(54)【発明の名称】端子構造、配線基板及び端子構造の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20231023BHJP

   H05K 3/34 20060101ALI20231023BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 Q

H05K3/34 502D

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2020077477

(22)【出願日】2020-04-24

(65)【公開番号】P2021174871

(43)【公開日】2021-11-01

【審査請求日】2022-12-19

(73)【特許権者】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】木曽 貴彦

【審査官】河合 俊英

(56)【参考文献】

【文献】米国特許第０９４８４２９１（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】特開２０１４－１０３２９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２６４８４１（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

Ｈ０５Ｋ ３／３４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線層と、
前記配線層を被覆する保護絶縁層と、
前記保護絶縁層を厚さ方向に貫通して前記配線層の上面の一部を露出する開口部と、
前記開口部から露出する前記配線層上に形成された接続端子と、を有し、
前記開口部の底部には、前記保護絶縁層の上面から下方に延びる内壁面から前記開口部の外方に向かって窪む窪み部と、前記窪み部の下方に形成されるとともに前記窪み部から前記内壁面よりも前記開口部の内方に突出した突出部とが連続して形成されており、
前記接続端子は、前記窪み部を充填するように形成されている端子構造。

【請求項2】

前記窪み部における前記開口部の開口幅は、前記開口部の上側の開口端における開口幅と同じ、又は前記開口端における開口幅よりも大きくなるように形成されている請求項１に記載の端子構造。

【請求項3】

前記窪み部は、前記内壁面の下端部から前記窪み部の底部である奥端部まで前記開口部の外方に向かって延びる内面を有し、
前記突出部は、前記奥端部から、前記内壁面の下端部よりも前記開口部の内方に突出した突出先端部まで延びる傾斜面を有し、
前記内壁面と前記内面とがなす内側の角度は、前記内面と前記傾斜面とがなす内側の角度よりも大きく形成されている請求項１又は請求項２に記載の端子構造。

【請求項4】

前記内面と前記傾斜面とがなす内側の角度は、前記傾斜面と前記突出部の下面とがなす内側の角度よりも大きく形成されている請求項３に記載の端子構造。

【請求項5】

前記内壁面は、前記保護絶縁層の上面から前記窪み部に向かうに連れて、前記開口部の平面中心に近づくように傾斜して形成されている請求項３又は請求項４に記載の端子構造。

【請求項6】

前記配線層の上面には、前記開口部と連通する凹部が形成されており、
前記凹部は、前記突出部の下面を露出するように形成されており、
前記接続端子は、前記凹部を充填するように形成されている請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の端子構造。

【請求項7】

前記接続端子は、前記開口部を充填するビア配線と、前記保護絶縁層の上面から上方に突出して形成された柱状端子とを有する請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の端子構造。

【請求項8】

請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の端子構造を有する配線基板。

【請求項9】

配線層を被覆する保護絶縁層を形成する工程と、
フォトリソグラフィ法により、前記保護絶縁層に、前記配線層の上面の一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部から露出する配線層上に接続端子を形成する工程と、を有し、
前記開口部の底部には、前記保護絶縁層の上面から下方に延びる内壁面から前記開口部の外方に向かって窪む窪み部と、前記窪み部の下方に形成されるとともに前記窪み部から前記内壁面よりも前記開口部の内方に突出した突出部とが連続して形成され、
前記接続端子は、前記窪み部を充填するように形成される端子構造の製造方法。

【請求項10】

前記配線層の上面に、前記開口部と連通する凹部を形成する工程を更に有し、
前記凹部は、前記突出部の下面を露出するように形成され、
前記接続端子は、前記凹部を充填するように形成される請求項９に記載の端子構造の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、端子構造、配線基板及び端子構造の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体素子等の電子部品を実装するための配線基板は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体素子の高集積化及び高機能化に伴い、半導体素子が実装される配線基板においても配線の微細化の要求が高まっている。そこで、配線パターンの形成されたベース基板上に絶縁層を形成し、その絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールに露出する配線パターン上に柱状の接続端子を形成した配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１２－５４５１９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところが、接続端子（例えば、銅層）と絶縁層（例えば、樹脂）との間で熱膨張係数が異なるため、絶縁層が加熱処理されると、絶縁層の熱収縮による変形によって接続端子の側面と絶縁層との間に隙間が発生するおそれがある。接続端子の側面と絶縁層との間に隙間が発生すると、接続端子が絶縁層から脱離しやすくなるという問題がある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一観点によれば、配線層と、前記配線層を被覆する保護絶縁層と、前記保護絶縁層を厚さ方向に貫通して前記配線層の上面の一部を露出する開口部と、前記開口部から露出する前記配線層上に形成された接続端子と、を有し、前記開口部の底部には、前記保護絶縁層の上面から下方に延びる内壁面から前記開口部の外方に向かって窪む窪み部と、前記窪み部の下方に形成されるとともに前記窪み部から前記内壁面よりも前記開口部の内方に突出した突出部とが連続して形成されており、前記接続端子は、前記窪み部を充填するように形成されている。

【発明の効果】

【0006】

本発明の一観点によれば、接続端子の脱離を抑制できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】（ａ）は、一実施形態の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、図１（ａ）に示した配線基板の一部を拡大した拡大断面図である。

【図2】（ａ）は、一実施形態の半導体装置を示す概略断面図、（ｂ）は、図２（ａ）に示した半導体装置の一部を拡大した拡大断面図である。

【図3】（ａ）～（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図4】（ａ），（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図5】（ａ），（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図6】（ａ），（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図7】変更例の配線基板を示す概略断面図である。

【図8】変更例の配線基板を示す概略断面図である。

【図9】変更例の配線基板を示す概略断面図である。

【図10】変更例の配線基板を示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、一実施形態について添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが各図面で同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から見ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から見た形状のことを言う。また、本明細書における「平行」、「直交」や「水平」は、厳密に平行、直交や水平の場合のみでなく、本実施形態における作用効果を奏する範囲内で概ね平行、直交や水平の場合も含まれる。

【0009】

図１（ａ）に示すように、配線基板１０は、基板本体１１を有している。基板本体１１の下面には、配線層２１と、ソルダーレジスト層２２とが順に積層されている。また、基板本体１１の上面には、配線層３１と、ソルダーレジスト層４０と、接続端子５０とが順に積層されている。

【0010】

基板本体１１としては、例えば、コア基板、コア基板を有するコア付きビルドアップ基板、コア基板を有していないコアレス基板を用いることができる。基板本体１１としてコアレス基板を採用する場合には、例えば、最下層の配線層２１の側面及び上面が基板本体１１の最下層の絶縁層に埋め込まれ、配線層２１の下面が最下層の絶縁層から露出されていてもよい。

【0011】

配線層２１，３１及び接続端子５０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。ソルダーレジスト層２２，４０の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などを主成分とする感光性の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層２２，４０は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。ソルダーレジスト層４０の材料としては、接続端子５０を構成する金属材料よりも高い弾性を有する樹脂材料を用いることができる。

【0012】

配線層２１は、基板本体１１の下面に形成されている。配線層２１は、配線基板１０の最下層の配線層である。
ソルダーレジスト層２２は、配線層２１の一部を被覆するように、基板本体１１の下面に積層されている。ソルダーレジスト層２２には、配線層２１の下面の一部を外部接続用パッドＰ１として露出させるための複数の開口部２２Ｘが形成されている。外部接続用パッドＰ１には、配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用される外部接続端子６２（図２（ａ）参照）が接続されるようになっている。

【0013】

本例の開口部２２Ｘの内壁面は、断面視において、配線層２１の下面に対して略垂直に延びるように形成されている。なお、開口部２２Ｘの形状はこれに限らず、開口部２２Ｘの内壁面を曲面に形成してもよいし、開口部２２Ｘをテーパ状に形成してもよい。

【0014】

開口部２２Ｘの底部に露出する配線層２１の下面には、必要に応じて、表面処理層２３が形成されている。表面処理層２３の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。表面処理層２３の他の例としては、Ｎｉ層／Ｐｄ層（Ｎｉ層とＰｄ層をこの順番で積層した金属層）、Ｐｄ／Ａｕ層（Ｐｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。ここで、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。これらＡｕ層、Ｎｉ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき層）や、電解めっき法により形成された金属層（電解めっき層）を用いることができる。また、表面処理層２３としては、開口部２２Ｘに露出する配線層２１の下面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して形成されるＯＳＰ膜を用いることもできる。ＯＳＰ膜としては、例えば、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜を用いることができる。なお、配線層２１の下面に表面処理層２３が形成されている場合には、その表面処理層２３が外部接続用パッドＰ１として機能する。

【0015】

本例では、表面処理層２３上に外部接続端子６２（図２（ａ）参照）を設けるようにしたが、開口部２２Ｘに露出する配線層２１（又は、配線層２１上に表面処理層２３が形成されている場合には、その表面処理層２３）自体を、外部接続端子としてもよい。

【0016】

配線層３１は、基板本体１１の上面に形成されている。配線層３１は、基板本体１１内の配線層や貫通電極を介して、配線層２１と電気的に接続されている。配線層３１の上面３１Ａには、基板本体１１側に凹む凹部３２が形成されている。凹部３２の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。本例の凹部３２の平面形状は、円形状に形成されている。

【0017】

ソルダーレジスト層４０は、配線層３１の一部を被覆するように、基板本体１１の上面に積層されている。ソルダーレジスト層４０は、配線基板１０の最外層（ここでは、最上層）の絶縁層である。なお、配線層３１の上面３１Ａからソルダーレジスト層４０の上面までの厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。

【0018】

ソルダーレジスト層４０には、当該ソルダーレジスト層４０を厚さ方向に貫通して配線層３１の上面３１Ａの一部を露出する開口部４１が形成されている。開口部４１は、例えば、配線層３１の凹部３２の内面を露出するように形成されている。開口部４１の底部には、例えば、凹部３２の内面の一部が露出されている。開口部４１の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。開口部４１の平面形状は、例えば、凹部３２の平面形状と同様の形状に形成されている。本例の開口部４１の平面形状は、円形状に形成されている。開口部４１の深さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。本例の開口部４１は、例えば、全体的には図１（ａ）において下側（基板本体１１側）から上側に向かうに連れて開口幅（開口径）が大きくなるテーパ状に形成されている。

【0019】

図１（ｂ）に示すように、開口部４１は、深さ方向の中途に段差部を有している。開口部４１は、その開口部４１の底部に段差部を有している。開口部４１は、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａから下方に延びる内壁面４２と、内壁面４２から開口部４１の外方に向かって窪む窪み部４３と、窪み部４３に連続して窪み部４３の下方に形成されて開口部４１の内方に向かって突出する突出部４６とを有している。突出部４６及び窪み部４３は、開口部４１の底部に連続して形成されている。換言すると、開口部４１の底部には、内壁面４２をソルダーレジスト層４０の内部に後退させる窪み部４３と、窪み部４３の下方に形成されるとともに窪み部４３から内壁面４２よりも開口部４１の内方に突出した位置まで延びる突出部４６とが連続して形成されている。これら窪み部４３及び突出部４６は、開口部４１の周方向全周にわたって連続して形成されている。そして、窪み部４３と突出部４６とによって、開口部４１の底部には段差部が形成されている。なお、突出部４６は、開口部４１の底面を構成している。

【0020】

開口部４１の内壁面４２は、例えば、開口部４１の上側の開口端４１Ａ（つまり、上端）から窪み部４３まで下方に延びるように形成されている。内壁面４２は、例えば、開口端４１Ａから開口部４１の内方（つまり、開口部４１の中心）に向かって下方に傾斜して形成されている。例えば、内壁面４２は、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａから窪み部４３に向かうに連れて、開口部４１の平面中心に近づくように傾斜して形成されている。なお、内壁面４２は、平面である必要はなく、内壁面４２の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。本例の内壁面４２は、例えば、断面視において、段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。すなわち、本例の内壁面４２は、一定の傾斜角度θ１で傾斜するように形成されている。ここで、本明細書において、傾斜角度θ１は、内壁面４２と配線層３１の上面３１Ａとがなす角度において、鋭角の角度をいう。

【0021】

窪み部４３は、内壁面４２の下端部と連続して形成されている。窪み部４３は、開口部４１の開口幅（本例では、開口径）を広げるように形成されている。例えば、窪み部４３は、開口部４１のうち内壁面４２の下端部における開口幅よりも開口部４１の開口幅が広がるように形成されている。

【0022】

窪み部４３は、窪み部４３の底部である奥端部４４と、内壁面４２の下端部から奥端部４４まで延びるように形成された内面４５とを有している。奥端部４４は、平面視において、窪み部４３のうち最も内壁面４２の下端部から離れた位置に設けられている。内面４５は、例えば、内壁面４２の下端部から開口部４１の外方（つまり、開口部４１の中心から離れる方向）に向かって下方に傾斜するように形成されている。例えば、内面４５は、内壁面４２の下端部から奥端部４４に向かうに連れて、開口部４１の平面中心から離れるように傾斜して形成されている。内面４５は、平面である必要はなく、内面４５の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。本例の内面４５は、断面視において、段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。

【0023】

窪み部４３における開口部４１の開口幅は、内壁面４２の下端部における開口部４１の開口幅よりも大きい開口幅に設定されている。窪み部４３における開口部４１の開口幅は、例えば、開口端４１Ａにおける開口幅と同じ開口幅、又は開口端４１Ａにおける開口幅よりも大きい開口幅に設定されている。具体的には、奥端部４４における開口部４１の開口幅は、開口端４１Ａにおける開口幅と同じ開口幅、又は開口端４１Ａにおける開口幅よりも大きい開口幅に設定されている。本例の奥端部４４における開口部４１の開口幅は、開口端４１Ａにおける開口幅よりも大きい開口幅に設定されている。すなわち、本例の奥端部４４は、開口端４１Ａよりもソルダーレジスト層４０の内部に後退した位置に設けられている。換言すると、本例の奥端部４４は、平面視において、開口端４１Ａよりも開口部４１の平面中心から離れた位置に設けられている。

【0024】

突出部４６は、例えば、窪み部４３の奥端部４４から開口部４１の内方（つまり、開口部４１の中心）に向かって下方に傾斜して形成された傾斜面４７を有している。傾斜面４７は、奥端部４４と連続して形成されている。傾斜面４７は、奥端部４４から突出部４６の突出先端部４８に向かうに連れて、開口部４１の平面中心に近づくように傾斜して形成されている。突出先端部４８は、突出部４６の下端部であり、突出部４６のうち最も開口部４１の平面中心に近い位置に設けられている。傾斜面４７は、平面である必要はなく、傾斜面４７の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。本例の傾斜面４７は、断面視において、段差無く直線状に延びるように傾斜した平面に形成されている。すなわち、本例の傾斜面４７は、一定の傾斜角度θ２で傾斜するように形成されている。ここで、傾斜面４７の傾斜角度θ２は、例えば、内壁面４２の傾斜角度θ１よりも小さく形成されている。なお、本明細書において、傾斜角度θ２は、配線層３１の上面３１Ａと傾斜面４７とがなす角度において、鋭角の角度をいう。

【0025】

突出先端部４８は、平面視において、内壁面４２の下端部よりも開口部４１の平面中心に近い位置に設けられている。すなわち、突出先端部４８は、内壁面４２よりも開口部４１の中心に向かって突出した位置に設けられている。例えば、突出先端部４８は、平面視において、内壁面４２が傾斜角度θ１で配線層３１の上面３１Ａまで延びた場合における内壁面４２の位置よりも開口部４１の平面中心に近い位置に設けられている。突出先端部４８における開口部４１の開口幅は、開口部４１の中で最も開口幅が小さくなるように設定されている。換言すると、突出部４６は、開口部４１の開口幅が狭くなるように形成されている。

【0026】

突出部４６は、例えば、突出先端部４８と連続して形成された下面４９を有している。下面４９は、突出先端部４８から開口部４１の外方に延びるように形成されている。下面４９は、例えば、配線層３１の上面３１Ａと平行して延びるように形成されている。このため、傾斜角度θ２は、下面４９と傾斜面４７とがなす内側の角度とも言える。

【0027】

ここで、内壁面４２と内面４５とがなす内側の角度θ３は、１８０度よりも小さい角度である。角度θ３は、例えば、鈍角である。角度θ３は、内壁面４２と内面４５との間に存在する角度である。内面４５と傾斜面４７とがなす内側の角度θ４は、例えば、角度θ３よりも小さい角度に設定されている。角度θ４は、内面４５と傾斜面４７との間に存在する角度である。内面４５と傾斜面４７とがなす内側の角度θ４は、傾斜面４７と下面４９とがなす内側の角度、つまり傾斜角度θ２よりも大きい角度に設定されている。

【0028】

また、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａから窪み部４３の奥端部４４までの開口部４１の深さＤ１は、奥端部４４から突出部４６の下面４９までの開口部４１の深さＤ２よりも長く形成されている。深さＤ１は、例えば、深さＤ２の７倍～１０倍程度の深さに設定することができる。深さＤ１と深さＤ２との比は、例えば、Ｄ１：Ｄ２＝１０：１．３程度とすることができる。

【0029】

本明細書において、突出部４６は、開口部４１のうち窪み部４３の奥端部４４から突出先端部４８までの部分のことを指す。本例の突出部４６は、奥端部４４から開口部４１の内方に向かうに連れて厚さが薄くなる断面視略三角形状に形成されている。なお、傾斜面４７のうち奥端部４４近傍の一部は、例えば、窪み部４３も構成している。例えば、傾斜面４７のうち平面視において内面４５と重なる部分は、窪み部４３も構成している。すなわち、傾斜面４７の一部は、突出部４６と窪み部４３の両方を構成している。このとき、窪み部４３は、内面４５と傾斜面４７の一部とによって構成されている。

【0030】

本例の突出部４６は、配線層３１の凹部３２の内側に突出するように形成されている。突出部４６は、凹部３２の上方に形成されている。突出部４６は、平面視において、凹部３２の外周部と重なる位置に形成されている。突出部４６は、凹部３２の上部において、その凹部３２の内側にリング状に突出するように形成されている。

【0031】

ここで、凹部３２は、開口部４１と連通するように形成されている。凹部３２は、例えば、配線層３１の上面３１Ａから配線層３１の厚さ方向の中途位置まで形成されている。すなわち、凹部３２は、その底面が配線層３１の厚さ方向の中途に位置するように形成されており、配線層３１の厚さ方向に貫通しないように形成されている。

【0032】

凹部３２の上側の開口端３２Ａ（つまり、上端）における凹部３２の開口幅は、突出先端部４８における開口部４１の開口幅よりも大きい開口幅に設定されている。凹部３２は、例えば、突出部４６の下面４９の一部を露出させるように、突出先端部４８からソルダーレジスト層４０の内側に食い込むように形成されている。凹部３２の開口端３２Ａは、平面視において、突出先端部４８よりも開口部４１の平面中心から離れた位置に設けられている。開口端３２Ａは、例えば、平面視において、開口部４１の開口端４１Ａと重なる位置、又は開口端４１Ａよりも開口部４１の平面中心から離れた位置に設けられている。開口端３２Ａは、例えば、平面視において、窪み部４３の奥端部４４と重なる位置、又は奥端部４４よりも開口部４１の平面中心に近い位置に設けられている。本例の開口端３２Ａは、平面視において、開口部４１の開口端４１Ａと窪み部４３の奥端部４４との間に位置するように設けられている。

【0033】

凹部３２の断面形状は、例えば、半円状又は半楕円状に形成されている。凹部３２の内面は、例えば、円弧状に湾曲した曲面に形成されている。凹部３２の内面は、突出部４６の下面４９から開口部４１の平面中心に近づくように下方に湾曲するように形成されている。凹部３２の深さは、例えば、２μｍ～７μｍ程度とすることができる。

【0034】

接続端子５０は、開口部４１から露出された配線層３１上に形成されている。接続端子５０は、例えば、開口部４１を充填するビア配線５１と、ビア配線５１を介して配線層３１と電気的に接続され、ソルダーレジスト層４０の上面に形成された柱状端子５２とを有している。

【0035】

ビア配線５１は、例えば、開口部４１を充填するとともに、配線層３１の凹部３２を充填するように形成されている。ビア配線５１は、開口部４１及び凹部３２と同様の形状に形成されている。ビア配線５１は、窪み部４３を充填するとともに、突出部４６の上下面、つまり傾斜面４７及び下面４９を被覆するように形成されている。これにより、窪み部４３においてビア配線５１がソルダーレジスト層４０に食い込むように形成されるとともに、ソルダーレジスト層４０である突出部４６がビア配線５１に食い込むように形成される。

【0036】

接続端子５０は、凹部３２の内面と開口部４１の内面とソルダーレジスト層４０の上面４０Ａとを被覆するシード層５３を有している。本例のシード層５３は、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａと、開口部４１の内壁面４２全面と、窪み部４３の内面４５全面と、突出部４６の傾斜面４７全面と、凹部３２から露出された下面４９全面と、凹部３２の内面全面とを連続して被覆するように形成されている。シード層５３の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。シード層５３としては、例えば、無電解めっき法により形成された無電解めっき層を用いることができる。

【0037】

接続端子５０は、シード層５３よりも内側の開口部４１及び凹部３２を充填する金属層５４を有している。本例の金属層５４は、窪み部４３を充填するとともに、突出部４６の傾斜面４７及び下面４９を被覆するように形成されている。金属層５４の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。金属層５４としては、例えば、電解めっき法により形成された電解めっき層を用いることができる。

【0038】

以上説明した開口部４１内及び凹部３２内に形成されたシード層５３と金属層５４とによって、接続端子５０のビア配線５１が構成されている。
接続端子５０は、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａに形成されたシード層５３及びビア配線５１（金属層５４）上に形成された金属ポスト５５を有している。金属ポスト５５は、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａから上方に突出するように柱状に形成されている。金属ポスト５５の上面は、例えば、円弧状に湾曲する曲面に形成されている。金属ポスト５５の上面は、例えば、凸状の曲面に形成されている。金属ポスト５５の上面は、例えば、金属ポスト５５の側面から金属ポスト５５の平面中心に近づくに連れて上方に湾曲して突出するよう形成されている。金属ポスト５５は、例えば、金属層５４と一体に形成されている。金属ポスト５５の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。金属ポスト５５としては、例えば、電解めっき法により形成された電解めっき層を用いることができる。

【0039】

以上説明した金属ポスト５５とソルダーレジスト層４０の上面４０Ａに形成されたシード層５３とによって、接続端子５０の柱状端子５２が構成されている。
接続端子５０は、例えば、電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。なお、必要に応じて、柱状端子５２の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層としては、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層、ＯＳＰ膜を用いることができる。

【0040】

以上説明した配線層３１とソルダーレジスト層４０とソルダーレジスト層４０に形成された開口部４１と接続端子５０とによって、配線基板１０の端子構造が構成されている。
なお、図１では、窪み部４３の奥端部４４の先端や、突出部４６の突出先端部４８の先端を尖った形状に図示した。但し、実際には、奥端部４４の先端及び突出先端部４８の先端は曲面状に形成される。なお、以降の図面においても、図１と同様に、奥端部４４の先端及び突出先端部４８の先端を尖った形状で図示する。

【0041】

次に、図２に従って、半導体装置６０の構造について説明する。
図２（ａ）に示すように、半導体装置６０は、配線基板１０と、１つ又は複数（ここでは、１つ）の半導体素子７０と、アンダーフィル樹脂６１と、外部接続端子６２とを有している。

【0042】

図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、半導体素子７０は、配線基板１０にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体素子７０の回路形成面（ここでは、下面）に配設された接続端子７１を、はんだ層７２を介して配線基板１０の接続端子５０に接合することにより、半導体素子７０は、接続端子７１及びはんだ層７２を介して接続端子５０と電気的に接続されている。このとき、はんだ層７２は、接続端子５０の上面に接合されるとともに、接続端子７１の下面に接合されている。

【0043】

ここで、半導体素子７０としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体素子７０としては、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることができる。なお、配線基板１０に複数の半導体素子７０を搭載する場合には、ロジックチップとメモリチップとを組み合わせて配線基板１０に搭載するようにしてもよい。

【0044】

接続端子７１としては、例えば、金属ポストを用いることができる。接続端子７１は、例えば、半導体素子７０の回路形成面から下方に延びる柱状の接続端子である。本例の接続端子７１は、例えば、円柱状に形成されている。接続端子７１の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。なお、接続端子７１としては、金属ポストの他に、例えば金バンプを用いることもできる。

【0045】

はんだ層７２としては、例えば、鉛フリーはんだのはんだめっきを用いることができる。はんだめっきの材料としては、例えば、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｂｉ系の鉛フリーはんだを用いることができる。

【0046】

アンダーフィル樹脂６１は、配線基板１０と半導体素子７０との間の隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂６１の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。

【0047】

図２（ａ）に示すように、外部接続端子６２は、配線基板１０の外部接続用パッドＰ１上に形成されている。外部接続端子６２は、例えば、図示しないマザーボード等の実装基板に設けられたパッドと電気的に接続される接続端子である。外部接続端子６２としては、例えば、はんだボールやリードピンを用いることができる。本実施形態では、外部接続端子６２として、はんだボールを用いている。

【0048】

次に、図３～図６に従って、配線基板１０の製造方法について説明する。ここでは、配線基板１０の端子構造の製造方法について詳述する。なお、説明の便宜上、最終的に配線基板１０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。

【0049】

まず、図３（ａ）に示すように、基板本体１１の上面に配線層３１が形成され、配線層３１の表面（上面及び側面）全面を被覆するソルダーレジスト層４０が基板本体１１の上面に形成された構造体を準備する。この構造体は、公知の製造方法により製造することが可能であるため、ここでは詳細な説明を省略する。なお、ソルダーレジスト層４０は、例えば、感光性のソルダーレジストフィルムをラミネートする、又は液状のソルダーレジストを塗布することにより形成することができる。ソルダーレジスト層４０の材料としては、ネガ型の感光性樹脂を用いる。ネガ型の感光性樹脂では、後工程の露光・現像工程により、光照射された露光部分が硬化されて残り、未露光部分が現像液で除去される。

【0050】

続いて、図３（ｂ）に示す工程では、図１（ｂ）に示した開口部４１の形状を得るためのフォトマスク８０を準備し、そのフォトマスク８０をソルダーレジスト層４０の上方に配置する。フォトマスク８０は、開口部４１に対応する部分を遮光するように形成されており、開口部４１以外の部分を露出する開口パターン８１を有している。そして、フォトマスク８０の開口パターン８１から露出するソルダーレジスト層４０に対して光Ｌ１を照射してソルダーレジスト層４０を露光する（露光工程）。次いで、図３（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト層４０を現像することにより、未露光部分を現像液で除去する（現像工程）。これにより、ソルダーレジスト層４０に開口部４１が形成される。すなわち、フォトリソグラフィ法により、ソルダーレジスト層４０に開口部４１が形成される。このとき、例えば、露光工程において、露光エネルギー（露光量）に対し、配線層３１の上面３１Ａからの光Ｌ１の反射量を１０％～２０％に調整することにより、開口部４１の底部に突出部４６と窪み部４３とが連続する構造を形成することができる。詳述すると、図３（ｂ）に示した露光工程において、ソルダーレジスト層４０は、顔料を含有しているため光Ｌ１の透過率が低く、且つ感光性樹脂中のフィラーにより光Ｌ１が分散される。このため、樹脂表面であるソルダーレジスト層４０の上面４０Ａ側に比べて、ソルダーレジスト層４０の下部は露光されにくい。すなわち、ソルダーレジスト層４０の下部では硬化反応が進行しにくい。また、金属表面である配線層３１の上面３１Ａ付近のソルダーレジスト層４０においては、配線層３１の上面３１Ａからの光Ｌ１の反射により硬化反応が進行する。これにより、図３（ｃ）に示した突出部４６に対応する部分の硬化反応が進行する。以上のように、ソルダーレジスト層４０の下部が露光されにくく硬化しにくいため、図３（ｃ）に示した現像工程で窪み部４３が形成され、更に配線層３１の上面３１Ａからの光Ｌ１の反射によって突出部４６が形成される。これにより、開口部４１の底部に突出部４６と窪み部４３とが連続した構造が形成される。なお、例えば、露光工程で使用する光Ｌ１の波長やソルダーレジスト層４０の組成などを調整することにより、露光エネルギーに対する配線層３１の上面３１Ａからの光Ｌ１の反射量の割合を調整することができる。

【0051】

次に、図４（ａ）に示す工程では、ソルダーレジスト層４０の開口部４１から露出する配線層３１の上面３１Ａに、開口部４１と連通する凹部３２を形成する。凹部３２は、例えば、ソルダーレジスト層４０をエッチングマスクとして配線層３１をウェットエッチングすることにより形成できる。このようなウェットエッチングを配線層３１に対して施した場合には、エッチングが配線層３１の面内方向に進行するサイドエッチ現象により、配線層３１の凹部３２を開口部４１の底部から外側に食い込むように形成することができる。すなわち、配線層３１の上面に、開口部４１の下端である突出先端部４８における開口幅よりも大きい開口幅を有する凹部３２を形成することができる。この凹部３２は、突出部４６の下面４９を露出するように形成される。

【0052】

続いて、図４（ｂ）に示す工程では、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａ全面と、開口部４１の内面全面と、凹部３２の内面全面とを連続して被覆するシード層５３を形成する。シード層５３は、例えば、無電解めっき法により形成することができる。例えば、シード層５３は、硫酸銅、水酸化ナトリウム、カルボン酸塩、硫酸ニッケル及びホルムアルデヒドを混合しためっき液を用いた無電解銅めっき法により形成することができる。

【0053】

次いで、図５（ａ）に示す工程では、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａに形成されたシード層５３上に、開口パターン８３Ｘを有するレジスト層８３を形成する。開口パターン８３Ｘは、金属ポスト５５（図１（ｂ）参照）の形成領域に対応する部分のシード層５３を露出するように形成される。レジスト層８３の材料としては、例えば、次工程の電解めっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層８３の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、シード層５３の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口パターン８３Ｘを有するレジスト層８３を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８３を形成することができる。

【0054】

次に、図５（ｂ）に示す工程では、レジスト層８３をめっきマスクとして、シード層５３上に、そのシード層５３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。すなわち、レジスト層８３の開口パターン８３Ｘから露出されたシード層５３の上面に電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）を施す。本工程により、シード層５３よりも内側の開口部４１及び凹部３２を充填する金属層５４が形成されるとともに、開口パターン８３Ｘ内に金属ポスト５５が形成される。このとき、金属層５４は、窪み部４３を充填するとともに、突出部４６の傾斜面４７及び下面４９を被覆するように形成される。また、本例では、金属ポスト５５の上面が凸状の曲面に形成される。ここで、電解めっき法により開口パターン８３Ｘ内に銅めっき膜等のめっき膜を形成する場合には、初期段階では、めっき膜の表面が凹状であり、徐々に平坦になり、その後に凸状になる。そこで、本例では、金属ポスト５５の上面が凸状になった状態で成膜を停止する。なお、金属ポスト５５の上面が平坦な状態で成膜を停止してもよいし、金属ポスト５５の上面が凹状の状態で成膜を停止してもよい。

【0055】

続いて、図６（ａ）に示す工程では、図５（ｂ）に示したレジスト層８３をアルカリ性の剥離液（例えば、有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノールなど）により除去する。

【0056】

次いで、図６（ｂ）に示すように、金属ポスト５５をエッチングマスクとして、不要なシード層５３をエッチングにより除去する。シード層５３が無電解銅めっき層である場合には、例えば、硫酸過水系のエッチング液を用いたウェットエッチングにより不要なシード層５３を除去する。これにより、開口部４１及び凹部３２に形成されたシード層５３と金属層５４とからなるビア配線５１と、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａに形成されたシード層５３と金属ポスト５５とからなる柱状端子５２とを有する接続端子５０が形成される。

【0057】

以上説明した製造工程により、図１に示した配線基板１０を製造することができる。
次に、本実施形態の作用効果を説明する。
（１）配線基板１０の端子構造は、配線層３１と、配線層３１を被覆するソルダーレジスト層４０と、ソルダーレジスト層４０を厚さ方向に貫通して配線層３１の上面の一部を露出する開口部４１と、開口部４１から露出する配線層３１上に形成された接続端子５０とを有する。開口部４１の底部には、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａから下方に延びる内壁面４２から開口部４１の外方に向かって窪む窪み部４３と、窪み部４３の下方に形成されるとともに窪み部４３から内壁面４２よりも開口部４１の内方に突出した突出部４６とが連続して形成されている。接続端子５０は、窪み部４３を充填するように形成されている。この構成によれば、開口部４１から露出する配線層３１上に形成された接続端子５０が窪み部４３を充填するように形成される。これにより、接続端子５０の一部（具体的には、窪み部４３を充填する接続端子５０）がソルダーレジスト層４０に食い込むように形成される。このため、アンカー効果により、接続端子５０とソルダーレジスト層４０との密着性を向上させることができる。この結果、接続端子５０がソルダーレジスト層４０から脱離することを好適に抑制できる。これにより、配線層３１と接続端子５０との接続信頼性を向上させることができる。

【0058】

（２）ところで、配線基板１０に半導体素子７０を実装する際には、接続端子５０と配線層３１との界面近傍に大きな応力が作用しやすい。この応力に起因して、接続端子５０と配線層３１との界面に亀裂（クラック）が発生するおそれがある。このようなクラックが発生すると、接続端子５０が配線層３１から脱離するという問題がある。

【0059】

これに対し、本実施形態の配線基板１０では、開口部４１の底部に、開口部４１の内方に突出する突出部４６が設けられている。この構成によれば、接続端子５０と配線層３１との間の一部に、金属材料からなる接続端子５０よりも高い弾性を有する突出部４６を介在させることができる。そして、この突出部４６の弾性により、接続端子５０と配線層３１との界面に発生する応力を緩和することができる。この結果、接続端子５０と配線層３１との界面にクラックが発生することを抑制できる。これにより、接続端子５０が配線層３１から脱離することを好適に抑制できる。

【0060】

（３）開口部４１の底部に窪み部４３と突出部４６とが連続して形成されるため、開口部４１の底部に段差部が形成される。具体的には、開口部４１の底部には、窪み部４３の内面４５と突出部４６の傾斜面４７とによって段差部が形成される。この構成では、開口部４１とその開口部４１を充填する接続端子５０との界面にも段差部が形成される。この段差部によって、例えば、開口部４１を構成するソルダーレジスト層４０と接続端子５０との界面に伝搬されるクラックを停止させることができる。詳述すると、例えば、配線基板１０に半導体素子７０を実装する際に、接続端子５０と配線層３１との界面にクラックが発生すると、そのクラックが開口部４１を構成するソルダーレジスト層４０と接続端子５０との界面に伝搬する場合がある。このとき、本実施形態の配線基板１０では、開口部４１の底部に段差部が形成されているため、その段差部においてクラックの伝搬を停止させることができる。具体的には、窪み部４３の奥端部４４においてクラックの伝搬を停止させることができる。これにより、クラックの伝搬を開口部４１の底部で停止させることができ、狭い範囲でクラックの伝搬を停止させることができるため、そのクラックに起因して接続端子５０がソルダーレジスト層４０から脱離することを好適に抑制できる。この結果、配線層３１と接続端子５０との接続信頼性を向上させることができる。

【0061】

（４）窪み部４３における開口部４１の開口幅を、開口部４１の上側の開口端４１Ａにおける開口幅よりも大きくなるように形成した。これにより、窪み部４３が開口部４１の外方に向かって深く窪むように形成される。このため、窪み部４３に充填される接続端子５０がソルダーレジスト層４０に深く食い込むように形成される。これにより、接続端子５０とソルダーレジスト層４０との密着性をより向上させることができ、接続端子５０がソルダーレジスト層４０から脱離することをより好適に抑制できる。

【0062】

（５）窪み部４３の内面４５と突出部４６の傾斜面４７とがなす内側の角度θ４を、傾斜面４７とソルダーレジスト層４０の下面４９とがなす内側の角度、つまり傾斜角度θ２よりも大きく形成した。これにより、平面視における突出先端部４８の位置が同じで、且つ内面４５の長さが同じである場合には、角度θ４が傾斜角度θ２よりも小さい場合に比べて、傾斜面４７の長さを短くすることができる。このため、接続端子５０と配線層３１との界面でクラックが発生した場合であっても、そのクラックの伝搬距離、例えば突出先端部４８から奥端部４４までの距離を短くすることができる。したがって、クラックの伝搬を狭い範囲で好適に停止させることができる。

【0063】

（６）配線層３１の上面に、開口部４１に連通するとともに突出部４６の下面４９を露出する凹部３２を形成し、その凹部３２を充填するように接続端子５０を形成した。この構成によれば、突出部４６の上下両面を被覆するように接続端子５０が形成される。これにより、接続端子５０の一部（具体的には、凹部３２を充填する接続端子５０）がソルダーレジスト層４０に食い込むように形成される。このため、アンカー効果により、接続端子５０とソルダーレジスト層４０との密着性を向上させることができる。この結果、接続端子５０がソルダーレジスト層４０から脱離することをより好適に抑制できる。

【0064】

（他の実施形態）
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

【0065】

・上記実施形態の開口部４１において、内壁面４２と内面４５とがなす内側の角度θ３を、内面４５と傾斜面４７とがなす内側の角度θ４よりも小さくなるように形成してもよい。

【0066】

・上記実施形態の開口部４１において、内面４５と傾斜面４７とがなす内側の角度θ４を、傾斜面４７と下面４９とがなす内側の角度、つまり傾斜角度θ２よりも小さくなるように形成してもよい。

【0067】

・例えば図７に示すように、開口部４１において、窪み部４３の奥端部４４が開口部４１の上側の開口端４１Ａと平面視において重なる位置に設けられるようにしてもよい。この場合には、開口端４１Ａにおける開口部４１の開口幅と、奥端部４４における開口部４１の開口幅とが略等しくなる。あるいは、奥端部４４を、平面視において、開口端４１Ａよりも開口部４１の平面中心に近い位置に設けるようにしてもよい。

【0068】

・例えば図８に示すように、開口部４１の内壁面４２を、断面視において、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａに対して略垂直に延びるように形成してもよい。例えば、内壁面４２の傾斜角度θ１が略９０度となるように、内壁面４２を形成してもよい。

【0069】

・上記実施形態では、金属ポスト５５の上面を凸状の曲面に形成したが、これに限定されない。例えば、金属ポスト５５の上面を凹状の曲面に形成してもよいし、金属ポスト５５の上面を平面に形成してもよい。

【0070】

・上記実施形態では、開口部４１及び凹部３２を充填するビア配線５１と、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａから上方に突出して形成された柱状端子５２とから接続端子５０を構成するようにした。これに限らず、例えば、柱状端子５２を省略してもよい。この場合には、ビア配線５１のみによって接続端子５０が構成される。

【0071】

・例えば図９に示すように、ビア配線５１を、開口部４１の深さ方向の途中まで埋め込まれた構造に変更してもよい。すなわち、ビア配線５１は、開口部４１全体を充填する構造に限定されない。但し、本変更例のビア配線５１であっても、開口部４１のうち窪み部４３を充填するように形成されている。

【0072】

・上記実施形態の凹部３２における開口幅は特に限定されない。例えば、凹部３２の開口端３２Ａを、平面視において、開口部４１の内壁面４２の下端部よりも開口部４１の平面中心に近い位置に設けるようにしてもよい。例えば、凹部３２の開口端３２Ａを、平面視において、窪み部４３の奥端部４４よりも開口部４１の平面中心から離れた位置に設けるようにしてもよい。

【0073】

・例えば図１０に示すように、配線層３１の凹部３２の形成を省略してもよい。この場合の接続端子５０は、開口部４１の底部に露出された配線層３１の上面３１Ａ上に形成される。本変更例のビア配線５１は、開口部４１のみを充填するように形成される。また、本変更例のシード層５３は、ソルダーレジスト層４０の上面４０Ａと開口部４１の内壁面４２と窪み部４３の内面４５と突出部４６の傾斜面４７と開口部４１の底部に露出した配線層３１の上面３１Ａとを連続して被覆するように形成される。

【0074】

・上記実施形態では、シード層５３を無電解めっき法（例えば、無電解銅めっき法）により形成するようにしたが、これに限定されない。例えば、シード層５３を、スパッタ法や蒸着法などにより形成するようにしてもよい。

【0075】

・上記実施形態では、シード層５３を単層構造のシード層に具体化したが、シード層５３を複数層構造（例えば、２層構造）のシード層に具体化してもよい。２層構造のシード層５３としては、例えば、チタン（Ｔｉ）層とＣｕ層とを順に積層した構造を有するシード層を挙げることができる。

【0076】

・上記実施形態では、無電解めっき層からなるシード層５３と、電解めっき層からなる金属層５４及び金属ポスト５５とによって接続端子５０を構成するようにしたが、これに限定されない。例えば、接続端子５０をはんだバンプに具体化してもよい。例えば、開口部４１の底部に露出する配線層３１上にはんだボールを搭載し、そのはんだボールを溶融してはんだバンプを形成してもよい。また、はんだめっき法等を用いて、開口部４１の底部に露出する配線層３１上にはんだバンプを形成してもよい。この場合には、例えば、図５（ｂ）に示した工程において、シード層５３をめっき給電層に利用する電解はんだめっきを施すことにより、はんだバンプとしての接続端子５０が形成される。

【0077】

・上記実施形態の配線基板１０における表面処理層２３を省略してもよい。
・上記実施形態では、配線基板１０の最外層となる保護絶縁層の一例としてソルダーレジスト層４０を例示したが、各種の感光性を有する絶縁性樹脂から保護絶縁層を形成することができる。

【0078】

・上記実施形態の半導体装置６０におけるアンダーフィル樹脂６１を省略してもよい。
・上記実施形態の半導体装置６０における外部接続端子６２を省略してもよい。
・上記実施形態の配線基板１０に、半導体素子７０の代わりに、チップコンデンサ、チップ抵抗やチップインダクタ等のチップ部品や水晶振動子などの半導体素子７０以外の電子部品を実装するようにしてもよい。

【0079】

・上記実施形態の配線基板１０を、ＣＳＰ（Chip Size Package）やＳＯＮ（Small Out line Non-Lead Package）等のパッケージに用いられる配線基板に具体化してもよい。

【符号の説明】

【0080】

１０ 配線基板
３１ 配線層
３２ 凹部
４０ ソルダーレジスト層（保護絶縁層）
４１ 開口部
４１Ａ 開口端
４２ 内壁面
４３ 窪み部
４４ 奥端部
４５ 内面
４６ 突出部
４７ 傾斜面
４８ 突出先端部
４９ 下面
５０ 接続端子
５１ ビア配線
５２ 柱状端子
６０ 半導体装置
７０ 半導体素子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】