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特許 7372247出願番号 特願 2020-537778
堆積方法
出願人 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー（識別番号 519237203）
2026年 特許公開件数ランキング 300位 77件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 439位 42件（※）
公報発行日 2023年10月31
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7372247 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年１月１９日に出願された「ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤ」と題する、米国仮特許出願第６２／６１９５７９号の優先権を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
第二表面に対して相対的に第一表面上に材料を選択的に堆積させる方法に対するニーズがあり得る。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
したがって、基材上に材料を選択的に堆積させる方法が提供され得、この方法は、
第一表面および第二表面を有する基材に提供することであって、第一表面が第二表面とは異なる、提供することと、
基材上に材料を堆積させることであって、
金属原子、ハロゲン原子および金属またはハロゲン原子ではない少なくとも一種の追加的原子を含むバルク前駆体を供給すること、
反応物質を基材に供給すること・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図１ａは、導電性を含む第一（底部）表面、および一実施形態による金属で充填された絶縁体を含む第二（側部）表面を有するギャップＡを開示する。図１ｂは、図１ａと同じギャップを開示するが、金属堆積プロセスがギャップ内の汚染によって妨げられ得ることを示す。
【図2a】
一実施形態による、層の堆積を前処理する方法を説明するフローチャートを示す。
【図2b】
一実施形態による、層の堆積方法を説明するフローチャートを示す。
【図3】
図３ａは、一実施形態による、充填される基材のギャップ構造の断面図を示す。図３ｂは、一実施形態による、充填された図３ａのギャップ構造の断面を示す。
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