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特許7382608固定電荷発現方法、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ
発明の名称 固定電荷発現方法、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ
出願人 国立大学法人東京農工大学 （識別番号 504132881）
特許公開件数ランキング 1128 位（35件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1043 位（29件）（共同出願を含む）
出願人 日新電機株式会社 （識別番号 3942）
特許公開件数ランキング 291 位（109件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 386 位（69件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-7382608
公報発行日 2023年11月17
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7382608
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