特許 7386640 ウェーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-11-16

(45)【発行日】2023-11-27

(54)【発明の名称】ウェーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   B24B 7/04 20060101AFI20231117BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20231117BHJP

   B23K 26/38 20140101ALI20231117BHJP

【ＦＩ】

B24B7/04 Z

H01L21/304 631

H01L21/304 622J

H01L21/304 601Z

B23K26/38 Z

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2019130519

(22)【出願日】2019-07-12

(65)【公開番号】P2021013995

(43)【公開日】2021-02-12

【審査請求日】2022-05-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】張 淑淵

(72)【発明者】

【氏名】陳 信良

【審査官】山村 和人

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－１９７４３４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ２４Ｂ ７／０４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｂ２３Ｋ ２６／３８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面に複数のデバイスが形成され外周に面取り部を有したウェーハの加工方法であって、
ウェーハの外周縁に沿って該表面から仕上げ厚みに至る深さに切削ブレードで切削して該面取り部を除去することでウェーハの該表面側が裏面側より小径化されるトリミングステップと、
該トリミングステップを実施した後、ウェーハの該表面にウェーハと同サイズの表面保護テープを貼着する貼着ステップと、
該貼着ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、ウェーハの該裏面にテープを貼着し、該表面保護テープをウェーハから除去する転写ステップと、
該貼着ステップを実施した後、該転写ステップを実施するまでに、該表面保護テープを該トリミングステップで小径化される該表面側のウェーハ外周縁に対応するサイズに小径化する小径化ステップと、を備え、
該小径化ステップは該研削ステップを実施した後に実施するウェーハの加工方法。

【請求項2】

該小径化ステップでは、該表面保護テープにレーザビームを照射して該表面保護テープを小径化する、請求項１に記載のウェーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ウェーハの裏面研削後に面取りの一部が残存してナイフのように尖鋭化してしまい、欠けが生じやすくなってしまうことを防止するために、研削前に、表面側からウェーハの外縁部を除去する所謂トリミングと呼ばれる技術が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。

【0003】

特許文献１及び特許文献２等に記載された技術では、トリミング加工された後のウェーハの表面に表面保護テープが貼着されて裏面を研削する。裏面が研削されて薄化されたウェーハは、裏面にダイシングテープが貼着されて表面保護テープが除去される転写作業が行われた後、ダイシングされて複数のデバイスチップへと分割される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特許第３５１５９１７号公報

【文献】特開２０１０－２４５１６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

表面保護テープの貼着時には、ウェーハより大径の表面保護テープをウェーハに貼着した後、カッターを表面保護テープに切り込ませ、ウェーハの外周縁に沿ってカッターを移動させることで表面保護テープが切断される。ウェーハの表面側の外周縁にカッターを沿わせると、デバイスが形成されているウェーハ表面側を損傷しかねないこともあり、カッターは、ウェーハの外周に沿って移動される。そのため、表面保護テープは、ウェーハの表面側の外径よりも大径に形成される。この状態で裏面が研削されると、ウェーハはトリミング後の表面側の径と同じ径に形成されるため、ウェーハ外周縁から表面保護テープがはみ出して転写時にウェーハ裏面側のダイシングテープとウェーハからはみ出した表面保護テープが貼り付いてしまうおそれがある。テープ同士が貼り付いた状態で、表面保護テープを剥離しようとすると研削で薄化されたウェーハを破損しかねない。

【0006】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、転写時のウェーハの破損を抑制することができるウェーハの加工方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、表面に複数のデバイスが形成され外周に面取り部を有したウェーハの加工方法であって、ウェーハの外周縁に沿って該表面から仕上げ厚みに至る深さに切削ブレードで切削して該面取り部を除去することでウェーハの該表面側が裏面側より小径化されるトリミングステップと、該トリミングステップを実施した後、ウェーハの該表面にウェーハと同サイズの表面保護テープを貼着する貼着ステップと、該貼着ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウェーハの該裏面にテープを貼着し、該表面保護テープをウェーハから除去する転写ステップと、該貼着ステップを実施した後、該転写ステップを実施するまでに、該表面保護テープを該トリミングステップで小径化される該表面側のウェーハ外周縁に対応するサイズに小径化する小径化ステップと、を備え、該小径化ステップは該研削ステップを実施した後に実施することを特徴とする。

【0010】

前記ウェーハの加工方法において、該表面保護テープにレーザビームを照射して該表面保護テープを小径化しても良い。

【発明の効果】

【0011】

本発明のウェーハの加工方法は、転写時のウェーハの破損を抑制することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。

【図2】図２は、図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。

【図3】図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。

【図4】図４は、図３に示されたウェーハの加工方法のトリミングステップを一部断面で示す側面図である。

【図5】図５は、図３に示されたウェーハの加工方法のトリミングステップ後のウェーハの断面図である。

【図6】図６は、図３に示されたウェーハの加工方法の貼着ステップを一部断面で示す側面図である。

【図7】図７は、図３に示されたウェーハの加工方法の小径化ステップを一部断面で示す側面図である。

【図8】図８は、図３に示されたウェーハの加工方法の小径化ステップにおいて表面保護テープの外縁部を除去する状態を一部断面で示す側面図である。

【図9】図９は、図３に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを一部断面で示す側面図である。

【図10】図１０は、図３に示されたウェーハの加工方法の研削ステップ後のウェーハの断面図である。

【図11】図１１は、図３に示されたウェーハの加工方法の転写ステップを一部断面で示す側面図である。

【図12】図１２は、図３に示されたウェーハの加工方法の分割ステップを模式的に示す斜視図である。

【図13】図１３は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。

【図14】図１４は、図１３に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを一部断面で示す側面図である。

【図15】図１５は、図１３に示されたウェーハの加工方法の小径化ステップを一部断面で示す側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

【0014】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。

【0015】

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示されたウェーハ１の加工方法である。実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハ１は、シリコン、ガリウムヒ素、ＳｉＣ（炭化ケイ素）又はサファイア、などを母材とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等である。ウェーハ１は、表面２に格子状に形成された複数の分割予定ライン３によって格子状に区画された領域にデバイス４が形成されている。即ち、ウェーハ１は、表面２に複数のデバイス４が形成されている。デバイス４は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit)又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサである。

【0016】

また、ウェーハ１は、図２に示すように、外周に面取り部５を有している。面取り部５は、表面２から裏面６に亘って形成され、厚み方向の中央が最も外周側に位置するように断面円弧状に形成されている。

【0017】

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１を仕上げ厚み７（図２に示す）まで薄化した後に、個々のデバイス４に分割する方法である。実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図３に示すように、トリミングステップＳＴ１と、貼着ステップＳＴ２と、小径化ステップＳＴ３と、研削ステップＳＴ４と、転写ステップＳＴ５と、分割ステップＳＴ６とを備える。

【0018】

（トリミングステップ）
図４は、図３に示されたウェーハの加工方法のトリミングステップを一部断面で示す側面図である。図５は、図３に示されたウェーハの加工方法のトリミングステップ後のウェーハの断面図である。トリミングステップＳＴ１は、ウェーハ１の外周縁に沿って表面２から仕上げ厚み７に至る深さに切削装置１０が切削ブレード１５で切削して表面２側から面取り部５を除去することでウェーハ１の表面２側が裏面６側より小径化されるステップである。

【0019】

トリミングステップＳＴ１では、切削装置１０が、チャックテーブル１１の保持面１２にウェーハ１の裏面６側を吸引保持する。トリミングステップＳＴ１では、切削装置１０は、図４に示すように、チャックテーブル１１を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながら切削ユニット１３のスピンドル１４により回転された切削ブレード１５をウェーハ１の表面２側から外周の面取り部５に仕上げ厚み７切り込ませて、表面２側から仕上げ厚み７分、面取り部５を除去する。トリミングステップＳＴ１後では、ウェーハ１の表面２側が、図５に示すように、裏面６側より小径化される。

【0020】

なお、実施形態１において、トリミングステップＳＴ１では、ウェーハ１上に位置付けられた切削ブレード１５が仕上げ厚み７に至る所定高さまで下降することでウェーハ１に切り込み、ウェーハ１をチャックテーブル１１で軸心回りに回転させることで面取り部５を除去する。しかしながら、本発明において、トリミングステップＳＴ１では、仕上げ厚み７に至る所定高さに位置付けられた切削ブレード１５をウェーハ１に対して水平方向に移動させてウェーハ１に切り込ませ、ウェーハ１をチャックテーブル１１で軸心回りに回転させることで面取り部５を除去しても良い。ウェーハの加工方法は、図５に示すように、ウェーハ１の全周に亘って表面２側から仕上げ厚み７分、面取り部５を除去すると貼着ステップＳＴ２に進む。

【0021】

（貼着ステップ）
図６は、図３に示されたウェーハの加工方法の貼着ステップを一部断面で示す側面図である。貼着ステップＳＴ２は、トリミングステップＳＴ１を実施した後、ウェーハ１の表面２にウェーハ１と同サイズの表面保護テープ２０を貼着するステップである。貼着ステップＳＴ２では、貼着装置３０が、チャックテーブル３１の保持面３２にウェーハ１の裏面６側を吸引保持する。貼着ステップＳＴ２では、貼着装置３０は、図６に示すように、ウェーハ１の表面２全体に表面保護テープ２０を貼着した後、ウェーハ１の中心回りに回転自在な切断ユニット３３のカッター３４をウェーハ１の外縁からはみ出した表面保護テープ２０に切り込ませて、面取り部５に当接させる。

【0022】

貼着ステップＳＴ２では、貼着装置３０は、切断ユニット３３のカッター３４とウェーハ１とをウェーハ１の中心を通りかつ鉛直方向と平行な軸心回りに相対的に回転させて、ウェーハ１の外縁からはみ出した表面保護テープ２０を除去して、ウェーハ１の表面２にウェーハ１と同サイズの表面保護テープ２０を貼着する。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の全周に亘って表面保護テープ２０のウェーハ１の外縁からはみ出した表面保護テープ２０を除去すると小径化ステップＳＴ３に進む。

【0023】

（小径化ステップ）
図７は、図３に示されたウェーハの加工方法の小径化ステップを一部断面で示す側面図である。図８は、図３に示されたウェーハの加工方法の小径化ステップにおいて表面保護テープの外縁部を除去する状態を一部断面で示す側面図である。小径化ステップＳＴ３は、貼着ステップＳＴ２を実施した後、転写ステップＳＴ５を実施するまでに、表面保護テープ２０をトリミングステップＳＴ１で小径化される表面２側のウェーハ１の外周縁８に対応するサイズに小径化するステップである。

【0024】

小径化ステップＳＴ３では、レーザ加工装置４０が、チャックテーブル４１の保持面４２にウェーハ１の裏面６側を吸引保持する。小径化ステップＳＴ３では、レーザ加工装置４０は、図５に示すように、表面保護テープ２０に対して吸収性を有する波長のレーザビーム４３を照射するレーザビーム照射ユニット４４を表面保護テープ２０のウェーハ１の表面２側の外周縁８からはみ出した部分２１に鉛直方向に沿って対向させた後、レーザビーム４３の集光点を表面保護テープ２０に設定して、図７に示すように、チャックテーブル４１を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながらレーザビーム照射ユニット４４から表面保護テープ２０にレーザビーム４３を照射する。実施形態１において、小径化ステップＳＴ３では、レーザビーム４３をウェーハ１の表面２側の外周縁８に沿って照射する。

【0025】

小径化ステップＳＴ３では、レーザ加工装置４０が、レーザビーム４３で表面保護テープ２０をアブレーション加工して、ウェーハ１の表面２側の外周縁８に沿って表面保護テープ２０を切断する。小径化ステップＳＴ３では、レーザ加工装置４０が、ウェーハ１の外周縁８の全周に亘ってレーザビーム４３を照射して、表面保護テープ２０を外周縁８に沿って切断する。小径化ステップＳＴ３では、図８に示すように、表面保護テープ２０の外周縁８からはみ出したリング状の部分２１を除去して、ウェーハ１の表面２に貼着された表面保護テープ２０を小径化する。

【0026】

こうして、小径化ステップＳＴ３では、表面保護テープ２０をレーザビーム４３で切断してトリミングステップＳＴ１で小径化される表面２側のウェーハ１の外周縁８に対応するサイズに小径化する。なお、実施形態１では、表面保護テープ２０をウェーハ１の表面２側の外周縁８と同径の円板状に形成する。ウェーハの加工方法は、表面保護テープ２０のリング状の部分２１を除去すると研削ステップＳＴ４に進む。

【0027】

こうして、実施形態１では、小径化ステップＳＴ３は、研削ステップＳＴ４を実施する前に実施する。また、実施形態１では、レーザ加工装置４０は、レーザビーム４３として、波長が１０μｍのＣＯ_２（二酸化炭素）レーザ又は波長が３５５ｎｍのＹＡＧレーザを照射する。なお、実施形態１では、レーザ加工装置４０が小径化ステップＳＴ３を実施したが、本発明では、貼着装置３０がレーザビーム照射ユニット４４を備え、貼着装置３０内でレーザビーム４３を照射し、小径化ステップＳＴ３を実施してもよい。

【0028】

（研削ステップ）
図９は、図３に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを一部断面で示す側面図である。図１０は、図３に示されたウェーハの加工方法の研削ステップ後のウェーハの断面図である。研削ステップＳＴ４は、貼着ステップＳＴ２を実施した後、ウェーハ１の裏面６を研削するである。

【0029】

研削ステップＳＴ４では、図９に示すように、研削装置５０がチャックテーブル５１の保持面５２に表面保護テープ２０を介してウェーハ１の表面２側を吸引保持する。研削ステップＳＴ４では、研削装置５０がチャックテーブル５１を軸心回りに回転させつつ研削ユニット５３の研削砥石５４を軸心回りに回転させてウェーハ１の裏面６に接触させて、裏面６を研削する。研削ステップＳＴ４では、研削装置５０が仕上げ厚み７になるまでウェーハ１を研削して薄化する。

【0030】

研削ステップＳＴ４では、ウェーハ１を仕上げ厚み７まで薄化すると、トリミングステップＳＴ１において表面２側から仕上げ厚み７分面取り部５を除去しているので、ウェーハ１は、図１０に示すように、全周に亘って面取り部５が除去される。ウェーハの加工方法は、仕上げ厚み７までウェーハ１を薄化すると転写ステップＳＴ５に進む。

【0031】

（転写ステップ）
図１１は、図３に示されたウェーハの加工方法の転写ステップを一部断面で示す側面図である。転写ステップＳＴ５は、研削ステップＳＴ４を実施した後、ウェーハ１の裏面６にテープであるダイシングテープ２２を貼着し、表面保護テープ２０をウェーハ１から除去するステップである。

【0032】

転写ステップＳＴ５では、マウンタ６０が、ウェーハ１の表面２側を表面保護テープ２０を介して保持テーブル上に保持し、ウェーハ１の外周に環状フレーム２３を保持する。環状フレーム２３は、内径がウェーハ１の外径よりも大径なリング状に形成されている。実施形態１において、転写ステップＳＴ５では、マウンタ６０が、環状フレーム２３とウェーハ１の裏面６にダイシングテープ２２を重ね、裏面６に沿って移動する貼着ローラ６１でダイシングテープ２２をウェーハ１の裏面６及び環状フレーム２３に押し付けて貼着する。実施形態１において、転写ステップＳＴ５では、マウンタ６０が、ダイシングテープ２２を環状フレーム２３に沿って切断し、表面保護テープ２０を表面２側から剥がす。ウェーハの加工方法は、ダイシングテープ２２を貼着し、表面保護テープ２０を剥がすと分割ステップＳＴ６に進む。

【0033】

（分割ステップ）
図１２は、図３に示されたウェーハの加工方法の分割ステップを模式的に示す斜視図である。分割ステップＳＴ６は、転写ステップＳＴ５後、ウェーハ１を個々のデバイス４に分割するステップである。

【0034】

実施形態１において、分割ステップＳＴ６では、図１２に示すように、切削装置７０がチャックテーブルの保持面にダイシングテープ２２を介してウェーハ１の裏面６側を吸引保持する。分割ステップＳＴ６では、切削装置７０が図示しない撮像ユニットでウェーハ１の表面２を撮像して分割予定ライン３を検出し、ウェーハ１と切削ユニット７３の切削ブレード７５との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。

【0035】

分割ステップＳＴ６では、切削装置７０が、チャックテーブルと切削ブレード７５とを分割予定ライン３に沿って相対的に移動させながらスピンドル７４により軸心回りに回転された切削ブレード７５をダイシングテープ２２に到達するまで分割予定ライン３に切り込ませて、分割予定ライン３を切削する。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の全ての分割予定ライン３を切削ブレード４５で切削して、ウェーハ１を個々のデバイス４に分割すると終了する。 なお、その後、デバイス４は、図示しないピックアップによりテープ２０１からピックアップされる。

【0036】

以上説明した実施形態１に係るウェーハの加工方法は、小径化ステップＳＴ３において、トリミングステップＳＴ１で小径化されるウェーハ１の表面２側の外周縁８に沿って表面保護テープ２０を切断するため、研削ステップＳＴ４後に表面保護テープ２０がウェーハ１の外縁からはみ出すことを抑制できる。その結果、ウェーハの加工方法は、転写ステップＳＴ５において、表面保護テープ２０がダイシングテープ２２に貼着することを抑制できるので、転写ステップＳＴ５時のウェーハ１の破損を抑制することができるという効果を奏する。

【0037】

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１３は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図１４は、図１３に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを一部断面で示す側面図である。図１５は、図１３に示されたウェーハの加工方法の小径化ステップを一部断面で示す側面図である。なお、図１３、図１４及び図１５は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0038】

実施形態２に係るウェーハの加工方法では、小径化ステップＳＴ３は、図１３に示すように、研削ステップＳＴ４を実施した後に実施する。実施形態２に係るウェーハの加工方法の研削ステップＳＴ４では、図１４に示すように、研削装置５０がチャックテーブル５１の保持面５２に表面保護テープ２０を介してウェーハ１の表面２側を吸引保持し、実施形態１と同様に、仕上げ厚み７になるまでウェーハ１を研削して薄化する。ウェーハの加工方法は、仕上げ厚み７までウェーハ１を薄化すると小径化ステップＳＴ３に進む。

【0039】

実施形態２に係るウェーハの加工方法の小径化ステップＳＴ３では、図１５に示すように、レーザ加工装置４０が、チャックテーブル４１の保持面４２にウェーハ１の裏面６側を吸引保持し、レーザビーム照射ユニット４４を表面保護テープ２０のウェーハ１の外周縁８からはみ出した部分２１に鉛直方向に沿って対向させた後、実施形態１と同様に、チャックテーブル４１を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながらレーザビーム照射ユニット４４から表面保護テープ２０にレーザビーム４３を照射する。

【0040】

小径化ステップＳＴ３では、レーザ加工装置４０が、実施形態１と同様に、レーザビーム４３で表面保護テープ２０をアブレーション加工して、ウェーハ１の表面２側の外周縁８に沿って表面保護テープ２０を切断して、ウェーハ１の表面２に貼着された表面保護テープ２０を小径化する。ウェーハの加工方法は、表面保護テープ２０を小径化すると転写ステップＳＴ５に進む。

【0041】

以上説明した実施形態２に係るウェーハの加工方法は、小径化ステップＳＴ３において、ウェーハ１の外周縁８に対応して表面保護テープ２０を切断するため、転写ステップＳＴ５前に表面保護テープ２０がウェーハ１の外縁からはみ出すことを抑制できる。その結果、ウェーハの加工方法は、転写ステップＳＴ５において、表面保護テープ２０がダイシングテープ２２に貼着することを抑制できるので、転写ステップＳＴ５時のウェーハ１の破損を抑制することができるという効果を奏する。

【0042】

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、小径化ステップＳＴ３を研削ステップＳＴ４を実施した後に実施するので、研削ステップＳＴ４では、表面保護テープ２０の部分２１がウェーハ１の表面２側の外周縁８からはみ出している。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、チャックテーブル５１の保持面５２にウェーハ１を吸引保持する際に、表面保護テープ２０の部分２１により吸引保持するための負圧がリークすることを抑制することができる。

【0043】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。なお、実施形態１及び実施形態２では、小径化ステップＳＴ３では、レーザビーム４３を照射してアブレーション加工を行って、表面保護テープ２０をリング状に切断し、外周側を除去したが、本発明では、レーザビーム４３を利用する他、切削ブレードで表面保護テープ２０を切削して、小径化しても良い。また、本発明では、分割ステップＳＴ６では、ウェーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射するアブレーション加工を行ってウェーハ１を個々のデバイス４に分割しても良く、ウェーハ１に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射して改質層を形成し、改質層を起点にウェーハ１を個々のデバイス４に分割しても良い。

【符号の説明】

【0044】

１ ウェーハ
２ 表面
４ デバイス
５ 面取り部
６ 裏面
７ 仕上げ厚み
２０ 表面保護テープ
２２ ダイシングテープ（テープ）
４３ レーザビーム
ＳＴ１ トリミングステップ
ＳＴ２ 貼着ステップ
ＳＴ３ 小径化ステップ
ＳＴ４ 研削ステップ
ＳＴ５ 転写ステップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】