特許 7386732 成膜方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-11-16

(45)【発行日】2023-11-27

(54)【発明の名称】成膜方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/316 20060101AFI20231117BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20231117BHJP

   C23C 16/42 20060101ALI20231117BHJP

   C23C 16/455 20060101ALI20231117BHJP

【ＦＩ】

H01L21/316 X

H01L21/31 B

C23C16/42

C23C16/455

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2020038628

(22)【出願日】2020-03-06

(65)【公開番号】P2021141229

(43)【公開日】2021-09-16

【審査請求日】2022-08-26

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 幸二

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 啓介

(72)【発明者】

【氏名】長谷川 智也

【審査官】小▲高▼ 孔頌

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１５４６１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００９／０２０９０８１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００８－５３３２６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３１６

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｃ２３Ｃ １６／４２

Ｃ２３Ｃ １６／４５５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理容器内において多数枚の基板に一括でシリコン酸化膜を形成する成膜方法であって、
前記処理容器内に有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物を含むシリコン原料ガスを供給するステップと、
１～１０Ｔｏｒｒ（１３３～１３３３Ｐａ）の圧力に調整された前記処理容器内に酸化ガスを供給するステップと、
を含む複数回のサイクルを実行し、
前記酸化ガスを供給するステップにおいて、前記シリコン酸化膜の膜厚の面内均一性が±２％以下かつ前記シリコン酸化膜の膜厚の面間均一性が±３％以下となるように、前記酸化ガスを供給するステップにおける酸化時間を調整する、
成膜方法。

【請求項2】

前記有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物は、２－ジメチルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサンである、
請求項１に記載の成膜方法。

【請求項3】

前記酸化ガスは、Ｏ_３ガスを含む、
請求項１又は２に記載の成膜方法。

【請求項4】

前記酸化ガスを供給するステップにおける前記処理容器内の圧力は、１．５～１０Ｔｏｒｒ（２００～１３３３Ｐａ）である、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の成膜方法。

【請求項5】

前記処理容器は、前記多数枚の基板を上下方向に間隔を有して棚状に保持する基板保持具を収容可能である、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の成膜方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、成膜方法に関する。

【背景技術】

【0002】

珪素含有膜の堆積のための前駆体として有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物を含む組成物を用いる技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１８－１５４６１５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、均一性の良好なシリコン酸化膜を高い生産性で形成できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による成膜方法は、処理容器内において多数枚の基板に一括でシリコン酸化膜を形成する成膜方法であって、前記処理容器内に有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物を含むシリコン原料ガスを供給するステップと、１～１０Ｔｏｒｒ（１３３～１３３３Ｐａ）の圧力に調整された前記処理容器内に酸化ガスを供給するステップと、を含む複数回のサイクルを実行し、前記酸化ガスを供給するステップにおいて、前記シリコン酸化膜の膜厚の面内均一性が±２％以下かつ前記シリコン酸化膜の膜厚の面間均一性が±３％以下となるように、前記酸化ガスを供給するステップにおける酸化時間を調整する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、均一性の良好なシリコン酸化膜を高い生産性で形成できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】縦型熱処理装置の構成例を示す縦断面図

【図2】図１の縦型熱処理装置の処理容器を説明するための図

【図3】実施形態の成膜方法の一例を示すフローチャート

【図4】酸化圧力を変化させたときの膜厚の面内均一性を示す図

【図5】酸化圧力を変化させたときの膜厚の面間均一性を示す図

【図6】酸化時間を変化させたときの膜厚の面内均一性を示す図

【図7】酸化時間を変化させたときの膜厚の面間均一性を示す図

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0009】

〔成膜装置〕
図１及び図２を参照し、実施形態の成膜装置の一例について説明する。以下、成膜装置として、多数枚の基板に対して一括で処理を行うバッチ式の縦型熱処理装置を例に挙げて説明する。図１は、縦型熱処理装置の構成例を示す縦断面図である。図２は、図１の縦型熱処理装置の処理容器を説明するための図である。

【0010】

縦型熱処理装置１は、全体として縦長の鉛直方向に延びた形状を有する。縦型熱処理装置１は、縦長で鉛直方向に延びた処理容器１０を有する。

【0011】

処理容器１０は、円筒体の内管１２と、内管１２の外側に同心的に載置された有天井の外管１４との二重管構造を有する。内管１２及び外管１４は、石英、炭化珪素等の耐熱材料により形成されている。処理容器１０は、内部に多数枚（例えば２５～２００枚）の半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）を上下方向に間隔を有して棚状に保持する基板保持具であるウエハボート１６を収容可能に構成される。

【0012】

内管１２の一側には、その長手方向（上下方向）に沿ってガスノズルを収容するノズル収容部１８が形成されている。例えば図２に示されるように、内管１２の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部２０を形成し、凸部２０内をノズル収容部１８として形成している。

【0013】

処理容器１０の下端は、例えばステンレス鋼により形成される円筒形状のマニホールド２２によって支持されている。マニホールド２２の上端にはフランジ部２４が形成されており、フランジ部２４上に外管１４の下端を設置して支持するようになっている。外管１４の下端とフランジ部２４との間にはＯリング等のシール部材２６を介在させて外管１４内を気密状態にしている。

【0014】

マニホールド２２の上部の内壁には、円環状の支持部２８が設けられており、支持部２８上に内管１２の下端を設置してこれを支持するようになっている。マニホールド２２の下端の開口には、蓋体３０がＯリング等のシール部材３２を介して気密に取り付けられており、処理容器１０の下端の開口、即ち、マニホールド２２の開口を気密に塞ぐようになっている。蓋体３０は、例えばステンレス鋼により形成される。

【0015】

蓋体３０の中央部には、磁性流体シール部３４を介して回転軸３６が貫通させて設けられている。回転軸３６の下部は、ボートエレベータよりなる昇降部３８のアーム３８Ａに回転自在に支持されている。

【0016】

回転軸３６の上端には回転プレート４０が設けられており、回転プレート４０上に石英製の保温筒４２を介してウエハＷを保持するウエハボート１６が載置されるようになっている。従って、昇降部３８を昇降させることによって蓋体３０とウエハボート１６とは一体として上下動し、ウエハボート１６を処理容器１０内に対して挿脱できるようになっている。

【0017】

マニホールド２２の下部の側壁であって、支持部２８の下方には、内管１２の内部へ各種のガスを導入するためのガス供給部４４が設けられている。

【0018】

ガス供給部４４は、複数（例えば３本）の石英製のガスノズル４６，４８，５０を有している。各ガスノズル４６，４８，５０は、内管１２内にその長手方向に沿って設けられると共に、その基端がＬ字状に屈曲されてマニホールド２２を貫通するようにして支持されている。

【0019】

ガスノズル４６には、配管を介してシリコン原料ガスの供給源が接続され、流量が制御されたシリコン原料ガスが導入される。シリコン原料ガスは、例えば以下の構造式Ａで示される２－ジメチルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサン（商品名ＬＴＯ８９０）等の有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物を含む。

【0020】

【化1】

【0021】

ガスノズル４８には、配管を介して酸化ガスの供給源が接続され、流量が制御された酸化ガスが導入される。酸化ガスは、例えば酸素（Ｏ_２）ガス、オゾン（Ｏ_３）ガスである。

【0022】

ガスノズル５０には、配管を介してパージガスの供給源が接続され、流量が制御されたパージガスが導入される。パージガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）ガス、窒素（Ｎ_２）ガスである。

【0023】

ガスノズル４６，４８，５０は、図２に示されるように、内管１２のノズル収容部１８内に周方向に沿って一列になるように設置されている。各ガスノズル４６，４８，５０には、その長手方向に沿って所定間隔で複数のガス孔４６ｈ，４８ｈ，５０ｈが形成されている。各ガス孔４６ｈ，４８ｈ，５０ｈは、水平方向に向けて各ガスを放出する。これにより、ウエハＷの周囲からウエハＷの主面と略平行に各ガスが供給される。所定間隔は、例えばウエハボート１６に支持されるウエハＷの間隔と同じになるように設定される。また、高さ方向の位置は、各ガス孔４６ｈ，４８ｈ，５０ｈが上下方向に隣り合うウエハＷ間の中間に位置するように設定されており、各ガスをウエハＷ間の空間部に効率的に供給できるようになっている。

【0024】

マニホールド２２の上部の側壁であって、支持部２８の上方には、ガス出口５２が形成されており、内管１２と外管１４との間の空間を介して内管１２内のガスを排気できるようになっている。ガス出口５２には、排気部５４が設けられる。排気部５４は、ガス出口５２に接続された排気通路５６を有する。排気通路５６には、圧力調整弁５８及び真空ポンプ６０が順次介設されて、処理容器１０内を真空引きできるようになっている。

【0025】

外管１４の外周側には、外管１４を覆うように円筒形状の加熱部６２が設けられている。加熱部６２は、処理容器１０内に収容されるウエハＷを加熱する。

【0026】

縦型熱処理装置１には、例えばコンピュータからなる制御部９０が設けられている。制御部９０は、プログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部等を備えている。プログラムには、制御部９０から縦型熱処理装置１の各部に制御信号を送り、後述の成膜方法を実行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。プログラムは、例えばフラッシュメモリ、ハードディスク、光ディスク等の記憶媒体に格納されて制御部９０にインストールされる。

【0027】

ところで、シリコン原料ガスと酸化ガスとを交互に供給してシリコン酸化膜を形成する場合、ウエハＷの表面に吸着したシリコン原料に含まれるＳｉ－Ｈ結合、Ｓｉ－ＣＨ_３結合等が酸化ガスの作用により切断されてＳｉ－ＯＨ結合が生成される。そして、再びシリコン原料ガスが供給されるとＳｉ－ＯＨ結合の水酸基（ＯＨ基）がシリコン原料に置き換わることにより、シリコン酸化膜が堆積する。すなわち、Ｓｉ－Ｈ結合、Ｓｉ－ＣＨ_３結合等の数が多いほど、１サイクルあたりに多くのシリコン酸化膜が堆積する。

【0028】

例えば、有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物の一例である２－ジメチルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサンは、前述の構造式Ａに示されるように、３つのＳｉ－Ｈ結合及び４つのＳｉ－ＣＨ_３結合を含む。

【0029】

一方、有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物ではないシリコン原料であるジイソプロピルアミノシラン（ＤＩＰＡＳ）は、以下の構造式Ｂで示されるようにＳｉ－Ｈ結合が３つである。

【0030】

【化2】

【0031】

このことから、シリコン原料ガスとして２－ジメチルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサン等の有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物を用いることにより、ＤＩＰＡＳを用いるよりも成膜速度が向上すると考えられる。

【0032】

しかし、Ｓｉ－Ｈ結合、Ｓｉ－ＣＨ_３結合等の数が多い場合には、Ｓｉ－Ｈ結合、Ｓｉ－ＣＨ_３結合を切断してＯＨ基で終端するためには多くの酸化ガスを要し、酸化に要する時間が長くなる。言い換えると、シリコン酸化膜を高い生産性で形成することが困難である。

【0033】

特に、縦型熱処理装置１においては、処理容器１０内に多数枚のウエハＷを収容して処理を実行するため、枚葉式の成膜装置と比べて、酸化剤によってＯＨ基で終端させる対象のＳｉ－Ｈ結合及びＳｉＣＨ_３結合の数がウエハＷの枚数に比例して多くなる。その結果、特に多くの酸化ガスを要し、酸化に要する時間が長時間化する。言い換えると、シリコン酸化膜を高い生産性で形成することが特に困難である。

【0034】

そこで、本発明者らは、鋭意検討したところ、酸化ガスを供給する際の処理容器１０内の圧力を所定の圧力範囲に調整することにより、均一性の良好なシリコン酸化膜を高い生産性で形成できることを見出した。以下、均一性の良好なシリコン酸化膜を高い生産性で形成できる成膜方法について説明する。

【0035】

〔成膜方法〕
図３を参照し、縦型熱処理装置１により実行されるシリコン酸化膜の成膜方法の一例について説明する。図３は、実施形態の成膜方法の一例を示すフローチャートである。

【0036】

まず、制御部９０は、昇降部３８を制御して、多数枚のウエハＷを保持したウエハボート１６を処理容器１０内に搬入する。また、制御部９０は、蓋体３０により処理容器１０の下端の開口を気密に塞ぎ密閉する。

【0037】

続いて、制御部９０は、排気部５４を制御して処理容器１０内を設定圧力に調整し、加熱部６２を制御してウエハＷを設定温度に調整する。また、制御部９０は、ウエハボート１６を回転させる。

【0038】

続いて、制御部９０は、ガスノズル４６から処理容器１０内に有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物を含むシリコン原料ガスを供給する（ステップＳ１１）。これにより、ウエハＷの上にシリコンが吸着する。ステップＳ１１の設定圧力は、例えば１～２Ｔｏｒｒ（１３３～２６７Ｐａ）である。

【0039】

続いて、制御部９０は、ガスノズル５０から処理容器１０内にＡｒガス、Ｎ_２ガス等のパージガスを供給しながら、排気部５４を制御して、処理容器１０内を排気する（ステップＳ１２）。これにより、処理容器１０内に残存するシリコン原料ガスがパージされる。ただし、制御部９０は、パージガスの供給と処理容器１０内の排気とを交互に行ってもよい。

【0040】

続いて、制御部９０は、ガスノズル４８から所定の圧力に調整された処理容器１０内に酸化ガスを供給する（ステップＳ１３）。これにより、ウエハＷの上に吸着したシリコンが酸化される。より具体的には、ウエハＷの表面に吸着したシリコン原料に含まれるＳｉ－Ｈ結合及びＳｉ－ＣＨ_３結合が酸化ガスの作用により切断されてＳｉ－ＯＨ結合が生成される。このとき、所定の圧力は、良好な面内均一性が得られるという観点から、１Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）以上であることが好ましく、良好な面内均一性に加えて良好な面間均一性が得られるという観点から、１．５Ｔｏｒｒ（２００Ｐａ）以上であることがより好ましい。また、所定の圧力は、後述のステップＳ１４において短時間で酸化ガスをパージできるという観点から、１０Ｔｏｒｒ（１３３３Ｐａ）以下であることが好ましい。

【0041】

続いて、制御部９０は、ガスノズル５０から処理容器１０内にＡｒガス、Ｎ_２ガス等のパージガスを供給しながら、排気部５４を制御して、処理容器１０内を排気する（ステップＳ１４）。これにより、処理容器１０内に残存する酸化ガスがパージされる。ただし、制御部９０は、パージガスの供給と処理容器１０内の排気とを交互に行ってもよい。

【0042】

続いて、制御部９０は、ステップＳ１１～Ｓ１４の繰り返し回数が設定回数に到達したか否かを判定する（ステップＳ１５）。設定回数は、形成するシリコン酸化膜の膜厚に応じて予め定められている。繰り返し回数が設定回数に到達していない場合、制御部９０は処理をステップＳ１１へ戻す。一方、繰り返し回数が設定回数に到達した場合、制御部９０は処理を終了する。これにより、ウエハＷの上に所望の膜厚を有するシリコン酸化膜が形成される。

【0043】

〔実施例〕
実施例として、縦型熱処理装置１を用い、ウエハボート１６の上部、中央部及び下部を含んで多数枚のウエハＷを搭載して、前述の成膜方法によって多数枚のウエハＷの表面にシリコン酸化膜を形成した。

【0044】

実施例では、ステップＳ１３における時間（以下「酸化時間」という。）を１０秒に固定し、ステップＳ１３における設定圧力（以下「酸化圧力」という。）を変化させて複数回の成膜処理を行った。酸化圧力は、０．５Ｔｏｒｒ（６７Ｐａ）、１．０Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）、１．５Ｔｏｒｒ（２００Ｐａ）、２．８Ｔｏｒｒ（３７３Ｐａ）、３．９Ｔｏｒｒ（５２０Ｐａ）である。また、実施例では、有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物として２－ジメチルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサンを使用し、酸化ガスとしてＯ_２ガスとＯ_３ガスとの混合ガスを使用した。

【0045】

続いて、ウエハボート１６の上部、中央部及び下部に搭載された各ウエハＷについて、面内における複数箇所の膜厚を測定した。そして、測定した複数箇所の膜厚に基づいて、ウエハＷの面内における膜厚の均一性（以下「面内均一性」という。）及び面間における膜厚の均一性（以下「面間均一性」という。）を算出した。

【0046】

図４は、酸化圧力を変化させたときの膜厚の面内均一性を示す図である。図４中、縦軸は膜厚の面内均一性［±％］を示し、横軸は酸化圧力［Ｔｏｒｒ］を示す。また、「○」印、「△」印及び「□」印は、それぞれウエハボート１６の上部、中央部及び下部に搭載されたウエハＷでの測定結果を示す。

【0047】

図４に示されるように、酸化圧力が１Ｔｏｒｒ以上である場合には、ウエハボート１６の上部、中央部及び下部に搭載されたウエハＷにおいて膜厚の面内均一性が±２％以下であり、面内均一性が良好であることが確認された。一方、酸化圧力が０．５Ｔｏｒｒである場合には、ウエハボート１６の下部に搭載されたウエハＷにおいて膜厚の面内均一性が±４．７％であり、面内均一性が大きく悪化することが確認された。このことから、酸化圧力を１Ｔｏｒｒ以上にすることにより、短い酸化時間（１０秒）で面内均一性の良好なシリコン酸化膜を形成できると考えられる。

【0048】

図５は、酸化圧力を変化させたときの膜厚の面間均一性を示す図である。図５中、縦軸は膜厚の面間均一性［±％］を示し、横軸は酸化圧力［Ｔｏｒｒ］を示す。

【0049】

図５に示されるように、酸化圧力を高くするほど、膜厚の面間均一性が向上することが確認された。特に、酸化圧力が１．５Ｔｏｒｒ以上である場合には、膜厚の面間均一性が±３％以下であり、面間均一性が良好であることが確認された。このことから、酸化圧力を１．５Ｔｏｒｒ以上にすることにより、短い酸化時間（１０秒）で面間均一性の良好なシリコン酸化膜を形成できると考えられる。

【0050】

〔参考例〕
参考例として、縦型熱処理装置１を用い、ウエハボート１６の上部、中央部及び下部を含んで多数枚のウエハＷを搭載して、前述の成膜方法によって多数枚のウエハＷの表面にシリコン酸化膜を形成した。

【0051】

参考例では、酸化圧力を０．５Ｔｏｒｒ（６７Ｐａ）に固定し、酸化時間を変化させて複数回の成膜処理を行った。酸化時間は、１０秒、１９秒、６０秒である。また、実施例では、有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物として２－ジメチルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサンを使用し、酸化ガスとしてＯ_２ガスとＯ_３ガスとの混合ガスを使用した。

【0052】

続いて、ウエハボート１６の上部、中央部及び下部に搭載された各ウエハＷについて、面内における複数箇所の膜厚を測定した。そして、測定した複数箇所の膜厚に基づいて、膜厚の面内均一性及び面間均一性を算出した。

【0053】

図６は、酸化時間を変化させたときの膜厚の面内均一性を示す図である。図６中、縦軸は膜厚の面内均一性［±％］を示し、横軸は酸化時間［ｓｅｃ］を示す。また、「○」印、「△」印及び「□」印は、それぞれウエハボート１６の上部、中央部及び下部に搭載されたウエハＷでの測定結果を示す。

【0054】

図６に示されるように、酸化時間を長くするほど、ウエハボート１６の上部、中央部及び下部に搭載されたウエハＷにおいて膜厚の面内均一性が向上することが確認された。このことから、酸化時間を長くすることにより面内均一性の良好なシリコン酸化膜を形成できると考えられる。しかし、酸化時間を長くすると成膜処理に要する時間が長くなり、生産性が低下する。すなわち、高い生産性と良好な面内均一性との両立が困難である。

【0055】

図７は、酸化時間を変化させたときの膜厚の面間均一性を示す図である。図７中、縦軸は膜厚の面間均一性［±％］を示し、横軸は酸化時間［ｓｅｃ］を示す。

【0056】

図７に示されるように、酸化時間を長くするほど、膜厚の面間均一性が向上することが確認された。このことから、酸化時間を長くすることにより面間均一性の良好なシリコン酸化膜を形成できると考えられる。しかし、酸化時間を長くすると成膜処理に要する時間が長くなり、生産性が低下する。すなわち、高い生産性と良好な面間均一性との両立が困難である。

【0057】

以上、実施例及び参考例によれば、酸化圧力を１Ｔｏｒｒ以上にすることにより、面内均一性の良好なシリコン酸化膜を高い生産性で形成できると考えられる。具体的には、図４及び図６に示されるように、酸化圧力を１Ｔｏｒｒにすることにより、短い酸化時間（１０秒）であっても酸化時間が２０秒のときと同等の面内均一性が得られる。また、図４及び図６に示されるように、酸化圧力を２．８Ｔｏｒｒにすることにより、短い酸化時間（１０秒）であっても酸化時間が６０秒のときと同等の面内均一性が得られる。

【0058】

また、実施例及び参考例によれば、酸化圧力を１．５Ｔｏｒｒ以上にすることにより、面間均一性が良好なシリコン酸化膜を高い生産性で形成できると考えられる。具体的には、図５及び図７に示されるように、酸化圧力を１．５Ｔｏｒｒにすることにより、短い酸化時間（１０秒）であっても酸化時間が２０秒のときよりも良好な面間均一性が得られる。また、図５及び図７に示されるように、酸化圧力を２．８Ｔｏｒｒにすることにより、短い酸化時間（１０秒）であっても酸化時間が６０秒のときと同等の面間均一性が得られる。さらに、図５及び図７に示されるように、酸化圧力を３．９Ｔｏｒｒにすることにより、短い酸化時間（１０秒）であっても酸化時間が６０秒のときよりも良好な面間均一性が得られる。

【0059】

以上に説明したように、実施形態の成膜方法によれば、ウエハＷに有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物を含むシリコン原料ガスを供給してウエハＷの上にシリコンを吸着させる。これにより、該化合物を含まないシリコン原料ガスを用いるよりも成膜速度が向上し、生産性が向上する。

【0060】

また、実施形態の成膜方法によれば、１～１０Ｔｏｒｒ（１３３～１３３３Ｐａ）の圧力に調整された処理容器１０内に酸化ガスを供給することにより、ウエハＷの表面に吸着した有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物を含むシリコン原料ガスを酸化する。これにより、シリコン酸化膜の膜厚の均一性が向上する。

【0061】

このように実施形態の成膜方法によれば、均一性の良好なシリコン酸化膜を高い生産性で形成できる。

【0062】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0063】

なお、上記の実施形態では、有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物が２－ジメチルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサンである場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、２－ジメチルアミノ－２，４，４，６，６－ペンタメチルシクロトリシロキサン、２－ジエチルアミノ－２，４，４，６，６－ペンタメチルシクロトリシロキサン、２－エチルメチルアミノ－２，４，４，６，６－ペンタメチルシクロトリシロキサン、２－イソ－プロピルアミノ－２，４，４，６，６－ペンタメチルシクロトリシロキサン、２－ジメチルアミノ－２，４，４，６，６，８，８－ヘプタメチルシクロテトラシロキサン、２－ジエチルアミノ－２，４，４，６，６，８，８－ヘプタメチルシクロテトラシロキサン、２－エチルメチルアミノ－２，４，４，６，６，８，８－ヘプタメチルシクロテトラシロキサン、２－イソ－プロピルアミノ－２，４，４，６，６，８，８－ヘプタメチルシクロテトラシロキサン、２－ジメチルアミノ－２，４，６－トリメチルシクロトリシロキサン、２－ジエチルアミノ－２，４，６－トリメチルシクロトリシロキサン、２－エチルメチルアミノ－２，４，６－トリメチルシクロトリシロキサン、２－イソ－プロピルアミノ－２，４，６－トリメチルシクロトリシロキサン、２－ジエチルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサン、２－エチルメチルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサン、及び２－イソ－プロピルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサン等の環状の有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物であってもよい。また、例えば１－ジメチルアミノ－１，１，３，３，５，５－ヘキサメチル－５－メトキシトリシロキサン、１－ジメチルアミノ－１，１，３，３，５，５，７，７－オクタメチル－７－メトキシトリシロキサン、１－ジメチルアミノ－１，１，３，３，５，５－ヘキサメチル－５－アセトキシトリシロキサン、１－ジメチルアミノ－１，１，３，３，５，５，７，７－オクタメチル－７－アセトキシトリシロキサン、１－ジメチルアミノ－１，１，３，３，５，５，７，７，９，９，９－ウンデカメチルペンタシロキサン、１－ジメチルアミノ－１，１，３，３，５，５，７，７－オクタメチルテトラシロキサン、１－ジメチルアミノ－１，１，３，３，５，５，７，７，９，９－デカメチルペンタシロキサン、１－ジメチルアミノ－１，３，３，５，５，７，７，７－オクタメチルテトラシロキサン、１－ジメチルアミノ－１，３，３，５，５，７，７，９，９，９－デカメチルペンタシロキサン、１－ジメチルアミノ－３，３，５，５，７，７，７－ヘプタメチルテトラシロキサン、１－ジメチルアミノ－３，３，５，５，７，７，９，９，９－ノナメチルペンタシロキサン、１－ジメチルアミノ－１，３，５，７，７，７－ヘキサメチルテトラシロキサン、及び１－ジメチルアミノ－１，３，５，７，９，９，９－ヘプタメチルペンタシロキサン等の直鎖状の有機アミノ官能化オリゴシロキサン化合物であってもよい。

【符号の説明】

【0064】

１０ 処理容器
１６ ウエハボート
Ｗ ウエハ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】