特許7390826IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

この発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、図１３および図１４の凹部１２１では、密着性が十分でない場合がある。さらに、アンカー層１２０は、導電性板１０３のパワー半導体チップ１０１の周囲のみに設けられて、アンカー層１２０が設けられていない導電性板１０３では、モールド樹脂１０７との密着性が向上されていなく、この箇所で導電性板１０３とモールド樹脂１０７との剥離が生じるおそれがある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子をおもて面に搭載した導電性板と、前記半導体素子と前記導電性板の少なくともおもて面とを内部に封入する樹脂と、を備える。前記導電性板はレーザー光照射で形成された複数の孔をおもて面に有する。前記複数の孔は、孔の中心と隣り合う孔の中心との距離は１５０μｍ～５００・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法によれば、導電性板と樹脂との密着性を高めて剥離を防止できるという効果を奏する。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの構成を示す断面図である。
【図2】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔を示す断面図である。
【図3A】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔の形状を示す断面図である（その１）。
【図3B】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔の形状を示す断面図である（その２）。
【図3C】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔の形状を示す断面図である（その３）。
【図3D】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔の形状を示す写真である（その１）。
【図3E】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔の形状を示す写真である（その２）。
【図4A】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔の開口部の形状を示す断面図である（その１）。
【図4B】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔の開口部の形状を示す断面図である（その２）。
【図5】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔のふくらみ形状での寸法を示す断面図である。
【図6】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔のふくらみ形状での寸法と密着性とを示す表である。
【図7】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔のＶ字形状での寸法を示す断面図である。
【図8】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔のＶ字形状での寸法と密着性とを示す表である。
【図9】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔の傾斜角度を示す断面図である。
【図10】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの導電性板のドット状の孔の突起を示す断面図である。
【図11】 実施の形態にかかるパワー半導体モジュールのプリン試験を示す斜視図である。
【図12】 従来のパワー半導体モジュールの構成を示す断面図である。
【図13】 従来のパワー半導体モジュールのアンカー層の凹部の配置を示す平面図である。
【図14】 従来のパワー半導体モジュールのアンカー層の凹部の構成を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１、１０１ パワー半導体チップ ２、１０２ 絶縁基板 ３、１０３ 導電性板 ４、１０４ 放熱板 ５、１０５ 金属端子 ６、１０６ ワイヤ ７、１０７ モールド樹脂 ８、１０８ 接合材 ９ ドット状の孔 ５０、１５０ パワー半導体モジュール １２０ アンカー層 １２１ 凹部

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