特許7390837IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

基板処理方法および基板処理装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

薬液を回転する基板に供給する液処理において、処理液の消費量を抑制しつつ液処理の面内均一性を高める技術を提供する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様に係る基板処理方法は、基板を加熱して前記基板の温度を上昇させる基板昇温工程と、前記基板昇温工程の後に、前記基板を加熱するとともに第１回転数で回転させながら前記基板の第１面にプリウエット液を供給して、前記基板の第１面に前記プリウエット液の液膜を形成する液膜形成工程と、前記液膜形成工程の後に、前記基板を加熱するとともに前記第１回転数よりも低い第２回転数で回転させながら前記基板の第１・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示によれば、薬液を回転する基板に供給する液処理において、液処理の面内均一性を高めることができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 基板処理装置の一基板処理システムの縦断側面図である。
【図2】 図１の基板処理システムに設けられた処理ユニットの構成の一例を示す概略縦断面図である。
【図3】 処理ユニットの裏面ノズルに温調用ＤＩＷを供給する温調用ＤＩＷ供給機構の一例を示す配管系等図である。
【図4A】 一液処理の工程について説明する作用図である。
【図4B】 一液処理の工程について説明する作用図である。
【図4C】 一液処理の工程について説明する作用図である。
【図5A】 一液処理の工程について説明する作用図である。
【図5B】 一液処理の工程について説明する作用図である。
【図5C】 一液処理の工程について説明する作用図である。
【図6】 一液処理の工程について説明する作用図である。
【図7】 一液処理の工程について説明する作用図である。
【図8】 一液処理の工程について説明する作用図である。
【図9】 ウエハ昇温工程からリンス工程までの間のウエハ温度の推移の一例について説明するグラフである。
【図10】 基板処理システム内のＨＤＩＷおよびＣＤＩＷ配管系統の一例について概略的に示す配管系等図である。
【図11】 基板処理システム内のＨＤＩＷ配管系統の他の例について概略的に示す配管系等図である。

代表図 図1本件の代表的な図

Ｗ 基板 Ｓ１ 基板昇温工程 Ｓ２ 液膜形成工程 Ｓ３ 薬液処理工程 Ｓ４ 基板降温工程

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