ホーム > 特許ランキング > 古河電気工業株式会社
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-29
(45)【発行日】2023-12-07
(54)【発明の名称】マッハツェンダ干渉計の検査方法およびプログラム
(51)【国際特許分類】
G01M 11/00 20060101AFI20231130BHJP
G02F 1/01 20060101ALI20231130BHJP
【ＦＩ】
G01M11/00 T
G02F1/01 C
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2020022450
(22)【出願日】2020-02-13
(65)【公開番号】P2021128246
(43)【公開日】2021-09-02
【審査請求日】2022-12-22
(73)【特許権者】
【識別番号】000005290
【氏名又は名称】古河電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】寺田 陽祐
(72)【発明者】
【氏名】有賀 麻衣子
(72)【発明者】
【氏名】清田 和明
(72)【発明者】
【氏名】神徳 正樹
【審査官】井上 徹
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１５－２０６９７７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特許第６２７１１０６（ＪＰ，Ｂ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／００６３７４２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０２６７３８４（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｍ １１／００－Ｇ０１Ｍ １１／０８
Ｇ０２Ｆ １／００－Ｇ０２Ｆ １／１２５
Ｇ０２Ｆ １／２１－Ｇ０２Ｆ ７／００
Ｇ０２Ｂ ６／１２－Ｇ０２Ｂ ６／１４
ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＭＥＤＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）
ＩＥＥＥ Ｘｐｌｏｒｅ
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
導波路を有する第１アーム部と第２アーム部とを備え、前記第１アーム部が、導波路を有する第３アーム部と第４アーム部とを備えた第１マッハツェンダ干渉計と前記第１マッハツェンダ干渉計と直列接続する第１導波路とを有し、前記第２アーム部が、導波路を有する第５アーム部と第６アーム部とを備える第２マッハツェンダ干渉計と前記第２マッハツェンダ干渉計と直列接続する第２導波路とを有する、マッハツェンダ干渉計の検査方法であって、前記マッハツェンダ干渉計に光を入力させる入力ステップと、
前記光を入力させた状態で、前記第１導波路および前記第２導波路のいずれか一方に、導波路の屈折率を互いに異なる一定値にする複数の制御量のそれぞれを与える制御量付与ステップと、
前記複数の制御量を与えたそれぞれのステップにて、前記マッハツェンダ干渉計から出力された光の強度を測定する測定ステップと、
前記光の強度の測定の結果をもとに、前記第１導波路および前記第２導波路のいずれか他方に接続された前記第１マッハツェンダ干渉計または前記第２マッハツェンダ干渉計の干渉特性を取得する取得ステップと、
を含み、
前記測定ステップにおいて、前記取得ステップにて前記干渉特性を取得する前記第１マッハツェンダ干渉計または前記第２マッハツェンダ干渉計の導波路の屈折率を変化させ、
前記取得ステップにおいて、前記測定ステップにおいて測定された複数の光の強度の平均値をもとに、前記干渉特性を取得し、前記屈折率を変化させたことによって得られた前記平均値の極値のうち、極小値の少なくとも一つを前記干渉特性におけるヌル点と推定する
マッハツェンダ干渉計の検査方法。
【請求項2】
前記制御量付与ステップを前記第１導波路に対して実行し、前記測定ステップを実行することによって、前記取得ステップにおいて前記第２マッハツェンダ干渉計の干渉特性を取得し、前記制御量付与ステップを前記第２導波路に対して実行し、前記測定ステップを実行することによって、前記取得ステップにおいて前記第１マッハツェンダ干渉計の干渉特性を取得する
請求項１に記載のマッハツェンダ干渉計の検査方法。
【請求項3】
前記取得ステップにおいて、前記測定ステップにおいて測定された複数の光の強度の制御量に対する関係を示す曲線の交点をもとに、前記干渉特性におけるヌル点を推定する請求項１または２に記載のマッハツェンダ干渉計の検査方法。
【請求項4】
推定した前記ヌル点に設定した条件下で、再び前記制御量付与ステップ、前記測定ステップ、および前記取得ステップを行って前記干渉特性におけるヌル点を推定する工程を１回以上行い、前回推定したヌル点と今回推定したヌル点との差分が所定のヌル点設定値未満である場合、今回推定したヌル点をヌル点として特定する請求項１～３のいずれか一つに記載のマッハツェンダ干渉計の検査方法。
【請求項5】
前記制御量付与ステップにおいて、前記複数の制御量の数を２以上の整数であるＮとすると、前記複数の制御量は、前記第１導波路および前記第２導波路のいずれか一方の前記屈折率の変化による光の位相が、０、・・・、２（Ｎ－１）π／Ｎとなるように設定される請求項１～４のいずれか一つに記載のマッハツェンダ干渉計の検査方法。
【請求項6】
前記光を入力させた状態で、前記制御量付与ステップにて前記複数の制御量を与える前記第１導波路または前記第２導波路の屈折率を変化させて前記マッハツェンダ干渉計から出力された光の強度を測定し、該測定した強度の極値の少なくとも一つを、前記屈折率を変化させたことによる光の位相変化における位相ゼロに設定し、位相ゼロに設定した前記極値に隣接する極値を位相πに設定する請求項５に記載のマッハツェンダ干渉計の検査方法。
【請求項7】
プロセッサに、導波路を有する第１アーム部と第２アーム部とを備え、前記第１アーム部が、導波路を有する第３アーム部と第４アーム部とを備えた第１マッハツェンダ干渉計と前記第１マッハツェンダ干渉計と直列接続する第１導波路とを有し、前記第２アーム部が、導波路を有する第５アーム部と第６アーム部とを備える第２マッハツェンダ干渉計と前記第２マッハツェンダ干渉計と直列接続する第２導波路とを有する、マッハツェンダ干渉計の検査をするステップを実行させるプログラムであって、前記ステップは、
前記マッハツェンダ干渉計に光を入力させる入力ステップと、
前記光を入力させた状態で、前記第１導波路および前記第２導波路のいずれか一方に、導波路の屈折率を互いに異なる一定値にする複数の制御量のそれぞれを与える制御量付与ステップと、
前記複数の制御量を与えたそれぞれのステップにて、前記マッハツェンダ干渉計から出力された光の強度を測定する測定ステップと、
前記光の強度の測定の結果をもとに、前記第１導波路および前記第２導波路のいずれか他方に接続された前記第１マッハツェンダ干渉計または前記第２マッハツェンダ干渉計の干渉特性を取得する取得ステップと、
を含み、
前記測定ステップにおいて、前記取得ステップにて前記干渉特性を取得する前記第１マッハツェンダ干渉計または前記第２マッハツェンダ干渉計の導波路の屈折率を変化させ、
前記取得ステップにおいて、前記測定ステップにおいて測定された複数の光の強度の平均値をもとに、前記干渉特性を取得し、前記屈折率を変化させたことによって得られた前記平均値の極値のうち、極小値の少なくとも一つを前記干渉特性におけるヌル点と推定する
プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、マッハツェンダ干渉計の検査方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【0002】
マッハツェンダ干渉計は、たとえば光通信用の信号光を生成するための変調器に用いられている。たとえば、光通信分野では、送信器の容量の拡大が要求されている。マッハツェンダ干渉計を用いたマッハツェンダ変調器は、光の振幅と位相を同時に制御する多値変調が実施可能なため、伝送距離が中距離以上の光通信において送信器の構成要素として用いられている。
【0003】
マッハツェンダ変調器にて多値変調を行うためには、マッハツェンダ変調器においてマッハツェンダ干渉計がいわゆる入れ子構造になっている必要がある。ここで、入れ子構造とは、主マッハツェンダ干渉計の２つのアーム部のそれぞれにさらに副マッハツェンダ干渉計が設けられている構造を意味する。なお、副マッハツェンダ干渉計の２つのアーム部のそれぞれにさらに副々マッハツェンダ干渉計が設けられている場合もありうる。
【0004】
導波路型のマッハツェンダ変調器においては、マッハツェンダ干渉計の２つのアーム部における導波路にバイアスを掛けて屈折率を調整できるバイアス機構が設けられている。バイアス機構は、導波路に電圧、電流または熱を与えることによって屈折率を変化させる。
【0005】
マッハツェンダ干渉計においては、２つのアーム部における光の位相差がπになり、２つのアーム部のそれぞれを伝搬する光が合波されるときに互いに打ち消し合うようにバイアスが調整される。このように光が互いに打ち消し合うときの位相差はｎｕｌｌ点またはヌル点と呼ばれる。
【0006】
ここで、マッハツェンダ干渉計を適切に動作させるためには、ヌル点を実現するようにバイアスを調整する必要がある。ヌル点はマッハツェンダ干渉計の個体差に依存するので、マッハツェンダ干渉計の干渉特性を検査する必要がある。
【0007】
単一のマッハツェンダ干渉計であれば、光を入力し、出力された光の強度を測定することで、ヌル点を検出することは比較的容易である。
【0008】
しかしながら、入れ子構造のマッハツェンダ干渉計においては、主マッハツェンダ干渉計に光を入力してもその光は分岐して両方の副マッハツェンダ干渉計にそれぞれ入力される。このため、出力された光の強度を測定することで一方の副マッハツェンダ干渉計の干渉特性を検査し、ヌル点を検出しようとしても、その検査結果には他方の副マッハツェンダ干渉計の干渉特性の影響が含まれてしまう。その結果、入れ子構造のマッハツェンダ干渉計の干渉特性を正確に検査することが困難である。
【0009】
そこで、ヌル点を検出するために、それぞれの副マッハツェンダ干渉計のバイアスに、互いに異なる周波数の電気信号を重畳した状態で、出力された光の周波数特性を測定することで、それぞれの副マッハツェンダ干渉計における干渉状態を分離して検査し、それぞれのヌル点を検出する技術が開示されている（特許文献１～４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0010】
【文献】特開２０１６－１１１３９８号公報
【文献】特開２０１３－１１０６２０号公報
【文献】特許第５７２４７９２号公報
【文献】特許第５８７４２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
しかしながら、上記の技術では、検査のために、電気信号を発生させるための信号発生器や、周波数アナライザや、電気的な周波数フィルタが必要であり、検査コストが高くなり、かつ検査工程が煩雑になるという問題があった。
【0012】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、簡易かつ安価な装置、および簡易な工程にて、マッハツェンダ干渉計の検査を実施できるマッハツェンダ干渉計の検査方法およびプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0013】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様は、導波路を有する第１アーム部と第２アーム部とを備え、前記第１アーム部が、導波路を有する第３アーム部と第４アーム部とを備えた第１マッハツェンダ干渉計と前記第１マッハツェンダ干渉計と直列接続する第１導波路とを有し、前記第２アーム部が、導波路を有する第５アーム部と第６アーム部とを備える第２マッハツェンダ干渉計と前記第２マッハツェンダ干渉計と直列接続する第２導波路とを有する、マッハツェンダ干渉計の検査方法であって、前記マッハツェンダ干渉計に光を入力させる入力ステップと、前記光を入力させた状態で、前記第１導波路および前記第２導波路のいずれか一方に、導波路の屈折率を互いに異なる一定値にする複数の制御量のそれぞれを与える制御量付与ステップと、前記複数の制御量を与えたそれぞれのステップにて、前記マッハツェンダ干渉計から出力された光の強度を測定する測定ステップと、前記光の強度の測定の結果をもとに、前記第１導波路および前記第２導波路のいずれか他方に接続された前記第１マッハツェンダ干渉計または前記第２マッハツェンダ干渉計の干渉特性を取得する取得ステップと、を含むマッハツェンダ干渉計の検査方法である。
【0014】
前記制御量付与ステップを前記第１導波路に対して実行し、前記測定ステップを実行することによって、前記取得ステップにおいて前記第２マッハツェンダ干渉計の干渉特性を取得し、前記制御量付与ステップを前記第２導波路に対して実行し、前記測定ステップを実行することによって、前記取得ステップにおいて前記第１マッハツェンダ干渉計の干渉特性を取得するものでもよい。
【0015】
前記取得ステップにおいて、前記測定ステップにおいて測定された複数の光の強度の平均値をもとに、前記干渉特性を取得するものでもよい。
【0016】
前記測定ステップにおいて、前記取得ステップにて前記干渉特性を取得する前記第１マッハツェンダ干渉計または前記第２マッハツェンダ干渉計の導波路の屈折率を変化させ、前記取得ステップにおいて、前記屈折率を変化させたことによって得られた前記平均値の極値のうち、極小値の少なくとも一つを前記干渉特性におけるヌル点と推定するものでもよい。
【0017】
前記取得ステップにおいて、前記測定ステップにおいて測定された複数の光の強度の制御量に対する関係を示す曲線の交点をもとに、前記干渉特性におけるヌル点を推定するものでもよい。
【0018】
推定した前記ヌル点に設定した条件下で、再び前記制御量付与ステップ、前記測定ステップ、および前記取得ステップを行って前記干渉特性におけるヌル点を推定する工程を１回以上行い、前回推定したヌル点と今回推定したヌル点との差分が所定のヌル点設定値未満である場合、今回推定したヌル点をヌル点として特定するものでもよい。
【0019】
前記制御量付与ステップにおいて、前記複数の制御量の数を２以上の整数であるＮとすると、前記複数の制御量は、前記第１導波路および前記第２導波路のいずれか一方の前記屈折率の変化による光の位相が、０、・・・、２（Ｎ－１）π／Ｎとなるように設定されるものでもよい。
【0020】
前記光を入力させた状態で、前記制御量付与ステップにて前記複数の制御量を与える前記第１導波路または前記第２導波路の屈折率を変化させて前記マッハツェンダ干渉計から出力された光の強度を測定し、該測定した強度の極値の少なくとも一つを、前記屈折率を変化させたことによる光の位相変化における位相ゼロに設定し、位相ゼロに設定した前記極値に隣接する極値を位相πに設定するものでもよい。
【0021】
本発明の一態様は、プロセッサに、導波路を有する第１アーム部と第２アーム部とを備え、前記第１アーム部が、導波路を有する第３アーム部と第４アーム部とを備えた第１マッハツェンダ干渉計と前記第１マッハツェンダ干渉計と直列接続する第１導波路とを有し、前記第２アーム部が、導波路を有する第５アーム部と第６アーム部とを備える第２マッハツェンダ干渉計と前記第２マッハツェンダ干渉計と直列接続する第２導波路とを有する、マッハツェンダ干渉計の検査をするステップを実行させるプログラムであって、前記ステップは、前記マッハツェンダ干渉計に光を入力させる入力ステップと、前記光を入力させた状態で、前記第１導波路および前記第２導波路のいずれか一方に、導波路の屈折率を互いに異なる一定値にする複数の制御量のそれぞれを与える制御量付与ステップと、前記複数の制御量を与えたそれぞれのステップにて、前記マッハツェンダ干渉計から出力された光の強度を測定する測定ステップと、前記光の強度の測定の結果をもとに、前記第１導波路および前記第２導波路のいずれか他方に接続された前記第１マッハツェンダ干渉計または前記第２マッハツェンダ干渉計の干渉特性を取得する取得ステップと、を含むプログラムである。
【発明の効果】
【0022】
本発明に係るマッハツェンダ干渉計の検査方法およびプログラムは、簡易かつ安価な装置、および簡易な工程にて、マッハツェンダ干渉計の検査を実施できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付している。また、以下、マッハツェンダ干渉計をＭＺ干渉計と記載する場合がある。
【0025】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る検査方法の説明図である。実施形態１に係る検査方法では、検査装置１００を用いて、ＭＺ干渉計１０の干渉特性を検査する。
図１は、実施形態１に係る検査方法の説明図である。実施形態１に係る検査方法では、検査装置１００を用いて、ＭＺ干渉計１０の干渉特性を検査する。
【0026】
＜検査装置の構成＞
検査装置１００は、測定装置１０１と、光源１０２と、受光器１０３とを備えている。光源１０２は、ＭＺ干渉計１０に入力させる試験光としての光Ｌ１を出力する。光Ｌ１の波長はたとえば光通信に用いられる波長であり、たとえば１５５０ｎｍである。受光器１０３は、ＭＺ干渉計１０から出力された光Ｌ４を受光し、その受光強度に応じた電子信号を出力する。測定装置１０１は、たとえば直流安定化電源および、それを制御するプロセッサとメモリとをハードウェアとして備えるパーソナルコンピュータを含んで構成されている。測定装置１０１は、光源１０２に制御信号を出力して光Ｌ１を出力させる。また、測定装置１０１は、受光器１０３から電気信号を受信して、その受信信号を処理して光Ｌ４の光強度を取得する。
検査装置１００は、測定装置１０１と、光源１０２と、受光器１０３とを備えている。光源１０２は、ＭＺ干渉計１０に入力させる試験光としての光Ｌ１を出力する。光Ｌ１の波長はたとえば光通信に用いられる波長であり、たとえば１５５０ｎｍである。受光器１０３は、ＭＺ干渉計１０から出力された光Ｌ４を受光し、その受光強度に応じた電子信号を出力する。測定装置１０１は、たとえば直流安定化電源および、それを制御するプロセッサとメモリとをハードウェアとして備えるパーソナルコンピュータを含んで構成されている。測定装置１０１は、光源１０２に制御信号を出力して光Ｌ１を出力させる。また、測定装置１０１は、受光器１０３から電気信号を受信して、その受信信号を処理して光Ｌ４の光強度を取得する。
【0027】
＜ＭＺ干渉計の構成＞
ＭＺ干渉計１０は、導波路型のＭＺ干渉計であって、たとえばハイメサ型の導波路構造を有する。ＭＺ干渉計１０の導波路構造は半導体材料で構成されている。
ＭＺ干渉計１０は、導波路型のＭＺ干渉計であって、たとえばハイメサ型の導波路構造を有する。ＭＺ干渉計１０の導波路構造は半導体材料で構成されている。
【0028】
ＭＺ干渉計１０は、それぞれ導波路で構成された、入力部１、出力部２、１入力２出力型の光分波部３および２入力１出力型の光合波部４を備える。さらに、ＭＺ干渉計１０は、第１アーム部５と第２アーム部６とを備えている。
【0029】
入力部１は、光Ｌ１を受け付けて光分波部３に出力する。光分波部３は、入力側が入力部１に接続されており、２つの出力側がそれぞれ第１アーム部５、第２アーム部６に接続されている。光合波部４は、２つの入力側がそれぞれ第１アーム部５、第２アーム部６に接続されており、出力側が光合波部４に接続されている。
【0030】
第１アーム部５は、光分波部３に接続された第１ＭＺ干渉計５１と、第１ＭＺ干渉計５１と直列接続し、光合波部４に接続された第１導波路５２とを有している。第１ＭＺ干渉計５１は、それぞれ導波路で構成された、１入力２出力型の光分波部５１ａ、２入力１出力型の光合波部５１ｂ、第３アーム部５１ｃおよび第４アーム部５１ｄを備えている。光分波部５１ａは、入力側が光分波部３に接続されており、２つの出力側がそれぞれ第３アーム部５１ｃ、第４アーム部５１ｄに接続されている。光合波部５１ｂは、２つの入力側がそれぞれ第３アーム部５１ｃ、第４アーム部５１ｄに接続されており、出力側が光合波部４に接続されている。
【0031】
第２アーム部６は、光分波部３に接続された第２ＭＺ干渉計６１と、第２ＭＺ干渉計６１と直列接続し、光合波部４に接続された第２導波路６２とを有している。第２ＭＺ干渉計６１は、それぞれ導波路で構成された、１入力２出力型の光分波部６１ａ、２入力１出力型の光合波部６１ｂ、第５アーム部６１ｃおよび第６アーム部６１ｄを備えている。光分波部６１ａは、入力側が光分波部３に接続されており、２つの出力側がそれぞれ第５アーム部６１ｃ、第６アーム部６１ｄに接続されている。光合波部６１ｂは、２つの入力側がそれぞれ第５アーム部６１ｃ、第６アーム部６１ｄに接続されており、出力側が光合波部４に接続されている。
【0032】
すなわち、このＭＺ干渉計１０はいわゆる入れ子構造を有している。
【0033】
ＭＺ干渉計１０において、入力部１は、光源１０２からの光Ｌ１を受け付けて光分波部３に出力する。光分波部３は、光Ｌ１を強度が１：１の光Ｌ１ａ、Ｌ１ｂに分波してそれぞれＭＺ干渉計５１、６１に出力する。
【0034】
ＭＺ干渉計５１において、光分波部５１ａは、光Ｌ１ａを強度が１：１の光Ｌ１１ａ、Ｌ１２ａに分波して第３アーム部５１ｃ、第４アーム部５１ｄに出力する。第３アーム部５１ｃ、第４アーム部５１ｄは、それぞれ光Ｌ１１ａ、Ｌ１２ａを伝搬して光合波部５１ｂに出力する。光合波部５１ｂは、光Ｌ１１ａ、Ｌ１２ａを合波して光Ｌ１１ａ、Ｌ１２ａがその位相差に応じて干渉して生成された干渉光である光Ｌ３ａを第１導波路５２に出力する。第１導波路５２は光Ｌ３ａを伝搬して光合波部４に出力する。
【0035】
ＭＺ干渉計６１において、光分波部６１ａは、光Ｌ１ｂを強度が１：１の光Ｌ１１ｂ、Ｌ１２ｂに分波して第５アーム部６１ｃ、第６アーム部６１ｄに出力する。第５アーム部６１ｃ、第６アーム部６１ｄは、それぞれ光Ｌ１１ｂ、Ｌ１２ｂを伝搬して光合波部６１ｂに出力する。光合波部６１ｂは、光Ｌ１１ｂ、Ｌ１２ｂを合波して光Ｌ１１ｂ、Ｌ１２ｂがその位相差に応じて干渉して生成された干渉光である光Ｌ３ｂを第２導波路６２に出力する。第２導波路６２は光Ｌ３ｂを伝搬して光合波部４に出力する。
【0036】
光合波部４は、光Ｌ３ａ、Ｌ３ｂを合波して光Ｌ３ａ、Ｌ３ｂがその位相差に応じて干渉して生成された干渉光である光Ｌ４を出力部２に出力する。出力部２は光Ｌ４を受光器１０３に出力する。
【0037】
また、第１ＭＺ干渉計５１の第３アーム部５１ｃに対して、電極５１ｃ１、５１ｃ２が設けられている。電極５１ｃ１は、不図示の共通電極との間でバイアス電圧を印加して第３アーム部５１ｃを構成する導波路の屈折率を変化させることによって、第３アーム部５１ｃを伝搬する光Ｌ１１ａの位相を調整するために設けられている。電極５１ｃ２は、ＭＺ干渉計１０をＭＺ変調器として利用する場合に、不図示の共通電極との間で変調信号を印加して第３アーム部５１ｃを伝搬する光を変調するために設けられている。
【0038】
同様に、第１ＭＺ干渉計５１の第４アーム部５１ｄに対して、電極５１ｄ１、５１ｄ２が設けられている。電極５１ｄ１は、不図示の共通電極との間でバイアス電圧を印加して第４アーム部５１ｄを伝搬する光Ｌ１２ａの位相を調整するために設けられている。電極５１ｄ２は、ＭＺ干渉計１０をＭＺ変調器として利用する場合に、不図示の共通電極との間で変調信号を印加して第４アーム部５１ｄを伝搬する光を変調するために設けられている。
【0039】
同様に、第２ＭＺ干渉計６１の第５アーム部６１ｃに対して、電極６１ｃ１、６１ｃ２が設けられている。電極６１ｃ１は、不図示の共通電極との間でバイアス電圧を印加して第５アーム部６１ｃを伝搬する光Ｌ１１ｂの位相を調整するために設けられている。電極６１ｃ２は、ＭＺ干渉計１０をＭＺ変調器として利用する場合に、不図示の共通電極との間で変調信号を印加して第５アーム部６１ｃを伝搬する光を変調するために設けられている。
【0040】
同様に、第２ＭＺ干渉計６１の第６アーム部６１ｄに対して、電極６１ｄ１、６１ｄ２が設けられている。電極６１ｄ１は、不図示の共通電極との間でバイアス電圧を印加して第６アーム部６１ｄを伝搬する光Ｌ１２ｂの位相を調整するために設けられている。電極６１ｄ２は、ＭＺ干渉計１０をＭＺ変調器として利用する場合に、不図示の共通電極との間で変調信号を印加して第６アーム部６１ｄを伝搬する光を変調するために設けられている。
【0041】
なお、電極５１ｃ１、５１ｃ２、５１ｄ１、５１ｄ２、６１ｃ１、６１ｃ２、６１ｄ１、６１ｄ２に印加される電圧は測定装置１０１から与えられる。
【0042】
＜検査方法＞
つぎに、検査装置１００が実行するＭＺ干渉計１０の検査方法を説明する。検査装置１００は、測定装置１０１のハードウェアがプログラムを実行することによって検査方法を実行する。図２は、実施形態１に係る検査方法のフローチャートである。
つぎに、検査装置１００が実行するＭＺ干渉計１０の検査方法を説明する。検査装置１００は、測定装置１０１のハードウェアがプログラムを実行することによって検査方法を実行する。図２は、実施形態１に係る検査方法のフローチャートである。
【0043】
はじめに、ステップＳ１０１において、測定装置１０１は、光源１０２に制御信号を出力して試験光としての光Ｌ１を出力させ、ＭＺ干渉計１０に光Ｌ１入力させる（入力ステップ）。
【0044】
つづいて、ステップＳ１０２において、測定装置１０１は、ＭＺ干渉計１０に光Ｌ１入力させた状態で、電極５２ａに印加する電圧値をスイープしながら、受光器１０３にて光Ｌ４を受光して光Ｌ４の出力光強度を測定（取得）する。電極５２ａは第１主電極に相当する。電極５２ａに印加する電圧値は第１主制御量に相当する。また、ステップＳ１０２は、第１導波路５２の屈折率を変化させてＭＺ干渉計１０から出力された光Ｌ４の光出力強度を測定することに相当する。
【0045】
つづいて、ステップＳ１０３において、測定装置１０１は、測定した光Ｌ４の光出力強度の極値である極大値、極小値を算出する。
つづいて、ステップＳ１０４において、測定装置１０１は、電極５２ａに印加する電圧値（第１主制御量）に対する分割点を算出する。
つづいて、ステップＳ１０４において、測定装置１０１は、電極５２ａに印加する電圧値（第１主制御量）に対する分割点を算出する。
【0046】
図３は、第１主制御量に対する分割点の算出の説明図である。図３において横軸は第１制御量で示し、縦軸は測定した光出力強度（光強度）の相対値をｄＢ単位で示している。第１主制御量を増やすようにスイープすると、光強度は極値を取るように周期的に変化する。具体的には光強度は極小値と極大値を交互に取るように周期的に変化する。この周期的変化は、第２アーム部６側から出力された光Ｌ３ｂと、第１アーム部５側から出力された光Ｌ３ａとの干渉状態が、第１主制御量のスイープによる光Ｌ３ａの位相の変化によって周期的に変化することを意味している。したがって、光強度が極大値から隣接する極小値、または極小値から隣接する極大値まで変化した場合に、光Ｌ３ａの位相がπだけ変化したと考えられる。そこで、測定した光強度の極値の少なくとも一つを、第１導波路５２の屈折率を変化させたことによる光Ｌ３ａの位相変化における位相ゼロに設定し、位相ゼロに設定した極値に隣接する極値を位相πに設定する。図３に示す例では、制御量が最も小さい極値である極大値を位相ゼロに設定し、そのときの第１主制御量をＣ０とする。そして、位相ゼロに設定した極値に隣接する極値である極小値を位相πに設定し、そのときの第１主制御量をＣπとする。このように制御量が小さい極値を位相の基準とすると、試験において与える制御量が小さくてよいので好ましい。なお、第１主制御量を離散的にスイープする場合は、所得したデータ点から、たとえば、多項式による近似曲線などを用いてＣ０とＣπとを決定する。
【0047】
そして、位相ゼロに対する第１制御量Ｃ０と位相πに対する第１主制御量Ｃπを基準として、位相が２πだけ変化する第１制御量の範囲を分割する。この分割は、位相の間隔が等しくなるように等分割することが好ましい。たとえばＮを２以上の整数としてＮ分割する場合、各分割点において位相が０、・・・、２（Ｎ－１）π／Ｎとなるように等分割することが好ましい。なお、図３の例では、Ｎは４であり、第１主制御量に対してＣ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πを分割点とする。なお、Ｃ０．５π、Ｃ１．５πの位置は線形補間などを用いて算出することができる。
【0048】
つづいて、ステップＳ１０５において、測定装置１０１は、電極５２ａに印加する電圧値である第１主制御量を分割点Ｃ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πのそれぞれに設定する（制御量付与ステップ）。分割点Ｃ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πはいずれも一定値の電圧（ＤＣ電圧）である。そして、それぞれの分割点の設定において、第１副電極群としての電極６１ｃ１、６１ｄ１の少なくとも一方に対する第１副制御量としての印加する電圧をスイープしながら、光Ｌ４の光出力強度を測定する（測定ステップ）。このとき、電極６１ｃ１に印加する電圧をスイープし、第２ＭＺ干渉計６１における光Ｌ１１ｂと光Ｌ１２ｂとの位相差を少なくとも０から２πまで変化させてもよい。また、電極６１ｃ２に印加する電圧をスイープし、光Ｌ１１ｂと光Ｌ１２ｂとの位相差を少なくとも０から２πまで変化させてもよい。さらには、電極６１ｃ１、６１ｃ２に印加する電圧のそれぞれをスイープし、光Ｌ１１ｂと光Ｌ１２ｂとの位相差を少なくとも０から２πまで変化させてもよい。
【0049】
図４は、第１副制御量のスイープにより得られる光強度を示す図である。縦軸は光強度であり、横軸は第１副制御量であるが、対応する光Ｌ１１ｂと光Ｌ１２ｂとの位相差を表している。たとえば、曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４は、それぞれ、分割点をＣ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πのいずれかに設定した場合の光強度を示す特性である。曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４は、第１主制御量を設定した値にしたときの第１ＭＺ干渉計５１の干渉特性の影響を受けた状態での干渉特性を示している。曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４はいずれも極小値をとるが、第１主制御量の値が異なるため第１ＭＺ干渉計５１から受ける影響が互いに異なることから、その極小値をとる第２副制御量（位相）は互いに異なる。なお、曲線Ｃ０は、第１ＭＺ干渉計５１の影響がない場合の理想的な第２ＭＺ干渉計６１の特性を示している。
【0050】
つづいて、ステップＳ１０６において、測定装置１０１は、各第１副制御量（位相）における曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４が示す光強度の平均値（平均光出力強度）を算出する。すると、この平均光出力強度を示す曲線は、曲線Ｃ５のようになる。曲線Ｃ５は、第１主制御量を位相が２πだけ変化する間で分割点Ｃ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πで等分割することによって、第１ＭＺ干渉計５１の干渉特性の影響を打ち消した状態での第２ＭＺ干渉計６１の干渉特性を表したものと言える。ステップＳ１０６は干渉特性の取得ステップの一つである。
【0051】
そこで、つづくステップＳ１０７において、測定装置１０１は、曲線Ｃ５において極小値となる第１副制御量を、第２ＭＺ干渉計６１における光Ｌ１１ｂと光Ｌ１２ｂとの位相差がπとなるヌル点（図４の点Ｐ１）として算出して取得する（取得ステップの一つ）。なお、第１副制御量は、電極６１ｃ１、６１ｄ１のいずれか一方に印加する電圧をゼロとした場合に、他方に電圧を印加してヌル点となるときに、印加する電圧がなるべく小さくなるように設定するのが好ましい。
なお、つづくステップＳ１１１以降は、測定装置１０１は、ステップＳ１０７で算出したヌル点となる第１副制御量に固定し、第２ＭＺ干渉計６１をヌル点に固定した状態で各ステップを実行してもよい。
なお、つづくステップＳ１１１以降は、測定装置１０１は、ステップＳ１０７で算出したヌル点となる第１副制御量に固定し、第２ＭＺ干渉計６１をヌル点に固定した状態で各ステップを実行してもよい。
【0052】
つづいて、ステップＳ１０８～Ｓ１１３では、ステップＳ１０２～ステップＳ１０７を第１アーム部５と第２アーム部６とを入れ換えて行う。
すなわち、ステップＳ１０８において、測定装置１０１は、ＭＺ干渉計１０に光Ｌ１入力させた状態で、電極６２ａに印加する電圧値をスイープしながら、受光器１０３にて光Ｌ４を受光して光Ｌ４の出力光強度を測定する。電極６２ａは第２主電極に相当する。電極６２ａに印加する電圧値は第２主制御量に相当する。また、ステップＳ１０８は、第２導波路６２の屈折率を変化させてＭＺ干渉計１０から出力された光Ｌ４の光出力強度を測定することに相当する。
すなわち、ステップＳ１０８において、測定装置１０１は、ＭＺ干渉計１０に光Ｌ１入力させた状態で、電極６２ａに印加する電圧値をスイープしながら、受光器１０３にて光Ｌ４を受光して光Ｌ４の出力光強度を測定する。電極６２ａは第２主電極に相当する。電極６２ａに印加する電圧値は第２主制御量に相当する。また、ステップＳ１０８は、第２導波路６２の屈折率を変化させてＭＺ干渉計１０から出力された光Ｌ４の光出力強度を測定することに相当する。
【0053】
つづいて、ステップＳ１０９において、測定装置１０１は、測定した光Ｌ４の光出力強度の極値である極大値、極小値を算出する。
つづいて、ステップＳ１１０において、測定装置１０１は、電極６２ａに印加する電圧値（第２主制御量）に対する分割点を算出する。ステップＳ１１０においては、第２制御量に対してＣ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πを分割点とする。なお、これらの分割点は、第１制御量に対する分割点と、それぞれが同じ値とは限らないが、説明の便宜上同じ変数にて表すこととする。
つづいて、ステップＳ１１０において、測定装置１０１は、電極６２ａに印加する電圧値（第２主制御量）に対する分割点を算出する。ステップＳ１１０においては、第２制御量に対してＣ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πを分割点とする。なお、これらの分割点は、第１制御量に対する分割点と、それぞれが同じ値とは限らないが、説明の便宜上同じ変数にて表すこととする。
【0054】
つづいて、ステップＳ１１１において、測定装置１０１は、電極６２ａに印加する電圧値である第２主制御量を分割点Ｃ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πのそれぞれに設定する（制御量付与ステップ）。そして、それぞれの分割点の設定において、第２副電極群としての電極５１ｃ１、５１ｄ１の少なくとも一方に対する第２副制御量としての印加する電圧をスイープしながら、光Ｌ４の光出力強度を測定する（測定ステップ）。このとき、電極５１ｃ１に印加する電圧をスイープし、第１ＭＺ干渉計５１における光Ｌ１１ａと光Ｌ１２ａとの位相差を少なくとも０から２πまで変化させてもよい。また、電極５１ｄ１に印加する電圧をスイープし、光Ｌ１１ａと光Ｌ１２ａとの位相差を少なくとも０から２πまで変化させてもよい。さらには、電極５１ｃ１、５１ｄ１に印加する電圧のそれぞれをスイープし、光Ｌ１１ａと光Ｌ１２ａとの位相差が少なくとも０から２πまで変化させてもよい。
【0055】
図５は、第２副制御量のスイープにより得られる光強度を示す図である。縦軸は光強度であり、横軸は第２副制御量であるが、対応する光Ｌ１１ａと光Ｌ１２ａとの位相差を位相として表している。たとえば、曲線Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９は、それぞれ、分割点をＣ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πのいずれかに設定した場合の光強度を示す特性である。曲線Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９は、第２主制御量を設定した値にしたときの第２ＭＺ干渉計６１の干渉特性の影響を受けた状態での干渉特性を示している。曲線Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９はいずれも極小値をとるが、第２主制御量の値が異なるため第２ＭＺ干渉計６１から受ける影響が互いに異なることから、その極小値をとる第２副制御量（位相）は互いに異なる。なお、曲線Ｃ０は、第２ＭＺ干渉計６１の影響がない場合の理想的な第１ＭＺ干渉計５１の特性を示している。
【0056】
つづいて、ステップＳ１１２において、測定装置１０１は、各第２副制御量における光強度の平均値（平均光出力強度）を算出して曲線Ｃ１０を求め、第１ＭＺ干渉計５１の干渉特性を取得する（取得ステップの一つ）。
【0057】
つづいて、ステップＳ１１３において、測定装置１０１は、極小値となる第２副制御量を、第１ＭＺ干渉計５１における光Ｌ１１ａと光Ｌ１２ａとの位相差がπとなるヌル点として算出する（取得ステップの一つ）。なお、第２副制御量は、電極５１ｃ１、５１ｄ１のいずれか一方に印加する電圧をゼロとした場合に、他方に電圧を印加してヌル点となるときに、印加する電圧がなるべく小さくなるように設定するのが好ましい。
その後、測定装置１０１は測定フローを終了する。
その後、測定装置１０１は測定フローを終了する。
【0058】
以上説明した実施形態１に係る検査方法によれば、周波数信号を使用しないので、簡易かつ安価な装置、および簡易な工程にて、ＭＺ干渉計１０の検査を実施できる。
【0059】
なお、上記実施形態１では、まず第２ＭＺ干渉計６１の干渉特性を取得し、つづいて第１ＭＺ干渉計５１の干渉特性を取得しているが、干渉特性を取得する順序入れ換えてもよい。以下の実施形態でも同様である。
【0060】
また、上記実施形態１では、ステップＳ１０５において、第１主制御量を分割点Ｃ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πのそれぞれに設定して第１副制御量をスイープして曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を取得し、ステップＳ１０６において、各第１副制御量（位相）における曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４が示す光強度の平均値（平均光出力強度）を算出している。ただし、第１主制御量を分割点のそれぞれに設定して、固定した第１副制御量において光強度を測定し、その平均値を取得し、つぎに第１副制御量を変更して第１主制御量を分割点のそれぞれに設定した状態での光強度を測定して平均値を取得し、というステップを繰り返し行い、直接曲線Ｃ５を取得してもよい。以下の実施形態でも同様である。
【0061】
（実施形態２）
図６は、実施形態２に係る検査方法の説明図である。実施形態２に係る検査方法では、実施形態１と同様に、検査装置１００を用いて、ＭＺ干渉計１０の干渉特性を検査する。
図６は、実施形態２に係る検査方法の説明図である。実施形態２に係る検査方法では、実施形態１と同様に、検査装置１００を用いて、ＭＺ干渉計１０の干渉特性を検査する。
【0062】
実施形態１において、第１主制御量の分割点Ｃ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πを算出する場合に、これらの分割点がそれぞれ位相ゼロ、０．５π、π、１．５πの状態と正確に一致しない場合がある。たとえば、図３のように分割点を求める場合に、線形補間や近似の誤差などによって不一致が生じ得る。このような不一致は算出するヌル点の誤差の原因となり得る。
【0063】
そこで、第２実施形態では、第１ＭＺ干渉計５１のヌル点と第２ＭＺ干渉計６１のヌル点とを交互に算出して推定し、推定したヌル点がある値に収束したらそれをヌル点として特定する。
【0064】
本実施形態２に係る検査方法では、図６に示すように、まずステップＳ１０１において、測定装置１０１は、光源１０２に制御信号を出力して試験光としての光Ｌ１を出力させ、ＭＺ干渉計１０に光Ｌ１入力させる（入力ステップ）。
【0065】
つづいて、ステップＳ２０１において、測定装置１０１は、第２ＭＺ干渉計６１の第１ヌル点を取得する。ステップＳ２０１は、図２におけるステップＳ１０２～ステップＳ１０７のステップを含むステップとして実行することができる。
【0066】
図７は、ステップＳ２０１にて第１副制御量のスイープにより得られる光強度を示す図である。たとえば、曲線Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４は、それぞれ、分割点をＣ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πのいずれかに設定した場合の光強度を示す特性である。曲線Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４はいずれも極小値をとるが、第１主制御量の値が異なるため第１ＭＺ干渉計５１から受ける影響が互いに異なることから、その極小値をとる第１副制御量（位相）は互いに異なる。
【0067】
図７に示す結果から各第１副制御量における平均光出力強度を算出して曲線Ｃ１５を取得し、その極小値となる第１副制御量を、第２ＭＺ干渉計６１におけるヌル点（点Ｐ３）としても、点Ｐ３は位相としてはπから外れた値である。ただし、ステップＳ２０１では、このようにして求めたヌル点を仮に、推定した第１ヌル点として取得する。
【0068】
つづいて、ステップＳ２０２において、測定装置１０１は、第２ＭＺ干渉計６１の状態を第１ヌル点に固定した状態にて、第１ＭＺ干渉計５１の第２ヌル点を取得する。ステップＳ２０２は、図２におけるステップＳ１０８～ステップＳ１１３のステップを含むステップとして実行することができる。
【0069】
ただし、分割点を取得するときは第２ＭＺ干渉計６１を第１ヌル点に設定しない方が好ましい。
【0070】
図８は、ステップＳ２０２にて第２副制御量のスイープにより得られる光強度を示す図である。たとえば、曲線Ｃ１６、Ｃ１７、Ｃ１８、Ｃ１９は、それぞれ、分割点をＣ０、Ｃ０．５π、Ｃπ、Ｃ１．５πのいずれかに設定した場合の光強度を示す特性である。曲線Ｃ１６、Ｃ１７、Ｃ１８、Ｃ１９はいずれも極小値をとるが、第２主制御量の値が異なるため第２ＭＺ干渉計６１から受ける影響が互いに異なることから、その極小値をとる第２副制御量（位相）は互いに異なる。
【0071】
さらに、図８と図７とを比較すると、図８における各極小値に対する各第２副制御量（位相）の値は、図７における各極小値に対する各第１副制御量（位相）の値よりもばらついていない。これは第２ＭＺ干渉計６１の状態を第１ヌル点に固定した効果である。
【0072】
図８に示す結果から各第２副制御量における平均光出力強度を算出して曲線Ｃ２０を取得し、その極小値となる第２副制御量を、第１ＭＺ干渉計５１におけるヌル点（点Ｐ４）としても、点Ｐ４は位相としてはπから外れた値である。ただし、ステップＳ２０２では、このようにして求めたヌル点を仮に、推定した第２ヌル点として取得する。
【0073】
つづいて、ステップＳ２０３において、測定装置１０１は、第１ＭＺ干渉計５１の状態をステップＳ２０２で取得した第２ヌル点に固定した状態にて、第２ＭＺ干渉計６１の第１ヌル点を取得する。ステップＳ２０３は、ステップＳ２０１と同様に実行することができる。
【0074】
つづいて、ステップＳ２０４において、測定装置１０１は、第２ＭＺ干渉計６１の状態をステップＳ２０３で取得した第１ヌル点に固定した状態にて、第１ＭＺ干渉計５１の第２ヌル点を取得する。ステップＳ２０４は、ステップＳ２０２と同様に実行することができる。
【0075】
つづいて、ステップＳ２０５において、測定装置１０１は、前回の２つのステップで取得した２つの第１ヌル点の差分、すなわちステップＳ２０１で取得した第１ヌル点とステップＳ２０３で取得した第１ヌル点との差分が第１設定値より小さく、かつ、前回の２つのステップで取得した２つの第２ヌル点の差分、すなわちステップＳ２０２で取得した第２ヌル点とステップＳ２０４で取得した第２ヌル点との差分が第２設定値より小さいか否かを判定する。第１設定値、第２設定値は、それぞれ、たとえばそれぞれのヌル点に対する許容誤差に応じて設定される。第１設定値、第２設定値は、ヌル点設定値の一例である。
【0076】
ステップＳ２０５で「Ｙｅｓ」と判定された場合、測定装置１０１は、第１ヌル点、第２ヌル点が、それぞれ第１設定値、第２設定値の範囲内に収束したと判断したことになり、測定フローは終了する。
【0077】
ステップＳ２０５で「Ｎｏ」と判定された場合、測定装置１０１は、第１ヌル点または第２ヌル点のいずれかが、第１または第２設定値の範囲内に収束していないと判断したことになる。つづいて、ステップＳ２０６において、前回の第１ヌル点、第２ヌル点を今回の第１ヌル点、第２ヌル点に更新する。つづいて、測定フローはステップＳ２０３に戻る。その後、ステップＳ２０３～ステップＳ２０５が実行される。
【0078】
実施形態２の測定方法によれば、実施形態１の測定方法と同様の効果が得られるとともに、誤差のより少ないヌル点を取得できる。
【0079】
（実施形態３）
図９は、実施形態３に係る検査方法のフローチャートである。実施形態３に係る検査方法では、実施形態１、２と同様に、検査装置１００を用いて、ＭＺ干渉計１０の干渉特性を検査する。
図９は、実施形態３に係る検査方法のフローチャートである。実施形態３に係る検査方法では、実施形態１、２と同様に、検査装置１００を用いて、ＭＺ干渉計１０の干渉特性を検査する。
【0080】
実施形態１、２において、たとえば図４に示すような曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を取得し、平均光出力強度を算出し、ヌル点を取得している。
【0081】
これに対して、実施形態３では、図４に示すように曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４が全て交差する点がヌル点に対応することを利用して、ヌル点を取得する。
【0082】
図９に示すフローチャートは、図２に示すフローチャートのステップＳ１０６、Ｓ１０７、Ｓ１１２、Ｓ１１３を、それぞれステップＳ３０６、Ｓ３０７、Ｓ３１２、Ｓ３１３に置き換えたものである。そこで、以下では、重複説明の省略のために、ステップＳ３０６、Ｓ３０７、Ｓ３１２、Ｓ３１３について説明する。
【0083】
ステップＳ３０６では、測定装置１０１は、曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の交点を算出する。ステップＳ３０７では、測定装置１０１は、交点に対応する第１副制御量をヌル点として算出して取得する。ステップＳ３１２では、測定装置１０１は、曲線Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９の交点を算出する。ステップＳ３１３では、測定装置１０１は、交点に対応する第２副制御量をヌル点として算出して取得する。
【0084】
実施形態３の測定方法によれば、実施形態１の測定方法と同様の効果が得られるとともに、測定装置１０１における演算負荷を低減できる。
【0085】
なお、上記実施形態のＭＺ干渉計１０は、各制御量は電圧であり、導波路に対する電圧の印加によってアーム部の屈折率を変化させ、アーム部を伝搬する光の位相を変化させている。ただし、アーム部の屈折率を変化させる機構として、導波路を加熱するヒータを採用してもよい。この場合、制御量は、ヒータに与える電流または電力である。
【0086】
また、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各実施形態の構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
【0087】
例えば、上述した各実施例の制御ステップを一連で実行するソフトウェアプログラムは、検査装置１００に組み込んでもよいし、ハードディスク、ＳＳＤ、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭなどのコンピュータが読み取り可能な記録媒体に記録して流通させたり、インターネット回線を通じて提供したりすることもできる。
【0088】
例えば、上述した各実施例の制御ステップを一連で実行するファームウェアプログラムを組み込んだ制御基板に、ＭＺ干渉計を実装してもよい。このようなＭＺ干渉計装置は、ＭＺ干渉計１０のようなＭＺ干渉計と、上記ファームウェアプログラムを組み込んだ、プロセッサとメモリとを有する制御基板とを備えるものである。
【符号の説明】
【0089】
１ 入力部
２ 出力部
３、５１ａ、６１ａ 光分波部
４、５１ｂ、６１ｂ 光合波部
５ 第１アーム部
６ 第２アーム部
１０ ＭＺ干渉計
５１ 第１ＭＺ干渉計
５１ｃ 第３アーム部
５１ｄ 第４アーム部
５２ 第１導波路
５２ａ、５１ｃ１、５１ｃ２、５１ｄ１、５１ｄ２、６２ａ、６１ｃ１、６１ｃ２、６１ｄ１、６１ｄ２ 電極
６１ 第２ＭＺ干渉計
６１ｃ 第５アーム部
６１ｄ 第６アーム部
６２ 第２導波路
１００ 検査装置
１０１ 測定装置
１０２ 光源
１０３ 受光器
Ｌ１、Ｌ１１ａ、Ｌ１１ｂ、Ｌ１２ａ、Ｌ１２ｂ、Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ３ａ、Ｌ３ｂ、Ｌ４ 光
２ 出力部
３、５１ａ、６１ａ 光分波部
４、５１ｂ、６１ｂ 光合波部
５ 第１アーム部
６ 第２アーム部
１０ ＭＺ干渉計
５１ 第１ＭＺ干渉計
５１ｃ 第３アーム部
５１ｄ 第４アーム部
５２ 第１導波路
５２ａ、５１ｃ１、５１ｃ２、５１ｄ１、５１ｄ２、６２ａ、６１ｃ１、６１ｃ２、６１ｄ１、６１ｄ２ 電極
６１ 第２ＭＺ干渉計
６１ｃ 第５アーム部
６１ｄ 第６アーム部
６２ 第２導波路
１００ 検査装置
１０１ 測定装置
１０２ 光源
１０３ 受光器
Ｌ１、Ｌ１１ａ、Ｌ１１ｂ、Ｌ１２ａ、Ｌ１２ｂ、Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ３ａ、Ｌ３ｂ、Ｌ４ 光
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】