一般に、端子の最大挿入力は、オス端子先端の傾斜部と平坦部との境界をメス端子の接点部が乗り越えるときに生じる。この挿入力を低減するには、低摩擦係数を付与するめっきの適用または端子形状の改善が求められる。低摩擦係数を付与するＳｎ系めっきとして知られる３層めっきは、硬いＣｕ－Ｓｎ層で端子嵌合時の摺動部に掛かる荷重を保持し、挿入力を低く保つ構造となっている。しかしながら、表層が純ＳｎであるためリフローＳｎと同様の機構で摩擦が発生する。その他、従来、種々のめっき構造が知られているが、それぞれ問題がある。例えば、表面にＣｕ－Ｓｎ層を露出させた構造では、挿入力は更に低減するが、表面に酸化Ｃｕが生じることで、接触抵抗が悪化する懸念がある。これは、Ｃｕに限らず、酸化する金属とＳｎとの合金を用いても同様である。

本発明者らは、鋭意検討の結果、オスピンの傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とを区別して互いに異なるめっきで被覆し、第１領域と第２領域とに、それぞれ所定の特性を持たせることにより、課題を解決することができることを見出した。