特許 7394224 レーザー放電チャンバ内で金属フッ化物塵埃をトラップするための充填層フィルタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-11-29

(45)【発行日】2023-12-07

(54)【発明の名称】レーザー放電チャンバ内で金属フッ化物塵埃をトラップするための充填層フィルタ

(51)【国際特許分類】

   H01S 3/036 20060101AFI20231130BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20231130BHJP

【ＦＩ】

H01S3/036

G03F7/20 505

G03F7/20 521

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2022534646

(86)(22)【出願日】2020-12-10

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-02-22

(86)【国際出願番号】 US2020064374

(87)【国際公開番号】W WO2021133568

(87)【国際公開日】2021-07-01

【審査請求日】2022-07-29

(31)【優先権主張番号】62/953,101

(32)【優先日】2019-12-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】513192029

【氏名又は名称】サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】ニーマン，ウールリッヒ

(72)【発明者】

【氏名】ガレスピー，ウォルター，デール

【審査官】右田 昌士

(56)【参考文献】

【文献】特開２００７－０２１３８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１０７６７３６０６（ＣＮ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１０１６３８５２９（ＣＮ，Ａ）

【文献】特開平０７－２２６５５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－１２９３３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１４０３８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－００６６１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／０１０７８７０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１６／０５２４４０（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｓ ３／００ － ３／３０

Ｇ０３Ｆ ７／２０ － ７／２４

Ｂ０３Ｃ ３／００ － ３／８８

Ｂ０１Ｄ ４６／００ － ４６／９０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ガス放電媒体を保持するように構成されたチャンバを備える光増幅器であって、前記ガス放電媒体は光ビームを出力する、光増幅器と、
前記光増幅器の周囲に光共振器を形成するように構成された光学要素のセットと、を備える、ガス放電ステージと；
前記ガス放電ステージで発生する金属フッ化物塵埃をトラップするように構成された金属フッ化物トラップであって、前記金属フッ化物トラップは、
静電集塵器と、
前記静電集塵器の周囲に配置された充填層フィルタであって、
金属フッ化物塵埃を吸収するように構成された複数のビーズを含む、充填層フィルタと、を備える、金属フッ化物トラップと、
を備える、光源装置。

【請求項2】

前記充填層フィルタは、バッフルによって分離された複数の充填層フィルタを備える、請求項１に記載の光源装置。

【請求項3】

前記複数の充填層フィルタの各々は、異なる表面積を有する、請求項２に記載の光源装置。

【請求項4】

前記複数の充填層フィルタの各々は、異なる充填密度を有する、請求項２に記載の光源装置。

【請求項5】

前記複数のビーズは、第１の複数のビーズと、前記第１の複数のビーズとは異なる第２の複数のビーズとを含む、請求項１に記載の光源装置。

【請求項6】

前記ガス放電媒体は、Ｆ_２、ＡｒＦ、ＫｒＦ、及び／又はＸｅＦを含む、請求項１に記載の光源装置。

【請求項7】

前記光学要素のセットは、
前記チャンバの第１の光ポートに光学的につながった光結合器（ＯＣ）と、
前記チャンバの第２の光ポートに光学的につながった線幅狭隘化モジュール（ＬＮＭ）とを備える、請求項１に記載の光源装置。

【請求項8】

前記ガス放電ステージに結合され、前記金属フッ化物トラップの入力ポートを通って、前記充填層フィルタを通って、及び前記金属フッ化物トラップの１つ以上の出力ポートを通って流れるように、前記ガス放電媒体の一部分を導くように構成された、圧力制御システムを更に備える、請求項１に記載の光源装置。

【請求項9】

ガス放電ステージのガス放電媒体中で生成された金属フッ化物塵埃をトラップするように構成された金属フッ化物トラップであって、前記金属フッ化物トラップは、
静電集塵器と、
前記静電集塵器の周囲に配置された充填層フィルタであって、
前記充填層フィルタは、前記ガス放電媒体中の金属フッ化物塵埃を吸収するように構成された複数のビーズを含む、充填層フィルタと、を備える、金属フッ化物トラップ。

【請求項10】

前記複数のビーズは、ガラス様成分、結晶性成分、金属、及び／又は酸化物を含む、請求項９に記載の金属フッ化物トラップ。

【請求項11】

前記複数のビーズは、アルミニウム、ジュラルミン、アルミナ、ニッケル、モネル、真ちゅう、銅、亜鉛、ホウ化カルシウム、及び／又はフッ化カルシウムを含む、請求項９に記載の金属フッ化物トラップ。

【請求項12】

前記ガス放電媒体は、Ｆ _２ 、ＡｒＦ、ＫｒＦ、及び／又はＸｅＦを含む、請求項９に記載の金属フッ化物トラップ。

【請求項13】

ガス放電ステージのガス放電媒体中で生成された金属フッ化物塵埃を、金属フッ化物トラップ内でトラップする方法であって、前記方法は、
第１の管端部支持体と第２の管端部支持体との間に複数の集塵管を備える集塵管アセンブリを組み立てることと、
前記集塵管アセンブリにおいて静電集塵器の周囲に複数の充填層フィルタを組み立てて、充填層フィルタアセンブリを形成することであって、各充填層フィルタは、前記ガス放電媒体中の金属フッ化物塵埃を吸収するように構成された複数のビーズを含む、ことと、
前記充填層フィルタアセンブリを前記金属フッ化物トラップ内へと挿入することと、
前記金属フッ化物トラップを通って流れるように前記ガス放電媒体を導くことと、
前記充填層フィルタアセンブリ内に金属フッ化物塵埃をトラップすることと、を含む、方法。

【請求項14】

前記複数の充填層フィルタを組み立てることは、前記複数の集塵管の間に前記複数のビーズを充填することを含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記充填層フィルタアセンブリから前記複数のビーズを除去することと、前記複数のビーズを洗浄することと、前記複数のビーズを前記充填層フィルタアセンブリ内に再組み立てすることと、を更に含む、請求項１３に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１９年１２月２３日に出願された「PACKED-BED FILTER FOR METAL FLUORIDE DUST TRAPPING IN LASER DISCHARGE CHAMBERS」と題する米国特許出願第６２／９５３，１０１号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

[0002] 本開示は、光源装置及びシステム、例えば、リソグラフィ装置及びシステム用の金属フッ化物トラップを有する光源に関する。

【背景技術】

【0003】

[0003] リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル）のパターンを、基板上に提供された放射感応性材料（フォトレジスト、又は単に「レジスト」）の層上に投影することができる。

【0004】

[0004] 基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用する場合がある。この放射の波長は、基板上に形成できるフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外（ＥＵＶ）線を使用するリソグラフィ装置を使用して、例えば、１５７ｎｍ又は１９３ｎｍ又は２４８ｎｍの波長を有する深紫外（ＤＵＶ）線を使用するリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。

【0005】

[0005] 主発振器パワー増幅器（ＭＯＰＡ）は、高干渉性増幅光ビームを生成する２ステージ光共振器構成である。ＭＯＰＡの性能は、主発信器（ＭＯ）に強く依存する可能性がある。ガス放電媒体を取り囲むＭＯの電極が、時間の経過と共に劣化し、金属フッ化物塵埃を発生させる可能性がある。金属フッ化物塵埃は、ＭＯの光学窓上に積もる可能性があり、光学的損傷をもたらす可能性がある。更に、ＭＯにおける金属フッ化物塵埃の循環が更に、電極からの放電電圧の低下及びレーザー性能の低下をもたらす可能性がある。

【発明の概要】

【0006】

[0006] したがって、金属フッ化物塵埃トラップ容量を増加させ、ガス放電媒体中の及び光学窓上の金属フッ化物塵埃を減らし、金属フッ化物トラップを通る流れ分布の制御を改善し、金属フッ化物トラップ構成要素の効率的な洗浄及び／又は交換を提供し、主発信器の耐用寿命を延ばす必要がある。

【0007】

[0007] いくつかの実施形態では、光源装置は、ガス放電ステージ及び金属フッ化物トラップを含む。ガス放電ステージは、光増幅器と、光学要素のセットとを含む。光増幅器は、ガス放電媒体を保持するように構成されたチャンバを含み、ガス放電媒体は、光ビームを出力する。光学要素のセットは、光増幅器の周囲に光共振器を形成するように構成されている。金属フッ化物トラップは、ガス放電ステージで発生する金属フッ化物塵埃をトラップするように構成されている。金属フッ化物トラップは、静電集塵器と、静電集塵器の周囲に配置された充填層フィルタとを含む。充填層フィルタは、金属フッ化物塵埃を吸収するように構成された複数のビーズを含む。吸収は、ビーズ間の隙間空間における塵埃粒子の機械的トラップ、及び／又はビーズ表面との化学的相互作用（例えば、吸着）を含んでもよい。

【0008】

[0008] いくつかの実施形態では、充填層フィルタは、金属フッ化物トラップを通るガス放電媒体の流量を制御するように構成された総表面積を有する。

【0009】

[0009] いくつかの実施形態では、充填層フィルタは、バッフルによって分離された複数の充填層フィルタを含む。いくつかの実施形態では、複数の充填層フィルタの各々は異なる。いくつかの実施形態では、複数の充填層フィルタの各々は異なる表面積を有する。いくつかの実施形態では、複数の充填層フィルタの各々は異なる充填密度を有する。

【0010】

[0010] いくつかの実施形態では、複数のビーズの各々は球形であり、滑らかに研磨された外面を有する。いくつかの実施形態では、複数のビーズは、フッ化物耐食性材料を含む。いくつかの実施形態では、複数のビーズは、第１の複数のビーズと、第１の複数のビーズとは異なる第２の複数のビーズとを含む。

【0011】

[0011] いくつかの実施形態では、ガス放電媒体は、エキシマ媒体及び／又はエキシプレックス媒体（これは、エキシマ媒体とも呼ばれる場合がある）を含む。いくつかの実施形態では、ガス放電媒体は、Ｆ_２、ＡｒＦ、ＫｒＦ、及び／又はＸｅＦを含む。

【0012】

[0012] いくつかの実施形態では、光学要素のセットは、チャンバの第１の光ポートに光学的につながった光結合器（ＯＣ）と、チャンバの第２の光ポートに光学的につながった線幅狭隘化モジュール（ＬＮＭ）とを含む。

【0013】

[0013] いくつかの実施形態では、光源装置は、ガス放電ステージに結合され、金属フッ化物トラップの入力ポートを通って、充填層フィルタを通って、そして金属フッ化物トラップの１つ以上の出力ポートを通って流れるように、ガス放電媒体の一部分を導くように構成された、圧力制御システムを更に含む。

【0014】

[0014] いくつかの実施形態では、ガス放電ステージのガス放電媒体中で生成された金属フッ化物塵埃をトラップするように構成された金属フッ化物トラップは、静電集塵器と、静電集塵器の周囲に配置された充填層フィルタとを含む。充填層フィルタは、ガス放電媒体中の金属フッ化物塵埃を吸収するように構成された複数のビーズを含む。

【0015】

[0015] いくつかの実施形態では、充填層フィルタは、金属フッ化物トラップを通るガス放電媒体の流量を制御するように構成された総表面積を有する。

【0016】

[0016] いくつかの実施形態では、複数のビーズの各々は球形である。いくつかの実施形態では、各ビーズは、約１ｍｍ～約１０ｍｍの直径を有する。いくつかの実施形態では、各ビーズは、滑らかに研磨された外面を含む。

【0017】

[0017] いくつかの実施形態では、複数のビーズは、フッ化物耐食性材料を含む。いくつかの実施形態では、フッ化物耐食性材料は、ガラス様成分、結晶性成分、金属、及び／又は酸化物を含む。いくつかの実施形態では、フッ化物耐食性材料は、アルミニウム、ジュラルミン、アルミナ、ニッケル、モネル、真ちゅう、銅、亜鉛、ホウ化カルシウム、及び／又はフッ化カルシウムを含む。

【0018】

[0018] いくつかの実施形態では、複数のビーズは、第１の複数のビーズと、第１の複数のビーズとは異なる第２の複数のビーズとを含む。いくつかの実施形態では、第１の複数のビーズは、第１の寸法を有し、第２の複数のビーズは、第１の寸法とは異なる第２の寸法を有する。いくつかの実施形態では、第１の複数のビーズは、第１の材料を含み、第２の複数のビーズは、第１の材料とは異なる第２の材料を含む。

【0019】

[0019] いくつかの実施形態では、ガス放電ステージのガス放電媒体中で生成された金属フッ化物塵埃を、金属フッ化物トラップ内でトラップする方法は、第１の管端部支持体と第２の管端部支持体との間に複数の集塵管を備える集塵管アセンブリを組み立てることを含む。いくつかの実施形態では、この方法は、集塵管アセンブリにおいて静電集塵器の周囲に複数の充填層フィルタを組み立てて、充填層フィルタアセンブリを形成することと、を更に含む。各充填層フィルタは、ガス放電媒体中の金属フッ化物塵埃を吸収するように構成された複数のビーズを含む。いくつかの実施形態では、この方法は、充填層フィルタアセンブリを金属フッ化物トラップ内へと挿入することを更に含む。いくつかの実施形態では、この方法は、金属フッ化物トラップを通って流れるようにガス放電媒体を導くことを更に含む。いくつかの実施形態では、この方法は、金属フッ化物塵埃を充填層フィルタアセンブリでトラップすることを更に含む。

【0020】

[0020] いくつかの実施形態では、複数の充填層フィルタを組み立てることは、複数の集塵管の間に複数のビーズを充填することを含む。いくつかの実施形態では、充填することは、内側の複数の集塵管の間に内側の複数のビーズを充填することと、外側の複数の集塵管の間に内側の複数のビーズとは異なる外側の複数のビーズを充填することと、を含む。いくつかの実施形態では、外側の複数のビーズは、内側の複数のビーズとは異なる表面積及び／又は充填密度を有する。

【0021】

[0021] いくつかの実施形態では、この方法は、充填層フィルタアセンブリから複数のビーズを除去することと、複数のビーズを洗浄することと、複数のビーズを充填層フィルタアセンブリ内に再組み立てすることと、を更に含む。いくつかの実施形態では、この方法は、充填層フィルタアセンブリから複数のビーズを除去することと、第２の複数のビーズを充填層フィルタアセンブリ内に再組み立てすることと、を更に含む。

【0022】

[0022] 上述した、いずれかの技術の実現形態は、ＥＵＶ光源、ＤＵＶ光源、システム、方法、プロセス、デバイス、及び／又は装置を含んでもよい。１つ以上の実現形態の詳細が、添付の図面及び以下の明細書に記述されている。他の特徴が、明細書及び図面、並びに特許請求の範囲から明らかになるであろう。

【0023】

[0023] 実施形態の更なる特徴及び例示的な態様、並びに様々な実施形態の構造及び動作が、添付の図面を参照して以下に詳細に記載されている。実施形態は、本明細書に記載される特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。そのような実施形態は、説明目的のためにのみ、本明細書で提示される。本明細書に含まれる教示に基づいて、更なる実施形態が、当業者には明らかになるであろう。

【0024】

[0024] 本明細書に組み込まれ本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を例示し、また、説明文と併せて、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を実施し使用できるように更に機能する。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】[0025]一実施形態による反射型リソグラフィ装置の概略図である。

【図2】[0026]一実施形態による、光源装置の概略図である。

【図3】[0027]一実施形態による、図２に示す光源装置の金属フッ化物トラップの概略断面図である。

【図4】[0028]一実施形態による、図３に示す金属フッ化物トラップの充填層フィルタアセンブリの概略断面図である。

【図5】[0029]一実施形態による、金属フッ化物塵埃をトラップするためのフロー図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0026】

[0030] 実施形態の特徴及び例示的な態様は、図面と併せて以下に記載する詳細な説明から、より明らかになるであろう。図面では、同様の参照符号は、全体を通じて対応する要素を特定する。図面では、同様の参照番号は一般的に同一の、機能的に類似の、かつ／又は構造的に類似の要素を示す。加えて、一般に、参照番号の最も左の桁は、参照番号が最初に現れる図面を特定している。特に断りの無い限り、本開示を通じて提供される図面は、縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

【0027】

[0031] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ又は複数の実施形態について開示する。開示される実施形態は、本発明を単に例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示される実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付の特許請求の範囲によって規定される。

【0028】

[0032] 記載される実施形態、及び「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的な実施形態」、「例としての実施形態」等への明細書中での言及は、説明される実施形態が、特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示すが、必ずしも全ての実施形態が、その特定の特徴、構造、又は特性を含んでいなくてもよい。更に、そのような語句は、必ずしも同一の実施形態を指してはいない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性が説明される場合、明示的に説明されていようといまいと、そのような特徴、構造、又は特性を他の実施形態に関連してもたらすことは、当業者の知識の範囲内であると理解される。

【0029】

[0033] 「下」、「下方」、「下側」、「上方」、「上」、「上側」などの空間的に相対的な用語を、説明を簡単にするために使用して、図に示すような１つの要素又は特徴の、別の要素又は特徴に対する関係を説明することがある。空間的に相対的な用語は、図に示されている向きに加えて、使用中又は動作中のデバイスの異なる向きを包含することを意図している。装置は、それ以外の方向に向けられ（９０度回転され又は他の向きにされ）てもよく、本明細書で使用される空間的に相対的な記述子もそれに応じて同様に解釈されてもよい。

【0030】

[0034] 本明細書で使用される場合、「約」又は「実質的に」又は「およそ」という用語は、特定の技術に基づいて変動する可能性がある所与の数量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」又は「実質的に」又は「およそ」という用語は、例えば、値の１～１５％（例えば、値の±１％、±２％、±５％、±１０％、又は±１５％）内で変動する所与の数量の値を示す場合がある。

【0031】

[0035] 本明細書で使用する場合、「吸収する」又は「吸収」という用語は、吸着する及び吸着を含むことができる。

【0032】

[0036] 本開示の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実装されてもよい。本開示の実施形態はまた、機械可読媒体に記憶された命令として実装されてもよく、命令は、１つ以上のプロセッサにより読み出され実行されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えば、コンピューティングデバイス）により読み出し可能な形式で情報を記憶又は送信するための任意のメカニズムを含んでもよい。例えば、機械可読媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）；ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）；磁気ディスク記憶媒体；光学的記憶媒体；フラッシュメモリデバイス；電気的、光学的、音響的又は他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、及びその他、を含んでもよい。更に、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び／又は命令は、本明細書では、特定のアクションを実行するものとして説明される場合がある。しかしながら、そのような説明は単に便宜上のものであり、そのようなアクションは、実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスから生じることが理解されるべきである。

【0033】

[0037] しかしながら、そのような実施形態をより詳細に説明する前に、本開示の実施形態を実現することができる例示的な環境を提示することが有益である。

【0034】

[0038] 例示的なリソグラフィシステム
[0039] 図１は、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備えるリソグラフィシステムを示す。放射源ＳＯは、ＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢを生成し、ＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成されている。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴ、投影システムＰＳ、及び基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴを備える。

【0035】

[0040] 照明システムＩＬは、ＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前に、ＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢを調整するように構成されている。これに加えて、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含んでもよい。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は一緒に、所望の断面形状及び所望の強度分布を有するＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢを供給する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、又はその代わりに、他のミラー又はデバイスを含んでもよい。

【0036】

[0041] このように調整された後、ＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用は（図示するように）反射性である場合があり、これはＥＵＶ放射にとって好ましい場合がある。この相互作用は透過性である場合があり、これはＤＵＶ放射にとって好ましい場合がある。この相互作用の結果として、パターン形成されたＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは、パターン形成されたＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上へと投影するように構成されている。その目的のために、投影システムＰＳは、パターン形成されたＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢ’を基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上へと投影するように構成された複数のミラー１３、１４を備えてもよい。投影システムＰＳは、パターン形成されたＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用し、したがって、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャを有するイメージを形成してもよい。例えば、４又は８の縮小係数を適用してもよい。投影システムＰＳは、図１では２つのミラー１３、１４のみを有するものとして示されているが、投影システムＰＳは、異なる数のミラー（例えば、６つ又は８つのミラー）を含んでもよい。

【0037】

[0042] 基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含んでもよい。この場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン形成されたＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢ’によって形成されたイメージを、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンに位置合わせする。

【0038】

[0043] 例示的な光源装置
[0044] 上で論じたように、主発振器パワー増幅器（ＭＯＰＡ）は、２ステージ光共振器構成である。主発振器（ＭＯ）（例えば、第１の光共振器ステージ）は、高干渉性光ビームを生成する。パワー増幅器（ＰＡ）（例えば、第２の光共振器ステージ）は、ビーム特性を維持しながら、光ビームの光パワーを増加させる。ＭＯは、ガス放電チャンバ、光結合器（ＯＣ）、及び線幅狭隘化モジュール（ＬＮＭ）を含むことができる。ＯＣ及びＬＮＭは、ガス放電チャンバを取り囲んで光共振器を形成することができる。

【0039】

[0045] ＭＯＰＡの性能は、ＭＯに、例えば光ビームを出力するＭＯの光学窓に、強く依存する可能性がある。エキシマレーザは、エキシマ媒体を利用して、極端紫外（ＥＵＶ）線及び／又は深紫外（ＤＵＶ）線を出力する。他のガスレーザが、他の媒体（例えば、Ｆ_２レーザ）を使用する場合がある。エキシマは、同じ種の２つの原子（例えば、Ａｒ_２、Ｋｒ_２、Ｘｅ_２）から形成される短寿命の分子（「励起二量体」）である。エキシマという用語はまた、短寿命の分子が３種以上の種（例えば、ＡｒＦ、ＫｒＣｌ、ＫｒＦ、ＸｅＢｒ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ）から形成されるエキシプレックス媒体（「励起錯体」）も指す。ガス放電媒体（例えば、Ｆ_２、ＡｒＦ、ＫｒＦ、及び／又はＸｅＦ）を取り囲むＭＯの電極が、時間の経過と共に劣化し、金属フッ化物塵埃（例えば、平均直径が約２．０μｍ）を発生させる可能性がある。金属フッ化物塵埃は、ＭＯの光学窓上に積もり、光学的損傷（例えば、局所的な熱吸着及び／又は加熱）をもたらす可能性がある。更に、ＭＯにおける金属フッ化物塵埃の循環が更に、電極からの放電電圧の低下及びレーザー性能の低下をもたらす可能性がある。

【0040】

[0046] いくつかの実施形態では、金属フッ化物トラップ（ＭＦＴ）を、ＭＯのチャンバに結合させて、ガス放電媒体中の汚染を減らすことができる。例えば、特定のＭＦＴが、２００１年５月２９日に発行された米国特許第６，２４０，１１７号、及び２０１０年１０月２６日に発行された米国特許第７，８１９，９４５号に以前に記載されており、これらはその全体が参照により本明細書に組み込まれる。ガス放電媒体の一部分がＭＦＴを通過するにつれて、汚染されたガス放電媒体中の金属フッ化物塵埃がトラップフィルタで吸収され、残っているあらゆる粒子が静電集塵器により収集される。静電集塵器は、強力な電界（例えば、数ｋＶの印加電位）を介して、ＭＦＴを流れる塵埃粒子に静電荷を誘起する。例えば、集塵管（例えば、円筒形）を軸方向に通過する中心ワイヤに電圧を印加することができ、これにより集塵管の内面に静電荷が生成される。残っているあらゆる金属フッ化物塵埃が、集塵管の内面に付着する。得られた清浄ガスを、光学窓ハウジングを通して循環させてＭＯチャンバ内へと戻して、窓に塵埃が存在しないようにすることができる。

【0041】

[0047] いくつかの実施形態では、ＭＦＴメカニズムは、静電集塵器を有するメッシュスクリーン（例えば、真ちゅう織りメッシュ）の層を使用する。しかしながら、メッシュスクリーンは使用後に簡単に洗浄できない場合があり、時間の経過に伴い交換される場合がある。また、メッシュスクリーンは、金属フッ化物塵埃の収集が時間の経過に伴い不均衡になる（例えば、高密度領域のホットスポット）可能性があり、それがＭＦＴを通る流量に影響を及ぼす。時間の経過に伴い塵埃トラップ容量（例えば、総表面積）が減少する可能性があり、これは、レーザーの寿命に対する、及び、例えばＤＵＶリソグラフィ装置に出力される光ビームに対する決定的な制限要因である。

【0042】

[0048] いくつかの実施形態では、充填層フィルタを使用して、媒体、例えばガス放電媒体、をフィルタリングすることができる。一般に、充填層フィルタは、化学処理（例えば、化学反応器、蒸留、スクラバー）及び環境工学（例えば、空気濾過、水濾過、廃棄物濾過）で使用されてきた。一般に、化学用途では、充填層は、熱プロセス又は触媒プロセスに起因する流体の化学変換のための最大表面積を提供し、その後、充填材料に残留物を一切残すことなく、流体を流れに戻すために使用される。充填層フィルタは、構造化された充填物（例えば、ラシヒリング、カラムなど）及び／又は触媒粒子又は吸収剤（例えば、ゼオライトペレット、活性炭、砂、砂利など）を含むことができる。例えば、吸収剤（例えば、球）を容器にランダムに追加して振ると、それらは一般に、意図的に組み立てられていない場合の最高充填密度である「不規則な」又は「ぎっしり詰め込んだ」充填構成として知られるものを形成することになる。この不規則な充填は一般に、約６４％の密度を有することになる。エキシマシステム用の充填層フィルタは、一般的な充填層フィルタとは異なる場合がある。例えば、エキシマシステムの充填層フィルタは、腐食（例えば、Ｆ_２、Ｃｌ_２など）への耐性を有するべきであり、ガス放電媒体を汚染すべきではない。

【0043】

[0049] いくつかの実施形態では、複数のビーズ（例えば、真ちゅう、アルミナ、結晶性、ガラス様など）を含む充填層フィルタを有するＭＦＴは、（１）金属フッ化物塵埃トラップ能力を増加させる（例えば、以前のトラップ、例えば真ちゅう織りメッシュ、よりも大きな表面積）、（２）ビーズのタイプ及び／又はビーズの分布に起因するＭＦＴ内の流れ分布の制御（例えば、均一及び／又は最適化された流れ）を提供する、（３）カスタマイズされたビーズ及び／又はビーズの様々な構成（例えば、サイズ、形状、材料、粗さ、表面積、充填密度、機能化）を使用することにより、ＭＦＴにおける流量、トラップ容量、及び／又は流れ分布を調整及び／又は最適化する、及び（４）金属フッ化物塵埃の十分な吸着後に、充填層フィルタの効率的な洗浄及び／又は交換を可能にする、ことができる。

【0044】

[0050] いくつかの実施形態では、複数のビーズを含む充填層フィルタは、不規則な充填構成（例えば、約６４％の充填密度）を有することができる。例えば、得られたボイド率をＭＦＴの内部体積及び流入流量と併せて使用して、ＭＦＴを通るチャンバガスの流速を計算することができる。いくつかの実施形態では、空間を占有する物体（例えば、より小さなビーズ又はサブビーズ）を追加して、ＭＦＴを通るチャンバガスの流速を調整することができる。

【0045】

[0051] いくつかの実施形態では、複数のビーズを含む充填層フィルタは、ランダム疎充填（ＲＬＰ）、ランダム最密充填（ＲＣＰ）（例えば、「不規則」充填構成）、モノサイズ球充填（例えば、面心立方（ＦＣＣ））、マルチサイズ球充填（例えば、空孔を埋めるためのより小さな直径のビーズを用いたＦＣＣ）などで配置することができる。例えば、複数のビーズは、ＲＬＰ（例えば、約６０％の充填密度）、ＲＣＰ（例えば、約６４％の充填密度）、モノサイズ球充填（例えば、約７４％の充填密度）、及び／又はマルチサイズ球充填（例えば、約９３％の充填密度）で配置することができる。

【0046】

[0052] いくつかの実施形態では、複数のビーズ（例えば、球体）を含む充填層フィルタは、粒子トラップ能力と、チャンバガスの流れが詰まる可能性とを最適化することができるようなビーズ直径を有することができる。例えば、詰まり（例えば、チョーク流れ）及び／又は完全な閉塞の可能性が最小化されるように、ビーズ直径とトラップされる塵埃粒子の好ましい量とを決定することができる（例えば、流れは、ビーズの接触点の近くで最も支配的に減速されるという事実に基づいて、モデル及び／又は計算を最小化することができる。接触点では、ほとんど停滞した流れ状態により、粒子が流れから分離し、ビーズの表面に最初に付着し、続いて塵埃粒子が凝集することが可能になる）。

【0047】

[0053] いくつかの実施形態では、複数のビーズ（例えば、球体）を含む充填層フィルタの機能は、化学用途のための上述した一般的な充填層フィルタの反対であり、ＭＦＴ内の充填層フィルタのビーズは、塵埃粒子を吸収及び／又は捕捉するための表面を提供する（例えば、その後、充填材料上にいかなる残留物も残すことなく塵埃粒子を流れに戻すのではなく）。

【0048】

[0054] いくつかの実施形態では、複数のビーズ（例えば、球）を含む充填層フィルタの効果は、ランダムな及び／又は変化する流路を可能にすることにより、混合が改善されることである。このような流路は、優先される表面上で飽和し捕捉効率が低下した表面的バイパスフローを引き起こすことになるスクリーン（例えば、真ちゅう織りメッシュ）にとって有利である。例えば、ビーズの寸法制御された充填密度（例えば、約６４％の充填密度を有する不規則な充填構成）に起因するトラップ効率の変化なく、最小流動抵抗を有する経路により、流れを動的にバランスさせることができる。

【0049】

[0055] いくつかの実施形態では、複数のビーズ（例えば、球体）を含む充填層フィルタは、事前に組み立てて、ＭＦＴ内に滑り込ませることができる円筒形のリングカートリッジにすることができる。例えば、円筒形のリングカートリッジは、ＭＦＴの機能性に影響を及ぼす可能性がある振動及び／又は操作にＭＦＴ全体をさらすことなく、充填層を組み立てて充填するための更なる選択肢を提供することができる。

【0050】

[0056] 以下に論じられる光源装置及びシステムの実施形態は、金属フッ化物塵埃トラップ容量を増加させ、ガス放電媒体中の及び光学窓上の金属フッ化物塵埃を低減させ、金属フッ化物トラップを通る流れ分布の制御を改善し、金属フッ化物トラップ構成要素の効率的な洗浄及び／又は交換を提供し、主発信器の耐用寿命を延ばして、エキシマレーザビームを、例えばＤＵＶリソグラフィ装置に提供することができる。

【0051】

[0057] 図２～図４は、様々な例示的な実施形態による、光源装置２００を示す。図２は、例示的な一実施形態による、光源装置２００の概略図である。図３は、例示的な一実施形態による、図２に示す光源装置２００の金属フッ化物トラップ３００の概略断面図である。図４は、例示的な一実施形態による、図３に示す金属フッ化物トラップ３００の充填層フィルタアセンブリ４００の概略断面図である。

【0052】

[0058] 図２は、様々な例示的な実施形態による、光源装置２００を示す。光源装置２００は、ガス放電ステージ２１０（例えばＭＯ）における金属フッ化物塵埃汚染を減らし、例えば高干渉性で整列した光ビーム（例えば、光ビーム２０２）を、ＤＵＶリソグラフィ装置（例えばＬＡ）に提供するように構成することができる。光源装置２００は、第１及び第２の光学窓２１８、２２０における金属フッ化物塵埃の蓄積を低減させ、ガス放電ステージ２１０（例えばＭＯ）の耐用寿命及びレーザー性能を向上させるように更に構成することができる。光源装置２００が、スタンドアロン型の装置及び／又はシステムとして図２に示されているが、本開示の実施形態は、放射源ＳＯ、リソグラフィ装置ＬＡ、及び／又は他の光学システムなどであるが、これらに限定されない、他の光学システムと共に使用することができる。いくつかの実施形態では、光源装置２００は、リソグラフィ装置ＬＡにおける放射源ＳＯであり得る。例えば、ＥＵＶ及び／又はＤＵＶ放射ビームＢは、光ビーム２０２であり得る。いくつかの実施形態では、光源装置２００は、ガス放電ステージ２１０（例えば、ＭＯ）と、パワーリング増幅器（ＰＲＡ）ステージ（例えば、ＰＡ）（図示せず）とにより形成されるＭＯＰＡであり得る。

【0053】

[0059] 図２に示すように、光源装置２００は、ガス放電ステージ２１０、電圧制御システム２３０、圧力制御システム２４０、及び金属フッ化物トラップ（ＭＦＴ）３００を含むことができる。いくつかの実施形態では、上で列挙された構成要素の全てを、３次元（３Ｄ）フレーム２０１内に収容することができる。例えば、３Ｄフレーム２０１は、金属（例えば、アルミニウム、鋼など）、セラミック、及び／又は任意の他の好適な剛性材料を含むことができる。

【0054】

[0060] ガス放電ステージ２１０は、高干渉性光ビーム（例えば、光ビーム２０２）を出力するように構成することができる。ガス放電ステージ２１０は、光増幅器２０６、光結合器（ＯＣ）２５０、及び線幅狭隘化モジュール（ＬＮＭ）２６０を含むことができる。いくつかの実施形態では、ＯＣ２５０が、第１の光共振器要素２５２を含むことができ、ＬＮＭ２６０が、第２の光共振器要素２６２を含むことができる。光共振器２７０は、ＯＣ２５０（例えば、第１の光共振器要素２５２を介して）及びＬＮＭ２６０（例えば、第２の光共振器要素２６２を介して）により定義することができる。光共振器２７０を形成するために、第１の光共振器要素２５２は、部分的に反射性（例えば、部分ミラー）にすることができ、第２の光共振器要素２６２は、反射性（例えば、ミラー、回折格子など）にすることができる。光共振器２７０は、光増幅器２０６により生成された光を、固定数のパスにわたって光増幅器２０６内へと導いて、光ビーム２０２を形成することができる。いくつかの実施形態では、ガス放電ステージ２１０は、光ビーム２０２を、ＭＯＰＡ構成の一部としてのＰＲＡステージ（図示せず）に出力することができる。

【0055】

[0061] 図２に示すように、光増幅器２０６は、チャンバ２１１、第１の光学窓２１８、及び第２の光学窓２２０を含むことができる。チャンバ２１１は、第１及び第２の光学窓２１８、２２０内にガス放電媒体２１３を保持するように構成することができる。チャンバ２１１は、電極２０４、金属フッ化物塵埃２０８、ブロワ２１２、ガス放電媒体２１３、ＭＦＴ３００の方に向いた入力ポート２１４、第１の光学窓２１８の方に向いた第１の出力ポート２２２、及び第２の光学窓２２０の方に向いた第２の出力ポート２２４を含むことができる。入力ポート２１４は、ガス放電媒体２１３の一部分をチャンバ２１１内の金属フッ化物塵埃２０８と共に、ＭＦＴ３００内へと移送するように構成することができる。第１及び第２の出力ポート２２２、２２４は、ＭＦＴ３００からのガス放電媒体２１３の一部分（例えば、金属フッ化物塵埃２０８が除去された清浄ガス）を、再びチャンバ２１１に通して、それぞれ第１及び第２の光学窓２１８、２２０に移送するように構成することができる。

【0056】

[0062] 光増幅器２０６は、ＯＣ２５０及びＬＮＭ２６０に光学的に結合することができる。光増幅器２０６は、光ビーム２０２を出力するように構成することができる。光ビーム２０２は、ＯＣ２５０及びＬＮＭ２６０によって規定される光共振器２７０のチャンバ２１１内の電極２０４間のガス放電媒体２１３中で生成することができる。チャンバ２１１は、ＭＦＴ３００と、第１及び第２の光学窓２１８、２２０に結合することができる。ガス放電媒体２１３を、ブロワ２１２により、チャンバ２１１内の電極２０４の間で循環させることができる。いくつかの実施形態では、ブロワ２１２は、横流ブロワであり得る。ガス放電媒体２１３の一部分を、ブロワ２１２の下流の入力ポート２１４において引き込み、ＭＦＴ３００を通して導くことができる。清浄ガスを、第１及び第２の光学窓２１８、２２０を通して循環させてチャンバ２１１内へと戻して、清浄ガスにレーザデブリ（例えば、金属フッ化物塵埃２０８）が存在しないようにできる。いくつかの実施形態では、ブロワ２１２及び／又は圧力制御システム２４０（例えば、真空ライン２４４）は、チャンバ２１１からＭＦＴ３００（例えば、入力ポート２１４）内への流量を約１００ｓｃｃｍに維持することができる。

【0057】

[0063] ガス放電媒体２１３は、例えば放電により、励起されて光が出力され、光はレーザキャビティ内で増幅されて光ビーム２０２（例えば、１５７ｎｍ又は１９３ｎｍ又は２４８ｎｍ）を生成することができる。いくつかの実施形態では、ガス放電媒体２１３は、エキシマレイジング用のガス（例えば、Ａｒ_２、Ｋｒ_２、Ｆ_２、Ｘｅ_２、ＡｒＦ、ＫｒＣｌ、ＫｒＦ、ＸｅＢｒ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦなど）を含むことができる。例えば、ガス放電媒体２１３は、ＡｒＦを含むことができ、チャンバ２１１内で取り囲んでいる電極２０４からの励起（例えば、印加電圧）により、第１及び第２の光学窓２１８、２２０を通して光ビーム２０２（例えば、１５７ｎｍ又は１９３ｎｍ又は２４８ｎｍ）を出力する。いくつかの実施形態では、ガス放電媒体２１３は、エキシマ媒体を含むことができる。例えば、ガス放電媒体２１３は、Ｆ_２、ＡｒＦ、ＫｒＦ、及び／又はＸｅＦを含むことができる。

【0058】

[0064] ＯＣ２５０は、第２の光学窓２２０と光学的につながるように構成することができる。いくつかの実施形態では、ＯＣ２５０は、光ビームを部分的に反射し、光共振器２７０の一部を形成するように構成することができる。例えば、ＯＣは、２０１１年２月８日に発行された米国特許第７，８８５，３０９号に以前に記載されており、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。図２に示すように、ＯＣ２５０は、第１の光共振器要素２５２を含んで、光増幅器２０６からの光（例えば、光ビーム２０２）を導いて、光増幅器２０６内へと戻すこと、及び／又は光ビーム２０２を出力することができる。第１の光共振器要素２５２は、調整する（例えば、傾斜させる）ことができる。

【0059】

[0065] ＬＮＭ２６０は、第１の光学窓２１８と光学的につながるように構成することができる。いくつかの実施形態では、ＬＮＭ２６０は、光ビームにスペクトル線の狭隘化を提供し、光共振器２７０の一部を形成するように構成することができる。例えば、ＬＮＭは、２０１２年２月２８日に発行された米国特許第８，１２６，０２７号に以前に記載されており、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。図２に示すように、ＬＮＭ２６０は、第２の光共振器要素２６２を含んで、光増幅器２０６からの光（例えば、光ビーム２０２）をＯＣ２５０に向かって導いて、光増幅器２０６内へと戻すことができる。第２の光共振器要素２６２は、調整する（例えば、傾斜させる、角度を付ける）ことができる。

【0060】

[0066] 電圧制御システム２３０は、チャンバ２１１内の電極２０４の両端に高電圧電気パルスを印加して、ガス放電媒体２１３を励起させて、光ビーム２０２（例えば、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、又は２４８ｎｍ）を出力するように構成することができる。電圧制御システム２３０は、電圧供給ライン２３２を含むことができる。いくつかの実施形態では、電圧制御システム２３０は、電極２０４の両端に高電圧電気パルスを提供するために、高電圧電源（図示せず）、電圧圧縮増幅器（図示せず）、パルスエネルギーモニタ（図示せず）、及び／又はコントローラ（図示せず）を含むことができる。例えば、電圧制御システムは、２００１年５月２９日に発行された米国特許第６，２４０，１１７号に以前に記載されており、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0061】

[0067] 圧力制御システム２４０は、チャンバ２１１内のフッ素濃度を制御し、ガス放電媒体２１３をチャンバ２１１に提供するように構成することができる。圧力制御システム２４０は、ガス放電ライン２４２及び真空ライン２４４を含むことができる。ガス放電ライン２４２は、ガス放電媒体２１３の１種以上のガス成分（例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ，Ｆ_２、Ｂｒ_２、Ｃｌ_２など）をチャンバ２１１に供給するように構成することができる。真空ライン２４４は、例えば、１つ以上のガス成分をガス放電ライン２４２を介してガス放電媒体２１３に注入している間に、チャンバ２１１内のガス放電媒体２１３の一部分に負圧を印加する（例えば、引き出す）ように構成することができる。いくつかの実施形態では、圧力制御システム２４０は、チャンバ２１１内のフッ素濃度を制御し、チャンバ２１１内にガス放電媒体２１３を補充するために、１つ以上のガス源（図示せず）、１つ以上の圧力調整器（図示せず）、真空ポンプ（図示せず）、フッ素（Ｆ_２）トラップ若しくは他のハロゲントラップ、及び／又はコントローラ（図示せず）を含むことができる。例えば、圧力制御システムは、２００１年５月２９日に発行された米国特許第６，２４０，１１７号に以前に記載されており、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。いくつかの実施形態では、圧力制御システム２４０は、ガス放電ステージ２１０に結合され、ガス放電媒体２１３の一部分を金属フッ化物塵埃２０８と共に、ＭＦＴ３００の入力ポート２１４を通して、ＭＦＴ３００（例えば、充填層フィルタアセンブリ４００）を通して、そしてＭＦＴ３００の第１及び／又は第２の出力ポート２２２、２２４を通して流すように構成することができる。

【0062】

[0068] 例示的な金属フッ化物トラップ（ＭＦＴ）
[0069] 図３は、例示的な実施形態による、図２に示す光源装置２００のＭＦＴ３００の（図２のＩＩＩ－ＩＩＩで示す平面に沿った）概略断面図である。図４は、例示的な実施形態による、図３に示すＭＦＴ３００の充填層フィルタアセンブリ４００の（図３のＩＶ－ＩＶで示す平面に沿った）概略断面図である。

【0063】

[0070] いくつかの実施形態では、ＭＦＴ３００は、ガス放電ステージ２１０のチャンバ２１１内のガス放電媒体２１３中で生成された金属フッ化物塵埃２０８をトラップするように構成することができる。ＭＦＴ３００は、第１及び第２の光学窓２１８、２２０における金属フッ化物塵埃２０８の蓄積を低減させ、ガス放電ステージ２１０（例えば、ＭＯ）の耐用寿命及びレーザー性能を向上させるように更に構成することができる。ＭＦＴ３００が、スタンドアロン型の装置及び／又はシステムとして図３に示されているが、本開示の実施形態は、放射源ＳＯ、リソグラフィ装置ＬＡ、光源装置２００、及び／又は他の光学システムなどであるが、これらに限定されない、他の光学システムと共に使用することができる。いくつかの実施形態では、ＭＦＴ３００は、光源装置２００の３Ｄフレーム２０１の外部にあり得る。例えば、ＭＦＴ３００は、入力ポート２１４と、ＭＦＴ３００が３Ｄフレーム２０１の外部に存在するように延ばすことができる第１及び第２の出力ポート２２２、２２４とを介して、チャンバ２１１に接続することができる。

【0064】

[0071] いくつかの実施形態では、ＭＦＴ３００は、ＭＦＴフレーム３０１、チャンバ２１１に結合された入力ポート２１４、チャンバ２１１及び第１の光学窓２１８に結合された第１の出力ポート２２２、チャンバ２１１及び第２の光学窓２２０に結合された第２の出力ポート２２４、静電集塵器３２０、及び充填層フィルタアセンブリ４００を含むことができる。いくつかの実施形態では、ＭＦＴフレーム３０１は円筒形であり得る。例えば、ＭＦＴフレーム３０１は、約１０ｍｍ（直径）×約１００ｍｍ（長さ）であり得る。

【0065】

[0072] いくつかの実施形態では、入力ポート２１４は、ガス放電媒体２１３の一部分をチャンバ２１１内の金属フッ化物塵埃２０８と共に、ＭＦＴ３００内へと移送するように構成することができる。図３に示すように、ガス放電媒体２１３は、充填層フィルタアセンブリ４００を通って静電集塵器３２０に向かって流れることができ、金属フッ化物塵埃２０８は、充填層フィルタアセンブリ４００に吸収され得る。第１及び第２の出力ポート２２２、２２４は、充填層フィルタアセンブリ４００及びＭＦＴ３００の静電集塵器３２０を通過したガス放電媒体２１３の一部分（例えば、金属フッ化物塵埃２０８が除去された清浄ガス）を、再びチャンバ２１１に通して、それぞれ第１及び第２の光学窓２１８、２２０に移送するように構成することができる。

【0066】

[0073] いくつかの実施形態では、静電集塵器３２０は、ＭＦＴ３００を通って流れる金属フッ化物塵埃２０８中に電荷を誘起し、残っている金属フッ化物塵埃２０８の吸着を促進するように構成することができる。静電集塵器３２０は、中心ワイヤ３２２、集塵管３２４、及び高電圧供給部３２８を含むことができる。中心ワイヤ３２２と集塵管３２４の内面３２６（例えば、接地された）との間に強い電界を発生させるために、高電圧供給部３２８を介して、高電圧（例えば、数ｋＶ）を中心ワイヤ３２２に印加することができる。いくつかの実施形態では、内面３２６に静電荷を形成するために、中心ワイヤ３２２が集塵管３２４（例えば、円筒形）を軸方向に通過することができる。中心ワイヤ３２２と内面３２６との間に高電圧差（例えば、数ｋＶ）が印加されると、充填層フィルタアセンブリ４００を通って流れた後に残っているあらゆる金属フッ化物塵埃２０８が、内面３２６に付着する可能性がある。静電集塵器３２０は、充填層フィルタアセンブリ４００の第１及び第２の管端部支持体４１６、４１８を超えてＭＦＴ３００の長さを延ばすことができる。

【0067】

[0074] いくつかの実施形態では、充填層フィルタアセンブリ４００は、ＭＦＴ３００を通って流れる金属フッ化物塵埃２０８を吸収するように構成することができる。充填層フィルタアセンブリ４００は、充填層フィルタ４０２、４０４及び集塵管アセンブリ４１０を含むことができる。充填層フィルタ４０２、４０４は、金属フッ化物塵埃２０８を吸収するように構成されたビーズ４０６、４０８を含むことができる。いくつかの実施形態では、図３及び図４に示すように、充填層フィルタ４０２、４０４は、静電集塵器３２０の周囲に配置することができる。いくつかの実施形態では、充填層フィルタ４０２、４０４は、ビーズ４０６、４０８によって定義される総表面積（例えば、金属フッ化物トラップ容量）を有する。いくつかの実施形態では、総表面積は、ＭＦＴ３００を通るガス放電媒体２１３の流量を制御するように構成することができる。

【0068】

[0075] いくつかの実施形態では、充填層フィルタアセンブリ４００は、バッフル（例えば、第２の集塵管４１４）によって分離された複数の充填層フィルタ４０２、４０４を含むことができる。例えば、図３及び図４に示すように、充填層フィルタアセンブリ４００は、第２の集塵管４１４によって分離された第１の（外側）充填層フィルタ４０２及び第２の（内側）充填層フィルタ４０４を含むことができる。いくつかの実施形態では、充填層フィルタアセンブリ４００は、異なる充填層フィルタ４０２、４０４を含むことができる。例えば、図３及び図４に示すように、充填層フィルタアセンブリ４００は、第１の複数のビーズ４０６（例えば、より大きな直径、より小さな表面積、より低い充填密度、第１の材料、第１の粗さなど）を有する第１の（外側）充填層フィルタ４０２と、第１の（外側）充填層フィルタ４０２とは異なる第２の複数のビーズ４０８（例えば、より小さな直径、より大きな表面積、より高い充填密度、第２の材料、第２の粗さなど）を有する第２の（内側）充填層フィルタ４０４と、を含むことができる。例えば、第１及び第２の充填層フィルタ４０２、４０４は、異なる直径、異なる表面積、異なる充填密度、及び／又は異なる材料を有する異なるビーズ４０６、４０８を有することができる。更に、３つ以上の充填層フィルタを有する実装形態も企図される。

【0069】

[0076] いくつかの実施形態では、第１の複数のビーズ４０６を有する第１の充填層フィルタ４０２及び第２の複数のビーズ４０８を有する第２の充填層フィルタ４０４は同じであり得る。例えば、第１及び第２の複数のビーズ４０６、４０８は同一であり得る（例えば、形状、サイズ、材料など）。いくつかの実施形態では、第１の複数のビーズ４０６を有する第１の充填層フィルタ４０２及び第２の複数のビーズ４０８を有する第２の充填層フィルタ４０４は異なり得る。例えば、第１及び第２の複数のビーズ４０６、４０８は異なり得る（例えば、形状、サイズ、材料など）。

【0070】

[0077] いくつかの実施形態では、第１及び第２の複数のビーズ４０６、４０８は、充填層フィルタ４０２、４０４内に、ランダム疎充填（ＲＬＰ）、ランダム最密充填（ＲＣＰ）（例えば、振とう）、モノサイズ球充填（例えば、面心立方（ＦＣＣ））、マルチサイズ球充填（例えば、空孔を満たすためのより小さな直径のビーズを用いたＦＣＣ）などで配置することができる。例えば、第１及び第２の複数のビーズ４０６、４０８は、ＲＬＰ（例えば、約６０％の充填密度）、ＲＣＰ（例えば、約６４％の充填密度）、モノサイズ球充填（例えば、約７４％の充填密度）、及び／又はマルチサイズ球充填（例えば、約９３％の充填密度）で配置することができる。いくつかの実施形態では、第１の充填層フィルタ４０２及び／又は第２の充填層フィルタ４０４は、第１及び第２の複数のビーズ４０６、４０８の両方を含むことができる。例えば、第１及び第２の複数のビーズ４０６、４０８は、第１の充填層フィルタ４０２が、第２の充填層フィルタ４０４とは異なる充填密度及び総表面積を有するように、第１及び第２の充填層フィルタ４０２、４０４内に異なって配置することができる。

【0071】

[0078] いくつかの実施形態では、ビーズ４０６、４０８は球形であり得る。例えば、ビーズ４０６、４０８は、約１ｍｍ～約１０ｍｍの直径を有することができる。いくつかの実施形態では、第１の複数のビーズ４０６は、約５ｍｍ～約１０ｍｍの直径を有することができ、第２の複数のビーズ４０８は、約１ｍｍ～約５ｍｍの直径を有することができる。例えば、第１の複数のビーズ４０６は、約５ｍｍの直径を有することができ、第２の複数のビーズ４０８は、約２ｍｍの直径を有することができる。いくつかの実施形態では、ビーズ４０６、４０８は、滑らかに研磨された外面を有することができる。例えば、ビーズ４０６、４０８は、ボールベアリングであり得る。いくつかの実施形態では、ビーズ４０６、４０８は、フッ化物耐食性材料を含むことができる。例えば、ビーズ４０６、４０８は、ガラス様成分、結晶性成分、金属、及び／又は酸化物を含むことができる。例えば、ビーズ４０６、４０８は、アルミニウム、ジュラルミン、アルミナ、ニッケル、モネル、真ちゅう、銅、亜鉛、ホウ化カルシウム、フッ化カルシウム、及び／又はそれらのいくつかの組み合わせを含むことができる。いくつかの実施形態では、ビーズ４０６、４０８は、異なる材料を有することができる。例えば、第１の複数のビーズ４０６は、第１の材料（例えば、真ちゅう）を含むことができ、第２の複数のビーズ４０８は、第２の材料（例えば、アルミナ）を含むことができる。

【0072】

[0079] いくつかの実施形態では、集塵管アセンブリ４１０は、充填層フィルタアセンブリ４００内にビーズ４０６、４０８を組み立てるように構成することができる。集塵管アセンブリ４１０は、集塵管４１２、４１４、第１の管端部支持体４１６、及び第２の管端部支持体４１８を含むことができる。集塵管４１２、４１４は、第１の管端部支持体４１６と第２の管端部支持体４１８との間に配置することができる。いくつかの実施形態では、集塵管アセンブリ４１０は円筒形であり得る。例えば、集塵管４１２、４１４、並びに第１及び第２の管端部支持体４１６、４１８は、円筒形であり得る。いくつかの実施形態では、集塵管アセンブリ４１０は、充填層フィルタアセンブリ４００内のガス放電媒体２１３の流れを充填層フィルタアセンブリ４００の全長に沿って導くように構成された１つ以上のバッフルを含むことができる。例えば、図３に示すように、集塵管４１２、４１４は、集塵管４１２、４１４と第１及び第２の管端部支持体４１６、４１８との間にギャップを形成するために、集塵管４１２、４１４の遠位端に小さな開口部４２０、４２２（例えば、スロット、ノッチ、アパーチャなど）を含むことができる。

【0073】

[0080] いくつかの実施形態では、集塵管アセンブリ４１０は、第１の管端部支持体４１６と第２の管端部支持体４１８との間に複数の集塵管４１２、４１４を含むことができる。例えば、集塵管アセンブリ４１０は、第１の集塵管４１２及び第２の集塵管４１４を含むことができる。いくつかの実施形態では、第１及び第２の集塵管４１２、４１４は同心であり得る。例えば、第１の（外側の）集塵管４１２は、第２の（内側の）集塵管４１４の周りに配置することができる。いくつかの実施形態では、集塵管アセンブリ４１０は、ガラス様成分、結晶性成分、金属、及び／又は酸化物を含むことができる。例えば、集塵管４１２、４１４は、アルミニウム、ジュラルミン、アルミナ、ニッケル、モネル、真ちゅう、銅、亜鉛、ホウ化カルシウム、フッ化カルシウム、及び／又はそれらのいくつかの組み合わせを含むことができる。

【0074】

[0081] 例示的なフロー図
[0082] 図５は、一実施形態による、ガス放電ステージ２１０において金属フッ化物塵埃２０８をトラップするための流れ図５００を示す。本明細書で提供される開示を実行するために、図５の全てのステップが必要とは限らないことを理解されたい。更に、いくつかのステップは、同時に、連続して、及び／又は図５に示すものとは異なる順序で実行されてもよい。流れ図５００は、図２～図４を参照して説明されることになる。しかしながら、流れ図５００は、それらの例示的な実施形態に限定されない。

【0075】

[0083] ステップ５０２において、図３及び図４に示すように、第１の管端部支持体４１６と第２の管端部支持体４１８との間に第１及び第２の集塵管４１２、４１４を含む集塵管アセンブリ４１０を組み立てることができる。いくつかの実施形態では、第１及び第２の集塵管４１２、４１４は、集塵管アセンブリ４１０内で同心円状に配置することができる。例えば、第１の（外側の）集塵管４１２は、第２の（内側の）集塵管４１４の周りに配置することができる。いくつかの実施形態では、集塵管アセンブリ４１０は、第１及び第２の複数のビーズ４０６、４０８を分離するための１つ以上のバッフルを含むことができる。例えば、第２の集塵管４１４は、短縮された長さを有して開口部（例えば、第１及び第２の小さな開口部４２０、４２２）を形成することができ、第１の複数のビーズ４０６と第２の複数のビーズ４０８との間に配置されたバッフルとして利用することができる。

【0076】

[0084] ステップ５０４において、図３及び図４の例に示すように、集塵管アセンブリ４１０内の複数の充填層フィルタ４０２、４０４を、静電集塵器３２０の周囲に組み立てて、充填層フィルタアセンブリ４００を形成することができる。各充填層フィルタ４０２、４０４は、ガス放電媒体２１３中の金属フッ化物塵埃２０８を吸収するように構成された複数のビーズ４０６、４０８を含む。いくつかの実施形態では、複数の充填層フィルタ４０２、４０４を組み立てることは、複数の集塵管４１２、４１４の間に複数のビーズ４０６、４０８を充填することを含む。例えば、第１の複数のビーズ４０６を、第１の集塵管４１２と第２の集塵管４１４との間に充填することができ、第２の複数のビーズ４０８を、第２の集塵管４１４と静電集塵器３２０との間に充填することができる。いくつかの実施形態では、充填することは、第２の集塵管４１４と静電集塵器３２０との間に充填された第２の複数のビーズ４０８とは異なる第１の複数のビーズ４０６を、第１の集塵管４１２と第２の集塵管４１４との間に充填することを含む。例えば、第１の複数のビーズ４０６は、第２の複数のビーズ４０８とは異なる直径、異なる表面積、異なる充填密度、異なる材料、及び／又は異なるビーズの組み合わせを有することができる。

【0077】

[0085] ステップ５０６において、図３及び図４の例に示すように、充填層フィルタアセンブリ４００を、ＭＦＴ３００内へと挿入することができる。

【0078】

[0086] ステップ５０８において、図２～図４の例に示すように、ＭＦＴ３００を貫流するようにガス放電媒体２１３を導くことができる。

【0079】

[0087] ステップ５１０において、図２～図４の例に示すように、金属フッ化物塵埃２０８を充填層フィルタアセンブリ４００内にトラップすることができる。

【0080】

[0088] いくつかの実施形態では、この方法は、充填層フィルタアセンブリ４００から複数のビーズ４０６、４０８を除去することと、複数のビーズ４０６、４０８を洗浄することと、複数のビーズ４０６、４０８を充填層フィルタアセンブリ４００内に再組み立てすることと、を更に含むことができる。いくつかの実施形態では、この方法は、充填層フィルタアセンブリ４００から複数のビーズ４０６、４０８を除去することと、第２の複数のビーズ（例えば、ビーズ４０６、４０８と同様の新しいビーズ）を充填層フィルタアセンブリ４００内に再組み立てすることと、を更に含むことができる。

【0081】

[0089] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及されている可能性があるが、本明細書で説明するリソグラフィ装置は、磁区メモリ、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッド等のためのガイダンス及び検出パターン、集積光学システムの製造などの、他の用途を有することがあることを理解されたい。当業者であれば、そのような代替の用途の文脈において、本明細書での「ウェーハ」又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語の同義としてみなすことができることを、理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前又は後で、例えば、トラックユニット（通常、レジストの層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ユニット及び／又は検査ユニットで処理されることがある。適用可能である場合、本明細書の開示は、そのような他の基板処理ツールに適用することができる。更に、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために２度以上処理されることがあり、その結果、本明細書で使用する基板という用語は、複数の処理済層を既に包含している基板を指すこともある。

【0082】

[0090] 光リソグラフィに関連して、実施形態の使用について上記で具体的に言及してきたが、実施形態は他の用途、例えばインプリントリソグラフィにおいても使用することができ、状況が許せば、光リソグラフィに限定はされないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを規定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジストの層にプレスされることがあり、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組み合わせを印加することにより、レジストが硬化される。パターニングデバイスはレジストから外部に移動され、レジストが硬化された後でレジストにパターンを残す。

【0083】

[0091] 本明細書の語句又は用語は、説明の目的のためのものであり、限定するものではなく、本明細書の用語又は語句は、関連技術分野の当業者によって、本明細書の教示に照らし合わせて解釈されるべきものであることを、理解されたい。

【0084】

[0092] 本明細書で使用される場合、「基板」という用語は、その上に材料層が追加される材料を表す。いくつかの実施形態では、基板自体がパターン形成されてもよく、基板の上部に追加された材料もまたパターン形成されてもよく、又はパターン形成されないままであってもよい。

【0085】

[0093] 以下の例は、本開示の実施形態の例示であるが、限定するものではない。当分野で通常遭遇する、及び関連技術分野の当業者には明らかとなるであろう、様々な条件及びパラメータの他の好適な修正及び適合が、本開示の趣旨及び範囲内にある。

【0086】

[0094] 本明細書では、ＩＣの製造における装置及び／又はシステムの使用について具体的に言及されている場合があるが、そのような装置及び／又はシステムには多くの他の可能な用途があることを明確に理解すべきである。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、ＬＣＤパネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用できる。当業者であれば、そのような代替の用途との関連において、本明細書における「レチクル」、「ウェーハ」、又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれ、「マスク」、「基板」、及び「ターゲット部分」という、より一般的な用語で置き換えられると考えるべきであることを理解するであろう。

【0087】

[0095] 具体的な実施形態について上記で説明したが、本実施形態は、説明したものとは別の態様で実施されてもよいことが理解されるであろう。説明は、特許請求の範囲を限定することを意図したものではない。

【0088】

[0096] 「発明の概要」及び「要約」の章ではなく、「発明を実施するための形態」の章が、請求項を解釈するために使用されるように意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約」の章は、発明者らによって企図された例示的な実施形態の、全てではないが１つ又は複数を記載していることがあり、従って、いかなる態様でも、実施形態及び添付の特許請求の範囲を限定することを意図していない。

【0089】

[0097] 具体的な機能の実装及びそれらの関係を示す機能的構成ブロックの助けを借りて実施形態を上述してきた。これらの機能的構成ブロックの境界は、説明の便宜上、本明細書では任意に規定される。特定の機能及びそれらの関係が適切に実行される限り、代替の境界を規定することができる。

【0090】

[0098] 特定の実施形態についての前述の説明は、実施形態の一般的性質を完全に明らかにしているので、当分野の技術の範疇の知識を応用することによって、他者が、実施形態の一般的な概念から逸脱することなく、不適当な実験を行うことなしに、そのような特定の実施形態を容易に修正する及び／又は様々な用途へ適合させることができる。従って、そのような適合及び修正は、本明細書で提示された教示及び指導に基づいて、開示された実施形態の均等物の趣旨及び範囲の内部にあることが意図されている。

【0091】

[0099] 本発明の他の態様が、以下の番号付けされた条項に記載される。
条項１．
ガス放電媒体を保持するように構成されたチャンバを備える光増幅器であって、ガス放電媒体は光ビームを出力する、光増幅器と、
光増幅器の周囲に光共振器を形成するように構成された光学要素のセットと、を備える、ガス放電ステージと；
ガス放電ステージで発生する金属フッ化物塵埃をトラップするように構成された金属フッ化物トラップであって、金属フッ化物トラップは、
静電集塵器と、
静電集塵器の周囲に配置された充填層フィルタであって、
金属フッ化物塵埃を吸収するように構成された複数のビーズを含む、充填層フィルタと、
を備える、金属フッ化物トラップと、
を備える、光源装置。
条項２．
充填層フィルタは、金属フッ化物トラップを通るガス放電媒体の流量を制御するように構成された総表面積を有する、条項１に記載の光源装置。
条項３．
充填層フィルタは、バッフルによって分離された複数の充填層フィルタを備える、条項１に記載の光源装置。
条項４．
複数の充填層フィルタの各々は異なる、条項３に記載の光源装置。
条項５．
複数の充填層フィルタの各々は、異なる表面積を有する、条項４に記載の光源装置。
条項６．
複数の充填層フィルタの各々は、異なる充填密度を有する、条項４に記載の光源装置。
条項７．
複数のビーズの各々は球形であり、滑らかに研磨された外面を含む、条項１に記載の光源装置。
条項８．
複数のビーズは、フッ化物耐食性材料を含む、条項１に記載の光源装置。
条項９．
複数のビーズは、第１の複数のビーズと、第１の複数のビーズとは異なる第２の複数のビーズとを含む、条項１に記載の光源装置。
条項１０．
ガス放電媒体は、エキシマ媒体を含む、条項１に記載の光源装置。
条項１１．
ガス放電媒体は、Ｆ_２、ＡｒＦ、ＫｒＦ、及び／又はＸｅＦを含む、条項１０に記載の光源装置。
条項１２．
光学要素のセットは、
チャンバの第１の光ポートに光学的につながった光結合器（ＯＣ）と、
チャンバの第２の光ポートに光学的につながった線幅狭隘化モジュール（ＬＮＭ）と、を備える、条項１に記載の光源装置。
条項１３．
ガス放電ステージに結合され、金属フッ化物トラップの入力ポートを通って、充填層フィルタを通って、そして金属フッ化物トラップの１つ以上の出力ポートを通って流れるように、ガス放電媒体の一部分を導くように構成された、圧力制御システムを更に備える、条項１に記載の光源装置。
条項１４．
ガス放電ステージのガス放電媒体中で生成された金属フッ化物塵埃をトラップするように構成された金属フッ化物トラップであって、金属フッ化物トラップは、
静電集塵器と、
静電集塵器の周囲に配置された充填層フィルタであって、
充填層フィルタは、ガス放電媒体中の金属フッ化物塵埃を吸収するように構成された複数のビーズを含む、充填層フィルタと、を備える、金属フッ化物トラップ。
条項１５．
充填層フィルタは、金属フッ化物トラップを通るガス放電媒体の流量を制御するように構成された総表面積を有する、条項１４に記載の金属フッ化物トラップ。
条項１６．
複数のビーズの各々は球形である、条項１４に記載の金属フッ化物トラップ。
条項１７．
各ビーズは、約１ｍｍ～約１０ｍｍの直径を有する、条項１６に記載の金属フッ化物トラップ。
条項１８．
各ビーズは、滑らかに研磨された外面を含む、条項１６に記載の金属フッ化物トラップ。
条項１９．
複数のビーズは、フッ化物耐食性材料を含む、条項１４に記載の金属フッ化物トラップ。
条項２０．
フッ化物耐食性材料は、ガラス様成分、結晶性成分、金属、及び／又は酸化物を含む、条項１９に記載の金属フッ化物トラップ。
条項２１．
フッ化物耐食性材料は、アルミニウム、ジュラルミン、アルミナ、ニッケル、モネル、真ちゅう、銅、亜鉛、ホウ化カルシウム、及び／又はフッ化カルシウムを含む、条項１９に記載の金属フッ化物トラップ。
条項２２．
複数のビーズは、第１の複数のビーズと、第１の複数のビーズとは異なる第２の複数のビーズとを含む、条項１４に記載の金属フッ化物トラップ。
条項２３．
第１の複数のビーズは、第１の寸法を有し、第２の複数のビーズは、第１の寸法とは異なる第２の寸法を有する、条項２２に記載の金属フッ化物トラップ。
条項２４．
第１の複数のビーズは、第１の材料を含み、第２の複数のビーズは、第１の材料とは異なる第２の材料を含む、条項２２に記載の金属フッ化物トラップ。
条項２５．
ガス放電ステージのガス放電媒体中で生成された金属フッ化物塵埃を、金属フッ化物トラップ内でトラップする方法であって、方法は、
第１の管端部支持体と第２の管端部支持体との間に複数の集塵管を備える集塵管アセンブリを組み立てることと、
集塵管アセンブリにおいて静電集塵器の周囲に複数の充填層フィルタを組み立てて、充填層フィルタアセンブリを形成することであって、各充填層フィルタは、ガス放電媒体中の金属フッ化物塵埃を吸収するように構成された複数のビーズを含む、ことと、
充填層フィルタアセンブリを金属フッ化物トラップ内へと挿入することと、
金属フッ化物トラップを通って流れるようにガス放電媒体を導くことと、
充填層フィルタアセンブリ内に金属フッ化物塵埃をトラップすることと、を含む、方法。
条項２６．
複数の充填層フィルタを組み立てることは、複数の集塵管の間に複数のビーズを充填することを含む、条項２５に記載の方法。
条項２７．
充填することは、内側の複数の集塵管の間に内側の複数のビーズを充填することと、外側の複数の集塵管の間に内側の複数のビーズとは異なる外側の複数のビーズを充填することと、を含む、条項２６に記載の方法。
条項２８．
外側の複数のビーズは、内側の複数のビーズとは異なる表面積及び／又は充填密度を有する、条項２７に記載の方法。
条項２９．
充填層フィルタアセンブリから複数のビーズを除去することと、複数のビーズを洗浄することと、複数のビーズを充填層フィルタアセンブリ内に再組み立てすることと、を更に含む、条項２５に記載の方法。
条項３０．
充填層フィルタアセンブリから複数のビーズを除去することと、第２の複数のビーズを充填層フィルタアセンブリ内に再組み立てすることと、を更に含む、条項２５に記載の方法。

【0092】

[0100] 実施形態の広さ及び範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物に従ってのみ規定されるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】