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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-30
(45)【発行日】2023-12-08
(54)【発明の名称】研削装置、及び研削方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20231201BHJP
B24B 7/04 20060101ALI20231201BHJP
B24B 49/02 20060101ALI20231201BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 622R
B24B7/04 A
B24B49/02 Z
H01L21/304 622S
H01L21/304 622W
H01L21/304 631
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2020011927
(22)【出願日】2020-01-28
(65)【公開番号】P2021118300
(43)【公開日】2021-08-10
【審査請求日】2022-11-30
(73)【特許権者】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】林 徳太郎
(72)【発明者】
【氏名】大塚 慶崇
(72)【発明者】
【氏名】溝本 康隆
(72)【発明者】
【氏名】児玉 宗久
(72)【発明者】
【氏名】池上 和哉
【審査官】湯川 洋介
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１３－０３３７９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－０６２４３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１３／０８４７６１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１４－２２６７４９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－０１３８１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－２４５６１０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０１２２４１２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１９－１２９２８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０４－３０５９２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１４４５０４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－２０６０７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１３／１０６７７７（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
Ｂ２４Ｂ ７／０４
Ｂ２４Ｂ ４９／０２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板及び前記第１基板に接合された第２基板を含む重合基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる第１回転部と、
前記保持部によって保持された前記重合基板に押し当てる研削工具を回転させる第２回転部と、
前記第１基板と前記第２基板の接合装置にて測定された前記重合基板の複数点のデータを受信するデータ受信部と、を有し、
前記第１基板は、前記研削工具によって研削される下地基板と、前記下地基板の前記第２基板との対向面に形成されるデバイス層とを含み、
前記データは、前記重合基板の前記下地基板を除く残部の厚み、又は前記重合基板の総厚と前記下地基板の厚みの両方、又は前記重合基板の総厚と、前記複数点の位置とを含む、研削装置。
【請求項2】
前記研削工具の回転中心線に対する前記保持部の回転中心線の傾斜角度を調整する傾斜角度調整部と、前記データに基づき前記傾斜角度調整部を制御し、研削後の前記下地基板の厚みが均一になるように前記傾斜角度を制御する傾斜角度制御部とを有する、請求項１に記載の研削装置。
【請求項3】
前記データは、前記残部の厚みと、前記残部の厚みを測定した前記複数点の位置とを含み、前記傾斜角度制御部は、前記複数点で測定された前記残部の厚みに基づき前記傾斜角度調整部を制御し、研削後の前記下地基板の厚みが均一になるように前記傾斜角度を制御する、請求項２に記載の研削装置。
【請求項4】
前記データは、前記重合基板の総厚と前記下地基板の厚みの両方と、前記両方の厚みを測定した前記複数点の位置とを含み、前記複数点のそれぞれで、前記重合基板の総厚と前記下地基板の厚みとの差分を算出し、前記残部の厚みを算出する残厚算出部を有し、
前記傾斜角度制御部は、前記複数点で測定された前記残部の厚みに基づき前記傾斜角度調整部を制御し、研削後の前記下地基板の厚みが均一になるように前記傾斜角度を制御する、請求項２に記載の研削装置。
【請求項5】
前記データは、前記重合基板の総厚と、前記総厚を測定した前記複数点の位置とを含み、前記保持部で保持された前記重合基板の前記下地基板の厚みを、前記複数点で測定する下地厚測定制御部と、
前記複数点のそれぞれで、前記重合基板の前記総厚と前記下地基板の厚みとの差分を算出し、前記残部の厚みを算出する残厚算出部とを有し、
前記傾斜角度制御部は、前記複数点で測定された前記残部の厚みに基づき前記傾斜角度調整部を制御し、研削後の前記下地基板の厚みが均一になるように前記傾斜角度を制御する、請求項２に記載の研削装置。
【請求項6】
第１基板及び前記第１基板に接合された第２基板を含む重合基板を、保持部によって保持することと、前記保持部を回転させることと、
前記保持部によって保持された前記重合基板に押し当てる研削工具を回転させることと、
前記第１基板と前記第２基板の接合装置にて測定された前記重合基板の複数点のデータを受信することと、を有し、
前記第１基板は、前記研削工具によって研削される下地基板と、前記下地基板の前記第２基板との対向面に形成されるデバイス層とを含み、
前記データは、前記重合基板の前記下地基板を除く残部の厚み、又は前記重合基板の総厚と前記下地基板の厚みの両方、又は前記重合基板の総厚と、前記複数点の位置とを含む、研削方法。
【請求項7】
研削後の前記下地基板の厚みが均一になるように、前記データに基づき前記研削工具の回転中心線に対する前記保持部の回転中心線の傾斜角度を制御することを有する、請求項６に記載の研削方法。
【請求項8】
前記データは、前記残部の厚みと、前記残部の厚みを測定した前記複数点の位置とを含み、前記傾斜角度の制御は、前記複数点で測定した前記残部の厚みに基づき行われる、請求項７に記載の研削方法。
【請求項9】
前記データは、前記重合基板の総厚と前記下地基板の厚みの両方と、前記両方の厚みを測定した前記複数点の位置とを含み、前記複数点のそれぞれで、前記重合基板の総厚と前記下地基板の厚みとの差分を算出し、前記残部の厚みを算出することを有し、
前記傾斜角度の制御は、前記複数点で測定した前記残部の厚みに基づき行われる、請求項７に記載の研削方法。
【請求項10】
前記データは、前記重合基板の総厚と、前記総厚を測定した前記複数点の位置とを含み、前記保持部で保持された前記重合基板の前記下地基板の厚みを、前記複数点で測定することと、
前記複数点のそれぞれで、前記重合基板の前記総厚と前記下地基板の厚みとの差分を算出し、前記残部の厚みを算出することと、を有し、
前記傾斜角度の制御は、前記複数点で測定した前記残部の厚みに基づき行われる、請求項７に記載の研削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、研削装置、及び研削方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、下側の板状ワークに貼られた上側の板状ワークを研削する方法が記載されている。この方法は、下側の板状ワークの下面を保持テーブルで保持した状態で、下側の板状ワークの厚みを少なくとも３箇所の測定位置で測定する工程と、その測定結果に基づいて下側の板状ワークの上面と研削砥石の下面との平行度を調整する工程と、平行度の調整後に上側の板状ワークを研削する工程とを有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１４－２２６７４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示の一態様は、第２基板に接合された第１基板の研削に用いるデータを複数点で測定する際に、その測定する点の位置決め精度を向上できる、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様に係る研削装置は、第１基板及び前記第１基板に接合された第２基板を含む重合基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる第１回転部と、前記保持部によって保持された前記重合基板に押し当てる研削工具を回転させる第２回転部と、前記第１基板と前記第２基板の接合装置にて測定された前記重合基板の複数点のデータを受信するデータ受信部と、を有する。前記第１基板は、前記研削工具によって研削される下地基板と、前記下地基板の前記第２基板との対向面に形成されるデバイス層とを含む。前記データは、前記重合基板の前記下地基板を除く残部の厚み、又は前記重合基板の総厚と前記下地基板の厚みの両方、又は前記重合基板の総厚と、前記複数点の位置とを含む。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一態様によれば、第２基板に接合された第１基板の研削に用いるデータを複数点で測定する際に、その測定する点の位置決め精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
【0009】
【0010】
図１（Ａ）に示すように、第１基板Ｗ１は、研削される予定の下地基板Ｂ１と、下地基板Ｂ１の第２基板Ｗ２との対向面に形成されるデバイス層Ｄ１とを含む。下地基板Ｂ１は、例えばシリコンウェハ若しくは化合物半導体ウェハ等の半導体基板、又はガラス基板等である。デバイス層Ｄ１は、電子回路等を含み、金属層を含む。
【0011】
第１基板Ｗ１は、更に、デバイス層Ｄ１の第２基板Ｗ２との対向面に形成される接合層Ｆ１を含んでもよい。接合層Ｆ１は、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、又は接着剤などで形成される。ＳｉＯ２は、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシラン）を用いて形成される。
【0012】
一方、第２基板Ｗ２は、下地基板Ｂ２と、下地基板Ｂ２における第１基板Ｗ１との対向面に形成されるデバイス層Ｄ２とを含む。下地基板Ｂ２は、例えばシリコンウェハ若しくは化合物半導体ウェハ等の半導体基板、又はガラス基板等である。デバイス層Ｄ２は、電子回路等を含み、金属層を含む。
【0013】
第２基板Ｗ２は、更に、デバイス層Ｄ２の第１基板Ｗ１との対向面に形成される接合層Ｆ２を含んでもよい。接合層Ｆ２は、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、又は接着剤などで形成される。ＳｉＯ２は、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシラン）を用いて形成される。
【0014】
なお、第２基板Ｗ２はデバイス層Ｄ２を含まなくてもよく、この場合、接合層Ｆ２は下地基板Ｂ２の第１基板Ｗ１との対向面に形成される。接合層Ｆ１、Ｆ２は、任意の構成であって、無くてもよい。デバイス層Ｄ１の表面を活性化すれば、接合層Ｆ１、Ｆ２が無くても第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の接合が可能である。
【0015】
重合基板Ｔの総厚ＨＴは、第１基板Ｗ１の下地基板Ｂ１の厚みＨＢと、重合基板Ｔの下地基板Ｂ１を除く残部Ｒの厚みＨＲの和に等しい。以下、下地基板Ｂ１の厚みＨＢを、下地厚ＨＢとも呼ぶ。また、残部Ｒの厚みＨＲを残厚ＨＲとも呼ぶ。
【0016】
残厚ＨＲは、重合基板Ｔの周方向には均一で、重合基板Ｔの径方向にばらつく傾向にある。例えば、図２（Ａ）に示すように、重合基板Ｔの中心から周縁に向かうほど、残厚ＨＲが徐々に薄くなる。
【0017】
なお、重合基板Ｔの中心から周縁に向かうほど、残厚ＨＲが徐々に厚くなることもある。また、重合基板Ｔの中心及び周縁の両方から、その中間地点にかけて、残厚ＨＲが徐々に薄くなるか、厚くなることもある。
【0018】
図２（Ａ）に示すように重合基板Ｔの残厚ＨＲがばらつく場合に、図２（Ｂ）に示すように重合基板Ｔの上面を重合基板Ｔの下面に対して平行に研削してしまうと、下地厚ＨＢの偏差（ＴＴＶ：Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が大きくなってしまう。研削後の下地厚ＨＢの偏差ができるだけ小さくなるように、下地基板Ｂ１を研削するには、残厚ＨＲを複数点で測定すればよい。
【0019】
但し、残厚ＨＲの測定方法として、重合基板Ｔの上方から光を照射し、残部Ｒの上面で反射した光と残部Ｒの下面で反射した光の位相差を測定する方法は採用できない。位相差の測定に用いられる赤外線等の光は、金属層を含むデバイス層Ｄ１を透過できないからである。これは、重合基板Ｔの下方から光を照射する場合も同様である。
【0020】
そこで、本実施形態では、残厚ＨＲの測定方法として、総厚ＨＴと下地厚ＨＢを測定し、総厚ＨＴと下地厚ＨＢの差分（ＨＴ－ＨＢ＝ＨＲ）を算出する方法を採用する。重合基板Ｔがデバイス層Ｄ１を含む場合にも、残厚ＨＲを測定でき、研削後の下地厚ＨＢの偏差ができるだけ小さくなるように、下地基板Ｂ１を研削できる。
【0021】
上記の通り、残厚ＨＲの測定方法として、総厚ＨＴと下地厚ＨＢの差分（ＨＴ－ＨＢ＝ＨＲ）を算出する方法を採用する場合、同一の点でＨＴとＨＢの両方を測定すれば、異なる点でＨＴとＨＢを測定する場合に比べて、ＨＲを精度よく算出できる。ＨＲは、上記の通り、場所によって異なるからである。
【0022】
同一の点で総厚ＨＴと下地厚ＨＢの両方を測定すれば、残厚ＨＲの分布を精度良く算出できる。そのためには、先ず、総厚ＨＴを測定する点の位置決め精度が重要になる。その位置決め精度は、重合基板Ｔを保持する保持部と、総厚ＨＴを測定する厚み検出器との相対的な位置制御で決まる。
【0023】
そこで、本実施形態では、接合装置１００にて総厚ＨＴを測定する。接合装置１００は、研削装置２００に比べて、高精度の位置制御を求められる。接合装置１００は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の接合前に、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の位置合わせを実施するからである。
【0024】
接合装置１００は、研削装置２００に比べて、高精度の位置制御を求められるので、位置指令に対する応答性の高く、且つ位置分解能の高いモータを移動部１３０（図４参照）等に有する。このような高い性能のモータに代えて、又は加えて、振動を吸収する装置が接合装置１００に搭載されることもある。
【0025】
本実施形態では、接合装置１００にて総厚ＨＴを測定するので、研削装置２００にて総厚ＨＴを測定する場合に比べて、総厚ＨＴを測定する点の位置決め精度を向上できる。その結果、残厚ＨＲの分布を精度よく算出でき、研削後の下地厚ＨＢの偏差を確実に小さくできる。
【0026】
図３に示すように、接合装置１００の制御部１８０と、研削装置２００の制御部２８０とは、ネットワークＮＴを介してデータを送受信する。接合装置１００にて測定されたデータは、研削装置２００に送信され、重合基板Ｔの研削に用いられる。
【0027】
なお、ネットワークＮＴにはサーバーＳが接続されており、接合装置１００の制御部１８０と研削装置２００の制御部２８０とは、サーバーＳを介してデータを送受信してもよい。
【0028】
サーバーＳに一時的にデータを保存できるので、制御部１８０、２８０の負荷を低減できる。接合装置１００の制御部１８０は接合の合間にデータを送信でき、研削装置２００の制御部２８０は研削の合間にデータを受信できる。
【0029】
サーバーＳは、接合装置１００の制御部１８０と、研削装置２００の制御部２８０とに対して指令を送信する上位コンピュータであってもよい。接合装置１００の制御部１８０と、研削装置２００の制御部２８０とは、それぞれ、上位コンピュータからの指令に従って処理を実行する。
【0030】
図３に示す各機能ブロックは、後で説明する。なお、図３に示す各機能ブロックは概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。各機能ブロックの全部または一部を、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することが可能である。各機能ブロックにて行われる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵにて実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現されうる。図１９、図２２及び図２３において、同様である。
【0031】
次に、図５等を参照して接合装置１００について説明する。接合装置１００は、第１基板Ｗ１を保持する第１保持部１１０と、第２基板Ｗ２を保持する第２保持部１２０と、第１保持部１１０と第２保持部１２０とを相対的に移動させる移動部１３０と有する。
【0032】
第１保持部１１０は、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａを下に向けて、第１基板Ｗ１を上方から水平に保持する。第１保持部１１０は、第１基板Ｗ１を保持する保持面１１１を下面に有する。第１保持部１１０は、例えば真空チャックであり、第１基板Ｗ１を吸引する吸引穴１１２を保持面１１１に有する。
【0033】
第１保持部１１０は、例えばピンチャックであり、保持面１１１に、リブ１１３と、ピン１１４とを含む。リブ１１３は、例えば環状に形成され、保持面１１１を径方向に複数の領域に区画する。複数の領域は、独立に真空度を制御可能であり、独立に吸引力を制御可能である。複数の領域のそれぞれには、複数のピン１１４が分散配置される。
【0034】
第２保持部１２０は、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａを上に向けて、第２基板Ｗ２を下方から水平に保持する。第２保持部１２０は、第２基板Ｗ２を保持する保持面１２１を上面に有する。第２保持部１２０は、例えば真空チャックであり、第２基板Ｗ２を吸引する吸引穴１２２を保持面１２１に有する。
【0035】
第２保持部１２０は、例えばピンチャックであり、保持面１２１に、リブ１２３と、ピン１２４とを含む。リブ１２３は、例えば環状に形成され、保持面１２１を径方向に複数の領域に区画する。複数の領域は、独立に真空度を制御可能であり、独立に吸引力を制御可能である。複数の領域のそれぞれには、複数のピン１２４が分散配置される。
【0036】
移動部１３０は、例えばＸＹＺステージであり、第２保持部１２０をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動させる。なお、本実施形態の移動部１３０は、第２保持部１２０を移動させるが、第１保持部１１０を移動させてもよいし、第１保持部１１０と第２保持部１２０の両者を移動させてもよい。
【0037】
接合装置１００は、移動部１３０に加えて、回転部１３１を有してもよい。回転部１３１は、鉛直な回転中心線を中心に第２保持部１２０を回転させる。回転部１３１と移動部１３０とでＸＹＺθステージが構成される。なお、本実施形態の回転部１３１は、第２保持部１２０を回転させるが、第１保持部１１０を回転させてもよいし、第１保持部１１０と第２保持部１２０の両者を回転させてもよい。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の位置合わせを実施できればよい。
【0038】
図４に示すように、接合装置１００は、第１保持部１１０に対して固定される第１撮像部１４１と、第２保持部１２０に対して固定される第２撮像部１４２とを有する。第１撮像部１４１は、第２保持部１２０に保持された第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａを撮像する。一方、第２撮像部１４２は、第１保持部１１０に保持された第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａを撮像する。
【0039】
接合装置１００は、重合基板Ｔの総厚ＨＴを測定する厚み検出器１５１を有する。第２保持部１２０が重合基板Ｔを保持する場合、厚み検出器１５１は第１保持部１１０に対して固定される。移動部１３０が第１保持部１１０と第２保持部１２０を相対的に移動させれば、総厚ＨＴを測定する点の位置が変わる。また、回転部１３１が第１保持部１１０又は第２保持部１２０を回転させれば、総厚ＨＴを測定する点の位置が変わる。
【0040】
厚み検出器１５１は、例えば対象物の上面の高さを測定するハイトセンサである。ハイトセンサは、本実施形態では非接触式であるが、接触式であってもよい。厚み検出器１５１の数は、本実施形態では１つであるが、複数であってもよい。総厚ＨＴを測定する点の数は複数であるので、厚み検出器１５１の数が多いほど、測定にかかる時間を短縮できる。
【0041】
接合装置１００は、下地厚ＨＢを測定する厚み検出器１５２を有する。第２保持部１２０が重合基板Ｔを保持する場合、厚み検出器１５２は第１保持部１１０に対して固定される。移動部１３０が第１保持部１１０と第２保持部１２０を相対的に移動させれば、下地厚ＨＢを測定する点の位置が変わる。また、回転部１３１が第１保持部１１０又は第２保持部１２０を回転させれば、下地厚ＨＢを測定する点の位置が変わる。
【0042】
厚み検出器１５２は、例えば、下地基板Ｂ１の上方から光を照射し、下地基板Ｂ１の上面で反射した光と、下地基板Ｂ１の下面で反射した光との位相差から、下地厚ＨＢを測定する。下地基板Ｂ１がシリコンウェハである場合、赤外光が用いられる。赤外光の一部は、シリコンウェハを透過し、シリコンウェハとデバイス層Ｄ１の界面で反射される。厚み検出器１５２の数は、本実施形態では１つであるが、複数であってもよい。下地厚ＨＢを測定する点の数は複数であるので、厚み検出器１５２の数が多いほど、測定にかかる時間を短縮できる。
【0043】
接合装置１００は、第１保持部１１０で保持された第１基板Ｗ１を変形させる押圧部１６０を有する。押圧部１６０は、図５（Ｂ）に示すように、第１基板Ｗ１の中心を上方から押圧する。第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａは、下に凸の曲面に変形され、中心から周縁に向けて徐々に第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａに接合され、最終的に平坦面に戻る。
【0044】
押圧部１６０は、押圧ピン１６１と、アクチュエータ１６２と、昇降機構１６３とを有する。押圧ピン１６１は、第１保持部１１０の中心部を鉛直方向に貫通する貫通穴に配置される。アクチュエータ１６２は、例えば電空レギュレータから供給される空気により、一定の力で押圧ピン１６１を下方に押圧する。昇降機構１６３は、第１保持部１１０に対して固定され、アクチュエータ１６２を昇降させる。
【0045】
図４に示すように、接合装置１００は、接合装置１００の動作を制御する制御部１８０を有する。制御部１８０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１８１と、メモリなどの記憶媒体１８２とを備える。記憶媒体１８２には、接合装置１００において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８０は、記憶媒体１８２に記憶されたプログラムをＣＰＵ１８１に実行させることにより、接合装置１００の動作を制御する。
【0046】
図３に示すように、制御部１８０は、例えば、総厚測定制御部１８３と、総厚記憶部１８４と、下地厚測定制御部１８５と、下地厚記憶部１８６と、残厚算出部１８７と、残厚記憶部１８８と、残厚送信部１８９とを有する。総厚測定制御部１８３は、厚み検出器１５１を制御し、総厚ＨＴを複数点Ｐ（図１０参照）で測定する。総厚ＨＴの測定方法については、後述する。
【0047】
総厚記憶部１８４は、総厚測定制御部１８３によって測定したデータを記憶する。例えば、総厚記憶部１８４は、総厚ＨＴと、総厚ＨＴを測定する点Ｐの位置とを対応付けて記憶する。総厚ＨＴ等のデータを一時的に記憶しておけば、残厚ＨＲの算出をいつでも実施できる。
【0048】
下地厚測定制御部１８５は、厚み検出器１５２を制御し、下地厚ＨＢを複数点Ｐで測定する。下地厚ＨＢを測定する点Ｐと、総厚ＨＴを測定する点Ｐとは、同一である。同一の点Ｐで測定した総厚ＨＴと下地厚ＨＢの差分を算出することで、残厚ＨＲを正確に測定できる。
【0049】
下地厚記憶部１８６は、下地厚測定制御部１８５によって測定したデータを記憶する。例えば、下地厚記憶部１８６は、下地厚ＨＢと、下地厚ＨＢを測定する点Ｐの位置とを対応付けて記憶する。下地厚ＨＢ等のデータを一時的に記憶しておけば、残厚ＨＲの算出をいつでも実施できる。
【0050】
残厚算出部１８７は、総厚測定制御部１８３によって測定したデータと、下地厚測定制御部１８５によって測定したデータとから、重合基板Ｔの下地基板Ｂ１を除く残部Ｒの厚みＨＲを複数点Ｐで算出する。残厚ＨＲは、同一の点Ｐで測定した総厚ＨＴと下地厚ＨＢの差分を算出することで得られる。
【0051】
残厚記憶部１８８は、残厚算出部１８７によって算出したデータを記憶する。例えば、残厚記憶部１８８は、残厚ＨＲと、残厚ＨＲを測定する点Ｐの位置とを対応付けて記憶する。残厚ＨＲ等のデータを一時的に記憶しておけば、残厚ＨＲ等のデータをいつでも送信できる。
【0052】
残厚送信部１８９は、残厚算出部１８７によって算出したデータを、接合装置１００の外部に送信する。例えば、残厚送信部１８９は、残厚ＨＲ及び残厚ＨＲを測定する複数点Ｐの位置を含むデータを、研削装置２００に送信する。残厚送信部１８９は、残厚ＨＲ等のデータを、サーバーＳを介して研削装置２００に送信してもよい。
【0053】
【0054】
先ず、図６のＳ１０１では、不図示の搬送装置が接合装置１００の内部に第１基板Ｗ１を搬入し、第１保持部１１０に第１基板Ｗ１を渡す。第１保持部１１０は、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａを下向きにして、第１基板Ｗ１を上方から保持する。
【0055】
次に、図６のＳ１０２では、搬送装置が接合装置１００の内部に第２基板Ｗ２を搬入し、第２保持部１２０に第２基板Ｗ２を渡す。第２保持部１２０は、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａを上向きにして、第２基板Ｗ２を下方から保持する。
【0056】
なお、第２保持部１２０は、第２基板Ｗ２を搬送装置から受け取る前に、既に接合済みの重合基板Ｔを搬送装置に渡してもよい。また、図６では、Ｓ１０１（第１基板Ｗ１の搬入）の後でＳ１０２（第２基板Ｗ２の搬入）が行われるが、Ｓ１０２の後でＳ１０１が行われてもよい。Ｓ１０１とＳ１０２の順序は特に限定されない。
【0057】
【0058】
先ず、図７（Ａ）に示すように、第１撮像部１４１と第２撮像部１４２の水平方向位置を合わせる。具体的には、第１撮像部１４１と第２撮像部１４２が同一の鉛直線上に位置するように、移動部１３０が第１保持部１１０と第２保持部１２０を相対的に水平方向に移動させる。そして、第１撮像部１４１と第２撮像部１４２が共通のターゲット１４３を撮像し、第１撮像部１４１と第２撮像部１４２の水平方向位置が一致するように、移動部１３０が第１保持部１１０と第２保持部１２０の相対的な水平方向位置を補正する。
【0059】
次に、図７（Ｂ）に示すように、移動部１３０が第１保持部１１０と第２保持部１２０を相対的に接近させるべく、第２保持部１２０を図７（Ｂ）に破線で示す位置から鉛直上方に移動させる。なお、図７（Ｂ）に破線で示す第２保持部１２０の位置は、図７（Ａ）に実線で示す第２保持部１２０の位置である。
【0060】
その後、図７（Ｂ）に実線で示すように、移動部１３０が第１保持部１１０と第２保持部１２０を相対的に水平方向に移動させる。そうして、第１撮像部１４１が第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａのアライメントマークＭ２ａ、Ｍ２ｂ、Ｍ２ｃを順次撮像する。同時に、第２撮像部１４２が第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａのアライメントマークＭ１ｃ、Ｍ１ｂ、Ｍ１ａを順次撮像する。なお、図７（Ｂ）は第１撮像部１４１が第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａのアライメントマークＭ２ａを撮像すると同時に、第２撮像部１４２が第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａのアライメントマークＭ１ｃを撮像する様子を示している。
【0061】
第１撮像部１４１及び第２撮像部１４２は、撮像した画像データを制御部１８０に送信する。制御部１８０は、第１撮像部１４１の撮像した画像データと第２撮像部１４２の撮像した画像データとに基づいて移動部１３０を制御し、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の水平方向位置を合わせる。
【0062】
図７（Ｃ）に破線で示すように、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の水平方向位置合わせは、鉛直方向視で第１基板Ｗ１のアライメントマークＭ１ａ、Ｍ１ｂ、Ｍ１ｃと第２基板Ｗ２のアライメントマークＭ２ａ、Ｍ２ｂ、Ｍ２ｃとが重なるように行われる。この位置合わせでは、移動部１３０に加えて、回転部１３１も用いられてもよい。
【0063】
次に、図７（Ｃ）に実線で示すように、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の鉛直方向位置合わせが行われる。具体的には、移動部１３０が第２保持部１２０を鉛直上方に移動させることによって、第２基板Ｗ２を第１基板Ｗ１に接近させる。第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａのギャップは所定の距離、例えば５０μｍ～２００μｍに調整される。
【0064】
【0065】
図５（Ａ）に示すように、位置合わせ完了時に、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２は、それぞれ、平坦に吸着される。第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａのギャップＧは、例えば５０μｍ～２００μｍである。
【0066】
次に、図５（Ｂ）に示すように、接合装置１００は、第１基板Ｗ１の中央の吸着を解除すると共に、押圧部１６０で第１基板Ｗ１の中心を上方から押圧する。これにより、第１基板Ｗ１の中心が第２基板Ｗ２の中心に接触し、接合が始まる。その後、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とは、中心から周縁に向けて徐々に接合される。
【0067】
最後に、図５（Ｃ）に示すように、接合装置１００は、押圧部１６０で第１基板Ｗ１の中心を第２基板Ｗ２の中心に押し付けた状態で、第１基板Ｗ１の周縁の吸着を解除する。その結果、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａが全面で当接し、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２が接合され、重合基板Ｔが得られる。重合基板Ｔは、第２保持部１２０によって保持される。
【0068】
次に、図６のＳ１０５では、総厚測定制御部１８３が、厚み検出器１５１を制御し、重合基板Ｔの総厚ＨＴを複数点Ｐで測定する。また、総厚測定制御部１８３は、移動部１３０又は回転部１３１を制御し、厚み検出器１５１によって総厚ＨＴを測定する点Ｐの位置を制御する。
【0069】
接合装置１００は、研削装置２００に比べて、高精度の位置制御を求められるので、位置指令に対する応答性の高く、且つ位置分解能の高いモータを移動部１３０及び回転部１３１に有する。このような高い性能のモータに代えて、又は加えて、振動を吸収する装置が接合装置１００に搭載されることもある。接合装置１００は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の接合前に、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２の位置合わせを実施するからである。
【0070】
本実施形態では、接合装置１００にて総厚ＨＴを測定するので、研削装置２００にて総厚ＨＴを測定する場合に比べて、総厚ＨＴを測定する点Ｐの位置決め精度を向上できる。総厚ＨＴを所望の点Ｐで測定できるので、総厚ＨＴと下地厚ＨＢを同一の点Ｐで測定できる。その結果、残厚ＨＲの分布を精度良く算出でき、研削後の下地厚ＨＢの偏差を確実に小さくできる。
【0071】
図８（Ａ）に示すように、総厚測定制御部１８３は、予め、第２保持部１２０の保持面１２１を露出した状態で、保持面１２１のＺ軸方向位置を複数点Ｐ（図１０参照）で測定しておく。点Ｐは、総厚ＨＴを測定する点である。
【0072】
なお、本実施形態では保持面１２１は水平に配置され、保持面１２１の直交方向はＺ軸方向である。以下、Ｚ軸方向位置を、高さとも呼ぶ。
【0073】
厚み検出器１５１は、例えばレーザー変位計である。レーザー変位計は、第２保持部１２０の保持面１２１にレーザー光線を照射し、その反射光を受光することで、レーザー変位計から保持面１２１までの距離を非接触で測定できる。
【0074】
保持面１２１の高さ測定は、第２基板Ｗ２の搬入（Ｓ１０２）の前に行われる。なお、保持面１２１の高さ測定は、重合基板Ｔの搬出（Ｓ１０９）の後に行われてもよい。保持面１２１が露出した状態であれば、保持面１２１の高さ測定が可能である。
【0075】
また、図８（Ｂ）に示すように、総厚測定制御部１８３は、第２保持部１２０の保持面１２１に重合基板Ｔを保持した状態で、重合基板Ｔの表面Ｔａの高さを複数点Ｐで測定する。重合基板Ｔの表面Ｔａは、第２保持部１２０に接する裏面とは反対向き（例えば上向き）である。重合基板Ｔの表面Ｔａの高さと、第２保持部１２０の保持面１２１の高さとは、同一の複数点Ｐで測定される。
【0076】
重合基板Ｔの表面Ｔａの高さ測定時と、第２保持部１２０の保持面１２１の高さ測定時とで、第２保持部１２０は同一のＸ軸方向位置、Ｙ軸方向位置、及びＺ軸方向位置に制御されてもよい。この場合、重合基板Ｔの表面Ｔａの高さと第２保持部１２０の保持面１２１の高さとの差は、重合基板Ｔの総厚ＨＴに等しい。但し、第２保持部１２０が移動する代わりに、厚み検出器１５１が移動してもよいし、両者が移動してもよい。それゆえ、第２保持部１２０と厚み検出器１５１との相対位置（Ｘ軸方向位置とＹ軸方向位置とＺ軸方向位置）が同一の状態で、第２保持部１２０の保持面１２１の高さ測定と、重合基板Ｔの表面Ｔａの高さ測定とが実施されればよい。この場合、重合基板Ｔの表面Ｔａの高さと第２保持部１２０の保持面１２１の高さとの差は、重合基板Ｔの総厚ＨＴに等しい。
【0077】
総厚測定制御部１８３は、重合基板Ｔの表面Ｔａの高さと第２保持部１２０の保持面１２１の高さとの差を複数点Ｐで算出し、総厚ＨＴを複数点Ｐで算出する。この算出は、重合基板Ｔの搬出（Ｓ１０９）の後で行われてもよい。
【0078】
本実施形態によれば、同一の点Ｐで重合基板Ｔの表面Ｔａの高さと第２保持部１２０の保持面１２１の高さとの差を算出する。それゆえ、重合基板Ｔの総厚ＨＴがばらつくような場合にも、総厚ＨＴを精度良く測定できる。異なる点で重合基板Ｔの表面Ｔａの高さと第２保持部１２０の保持面１２１の高さとの差を算出する場合に比べて、重合基板Ｔの総厚ＨＴの分布を精度良く測定できる。
【0079】
総厚記憶部１８４は、総厚測定制御部１８３によって測定した総厚ＨＴを、総厚ＨＴを測定した点Ｐの位置と対応付けて記憶する。複数点Ｐの位置は、第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２の結晶方位を表すノッチの位置を基準として記憶されてもよい。
【0080】
なお、重合基板Ｔの表面Ｔａの高さ測定時と、第２保持部１２０の保持面１２１の高さ測定時とで、第２保持部１２０は同一のＸ軸方向位置及びＹ軸方向位置に制御されればよく、第２保持部１２０はＺ軸方向に変位していてもよい。この場合、第２保持部１２０のＺ軸方向の変位量をも考慮して、重合基板Ｔの総厚ＨＴが算出される。但し、第２保持部１２０がＸ軸方向及びＹ軸方向に移動する代わりに、厚み検出器１５１がＸ軸方向及びＹ軸方向に移動してもよいし、第２保持部１２０及び厚み検出器１５１の一方がＸ軸方向に移動し他方がＹ軸方向に移動してもよい。それゆえ、Ｚ軸方向視での第２保持部１２０と厚み検出器１５１との相対位置（Ｘ軸方向位置とＹ軸方向位置）が同一の状態で、第２保持部１２０の保持面１２１の高さ測定と、重合基板Ｔの表面Ｔａの高さ測定とが実施されればよい。
【0081】
なお、厚み検出器１５１はレーザー変位計には限定されない。例えば、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、厚み検出器１５１として第１撮像部１４１が用いられてもよい。つまり、厚み検出器１５１はカメラを含んでもよい。
【0082】
この場合、総厚測定制御部１８３は、カメラの焦点合わせによって重合基板Ｔの総厚ＨＴを測定する。カメラの焦点合わせは、例えばカメラの撮像した画像に写る物体のエッジ強度が最大になるように、第２保持部１２０をＺ軸方向に移動させることで行われる。エッジ強度とは、エッジを挟んだ両側での受光量の差の大きさのことである。
【0083】
図９（Ａ）に示すように、総厚測定制御部１８３は、第２保持部１２０の保持面１２１を露出した状態で、保持面１２１にカメラの焦点を合わせる。カメラの焦点は、複数点Ｐのそれぞれに順番に合わされる。この焦点合わせは、第２基板Ｗ２の搬入（Ｓ１０２）の前に行われる。なお、この焦点合わせは、重合基板Ｔの搬出（Ｓ１０９）の後で行われてもよい。この焦点合わせ時の第２保持部１２０のＺ軸方向位置を、総厚測定制御部１８３は記憶しておく。
【0084】
また、図９（Ｂ）に示すように、総厚測定制御部１８３は、第２保持部１２０の保持面１２１に重合基板Ｔを保持した状態で、重合基板Ｔの表面Ｔａにカメラの焦点を合わせる。この焦点合わせ時の第２保持部１２０のＺ軸方向位置を、総厚測定制御部１８３は記憶しておく。
【0085】
総厚測定制御部１８３は、カメラの焦点を重合基板Ｔの表面Ｔａに合わせた時と、カメラの焦点を第２保持部１２０の保持面１２１に合わせた時とでの、第２保持部１２０のＺ軸方向位置のシフト量を、複数点Ｐで算出する。上記シフト量は重合基板Ｔの総厚ＨＴに等しい。それゆえ、総厚ＨＴを複数点Ｐで算出できる。
【0086】
なお、カメラの焦点合わせは、第２保持部１２０をＺ軸方向に移動させることの代わりに、第１保持部１１０をＺ軸方向に移動させることを含んでもよい。第１撮像部１４１は、第１保持部１１０に対して固定されるので、第１保持部１１０と共にＺ軸方向に移動する。
【0087】
図１０に、重合基板Ｔの総厚ＨＴを測定する点Ｐの配置を示す。複数点Ｐは、第２保持部１２０の保持面１２１にて、吸引穴１２２を避けた位置に配置される。吸引穴１２２を避けた位置に複数点Ｐを配置することで、保持面１２１の高さを測定できる。
【0088】
第２保持部１２０は、その保持面１２１に平坦面を形成するリブ１２３を有する。リブ１２３の平坦面に複数点Ｐが配置される。リブ１２３の平坦面の高さを測定することで、保持面１２１の高さを正確に測定できる。
【0089】
リブ１２３の平坦面の一部は、直線状に形成される。直線状のリブ１２３を重合基板Ｔの径方向に配置でき、重合基板Ｔの径方向複数点で保持面１２１の高さを測定でき、ひいては、重合基板Ｔの径方向複数点で総厚ＨＴを測定できる。
【0090】
リブ１２３の平坦面の一部は、直線状に形成され、且つ、保持面１２１の中心を通るように形成されてもよい。重合基板Ｔの径方向中心点で保持面１２１の高さを測定でき、ひいては、重合基板Ｔの径方向中心点で総厚ＨＴを測定できる。
【0091】
リブ１２３の平坦面の他の一部は、円環状に形成される。円環状のリブ１２３を重合基板Ｔの周方向に配置でき、重合基板Ｔの周方向複数点で保持面１２１の高さを測定でき、ひいては、重合基板Ｔの周方向複数点で総厚ＨＴを測定できる。
【0092】
直径の異なる複数の円環状のリブ１２３を同心円状に配置してもよい。重合基板Ｔの径方向複数点で保持面１２１の高さを測定でき、ひいては、重合基板Ｔの径方向複数点で総厚ＨＴを測定できる。
【0093】
また、円環状のリブ１２３の中心に、円形状のリブ１２３を配置してもよい。重合基板Ｔの径方向中心点で保持面１２１の高さを測定でき、ひいては、重合基板Ｔの径方向中心点で総厚ＨＴを測定できる。
【0094】
第２保持部１２０が円環状のリブ１２３を有する場合、接合装置１００が保持面１２１を回転させる回転部１３１を有すれば、保持面１２１の高さを測定する点Ｐの位置を重合基板Ｔの周方向に変位できる。
【0095】
なお、リブ１２３の平坦面は、図１１に示すように重合基板Ｔと同一の直径の円環状の部分を有すればよく、その部分の内部には直線状の部分のみを有してもよい。また、図示しないがリブ１２３の平坦面は、直径の異なる複数の円環状の部分のみを同心円状に有してもよい。
【0096】
また、複数点Ｐは、保持面１２１にて、吸引穴１２２を避けた位置に配置されればよく、リブ１２３の先端面の代わりに、ピン１２４の先端面に配置されてもよい。また、複数点Ｐは、リブ１２３の先端面とピン１２４の先端面の両方に分けて配置されてもよい。
【0097】
なお、第２保持部１２０は、ピンチャックには限定されず、ポーラスチャックであってもよい。ポーラスチャックは、多孔質体を含む。多孔質体は多数の吸引穴を含むので、複数点Ｐは多孔質体を避けた位置に配置される。多孔質体を複数の領域に区画するリブの先端面に複数点Ｐが配置される。
【0098】
上記の通り、図６のＳ１０５では、総厚測定制御部１８３が、厚み検出器１５１を制御し、重合基板Ｔの総厚ＨＴを複数点Ｐで測定する。Ｓ１０５では、重合基板Ｔの表面Ｔａの高さ測定が行われる。なお、第２保持部１２０の保持面１２１の高さの測定は、図６のＳ１０２（第２基板Ｗ２の搬入）の前に行われてもよいし、図６のＳ１０８（重合基板の搬出）の後で行われてもよい。
【0099】
次に、図６のＳ１０６では、下地厚測定制御部１８５が、厚み検出器１５２を制御し、図１２に示すように、下地基板Ｂ１の厚みＨＢを複数点Ｐで測定する。また、下地厚測定制御部１８５は、移動部１３０又は回転部１３１を制御し、厚み検出器１５２によって下地厚ＨＢを測定する点Ｐの位置を制御する。
【0100】
本実施形態では、接合装置１００にて下地厚ＨＢを測定するので、研削装置２００にて下地厚ＨＢを測定する場合に比べて、下地厚ＨＢを測定する点Ｐの位置決め精度を向上できる。下地厚ＨＢを所望の点Ｐで測定できるので、下地厚ＨＢと総厚ＨＴを同一の点Ｐで測定できる。その結果、残厚ＨＲの分布を精度良く算出でき、研削後の下地厚ＨＢの偏差を確実に小さくできる。
【0101】
下地厚ＨＢを測定する点Ｐと、総厚ＨＴを測定する点Ｐとは、同一である。同一の点Ｐで測定した総厚ＨＴと下地厚ＨＢの差分を算出することで、残厚ＨＲを正確に測定できる。下地厚ＨＢは、下地厚ＨＢを測定した点Ｐの位置と対応付けて記憶される。複数点Ｐの位置は、第１基板Ｗ１又は第２基板Ｗ２の結晶方位を表すノッチの位置を基準として記憶されてもよい。
【0102】
なお、図６では、Ｓ１０５（総厚ＨＴの測定）の後でＳ１０６（下地厚ＨＢの測定）が行われるが、Ｓ１０６の後でＳ１０５が行われてもよい。Ｓ１０５とＳ１０６の順序は特に限定されない。
【0103】
次に、図６のＳ１０７では、残厚算出部１８７が、総厚測定制御部１８３によって測定したデータと、下地厚測定制御部１８５によって測定したデータとから、重合基板Ｔの下地基板Ｂ１を除く残部Ｒの厚みＨＲを複数点Ｐで算出する。残厚ＨＲは、同一の点Ｐで測定した総厚ＨＴと下地厚ＨＢの差分を算出することで得られる。
【0104】
残厚ＨＲは、重合基板Ｔの周方向には均一で、重合基板Ｔの径方向にばらつく傾向にある。例えば、図２（Ａ）に示すように、重合基板Ｔの中心から周縁に向かうほど、残厚ＨＲが徐々に薄くなる。
【0105】
そこで、残厚算出部１８７は、重合基板Ｔの中心からの距離ごとに、残厚ＨＲの平均値を算出してもよい。複数点Ｐを環状に配置する場合に、平均値の算出が可能である。重合基板Ｔの径方向における残厚ＨＲの平均的な分布を知ることができる。
【0106】
次に、図６のＳ１０８では、残厚送信部１８９が、残厚ＨＲ、及び残厚ＨＲを測定した複数点Ｐの位置のデータを、接合装置１００の外部に送信する。例えば、残厚送信部１８９は、残厚ＨＲ等のデータを、研削装置２００に送信する。残厚送信部１８９は、残厚ＨＲ等のデータを、サーバーＳを介して研削装置２００に送信してもよい。
【0107】
最後に、図６のＳ１０９では、第２保持部１２０が重合基板Ｔの保持を解除し、不図示の搬送装置が第２保持部１２０から重合基板Ｔを受け取り、受け取った重合基板Ｔを接合装置１００の外部に搬出する。
【0108】
なお、図６のＳ１０７（残厚ＨＲの算出）及びＳ１０８（残厚ＨＲの送信）と、Ｓ１０９（重合基板Ｔの搬出）との順番は特に限定されない。Ｓ１０９の後で、Ｓ１０７及びＳ１０８が行われてもよい。
【0109】
なお、本実施形態の接合装置１００は、図５等に示すように第１保持部１１０を第２保持部１２０の上方に有するが、下方に有してもよい。この場合、第１保持部１１０は、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ａを上方に向けて、第１基板Ｗ１を下方から保持する。また、第２保持部１２０は、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａを下方に向けて、第２基板Ｗ２を上方から保持する。そして、押圧部１６０は、第２保持部１２０で保持された第２基板Ｗ２を変形させる。押圧部１６０は、第２基板Ｗ２の中心を上方から押圧する。それゆえ、重合基板Ｔは、第１保持部１１０で保持される。第１保持部１１０が重合基板Ｔを保持する場合、厚み検出器１５１、１５２は第２保持部１２０に対して固定される。総厚測定制御部１８３は、移動部１３０又は回転部１３１を制御し、総厚ＨＴを測定する点Ｐの位置を制御する。また、下地厚測定制御部１８５は、移動部１３０又は回転部１３１を制御し、下地厚ＨＢを測定する点Ｐの位置を制御する。
【0110】
次に、図１３を参照して研削装置２００について説明する。研削装置２００は、重合基板Ｔの下地基板Ｂ１を研削する。研削は、研磨を含む。研削に用いる砥粒は、固定砥粒、及び遊離砥粒のいずれでもよい。研削装置２００は、例えば、回転テーブル２１０と、４つのチャック２２０と、３つの研削ユニット２３０とを備える。
【0111】
回転テーブル２１０は、回転中心線Ｒ１の周りに４つのチャック２２０を等間隔で保持し、回転中心線Ｒ１を中心に回転する。４つのチャック２２０のそれぞれは、回転テーブル２１０と共に回転し、搬入出位置Ａ０と、１次研削位置Ａ１と、２次研削位置Ａ２と、３次研削位置Ａ３と、搬入出位置Ａ０とにこの順番で移動する。
【0112】
搬入出位置Ａ０は、重合基板Ｔの搬入が行われる搬入位置と、重合基板Ｔの搬出が行われる搬出位置とを兼ねる。なお、本実施形態では搬入位置と搬出位置とは同じ位置であるが、搬入位置と搬出位置とは異なる位置であってもよい。１次研削位置Ａ１は、１次研削が行われる位置である。２次研削位置Ａ２は、２次研削が行われる位置である。３次研削位置Ａ３は、３次研削が行われる位置である。
【0113】
４つのチャック２２０は、それぞれの回転中心線Ｒ２（図１４参照）を中心に回転自在に、回転テーブル２１０に対して取り付けられる。１次研削位置Ａ１、２次研削位置Ａ２および３次研削位置Ａ３において、チャック２２０はそれぞれの回転中心線Ｒ２を中心に回転する。
【0114】
１つの研削ユニット２３０は、１次研削位置Ａ１にて、下地基板Ｂ１を１次研削する。別の研削ユニット２３０は、２次研削位置Ａ２にて、下地基板Ｂ１を２次研削する。残りの研削ユニット２３０は、３次研削位置Ａ３にて、下地基板Ｂ１を３次研削する。
【0115】
なお、研削ユニット２３０の数は、１つ以上であればよい。また、チャック２２０の数は、研削ユニット２３０の数よりも多ければよい。但し、回転テーブル２１０が無くてもよい。回転テーブル２１０が無い場合、チャック２２０の数は、研削ユニット２３０の数と同数であってもよく、１つであってもよい。
【0116】
次に、図１４を参照して研削ユニット２３０について説明する。研削ユニット２３０は、研削工具Ｃが装着される可動部２３１を含む。研削工具Ｃは、下地基板Ｂ１に接触させられ、下地基板Ｂ１を研削する。研削工具Ｃは、例えば円盤状の研削ホイールＣ１と、研削ホイールＣ１の下面にリング状に配列される複数の砥石Ｃ２とを含む。
【0117】
なお、本実施形態では研削ホイールＣ１の下面の外周部に、リング状に複数の砥石Ｃ２が配列されるが、本開示の技術はこれに限定されない。研削ホイールＣ１の下面全体に、砥石Ｃ２が固定されてもよい。
【0118】
可動部２３１は、研削工具Ｃが装着されるフランジ２３２と、フランジ２３２が下端に設けられるスピンドル軸２３３と、スピンドル軸２３３を回転させるスピンドルモータ２３４とを有する。フランジ２３２は水平に配置され、その下面に研削工具Ｃが装着される。スピンドル軸２３３は鉛直に配置される。スピンドルモータ２３４は、スピンドル軸２３３を回転し、フランジ２３２に装着された研削工具Ｃを回転させる。研削工具Ｃの回転中心線Ｒ３は、スピンドル軸２３３の回転中心線である。
【0119】
研削ユニット２３０は、更に、可動部２３１を昇降させる昇降部２３５を有する。昇降部２３５は、例えば、鉛直なＺ軸ガイド２３６と、Ｚ軸ガイド２３６に沿って移動するＺ軸スライダ２３７と、Ｚ軸スライダ２３７を移動させるＺ軸モータ２３８とを有する。Ｚ軸スライダ２３７には可動部２３１が固定され、Ｚ軸スライダ２３７と共に可動部２３１及び研削工具Ｃが昇降する。昇降部２３５は、研削工具Ｃの位置を検出する位置検出器２３９を更に有する。位置検出器２３９は、例えばＺ軸モータ２３８の回転を検出し、研削工具Ｃの位置を検出する。
【0120】
昇降部２３５は、研削工具Ｃを待機位置から下降させる。研削工具Ｃは、下降しながら回転し、回転する重合基板Ｔの上面と接触し、下地基板Ｂ１の上面全体を研削する。下地基板Ｂ１の研削中、下地基板Ｂ１の上面には、研削液が供給される。重合基板Ｔの総厚ＨＴ、ひいては下地基板Ｂ１の厚みＨＢが設定値に達すると、昇降部２３５は研削工具Ｃの下降を停止する。その後、昇降部２３５は、研削工具Ｃを待機位置まで上昇させる。
【0121】
図１６に示すように、研削装置２００は、チャック２２０の回転中心線Ｒ２の傾斜角度を調整する傾斜角度調整部２５０を備える。傾斜角度調整部２５０は、チャック２２０毎に設けられ、チャック２２０毎に傾斜角度を調整する。
【0122】
なお、傾斜角度調整部２５０は、研削工具Ｃの回転中心線Ｒ３に対するチャック２２０の回転中心線Ｒ２の傾斜角度を調整すればよく、チャック２２０の回転中心線Ｒ２の傾斜角度を調整する代わりに、研削工具Ｃの回転中心線Ｒ３の傾斜角度を調整してもよい。
【0123】
チャック２２０は、支持台２２２、および傾斜角度調整部２５０を介して、回転テーブル２１０に装着される。支持台２２２は、チャック２２０を回転自在に支持する。チャック２２０を回転させるチャックモータ２２３（図１４参照）は、例えば支持台２２２の内部に内蔵される。支持台２２２には、フランジ２２４が形成される。
【0124】
傾斜角度調整部２５０は、チャック２２０の回転中心線Ｒ２の周りに等間隔（例えば１２０°間隔）で配置される３つの連結部２５１を含む。３つの連結部２５１は、支持台２２２のフランジ２２４と回転テーブル２１０とを連結する。
【0125】
２つの連結部２５１は、フランジ２２４と回転テーブル２１０とのギャップＧ１、Ｇ２を調整できるように、それぞれ、モータ２５２と、モータ２５２の回転運動をフランジ２２４の直線運動に変換する運動変換機構２５３とを含む。運動変換機構２５３は、例えばボールねじを含む。
【0126】
残りの１つの連結部２５１は、支持台２２２のフランジ２２４と回転テーブル２１０とのギャップを固定する。但し、残りの１つの連結部２５１も、支持台２２２のフランジ２２４と回転テーブル２１０とのギャップを調整できるように構成されてもよい。
【0127】
傾斜角度調整部２５０は、ギャップＧ１、Ｇ２を調整することにより、傾斜角度を調整する。傾斜角度の設定は、研削位置Ａ１、Ａ２、Ａ３毎に行われる。研削位置Ａ１、Ａ２、Ａ３毎に傾斜角度を設定するのは、研削位置Ａ１、Ａ２、Ａ３毎にスピンドル軸２３３が設けられるからである。
【0128】
傾斜角度が変わると、図１５に示す砥石Ｃ２の軌道Ｅ上での砥石Ｃ２と下地基板Ｂ１との接触圧分布が変わる。接触圧が高い位置では、接触圧が低い位置に比べて、下地基板Ｂ１の研削が進む。従って、傾斜角度の調整によって、下地基板Ｂ１の径方向における板厚分布を調整できる。
【0129】
次に、図１７を参照して、傾斜角度の調整について説明する。チャック２２０は、重合基板Ｔが保持される保持面２２１を有する。保持面２２１は、下地基板Ｂ１を上に向けて、重合基板Ｔを下方から保持する。チャック２２０の保持面２２１は、図１７等に強調して示すようにチャック２２０の回転中心線Ｒ２を中心に対称な円錐面である。チャック２２０の保持面２２１が円錐面であるので、傾斜角度の調整によって、多様な残厚ＨＲの径方向分布に対応できる。
【0130】
傾斜角度は、研削後の下地厚みＨＢが均一になるように設定される。傾斜角度は、図１７（Ａ）に示すように重合基板Ｔの中心から周縁にかけて残厚ＨＲが均一である場合を基準として補正される。基準の傾斜角度を基準値とも呼ぶ。
【0131】
例えば、図１７（Ｂ）に示すように重合基板Ｔの中心から周縁に向かうほど残厚ＨＲが徐々に厚くなる場合、傾斜角度は基準値よりも小さく補正される。また、図１７（Ｃ）に示すように重合基板Ｔの中心から周縁に向かうほど残厚ＨＲが徐々に薄くなる場合、傾斜角度は基準値よりも大きく補正される。
【0132】
なお、重合基板Ｔの中心及び周縁の両方から、その中間地点にかけて、残厚ＨＲが徐々に薄くなるか、厚くなる場合にも、研削後の下地厚みＨＢが均一になるように傾斜角度を補正可能である。
【0133】
図１３に示すように、研削装置２００は、研削装置２００の動作を制御する制御部２８０を有する。制御部２８０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ２８１と、メモリなどの記憶媒体２８２とを備える。記憶媒体２８２には、研削装置２００において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部２８０は、記憶媒体２８２に記憶されたプログラムをＣＰＵ２８１に実行させることにより、研削装置２００の動作を制御する。
【0134】
図３に示すように、制御部２８０は、例えば、データ受信部２８３と、データ記憶部２８４と、傾斜角度制御部２８５とを有する。データ受信部２８３は、接合装置１００にて測定された重合基板Ｔの複数点Ｐのデータを受信する。受信するデータは、例えば残厚ＨＲと、残厚ＨＲを測定した複数点Ｐの位置とを含む。
【0135】
上記の通り、接合装置１００は、研削装置２００に比べて、高精度の位置制御を求められるので、位置指令に対する応答性の高く、且つ位置分解能の高いモータを移動部１３０及び回転部１３１に有する。このような高い性能のモータに代えて、又は加えて、振動を吸収する装置が接合装置１００に搭載されることもある。
【0136】
本実施形態では、接合装置１００にて残厚ＨＲを測定するので、研削装置２００にて残厚ＨＲを測定する場合に比べて、残厚ＨＲを測定する点Ｐの位置決め精度を向上できる。その結果、残厚ＨＲの分布を精度良く算出でき、研削後の下地厚ＨＢの偏差を確実に小さくできる。
【0137】
データ記憶部２８４は、データ受信部２８３によって受信したデータを記憶する。例えば、データ記憶部２８４は、残厚ＨＲと、残厚ＨＲを測定した点Ｐの位置とを対応付けて記憶する。残厚ＨＲの分布を一時的に記憶しておけば、傾斜角度の補正をいつでも実施できる。
【0138】
傾斜角度制御部２８５は、データ受信部２８３によって受信したデータに基づき傾斜角度調整部２５０を制御し、研削後の下地厚みＨＢが均一になるように傾斜角度を制御する。上記の通り、研削後の下地厚ＨＢの偏差を確実に小さくできる。
【0139】
【0140】
先ず、図１８のＳ２０１では、搬送ロボット２４０がチャック２２０に重合基板Ｔを搬入する。チャック２２０は、搬入出位置Ａ０で、搬送ロボット２４０から重合基板Ｔを受け取る。チャック２２０は、下地基板Ｂ１を上向きにして、重合基板Ｔを下方から保持する。その後、チャック２２０は、回転テーブル２１０と共に回転し、搬入出位置Ａ０から１次研削位置Ａ１に移動する。
【0141】
次に、図１８のＳ２０２では、データ受信部２８３が接合装置１００にて測定されたデータを受信する。受信するデータは、例えば残厚ＨＲと、残厚ＨＲを測定した複数点Ｐの位置と含む。なお、データの受信（Ｓ２０２）と重合基板Ｔの搬入（Ｓ２０１）とは順番が逆であってもよい。Ｓ２０２の後で、Ｓ２０１が行われてもよい。Ｓ２０２は、傾斜角度の調整（Ｓ２０３）の前に実施されればよい。
【0142】
次に、図１８のＳ２０３では、傾斜角度制御部２８５が、複数点Ｐの残厚ＨＲに基づき傾斜角度調整部２５０を制御し、１次研削後の下地基板Ｂ１の厚みＨＢが均一になるように傾斜角度を制御する。
【0143】
次に、図１８のＳ２０４では、１次研削位置Ａ１にて、研削ユニット２３０が下地基板Ｂ１を１次研削する。その後、チャック２２０は、回転テーブル２１０と共に回転し、１次研削位置Ａ１から２次研削位置Ａ２に移動する。
【0144】
次に、図１８のＳ２０５では、傾斜角度制御部２８５が、複数点Ｐの残厚ＨＲに基づき傾斜角度調整部２５０を制御し、２次研削後の下地基板Ｂ１の厚みＨＢが均一になるように傾斜角度を制御する。
【0145】
次に、図１８のＳ２０６では、２次研削位置Ａ２にて、研削ユニット２３０が下地基板Ｂ１を２次研削する。その後、チャック２２０は、回転テーブル２１０と共に回転し、２次研削位置Ａ２から３次研削位置Ａ３に移動する。
【0146】
次に、図１８のＳ２０７では、傾斜角度制御部２８５が、複数点Ｐの残厚ＨＲに基づき傾斜角度調整部２５０を制御し、３次研削後の下地基板Ｂ１の厚みＨＢが均一になるように傾斜角度を制御する。
【0147】
次に、図１８のＳ２０８では、３次研削位置Ａ３にて、研削ユニット２３０が下地基板Ｂ１を３次研削する。その後、チャック２２０は、回転テーブル２１０と共に回転し、３次研削位置Ａ３から搬入出位置Ａ０に移動する。
【0148】
最後に、図１８のＳ２０９では、チャック２２０が重合基板Ｔの保持を解除し、搬送ロボット２４０がチャック２２０から重合基板Ｔを受け取り、受け取った重合基板Ｔを研削装置２００の外部に搬出する。なお、搬出前に、搬入出位置Ａ０又は３次研削位置Ａ３にて、３次研削後の下地厚ＨＢが複数点で測定される。３次研削後の下地厚ＨＢの偏差が閾値以上である場合、その偏差を閾値未満にするための傾斜角度の補正値が算出される。その補正値は、次回以降の３次研削にて、傾斜角度の補正に加味される。
【0149】
次に、図１９を参照して、第１変形例に係る接合装置１００の制御部１８０と研削装置２００の制御部２８０の構成について説明する。なお、図３に示す構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。本変形例では、残部Ｒの厚みＨＲを測定する代わりに、第２基板Ｗ２の厚みＨＡを測定する。
【0150】
図１（Ａ）に示すように、残部Ｒの厚みＨＲは、第２基板Ｗ２の厚みＨＡと、デバイス層Ｄ１の厚みと、接合層Ｆ１の厚みとの和に等しい。デバイス層Ｄ１の厚みと接合層Ｆ１の厚みが均一である場合、残部Ｒの残厚ＨＲの偏差は第２基板Ｗ２の厚みＨＡの偏差に等しい。この場合、第２基板Ｗ２の厚みＨＡを、残部Ｒの厚みＨＲの代用にできる。
【0151】
第２基板Ｗ２の厚みＨＡを、残部Ｒの厚みＨＲの代用にすれば、下地厚ＨＢを測定する厚み検出器１５２が不要になる。但し、総厚ＨＴと下地厚ＨＢとの差分を算出し、残厚ＨＲを測定する場合、残厚ＨＲの代わりに厚みＨＡを測定する場合に比べ、より確実に研削後の下地厚ＨＢの偏差を低減できる。
【0152】
本変形例の接合装置１００の制御部１８０は、厚み測定制御部１９０と、厚み記憶部１９１と、厚み送信部１９２とを有する。厚み測定制御部１９０は、厚み検出器１５１を制御し、第２基板Ｗ２の厚みＨＡを複数点Ｐで測定する。厚みＨＡの測定方法については、後述する。
【0153】
厚み記憶部１９１は、厚み測定制御部１９０によって測定したデータを記憶する。例えば、厚み記憶部１９１は、厚みＨＡと、厚みＨＡを測定する点Ｐの位置とを対応付けて記憶する。厚みＨＡ等のデータを一時的に記憶しておけば、厚みＨＡ等のデータをいつでも送信できる。
【0154】
厚み送信部１９２は、厚み測定制御部１９０によって測定したデータを、接合装置１００の外部に送信する。例えば、厚み送信部１９２は、厚みＨＡ及び厚みＨＡを測定する複数点Ｐの位置を含むデータを、研削装置２００に送信する。厚み送信部１９２は、厚みＨＡ等のデータを、サーバーＳを介して研削装置２００に送信してもよい。
【0155】
【0156】
図２０のＳ１１０では、厚み測定制御部１９０が、厚み検出器１５１を制御し、第２基板Ｗ２の厚みＨＡを複数点Ｐで測定する。また、厚み測定制御部１９０は、移動部１３０又は回転部１３１を制御し、厚み検出器１５１によって厚みＨＡを測定する点Ｐの位置を制御する。第２基板Ｗ２の厚みＨＡは、接合（Ｓ１０４）の前に測定される。第２基板Ｗ２の厚みＨＡは、デバイス層Ｄ１の厚みと接合層Ｆ１の厚みが均一である場合に、有用である。第２基板Ｗ２の厚みＨＡは、例えば研削装置２００にて、チャック２２０の回転中心線Ｒ２の傾斜角度の調整に用いられる。
【0157】
本変形例では、接合装置１００にて厚みＨＡを測定するので、研削装置２００にて厚みＨＡを測定する場合に比べて、厚みＨＡを測定する点Ｐの位置決め精度を向上できる。その結果、厚みＨＡの分布を精度良く算出でき、研削後の下地厚ＨＢの偏差を確実に小さくできる。
【0158】
厚みＨＡの測定方法は、総厚ＨＴの測定方法と同様に行われる。例えば、図２１（Ａ）に示すように、厚み測定制御部１９０は、予め、第２保持部１２０の保持面１２１を露出した状態で、保持面１２１の高さを複数点Ｐで測定しておく。
【0159】
保持面１２１の高さ測定は、第２基板Ｗ２の搬入（Ｓ１０２）の前に行われる。なお、保持面１２１の高さ測定は、重合基板Ｔの搬出（Ｓ１０９）の後に行われてもよい。保持面１２１が露出した状態であれば、保持面１２１の高さ測定が可能である。
【0160】
また、図２１（Ｂ）に示すように、厚み測定制御部１９０は、第２保持部１２０の保持面１２１に第２基板Ｗ２を保持した状態で、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さを複数点Ｐで測定する。第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａは、第２保持部１２０に接する非接合面とは反対向き（例えば上向き）である。第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さと、第２保持部１２０の保持面１２１の高さとは、同一の複数点Ｐで測定される。
【0161】
第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さ測定時と、第２保持部１２０の保持面１２１の高さ測定時とで、第２保持部１２０は同一のＸ軸方向位置、Ｙ軸方向位置、及びＺ軸方向位置に制御されてもよい。この場合、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さと第２保持部１２０の保持面１２１の高さとの差は、第２基板Ｗ２の厚みＨＡに等しい。但し、第２保持部１２０が移動する代わりに、厚み検出器１５１が移動してもよいし、両者が移動してもよい。それゆえ、第２保持部１２０と厚み検出器１５１との相対位置（Ｘ軸方向位置とＹ軸方向位置とＺ軸方向位置）が同一の状態で、第２保持部１２０の保持面１２１の高さ測定と、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さ測定とが実施されればよい。この場合、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さと第２保持部１２０の保持面１２１の高さとの差は、第２基板Ｗ２の厚みＨＡに等しい。
【0162】
厚み測定制御部１９０は、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さと第２保持部１２０の保持面１２１の高さとの差を複数点Ｐで算出し、第２基板Ｗ２の厚みＨＡを複数点で算出する。この算出は、重合基板Ｔの搬出（Ｓ１０９）の後に行われてもよい。
【0163】
本変形例によれば、同一の点Ｐで第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さと第２保持部１２０の保持面１２１の高さとの差を算出する。それゆえ、第２基板Ｗ２の厚みＨＡがばらつくような場合にも、厚みＨＡを精度良く測定できる。異なる点で第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さと第２保持部１２０の保持面１２１の高さとの差を算出する場合に比べて、第２基板Ｗ２の厚みＨＡの分布を精度良く測定できる。
【0164】
厚み記憶部１９１は、厚み測定制御部１９０によって測定した厚みＨＡを、厚みＨＡを測定した点Ｐの位置と対応付けて記憶する。複数点Ｐの位置は、第２基板Ｗ２の結晶方位を表すノッチの位置を基準として記憶されてもよい。
【0165】
なお、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さ測定時と、第２保持部１２０の保持面１２１の高さ測定時とで、第２保持部１２０は同一のＸ軸方向位置及びＹ軸方向位置に制御されればよく、第２保持部１２０はＺ軸方向に変位していてもよい。この場合、第２保持部１２０のＺ軸方向の変位量をも考慮して、第２基板Ｗ２の厚みＨＡが算出される。但し、第２保持部１２０がＸ軸方向及びＹ軸方向に移動する代わりに、厚み検出器１５１がＸ軸方向及びＹ軸方向に移動してもよいし、第２保持部１２０及び厚み検出器１５１の一方がＸ軸方向に移動し他方がＹ軸方向に移動してもよい。それゆえ、Ｚ軸方向視での第２保持部１２０と厚み検出器１５１との相対位置（Ｘ軸方向位置とＹ軸方向位置）が同一の状態で、第２保持部１２０の保持面１２１の高さ測定と、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ａの高さ測定とが実施されればよい。
【0166】
なお、厚みＨＡの測定は、総厚ＨＴの測定と同様に、カメラの焦点合わせを利用して実施されてもよい。
【0167】
次に、図２０のＳ１１１では、厚み送信部１９２が、厚みＨＡ及び厚みＨＡを測定した複数点Ｐの位置等のデータを、接合装置１００の外部に送信する。例えば、厚み送信部１９２は、厚みＨＡ等のデータを、研削装置２００に送信する。厚み送信部１９２は、厚みＨＡ等のデータを、サーバーＳを介して研削装置２００に送信してもよい。なお、この送信は、厚みＨＡの測定（Ｓ１１０）の後に行わればよく、重合基板Ｔの搬出（Ｓ１０９）の後に行われてもよい。
【0168】
次に、図２２を参照して、第２変形例に係る接合装置１００の制御部１８０と研削装置２００の制御部２８０の構成について説明する。なお、図３に示す構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。本変形例では、接合装置１００にて残厚ＨＲを算出する代わりに、研削装置２００にて残厚ＨＲを算出する。
【0169】
本変形例の接合装置１００の制御部１８０は、総厚送信部１９３と、下地厚送信部１９４とを有する。総厚送信部１９３は、総厚測定制御部１８３によって測定したデータを、接合装置１００の外部に送信する。例えば、総厚送信部１９３は、総厚ＨＴ及び総厚ＨＴを測定する複数点Ｐの位置を含むデータを、研削装置２００に送信する。総厚送信部１９３は、総厚ＨＴ等のデータを、サーバーＳを介して研削装置２００に送信してもよい。
【0170】
下地厚送信部１９４は、下地厚測定制御部１８５によって測定したデータを、接合装置１００の外部に送信する。例えば、下地厚送信部１９４は、下地厚ＨＢ及び下地厚ＨＢを測定する複数点Ｐの位置を含むデータを、研削装置２００に送信する。総厚送信部１９３は、下地厚ＨＢ等のデータを、サーバーＳを介して研削装置２００に送信してもよい。
【0171】
一方、本変形例の研削装置２００の制御部２８０は、データ受信部２８３と、データ記憶部２８４と、傾斜角度制御部２８５の他に、残厚算出部２８６と、残厚記憶部２８７とを有する。データ受信部２８３によって受信するデータは、例えば総厚ＨＴと下地厚ＨＢの両方と、両方の厚みを測定した複数点Ｐの位置とを含む。総厚ＨＴを測定する点Ｐと、下地厚ＨＢを測定する点Ｐとは、同一である。
【0172】
残厚算出部２８６は、データ受信部２８３によって受信したデータから、残厚ＨＲを複数点Ｐで算出する。残厚算出部２８６は、複数点Ｐのそれぞれで、総厚ＨＴと下地厚ＨＢとの差分を算出し、残厚ＨＲを算出する。残厚算出部２８６は、重合基板Ｔの中心からの距離ごとに、残厚ＨＲの平均値を算出してもよい。
【0173】
残厚記憶部２８７は、残厚算出部２８６によって算出したデータを記憶する。例えば、残厚記憶部２８７は、残厚ＨＲと、残厚ＨＲを測定する点Ｐの位置とを対応付けて記憶する。残厚ＨＲ等のデータを一時的に記憶しておけば、傾斜角度制御部２８５による傾斜角度の制御を適切なタイミングで実施できる。
【0174】
本変形例によれば、上記実施形態と同様に、総厚ＨＴの分布の測定と、下地厚ＨＢの分布の測定とを研削装置２００ではなく、接合装置１００にて実施する。従って、総厚ＨＴを測定する点、及び下地厚ＨＢを測定する点Ｐの位置決め精度を向上できる。その結果、残厚ＨＲの分布を精度良く算出でき、研削後の下地厚ＨＢの偏差を確実に小さくできる。
【0175】
次に、図２３を参照して、第３変形例に係る接合装置１００の制御部１８０と研削装置２００の制御部２８０の構成について説明する。なお、図２２に示す構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。本変形例では、接合装置１００にて下地厚ＨＢを測定する代わりに、研削装置２００にて下地厚ＨＢを測定する。
【0176】
本変形例の研削装置２００の制御部２８０は、下地厚測定制御部２８８と、下地厚記憶部２８９とを有する。下地厚測定制御部２８８は、図２４に示す厚み検出器２６１を制御し、下地厚ＨＢを複数点Ｐで測定する。また、下地厚測定制御部２８８は、厚み検出器２６１を重合基板Ｔの径方向に移動させる移動部を制御し、下地厚ＨＢを測定する点Ｐの位置を制御する。下地厚ＨＢを測定する点Ｐの位置制御は、チャック２２０の回転制御によっても可能である。下地厚ＨＢを測定する点Ｐと、総厚ＨＴを測定する点Ｐとは、同一である。同一の点Ｐで測定した総厚ＨＴと下地厚ＨＢの差分を算出することで、残厚ＨＲを正確に測定できる。
【0177】
厚み検出器２６１は、図２４に示すように、例えば搬入出位置Ａ０にて、下地厚ＨＢを測定する。厚み検出器２６１は、上記の通り、重合基板Ｔの径方向に移動可能である。重合基板Ｔの径方向複数点で下地厚ＨＢを測定できる。厚み検出器２６１の数は、本変形例では１つであるが、複数であってもよい。下地厚ＨＢを測定する点Ｐの数は複数であるので、厚み検出器２６１の数が多いほど、測定にかかる時間を短縮できる。
【0178】
なお、厚み検出器２６１の設置位置は、搬入出位置Ａ０には限定されず、例えば１次研削位置Ａ１であってもよい。この場合も、１次研削の前に、下地厚ＨＢを測定でき、残厚ＨＲを算出できる。従って、１次研削後の下地基板Ｂ１の厚みＨＢが均一になるように傾斜角度を制御できる。
【0179】
但し、３次研削後の下地基板Ｂ１の厚みＨＢが均一になればよく、厚み検出器２６１の設置位置は、２次研削位置Ａ２又は３次研削位置Ａ３であってもよい。
【0180】
下地厚記憶部２８９は、下地厚測定制御部２８８によって測定したデータを記憶する。例えば、下地厚記憶部２８９は、下地厚ＨＢと、下地厚ＨＢを測定する点Ｐの位置とを対応付けて記憶する。下地厚ＨＢ等のデータを一時的に記憶しておけば、残厚ＨＲの算出をいつでも実施できる。
【0181】
残厚算出部２８６は、データ受信部２８３によって受信したデータと、下地厚測定制御部２８８によって測定したデータとから、残厚ＨＲを複数点Ｐで算出する。残厚算出部２８６は、複数点Ｐのそれぞれで、総厚ＨＴと下地厚ＨＢとの差分を算出し、残厚ＨＲを算出する。残厚算出部２８６は、重合基板Ｔの中心からの距離ごとに、残厚ＨＲの平均値を算出してもよい。
【0182】
本変形例によれば、上記実施形態と同様に、総厚ＨＴの分布の測定を研削装置２００ではなく、接合装置１００にて実施する。従って、総厚ＨＴを測定する点Ｐの位置決め精度を向上できる。総厚ＨＴを所望の点Ｐで測定でき、総厚ＨＴと下地厚ＨＢを同一の点Ｐで測定できる。その結果、残厚ＨＲの分布を精度良く算出でき、研削後の下地厚ＨＢの偏差を確実に小さくできる。
【0183】
以上、本開示に係る研削装置、及び研削方法について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
【符号の説明】
【0184】
１００ 接合装置
２００ 研削装置
２２０ チャック（保持部）
２２３ チャックモータ（第１回転部）
２３４ スピンドルモータ（第２回転部）
２８３ データ受信部
Ｃ 研削工具
Ｗ１ 第１基板
Ｂ１ 下地基板
Ｄ１ デバイス層
Ｗ２ 第２基板
Ｔ 重合基板
Ｒ 残部
２００ 研削装置
２２０ チャック（保持部）
２２３ チャックモータ（第１回転部）
２３４ スピンドルモータ（第２回転部）
２８３ データ受信部
Ｃ 研削工具
Ｗ１ 第１基板
Ｂ１ 下地基板
Ｄ１ デバイス層
Ｗ２ 第２基板
Ｔ 重合基板
Ｒ 残部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】