特許 7394661 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-11-30

(45)【発行日】2023-12-08

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20231201BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2020039925

(22)【出願日】2020-03-09

(65)【公開番号】P2021141278

(43)【公開日】2021-09-16

【審査請求日】2022-12-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 充明

【審査官】宮久保 博幸

(56)【参考文献】

【文献】特開２００９－２１８６０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０６２１７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－３３８４９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２２４５２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１０１７７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１６５１９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１３／０５１２４８（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１流路を有する底部を含むチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、第２流路を有する基板支持部と、
前記チャンバの底部と前記基板支持部との間に配置され、前記第１流路と前記第２流路とを接続する接続部材と、を備え、
前記接続部材は、
前記第１流路と前記第２流路とを連通する外筒体と、
前記外筒体内に配置され、第１の棒状体部分及び第１の弾性多孔体部分を含む心材と、を有し、
前記外筒体の内面と前記第１の棒状体部分の外面との間に空隙が規定されている、
基板処理装置。

【請求項2】

前記第１の弾性多孔体部分は、連続気泡を有する弾性発泡体で構成される、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第１の弾性多孔体部分は、１ＭＰａから３ＭＰａのヤング率を有する、
請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記空隙は、前記第１の棒状体部分の側面に設けられた螺旋溝によって規定される、
請求項１～３のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記空隙は、前記外筒体の内周面のうち前記第１の棒状体部分の側面に対向する領域に設けられた螺旋溝によって規定される、
請求項１～３のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記第１の弾性多孔体部分は、前記第１の棒状体部分と前記基板支持部との間に配置される、
請求項１～５のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記第１の弾性多孔体部分は、前記第１の棒状体部分と前記チャンバの底部との間に配置される、
請求項１～５のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記心材は、更に連続気泡を有する第２の弾性多孔体部分を含み、
前記第１の弾性多孔体部分は、前記第１の棒状体部分と前記チャンバの底部との間に配置され、
前記第２の弾性多孔体部分は、前記第１の棒状体部分と前記基板支持部との間に配置される、
請求項１～５のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記心材は、更に第２の棒状体部分を含み、
前記第１の弾性多孔体部分は、前記第１の棒状体部分と前記第２の棒状体部分の間に配置される、
請求項１～５のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記基板支持部に高周波電力を供給する高周波電源をさらに備える、
請求項１～９のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

基板と基板を支持する支持台との熱伝導性を高くするため、支持台の上面と基板の裏面との間にＨｅガス等の伝熱ガスを供給する基板処理装置が知られている。

【0003】

特許文献１には、静電チャックにヘリウムガスを供給するヘリウム供給ラインにおいて、絶縁体の円筒空洞内にらせん溝を有する絶縁部材を配置することが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】米国特許第８５０３１５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

一の側面では、本開示は、放電の発生を抑制する基板処理装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するために、一の態様によれば、第１流路を有する底部を含むチャンバと、前記チャンバ内に配置され、第２流路を有する基板支持部と、前記チャンバの底部と前記基板支持部との間に配置され、前記第１流路と前記第２流路とを接続する接続部材と、を備え、前記接続部材は、前記第１流路と前記第２流路とを連通する外筒体と、前記外筒体内に配置され、第１の棒状体部分及び第１の弾性多孔体部分を含む心材と、を有し、前記外筒体の内面と前記第１の棒状体部分の外面との間に空隙が規定されている、基板処理装置が提供される。

【発明の効果】

【0007】

一の側面によれば、放電の発生を抑制する基板処理装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図。

【図2】一実施形態に係る基板処理装置の部分拡大断面模式図。

【図3】電極間距離と電圧による放電が発生する領域の一例を示すグラフ。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

＜基板処理装置＞
一実施形態に係る基板処理装置１について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の一例を示す断面模式図である。

【0011】

基板処理装置１は、チャンバ１０を備える。チャンバ１０は、その中に内部空間１０ｓを提供する。チャンバ１０はチャンバ本体１２を含む。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有する。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから形成される。チャンバ本体１２の内壁面上には、耐腐食性を有する膜が設けられている。当該膜は、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどのセラミックであってよい。

【0012】

チャンバ本体１２の側壁には、通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、通路１２ｐを通して内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送される。通路１２ｐは、チャンバ本体１２の側壁に沿って設けられるゲートバルブ１２ｇにより開閉される。

【0013】

チャンバ本体１２の底板であるベースプレート１２ｂ上には、支持部１３が設けられている。支持部１３は、絶縁材料から形成される。支持部１３は、略円筒形状を有する。支持部１３は、内部空間１０ｓの中で、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。支持部１３は、上部に支持台１４を有する。支持台１４は、内部空間１０ｓの中において、基板Ｗを支持するように構成されている。

【0014】

支持台１４は、下部電極１８及び静電チャック２０を有する。支持台１４は、電極プレート１６を更に有し得る。電極プレート１６は、アルミニウムなどの導体から形成され、略円盤形状を有する。下部電極１８は、電極プレート１６上に設けられている。下部電極１８は、アルミニウムなどの導体から形成されて、略円盤形状を有する。下部電極１８は、電極プレート１６に電気的に接続されている。

【0015】

静電チャック２０は、下部電極１８上に設けられている。静電チャック２０の上面に基板Ｗが載置される。静電チャック２０は、本体及び電極を有する。静電チャック２０の本体は、略円盤形状を有し、誘電体から形成される。静電チャック２０の電極は、膜状の電極であり、静電チャック２０の本体内に設けられている。静電チャック２０の電極は、スイッチ２０ｓを介して直流電源２０ｐに接続されている。静電チャック２０の電極に直流電源２０ｐからの電圧が印加されると、静電チャック２０と基板Ｗとの間に静電引力が発生する。その静電引力により、基板Ｗが静電チャック２０に保持される。

【0016】

下部電極１８の周縁部上には、基板Ｗのエッジを囲むように、エッジリング２５が配置される。エッジリング２５は、基板Ｗに対するプラズマ処理の面内均一性を向上させる。エッジリング２５は、シリコン、炭化シリコン、又は石英などから形成され得る。

【0017】

下部電極１８の内部には、流路（図示しない）が設けられている。流路には、チャンバ１０の外部に設けられているチラーユニット（図示しない）から配管（図示しない）を介して熱交換媒体（例えば冷媒）が供給される。流路に供給された熱交換媒体は、配管（図示しない）を介してチラーユニットに戻される。基板処理装置１では、静電チャック２０上に載置された基板Ｗの温度が、熱交換媒体と下部電極１８との熱交換により、調整される。

【0018】

基板処理装置１には、ガス供給ライン２２が設けられている。ガス供給ライン２２は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を、静電チャック２０の上面と基板Ｗの裏面との間に供給する。ガス供給ライン２４は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を、下部電極１８の上面とエッジリング２５の裏面との間に供給する。

【0019】

基板処理装置１は、上部電極３０を更に備える。上部電極３０は、支持台１４の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支持されている。部材３２は、絶縁性を有する材料から形成される。上部電極３０と部材３２は、チャンバ本体１２の上部開口を閉じている。

【0020】

上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含み得る。天板３４の下面は、内部空間１０ｓの側の下面であり、内部空間１０ｓを画成する。天板３４は、発生するジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から形成され得る。天板３４は、天板３４をその板厚方向に貫通する複数のガス吐出孔３４ａを有する。

【0021】

支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持する。支持体３６は、アルミニウムなどの導電性材料から形成される。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。支持体３６は、ガス拡散室３６ａから下方に延びる複数のガス孔３６ｂを有する。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６には、ガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃは、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。

【0022】

ガス供給管３８には、バルブ群４２、流量制御器群４４、及びガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０、バルブ群４２、及び流量制御器群４４、は、ガス供給部を構成している。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含む。バルブ群４２は、複数の開閉バルブを含む。流量制御器群４４は、複数の流量制御器を含む。流量制御器群４４の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４２の対応の開閉バルブ、及び流量制御器群４４の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。

【0023】

基板処理装置１では、チャンバ本体１２の内壁面及び支持部１３の外周に沿って、シールド４６が着脱自在に設けられている。シールド４６は、チャンバ本体１２に反応副生物が付着することを防止する。シールド４６は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面に耐腐食性を有する膜を形成することにより構成される。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウムなどのセラミックから形成され得る。

【0024】

支持部１３とチャンバ本体１２の側壁との間には、バッフルプレート４８が設けられている。バッフルプレート４８は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面に耐腐食性を有する膜（酸化イットリウムなどの膜）を形成することにより構成される。バッフルプレート４８には、複数の貫通孔が形成されている。バッフルプレート４８の下方、且つ、チャンバ本体１２の底部には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを含む。

【0025】

基板処理装置１は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を備えている。第１の高周波電源６２は、第１の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。第１の高周波電力の周波数は、例えば２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数である。第１の高周波電源６２は、整合器６６及び電極プレート１６を介して下部電極１８に接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるための回路を有する。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して、上部電極３０に接続されていてもよい。第１の高周波電源６２は、一例のプラズマ生成部を構成している。

【0026】

第２の高周波電源６４は、第２の高周波電力を発生する電源である。第２の高周波電力は、第１の高周波電力の周波数よりも低い周波数を有する。第１の高周波電力と共に第２の高周波電力が用いられる場合には、第２の高周波電力は基板Ｗにイオンを引き込むためのバイアス用の高周波電力として用いられる。第２の高周波電力の周波数は、例えば４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数である。第２の高周波電源６４は、整合器６８及び電極プレート１６を介して下部電極１８に接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるための回路を有する。

【0027】

なお、第１の高周波電力を用いずに、第２の高周波電力を用いて、即ち、単一の高周波電力のみを用いてプラズマを生成してもよい。この場合には、第２の高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚよりも大きな周波数、例えば４０ＭＨｚであってもよい。基板処理装置１は、第１の高周波電源６２及び整合器６６を備えなくてもよい。第２の高周波電源６４は一例のプラズマ生成部を構成する。

【0028】

基板処理装置１においてガスが、ガス供給部から内部空間１０ｓに供給されて、プラズマを生成する。また、第１の高周波電力及び／又は第２の高周波電力が供給されることにより、上部電極３０と下部電極１８との間で高周波電界が生成される。生成された高周波電界がプラズマを生成する。

【0029】

基板処理装置１は、電源７０を備えている。電源７０は、上部電極３０に接続されている。電源７０は内部空間１０ｓ内に存在する正イオンを天板３４に引き込むための電圧を、上部電極３０に印加する。

【0030】

基板処理装置１は、制御部８０を更に備え得る。制御部８０は、プロセッサ、メモリなどの記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュータであり得る。制御部８０は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部８０では、入力装置を用いて、オペレータが基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部８０では、表示装置により、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが格納されている。制御プログラムは、基板処理装置１で各種処理を実行するために、プロセッサによって実行される。プロセッサが、制御プログラムを実行し、レシピデータに従って基板処理装置１の各部を制御する。

【0031】

ここで、ガス供給ライン２２，２４について、更に説明する。

【0032】

ベースプレート１２ｂには、ガス導入路２６ａ，２６ｂが設けられている。支持台１４の電極プレート１６には、ガス導入路２８ａ，２８ｂが設けられている。ガス導入路２８ａは、電極プレート１６、下部電極１８及び静電チャック２０を貫通し、基板Ｗが載置される位置で開口する。ガス導入路２８ｂは、電極プレート１６及び下部電極１８を貫通し、エッジリング２５が載置される位置で開口する。

【0033】

高周波電力が印加される電極プレート１６と、接地されるベースプレート１２ｂとの間には、ガス導入部材１００ａ，１００ｂが設けられている。ガス導入部材１００ａは、ガス導入路２６ａとガス導入路２８ａとを接続する。ガス供給ライン２２は、ガス導入路２６ａ、ガス導入部材１００ａ、ガス導入路２８ａを有している。ガス導入部材１００ｂは、ガス導入路２６ｂとガス導入路２８ｂとを接続する。ガス供給ライン２４は、ガス導入路２６ｂ、ガス導入部材１００ｂ、ガス導入路２８ｂを有している。

【0034】

ガス導入部材１００ａとガス導入部材１００ｂとは、同様の構造を有している。このため、ガス供給ライン２４のガス導入部材１００ｂについて説明し、ガス供給ライン２２のガス導入部材１００ａについては、重複する説明を省略する。

【0035】

ガス導入部材１００ｂについて、図１を参照しつつ、図２を用いて更に説明する。図２は、ガス導入部材１００ｂの上方付近を拡大した一実施形態に係る基板処理装置１の部分拡大断面模式図である。

【0036】

図２に示すように、電極プレート１６の下面には、ガス導入路２８ｂと連通する凹部１６ａが形成されている。凹部１６ａには、キャンセラ１６ｂが配置される。キャンセラ１６ｂは、電極プレート１６と同様に、アルミニウムなどの導体から形成される。キャンセラ１６ｂは、固定部材１６ｃによって電極プレート１６に固定され、電極プレート１６と電気的に導通する。キャンセラ１６ｂの下面の高さは、電極プレート１６の下面の高さと略等しくなっている。

【0037】

ガス導入部材１００ｂは、外筒体１１０と、外筒体１１０内に配置される心材１２０と、を有する。

【0038】

外筒体１１０は、円筒形状を有する。外筒体１１０は、例えば樹脂（ポリクロロトリフルオロエチレン等）、石英等の絶縁材料で形成される。外筒体１１０の上端は、シール部材１６ｄを挟んで電極プレート１６の下面に取り付けられている。外筒体１１０の下端は、シール部材（図示せず）を挟んでベースプレート１２ｂの上面に取り付けられている。これにより、外筒体１１０は、ベースプレート１２ｂのガス導入路２６ｂと電極プレート１６のガス導入路２８ｂとを連通させる。

【0039】

心材１２０は、軸体１３０と、弾性多孔体１４０と、を有する。

【0040】

軸体１３０は、外筒体１１０と同様に、例えば樹脂（ポリクロロトリフルオロエチレン等）、石英等の絶縁材料で形成される。軸体１３０の外周面と、外筒体１１０の内周面のうち軸体１３０の外周面と対応する部分との間には、螺旋溝が形成され、伝熱ガスが通流可能となっている。図２に示す例において、軸体１３０の外周面に螺旋溝１３１が形成されている。換言すれば、軸体１３０は、コア軸１３５と、らせん状のフランジ１３６と、を有している。

【0041】

ここで、電極プレート１６とベースプレート１２ｂとの間には、電位差が生じている。このため、ガス導入部材１００ｂにおいて、軸方向の隙間（例えば、電極プレート１６と心材１２０との隙間、軸方向にみて離接するフランジ１３６間の螺旋溝１３１、ベースプレート１２ｂと心材１２０との隙間等）をそれぞれコンデンサとみなすことができる。即ち、電極プレート１６とベースプレート１２ｂとの間に配置されるガス導入部材１００ｂは、直列に配列されたコンデンサとみなすことができる。

【0042】

コンデンサの電荷Ｑは、静電容量Ｃ、電圧Ｖを用いて式（１）で表される。また、平行平板のコンデンサとみなして、静電容量Ｃは、誘電率ε、面積Ｓ、間隔ｄを用いて式（２）で表される。

【0043】

【数1】

【0044】

そして、式（１）及び式（２）より、式（３）が導出される。

【0045】

【数2】

【0046】

図３は、電極間の間隔ｄと電圧Ｖによる放電が発生する領域の一例を示すグラフの一例である。ここでは、電極間には、伝熱ガス（Ｈｅガス）が充填され、伝熱ガスの圧力が一定であるものとして説明する。図３のグラフにおいて、横軸は電極間の間隔ｄを示し、縦軸は電極間の電圧Ｖを示す。また、図３の曲線３０１は、放電開始電圧（パッシェングラフ）を示す。放電開始電圧よりも上側の領域（放電領域）では、電極間に放電が生じる。

【0047】

ここで、式（３）に示すように、間隔ｄを狭くすることで、電圧Ｖを小さくすることができる。即ち、図３の点３０２と点３０３を対比して示すように、間隔ｄを狭くすることで、電圧Ｖを放電開始電圧（曲線３０１）よりも下げ、放電を防止することができる。

【0048】

即ち、外周面に螺旋溝１３１が形成された軸体１３０は、伝熱ガスを通流可能とするとともに、軸方向の隙間ｄを狭くして放電を防止する。

【0049】

なお、ガス導入部材１００ｂに形成される螺旋溝は、これに限られるものではない。軸体１３０の外周面、および／または、外筒体１１０の内周面のうち軸体１３０の外周面と対応する部分に、螺旋溝が形成される構成であってもよい。

【0050】

電極プレート１６と軸体１３０との間には、弾性多孔体１４０が配置されている。

【0051】

弾性多孔体１４０は、フッ素ゴム、加硫ゴム等の弾性変形可能な絶縁材料で形成される。具体的には、弾性多孔体１４０のヤング率は、１ＭＰａ以上３ＭＰａ以下の範囲が好ましい。また、弾性多孔体１４０の硬度は、ＪＩＳ Ｋ６２５３で定めるタイプＡデュロメータで硬さ２０以上９０以下の範囲が好ましい。また、弾性多孔体１４０の厚さは、５ｍｍ以上が好ましい。

【0052】

また、弾性多孔体１４０は、伝熱ガスが通流可能に形成される。具体的には、弾性多孔体１４０は、発泡体であってもよい。発泡体である弾性多孔体１４０は、不規則な連通気泡を有しており、伝熱ガスが通流可能に形成される。また、弾性多孔体１４０は、伝熱ガスが通流する隙間が迷路状に形成されたラビリンス構造体であってもよい。

【0053】

弾性多孔体１４０は、軸体１３０の上端と電極プレート１６の下面との間に配置される。弾性多孔体１４０が弾性変形することにより、弾性多孔体１４０の下方は軸体１３０の上端と接し、弾性多孔体１４０の上方は電極プレート１６の下面と接する。これにより、軸体１３０の上端から電極プレート１６の下面までの領域において、伝熱ガスを通流可能とするとともに、軸方向の隙間を狭くして放電を防止する。また、弾性変形した弾性多孔体１４０が軸体１３０をベースプレート１２ｂに向けて押すことにより、軸体１３０の下端とベースプレート１２ｂとの隙間を狭めて、放電を防止する。

【0054】

また、チャンバ１０の内部空間１０ｓに生成されたプラズマの熱が支持部１３等に入熱することにより、支持部１３等が熱膨張する。これにより、ベースプレート１２ｂから電極プレート１６までの距離が変動する。また、静電チャック２０や電極プレート１６にプラズマの熱が入熱し、その熱が軸体１３０に伝熱することにより、軸体１３０が熱膨張する。これに対し、ガス導入部材１００ｂは、弾性多孔体１４０が弾性変形することで、ベースプレート１２ｂから電極プレート１６までの距離の変動や軸体１３０の熱膨張による伸びを吸収して、軸体１３０の破損や変形を防止する。なお、外筒体１１０は、外筒体１１０の上端と電極プレート１６の下面との間のシール部材１６ｄ及び外筒体１１０の下端とベースプレート１２ｂの上面のとの間のシール部材（図示せず）によって、ベースプレート１２ｂから電極プレート１６までの距離の変動や外筒体１１０の熱膨張による伸びを吸収することができる。

【0055】

なお、図１において、ベースプレート１２ｂの側に軸体１３０が配置され、電極プレート１６の側に弾性多孔体１４０が配置されるものとして図示しているが、これに限られるものではない。ベースプレート１２ｂの側に弾性多孔体１４０が配置され、電極プレート１６の側に軸体１３０が配置される構成であってもよい。また、ベースプレート１２ｂの側に一の弾性多孔体１４０が配置され、電極プレート１６の側に他の弾性多孔体１４０が配置され、一の弾性多孔体１４０と他の弾性多孔体１４０との間に、軸体１３０が配置される構成であってもよい。また、ベースプレート１２ｂの側に一の軸体１３０が配置され、電極プレート１６の側に他の軸体１３０が配置され、一の軸体１３０と他の軸体１３０との間に、弾性多孔体１４０が配置される構成であってもよい。即ち、心材１２０は、少なくとも１つの軸体１３０と、少なくとも１つの弾性多孔体１４０と、を有し、外筒体１１０の軸方向に配置されていればよい。

【0056】

以上、基板処理装置１の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

【符号の説明】

【0057】

１ 基板処理装置
１４ 支持台
１２ｂ ベースプレート（第１プレート）
１６ 電極プレート（第２プレート）
１６ａ 凹部
１６ｂ キャンセラ
１６ｃ 固定部材
１８ 下部電極
２０ 静電チャック
２２，２４ ガス供給ライン
２６ａ，２６ｂ ガス導入路（第１ガス導入路）
２８ａ，２８ｂ ガス導入路（第２ガス導入路）
１００ａ，１００ｂ ガス導入部材
１１０ 外筒体
１２０ 心材
１３０ 軸体
１４０ 弾性多孔体
１３１ 螺旋溝
１３５ コア軸
１３６ フランジ

【図1】

【図2】

【図3】