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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-30
(45)【発行日】2023-12-08
(54)【発明の名称】磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置
(51)【国際特許分類】
G11B 5/70 20060101AFI20231201BHJP
G11B 5/706 20060101ALI20231201BHJP
G11B 5/738 20060101ALI20231201BHJP
G11B 5/735 20060101ALI20231201BHJP
G11B 5/78 20060101ALI20231201BHJP
G11B 23/107 20060101ALI20231201BHJP
【ＦＩ】
G11B5/70
G11B5/706
G11B5/738
G11B5/735
G11B5/78
G11B23/107
【請求項の数】
19
(21)【出願番号】P 2020165777
(22)【出願日】2020-09-30
(65)【公開番号】P2022057492
(43)【公開日】2022-04-11
【審査請求日】2022-08-19
(73)【特許権者】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000109
【氏名又は名称】弁理士法人特許事務所サイクス
(72)【発明者】
【氏名】多田 稔生
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 宏幸
(72)【発明者】
【氏名】中野 愛
【審査官】中野 和彦
(56)【参考文献】
【文献】特開２００２－３５８６３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１２６７０４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１５５１９０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ１１Ｂ ５／７０
Ｇ１１Ｂ ５／７０６
Ｇ１１Ｂ ５／７３８
Ｇ１１Ｂ ５／７３５
Ｇ１１Ｂ ５／７８
Ｇ１１Ｂ ２３／１０７
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体であって、再生ビットサイズＳが４００００ｎｍ２以下の磁気記録再生装置において使用され、
磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇで表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値がＸ以上であり、
前記Ｘは、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出される値である、磁気記録媒体。
【請求項2】
前記残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌは、１２００Ｇ以上である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項3】
前記磁性層の厚みは、５０．０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項4】
前記強磁性粉末は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末である、請求項１～３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項5】
前記強磁性粉末は、六方晶バリウムフェライト粉末である、請求項１～３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項6】
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項7】
前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項8】
前記Ｘは１２０１以上である、請求項１～７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項9】
磁気テープである、請求項１～８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項10】
請求項９に記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
【請求項11】
磁気記録再生装置であって、再生ビットサイズＳが４００００ｎｍ２以下であり、
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体を含み、
前記磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇで表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値がＸ以上であり、
前記Ｘは、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出される値である、磁気記録再生装置。
【請求項12】
前記残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌは、１２００Ｇ以上である、請求項１１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項13】
前記磁性層の厚みは、５０．０ｎｍ以下である、請求項１１または１２に記載の磁気記録再生装置。
【請求項14】
前記強磁性粉末は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末である、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の磁気記録再生装置。
【請求項15】
前記強磁性粉末は、六方晶バリウムフェライト粉末である、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の磁気記録再生装置。
【請求項16】
前記Ｘは１２０１以上である、請求項１１～１５のいずれか１項に記載の磁気記録再生装置。
【請求項17】
前記磁気記録媒体は、磁気テープである、請求項１１～１６のいずれか１項に記載の磁気記録再生装置。
【請求項18】
前記磁気記録媒体は、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有する、請求項１１～１７のいずれか１項に記載の磁気記録再生装置。
【請求項19】
前記磁気記録媒体は、前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有する、請求項１１～１８のいずれか１項に記載の磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【0002】
各種データを記録し保管するためのデータストレージ用記録媒体として、磁気記録媒体が広く用いられている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１５－８２３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１には、高い信号雑音比ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ－ｔｏ－Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を得るために、磁気記録媒体の磁性層の残留磁化Ｍｒと厚さｔとの積Ｍｒｔ（即ち単位面積あたりの残留磁化）を制御することが提案されている（特許文献１の段落００１４参照）。
【0005】
磁気記録媒体の高容量化の手段としては、１ビットのサイズを小さくして記録密度を高めることが挙げられる。しかし、１ビットのサイズを小さくすると、1ビットから出力される信号強度が小さくなり出力不足が顕在化することによって、特許文献１で提案されているような従来の手段では、電磁変換特性を向上させることは困難となる。
【0006】
本発明の一態様は、小ビットサイズ領域において優れた電磁変換特性を発揮することができる磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様は、
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体であって、
再生ビットサイズＳが４００００ｎｍ２以下の磁気記録再生装置において使用され、
磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇ（ガウス）で表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値がＸ以上であり、
上記Ｘは、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出される値である、磁気記録媒体、
に関する。
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体であって、
再生ビットサイズＳが４００００ｎｍ２以下の磁気記録再生装置において使用され、
磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇ（ガウス）で表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値がＸ以上であり、
上記Ｘは、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出される値である、磁気記録媒体、
に関する。
【0008】
また、本発明の一態様は、
磁気記録再生装置であって、
再生ビットサイズＳが４００００ｎｍ２以下であり、
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体を含み、
上記磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇで表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値がＸ以上であり、
上記Ｘは、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出される値である、磁気記録再生装置、
に関する。
磁気記録再生装置であって、
再生ビットサイズＳが４００００ｎｍ２以下であり、
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体を含み、
上記磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇで表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値がＸ以上であり、
上記Ｘは、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出される値である、磁気記録再生装置、
に関する。
【0009】
一形態では、上記残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌは、１２００Ｇ以上であることができる。
【0010】
一形態では、上記磁性層の厚みは、５０．０ｎｍ以下であることができる。
【0011】
一形態では、上記強磁性粉末は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末であることができる。
【0012】
一形態では、上記強磁性粉末は、六方晶バリウムフェライト粉末であることができる。
【0013】
一形態では、上記磁気記録媒体は、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有することができる。
【0014】
一形態では、上記磁気記録媒体は、上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有することができる。
【0015】
一形態では、上記磁気記録媒体は、磁気テープであることができる。
【0016】
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。
【発明の効果】
【0017】
本発明の一態様によれば、小ビットサイズ領域において優れた電磁変換特性を発揮することができる磁気記録媒体を提供することができる。また、本発明の一態様によれば、かかる磁気記録媒体を含む磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0018】
［磁気記録媒体、磁気記録再生装置］
本発明の一態様は、非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体に関する。上記磁気記録媒体は、再生ビットサイズＳが４００００ｎｍ２以下の磁気記録再生装置において使用され、磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇで表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値がＸ以上である。上記Ｘは、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出される値である。
本発明の一態様は、非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体に関する。上記磁気記録媒体は、再生ビットサイズＳが４００００ｎｍ２以下の磁気記録再生装置において使用され、磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇで表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値がＸ以上である。上記Ｘは、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出される値である。
【0019】
また、本発明の一態様は、磁気記録再生装置に関する。上記磁気記録再生装置において、再生ビットサイズＳは４００００ｎｍ２以下である。上記磁気記録再生装置は、非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体を含む。上記磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇで表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値は、上記Ｘ以上である。
【0020】
本発明および本明細書において、「再生ビットサイズＳ」は、磁気記録媒体への記録再生における線記録密度および再生素子幅から算出される。一例として、線記録密度５１０ｋｂｐｉの場合を例として、以下に再生ビットサイズの算出方法を説明する。
単位に関して、「ｋ（キロ）ｂｐｉ」は、ＳＩ単位に換算不可の単位であり、「ｂｐｉ」は、「ｂｉｔ ｐｅｒ ｉｎｃｈ」を意味する。したがって、５１０ｋｂｐｉとは、１インチあたり、即ち２５．４ｍｍあたりに記録されるビット数が５１０，０００ビットであることを意味する。２５，４００，０００ｎｍの長さに５１０，０００個のビットが記録されるため、例えばテープ状の磁気記録媒体（即ち磁気テープ）において、磁気テープの長手方向における１ビットあたりの記録ビット長は、１ビットあたりの記録ビット長＝２５，４００，０００ｎｍ／５１０，０００（＝約４９．８ｎｍ）と算出される。一例として、再生素子幅が０．５μｍ（即ち５００ｎｍ）の場合、再生ビットサイズＳは、Ｓ＝（２５，４００，０００ｎｍ／５１０，０００）×５００ｎｍ＝２４，９０２ｎｍ２と算出される。上記では磁気テープの場合を例に説明した。ディスク状の磁気記録媒体（即ち磁気ディスク）についても同様に、線記録密度および再生素子幅から、再生ビットサイズＳを求めることができる。「再生素子幅」とは、再生素子幅の物理的な寸法をいうものとする。かかる物理的な寸法は、光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡等により測定が可能である。
上記のように、磁気記録媒体への記録再生における線記録密度および再生素子幅が定まれば、再生ビット幅を算出することができる。線記録密度および再生素子幅は、磁気記録媒体が適用される磁気記録再生装置(一般に「ドライブ」と呼ばれる。)が決定されれば、かかる磁気記録再生装置における記録再生の固有の値として自ずと定まるものである。磁気記録媒体が適用される磁気記録再生装置は、磁気記録媒体が市販される際に付される規格名により定まる。例えば、磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジ（データカートリッジとも呼ばれる。）の形態で市販される。一例として、「ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍ ８データカートリッジ」として市販されている場合、その磁気テープカートリッジ内の磁気テープは、業界規格の１つである「ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍ ８」にしたがう磁気記録再生装置に適用される磁気テープである。
単位に関して、「ｋ（キロ）ｂｐｉ」は、ＳＩ単位に換算不可の単位であり、「ｂｐｉ」は、「ｂｉｔ ｐｅｒ ｉｎｃｈ」を意味する。したがって、５１０ｋｂｐｉとは、１インチあたり、即ち２５．４ｍｍあたりに記録されるビット数が５１０，０００ビットであることを意味する。２５，４００，０００ｎｍの長さに５１０，０００個のビットが記録されるため、例えばテープ状の磁気記録媒体（即ち磁気テープ）において、磁気テープの長手方向における１ビットあたりの記録ビット長は、１ビットあたりの記録ビット長＝２５，４００，０００ｎｍ／５１０，０００（＝約４９．８ｎｍ）と算出される。一例として、再生素子幅が０．５μｍ（即ち５００ｎｍ）の場合、再生ビットサイズＳは、Ｓ＝（２５，４００，０００ｎｍ／５１０，０００）×５００ｎｍ＝２４，９０２ｎｍ２と算出される。上記では磁気テープの場合を例に説明した。ディスク状の磁気記録媒体（即ち磁気ディスク）についても同様に、線記録密度および再生素子幅から、再生ビットサイズＳを求めることができる。「再生素子幅」とは、再生素子幅の物理的な寸法をいうものとする。かかる物理的な寸法は、光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡等により測定が可能である。
上記のように、磁気記録媒体への記録再生における線記録密度および再生素子幅が定まれば、再生ビット幅を算出することができる。線記録密度および再生素子幅は、磁気記録媒体が適用される磁気記録再生装置(一般に「ドライブ」と呼ばれる。)が決定されれば、かかる磁気記録再生装置における記録再生の固有の値として自ずと定まるものである。磁気記録媒体が適用される磁気記録再生装置は、磁気記録媒体が市販される際に付される規格名により定まる。例えば、磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジ（データカートリッジとも呼ばれる。）の形態で市販される。一例として、「ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍ ８データカートリッジ」として市販されている場合、その磁気テープカートリッジ内の磁気テープは、業界規格の１つである「ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍ ８」にしたがう磁気記録再生装置に適用される磁気テープである。
【0021】
本発明および本明細書において、磁気記録媒体の垂直方向の残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌは、磁気記録媒体の垂直方向において測定される、磁気記録媒体の単位面積当たりの残留磁化（以下、「垂直方向残留磁化」と記載する。）を磁性層の厚みで除した値である。残留磁化に関して記載する「垂直方向」とは、磁性層表面と直交する方向であり、磁性層の厚み方向ということもできる。本発明および本明細書において、磁性層表面とは、磁気記録媒体の磁性層側表面と同義である。垂直方向残留磁化は、振動試料型磁力計において、２３℃±１℃の測定温度にて、測定対象の磁気記録媒体の無作為に選択した位置から切り出したサンプル片の垂直方向（磁性層表面と直交する方向）に、外部磁場を最大外部磁場１１９４ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）かつスキャン速度４．８ｋＡ／ｍ／秒（６０Ｏｅ／秒）の条件で掃引して求められる値とする。単位に関して、１Ｏｅ（エルステッド）＝７９．６Ａ／ｍである。サンプル片のサイズは、測定に使用する振動試料型磁力計に導入可能なサイズであればよい。測定値は、振動試料型磁力計のサンプルプローブの磁化をバックグラウンドノイズとして差し引いた値として得るものとする。測定温度はサンプル片の温度である。サンプル片の周囲の雰囲気温度を測定温度にすることにより、温度平衡が成り立つことによってサンプル片の温度を測定温度にすることができる。垂直方向残留磁化を、単位「Ｇ・ｎｍ」の値として求めた場合には、求められた値を磁性層厚み（単位：ｎｍ）で除することによって、磁気記録媒体の垂直方向の残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌを、単位「Ｇ」の値として求めることができる。垂直方向残留磁化を、単位「Ｇ・μｍ」の値として求めた場合には、求められた値を磁性層厚み（単位：μｍ）で除することによって、磁気記録媒体の垂直方向の残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌを、単位「Ｇ」の値として求めることができる。
磁性層の厚みは、以下の方法によって求められる。測定対象の磁気記録媒体の無作為に選択した位置で断面試料を作製する。断面試料は、長さ方向の全域に磁性層が含まれ、かつ厚み方向に磁性層表面と磁性層と隣接する部分(例えば後述する非磁性層)との界面が含まれるように作製する。上記断面試料の無作為に選択した７箇所において、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって５万倍の倍率で観察して断面画像を取得する。ＳＥＭとしては、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）－ＳＥＭ）を用いる。例えば日立製作所製ＦＥ－ＳＥＭ Ｓ４８００を用いることができ、後述の実施例ではこのＦＥ－ＳＥＭを用いた。断面画像は、二次電子像（ＳＥ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｏｎ）像）として取得する。断面試料の作製は、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ；集束イオンビーム）加工によって行うことができる。上記７箇所の各箇所で得られた断面画像において、デジタイザーによって磁性層の部分をトレースし、トレースされた部分の面積を、断面試料の長さで除することにより、上記７箇所における磁性層の厚みをそれぞれ算出する。算出された値の算術平均を、測定対象の磁気記録媒体の磁性層の厚みとする。磁性層と隣接する部分(例えば非磁性)層との界面は、以下の方法により特定することができる。断面画像をデジタル化して厚み方向の画像輝度データ（厚み方向の座標、幅方向の座標、および輝度の３成分からなる。）を作成する。デジタル化では、断面画像を幅方向に１２８０分割して、輝度８ビットで処理して２５６階調のデータを得て、分割した各座標ポイントの画像輝度を所定の階調値に変換する。次に、得られた画像輝度データにおいて、厚み方向の各座標ポイントにおける幅方向の輝度の算術平均（即ち、１２８０分割した各座標ポイントにおける輝度の算術平均）を縦軸にとり、厚み方向の座標を横軸にとって輝度曲線を作成する。作成した輝度曲線を微分して微分曲線を作成し、作成した微分曲線のピーク位置から磁性層と非磁性層との境界の座標を特定する。断面画像上の、特定した座標に相当する位置を、磁性層と非磁性層との界面とする。
磁性層の厚みは、以下の方法によって求められる。測定対象の磁気記録媒体の無作為に選択した位置で断面試料を作製する。断面試料は、長さ方向の全域に磁性層が含まれ、かつ厚み方向に磁性層表面と磁性層と隣接する部分(例えば後述する非磁性層)との界面が含まれるように作製する。上記断面試料の無作為に選択した７箇所において、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって５万倍の倍率で観察して断面画像を取得する。ＳＥＭとしては、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）－ＳＥＭ）を用いる。例えば日立製作所製ＦＥ－ＳＥＭ Ｓ４８００を用いることができ、後述の実施例ではこのＦＥ－ＳＥＭを用いた。断面画像は、二次電子像（ＳＥ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｏｎ）像）として取得する。断面試料の作製は、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ；集束イオンビーム）加工によって行うことができる。上記７箇所の各箇所で得られた断面画像において、デジタイザーによって磁性層の部分をトレースし、トレースされた部分の面積を、断面試料の長さで除することにより、上記７箇所における磁性層の厚みをそれぞれ算出する。算出された値の算術平均を、測定対象の磁気記録媒体の磁性層の厚みとする。磁性層と隣接する部分(例えば非磁性)層との界面は、以下の方法により特定することができる。断面画像をデジタル化して厚み方向の画像輝度データ（厚み方向の座標、幅方向の座標、および輝度の３成分からなる。）を作成する。デジタル化では、断面画像を幅方向に１２８０分割して、輝度８ビットで処理して２５６階調のデータを得て、分割した各座標ポイントの画像輝度を所定の階調値に変換する。次に、得られた画像輝度データにおいて、厚み方向の各座標ポイントにおける幅方向の輝度の算術平均（即ち、１２８０分割した各座標ポイントにおける輝度の算術平均）を縦軸にとり、厚み方向の座標を横軸にとって輝度曲線を作成する。作成した輝度曲線を微分して微分曲線を作成し、作成した微分曲線のピーク位置から磁性層と非磁性層との境界の座標を特定する。断面画像上の、特定した座標に相当する位置を、磁性層と非磁性層との界面とする。
【0022】
後述する強磁性粉末の残留磁化σｒは、以下の方法によって求められる。振動試料型磁力計のサンプルロッドに測定対象の強磁性粉末を入れたカプセルを取り付け、任意の方向に外部磁場を印加して、上記と同様の方法で測定を行い、残留磁化量（単位：ｅｍｕ）を求める。単位に関して、１ｅｍｕ＝１×１０－３Ａ・ｍ２である。カプセルに入れる強磁性粉末の量は、例えば１０ｍｇ以上（例えば１００ｍｇ程度）とすることができる。カプセル内は強磁性粉末のみによって満たしてもよく、カプセル内を満たす量より強磁性粉末の量が少量の場合には非磁性の材料によってカプセル内の空間を埋めて強磁性粉末を固定してもよい。求められた残留磁化量をカプセルに入れた強磁性粉末の質量（単位：ｇ）で除した値として、強磁性粉末の残留磁化σｒ（単位：ｅｍｕ／ｇ）を求める。
【0023】
本発明者は、小ビットサイズ領域において優れた電磁変換特性を発揮することができる磁気記録媒体を提供するために鋭意検討を重ねた結果、再生ビットサイズが４００００ｎｍ２以下の小ビットサイズ領域では、再生ビットサイズＳとの関係で特定の値以上の垂直方向の残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌを示す磁気記録媒体が、優れた電磁変換特性を発揮できることを新たに見出した。詳しくは、磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇで表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値が、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出されるＸ以上である場合、再生ビットサイズが４００００ｎｍ２以下の小ビットサイズ領域において、優れた電磁変換特性を得ることができることが明らかとなった。
【0024】
以下、上記磁気記録媒体および上記記録再生装置について、更に詳細に説明する。
【0025】
＜再生ビットサイズＳ＞
上記再生ビットサイズＳは、４００００ｎｍ２以下である。高容量化の観点からは再生ビットサイズＳが小さいことは好ましく、この点から、再生ビットサイズＳは、３８０００ｎｍ２以下であることが好ましく、３５０００ｎｍ２以下であることがより好ましく、３００００ｎｍ２以下であることが更に好ましく、２５０００ｎｍ２以下であることが一層好ましい。また、再生ビットサイズＳは、例えば８０００ｎｍ２以上または１００００ｎｍ２以上であることができ、更なる高容量化の観点からは、ここに例示した値を下回ることもできる。
上記再生ビットサイズＳは、４００００ｎｍ２以下である。高容量化の観点からは再生ビットサイズＳが小さいことは好ましく、この点から、再生ビットサイズＳは、３８０００ｎｍ２以下であることが好ましく、３５０００ｎｍ２以下であることがより好ましく、３００００ｎｍ２以下であることが更に好ましく、２５０００ｎｍ２以下であることが一層好ましい。また、再生ビットサイズＳは、例えば８０００ｎｍ２以上または１００００ｎｍ２以上であることができ、更なる高容量化の観点からは、ここに例示した値を下回ることもできる。
【0026】
＜Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌ＞
上記磁気記録媒体のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌは、先に記載した方法によって求められ、その単位はＧである。例えば、求められたＢｒｖｅｒｔｉｃａｌがｂガウス（Ｇ）である場合、Ｘと対比される数値は、「ｂ」である。Ｘは、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出され、無単位の値とする。上記磁気記録媒体および上記磁気記録再生装置において、磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇで表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値は、Ｘ以上である。このように再生ビットサイズＳから定まるＸに対して、ＢｒｖｅｒｔｉｃａｌがＸ以上である場合、再生ビットサイズが４００００ｎｍ２以下の小ビットサイズ領域において、優れた電磁変換特性を得ることができる。Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌは、Ｘガウス（Ｇ）以上であり、１２００Ｇ以上であることが好ましく、１２５０Ｇ以上であることがより好ましく、１３００Ｇ以上であることが更に好ましく、１４００Ｇ以上であることが一層好ましい。Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌは、例えば３０００Ｇ以下、２５００Ｇ以下または２０００Ｇ以下であることができる。Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌが高いことは、小ビットサイズ領域における電磁変換特性の更なる向上の観点から好ましいため、Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌは、ここに例示した値を上回ることもできる。
上記磁気記録媒体のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌは、先に記載した方法によって求められ、その単位はＧである。例えば、求められたＢｒｖｅｒｔｉｃａｌがｂガウス（Ｇ）である場合、Ｘと対比される数値は、「ｂ」である。Ｘは、Ｘ＝－０．０１Ｓ＋１５５０、として算出され、無単位の値とする。上記磁気記録媒体および上記磁気記録再生装置において、磁気記録媒体の垂直方向の単位Ｇで表記される残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値は、Ｘ以上である。このように再生ビットサイズＳから定まるＸに対して、ＢｒｖｅｒｔｉｃａｌがＸ以上である場合、再生ビットサイズが４００００ｎｍ２以下の小ビットサイズ領域において、優れた電磁変換特性を得ることができる。Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌは、Ｘガウス（Ｇ）以上であり、１２００Ｇ以上であることが好ましく、１２５０Ｇ以上であることがより好ましく、１３００Ｇ以上であることが更に好ましく、１４００Ｇ以上であることが一層好ましい。Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌは、例えば３０００Ｇ以下、２５００Ｇ以下または２０００Ｇ以下であることができる。Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌが高いことは、小ビットサイズ領域における電磁変換特性の更なる向上の観点から好ましいため、Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌは、ここに例示した値を上回ることもできる。
【0027】
Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌについては、以下の手段によってＢｒｖｅｒｔｉｃａｌが高くなる傾向があることが、本発明者の検討により判明した。したがって、これらの手段の１つまたは２つ以上を組み合わせることによって、ＢｒｖｅｒｔｉｃａｌがＸガウス（Ｇ）以上の磁気記録媒体を作製することができる。
（１）強磁性粉末として飽和磁化σｒが高い強磁性粉末を使用する。
（２）磁性層における強磁性粉末の物理配向を向上させる。
（３）磁性層を形成するための磁性層形成用組成物の調製時、強磁性粉末の粒子の欠けを抑制する。
（４）磁性層の強磁性粉末の充填率を高める。
（１）強磁性粉末として飽和磁化σｒが高い強磁性粉末を使用する。
（２）磁性層における強磁性粉末の物理配向を向上させる。
（３）磁性層を形成するための磁性層形成用組成物の調製時、強磁性粉末の粒子の欠けを抑制する。
（４）磁性層の強磁性粉末の充填率を高める。
【0028】
＜磁性層＞
（強磁性粉末）
上記磁気記録媒体の磁性層に含まれる強磁性粉末について、強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。
（強磁性粉末）
上記磁気記録媒体の磁性層に含まれる強磁性粉末について、強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。
【0029】
本発明および本明細書において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントするかディスプレーに表示する等して、粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している形態に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している形態も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントするかディスプレーに表示する等して、粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している形態に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している形態も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
【0030】
粒子サイズ測定のために磁気記録媒体から試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。
【0031】
本発明および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものをいう。
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものをいう。
【0032】
また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。
【0033】
上記磁気記録媒体は、１種または２種以上の強磁性粉末を磁性層に含むことができる。強磁性粉末の具体例としては、六方晶フェライト粉末、ε－酸化鉄粉末等を挙げることができる。
【0034】
六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。
【0035】
本発明および本明細書において、「六方晶フェライト粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相として六方晶フェライト型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。主相とは、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが帰属する構造をいう。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが六方晶フェライト型の結晶構造に帰属される場合、六方晶フェライト型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。Ｘ線回折分析によって単一の構造のみが検出された場合には、この検出された構造を主相とする。六方晶フェライト型の結晶構造は、構成原子として、少なくとも鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含む。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、ストロンチウム原子、バリウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。本発明および本明細書において、六方晶ストロンチウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がストロンチウム原子であるものをいい、六方晶バリウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がバリウム原子であるものをいう。主な二価金属原子とは、この粉末に含まれる二価金属原子の中で、原子％基準で最も多くを占める二価金属原子をいうものとする。ただし、上記の二価金属原子には、希土類原子は包含されないものとする。本発明および本明細書における「希土類原子」は、スカンジウム原子（Ｓｃ）、イットリウム原子（Ｙ）、およびランタノイド原子からなる群から選択される。ランタノイド原子は、ランタン原子（Ｌａ）、セリウム原子（Ｃｅ）、プラセオジム原子（Ｐｒ）、ネオジム原子（Ｎｄ）、プロメチウム原子（Ｐｍ）、サマリウム原子（Ｓｍ）、ユウロピウム原子（Ｅｕ）、ガドリニウム原子（Ｇｄ）、テルビウム原子（Ｔｂ）、ジスプロシウム原子（Ｄｙ）、ホルミウム原子（Ｈｏ）、エルビウム原子（Ｅｒ）、ツリウム原子（Ｔｍ）、イッテルビウム原子（Ｙｂ）、およびルテチウム原子（Ｌｕ）からなる群から選択される。
【0036】
六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。結晶構造は、Ｘ線回折分析によって確認することができる。六方晶フェライト粉末は、Ｘ線回折分析によって、単一の結晶構造または２種以上の結晶構造が検出されるものであることができる。例えば一形態では、六方晶フェライト粉末は、Ｘ線回折分析によってＭ型の結晶構造のみが検出されるものであることができる。例えば、Ｍ型の六方晶フェライトは、ＡＦｅ１２Ｏ１９の組成式で表される。ここでＡは二価金属原子を表す。六方晶ストロンチウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはストロンチウム原子（Ｓｒ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをストロンチウム原子（Ｓｒ）が占める。六方晶バリウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはバリウム原子（Ｂａ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをバリウム原子（Ｂａ）が占める。六方晶フェライト粉末の二価金属原子含有率は、通常、六方晶フェライトの結晶構造の種類により定まるものであり、特に限定されるものではない。鉄原子含有率および酸素原子含有率についても、同様である。六方晶フェライト粉末は、少なくとも、鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含み、更に希土類原子を含むこともできる。また、六方晶フェライト粉末は、上記原子以外の原子、例えば、アルミニウム原子（Ａｌ）、コバルト原子（Ｃｏ）、チタン原子（Ｔｉ）、ニオブ原子（Ｎｂ）、ビスマス原子（Ｂｉ）等の１種または２種以上を含むこともできる。
【0037】
本発明および本明細書において、「ε－酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε－酸化鉄型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε－酸化鉄型の結晶構造に帰属される場合、ε－酸化鉄型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε－酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε－酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ． Ｊｐｎ． Ｓｏｃ． Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ Ｖｏｌ． ６１ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ， Ｎｏ． Ｓ１， ｐｐ． Ｓ２８０－Ｓ２８４、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． Ｃ， ２０１３， １， ｐｐ．５２００－５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気記録媒体の磁性層において強磁性粉末として使用可能なε－酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。
【0038】
磁性層に含まれる強磁性粉末の残留磁化σｒが高いことは、磁気記録媒体のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌを高くすることに寄与し得る。この点から、強磁性粉末の残留磁化σｒは、２０．０ｅｍｕ／ｇ以上であることが好ましく、２０．５ｅｍｕ／ｇ以上であることがより好ましく、２１．０ｅｍｕ／ｇ以上であることが更に好ましく、２１．５ｅｍｕ／ｇ以上であることが一層好ましく、２２．０ｅｍｕ／ｇ以上であることがより一層好ましい。強磁性粉末の残留磁化σｒは、例えば、５０．０ｅｍｕ／ｇ以下、４５．０ｅｍｕ／ｇ以下または４０．０ｅｍｕ／ｇ以下であることができ、ここに例示した値を上回ることもできる。
【0039】
強磁性粉末の残留磁化σｒは、強磁性粉末の組成および／または作製方法によって制御することができる。例えば、六方晶フェライト粉末については、鉄原子および二価金属原子以外の金属原子の種類および含有率によって、残留磁化σｒを調整することができる。また、例えばガラス結晶化法によって六方晶フェライト粉末を作製する場合、結晶化工程における結晶化温度を高くすると残留磁化σｒが高い六方晶フェライト粉末が得られ易い傾向がある。
【0040】
磁性層における強磁性粉末の含有率（充填率）は、体積基準で、好ましくは３０～９０体積％の範囲であり、より好ましくは４０～９０体積％の範囲であり、更に好ましくは５０～９０体積％の範囲である。磁性層において強磁性粉末の充填率を高くすることは、磁気記録媒体のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌを高くすることに寄与し得る。例えば、磁性層形成用組成物の固形分(即ち溶媒を除く成分)において強磁性粉末が占める割合を高くすると、強磁性粉末の充填率が高い磁性層を形成することができる。
【0041】
（結合剤）
上記磁気記録媒体は塗布型の磁気記録媒体であることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤とは、１種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。
以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１を参照できる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。結合剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～３０．０質量部の量で使用することができる。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ（Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
上記磁気記録媒体は塗布型の磁気記録媒体であることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤とは、１種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。
以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１を参照できる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。結合剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～３０．０質量部の量で使用することができる。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ（Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
【0042】
（硬化剤）
結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一形態では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一形態では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０～８０．０質量部の量で使用することができる。
結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一形態では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一形態では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０～８０．０質量部の量で使用することができる。
【0043】
（添加剤）
磁性層には、必要に応じて１種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末（例えば無機粉末、カーボンブラック等）、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。例えば、潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０～００３３、００３５および００３６を参照できる。後述する非磁性層に潤滑剤が含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０、００３１、００３４～００３６を参照できる。分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。また、アミン系ポリマー等の分散剤として機能し得るポリマーも使用できる。分散剤を非磁性層形成用組成物に添加してもよい。非磁性層形成用組成物に添加し得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。また、磁性層に含まれ得る非磁性粉末としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末（例えば非磁性コロイド粒子等）等が挙げられる。尚、後述の実施例に示すコロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）の平均粒子サイズは、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められた値である。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して、または公知の方法で製造して、任意の量で使用することができる。研磨剤を含む磁性層に研磨剤の分散性を向上するために使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３－１３１２８５号公報の段落００１２～００２２に記載の分散剤を挙げることができる。かかる分散剤は、強磁性粉末の分散性向上のための分散剤としても機能し得る。
磁性層には、必要に応じて１種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末（例えば無機粉末、カーボンブラック等）、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。例えば、潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０～００３３、００３５および００３６を参照できる。後述する非磁性層に潤滑剤が含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０、００３１、００３４～００３６を参照できる。分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。また、アミン系ポリマー等の分散剤として機能し得るポリマーも使用できる。分散剤を非磁性層形成用組成物に添加してもよい。非磁性層形成用組成物に添加し得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。また、磁性層に含まれ得る非磁性粉末としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末（例えば非磁性コロイド粒子等）等が挙げられる。尚、後述の実施例に示すコロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）の平均粒子サイズは、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められた値である。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して、または公知の方法で製造して、任意の量で使用することができる。研磨剤を含む磁性層に研磨剤の分散性を向上するために使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３－１３１２８５号公報の段落００１２～００２２に記載の分散剤を挙げることができる。かかる分散剤は、強磁性粉末の分散性向上のための分散剤としても機能し得る。
【0044】
以上説明した磁性層は、非磁性支持体表面上に直接、または非磁性層を介して間接的に、設けることができる。
【0045】
＜非磁性層＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気記録媒体は、非磁性支持体表面上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体表面上に非磁性粉末を含む非磁性層を介して磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末でも有機物質の粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質の粉末としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０および００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有率（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。
次に非磁性層について説明する。上記磁気記録媒体は、非磁性支持体表面上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体表面上に非磁性粉末を含む非磁性層を介して磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末でも有機物質の粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質の粉末としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０および００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有率（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。
【0046】
非磁性層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細については、非磁性層に関する公知技術を適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。
【0047】
本発明および本明細書において、非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。
【0048】
＜バックコート層＞
上記磁気記録媒体は、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもでき、有さなくてもよい。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。バックコート層の結合剤および添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
上記磁気記録媒体は、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもでき、有さなくてもよい。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層は、結合剤を含むことができ、添加剤を含むこともできる。バックコート層の結合剤および添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。
【0049】
＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリアミド（例えば芳香族ポリアミド）が好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、熱処理等を行ってもよい。
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリアミド（例えば芳香族ポリアミド）が好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、熱処理等を行ってもよい。
【0050】
＜各種厚み＞
【0051】
非磁性支持体の厚みは、好ましくは３．００～５．００μｍである。
【0052】
磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量、ヘッドギャップ長、記録信号の帯域等により最適化することができ、Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌをより一層高める観点からは、５０．０ｎｍ以下であることが好ましく、１０．０～５０．０ｎｍの範囲であることがより好ましい。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する二層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。二層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
【0053】
非磁性層の厚みは、例えば０．１０～１．５０μｍであり、０．１０～１．００μｍであることが好ましい。
【0054】
バックコート層の厚みは、０．９０μｍ以下が好ましく、０．１０～０．７０μｍが更に好ましい。
【0055】
磁性層の厚みの測定方法については、先に記載した通りである。他の層の厚みおよび非磁性支持体の厚みも、先に記載した方法と同様に、またはかかる方法に準じて、求めることができる。また、それらの各種厚みは、製造条件等から算出される設計厚みとして求めることもできる。
【0056】
＜製造工程＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ二段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体の製造に通常用いられる各種溶媒の１種または２種以上を用いることができる。溶媒については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１５３を参照できる。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。上記磁気記録媒体を製造するためには、公知の製造技術を各種工程において用いることができる。混練工程ではオープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつものを使用することが好ましい。混練処理の詳細については、特開平１－１０６３３８号公報および特開平１－７９２７４号公報を参照できる。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を調製する任意の段階において、公知の方法によってろ過を行ってもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１～３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ二段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体の製造に通常用いられる各種溶媒の１種または２種以上を用いることができる。溶媒については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１５３を参照できる。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。上記磁気記録媒体を製造するためには、公知の製造技術を各種工程において用いることができる。混練工程ではオープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつものを使用することが好ましい。混練処理の詳細については、特開平１－１０６３３８号公報および特開平１－７９２７４号公報を参照できる。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を調製する任意の段階において、公知の方法によってろ過を行ってもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１～３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。
【0057】
磁性層形成用組成物の調製工程では、強磁性粉末と、結合剤と、溶媒と、を含む磁性液と、研磨剤および溶媒を含む研磨剤液とを、それぞれ別工程において調製することが好ましい。このように強磁性粉末と研磨剤とを別工程で調製した後に混合することによって、磁性層形成用組成物における強磁性粉末の分散性を高めることができる。磁性液の調製工程は、１種以上の分散処理を含むことが好ましい。磁性層における強磁性粉末の分散性が高いことは、垂直配向処理によって磁性層における強磁性粉末の物理配向を向上させる観点から好ましい。そのためには、分散処理によって磁性液中の強磁性粉末の分散性を高めることが好ましい。分散性を高める観点からは、磁性液の分散処理として、分散メディアを使用する分散処理を行うことが好ましい。分散メディアを使用する分散処理は、分散メディアを使用しない分散処理（例えば超音波分散）と比べて強磁性粉末の粒子同士の凝集を解砕する力が通常強いため、磁性液における強磁性粉末の分散性向上に有効である。ただし、分散処理によって強磁性粉末の粒子に欠けが生じることは、磁気記録媒体のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌを低くし得る。そのため、磁性液の分散処理は、強磁性粉末の粒子の欠けを抑制しつつ強磁性粉末の分散性を高めることができるように行うことが好ましい。以上の点から好ましい分散処理は、ビーズ分散である。ビーズ分散の好ましい分散処理条件としては、下記式１により算出されるＥが１００００ｎＪ以下かつ下記式２により算出されるＷが１．０Ｊ・ｍｉｎ．（Ｊ・分）以上３０．０Ｊ・ｍｉｎ．以下となる条件を挙げることができる。
【0058】
式１：Ｅ＝（ａ×ｖ２×１０６）／２
式２：Ｗ＝Ｅ×１０－９×ｂ×ｔ
式２：Ｗ＝Ｅ×１０－９×ｂ×ｔ
【0059】
式１中、Ｅの単位はｎＪ（ナノジュール）であり、ａはビーズ分散に使用されるビーズの総質量（単位：ｇ）を表し、ｖはビーズ分散中のビーズの運動速度（単位：ｍ／秒）を表す。ビーズの運動速度ｖとしては、例えば分散機のローター半径と、分散機において設定するローター回転数から算出される、ローター最外周の線速の値を適用することができる。
式２中、Ｅは式１により求められる。Ｗの単位はＪ・ｍｉｎ．であり、ｂはビーズ分散において磁性液１ｃｍ３あたりに使用されるビーズ個数を表し、以下においてビーズ個数密度（単位：個／ｃｍ３）とも記載する。ｔはビーズ分散の分散時間（単位：ｍｉｎ．）を表す。
式２中、Ｅは式１により求められる。Ｗの単位はＪ・ｍｉｎ．であり、ｂはビーズ分散において磁性液１ｃｍ３あたりに使用されるビーズ個数を表し、以下においてビーズ個数密度（単位：個／ｃｍ３）とも記載する。ｔはビーズ分散の分散時間（単位：ｍｉｎ．）を表す。
【0060】
式１により算出されるＥが１００００ｎＪ以下であることは、強磁性粉末の粒子の欠けの発生を抑制する観点から好ましい。上記Ｅは、７０００ｎＪ以下であることがより好ましく、５０００ｎＪ以下であることが更に好ましく、３０００ｎＪ以下であることが一層好ましく、２０００ｎＪ以下であることがより一層好ましく、１０００ｎＪ以下であることが更に一層好ましく、５００ｎＪ以下であることが更により一層好ましく、１００ｎＪ以下であることが更になお一層好ましい。また、上記Ｅは、例えば２０ｎＪ以上または３０ｎＪ以上であることができる。ただし例示した値を下回ってもよい。
一方、式２により算出されるＷが３０．０Ｊ・ｍｉｎ．以下であることも、強磁性粉末の粒子の欠けの発生を抑制する観点から好ましい。上記Ｗは、２０．０Ｊ・ｍｉｎ．以下であることがより好ましく、１５．０Ｊ・ｍｉｎ．以下であることが更に好ましく、１０．０Ｊ・ｍｉｎ．以下であることが一層好ましい。また、上記Ｗが１．０Ｊ・ｍｉｎ．以上であることは、磁性液中の強磁性六方晶フェライト粉末の分散性を高めるうえで好ましい。この点からは、上記Ｗは、２．０Ｊ・ｍｉｎ．以上であることがより好ましい。
一方、式２により算出されるＷが３０．０Ｊ・ｍｉｎ．以下であることも、強磁性粉末の粒子の欠けの発生を抑制する観点から好ましい。上記Ｗは、２０．０Ｊ・ｍｉｎ．以下であることがより好ましく、１５．０Ｊ・ｍｉｎ．以下であることが更に好ましく、１０．０Ｊ・ｍｉｎ．以下であることが一層好ましい。また、上記Ｗが１．０Ｊ・ｍｉｎ．以上であることは、磁性液中の強磁性六方晶フェライト粉末の分散性を高めるうえで好ましい。この点からは、上記Ｗは、２．０Ｊ・ｍｉｎ．以上であることがより好ましい。
【0061】
磁性液のビーズ分散に使用する分散ビーズに関して、分散ビーズの密度は、３．７ｇ／ｃｍ３超であることが好ましく、３．８ｇ／ｃｍ３以上であることがより好ましい。また、分散ビーズの密度は、例えば７．０ｇ／ｃｍ３以下であり、または７．０ｇ／ｃｍ３超でもよい。ここで密度とは、分散ビーズの質量（単位：ｇ）を分散ビーズの体積（単位：ｃｍ３）で除して求められる。測定は、アルキメデス法によって行う。分散ビーズとしては、ジルコニア、アルミナ、またはステンレス製のビーズを単独で用いるか、これらの２種以上を混合して用いることが好ましい。磁性液のビーズ分散に使用する分散ビーズは、ビーズ径が０．０１～０．５０ｍｍの範囲であるものが好ましい。ビーズ径とは、分散処理に使用する分散ビーズについて、先に記載した粉末の平均粒子サイズの測定方法と同様の方法により測定される値とする。分散機における分散ビーズの充填率は、体積基準で、例えば３０～８０体積％、好ましくは５０～８０体積％とすることができる。また、分散時間（分散機内滞留時間）は、１０～１８０分とすることが好ましく、１０～１２０分とすることがより好ましい。
【0062】
（塗布工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を、非磁性支持体表面上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の非磁性層および／または磁性層を有する（または非磁性層および／または磁性層が追って設けられる）表面とは反対側の表面に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
磁性層は、磁性層形成用組成物を、非磁性支持体表面上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の非磁性層および／または磁性層を有する（または非磁性層および／または磁性層が追って設けられる）表面とは反対側の表面に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。
【0063】
（その他の工程）
塗布工程後には、乾燥処理、磁性層の配向処理、表面平滑化処理（カレンダ処理）等の各種処理を行うことができる。各種処理については、例えば特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２～００５７等の公知技術を参照できる。例えば、磁性層形成用組成物の塗布層には、この塗布層が湿潤状態にあるうちに配向処理を施すことができる。配向処理については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６７の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける上記塗布層を形成した非磁性支持体の搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。垂直配向処理を行うことは、磁性層における強磁性粉末の物理配向を向上させることにつながり、このことは磁気記録媒体のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌを高くすることに寄与し得る。垂直配向処理における配向磁場強度を高くすることは、磁気記録媒体のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌをより高くすることにつながり得る。配向磁場強度は、例えば０．１～１．５Ｔ（テスラ）の範囲とすることができる。
塗布工程後には、乾燥処理、磁性層の配向処理、表面平滑化処理（カレンダ処理）等の各種処理を行うことができる。各種処理については、例えば特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２～００５７等の公知技術を参照できる。例えば、磁性層形成用組成物の塗布層には、この塗布層が湿潤状態にあるうちに配向処理を施すことができる。配向処理については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６７の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける上記塗布層を形成した非磁性支持体の搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。垂直配向処理を行うことは、磁性層における強磁性粉末の物理配向を向上させることにつながり、このことは磁気記録媒体のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌを高くすることに寄与し得る。垂直配向処理における配向磁場強度を高くすることは、磁気記録媒体のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌをより高くすることにつながり得る。配向磁場強度は、例えば０．１～１．５Ｔ（テスラ）の範囲とすることができる。
【0064】
上記磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体（磁気テープ）であることができ、ディスク状の磁気記録媒体（磁気ディスク）であることもできる。例えば磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容され、磁気テープカートリッジが磁気記録再生装置に装着される。磁気記録媒体には、磁気記録再生装置においてヘッドトラッキングを行うことを可能とするために、公知の方法によってサーボパターンを形成することもできる。「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、磁気テープを例として、サーボパターンの形成について説明する。
【0065】
サーボパターンは、通常、磁気テープの長手方向に沿って形成される。サーボ信号を利用する制御（サーボ制御）の方式としては、タイミングベースサーボ（ＴＢＳ；Ｔｉｍｉｎｇ Ｂａｓｅｄ Ｓｅｒｖｏ）、アンプリチュードサーボ、周波数サーボ等が挙げられる。
【0066】
ＥＣＭＡ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示される通り、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ）規格に準拠した磁気テープ（一般に「ＬＴＯテープ」と呼ばれる。）では、タイミングベースサーボ方式が採用されている。このタイミングベースサーボ方式において、サーボパターンは、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）が、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置されることによって構成されている。サーボシステムとは、サーボ信号を利用してヘッドトラッキングを行うシステムである。本発明および本明細書において、「タイミングベースサーボパターン」とは、タイミングベースサーボ方式のサーボシステムにおけるヘッドトラッキングを可能とするサーボパターンをいう。上記のように、サーボパターンが互いに非平行な一対の磁気ストライプにより構成される理由は、サーボパターン上を通過するサーボ信号読み取り素子に、その通過位置を教えるためである。具体的には、上記の一対の磁気ストライプは、その間隔が磁気テープの幅方向に沿って連続的に変化するように形成されており、サーボ信号読み取り素子がその間隔を読み取ることによって、サーボパターンとサーボ信号読み取り素子との相対位置を知ることができる。この相対位置の情報が、データトラックのトラッキングを可能にする。そのために、サーボパターン上には、通常、磁気テープの幅方向に沿って、複数のサーボトラックが設定されている。
【0067】
サーボバンドは、磁気テープの長手方向に連続するサーボパターンにより構成される。このサーボバンドは、通常、磁気テープに複数本設けられる。例えば、ＬＴＯテープにおいて、その数は５本である。隣接する２本のサーボバンドに挟まれた領域が、データバンドである。データバンドは、複数のデータトラックで構成されており、各データトラックは、各サーボトラックに対応している。
【0068】
また、一形態では、特開２００４－３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」または「ＵＤＩＭ（Ｕｎｉｑｕｅ ＤａｔａＢａｎｄ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ信号読み取り素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。
【0069】
尚、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ信号読み取り素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。
【0070】
また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボストライプの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。
【0071】
上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。
【0072】
サーボパターン形成用ヘッドは、サーボライトヘッドと呼ばれる。サーボライトヘッドは、通常、上記一対の磁気ストライプに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１～１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。
【0073】
磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、更に２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。
【0074】
形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。尚、特開２０１２－５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。
【0075】
＜磁気記録再生装置＞
本発明および本明細書において、「磁気記録再生装置」とは、磁気記録媒体へのデータの記録および磁気記録媒体に記録されたデータの再生の少なくとも一方を行うことができる装置を意味するものとする。かかる装置は、一般にドライブと呼ばれる。上記磁気記録再生装置は、例えば、摺動型の磁気記録再生装置であることができる。摺動型の磁気記録再生装置とは、磁気記録媒体へのデータの記録および／または記録されたデータの再生を行う際に磁性層側の表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する装置をいう。例えば、上記磁気記録再生装置は、上記磁気テープカートリッジを着脱可能に含むことができる。
本発明および本明細書において、「磁気記録再生装置」とは、磁気記録媒体へのデータの記録および磁気記録媒体に記録されたデータの再生の少なくとも一方を行うことができる装置を意味するものとする。かかる装置は、一般にドライブと呼ばれる。上記磁気記録再生装置は、例えば、摺動型の磁気記録再生装置であることができる。摺動型の磁気記録再生装置とは、磁気記録媒体へのデータの記録および／または記録されたデータの再生を行う際に磁性層側の表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する装置をいう。例えば、上記磁気記録再生装置は、上記磁気テープカートリッジを着脱可能に含むことができる。
【0076】
上記磁気記録再生装置は磁気ヘッドを含むことができる。磁気ヘッドは、磁気テープへのデータの記録を行うことができる記録ヘッドであることができ、磁気テープに記録されたデータの再生を行うことができる再生ヘッドであることもできる。また、上記磁気記録再生装置は、一形態では、別々の磁気ヘッドとして、記録ヘッドと再生ヘッドの両方を含むことができる。他の一形態では、上記磁気記録再生装置に含まれる磁気ヘッドは、データの記録のための素子（記録素子）とデータの再生のための素子（再生素子）の両方を１つの磁気ヘッドに備えた構成を有することもできる。以下において、データの記録のための素子および再生のための素子を、「データ用素子」と総称する。再生ヘッドとしては、磁気テープに記録されたデータを感度よく読み取ることができる磁気抵抗効果型（ＭＲ；Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を再生素子として含む磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が好ましい。ＭＲヘッドとしては、ＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド等の公知の各種ＭＲヘッドを用いることができる。また、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドには、サーボ信号読み取り素子が含まれていてもよい。または、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドとは別のヘッドとして、サーボ信号読み取り素子を備えた磁気ヘッド（サーボヘッド）が上記磁気記録再生装置に含まれていてもよい。例えば、データの記録および／または記録されたデータの再生を行う磁気ヘッド（以下、「記録再生ヘッド」とも呼ぶ。）は、サーボ信号読み取り素子を２つ含むことができ、２つのサーボ信号読み取り素子のそれぞれが、隣接する２つのサーボバンドを同時に読み取ることができる。２つのサーボ信号読み取り素子の間に、１つまたは複数のデータ用素子を配置することができる。
【0077】
上記磁気記録再生装置において、磁気記録媒体へのデータの記録および／または磁気記録媒体に記録されたデータの再生は、例えば、磁気記録媒体の磁性層側の表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることにより行うことができる。上記磁気記録再生装置は、再生ビットサイズＳが４００００ｎｍ２以下であり、本発明の一態様にかかる磁気記録媒体を含むものであればよく、その他については公知技術を適用することができる。
【0078】
例えば、データの記録および／または記録されたデータの再生の際には、まず、サーボ信号を用いたトラッキングが行われる。すなわち、サーボ信号読み取り素子を所定のサーボトラックに追従させることによって、データ用素子が、目的とするデータトラック上を通過するように制御される。データトラックの移動は、サーボ信号読み取り素子が読み取るサーボトラックを、テープ幅方向に変更することにより行われる。
また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。
また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。
【0079】
［磁気テープカートリッジ］
本発明の一態様は、テープ状の上記磁気記録媒体（即ち磁気テープ）を含む磁気テープカートリッジに関する。
本発明の一態様は、テープ状の上記磁気記録媒体（即ち磁気テープ）を含む磁気テープカートリッジに関する。
【0080】
上記磁気テープカートリッジに含まれる磁気テープの詳細は、先に記載した通りである。
【0081】
磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻き取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジは、磁気テープへのデータの記録および／または再生のために磁気記録再生装置に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されて磁気記録再生装置側のリールに巻き取られる。磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路には、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）と磁気記録再生装置側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる。この間、例えば、磁気ヘッドと磁気テープの磁性層側の表面とが接触し摺動することにより、データの記録および／または再生が行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジは、供給リールと巻き取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。上記磁気テープカートリッジは、単リール型および双リール型のいずれの磁気テープカートリッジであってもよい。上記磁気テープカートリッジは、本発明の一態様にかかる磁気記録媒体（磁気テープ）を含むものであればよく、その他については公知技術を適用することができる。磁気テープカートリッジに収容される磁気テープの全長は、例えば８００ｍ以上であることができ、８００ｍ～２０００ｍ程度の範囲であることもできる。磁気テープカートリッジに収容されるテープ全長が長いことは、磁気テープカートリッジの高容量化の観点から好ましい。
【実施例】
【0082】
以下に、本発明を実施例に基づき説明する。但し、本発明は実施例に示す実施形態に限定されるものではない。以下に記載の「部」、「％」は、特記しない限り、「質量部」、「質量％」を示す。また、下記工程および評価は、特記しない限り、２３℃±１℃の大気中で行った。以下に記載の「ｅｑ」は、当量（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。
【0083】
［強磁性粉末Ａ～Ｆ］
＜強磁性粉末の作製＞
表１に示す仕込み量で表１に示す原料を秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶解温度１３８０℃で溶解し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ロールで圧延急冷して非晶質体を得た。
得られた非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、電気炉の炉内温度を表１に示す結晶化温度まで昇温し、同温度で５時間保持し強磁性粉末の粒子を析出（結晶化）させた。
次いで析出した粒子を含む結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、粗粉砕を入れたガラス瓶にビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇと濃度１％の酢酸を８００ｍｌ加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った後、分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温８０℃で３時間処理した後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、内部雰囲気温度１１０℃の乾燥機内で６時間乾燥させて強磁性粉末を得た。
＜強磁性粉末の作製＞
表１に示す仕込み量で表１に示す原料を秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶解温度１３８０℃で溶解し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ロールで圧延急冷して非晶質体を得た。
得られた非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、電気炉の炉内温度を表１に示す結晶化温度まで昇温し、同温度で５時間保持し強磁性粉末の粒子を析出（結晶化）させた。
次いで析出した粒子を含む結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、粗粉砕を入れたガラス瓶にビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇと濃度１％の酢酸を８００ｍｌ加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った後、分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温８０℃で３時間処理した後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、内部雰囲気温度１１０℃の乾燥機内で６時間乾燥させて強磁性粉末を得た。
【0084】
上記で得られた強磁性粉末が六方晶フェライトの結晶構造を示すことは、ＣｕＫα線を電圧４５ｋＶかつ強度４０ｍＡの条件で走査し、下記条件でＸ線回折パターンを測定すること（Ｘ線回折分析）により確認した。上記で得られた粉末は、マグネトプランバイト型（Ｍ型）の六方晶フェライトの結晶構造を示した。また、Ｘ線回折分析により検出された結晶相は、マグネトプランバイト型の単一相であった。
ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ’Ｐｅｒｔ Ｐｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
分散スリットの固定角：１／４度
マスク：１０ｍｍ
散乱防止スリット：１／４度
測定モード：連続
１段階あたりの測定時間：３秒
測定速度：毎秒０．０１７度
測定ステップ：０．０５度
ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ’Ｐｅｒｔ Ｐｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
分散スリットの固定角：１／４度
マスク：１０ｍｍ
散乱防止スリット：１／４度
測定モード：連続
１段階あたりの測定時間：３秒
測定速度：毎秒０．０１７度
測定ステップ：０．０５度
【0085】
上記で得られた強磁性粉末について、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ－ＯＥＳ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ－Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を行い組成を確認したところ、強磁性粉末Ａ、Ｂ、Ｄ～Ｆが六方晶バリウムフェライト粉末であること、および、強磁性粉末Ｃが六方晶ストロンチウムフェライト粉末であること、が確認された。
【0086】
＜強磁性粉末の残留磁化σｒの測定＞
上記の各強磁性粉末１００ｍｇをカプセル内に入れ、カプセル内の空間をパラフィンで埋めた後、このカプセルを振動試料型磁力計（東英工業社製ＶＳＭ－５）に取り付け、先に記載した方法によって残留磁化σｒを求めた。
上記の各強磁性粉末１００ｍｇをカプセル内に入れ、カプセル内の空間をパラフィンで埋めた後、このカプセルを振動試料型磁力計（東英工業社製ＶＳＭ－５）に取り付け、先に記載した方法によって残留磁化σｒを求めた。
【0087】
［磁気記録媒体の作製］
＜媒体１の作製＞
１．アルミナ分散物（研磨剤液）の調製
アルファ化率約６５％、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積２０ｍ２／ｇのアルミナ粉末（住友化学社製ＨＩＴ－８０）１００．０部に対し、３．０部の２，３－ジヒドロキシナフタレン（東京化成社製）、極性基としてＳＯ３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ－４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶媒はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒）を３１．３部、溶媒としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合溶液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。
＜媒体１の作製＞
１．アルミナ分散物（研磨剤液）の調製
アルファ化率約６５％、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積２０ｍ２／ｇのアルミナ粉末（住友化学社製ＨＩＴ－８０）１００．０部に対し、３．０部の２，３－ジヒドロキシナフタレン（東京化成社製）、極性基としてＳＯ３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ－４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶媒はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒）を３１．３部、溶媒としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合溶液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。
【0088】
２．磁性層形成用組成物の処方
（磁性液ａ）
強磁性粉末 １００．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体 １１．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 ３．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
オレイン酸 １．５部
アミン系ポリマー（ビックケミー社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０２）１０．０部
シクロヘキサノン １５０．０部
メチルエチルケトン １７０．０部
（研磨剤液）
上記１．で調製したアルミナ分散物 ６．０部
（シリカゾル）
コロイダルシリカ ２．０部
平均粒子サイズ：１００ｎｍ
（その他の成分）
ステアリン酸 ２．０部
ブチルステアレート ６．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）） ２．５部
（仕上げ添加溶媒）
シクロヘキサノン ３００．０部
メチルエチルケトン １４０．０部
（磁性液ａ）
強磁性粉末 １００．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体 １１．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 ３．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
オレイン酸 １．５部
アミン系ポリマー（ビックケミー社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０２）１０．０部
シクロヘキサノン １５０．０部
メチルエチルケトン １７０．０部
（研磨剤液）
上記１．で調製したアルミナ分散物 ６．０部
（シリカゾル）
コロイダルシリカ ２．０部
平均粒子サイズ：１００ｎｍ
（その他の成分）
ステアリン酸 ２．０部
ブチルステアレート ６．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）） ２．５部
（仕上げ添加溶媒）
シクロヘキサノン ３００．０部
メチルエチルケトン １４０．０部
【0089】
３．非磁性層形成用組成物の処方
カーボンブラック １００．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
ＳＯ３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体 １０．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 ４．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
トリオクチルアミン ５．０部
ステアリン酸 ２．０部
ブチルステアレート ２．０部
シクロヘキサノン ４５０．０部
メチルエチルケトン ４５０．０部
カーボンブラック １００．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
ＳＯ３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体 １０．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 ４．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
トリオクチルアミン ５．０部
ステアリン酸 ２．０部
ブチルステアレート ２．０部
シクロヘキサノン ４５０．０部
メチルエチルケトン ４５０．０部
【0090】
４．バックコート層形成用組成物の処方
非磁性無機粉末：α－酸化鉄 ８０．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ２／ｇ
カーボンブラック ２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
塩化ビニル共重合体 １３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂 ６．０部
フェニルホスホン酸 ３．０部
シクロヘキサノン ３５５．０部
メチルエチルケトン １５５．０部
ステアリン酸 ３．０部
ブチルステアレート ３．０部
ポリイソシアネート ５．０部
非磁性無機粉末：α－酸化鉄 ８０．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ２／ｇ
カーボンブラック ２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
塩化ビニル共重合体 １３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂 ６．０部
フェニルホスホン酸 ３．０部
シクロヘキサノン ３５５．０部
メチルエチルケトン １５５．０部
ステアリン酸 ３．０部
ブチルステアレート ３．０部
ポリイソシアネート ５．０部
【0091】
５．各層形成用組成物の調製
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
磁性液の上記成分をホモジナイザーを用いて混合し、その後連続式横型ビーズミルを用いてビーズ分散した。ビーズ分散の処理条件は、以下の通りとした。以下に記載のビーズ分散中のビーズの運動速度ｖは、ビーズミルのローター半径と、このビーズミルにおいて設定するローター回転数から算出した、ローター最外周の線速である。
（ビーズ分散条件１）
分散メディア：ジルコニアビーズ（ビーズ密度：６．０ｇ／ｃｍ３、ビーズ径：０．０５ｍｍ）
ビーズ総質量ａ：３．９×１０－７ｇ
ビーズ分散中のビーズの運動速度ｖ：１５ｍ／秒
式１により算出されるＥ：４４ｎＪ
ビーズ充填率：６０体積％
ビーズ個数密度ｂ：６．１１×１０６個／ｃｍ３
分散時間ｔ：１０分
式２により算出されるＷ：２．７Ｊ・ｍｉｎ．
こうして調製した磁性液を、上記ビーズミルを用いて、上記研磨剤液および他の成分（シリカゾル、その他の成分および仕上げ添加溶媒）と混合した後、バッチ式超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間処理（超音波分散）を行った。その後、０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過を行い、磁性層形成用組成物を調製した。
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸およびブチルステアレートを除いた上記成分を、バッチ式縦型サンドミルを用いて１２時間分散して分散液を得た。分散ビーズとしてはビーズ径０．１ｍｍのジルコニアビーズを使用した。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディスパーで撹拌した。こうして得られた分散液を０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過し、非磁性層用組成物を調製した。
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、ブチルステアレート、ポリイソシアネートおよびシクロヘキサノンを除いた上記成分をオープンニーダにより混錬および希釈した後、横型ビーズミルにより、ビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分間とし、１２パスの分散処理を行った。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディスパーで撹拌した。こうして得られた分散液を１μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過しバックコート層形成用組成物を調製した。
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
磁性液の上記成分をホモジナイザーを用いて混合し、その後連続式横型ビーズミルを用いてビーズ分散した。ビーズ分散の処理条件は、以下の通りとした。以下に記載のビーズ分散中のビーズの運動速度ｖは、ビーズミルのローター半径と、このビーズミルにおいて設定するローター回転数から算出した、ローター最外周の線速である。
（ビーズ分散条件１）
分散メディア：ジルコニアビーズ（ビーズ密度：６．０ｇ／ｃｍ３、ビーズ径：０．０５ｍｍ）
ビーズ総質量ａ：３．９×１０－７ｇ
ビーズ分散中のビーズの運動速度ｖ：１５ｍ／秒
式１により算出されるＥ：４４ｎＪ
ビーズ充填率：６０体積％
ビーズ個数密度ｂ：６．１１×１０６個／ｃｍ３
分散時間ｔ：１０分
式２により算出されるＷ：２．７Ｊ・ｍｉｎ．
こうして調製した磁性液を、上記ビーズミルを用いて、上記研磨剤液および他の成分（シリカゾル、その他の成分および仕上げ添加溶媒）と混合した後、バッチ式超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間処理（超音波分散）を行った。その後、０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過を行い、磁性層形成用組成物を調製した。
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸およびブチルステアレートを除いた上記成分を、バッチ式縦型サンドミルを用いて１２時間分散して分散液を得た。分散ビーズとしてはビーズ径０．１ｍｍのジルコニアビーズを使用した。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディスパーで撹拌した。こうして得られた分散液を０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過し、非磁性層用組成物を調製した。
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、ブチルステアレート、ポリイソシアネートおよびシクロヘキサノンを除いた上記成分をオープンニーダにより混錬および希釈した後、横型ビーズミルにより、ビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分間とし、１２パスの分散処理を行った。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディスパーで撹拌した。こうして得られた分散液を１μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過しバックコート層形成用組成物を調製した。
【0092】
６．磁気テープの作製
厚み３．６０μｍの二軸延伸芳香族ポリアミド製支持体の表面上に、乾燥後の厚みが０．１０μｍになるように上記５．で調製した非磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させて非磁性層を形成した。形成した非磁性層表面上に、乾燥後の厚みが約５０ｎｍになるように上記５．で調製した磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。磁性層形成用組成物の塗布層を、この塗布層が湿潤状態にあるうちに磁場強度０．４Ｔの磁場を塗布層の表面に対し垂直方向に印加して垂直配向処理を行った後、乾燥させた。その後、上記支持体の非磁性層と磁性層を形成した表面とは反対側の表面に、乾燥後の厚みが０．４０μｍになるように上記５．で調製したバックコート層形成用組成物を塗布し乾燥させてバックコート層を形成した。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダで、速度１００ｍ／分、線圧３００ｋｇ／ｃｍ（２９４ｋＮ／ｍ）、カレンダロールの表面温度１００℃で表面平滑化処理（カレンダ処理）を行った。
その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間熱処理を行った後に１／２インチ（０．０１２７メートル）幅にスリットし、磁気テープを得た。上記の各層の厚みは、製造条件から算出された設計厚みである。
磁気テープの磁性層を消磁した状態で、サーボライターに搭載されたサーボライトヘッドによって、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを磁性層に形成した。こうして、磁性層に、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを有する磁気テープを得た。
厚み３．６０μｍの二軸延伸芳香族ポリアミド製支持体の表面上に、乾燥後の厚みが０．１０μｍになるように上記５．で調製した非磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させて非磁性層を形成した。形成した非磁性層表面上に、乾燥後の厚みが約５０ｎｍになるように上記５．で調製した磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。磁性層形成用組成物の塗布層を、この塗布層が湿潤状態にあるうちに磁場強度０．４Ｔの磁場を塗布層の表面に対し垂直方向に印加して垂直配向処理を行った後、乾燥させた。その後、上記支持体の非磁性層と磁性層を形成した表面とは反対側の表面に、乾燥後の厚みが０．４０μｍになるように上記５．で調製したバックコート層形成用組成物を塗布し乾燥させてバックコート層を形成した。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダで、速度１００ｍ／分、線圧３００ｋｇ／ｃｍ（２９４ｋＮ／ｍ）、カレンダロールの表面温度１００℃で表面平滑化処理（カレンダ処理）を行った。
その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間熱処理を行った後に１／２インチ（０．０１２７メートル）幅にスリットし、磁気テープを得た。上記の各層の厚みは、製造条件から算出された設計厚みである。
磁気テープの磁性層を消磁した状態で、サーボライターに搭載されたサーボライトヘッドによって、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ） Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを磁性層に形成した。こうして、磁性層に、ＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置でデータバンド、サーボバンド、およびガイドバンドを有し、かつサーボバンド上にＬＴＯ Ｕｌｔｒｉｕｍフォーマットにしたがう配置および形状のサーボパターンを有する磁気テープを得た。
【0093】
＜媒体２～８の作製＞
表１、２に示す項目を表１、２に示すように変更し、かつ形成される磁性層の厚みを変えるために磁性層形成用組成物の塗布量を変更した点以外、実施例１と同様に磁気テープを得た。
表１、２に示す項目を表１、２に示すように変更し、かつ形成される磁性層の厚みを変えるために磁性層形成用組成物の塗布量を変更した点以外、実施例１と同様に磁気テープを得た。
【0094】
表２中、磁性液ｂは、以下の磁性液である。
（磁性液ｂ）
強磁性粉末 １００．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体 １０．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 ４．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
オレイン酸 １．５部
２，３－ジヒドロキシナフタレン ６．０部
シクロヘキサノン １５０．０部
メチルエチルケトン １７０．０部
（磁性液ｂ）
強磁性粉末 １００．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体 １０．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 ４．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
オレイン酸 １．５部
２，３－ジヒドロキシナフタレン ６．０部
シクロヘキサノン １５０．０部
メチルエチルケトン １７０．０部
【0095】
表２中、磁性液ｃは、以下の磁性液である。
（磁性液ｃ）
強磁性粉末 １００．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体 ８．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 ２．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
オレイン酸 １．５部
アミン系ポリマー（ビックケミー社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０２） ７．０部
シクロヘキサノン １５０．０部
メチルエチルケトン １７０．０部
（磁性液ｃ）
強磁性粉末 １００．０部
ＳＯ３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体 ８．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 ２．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
オレイン酸 １．５部
アミン系ポリマー（ビックケミー社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０２） ７．０部
シクロヘキサノン １５０．０部
メチルエチルケトン １７０．０部
【0096】
表１中、ビーズ分散条件２は、以下の通りである。
（ビーズ分散条件２）
分散メディア：ジルコニアビーズ（ビーズ密度：６．０ｇ／ｃｍ３、ビーズ径：０．５ｍｍ）
ビーズ総質量ａ：３．９×１０－４ｇ
ビーズ分散中のビーズの運動速度ｖ：１０ｍ／秒
式１により算出されるＥ：１９６３５ｎＪ
ビーズ充填率：６０体積％
ビーズ個数密度ｂ：６．１１×１０３個／ｃｍ３
分散時間ｔ：１０分
式２により算出されるＷ：１．２Ｊ・ｍｉｎ．
（ビーズ分散条件２）
分散メディア：ジルコニアビーズ（ビーズ密度：６．０ｇ／ｃｍ３、ビーズ径：０．５ｍｍ）
ビーズ総質量ａ：３．９×１０－４ｇ
ビーズ分散中のビーズの運動速度ｖ：１０ｍ／秒
式１により算出されるＥ：１９６３５ｎＪ
ビーズ充填率：６０体積％
ビーズ個数密度ｂ：６．１１×１０３個／ｃｍ３
分散時間ｔ：１０分
式２により算出されるＷ：１．２Ｊ・ｍｉｎ．
【0097】
表１中、垂直配向の欄に「あり」と記載されている媒体は、実施例１と同様に垂直配向処理を行って作製された媒体である。 表１中、垂直配向の欄に「なし」と記載されている媒体は、かかる垂直配向処理を行うことなく作製された媒体である。
【0098】
媒体１～８について、それぞれ媒体（磁気テープ）を２つ作製し、１つを以下の電磁変換特性の評価のために使用し、もう１つを以下の各種測定のために使用した。
【0099】
［残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの測定］
各媒体から３．６ｃｍ×３．２ｃｍのサイズのサンプル片を切り出した。このサンプル片について、振動試料型磁力計（東英工業社製ＶＳＭ－Ｐ７）を使用して、先に記載した方法によって、磁気記録媒体の垂直方向において、磁気記録媒体の単位面積当たりの残留磁化（垂直方向残留磁化）を求めた（単位：Ｇ・ｎｍ）。求められた値を磁性層厚み（単位：ｎｍ）で除することによって、磁気記録媒体の垂直方向の残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌ（単位：Ｇ）求めた。
磁性層の厚みを求めるための断面試料は、以下の（ｉ）および（ｉｉ）に記載の方法により作製した。作製した断面試料を用いて、先に記載した方法により、磁性層の厚みを求めたところ、表２に示す値であった。ＳＥＭ観察のための電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）としては、日立製作所製ＦＥ－ＳＥＭ Ｓ４８００を使用した。
（ｉ）磁気テープの幅方向１０ｍｍ×長手方向１０ｍｍのサイズの試料を剃刀を用いて切り出した。
切り出した試料の磁性層表面に保護膜を形成して保護膜付試料を得た。保護膜の形成は、以下の方法により行った。
上記試料の磁性層表面に、スパッタリングにより白金（Ｐｔ）膜（厚み３０ｎｍ）を形成した。白金膜のスパッタリングは、下記条件で行った。
（白金膜のスパッタリング条件）
ターゲット：Ｐｔ
スパッタリング装置のチャンバー内真空度：７Ｐａ以下
電流値：１５ｍＡ
上記で作製した白金膜付試料に、更に厚み１００～１５０ｎｍのカーボン膜を形成した。カーボン膜の形成は、下記（ｉｉ）で用いるＦＩＢ（集束イオンビーム）装置に備えられた、ガリウムイオン（Ｇａ＋）ビームを用いるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）機構により行った。
（ｉｉ）上記（ｉ）で作製した保護膜付試料に対し、ＦＩＢ装置によりガリウムイオン（Ｇａ＋）ビームを用いるＦＩＢ加工を行い磁気テープの断面を露出させた。ＦＩＢ加工における加速電圧は３０ｋＶ、プローブ電流は１３００ｐＡとした。
こうして断面を露出させた断面試料を、磁性層の厚みを求めるためのＳＥＭ観察に用いて、先に記載した方法によって磁性層の厚みを求めた。
各媒体から３．６ｃｍ×３．２ｃｍのサイズのサンプル片を切り出した。このサンプル片について、振動試料型磁力計（東英工業社製ＶＳＭ－Ｐ７）を使用して、先に記載した方法によって、磁気記録媒体の垂直方向において、磁気記録媒体の単位面積当たりの残留磁化（垂直方向残留磁化）を求めた（単位：Ｇ・ｎｍ）。求められた値を磁性層厚み（単位：ｎｍ）で除することによって、磁気記録媒体の垂直方向の残留磁束密度Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌ（単位：Ｇ）求めた。
磁性層の厚みを求めるための断面試料は、以下の（ｉ）および（ｉｉ）に記載の方法により作製した。作製した断面試料を用いて、先に記載した方法により、磁性層の厚みを求めたところ、表２に示す値であった。ＳＥＭ観察のための電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）としては、日立製作所製ＦＥ－ＳＥＭ Ｓ４８００を使用した。
（ｉ）磁気テープの幅方向１０ｍｍ×長手方向１０ｍｍのサイズの試料を剃刀を用いて切り出した。
切り出した試料の磁性層表面に保護膜を形成して保護膜付試料を得た。保護膜の形成は、以下の方法により行った。
上記試料の磁性層表面に、スパッタリングにより白金（Ｐｔ）膜（厚み３０ｎｍ）を形成した。白金膜のスパッタリングは、下記条件で行った。
（白金膜のスパッタリング条件）
ターゲット：Ｐｔ
スパッタリング装置のチャンバー内真空度：７Ｐａ以下
電流値：１５ｍＡ
上記で作製した白金膜付試料に、更に厚み１００～１５０ｎｍのカーボン膜を形成した。カーボン膜の形成は、下記（ｉｉ）で用いるＦＩＢ（集束イオンビーム）装置に備えられた、ガリウムイオン（Ｇａ＋）ビームを用いるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）機構により行った。
（ｉｉ）上記（ｉ）で作製した保護膜付試料に対し、ＦＩＢ装置によりガリウムイオン（Ｇａ＋）ビームを用いるＦＩＢ加工を行い磁気テープの断面を露出させた。ＦＩＢ加工における加速電圧は３０ｋＶ、プローブ電流は１３００ｐＡとした。
こうして断面を露出させた断面試料を、磁性層の厚みを求めるためのＳＥＭ観察に用いて、先に記載した方法によって磁性層の厚みを求めた。
【0100】
また、各媒体について、参考値として、磁場印加方向を磁気テープの長手方向とした点以外は上記と同様として、磁気テープの長手方向についての残留磁束密度（「Ｂｒｐａｒａｌｌｅｌ」と表記する。）を求めた。求められた値を表２に示す。
更に、参考値として、各媒体について、残留磁化Ｍｒと磁性層の厚さｔとの積Ｍｒｔの値も表２に示す。表２に示すＭｒｔは、各媒体について上記で求めた垂直方向残留磁化である。
後述の表２に示すＢｒｖｅｒｔｉｃａｌと参考値のＭｒｔおよびＢｒｐａｒａｌｌｅｌとの対比から、媒体間のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌの大小関係は、媒体間のＭｒｔの大小関係ともＢｒｐａｒａｌｌｅｌの大小関係とも対応しないことが確認できる。
更に、参考値として、各媒体について、残留磁化Ｍｒと磁性層の厚さｔとの積Ｍｒｔの値も表２に示す。表２に示すＭｒｔは、各媒体について上記で求めた垂直方向残留磁化である。
後述の表２に示すＢｒｖｅｒｔｉｃａｌと参考値のＭｒｔおよびＢｒｐａｒａｌｌｅｌとの対比から、媒体間のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌの大小関係は、媒体間のＭｒｔの大小関係ともＢｒｐａｒａｌｌｅｌの大小関係とも対応しないことが確認できる。
【0101】
［再生出力の評価］
磁気ヘッドを固定した１／２インチ（０．０１２７メートル）リールテスターを用い、表３に示す記録再生条件と媒体との組み合わせで、以下の方法によって再生出力を求めた。表３中、記録再生条件と媒体との組み合わせにおいて、Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値が再生ビットサイズＳから算出されるＸを下回る組み合わせに「Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌ＜Ｘ」と記載した。
磁気テープの走行速度（磁気ヘッド／磁気テープ相対速度）は４ｍ／秒とした。記録ヘッドとしてＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎ－Ｇａｐ）ヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使い、記録電流は各磁気テープの最適記録電流に設定した。再生ヘッドとしては素子厚み１５ｎｍ、シールド間隔０．１μｍおよび表３に示す再生素子幅のＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ－Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドを使用した。表３に示す線記録密度で信号の記録を行い、再生信号をアドバンテスト社製のスペクトラムアナライザーで測定し、キャリア信号の出力値を再生出力とした。再生出力の評価のためには、磁気テープの走行を開始してから信号が十分に安定した部分の信号を使用した。再生出力が１．０ｄＢ以上であれば、優れた電磁変換特性が得られたと判定できる。表３に示す再生素子幅は、再生素子幅の物理的な寸法であり、光学顕微鏡または走査型電子顕微鏡によって観察して測定された値である。
磁気ヘッドを固定した１／２インチ（０．０１２７メートル）リールテスターを用い、表３に示す記録再生条件と媒体との組み合わせで、以下の方法によって再生出力を求めた。表３中、記録再生条件と媒体との組み合わせにおいて、Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値が再生ビットサイズＳから算出されるＸを下回る組み合わせに「Ｂｒｖｅｒｔｉｃａｌ＜Ｘ」と記載した。
磁気テープの走行速度（磁気ヘッド／磁気テープ相対速度）は４ｍ／秒とした。記録ヘッドとしてＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎ－Ｇａｐ）ヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使い、記録電流は各磁気テープの最適記録電流に設定した。再生ヘッドとしては素子厚み１５ｎｍ、シールド間隔０．１μｍおよび表３に示す再生素子幅のＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ－Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドを使用した。表３に示す線記録密度で信号の記録を行い、再生信号をアドバンテスト社製のスペクトラムアナライザーで測定し、キャリア信号の出力値を再生出力とした。再生出力の評価のためには、磁気テープの走行を開始してから信号が十分に安定した部分の信号を使用した。再生出力が１．０ｄＢ以上であれば、優れた電磁変換特性が得られたと判定できる。表３に示す再生素子幅は、再生素子幅の物理的な寸法であり、光学顕微鏡または走査型電子顕微鏡によって観察して測定された値である。
【0102】
【表1】
【0103】
【表2】
【0104】
【表3】
【0105】
表３に示す評価１～３と参考評価との対比から、再生ビットサイズＳが４００００ｎｍ２以下の場合、磁気記録媒体のＢｒｖｅｒｔｉｃａｌの数値が再生ビットサイズＳから算出されるＸ以上であると優れた電磁変換特性が得られることが確認できる。
【産業上の利用可能性】
【0106】
本発明の一態様は、データストレージ用途において有用である。