特許7396355IP Force 特許公報全文掲載

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金属除去方法、ドライエッチング方法、及び半導体素子の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、スパッタ法やウエットエッチング法では、半導体素子の本来エッチングされるべきではない部分までもがエッチングされて、半導体素子の特性が失われてしまうおそれがあった。 また、特許文献１には、プラズマで励起させたエッチングガスを用いて基板上の金属薄膜をドライエッチングする方法が開示されているが、プラズマを用いるエッチング法は高コストであるという問題があった。 本発明は、低コストで実施可能な金属除去方法、ドライエッチング方法、及び半導体素子の製造方法を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

前記課題を解決するため、本発明の一態様は以下の［１］～［９］の通りである。 ［１］ 含フッ素ハロゲン間化合物を含有する処理ガスと金属元素を含有する含金属材料とを接触させて、前記含フッ素ハロゲン間化合物と前記金属元素との反応生成物である金属フッ化物を生成させる反応工程と、 不活性ガス雰囲気下又は真空環境下で前記金属フッ化物を加熱して揮発させる揮発工程と、 を備え、 前記金属元素が、鉄・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、金属の除去やドライエッチングを低コストで実施することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施例、比較例、及び参考例において使用した反応装置の構造を示す概略図である。
【図2】 実施例等で用いた試料を説明する図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 反応装置 ３ チャンバー ５ ステージ ７ 試料 １１ ガス導入口 １３ ガス排出口 １５ 圧力計 ２１ シリコン基板 ２２ タングステン膜 ２３ 二酸化ケイ素基板

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