技術分野
例えば半導体デバイス製造等に使用される反射型マスクを製造する為のマスクブランクのような基板の欠陥検査方法および欠陥検査装置に関し、特に波長が10~20nm程度の極端紫外(Extreme Ultraviolet:以下「EUV」と称す)光を検査光とする基板の欠陥検査方法および欠陥検査装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
の特許文献1や非特許文献1に記載の検査技術を含め、一般に、暗視野検査法は通常の明視野検査法と比較して欠陥検出感度を高く保ったまま検査速度を向上できる利点がある。また、暗視野検査像は、欠陥部が周辺部のバックグラウンドレベルより高い輝度信号となるので、所定の閾値を設定して、閾値を超える信号が得られた位置を欠陥と認識でき、検出法もシンプルである。また、閾値のレベルを下げればより高感度の位相欠陥検査が可能となる。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
目的を達成するために、本発明は、EUV光源から発するEUV光を、第1の集光光学系を用いて被検査基板に照射する工程と、
前記EUV光が照射された前記被検査基板から反射する反射光のうち正反射光を除く散乱光を、第2の集光光学系を用いてセンサーの受光面に導く工程と、
前記センサーの受光面で受光した前記散乱光の強度が所定の閾値を超えたときに、前記被検査基板の前記EUV光の照射箇所に欠陥が存・・・ 続きを
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明であれば、暗視野検査の検出感度を決める閾値を適切に設定できるので、信頼性の高い位相欠陥検査を実現できる基板の欠陥検査方法および欠陥検査装置を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明の欠陥検査装置の一例を示す概略図である。
【図2】
(A)2つのミラーを有する照明光学系の一例を示す概略図である。(B)1つのミラーを有する照明光学系の一例を示す概略図である。
【図3】
被検査基板の反射率の測定時の光学系の一例を示す概略図である。
【図4】
暗視野検査装置で得られる検査信号強度分布の例を示す説明図である。
【図5】
基板の表面ラフネスや反射率が異なる2つの場合(A)(B)の、暗視野検査装置で得られる検査信号強度分布の例を示す説明図である。
【図6】
本発明の基板の欠陥検査方法のフローの一例を示すフロー図である。
【図7】
本発明の基板の欠陥検査方法のフローの別の一例を示すフロー図である。
【図8】
本発明の欠陥検査装置の第1の集光光学系の別の一例を示す概略図である。
【図9】
(A)反射型マスクブランクを製造する為の多層反射膜付き基板の要部断面図である。(B)吸収体パターンを有する反射型マスクの要部断面図である。
1…本発明の欠陥検査装置、 2…センサーの受光面、 3…演算処理部、
4…閾値演算部、 5…データ取得部、 6…第1の集光光学系、
7…第2の集光光学系、 8…ゾーンプレート、
101…低熱膨張材からなる基板、 102…多層反射膜、 103…保護膜、
104…導電膜、 105…吸収体パターン、 106…反射型マスク、
200、201、202…暗視野検査像強度分布、
BGL、BGL1、BGL2…バックグラウンドレベル、
BM1…EUV光、 BM2…散乱光、 BM21…正反射光、
DIM…暗視野検査像、 ILO…照明光学系、 ILS…EUV光源、
M0、M01、M1、M2、M3…ミラー、
PDT…位相欠陥、 PRO…結像光学系、 RMB…多層反射膜付き基板、
SE…2次元アレイセンサー、
SIG、SIG1、SIG2…欠陥の輝度信号レベル、 STG…基板ステージ、
THR、THR1、THR2…閾値。
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