特許7401790IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

波長変換モジュール

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、より高出力の光源が求められており、そのような光源に使用される波長変換部材を含む波長変換モジュールにもより高い信頼性が求められるようになってきている。そこで、信頼性が高い波長変換モジュールを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示に係る波長変換モジュールは、基体と、蛍光体からなる波長変換部材と、基体と波長変換部材とを接合する金属部を含む接合部材と、を含み、波長変換部材の厚みは１００μｍ未満である。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

以上のように構成された波長変換モジュールは、より高い信頼性を得ることができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本開示に係る波長変換モジュールの上面図である。
【図2A】 波長変換モジュール基体に用いられる基体の断面図である。
【図2B】 他の形態の基体の断面図である。
【図2C】 さらに他の形態の基体の断面図である。
【図3A】 図１に示す波長変換モジュールのＡ－Ａ線についての断面図である。
【図3B】 図３Aの断面図の一部を拡大して示す断面図である。
【図4A】 波長変換モジュールの製造方法の一工程を示すフロー図である。
【図4B】 波長変換部材準備工程後の状態を示す模式断面図である。
【図4C】 第１成膜工程後の状態を示す模式断面図である。
【図4D】 研削研磨準備工程後の状態を示す模式断面図である。
【図4E】 研削研磨工程後の状態を示す模式断面図である。
【図4F】 第２成膜準備工程後の状態を示す模式断面図である。
【図4G】 第２成膜工程後の状態を示す模式断面図である。
【図4H】 ダイシング準備工程後の状態を示す模式断面図である。
【図4I】 ダイシング工程後の状態を示す模式断面図である。
【図5】 波長変換モジュールの製造方法のフロー図である。
【図6】 本開示に係る波長変換モジュールにおいて、上限励起入力と波長変換部材の厚みとの関係を示すグラフである。

代表図 図1本件の代表的な図

１１ 波長変換部材 １２ 保護膜 １２ｅ 外縁部 １３ 接合層 １３ａ 透明反射層 １３ｂ 金属接合層 ２０ 接合部材 ２１ 金属 ３０ 基体 ３１ 基部 ３１ａ 凹部 ３２ 第１金属層 ３３ 第２金属層 ３４ 第３金属層 ５０ 樹脂 ５１ 第１樹脂部 ５２ 第２樹脂部 ５３ 粒子 １００ 波長変換モジュール Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ シート Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３ リング Ａ 穴あきセパレータ Ｂ 吸着台

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