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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-12
(45)【発行日】2023-12-20
(54)【発明の名称】回路基板及び発光装置並びにそれらの製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20231213BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20231213BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 Z
H01L23/12 J
H01L23/12 F
【請求項の数】
21
(21)【出願番号】P 2021129820
(22)【出願日】2021-08-06
(65)【公開番号】P2023023889
(43)【公開日】2023-02-16
【審査請求日】2022-09-05
(73)【特許権者】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001807
【氏名又は名称】弁理士法人磯野国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】酒本 正和
【審査官】原田 貴志
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０２１／０１６０９９７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１５／０５９９６７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００３－１７９３１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－２３５０８９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ １／０２
Ｈ０１Ｌ ２３／１２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、少なくとも前記第１面に第１金属層が形成され、平面視において前記ポスト部の上面を露出させる開口部を有する第２基板と、を準備する工程と、前記ポスト部の上面が前記開口部から露出するように、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面の少なくとも一部と前記第２基板の前記第２面とを貼り合わせる工程と、
前記第１金属層の一部を除去して回路パターンを形成する工程と、を含み、
前記回路パターンを形成する工程において、平面視で、前記第１金属層の他の一部が前記ポスト部の周囲を取り囲むように前記第１金属層の一部を除去するものであり、
前記回路パターンを形成する工程において、
前記ポスト部上及び前記第１金属層上にドライフィルムを設ける工程と、
平面視で、前記ポスト部の位置から前記ポスト部の周囲の前記第１金属層に前記ドライフィルムが接する位置まで前記ドライフィルムを露光すると共に、前記回路パターンを形成する箇所の前記ドライフィルムを露光する工程と、
前記ドライフィルムを現像し、露光された箇所以外の前記ドライフィルムを除去する工程と、
前記ドライフィルムの一部が除去され、前記第１金属層が露出された箇所をエッチングし、前記第１金属層の一部を除去する工程と、を含む回路基板の製造方法。
【請求項2】
上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、少なくとも前記第１面に第１金属層が形成され、平面視において前記ポスト部の上面を露出させる開口部を有する第２基板と、を準備する工程と、
前記ポスト部の上面が前記開口部から露出するように、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面の少なくとも一部と前記第２基板の前記第２面とを貼り合わせる工程と、
前記第１金属層の一部を除去して回路パターンを形成する工程と、を含み、
前記回路パターンを形成する工程において、平面視で、前記第１金属層の他の一部が前記ポスト部の周囲を取り囲むように前記第１金属層の一部を除去するものであり、
前記回路パターンを形成する工程において、
前記ポスト部上及び前記第１金属層上にドライフィルムを設ける工程と、
平面視で、前記ポスト部から所定の距離離れて前記ポスト部の周囲を囲むように環状に前記ドライフィルムを露光すると共に、前記回路パターンを形成しない箇所の前記ドライフィルムを露光する工程と、
前記ドライフィルムを現像し、露光された箇所の前記ドライフィルムを除去する工程と、
前記ドライフィルムの一部が除去され、前記第１金属層が露出された箇所をエッチングし、前記第１金属層の一部を除去する工程と、を含む回路基板の製造方法。
【請求項3】
前記第１金属層の一部を除去する工程において、前記ポスト部の周囲を取り囲む前記第１金属層の幅が５０μｍ以上１００μｍ以下となるように前記第１金属層の一部を除去する請求項１又は請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項4】
上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、少なくとも前記第１面に第１金属層が形成され、平面視において前記ポスト部の上面を露出させる開口部を有する第２基板と、を準備する工程と、
前記ポスト部の上面が前記開口部から露出するように、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面の少なくとも一部と前記第２基板の前記第２面とを貼り合わせる工程と、
前記第１金属層の一部を除去して回路パターンを形成する工程と、を含み、
前記回路パターンを形成する工程において、平面視で、前記第１金属層の他の一部が前記ポスト部の周囲を取り囲むように前記第１金属層の一部を除去し、
前記第１金属層の一部を除去する工程において、前記ポスト部の周囲を取り囲む前記第１金属層の幅が５０μｍ以上１００μｍ以下となるように前記第１金属層の一部を除去する回路基板の製造方法。
【請求項5】
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程において、前記ポスト部の上面と前記第１金属層の上面とが同一平面となるように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項6】
前記準備する工程において、前記第２基板には基材上に前記第１金属層が設けられており、前記基材はポリイミドであり、前記第１金属層は銅を９０質量％以上含む材質である請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項7】
前記準備する工程において、前記第２基板には基材上に前記第１金属層が設けられており、前記基材の厚みは１２μｍ以上５０μｍ以下であり、前記第１金属層の厚みは１２μｍ以上７０μｍ以下である請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項8】
前記準備する工程において、前記第２基板には基材上に前記第１金属層が設けられており、前記基材上に設けられた前記第１金属層とは反対側に第２金属層が設けられている請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項9】
前記準備する工程において、前記第１基板は銅を９０質量％以上含む材質である請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項10】
前記準備する工程において、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面から、前記ポスト部の上面までの高さが５０μｍ以上１５０μｍ以下である請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項11】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法で回路基板を製造する工程と、前記回路基板の前記ポスト部に発光部品を載置する工程と、を含む発光装置の製造方法。
【請求項12】
上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、少なくとも前記第１面に第１金属層が形成され、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面の少なくとも一部と前記第２面とが向かい合うように配置された第２基板と、を備え、
前記第２基板は、平面視において前記ポスト部の上面を露出させる開口部を有しており、
前記第２基板は、前記ポスト部の周囲に直接接し、又は、前記ポスト部から所定の距離離れて環状に配置される前記第１金属層と、前記第１金属層と同じ材質である回路パターンとを有し、
前記ポスト部の周囲に環状に配置される前記第１金属層の幅は５０μｍ以上１００μｍ以下である回路基板。
【請求項13】
前記第１金属層と、前記回路パターンと、は平面視において離れている請求項１２に記載の回路基板。
【請求項14】
前記第１金属層と、前記回路パターンと、は同じ厚みを有する請求項１２又は請求項１３に記載の回路基板。
【請求項15】
前記ポスト部の上面、前記第１金属層の上面、及び、前記回路パターンの上面、が同一平面である請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項16】
前記第２基板は、基材と、前記基材上に配置される前記第１金属層及び前記回路パターンと、を有し、前記基材はポリイミドであり、前記第１金属層及び前記回路パターンは銅を９０質量％以上含む材質である請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項17】
前記第２基板は、基材と、前記基材上に配置される前記第１金属層及び前記回路パターンと、を有し、前記基材の厚みは１２μｍ以上５０μｍ以下であり、前記第１金属層及び前記回路パターンの厚みは１２μｍ以上７０μｍ以下である請求項１２乃至請求項１６のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項18】
前記第２基板は基材上に前記第１金属層及び前記回路パターンが設けられ、前記基材上に設けられた前記第１金属層及び前記回路パターンの反対側に第２金属層が設けられている請求項１２乃至請求項１７のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項19】
前記第１基板は銅を９０質量％以上含む材質である請求項１２乃至請求項１８のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項20】
前記ポスト部を除く前記第１基板の上面から、前記ポスト部の上面までの高さが５０μｍ以上１５０μｍ以下である請求項１２乃至請求項１９のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項21】
請求項１２乃至請求項２０のいずれか一項に記載の回路基板と、前記回路基板の前記ポスト部に載置された発光部品と、を含む発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、回路基板及び発光装置並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、特許文献１には、凸状の金属ポスト部を形成した銅板部材に、絶縁部の表面に銅箔層が形成された配線基板を積層して積層基板とする方法が開示されている。このような積層基板の製造においては、ポスト部を形成した銅板と、銅箔の回路パターンが形成された配線基板と、を貼り合わせて回路基板とする方法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１７－７３５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、寸法精度が高い回路基板の製造方法及び発光装置の製造方法、並びに、回路基板及び発光装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の実施形態に係る回路基板の製造方法は、上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、少なくとも前記第１面に第１金属層が形成され、平面視において前記ポスト部の上面を露出させる開口部を有する第２基板と、を準備する工程と、前記ポスト部の上面が前記開口部から露出するように、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面の少なくとも一部と前記第２基板の前記第２面とを貼り合わせる工程と、前記第１金属層の一部を除去して回路パターンを形成する工程と、を含み、前記回路パターンを形成する工程において、平面視で、前記第１金属層の他の一部が前記ポスト部の周囲を取り囲むように前記第１金属層の一部を除去するものである。
【0006】
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、前記回路基板の製造方法で回路基板を製造する工程と、前記回路基板の前記ポスト部に発光部品を載置する工程と、を含むものである。
【0007】
本開示の実施形態に係る回路基板は、上面側に凸状のポスト部が形成された第１基板と、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、少なくとも前記第１面に第１金属層が形成され、前記ポスト部を除く前記第１基板の上面の少なくとも一部と前記第２面とが向かい合うように配置された第２基板と、を備え、前記第２基板は、平面視において前記ポスト部の上面を露出させる開口部を有しており、前記第２基板は、前記ポスト部の周囲に直接接し、又は、前記ポスト部から所定の距離離れて環状に配置される前記第１金属層と、前記第１金属層と同じ材質である回路パターンとを有するものである。
【0008】
本開示の実施形態に係る発光装置は、前記回路基板と、前記回路基板の前記ポスト部に載置された発光部品と、を含むものである。
【発明の効果】
【0009】
本開示に係る実施形態によれば、寸法精度が高い回路基板の製造方法及び発光装置の製造方法、並びに、回路基板及び発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1A】実施形態に係る回路基板の一例を模式的に示す平面図である。
【図2A】実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。
【図3】実施形態に係る回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図4A】実施形態に係る回路基板の製造方法において、ポスト部を形成した第１基板を模式的に示す平面図である。
【図5A】実施形態に係る回路基板の製造方法において、開口部を形成した第２基板を模式的に示す平面図である。
【図6A】実施形態に係る回路基板の製造方法において、第１基板と第２基板とを貼り合わせた状態を模式的に示す平面図である。
【図7A】実施形態に係る回路基板の製造方法において、ドライフィルムを設けた状態を模式的に示す平面図である。
【図8A】実施形態に係る回路基板の製造方法において、ドライフィルムの一部を露光した状態を模式的に示す平面図である。
【図9A】実施形態に係る回路基板の製造方法において、露光した箇所以外のドライフィルムを除去した状態を模式的に示す平面図である。
【図10A】実施形態に係る回路基板の製造方法において、第１金属層の一部を除去した状態を模式的に示す平面図である。
【図11A】実施形態に係る回路基板の製造方法において、露光した箇所のドライフィルムを除去した状態を模式的に示す平面図である。
【図12A】実施形態に係る回路基板の製造方法において、ドライフィルムの一部を露光した状態を模式的に示す断面図である。
【図12B】実施形態に係る回路基板の製造方法において、露光した箇所のドライフィルムを除去した状態を模式的に示す断面図である。
【図12C】実施形態に係る回路基板の製造方法において、第１金属層の一部を除去した状態を模式的に示す断面図である。
【図13】実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図14A】実施形態に係る発光装置の製造方法において、レジスト及びめっき層を形成した状態を模式的に示す平面図である。
【図15A】実施形態に係る発光装置の製造方法において、回路基板上に発光部品を載置した状態を模式的に示す平面図である。
【図16A】変形例１に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図16B】変形例２に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図17A】応用例に係る発光装置の一例を模式的に示す斜視図である。
【図17B】応用例に係る発光装置の配線基板の構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図18A】発光部品の構成の一例を模式的に示す分解斜視図である。
【図18B】発光部品のパッケージ内の構成を模式的に示す平面図である。
【図18D】発光部品の下面の構成を模式的に示す底面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
《実施形態》
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための回路基板及び発光装置、並びに、それらの製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張又は簡略化していることがある。
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための回路基板及び発光装置、並びに、それらの製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張又は簡略化していることがある。
【0012】
【0013】
回路基板１００は、上面側に凸状のポスト部１１が形成された第１基板１０と、第１面と第１面と反対側の第２面とを有し、少なくとも第１面に第１金属層２２１が形成され、ポスト部１１を除く第１基板１０の上面の少なくとも一部と第２面とが向かい合うように配置された第２基板２０と、を備えている。そして、第２基板２０は、平面視においてポスト部１１の上面を露出させる開口部２５を有している。また、第２基板２０は、ポスト部１１の周囲に直接接し、又は、ポスト部１１から所定の距離離れて環状に配置される第１金属層２２１と、第１金属層２２１と同じ材質である回路パターン２２２とを有する。
【0014】
第１基板１０は、平板部１２と、平板部１２から突出した凸状のポスト部１１とを有する。平板部１２とポスト部１１とは一体に形成されている。ポスト部１１の側面は、断面視で、互いに向き合う側面において内側に向けて凸となる湾曲形状を成している。ただし、ポスト部１１の側面は、互いに向き合う側面において外側に向けて凸となる湾曲形状であってもよく、又は、直線形状であってもよい。ポスト部１１は基板をエッチング、又は、プレス等することにより形成される。平板部１２の厚みＴは、１ｍｍ以上２ｍｍ以下とすることが好ましい。平板部１２の厚みＴが１ｍｍ以上であれば、第１基板１０の強度を向上させることができる。一方、厚みＴが２ｍｍ以下であれば、第１基板１０を薄くすることができる。なお、ポスト部１１の形成の際に平板部１２の部位により厚みにわずかな違いが生じた場合、ここでの厚みＴは、平板部１２の平均厚みとすることができる。ポスト部１１は、平面視で長方形に形成されているが、正方形や台形等の多角形、円形、楕円形であってもよく、その他の形状であってもよい。また、ポスト部１１の角部は直角に形成されているが、丸みを帯びていてもよい。
【0015】
ポスト部１１を除く第１基板１０の上面、つまり、平板部１２の上面から、ポスト部１１の上面までの高さが５０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。すなわち、ポスト部１１の高さＨは、５０μｍ以上１５０μｍ以下とすることが好ましい。ポスト部１１の高さＨが５０μｍ以上であれば、第１基板１０上に配置される第２基板２０の厚さを調整し易くなる。一方、高さＨが１５０μｍ以下であれば、第１基板１０を薄くすることができる。なお、ポスト部１１の形成の際に平板部１２の部位により厚みにわずかな違いが生じた場合、ここでの高さＨは、平板部１２の上面からポスト部１１の上面までの平均高さとすることができる。
【0016】
第１基板１０は、金属材料を用いた金属板であることが好ましい。第１基板１０を金属板とすることで、発光部品５０等から発生する熱を放出する放熱機能に優れたものとなる。第１基板１０の金属材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等の単体金属又はこれらの金属を含む合金を用いることができる。特に、第１基板１０は、放熱性及び経済性の観点から、Ｃｕを用いた銅板であることが好ましい。例えば、第１基板１０は銅を９０質量％以上含む材質であることが好ましい。より好ましくは、銅を９５質量％以上含む材質であり、更に好ましくは、銅を９９質量％以上含む材質である。
【0017】
第２基板２０は、基材２１と、基材２１上に配置される第１金属層２２１及び回路パターン２２２と、を有する。ここでは更に、基材２１の下面にボンディングシート２３を有する。
【0018】
基材２１は絶縁性であり、例えば、フィルム状のポリイミドを用いることができる。基材２１の厚みは、１２μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましい。基材２１の厚みが１２μｍ以上であれば、基材２１の強度を向上させることができる。一方、厚みが５０μｍ以下であれば、第２基板２０を薄くすることができる。なお、基材２１としては、１枚もしくは複数枚のガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性絶縁樹脂を含浸させ、この熱硬化性絶縁樹脂を硬化させたガラスエポキシや、液晶ポリマー等を用いてもよい。基材２１がガラスエポキシである場合、厚さは、ポスト部１１の高さに対応して、例えば５０μｍ以上１５０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上１３０μｍ以下とすることができる。
【0019】
第１金属層２２１及び回路パターン２２２は、金属材料を用いることができ、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等の単体金属又はこれらの金属を含む合金を好適に用いることができる。特に、第１金属層２２１及び回路パターン２２２は、導電性及び経済性の観点から、Ｃｕを用いた銅箔であることが好ましい。例えば、第１金属層２２１及び回路パターン２２２は銅を９０質量％以上含む材質であることが好ましい。より好ましくは、銅を９５質量％以上含む材質であり、更に好ましくは、銅を９９質量％以上含む材質である。
ボンディングシート２３は、第１基板１０と第２基板２０とを接着する部材である。ボンディングシート２３としては、例えば、耐熱性の樹脂シート、ＵＶ硬化シート等、当該分野で公知のものが挙げられる。
ボンディングシート２３は、第１基板１０と第２基板２０とを接着する部材である。ボンディングシート２３としては、例えば、耐熱性の樹脂シート、ＵＶ硬化シート等、当該分野で公知のものが挙げられる。
【0020】
第１金属層２２１及び回路パターン２２２の厚みは、１２μｍ以上７０μｍ以下とすることが好ましい。第１金属層２２１及び回路パターン２２２の厚みが１２μｍ以上であれば、第１金属層２２１及び回路パターン２２２を形成し易くなる。一方、厚みが７０μｍ以下であれば、第２基板２０を薄くすることができる。また、第１金属層２２１と、回路パターン２２２と、は同じ厚みを有することが好ましい。このような構成であれば、第１金属層２２１及び回路パターン２２２を形成し易くしたり、同じ高さに揃えたりすることができる。
【0021】
ポスト部１１の上面、第１金属層２２１の上面、及び、回路パターン２２２の上面、が同一平面であることが好ましい。このような構成であれば、第１金属層２２１及び回路パターン２２２を形成し易くなったり、発光装置２００を製造する際に、回路基板１００に発光部品５０を載置し易くなったりする。
なお、「同一平面である」とは、各部材の上面が同一平面の部位に位置することを意味し、各部材の上面が離間していることも含むものである。
なお、「同一平面である」とは、各部材の上面が同一平面の部位に位置することを意味し、各部材の上面が離間していることも含むものである。
【0022】
第２基板２０は、ポスト部１１を露出させる開口部２５を有する。開口部２５は、ポスト部１１全体が収納される大きさに形成されている。ポスト部１１の側面と開口部２５の内側面とは隙間１５を有することが好ましい。隙間１５を有することで、ポスト部１１を開口部２５に挿入し易くなる。また、第１金属層２２１の外側からポスト部１１側に薬剤等が浸入してポスト部１１に接触するのを抑制することができ、ポスト部１１をより保護し易くなる。回路基板１００は、このような隙間１５を有するため、平面視において、開口部２５の開口は、ポスト部１１よりも大きく形成されている。開口部２５の平面視形状は、ポスト部１１の形状に合わせて、適宜決定すればよい。本実施形態では、ポスト部１１の形状に合わせて、長方形に形成されている。開口部２５の平面視形状は、ポスト部１１の形状の相似形であることが好ましい。開口部２５の面積は、ポスト部１１の面積の１．０５倍以上２倍以下が好ましく、１．１倍以上１．８倍以下が更に好ましい。
【0023】
第１金属層２２１は、ポスト部１１の周囲を取り囲むように環状に配置されている。なお、環状とは、例えば長方形環状、正方形環状、円環状等、枠状に形成された形態を意味する。第１金属層２２１は、平面視で、ポスト部１１の形状に合わせて長方形環状に形成されている。第１金属層２２１は、ポスト部１１の周囲を取り囲むように設けられればよく、ポスト部１１の形状に合わせて、或いは、ポスト部１１の形状にかかわらず、正方形環状や円環状、その他の環状であってもよい。
【0024】
回路基板１００は、第１金属層２２１を有することで、例えば回路基板１００に発光部品５０を載置して発光装置２００を製造する際に、第１金属層２２１の外側からポスト部１１側に薬剤等が浸入することや、第１金属層２２１の外側からポスト部１１側に異物が侵入することが抑制される。よって第１金属層２２１を有することにより、ポスト部１１が保護される。また、後述するように、回路基板１００を製造する際に、第１基板１０と第２基板２０ａとを貼り合わせた後に回路パターン２２２を形成するため、回路パターン２２２の精度が悪化しない。また、回路パターン２２２を形成する際に、第１金属層２２１によりポスト部１１が薬剤等から保護される。
これらにより、回路基板１００は、寸法精度が高いものとなる。ここで、「寸法精度が高い」とは、例えば、ポスト部１１に損傷が生じたり、回路パターン２２２の位置ずれや形状の変化等により回路パターン２２２の精度が悪化したりせず、設計した所望の寸法、加工精度となることを意味する。
これらにより、回路基板１００は、寸法精度が高いものとなる。ここで、「寸法精度が高い」とは、例えば、ポスト部１１に損傷が生じたり、回路パターン２２２の位置ずれや形状の変化等により回路パターン２２２の精度が悪化したりせず、設計した所望の寸法、加工精度となることを意味する。
【0025】
第１金属層２２１は、ポスト部１１から所定の距離離れて配置されている。ポスト部１１の上面と第１金属層２２１との距離Ｄは、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下とすることが好ましい。距離Ｄが１００μｍ以上であれば、ポスト部１１を開口部２５に挿入し易くなる。また、第１金属層２２１の外側からポスト部１１側に薬剤等が浸入した場合に、ポスト部１１をより保護し易くなる。一方、距離Ｄが３００μｍ以下であれば、隙間１５をより小さくすることができるため、隙間１５に異物が混入することをより抑制することができる。これにより、ポスト部１１をより保護し易くなる。なお、ポスト部１１の側面は湾曲しているため、ここでの距離Ｄは、ポスト部１１の上面の部位におけるポスト部１１の外端と第１金属層２２１の上面の部位における第１金属層２２１の内端との最短距離としている。
【0026】
第１金属層２２１と、回路パターン２２２と、は平面視において離れていることが好ましい。このような構成であれば、所望の回路パターン２２２を形成し易くなる。
ポスト部１１の周囲に環状に配置される第１金属層２２１の幅Ｗは５０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。第１金属層２２１の幅Ｗが５０μｍ以上であれば、第１金属層２２１の外側からポスト部１１側に薬剤等が浸入することをより抑制することができ、ポスト部１１をより保護し易くなる。一方、幅Ｗが１００μｍ以下であれば、回路パターン２２２を形成する領域を増やすことができ、所望の回路パターン２２２を形成し易くなる。
ポスト部１１の周囲に環状に配置される第１金属層２２１の幅Ｗは５０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。第１金属層２２１の幅Ｗが５０μｍ以上であれば、第１金属層２２１の外側からポスト部１１側に薬剤等が浸入することをより抑制することができ、ポスト部１１をより保護し易くなる。一方、幅Ｗが１００μｍ以下であれば、回路パターン２２２を形成する領域を増やすことができ、所望の回路パターン２２２を形成し易くなる。
【0027】
回路基板１００は、ポスト部１１を除く第１基板１０の上面の全て、すなわち平板部１２の上面の全てと、第２基板２０の第２面とが向かい合うように配置されている。ただし、平板部１２の上面の一部と、第２基板２０の第２面とが向かい合うように配置されていてもよい。すなわち、平板部１２の上面に第２基板２０が配置されていない部位があってもよい。
【0028】
【0029】
発光装置２００は、前記回路基板１００と、回路基板１００のポスト部１１に載置された発光部品５０と、を含む。
発光装置２００は、少なくとも、回路基板１００と、レジスト３０と、めっき層４０と、発光部品５０と、を備えていることが好ましい。
回路基板１００は前記説明した通りである。
レジスト３０は絶縁性であり、例えばソルダーレジストである。レジスト３０は、例えば、回路基板１００上において、めっき層４０を形成する部位以外の部位に設けられている。レジスト３０としては、例えば、エポキシ等の共重合樹脂に溶剤や消泡剤等を混合した一般的なものや、酸化チタン等のフィラーを添加して白色化したものを用いることができる。
発光装置２００は、少なくとも、回路基板１００と、レジスト３０と、めっき層４０と、発光部品５０と、を備えていることが好ましい。
回路基板１００は前記説明した通りである。
レジスト３０は絶縁性であり、例えばソルダーレジストである。レジスト３０は、例えば、回路基板１００上において、めっき層４０を形成する部位以外の部位に設けられている。レジスト３０としては、例えば、エポキシ等の共重合樹脂に溶剤や消泡剤等を混合した一般的なものや、酸化チタン等のフィラーを添加して白色化したものを用いることができる。
【0030】
めっき層４０は、例えば、ポスト部１１上及び一部の回路パターン２２２上に設けられている。めっき層４０としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ又は、これらの一種を含む合金を用いることができる。めっき層４０がこれらの材料であれば、発光部品５０から回路基板１００側に出射される光の反射率をより高めることができる。
【0031】
発光部品５０は、めっき層４０を介して、回路基板１００のポスト部１１上及びその周囲に載置されて設けられている。発光部品５０は、例えば、半田ペースト等の接着部材により回路基板１００上に接着されている。
発光部品５０としては、例えば、基板やパッケージ等に公知の発光素子を載置した発光部品を用いることができる。発光素子としては、例えば、半導体レーザ素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、有機エレクトロルミネッセンス素子等が挙げられる。また、発光部品５０は、公知の発光素子自体であってもよい。すなわち、発光装置２００は、少なくとも発光素子を含む発光部品を回路基板１００に載置したものの他、発光素子を回路基板１００に直接載置したものであってもよい。
発光部品５０としては、例えば、基板やパッケージ等に公知の発光素子を載置した発光部品を用いることができる。発光素子としては、例えば、半導体レーザ素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、有機エレクトロルミネッセンス素子等が挙げられる。また、発光部品５０は、公知の発光素子自体であってもよい。すなわち、発光装置２００は、少なくとも発光素子を含む発光部品を回路基板１００に載置したものの他、発光素子を回路基板１００に直接載置したものであってもよい。
【0032】
［回路基板の製造方法］
次に、実施形態に係る回路基板の製造方法の一例について説明する。
図３は、実施形態に係る回路基板の製造方法を示すフローチャートである。図４Ａから図１２Ｃは、実施形態に係る回路基板の製造方法における図面である。
図４Ａは、ポスト部を形成した第１基板を模式的に示す平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における模式断面図である。図５Ａは、開口部を形成した第２基板を模式的に示す平面図である。図５Ｂは、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における模式断面図である。図６Ａは、第１基板と第２基板とを貼り合わせた状態を模式的に示す平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における模式断面図である。
次に、実施形態に係る回路基板の製造方法の一例について説明する。
図３は、実施形態に係る回路基板の製造方法を示すフローチャートである。図４Ａから図１２Ｃは、実施形態に係る回路基板の製造方法における図面である。
図４Ａは、ポスト部を形成した第１基板を模式的に示す平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における模式断面図である。図５Ａは、開口部を形成した第２基板を模式的に示す平面図である。図５Ｂは、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における模式断面図である。図６Ａは、第１基板と第２基板とを貼り合わせた状態を模式的に示す平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における模式断面図である。
【0033】
図７Ａは、ドライフィルムを設けた状態を模式的に示す平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線における模式断面図である。図８Ａは、ドライフィルムの一部を露光した状態を模式的に示す平面図である。図８Ｂは、図８ＡのＶＩＩＩＢ－ＶＩＩＩＢ線における模式断面図である。図９Ａは、露光した箇所以外のドライフィルムを除去した状態を模式的に示す平面図である。図９Ｂは、図９ＡのＩＸＢ－ＩＸＢ線における模式断面図である。図１０Ａは、第１金属層の一部を除去した状態を模式的に示す平面図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＸＢ－ＸＢ線における模式断面図である。図１１Ａは、露光した箇所のドライフィルムを除去した状態を模式的に示す平面図である。図１１Ｂは、図１１ＡのＸＩＢ－ＸＩＢ線における模式断面図である。
【0034】
図１２Ａは、ドライフィルムの一部を露光した状態を模式的に示す断面図である。図１２Ｂは、露光した箇所のドライフィルムを除去した状態を模式的に示す断面図である。図１２Ｃは、第１金属層の一部を除去した状態を模式的に示す断面図である。
なお、実施形態に係る回路基板の製造方法では、複数の回路基板が同時に製造される。
なお、実施形態に係る回路基板の製造方法では、複数の回路基板が同時に製造される。
【0035】
回路基板１００の製造方法は、上面側に凸状のポスト部１１が形成された第１基板１０と、第１面と第１面と反対側の第２面とを有し、少なくとも第１面に第１金属層２２が形成され、平面視においてポスト部１１の上面を露出させる開口部２５を有する第２基板２０ａと、を準備する工程と、ポスト部１１の上面が開口部２５から露出するように、ポスト部１１を除く第１基板１０の上面の少なくとも一部と第２基板２０ａの第２面とを貼り合わせる工程と、第１金属層２２の一部を除去して回路パターン２２２を形成する工程と、を含む。そして、回路パターン２２２を形成する工程において、平面視で、第１金属層２２の他の一部がポスト部１１の周囲を取り囲むように第１金属層２２の一部を除去する。
【0036】
具体的には、回路基板１００の製造方法は、基板準備工程Ｓ１０１と、貼り合わせ工程Ｓ１０２と、回路パターン形成工程Ｓ１０３と、を含む。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した回路基板１００の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した回路基板１００の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
【0037】
ポスト部１１の周囲を取り囲む第１金属層２２１と回路パターン２２２は、例えば基材２１上に設けられた１つの第１金属層２２をエッチングすることで形成されたものであり、同じ材質である。エッチング後のポスト部１１の周囲を取り囲む第１金属層２２１は、以下、適宜、環状の第１金属層２２１という。
【0038】
（基板準備工程）
基板準備工程Ｓ１０１は、第１基板１０と、第２基板２０ａと、を準備する工程である。
基板準備工程Ｓ１０１は、第１基板１０と、第２基板２０ａと、を準備する工程である。
【0039】
この工程Ｓ１０１では、第１基板１０の準備として、例えば、まず、銅板をエッチング又はプレスしてポスト部１１を形成した第１基板１０を製造する。
また、この工程Ｓ１０１では、第２基板２０ａの準備として、例えば、まず、基材２１と、基材２１の片面に第１金属層２２である銅箔が貼り付いた市販の片面銅貼積層板を用意する。次に、基材２１における第１金属層２２が設けられた反対側の面にボンディングシート２３を設ける。或いは、第２基板２０ａの準備として、例えば、まず、両面に銅箔が貼り付いた市販の両面銅貼積層板を用意する。次に、片面の銅箔をエッチング等により除去してボンディングシート２３を設ける。なお、市販の片面銅貼積層板或いは両面銅貼積層板を用いずに、基材２１の一方の面に銅箔等の第１金属層２２を接合してもよい。次に、所望の位置に穴開け加工を施し、開口部２５を形成する。若しくは、開口部２５が空いた基材２１と第１金属層２２とを貼り合わせた第２基板２０ａを用いてもよい。
また、この工程Ｓ１０１では、第２基板２０ａの準備として、例えば、まず、基材２１と、基材２１の片面に第１金属層２２である銅箔が貼り付いた市販の片面銅貼積層板を用意する。次に、基材２１における第１金属層２２が設けられた反対側の面にボンディングシート２３を設ける。或いは、第２基板２０ａの準備として、例えば、まず、両面に銅箔が貼り付いた市販の両面銅貼積層板を用意する。次に、片面の銅箔をエッチング等により除去してボンディングシート２３を設ける。なお、市販の片面銅貼積層板或いは両面銅貼積層板を用いずに、基材２１の一方の面に銅箔等の第１金属層２２を接合してもよい。次に、所望の位置に穴開け加工を施し、開口部２５を形成する。若しくは、開口部２５が空いた基材２１と第１金属層２２とを貼り合わせた第２基板２０ａを用いてもよい。
【0040】
（貼り合わせ工程）
貼り合わせ工程Ｓ１０２は、第１基板１０と第２基板２０ａとを貼り合わせる工程である。
この工程Ｓ１０２では、第１基板１０のポスト部１１の上面が開口部２５から露出するように、第２基板２０ａのボンディングシート２３を第１基板１０に接着して第１基板１０と第２基板２０ａとを貼り合わせる。
貼り合わせ工程Ｓ１０２は、第１基板１０と第２基板２０ａとを貼り合わせる工程である。
この工程Ｓ１０２では、第１基板１０のポスト部１１の上面が開口部２５から露出するように、第２基板２０ａのボンディングシート２３を第１基板１０に接着して第１基板１０と第２基板２０ａとを貼り合わせる。
【0041】
第１基板１０と第２基板２０ａとを貼り合わせる工程において、ポスト部１１の上面と第１金属層２２の上面とが同一平面となるように、第１基板１０と第２基板２０ａとを貼り合わせることが好ましい。同一平面とするには、例えば、第１基板１０の平板部１２の厚みやポスト部１１の高さ、第２基板２０ａの基材２１の厚みや第１金属層２２の厚み、ボンディングシート２３の厚みを調整すればよい。
【0042】
（回路パターン形成工程）
回路パターン形成工程Ｓ１０３は、第２基板２０ａの第１金属層２２の一部を除去して環状の第１金属層２２１及び回路パターン２２２を形成する工程である。
回路パターン形成工程Ｓ１０３は、第２基板２０ａの第１金属層２２の一部を除去して環状の第１金属層２２１及び回路パターン２２２を形成する工程である。
【0043】
回路パターン２２２を形成する工程において、ネガ型の方法として、ポスト部１１上及び第１金属層２２上にドライフィルム６０を設ける工程と、平面視で、ポスト部１１の位置からポスト部１１の周囲の第１金属層２２に接する位置までドライフィルム６０を露光すると共に、回路パターン２２２を形成する箇所のドライフィルム６０を露光する工程と、ドライフィルム６０を現像し、露光された箇所以外のドライフィルム６２を除去する工程と、ドライフィルム６０の一部が除去され、第１金属層２２が露出された箇所をエッチングし、第１金属層２２の一部を除去する工程と、を含むことが好ましい。
【0044】
この場合、この工程Ｓ１０３では、まず、第１基板１０と第２基板２０ａとを貼り合わせた貼り合わせ材の上面全体にドライフィルム６０を設ける。次に、マスクを用いて、所望の環状の第１金属層２２１の形状及び所望の回路パターン２２２の形状に合わせてドライフィルム６０を露光する。この際、第１金属層２２の一部をエッチングした際に、平面視で、第１金属層２２の他の一部がポスト部１１の周囲を取り囲むように、ポスト部１１の位置からポスト部１１の周囲の第１金属層２２に接する位置までドライフィルム６０を露光する。また、回路パターン２２２を形成する箇所のドライフィルム６０を露光する。
ここで「第１金属層２２に接する位置」とは、第１金属層２２の上面において、ポスト部１１の周囲を取り囲む環状の第１金属層２２１を形成した際に、環状の第１金属層２２１の幅方向の外端の位置をいう。すなわち、環状の第１金属層２２１が所望の幅となる位置までドライフィルム６０を露光する。
ここで「第１金属層２２に接する位置」とは、第１金属層２２の上面において、ポスト部１１の周囲を取り囲む環状の第１金属層２２１を形成した際に、環状の第１金属層２２１の幅方向の外端の位置をいう。すなわち、環状の第１金属層２２１が所望の幅となる位置までドライフィルム６０を露光する。
【0045】
次に、ドライフィルム６０を現像して、露光した箇所以外のドライフィルム６２を除去する。次に、露光した箇所のドライフィルム６１から露出した第１金属層２２をエッチングして除去する。そして、露光した箇所のドライフィルム６１を除去する。これにより、所望の環状の第１金属層２２１及び所望の回路パターン２２２が形成された回路基板１００が製造される。
【0046】
また、回路パターン２２２を形成する工程において、ポジ型の方法として、ポスト部１１上及び第１金属層２２上にドライフィルム６０を設ける工程と、平面視で、ポスト部１１から所定の距離離れてポスト部１１の周囲を囲むように環状にドライフィルム６０を露光すると共に、回路パターン２２２を形成しない箇所のドライフィルム６０を露光する工程と、ドライフィルム６０を現像し、露光された箇所のドライフィルム６１を除去する工程と、ドライフィルム６０の一部が除去され、第１金属層２２が露出された箇所をエッチングし、第１金属層２２の一部を除去する工程と、を含むことが好ましい。
【0047】
この場合、この工程Ｓ１０３では、まず、第１基板１０と第２基板２０ａとを貼り合わせた貼り合わせ材の上面全体にドライフィルム６０を設ける。次に、マスクを用いて、所望の環状の第１金属層２２１の形状及び所望の回路パターン２２２の形状に合わせてドライフィルム６０を露光する。この際、第１金属層２２の一部をエッチングした際に、平面視で、第１金属層２２の他の一部がポスト部１１の周囲を取り囲むように、ポスト部１１から所定の距離離れてポスト部１１の周囲を囲むように環状にドライフィルム６０を露光する。また、回路パターン２２２を形成しない箇所のドライフィルム６０を露光する。
【0048】
次に、ドライフィルム６０を現像して、露光した箇所のドライフィルム６１を除去する。次に、露光した箇所以外のドライフィルム６２から露出した第１金属層２２をエッチングして除去する。そして、露光した箇所以外のドライフィルム６２を除去する。これにより、所望の環状の第１金属層２２１及び所望の回路パターン２２２が形成された回路基板１００が製造される。
【0049】
第１金属層２２の一部を除去する工程において、ポスト部１１の周囲を取り囲む第１金属層２２１の幅が５０μｍ以上１００μｍ以下となるように第１金属層２２の一部を除去することが好ましい。第１金属層２２１の幅は、ドライフィルム６０の露光する範囲を調整することにより制御することができる。
なお、実施形態に係る回路基板の製造方法では、複数の回路基板１００が同時に製造されるが、回路基板１００毎に個片化してもよいし、回路基板１００の集合体のまま、後述する発光装置２００の製造方法に移行してもよい。
なお、実施形態に係る回路基板の製造方法では、複数の回路基板１００が同時に製造されるが、回路基板１００毎に個片化してもよいし、回路基板１００の集合体のまま、後述する発光装置２００の製造方法に移行してもよい。
【0050】
例えば、従来の技術のように、銅板と配線基板とを貼り合わせる前に、基板に回路パターンを形成すると、加工の際に基板が変形し易いため、回路パターンの位置ずれや形状の変化等により回路パターンの精度が悪化する場合がある。そのため、設計した所望の寸法、加工精度が得られない場合がある。これに対し、実施形態に係る回路基板の製造方法は、第１基板１０と第２基板２０ａとを貼り合わせた後に回路パターン２２２を形成する。そのため、第２基板２０ａが第１基板１０に固定されるため、回路パターン２２２を形成する際に、回路パターン２２２の精度が悪化しない。
【0051】
更に、実施形態に係る回路基板の製造方法では、平面視で、第１金属層２２の他の一部がポスト部１１の周囲を取り囲むように第１金属層２２の一部を除去する。これにより、環状の第１金属層２２１が形成される。そのため、回路パターン２２２を形成する際に、ポスト部１１が環状の第１金属層２２１により保護されるため、ポスト部１１がエッチングされること等により必要以上に浸食されるのを防止することができる。
したがって、実施形態に係る回路基板の製造方法は、寸法精度が高い回路基板１００を製造することができる。
したがって、実施形態に係る回路基板の製造方法は、寸法精度が高い回路基板１００を製造することができる。
【0052】
［発光装置の製造方法］
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法の一例について説明する。
図１３は、実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。図１４Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、レジスト及びめっき層を形成した状態を模式的に示す平面図である。図１４Ｂは、図１４ＡのＸＩＶＢ－ＸＩＶＢ線における模式断面図である。図１５Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、回路基板上に発光部品を載置した状態を模式的に示す平面図である。図１５Ｂは、図１５ＡのＸＶＢ－ＸＶＢ線における模式断面図である。
なお、実施形態に係る発光装置の製造方法では、複数の発光装置が同時に製造される。
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法の一例について説明する。
図１３は、実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。図１４Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、レジスト及びめっき層を形成した状態を模式的に示す平面図である。図１４Ｂは、図１４ＡのＸＩＶＢ－ＸＩＶＢ線における模式断面図である。図１５Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、回路基板上に発光部品を載置した状態を模式的に示す平面図である。図１５Ｂは、図１５ＡのＸＶＢ－ＸＶＢ線における模式断面図である。
なお、実施形態に係る発光装置の製造方法では、複数の発光装置が同時に製造される。
【0053】
発光装置の製造方法は、前記の回路基板の製造方法で回路基板１００を製造する工程と、回路基板１００のポスト部１１に発光部品５０を載置する工程と、を含む。
【0054】
具体的には、発光装置の製造方法は、回路基板製造工程Ｓ１１と、レジスト形成工程Ｓ１２と、めっき層形成工程Ｓ１３と、発光部品載置工程Ｓ１４と、を含む。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した発光装置２００の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した発光装置２００の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
【0055】
（回路基板製造工程）
回路基板製造工程Ｓ１１は、前記した回路基板の製造方法で回路基板１００を製造する工程である。
この工程では、前記した工程Ｓ１０１から工程Ｓ１０３を行うことで回路基板１００を製造する。
回路基板製造工程Ｓ１１は、前記した回路基板の製造方法で回路基板１００を製造する工程である。
この工程では、前記した工程Ｓ１０１から工程Ｓ１０３を行うことで回路基板１００を製造する。
【0056】
（レジスト形成工程）
レジスト形成工程Ｓ１２は、回路基板１００の上面にレジスト３０を形成する工程である。レジスト３０の形成は、例えば、スクリーンマスクを用いて、スクリーン印刷法で行うことができる。
レジスト形成工程Ｓ１２は、回路基板１００の上面にレジスト３０を形成する工程である。レジスト３０の形成は、例えば、スクリーンマスクを用いて、スクリーン印刷法で行うことができる。
【0057】
（めっき層形成工程）
めっき層形成工程Ｓ１３は、回路基板１００の上面にめっき層４０を形成する工程である。めっき層４０の形成は、無電解めっき或いは電解めっきにより行うことができる。
めっき層形成工程Ｓ１３は、回路基板１００の上面にめっき層４０を形成する工程である。めっき層４０の形成は、無電解めっき或いは電解めっきにより行うことができる。
【0058】
（発光部品載置工程）
発光部品載置工程Ｓ１４は、回路基板１００上に発光部品５０を載置する工程である。
この工程Ｓ１４では、例えば、半田ペースト等の接着部材を用いて、回路基板１００のポスト部１１上及びその周囲のめっき層４０及びレジスト３０上に発光部品５０を載置する。
発光部品載置工程Ｓ１４は、回路基板１００上に発光部品５０を載置する工程である。
この工程Ｓ１４では、例えば、半田ペースト等の接着部材を用いて、回路基板１００のポスト部１１上及びその周囲のめっき層４０及びレジスト３０上に発光部品５０を載置する。
【0059】
このようにして、発光装置２００の集合体が製造される。そして、この集合体を発光装置２００毎に個片化することにより、複数の発光装置２００が得られる。
【0060】
以上、発明を実施するための形態をより具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれる。
以下、変形例及び応用例について説明する。なお、各部材の材質や配置等については、実施形態の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
以下、変形例及び応用例について説明する。なお、各部材の材質や配置等については、実施形態の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
【0061】
《変形例》
［変形例１］
図１６Ａは、変形例１に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
回路基板１００Ａ及び発光装置２００Ａは、第２基板２０Ａが第２金属層２４を有する。
第２基板２０Ａは基材２１上に第１金属層２２１及び回路パターン２２２が設けられ、基材２１上に設けられた第１金属層２２１及び回路パターン２２２の反対側に第２金属層２４が設けられている。回路基板１００Ａ及び発光装置２００Ａは、第２基板２０Ａが第２金属層２４を有することで、放熱性を向上させることができる。第２金属層２４の材質としては、例えば、第１金属層２２１及び回路パターン２２２で例示したものを用いることができる。
［変形例１］
図１６Ａは、変形例１に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
回路基板１００Ａ及び発光装置２００Ａは、第２基板２０Ａが第２金属層２４を有する。
第２基板２０Ａは基材２１上に第１金属層２２１及び回路パターン２２２が設けられ、基材２１上に設けられた第１金属層２２１及び回路パターン２２２の反対側に第２金属層２４が設けられている。回路基板１００Ａ及び発光装置２００Ａは、第２基板２０Ａが第２金属層２４を有することで、放熱性を向上させることができる。第２金属層２４の材質としては、例えば、第１金属層２２１及び回路パターン２２２で例示したものを用いることができる。
【0062】
また、変形例１の製造方法では、前記した基板を準備する工程において、第２基板２０Ａには基材２１上に第１金属層２２が設けられており、基材２１上に設けられた第１金属層２２とは反対側に第２金属層２４が設けられている。
第２基板２０Ａは、例えば、市販の両面銅貼積層板を用いることで準備することができる。或いは、一方の面に第１金属層２２が設けられた市販の片面銅貼積層板の他方の面に第２金属層２４を接合してもよい。或いは、市販の片面銅貼積層板或いは両面銅貼積層板を用いずに、基材２１の一方の面に第１金属層２２を設け、基材２１の他方の面に第２金属層２４を接合してもよい。
第２基板２０Ａは、例えば、市販の両面銅貼積層板を用いることで準備することができる。或いは、一方の面に第１金属層２２が設けられた市販の片面銅貼積層板の他方の面に第２金属層２４を接合してもよい。或いは、市販の片面銅貼積層板或いは両面銅貼積層板を用いずに、基材２１の一方の面に第１金属層２２を設け、基材２１の他方の面に第２金属層２４を接合してもよい。
【0063】
［変形例２］
図１６Ｂは、変形例２に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
回路基板１００Ｂ及び発光装置２００Ｂは、第１金属層２２１がポスト部の周囲に直接接している。第１基板１０Ａは、ポスト部１１Ａの側面が直線形状であり、ポスト部１１Ａが断面視で長方形である。そして、第１基板１０Ａは、ポスト部１１Ａの側面に基材２１、第１金属層２２１、及びボンディングシート２３が直接接している。このような構成によれば、第１基板１０Ａと第２基板２０との密着性を向上させることができる。
図１６Ｂは、変形例２に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
回路基板１００Ｂ及び発光装置２００Ｂは、第１金属層２２１がポスト部の周囲に直接接している。第１基板１０Ａは、ポスト部１１Ａの側面が直線形状であり、ポスト部１１Ａが断面視で長方形である。そして、第１基板１０Ａは、ポスト部１１Ａの側面に基材２１、第１金属層２２１、及びボンディングシート２３が直接接している。このような構成によれば、第１基板１０Ａと第２基板２０との密着性を向上させることができる。
【0064】
その他、例えば、めっき層は、一部にのみ設けたものであってもよく、設けないものであってもよい。めっき層を設けない部位は、第１基板、環状の第１金属層及び回路パターンが露出したものであってもよい。また、後述するように、ポスト部の上面に長尺状のレジストを有するものであってもよい。
【0065】
また、回路基板の製造方法は、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間、あるいは前後に、他の工程を含めてもよい。例えば、製造途中に混入した異物を除去する異物除去工程等を含めてもよい。
また、発光装置の製造方法は、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間、あるいは前後に、他の工程を含めてもよい。例えば、製造途中に混入した異物を除去する異物除去工程等を含めてもよい。
また、発光装置の製造方法は、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間、あるいは前後に、他の工程を含めてもよい。例えば、製造途中に混入した異物を除去する異物除去工程等を含めてもよい。
【0066】
《応用例》
次に、回路基板及び発光装置について、半導体レーザ素子を用いた場合の応用例の一例について説明する。なお、ここでは、応用例の一例として、回路基板及び発光装置の形態を前記した実施形態とはわずかに異なるものとしている。このように、実施形態の回路基板及び発光装置は、種々の形態に応用することができる。
次に、回路基板及び発光装置について、半導体レーザ素子を用いた場合の応用例の一例について説明する。なお、ここでは、応用例の一例として、回路基板及び発光装置の形態を前記した実施形態とはわずかに異なるものとしている。このように、実施形態の回路基板及び発光装置は、種々の形態に応用することができる。
【0067】
図１７Ａは、応用例に係る発光装置の一例を模式的に示す斜視図である。図１７Ｂは、応用例に係る発光装置の配線基板の構成の一例を模式的に示す平面図である。図１７Ｃは、図１７ＢのＸＶＩＩＣ－ＸＶＩＩＣ線における模式断面図である。図１８Ａは、発光部品の構成の一例を模式的に示す分解斜視図である。図１８Ｂは、発光部品のパッケージ内の構成を模式的に示す平面図である。図１８Ｃは、図１８ＢのＸＶＩＩＩＣ－ＸＶＩＩＩＣ線における模式断面図である。図１８Ｄは、発光部品の下面の構成を模式的に示す底面図である。
【0068】
発光装置２００Ｃは、少なくとも、配線基板１１０と、発光部品５０Ａと、サーミスタ１５０と、を備えている。
配線基板１１０は、上面に、少なくとも、レジスト３０と、めっき層４０と、を備えている。めっき層４０は、めっき層４１と、めっき層４２ａ，４２ｂと、めっき層４３ａ，４３ｂと、めっき層４４ａ，４４ｂと、めっき層４５ａ，４５ｂと、を含む。また、配線基板１１０は、レジスト３０及びめっき層４０の下に、第１金属層２２１及び回路パターン２２２を備えている。
配線基板１１０は、上面に、少なくとも、レジスト３０と、めっき層４０と、を備えている。めっき層４０は、めっき層４１と、めっき層４２ａ，４２ｂと、めっき層４３ａ，４３ｂと、めっき層４４ａ，４４ｂと、めっき層４５ａ，４５ｂと、を含む。また、配線基板１１０は、レジスト３０及びめっき層４０の下に、第１金属層２２１及び回路パターン２２２を備えている。
【0069】
めっき層４１は、発光部品５０Ａが載置される中央領域のめっき層である。めっき層４２ａは、発光部品５０Ａが載置される前側領域のめっき層である。めっき層４２ｂは、発光部品５０Ａが載置される後側領域のめっき層である。めっき層４３ａ，４３ｂは、サーミスタ１５０が載置される領域のめっき層である。めっき層４４ａ，４４ｂは、サーミスタ検査端子用の所定領域のめっき層である。めっき層４５ａ，４５ｂは、レーザ素子検査端子用の所定領域のめっき層である。
【0070】
めっき層４１及びめっき層４２ａ，４２ｂは、発光部品５０Ａが載置される部位である。めっき層４３ａ，４３ｂは、サーミスタ１５０が載置される部位である。めっき層４１の部位には、平面視で、第１金属層２２１の外縁に合わせて長方形に形成された領域において、複数の長尺状のレジスト３０が長方形の周辺から中央に向かって延伸して配置されている。めっき層４１は、長方形に形成された領域のうち、レジスト３０が配置されていない部位である。発光装置は、ポスト部に発光部品を載置した際に、ポスト部と発光部品との間に気泡が残る場合がある。発光装置２００Ｃは、配線基板１１０がポスト部１１の上面に複数の長尺状のレジスト３０を有することで、長尺状のレジスト３０を介して気泡を分散させ易くなる。これにより、配線基板１１０の放熱性がより向上する。
【0071】
レジスト３０は、めっき層４０を除く配線基板１１０の上面に設けられる。めっき層４２ａは、平面視で、めっき層４１の前側に３つ設けられている。めっき層４２ｂは、平面視で、めっき層４１の後側に３つ設けられている。めっき層４１を挟んで前後に対となって設けられためっき層４２ａ，４２ｂは、発光部品５０Ａの下面に設けられた金属膜８７と接合することで、一方から他方へと電気的に接続される。
【0072】
めっき層４２ａとめっき層４５ａとは、回路パターン２２２を介して電気的に接続されている。めっき層４２ｂとめっき層４５ｂとは、回路パターン２２２を介して電気的に接続されている。めっき層４５ａ，４５ｂは、レーザ素子検査端子として機能する。めっき層４３ａとめっき層４４ａとは、回路パターン２２２を介して電気的に接続されている。めっき層４３ｂとめっき層４４ｂとは、回路パターン２２２を介して電気的に接続されている。めっき層４４ａ，４４ｂは、サーミスタ検査端子として機能する。
サーミスタ１５０は、発光装置２００Ｃが作動しているときの温度を測定するために用いられる温度検知素子の一例である。サーミスタ１５０は、めっき層４３ａ及びめっき層４３ｂに接続した状態で載置され、これにより、めっき層４３ａからサーミスタ１５０を通りめっき層４３ｂへと導通させることができる。
サーミスタ１５０は、発光装置２００Ｃが作動しているときの温度を測定するために用いられる温度検知素子の一例である。サーミスタ１５０は、めっき層４３ａ及びめっき層４３ｂに接続した状態で載置され、これにより、めっき層４３ａからサーミスタ１５０を通りめっき層４３ｂへと導通させることができる。
【0073】
発光部品５０Ａは、パッケージ７１と、半導体レーザ素子７２と、サブマウント７３と、光反射部材７４と、保護素子７５と、ワイヤ７６と、蓋部材７７と、接着部７８と、レンズ部材７９と、を有する。
【0074】
パッケージ７１は平面視で長方形の凹部８０を有する。なお、ここでの長方形とは、パッケージ７１のように、角部や側面の一部を切り欠いた形状や、凹部８０のように、角部が湾曲した形状等、概ね長方形である形状を含むものである。また、パッケージ７１は、凹部８０の４つの内側面８２のうち、互いに向き合う短手方向の２つの内側面８２に段差部８３が形成されている。パッケージ７１は、セラミックを主材料として形成することができる。なお、パッケージ７１は、セラミックに限らず金属で形成してもよい。例えば、セラミックでは、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素をパッケージ７１の主材料に用いることができる。金属では、銅、アルミニウム、鉄、複合物として銅モリブデン、銅－ダイヤモンド複合材料、銅タングステンをパッケージ７１の主材料に用いることができる。
【0075】
パッケージ７１の下面８４及び段差部８３の上面には、それぞれ金属膜が設けられている。また、パッケージ７１の下面８４における金属膜は、パッケージ７１の両端に対となって設けられた金属膜８７と、両端の金属膜８７の間でパッケージ７１の下面８４の中央に設けられた金属膜８８と、を有する。金属膜８７のそれぞれは、互いに向き合う２辺のそれぞれに沿って、３ヶ所ずつに互いに離間して設けられている。この金属膜８７は、配線基板１１０のめっき層４２ａ，４２ｂに接続できるように互いに向き合って形成されている。金属膜８８は、配線基板１１０のめっき層４１に接続できるように形成されている。パッケージ７１では、内部を通る金属配線により、段差部８３の上面における金属膜と下面８４における金属膜８７とは電気的に接続されている。
【0076】
段差部８３の上面に設けられた金属膜である接続配線には、半導体レーザ素子７２、保護素子７５が電気的に接続されている。この導通のためにワイヤ７６が接合されている。これにより半導体レーザ素子７２及び保護素子７５は、パッケージ７１の下面８４に設けられた金属膜８７を介して電気的に接続される。
【0077】
このような発光部品５０Ａは、パッケージ７１の下面８４に設けられた対の金属膜８７が、配線基板１１０のめっき層４２ａ，４２ｂと接合される。また、パッケージ７１の下面８４の中央に設けられた金属膜８８が、配線基板１１０のめっき層４１と接合される。発光部品５０Ａと配線基板１１０との接合は、半田付けによって行うことができる。
【0078】
半導体レーザ素子７２は、サブマウント７３を介してパッケージ７１の凹部８０の底面８１（底部８６の上面）に載置されている。発光部品５０Ａに載置される複数の半導体レーザ素子７２は、一方向、具体的にはパッケージ７１の長手方向に並べて配置されている。また、載置される各半導体レーザ素子７２が同じ方向にレーザ光を出射するように出射端面の向きが揃えられている。一方向に並べて配置された複数の半導体レーザ素子７２は、ワイヤ７６を用いて、直列に電気接続されている。
【0079】
サブマウント７３は、その下面でパッケージ７１の凹部８０の底面８１とＡｕペースト等の接着部材により接合され、その上面で半導体レーザ素子７２と接合されている。サブマウント７３は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いて形成することができる。また、サブマウント７３の上面にはＣｕめっき等の金属膜が設けられている。
【0080】
光反射部材７４は、半導体レーザ素子７２からの光を反射する部材である。光反射部材７４は、その下面でパッケージ７１の凹部８０の底面８１と接着部材により接合されている。接着部材は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の粒子と有機溶剤との混合物を塗布した後、加熱により有機溶剤を除去し、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の粒子を融着させている。光反射部材７４は、それぞれの半導体レーザ素子７２に対応して独立して配置されている。光反射部材７４は、下面と、上面と、側面と、傾斜面と、を有し、傾斜面が光反射面となる。光反射面は平面であり、上面から下面にかけて傾斜している。
【0081】
光反射部材７４は、主材料を用いてその外形を形成し、形成した外形のうち光反射面を設けたい面に光反射膜を成膜して形成することができる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくはＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、又はＳｉ等を採用することができる。光反射膜は光反射率の高い材料がよく、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜等を採用することができる。なお、光反射部材７４は、金属等の光反射率の高い材料を主材料に用いてその外形を形成した場合、光反射膜の形成は省略してもよい。
【0082】
半導体レーザ素子７２から放射された光の主要部分は、対応する光反射部材７４の光反射面に照射される。なお、光反射部材７４を有さずに、半導体レーザ素子７２の出射端面を上方に向けた発光部品であってもよい。
【0083】
保護素子７５は、サブマウント７３の上面に載置されている。保護素子７５は、例えば、ツェナーダイオードである。ワイヤ７６は、金属の配線である。ワイヤ７６の材質としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌ等の金属、及び、それらの合金を用いたものが挙げられる。なお、保護素子７５を有さない発光部品であってもよい。
【0084】
蓋部材７７は、半導体レーザ素子７２及び光反射部材７４を覆う部材である。蓋部材７７は全体として透光性であるが、一部に非透光性の領域を有していてもよい。蓋部材７７は、サファイアを主材料に用いて形成することができる。また、蓋部材７７は、一部の領域に金属膜が設けられている。なお、主材料には、サファイアの他に、例えばガラス等を用いることもできる。
蓋部材７７は、その下面において、パッケージ７１の上面（枠部８５の上面）と接合されている。蓋部材７７とパッケージ７１は、接合される領域に金属膜が設けられ、Ａｕ－Ｓｎ等を介して固定されている。発光部品５０Ａは、パッケージ７１と蓋部材７７とが接合されることで閉空間が形成される。この閉空間は気密封止された空間となる。発光部品５０Ａは、このように気密封止することで、半導体レーザ素子７２の光の出射端面に有機物等が集塵することを抑制することができる。
蓋部材７７は、その下面において、パッケージ７１の上面（枠部８５の上面）と接合されている。蓋部材７７とパッケージ７１は、接合される領域に金属膜が設けられ、Ａｕ－Ｓｎ等を介して固定されている。発光部品５０Ａは、パッケージ７１と蓋部材７７とが接合されることで閉空間が形成される。この閉空間は気密封止された空間となる。発光部品５０Ａは、このように気密封止することで、半導体レーザ素子７２の光の出射端面に有機物等が集塵することを抑制することができる。
【0085】
接着部７８は、蓋部材７７の上面において、蓋部材７７とレンズ部材７９とを接着する領域に形成されている。接着部７８としては、例えば、紫外線硬化型の樹脂を用いることができる。
【0086】
レンズ部材７９は、蓋部材７７の上面に対面して設けられている。レンズ部材７９は、レンズ形状を有するレンズ部７９１と、レンズ部７９１を支持する長方形の支持板部７９２とが一体となって形成されている。レンズ部材７９には、レンズ部７９１のそれぞれが半導体レーザ素子７２の光軸に対向する位置に設けられている。各レンズ部７９１は、対応する半導体レーザ素子７２から放射され光反射部材７４により反射された反射光がレンズ部７９１を通過してコリメートされるように、その配置及び形状が設計される。レンズ部材７９には、例えば、ＢＫ７、Ｂ２７０等のガラス等を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【0087】
本開示の実施形態に係る回路基板及び発光装置は、各種電子機器に利用することができる。
【符号の説明】
【0088】
１０、１０Ａ 第１基板
１１、１１Ａ ポスト部
１２ 平板部
１５ 隙間
２０、２０ａ、２０Ａ 第２基板
２１ 基材
２２ 第１金属層
２２１ 第１金属層（環状の第１金属層）
２２２ 回路パターン
２３ ボンディングシート
２４ 第２金属層
２５ 開口部
３０ レジスト
４０ めっき層
４１ めっき層
４２ａ，４２ｂ めっき層
４３ａ，４３ｂ めっき層
４４ａ，４４ｂ めっき層
４５ａ，４５ｂ めっき層
５０、５０Ａ 発光部品
６０ ドライフィルム
６１ 露光した箇所のドライフィルム
６２ 露光した箇所以外のドライフィルム
７１ パッケージ
７２ 半導体レーザ素子
７３ サブマウント
７４ 光反射部材
７５ 保護素子
７６ ワイヤ
７７ 蓋部材
７８ 接着部
７９ レンズ部材
７９１ レンズ部
７９２ 支持板部
８０ 凹部
８１ 凹部の底面
８２ 凹部の内側面
８３ 段差部
８４ 下面
８５ 枠部
８６ 底部
８７ 金属膜
８８ 金属膜
１００、１００Ａ、１００Ｂ 回路基板
１１０ 配線基板
１５０ サーミスタ
２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ 発光装置
Ｄ 隙間の距離
Ｈ ポスト部の高さ
Ｔ 平板部の厚み
Ｗ 第１金属層の幅
１１、１１Ａ ポスト部
１２ 平板部
１５ 隙間
２０、２０ａ、２０Ａ 第２基板
２１ 基材
２２ 第１金属層
２２１ 第１金属層（環状の第１金属層）
２２２ 回路パターン
２３ ボンディングシート
２４ 第２金属層
２５ 開口部
３０ レジスト
４０ めっき層
４１ めっき層
４２ａ，４２ｂ めっき層
４３ａ，４３ｂ めっき層
４４ａ，４４ｂ めっき層
４５ａ，４５ｂ めっき層
５０、５０Ａ 発光部品
６０ ドライフィルム
６１ 露光した箇所のドライフィルム
６２ 露光した箇所以外のドライフィルム
７１ パッケージ
７２ 半導体レーザ素子
７３ サブマウント
７４ 光反射部材
７５ 保護素子
７６ ワイヤ
７７ 蓋部材
７８ 接着部
７９ レンズ部材
７９１ レンズ部
７９２ 支持板部
８０ 凹部
８１ 凹部の底面
８２ 凹部の内側面
８３ 段差部
８４ 下面
８５ 枠部
８６ 底部
８７ 金属膜
８８ 金属膜
１００、１００Ａ、１００Ｂ 回路基板
１１０ 配線基板
１５０ サーミスタ
２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ 発光装置
Ｄ 隙間の距離
Ｈ ポスト部の高さ
Ｔ 平板部の厚み
Ｗ 第１金属層の幅
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図15A】
【図15B】
【図16A】
【図16B】
【図17A】
【図17B】
【図17C】
【図18A】
【図18B】
【図18C】
【図18D】