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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-13
(45)【発行日】2023-12-21
(54)【発明の名称】発光装置の製造方法、および発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20231214BHJP
H05K 1/18 20060101ALI20231214BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
H05K1/18 J
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2020020799
(22)【出願日】2020-02-10
(65)【公開番号】P2021128950
(43)【公開日】2021-09-02
【審査請求日】2022-12-09
(73)【特許権者】
【識別番号】390022471
【氏名又は名称】アオイ電子株式会社
(73)【特許権者】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100123984
【弁理士】
【氏名又は名称】須藤 晃伸
(74)【代理人】
【識別番号】100102314
【弁理士】
【氏名又は名称】須藤 阿佐子
(72)【発明者】
【氏名】大西 憲貴
(72)【発明者】
【氏名】瀬戸 伸基
(72)【発明者】
【氏名】加藤 貴章
(72)【発明者】
【氏名】山下 良平
【審査官】八木 智規
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－１５２４１５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１２４７４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－７８１７１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／４３７３３（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００８－２８３１３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１４９４３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／１９８４９０（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ３３／００
Ｈ０１Ｌ ３３／４８－３３／６４
Ｈ０５Ｋ １／１８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の発光部がその射出面をおもて面に向けて配置され、複数の前記発光部に接続される複数の電極が裏面から露出するように形成されている基板を用意すること、前記基板の前記裏面に、前記電極の少なくとも一部に接続される、導電性ペーストを用いた配線を形成すること、
を備え、
前記基板に形成されている前記電極の位置情報を検出し、
前記位置情報に基づいて、前記配線の少なくとも一部を相互間の位置関係を変更して形成する、発光装置の製造方法。
【請求項2】
請求項１に記載の発光装置の製造方法において、前記電極の前記位置情報に基づいて、
前記配線の一部を相互間の位置関係を変更して形成するとともに、
前記一部以外の前記配線について相互間の位置関係を固定して形成する、
発光装置の製造方法。
【請求項3】
請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法において、前記基板の前記裏面に前記導電性ペーストを形成し、形成した前記導電性ペーストを焼結して、前記基板の前記裏面に前記配線を形成する、
発光装置の製造方法。
【請求項4】
複数の発光部がその射出面をおもて面に向けて配置され、複数の前記発光部に接続される複数の電極が裏面から露出するように形成されている基板を用意すること、
前記基板の前記裏面に、前記電極の少なくとも一部に接続される、導電性ペーストを用いた配線を形成すること、
を備え、
仮設基板上に前記導電性ペーストを形成し、形成した前記導電性ペーストを焼結して配線を形成し、
前記仮設基板上に形成された前記配線を前記基板の前記裏面に貼り合わせ、
前記仮設基板を、前記基板の前記裏面に貼り合わされた前記配線から剥離する、発光装置の製造方法。
【請求項5】
請求項４に記載の発光装置の製造方法において、前記仮設基板として、ステンレス製の基板を使用する、発光装置の製造方法。
【請求項6】
請求項４に記載の発光装置の製造方法において、前記仮設基板として、ガラス製の基板を使用する、発光装置の製造方法。
【請求項7】
請求項４から請求項６までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、前記配線を含む前記仮設基板上に、前記配線よりもエッチングレートの高い導電材料で導電層を形成し、
前記仮設基板の前記配線からの剥離後に、前記配線をマスクとして前記導電層をエッチングする、発光装置の製造方法。
【請求項8】
請求項３から請求項７までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、前記導電性ペーストの形成の少なくとも一部を、ディスペンサまたはインクジェットヘッドにより前記導電性ペーストを吐出することにより行う、発光装置の製造方法。
【請求項9】
請求項３に記載の発光装置の製造方法において、前記基板の前記裏面への前記導電性ペーストの形成は、
前記基板の前記裏面にレジストを形成し、
前記レジストの一部を除去して溝部を形成し、
前記レジストが除去された前記溝部に前記導電性ペーストを充填して行う、
発光装置の製造方法。
【請求項10】
請求項４から請求項７までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、前記仮設基板上への前記導電性ペーストの形成は、
前記仮設基板上にレジストを形成し、
前記レジストの一部を除去して溝部を形成し、
前記レジストが除去された前記溝部に前記導電性ペーストを充填して行う、
発光装置の製造方法。
【請求項11】
請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、前記基板として、樹脂材料を含む基板を使用する、発光装置の製造方法。
【請求項12】
請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、前記配線の少なくとも一部を覆う絶縁層を形成する、発光装置の製造方法。
【請求項13】
請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、前記配線を、少なくとも一部において絶縁層を介して多層に渡って形成する、発光装置の製造方法。
【請求項14】
請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、前記配線の厚さが、２０μｍ以下である、発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置の製造方法、および発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
樹脂上に複数の発光体を配置し、複数の発光体のうち隣り合う２つの発光体を配線で電気的に接続した発光装置が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１５－０５６６５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載された発光装置では、隣り合う２つの発光体を電気的に接続する配線は示されているが、その配線の具体的な形成方法は示されていない。
発光装置の低コスト化が求められており、それに伴って、発光装置の配線をより低コストで製造する方法が求められている。
発光装置の低コスト化が求められており、それに伴って、発光装置の配線をより低コストで製造する方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の第１の態様によると、発光装置の製造方法は、複数の発光部がその射出面をおもて面に向けて配置され、複数の前記発光部に接続された複数の電極が裏面から露出している基板を用意すること、前記基板の前記裏面に、前記電極の少なくとも一部に接続される、導電性ペーストを用いた配線を形成すること、を備える。
本発明の第２の態様によると、発光装置は、複数の発光部がその射出面をおもて面に向けて配置され、複数の前記発光部に接続される複数の電極が裏面から露出するように形成されている基板と、前記電極の少なくとも一部に接続されている、導電性ペーストにより形成された配線と、を備える。
本発明の第２の態様によると、発光装置は、複数の発光部がその射出面をおもて面に向けて配置され、複数の前記発光部に接続される複数の電極が裏面から露出するように形成されている基板と、前記電極の少なくとも一部に接続されている、導電性ペーストにより形成された配線と、を備える。
【発明の効果】
【0006】
本発明の製造方法によれば、複数の発光部を備える発光装置を低コストで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
（発光装置の一実施形態）
以下、図１（ａ）から図１（ｃ）を参照しつつ、一実施形態の発光装置１について説明する。図１（ａ）は発光装置１の斜視図である。図１（ａ）に示した通り、発光装置１は、基板２の中に、複数の発光部３が配置されたものである。一例として、基板２は長方形の平板であり、その長方形の各辺に平行な方向をＸ方向、およびＹ方向とする。また、Ｘ方向、およびＹ方向と直交する方向をＺ方向とする。図１（ａ）および以降の各図に矢印で示したＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、その矢印の指し示す方向を＋方向とする。また、以降の各図において、＋Ｘ方向、＋Ｙ方向、および＋Ｚ方向は、図１（ａ）における方向と、それぞれ同一の方向を示している。
以下、図１（ａ）から図１（ｃ）を参照しつつ、一実施形態の発光装置１について説明する。図１（ａ）は発光装置１の斜視図である。図１（ａ）に示した通り、発光装置１は、基板２の中に、複数の発光部３が配置されたものである。一例として、基板２は長方形の平板であり、その長方形の各辺に平行な方向をＸ方向、およびＹ方向とする。また、Ｘ方向、およびＹ方向と直交する方向をＺ方向とする。図１（ａ）および以降の各図に矢印で示したＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、その矢印の指し示す方向を＋方向とする。また、以降の各図において、＋Ｘ方向、＋Ｙ方向、および＋Ｚ方向は、図１（ａ）における方向と、それぞれ同一の方向を示している。
【0009】
以下では、基板２の＋Ｚ方向の端面を「おもて面」２ｆと呼ぶ。また、基板２の－Ｚ方向の端面を裏面２ｂと呼ぶ（図１（ｂ）等、参照）。
複数の発光部３は、発光部３から光が発光される面である射出面４が基板２のおもて面２ｆから露出するように配置されている。射出面４の形状は一例として長方形であり、発光部３は、一例としてＸ方向およびＹ方向に沿って２次元的に配列されている。
複数の発光部３は、発光部３から光が発光される面である射出面４が基板２のおもて面２ｆから露出するように配置されている。射出面４の形状は一例として長方形であり、発光部３は、一例としてＸ方向およびＹ方向に沿って２次元的に配列されている。
【0010】
図１（ｂ）は、発光装置１を裏面２ｂ側から見た平面図である。発光装置１の裏面２ｂには、それぞれの発光部３に電気的に接続されている電極５が露出している。なお、発光部３は裏面２ｂ側からは見えないが、図１（ｂ）では理解を容易にするために、発光部３を破線で示している。
【0011】
裏面２ｂ上には、電極５に電気的に接続され、電極５を介して発光部３に電力を供給するための配線７ａ、７ｂが形成されている。ここで、配線７ａは、発光装置１の外部に設けられている電源から発光部３に電力を供給するための配線であり、配線７ｂは、２つまたは３つ以上の発光部３を局所的に接続するための配線である。本明細書では、配線７ａと配線７ｂとを合せて、またはそれぞれを、配線７とも呼ぶ。
【0012】
図１（ｃ）は、図１（ｂ）に示した線分Ａにおける発光装置１の部分的な断面図（ＸＺ断面図）であり、基板２、発光部３、配線７ｂ、および配線７ａの断面を示している。
基板２は、一例としてシリコン樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂を主成分とするものであり、基板２の内部に複数の発光部３が含まれている。
基板２は、一例としてシリコン樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂を主成分とするものであり、基板２の内部に複数の発光部３が含まれている。
【0013】
発光部３は、一例として発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む発光素子１０と、発光素子１０に積層されているサファイア等の透明基板１１と、蛍光物質を含む蛍光層１２と、保護層１３とを含む。一実施形態の光源装置１においては、保護層１３の＋Ｚ側の面が、発光部３の射出面４となる。
【0014】
電極５は銅等の導電物質で形成されており、その－Ｚ側の端面は、基板２の裏面２ｂと面一となっている。
裏面２ｂ上には、上述のとおり、電極５に電気的に接続される配線７が形成されている。図１（ｂ）では図示を省略したが、裏面２ｂ上には、配線７の少なくとも一部を覆って、絶縁性の保護膜８が形成されている。保護膜８は、配線７の絶縁性を確保するとともに、配線７のマイグレーションによる短絡を防止する。ただし、配線７のマイグレーション耐性が十分な場合には、保護膜８は省略しても良い。
裏面２ｂ上には、上述のとおり、電極５に電気的に接続される配線７が形成されている。図１（ｂ）では図示を省略したが、裏面２ｂ上には、配線７の少なくとも一部を覆って、絶縁性の保護膜８が形成されている。保護膜８は、配線７の絶縁性を確保するとともに、配線７のマイグレーションによる短絡を防止する。ただし、配線７のマイグレーション耐性が十分な場合には、保護膜８は省略しても良い。
【0015】
図１（ｂ）および図１（ｃ）には、配線７が１層のみ示されているが、後述する製造方法において説明するように、配線７は２層以上の多層に渡って形成されていても良い。その場合には、多層の各配線７のそれぞれの層間の少なくとも一部には、絶縁層としての保護膜８が配置される。
【0016】
一実施形態の発光装置１においては、配線７は、導電性ペーストを用いて形成された配線である。導電性ペーストは、高分子バインダー中に金属やカーボンブラック等の導体からなる粉体（フィラー）を分散させたものである。配線７を形成するために使用する導電性ペーストとして、例えば、銀フィラーを含む銀ペースト、銅フィラーを含む銅ペースト、金フィラーを含む金ペースト、またはアルミニウムフィラーを含むアルミニウムペーストを使用することができる。
【0017】
一実施形態の発光装置１においては、配線７を、一例として、基板２上の所定の位置に導電性ペーストを形成し、加熱により導体であるフィラーを焼結させたものとすることができる。なお、後述する各種の配線７の形成方法により、発光装置１の各種の変形例を構成する。
【0018】
一方、従来においては、微細な配線はリソグラフィ法により形成されていた。すなわち、配線を形成すべき基板の全面に金属等の導体の膜を形成した後、導体の膜から不要な部分を除去し、必要な部分を残存させることにより配線を形成していた。従って、従来においては、最終的に配線として使用される量よりも遥かに多い量の導体が必要とされていた。また、基板２を構成する樹脂は薬品処理の影響を受けやすい為、リソグラフィ法におけるエッチング処理に際しては樹脂を保護するための処理が必要になり、さらに工程が増え、コストが増加する事となる。
【0019】
一実施形態の発光装置１においては、配線７が導電性ペーストにより形成されているので、配線７を形成するために必要な金属等の導体の量、および必要となる工程数を、従来に比べて削減することができる。従って、配線７の形成における生産コストを低減することができる。
【0020】
また、配線７が導電性ペーストにより形成されていることにより、配線７の厚さ（Ｚ方向のサイズ）を薄くすることができる。これにより、光源装置１の全体の厚さを薄くすることもできる。
一方、従来のリソグラフィにより形成した配線層全体のＺ方向の厚さは、配線層が２層構成であれば５０～６０μｍ程度となってしまい、従来においては、光源装置を十分に薄くすることは難しかった。
一方、従来のリソグラフィにより形成した配線層全体のＺ方向の厚さは、配線層が２層構成であれば５０～６０μｍ程度となってしまい、従来においては、光源装置を十分に薄くすることは難しかった。
【0021】
一実施形態の発光装置１においては、配線７が導電性ペーストにより形成されているので、配線７の１層あたりの厚さを、１０μｍ以下まで薄くすることができる。保護膜８の厚さを含めても２０μｍ以下であり、配線層が２層構成であれば３０μｍ以下となる。従って、仮に配線７を４層に渡って形成するとした場合でも、４層の配線７と保護膜８の全体としての厚さは１００μｍ以下にすることができ、光源装置を十分に薄くすることができる。
【0022】
（一実施形態の発光装置の効果）
（１）一実施形態の発光装置は、複数の発光部３の射出面４がおもて面２ｆから露出するように配置され、複数の発光部３に接続された複数の電極５が裏面２ｂから露出している基板２と、電極５の少なくとも一部に接続されている、導電性ペーストにより形成された配線７と、を備えている。
この構成により、配線７を形成するために必要な金属等の導体の量を従来に比べて削減することができ、低コストの光源装置１を実現できる。
（１）一実施形態の発光装置は、複数の発光部３の射出面４がおもて面２ｆから露出するように配置され、複数の発光部３に接続された複数の電極５が裏面２ｂから露出している基板２と、電極５の少なくとも一部に接続されている、導電性ペーストにより形成された配線７と、を備えている。
この構成により、配線７を形成するために必要な金属等の導体の量を従来に比べて削減することができ、低コストの光源装置１を実現できる。
【0023】
【0024】
（工程１）
複数の発光部３の射出面４がおもて面２ｆから露出するように配置され、複数の発光部３に接続される複数の電極５が裏面２ｂから露出するように形成されている基板２を用意する。すなわち、用意すべき基板２は、図１（ａ）から図１（ｃ）に示した一実施形態の発光装置１に対して、配線７および保護膜８が形成されていない基板である。
複数の発光部３の射出面４がおもて面２ｆから露出するように配置され、複数の発光部３に接続される複数の電極５が裏面２ｂから露出するように形成されている基板２を用意する。すなわち、用意すべき基板２は、図１（ａ）から図１（ｃ）に示した一実施形態の発光装置１に対して、配線７および保護膜８が形成されていない基板である。
【0025】
図２（ａ）は、用意すべき基板２についての、図１（ｂ）の線分ＡにおけるＸＺ断面を表す図である。なお、図２（ａ）は、上述の図１（ｃ）とは上下方向（Ｚ方向）を反転して示している。
図１（ｃ）に示した一実施形態の発光装置１とは異なり、図２（ａ）に示した基板２には、配線７および保護膜８は、まだ形成されていない。
なお、基板２は、例えば、電極５が形成された複数の発光部３を、射出面４を＋Ｚ方向に向けて同一面内（ＸＹ面内）に並べ、それらを一括して樹脂でモールドすることで形成することができる。
図１（ｃ）に示した一実施形態の発光装置１とは異なり、図２（ａ）に示した基板２には、配線７および保護膜８は、まだ形成されていない。
なお、基板２は、例えば、電極５が形成された複数の発光部３を、射出面４を＋Ｚ方向に向けて同一面内（ＸＹ面内）に並べ、それらを一括して樹脂でモールドすることで形成することができる。
【0026】
（工程２）
図２（ｂ）に示したように、基板２の裏面２ｂ上の、配線７を形成するべき位置に、導電性ペースト６ａ、６ｂを形成する。導電性ペースト６ａは、後述する焼結により配線７ａとなる部分であり、導電性ペースト６ｂは配線７ｂとなる部分である。導電性ペースト６ａと導電性ペースト６ｂとを合せて、またはそれぞれを、導電性ペースト６とも呼ぶ。
導電性ペーストとして、前述のとおり、金ペースト、銀ペースト、または銅ペースト等を使用することができる。
図２（ｂ）に示したように、基板２の裏面２ｂ上の、配線７を形成するべき位置に、導電性ペースト６ａ、６ｂを形成する。導電性ペースト６ａは、後述する焼結により配線７ａとなる部分であり、導電性ペースト６ｂは配線７ｂとなる部分である。導電性ペースト６ａと導電性ペースト６ｂとを合せて、またはそれぞれを、導電性ペースト６とも呼ぶ。
導電性ペーストとして、前述のとおり、金ペースト、銀ペースト、または銅ペースト等を使用することができる。
【0027】
基板２の裏面２ｂ上への導電性ペーストの形成は、一例として、スクリーン印刷により、裏面２ｂの全面に渡って一度に導電性ペースト６を印刷して形成する。裏面２ｂの全面に渡って一度に印刷することにより、速い処理速度で導電性ペースト６を形成することができる。
【0028】
なお、導電性ペースト６は、基板２の裏面２ｂに形成されている複数の電極５の少なくとも一部に位置整合して形成する必要がある。従って、スクリーン印刷等による導電性ペースト６の形成に先立ち、例えば光学式の位置検出装置により複数の電極５のＸ方向およびＹ方向の位置を、パターンマッチング等の手法を用いて検出しておく。そして、検出された位置情報に基づいて、電極５の位置に合せて導電性ペースト６を形成する。光学式の位置検出装置およびパターンマッチング等の手法については、公知の技術を用いれば良いので説明を省略する。
【0029】
（工程３）
基板２の裏面２ｂ上に形成した導電性ペースト６を焼結して、配線７とする。図２（ｃ）は、導電性ペースト６が焼結されることにより、裏面２ｂ上に配線７が形成された状態を示している。焼結は、基板２および導電性ペースト６を２００℃～３００℃程度に加熱することにより行う。導電性ペーストとして銀ペーストを使用する場合には、焼結温度は２００℃以下でも良い。
基板２の裏面２ｂ上に形成した導電性ペースト６を焼結して、配線７とする。図２（ｃ）は、導電性ペースト６が焼結されることにより、裏面２ｂ上に配線７が形成された状態を示している。焼結は、基板２および導電性ペースト６を２００℃～３００℃程度に加熱することにより行う。導電性ペーストとして銀ペーストを使用する場合には、焼結温度は２００℃以下でも良い。
【0030】
（工程４）
配線７が形成された基板２の裏面２ｂ上に、配線７の少なくとも一部を覆う保護膜８を形成する。図２（ｄ）は、保護膜８が形成された基板２を示している。保護膜８は、例えば、絶縁性の樹脂を貼り付けて、または印刷することにより形成する。
以上の工程により、一実施形態の発光装置１が完成する。
配線７が形成された基板２の裏面２ｂ上に、配線７の少なくとも一部を覆う保護膜８を形成する。図２（ｄ）は、保護膜８が形成された基板２を示している。保護膜８は、例えば、絶縁性の樹脂を貼り付けて、または印刷することにより形成する。
以上の工程により、一実施形態の発光装置１が完成する。
【0031】
（発光装置の製造方法の第１実施形態の効果）
（２）第１実施形態の製造方法は、複数の発光部３がその射出面４をおもて面２ｆに向けて配置され、複数の発光部３に接続される複数の電極５が裏面２ｂから露出するように形成されている基板２を用意すること、基板２の裏面２ｂに、電極５の少なくとも一部に接続される、導電性ペースト６を用いた配線７を形成すること、を備えている。
この構成により、配線７の形成に必要な金属等の導電材料の使用量を削減することができ、低コストで配線７を形成することができ、発光装置１を低コストで製造することができる。
（３）さらに、基板２の裏面２ｂに導電性ペースト６を形成し、形成した導電性ペースト６を焼結して、基板２の裏面２ｂに配線７を形成することにより、製造工程を簡素化しつつ、かつ低コストで発光装置１を製造することができる。
（２）第１実施形態の製造方法は、複数の発光部３がその射出面４をおもて面２ｆに向けて配置され、複数の発光部３に接続される複数の電極５が裏面２ｂから露出するように形成されている基板２を用意すること、基板２の裏面２ｂに、電極５の少なくとも一部に接続される、導電性ペースト６を用いた配線７を形成すること、を備えている。
この構成により、配線７の形成に必要な金属等の導電材料の使用量を削減することができ、低コストで配線７を形成することができ、発光装置１を低コストで製造することができる。
（３）さらに、基板２の裏面２ｂに導電性ペースト６を形成し、形成した導電性ペースト６を焼結して、基板２の裏面２ｂに配線７を形成することにより、製造工程を簡素化しつつ、かつ低コストで発光装置１を製造することができる。
【0032】
（発光装置の製造方法の変形例１）
以下、変形例１について説明する。変形例１は、その大部分が上述の第１実施形態と共通する。従って、以下では第１実施形態と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
以下、変形例１について説明する。変形例１は、その大部分が上述の第１実施形態と共通する。従って、以下では第１実施形態と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
【0033】
第１実施形態においては、工程２において、スクリーン印刷等の、導電性ペースト６を裏面２ｂの全面に渡って一度に形成する方法を用いた。
これに対し、製造方法の変形例１では、基板２に向かって導電性ペースト６を吐出するディスペンサを使用して、基板２の裏面２ｂ上に導電性ペースト６を形成する。この場合、１つのディスペンサを基板２に対して２次元的に相対走査しつつ導電性ペースト６を吐出しても良い。または、複数のディスペンサを基板２に対して２次元的に相対走査しつつ導電性ペースト６を吐出しても良い。また、多数のディスペンサを含む、いわゆるインクジェットプリンタヘッドを基板２に対して１次元的に、または２次元的に相対走査しつつ導電性ペースト６を吐出しても良い。
これに対し、製造方法の変形例１では、基板２に向かって導電性ペースト６を吐出するディスペンサを使用して、基板２の裏面２ｂ上に導電性ペースト６を形成する。この場合、１つのディスペンサを基板２に対して２次元的に相対走査しつつ導電性ペースト６を吐出しても良い。または、複数のディスペンサを基板２に対して２次元的に相対走査しつつ導電性ペースト６を吐出しても良い。また、多数のディスペンサを含む、いわゆるインクジェットプリンタヘッドを基板２に対して１次元的に、または２次元的に相対走査しつつ導電性ペースト６を吐出しても良い。
【0034】
ディスペンサまたはインクジェットプリンタヘッドを使用して導電性ペースト６を形成する場合、相対走査における吐出のタイミング等を変更することにより、基板２上の導電性ペースト６の位置、すなわち配線７の位置を自由に変更することができる。換言すれば、基板２上の複数の導電性ペースト６、すなわち複数の配線７は、相互間の位置関係が設計上の位置関係に対して変更されて形成される。相互間の位置関係の設計値に対する変更は、複数の導電性ペースト６の各位置を全体として一様に伸縮するもの（スケーリング）であっても良く、複数の導電性ペースト６の各位置をランダムに変更するものであっても良い。
従って、仮に基板２が熱収縮等の理由で全体的に、または局所的に変形し、電極５が設計上の位置からずれている場合であっても、検出された電極５の位置に合わせて導電性ペースト６の吐出位置を補正することにより、電極５に正確に位置整合させて配線７を形成できる。
従って、仮に基板２が熱収縮等の理由で全体的に、または局所的に変形し、電極５が設計上の位置からずれている場合であっても、検出された電極５の位置に合わせて導電性ペースト６の吐出位置を補正することにより、電極５に正確に位置整合させて配線７を形成できる。
【0035】
配線７に対応する導電性ペースト６の相互間の位置関係の変更は、基板２上の複数の導電性ペースト６の位置（配置の間隔）を全体として一様に伸縮させるものであっても良く、複数の導電性ペースト６を個別に局所的に変位させるものであっても良い。
【0036】
局所的に変形している基板２に対しては、複数の導電性ペースト６のそれぞれを局所的に変位させて形成することにより、導電性ペースト６を基板２上の電極５のそれぞれに正確に位置整合させて形成することができる。
この場合、多数の電極５、例えば全ての電極５の２割程度以上の電極５の位置を検出し、検出結果に基づいて電極５の変位に関する情報を算出し、算出した情報に基づいてそれぞれの導電性ペースト６を局所的に変位させ、各電極５に位置整合させて形成しても良い。
この場合、多数の電極５、例えば全ての電極５の２割程度以上の電極５の位置を検出し、検出結果に基づいて電極５の変位に関する情報を算出し、算出した情報に基づいてそれぞれの導電性ペースト６を局所的に変位させ、各電極５に位置整合させて形成しても良い。
【0037】
一方、上述の第１実施形態のように、スクリーン印刷等で一括して導電性ペースト６を形成する場合には、形成する導電性ペースト６の各位置が使用するスクリーンマスクにより固定されており、位置関係を変更できない。従って、スクリーン印刷等で一括して導電性ペースト６を形成する場合には、基板２が不規則に変形してしまうと、基板２上に配置されている電極５の全てに対して、配線７を正確に位置整合させて形成することが難しくなる。
【0038】
（発光装置の製造方法の変形例１の効果）
（４）変形例１は、上述の第１実施形態においてさらに、第１基板２に形成されている電極５の位置情報を検出し、位置情報に基づいて、配線７の少なくとも一部を相互間の位置関係を変更して形成する。
この構成により、基板２上の各部分で配線７を電極５に正確に位置整合させて形成することができる。
（４）変形例１は、上述の第１実施形態においてさらに、第１基板２に形成されている電極５の位置情報を検出し、位置情報に基づいて、配線７の少なくとも一部を相互間の位置関係を変更して形成する。
この構成により、基板２上の各部分で配線７を電極５に正確に位置整合させて形成することができる。
【0039】
（発光装置の製造方法の変形例２）
以下、変形例２について説明する。変形例２は、その大部分が上述の変形例１と共通する。従って、以下では変形例１と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
以下、変形例２について説明する。変形例２は、その大部分が上述の変形例１と共通する。従って、以下では変形例１と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
【0040】
変形例２においては、配線７のうち、高い位置精度が要求される部分についてはディスペンサまたはインクジェットプリンタヘッドを使用して導電性ペースト６を形成する。一方で、配線７のうち要求される位置精度がそれほど高くない部分についてはスクリーン印刷等により一括して導電性ペースト６を形成する。
【0041】
図３（ａ）～図３（ｃ）は、発光装置の製造方法の変形例２における導電性ペースト６の形成工程を示す図であり、基板２を裏面２ｂ側から見た図である。
製造方法の変形例２においては、上述の第１実施形態における工程２に相当する工程において、第１実施形態と同様に、図３（ａ）に示したように基板２の裏面２ｂに形成されている電極５の、Ｘ方向およびＹ方向の位置を検出する。
製造方法の変形例２においては、上述の第１実施形態における工程２に相当する工程において、第１実施形態と同様に、図３（ａ）に示したように基板２の裏面２ｂに形成されている電極５の、Ｘ方向およびＹ方向の位置を検出する。
【0042】
電極５の位置の検出結果に基づいて、図３（ｂ）に示したように、電極５と接続する部分等の高い位置精度が要求される部分に、ディスペンサまたはインクジェットプリンタヘッドを使用して、導電性ペースト６ｂ、６ｃを電極５と位置整合させて形成する。
続いて、要求される位置精度がそれほど高くない部分に、スクリーン印刷等により一括して導電性ペースト６ｄを形成する。なお、導電性ペースト６ｄの一部は、先に形成した導電性ペースト６ｃと重なり、導電性ペースト６ｃと導電性ペースト６ｄとは一体となって、導電性ペースト６ａを構成する。
続いて、要求される位置精度がそれほど高くない部分に、スクリーン印刷等により一括して導電性ペースト６ｄを形成する。なお、導電性ペースト６ｄの一部は、先に形成した導電性ペースト６ｃと重なり、導電性ペースト６ｃと導電性ペースト６ｄとは一体となって、導電性ペースト６ａを構成する。
【0043】
導電性ペースト６ｄの形成の後、導電性ペースト６（６ａ～６ｄ）を焼結して、図１（ｂ）に示したものと同様の配線７を形成する。
なお、一括形成による導電性ペースト６ｄを先に形成し、ディスペンサまたはインクジェットプリンタヘッドによる導電性ペースト６ｂ、６ｃを後に形成しても良い。
また、先に形成した導電性ペースト６ｂ、６ｃまたは導電性ペースト６ｄを焼結した後に、後から導電性ペースト６ｄまたは導電性ペースト６ｂ、６ｃを形成してこれを焼結しても良い。
なお、一括形成による導電性ペースト６ｄを先に形成し、ディスペンサまたはインクジェットプリンタヘッドによる導電性ペースト６ｂ、６ｃを後に形成しても良い。
また、先に形成した導電性ペースト６ｂ、６ｃまたは導電性ペースト６ｄを焼結した後に、後から導電性ペースト６ｄまたは導電性ペースト６ｂ、６ｃを形成してこれを焼結しても良い。
【0044】
（発光装置の製造方法の変形例２の効果）
（５）変形例２は、上述の変形例１においてさらに、電極５の位置情報に基づいて配線７の一部（導電性ペースト６ｂ、６ｃに対応する部分）を相互間の位置関係を変更して形成するとともに、一部以外の配線７（導電性ペースト６ｄに対応する部分）について相互間の位置関係を固定して形成する。
この構成により、高い処理能力と高い位置整合精度を併せ持った製造方法を実現できる。
（５）変形例２は、上述の変形例１においてさらに、電極５の位置情報に基づいて配線７の一部（導電性ペースト６ｂ、６ｃに対応する部分）を相互間の位置関係を変更して形成するとともに、一部以外の配線７（導電性ペースト６ｄに対応する部分）について相互間の位置関係を固定して形成する。
この構成により、高い処理能力と高い位置整合精度を併せ持った製造方法を実現できる。
【0045】
（発光装置の製造方法の変形例３）
以下、変形例３について説明する。変形例３は、その大部分が上述の第１実施形態と共通する。従って、以下では第１実施形態と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
以下、変形例３について説明する。変形例３は、その大部分が上述の第１実施形態と共通する。従って、以下では第１実施形態と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
【0046】
図４（ａ）～図４（ｃ）は、変形例３における、導電性ペースト６の形成工程を示す図であり、基板２の断面図を示す。
変形例３においては、第１実施形態における工程２に相当する工程において、図４（ａ）に示すように、始めに基板２の裏面２ｂ上にレジスト９を形成する。レジスト９は、ドライフィルムレジストをラミネート加工等により貼り付けたものであっても良く、スピンコートまたはスプレーコートにより塗布したものであっても良い。
変形例３においては、第１実施形態における工程２に相当する工程において、図４（ａ）に示すように、始めに基板２の裏面２ｂ上にレジスト９を形成する。レジスト９は、ドライフィルムレジストをラミネート加工等により貼り付けたものであっても良く、スピンコートまたはスプレーコートにより塗布したものであっても良い。
【0047】
続いて、レジスト９越しに裏面２ｂ上の電極５の位置を検出し、検出した電極５の位置情報に基づいてレジスト９の一部に露光を行い、レジスト９の一部を除去する。
図４（ｂ）は、一部が除去されたレジスト９を示す図であり、溝部９ｏはレジスト９が除去された部分である。溝部９ｏは、露光後の現像によりレジスト９が除去された部分であっても良く、露光によりレジスト９が昇華されて除去された部分であっても良い。
図４（ｂ）は、一部が除去されたレジスト９を示す図であり、溝部９ｏはレジスト９が除去された部分である。溝部９ｏは、露光後の現像によりレジスト９が除去された部分であっても良く、露光によりレジスト９が昇華されて除去された部分であっても良い。
【0048】
図４（ｃ）に示したように、レジスト９が除去された部分である溝部９ｏに、導電性ペースト６を充填する。この場合、レジスト９で覆われた基板２の裏面２ｂの全面に導電性ペースト６を塗布することにより、導電性ペースト６を溝部９ｏに充填することができる。なお、裏面２ｂに塗布され溝部９ｏに充填されなかった導電性ペースト６は、回収され、他の基板２の溝部９ｏへの充填に再利用される。
【0049】
続いて、上述の第１実施形態の工程３と同様に、基板２を加熱して導電性ペースト６を焼結し、配線７（図４（ｃ）に不図示）を形成する。その後、レジスト９を除去することにより、上述の図２（ｃ）と同様に、裏面２ｂ上に配線７が形成される。
【0050】
なお、溝部９ｏを形成するためのレジスト９への露光においては、上述の変形例１と同様に、基板２の変形に伴う電極５の位置の変位に応じて、溝部９ｏの少なくとも一部について相互間の位置関係を変更して露光を行っても良い。このために、レーザービームスキャン型の露光装置や、マルチミラーデバイス等の可変整形マスクを用いた露光装置を用いて、レジスト９への露光を行っても良い。これにより、基板２が変形している場合であっても、基板２上の各部分で、溝部９ｏを電極５に正確に位置整合させることで、配線７を正確に形成することができる。
【0051】
また、上述の変形例２と同様に、高い位置精度が必要な配線７に対応する溝部９ｏについてはレーザービームスキャン型の露光装置を用い、高い位置精度が不要な配線７に対応する溝部９ｏについては、固定マスクを使用する露光装置を用いて露光を行っても良い。
なお、レジスト９を除去する前に、レジスト９上に残存する恐れのある導電性ペースト６を研磨により除去しても良い。
なお、レジスト９として、ＡＢＦフィルム等のいわゆる永久レジストを使用する場合には、レジスト９の除去は不要である。
なお、レジスト９を除去する前に、レジスト９上に残存する恐れのある導電性ペースト６を研磨により除去しても良い。
なお、レジスト９として、ＡＢＦフィルム等のいわゆる永久レジストを使用する場合には、レジスト９の除去は不要である。
【0052】
（発光装置の製造方法の変形例３の効果）
（６）変形例３は、上述の第１実施形態においてさらに、基板２の裏面２ｂへの導電性ペースト６の形成を、基板２の裏面２ｂにレジスト９を形成し、レジスト９の一部を除去して溝部９ｏを形成し、レジスト９が除去された溝部９ｏに導電性ペースト６を充填して行う。
この構成により、高速処理が可能な光露光技術を用いて、導電性ペースト６を基板２の裏面２ｂに直接吐出することなく、基板２上に導電性ペースト６および配線７を高い処理能力で形成することができる。
（６）変形例３は、上述の第１実施形態においてさらに、基板２の裏面２ｂへの導電性ペースト６の形成を、基板２の裏面２ｂにレジスト９を形成し、レジスト９の一部を除去して溝部９ｏを形成し、レジスト９が除去された溝部９ｏに導電性ペースト６を充填して行う。
この構成により、高速処理が可能な光露光技術を用いて、導電性ペースト６を基板２の裏面２ｂに直接吐出することなく、基板２上に導電性ペースト６および配線７を高い処理能力で形成することができる。
【0053】
（発光装置の製造方法の変形例４）
以下、変形例４について、図５（ａ）～図５（ｄ）を参照して説明する。変形例４は、その大部分が上述の第１実施形態と共通する。従って、以下では第１実施形態と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
以下、変形例４について、図５（ａ）～図５（ｄ）を参照して説明する。変形例４は、その大部分が上述の第１実施形態と共通する。従って、以下では第１実施形態と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
【0054】
【0055】
図５（ａ）の保護膜８ａには図２（ｄ）の保護膜８と異なり、配線７ａの一部に対応する位置に開口１５ｏが形成されている。上述の図２（ｃ）に示した基板２に対し、絶縁性の樹脂である保護膜８ａを部分的に印刷することにより、図５（ａ）に示した基板２を形成することができる。
【0056】
図５（ｂ）に示したように、図５（ａ）に示した基板２の保護膜８ａの上に、配線７ｅを形成する。配線７ｅの一部は開口１５ｏ内に充填され、配線７ａと電気的に接合するように形成する。配線７ｅは、上述した各種の形成方法を用いて導電性ペースト６（図５（ｂ）には不図示）を形成し、これを焼結することにより形成することができる。
【0057】
続いて、図５（ｃ）に示したように、配線７ｅおよび保護膜８ａの上に、絶縁性の樹脂である保護膜８ｂを部分的に印刷する。この印刷においては、配線７eの対応する位置に開口１６ｏを形成する。
その後、図５（ｄ）に示したように、開口１６ｏ内に、配線７ｆを形成する。配線７ｆの形成も、上述した各種の形成方法を用いて導電性ペースト６（図５（ｄ）には不図示）を形成し、これを焼結することにより形成することができる。
その後、図５（ｄ）に示したように、開口１６ｏ内に、配線７ｆを形成する。配線７ｆの形成も、上述した各種の形成方法を用いて導電性ペースト６（図５（ｄ）には不図示）を形成し、これを焼結することにより形成することができる。
【0058】
開口１５ｏは、配線７ａではなく配線７ｂの対応する位置に形成されていても良く、配線７ａおよび配線７ｂの対応する位置に形成されていても良い。
配線７ａ、７ｂと配線７ｅとの２層の配線の間に形成する保護膜８ａとして、吸湿による変形等を防止するために、吸湿性の少ないエポキシ樹脂を用いても良い。
なお、図５（ａ）～図５（ｄ）には、配線７ａ、７ｂと、配線７ｅからなる２層配線を示しているが、保護膜８ｂ上に、さらに配線および保護膜を積層して形成することにより、３層以上に積層された配線を形成することもできる。
配線７ａ、７ｂと配線７ｅとの２層の配線の間に形成する保護膜８ａとして、吸湿による変形等を防止するために、吸湿性の少ないエポキシ樹脂を用いても良い。
なお、図５（ａ）～図５（ｄ）には、配線７ａ、７ｂと、配線７ｅからなる２層配線を示しているが、保護膜８ｂ上に、さらに配線および保護膜を積層して形成することにより、３層以上に積層された配線を形成することもできる。
【0059】
（発光装置の製造方法の変形例４の効果）
（７）変形例４は、上述の発光装置の第１実施形態においてさらに、配線７（７ａ～７ｆ）を、少なくとも一部において絶縁層（保護膜８ａ）を介して多層に渡って形成する。
この構成により、発光部３への配線の自由度の高い多層配線を低コストで製造することができる。
（７）変形例４は、上述の発光装置の第１実施形態においてさらに、配線７（７ａ～７ｆ）を、少なくとも一部において絶縁層（保護膜８ａ）を介して多層に渡って形成する。
この構成により、発光部３への配線の自由度の高い多層配線を低コストで製造することができる。
【0060】
（発光装置の製造方法の第２実施形態）
以下、図６および図７を参照して、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、その大部分が上述の第１実施形態と共通する。従って、以下では第１実施形態と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
以下、図６および図７を参照して、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、その大部分が上述の第１実施形態と共通する。従って、以下では第１実施形態と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
【0061】
第１実施形態においては、基板２の裏面２ｂに導電性ペースト６を直接形成し、形成した導電性ペースト６を焼結することにより、配線７を形成している。
これに対し、第２実施形態においては、仮設基板上に配線７および保護膜８を形成した後、仮設基板上に形成した配線７および保護膜８を、基板２の裏面２ｂに貼り付けることにより、基板２の配線７を形成する。
これに対し、第２実施形態においては、仮設基板上に配線７および保護膜８を形成した後、仮設基板上に形成した配線７および保護膜８を、基板２の裏面２ｂに貼り付けることにより、基板２の配線７を形成する。
【0062】
第２実施形態においても、上述の工程１における基板２の用意については、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
第２実施形態においては、第１実施形態における工程２から工程４に代えて、以下の工程２Ａから工程８Ａを実行する。
第２実施形態においては、第１実施形態における工程２から工程４に代えて、以下の工程２Ａから工程８Ａを実行する。
【0063】
（工程２Ａ）
図６（ａ）は、工程８Ａにおいて基板２と貼り合わせる際に、基板２における図１（ｂ）の線分Ａの部分と貼り合わされる仮設基板２０の一部分のＸＺ断面を表す図である。
一例としてステンレス製の仮設基板２０を用意する。仮設基板２０は、基板２と同様に、ＸＹ平面に沿って広がる平面を有する基板であり、そのＸ方向およびＹ方向のサイズは、基板２と概ね等しい。
図６（ａ）は、工程８Ａにおいて基板２と貼り合わせる際に、基板２における図１（ｂ）の線分Ａの部分と貼り合わされる仮設基板２０の一部分のＸＺ断面を表す図である。
一例としてステンレス製の仮設基板２０を用意する。仮設基板２０は、基板２と同様に、ＸＹ平面に沿って広がる平面を有する基板であり、そのＸ方向およびＹ方向のサイズは、基板２と概ね等しい。
【0064】
（工程３Ａ）
図６（ａ）に示したように、仮設基板２０上に、上述した各種の形成方法を用いて、導電性ペースト６ｈを形成する。そして、仮設基板２０を加熱して、導電性ペースト６ｈを焼結し、配線７ｈとする。以降の配線７ａ、７ｂ、７ｇ、７ｆについても同様に、仮設基板２０上に導電性ペーストを形成し、導電性ペーストを焼結することにより形成する。
図６（ａ）に示したように、仮設基板２０上に、上述した各種の形成方法を用いて、導電性ペースト６ｈを形成する。そして、仮設基板２０を加熱して、導電性ペースト６ｈを焼結し、配線７ｈとする。以降の配線７ａ、７ｂ、７ｇ、７ｆについても同様に、仮設基板２０上に導電性ペーストを形成し、導電性ペーストを焼結することにより形成する。
【0065】
（工程４Ａ）
図６（ｂ）に示したように、仮設基板２０上に保護膜８ｃを形成する。保護膜８ｃの厚さは、配線７ｈの上端（＋Ｚ方向の端部）が保護膜８ｃから露出する厚さとする。保護膜８ｃについても、上述の保護膜８ａと同様に、樹脂を印刷することにより形成しても良い。
図６（ｂ）に示したように、仮設基板２０上に保護膜８ｃを形成する。保護膜８ｃの厚さは、配線７ｈの上端（＋Ｚ方向の端部）が保護膜８ｃから露出する厚さとする。保護膜８ｃについても、上述の保護膜８ａと同様に、樹脂を印刷することにより形成しても良い。
【0066】
（工程５Ａ）
図６（ｃ）に示したように、保護膜８ｃ上および配線７ｈ上に、不図示の導電性ペーストを用いて配線７ｇおよび配線７ｆを形成する。
図６（ｃ）に示したように、保護膜８ｃ上および配線７ｈ上に、不図示の導電性ペーストを用いて配線７ｇおよび配線７ｆを形成する。
【0067】
（工程６Ａ）
図６（ｄ）に示したように、配線７ｇおよび保護膜８ｃ上に、保護膜８ｂを形成する。保護膜８ｂの厚さは、配線７ｆの上端（＋Ｚ方向の端部）が保護膜８ｂから露出する厚さとする。さらに、図６（ｄ）に示したように、保護膜８ｂ上および配線７ｆ上に、不図示の導電性ペーストを用いて配線７ａおよび配線７ｂを形成する。
図６（ｄ）に示したように、配線７ｇおよび保護膜８ｃ上に、保護膜８ｂを形成する。保護膜８ｂの厚さは、配線７ｆの上端（＋Ｚ方向の端部）が保護膜８ｂから露出する厚さとする。さらに、図６（ｄ）に示したように、保護膜８ｂ上および配線７ｆ上に、不図示の導電性ペーストを用いて配線７ａおよび配線７ｂを形成する。
【0068】
（工程７Ａ）
図７（ａ）に示したように、保護膜８ｂ上に、保護膜８ａを形成する。保護膜８ａの厚さは、配線７ａ、７ｂの上端（＋Ｚ方向の端部）が保護膜８ａから露出する厚さとする。
図７（ａ）に示したように、保護膜８ｂ上に、保護膜８ａを形成する。保護膜８ａの厚さは、配線７ａ、７ｂの上端（＋Ｚ方向の端部）が保護膜８ａから露出する厚さとする。
【0069】
（工程８Ａ）
図７（ｂ）に示したように、基板２の裏面２ｂに、工程７Ａまでが終了した仮設基板２０を貼り付ける。基板２への貼り付けに際しては、仮設基板２０の配線７ａ、７ｂと、基板２上の対応する電極５とを位置を整合させて、導電性のフィルム、あるいは導電性の接着ペーストを用いて貼り合わせる。
図７（ｂ）に示したように、基板２の裏面２ｂに、工程７Ａまでが終了した仮設基板２０を貼り付ける。基板２への貼り付けに際しては、仮設基板２０の配線７ａ、７ｂと、基板２上の対応する電極５とを位置を整合させて、導電性のフィルム、あるいは導電性の接着ペーストを用いて貼り合わせる。
【0070】
（工程９Ａ）
図７（ｂ）に示した仮設基板２０が貼り合わされた基板２から、配線７ａ～７ｆおよび保護膜８ａ～８ｃを基板２に残して、仮設基板２０を剥離する。仮設基板２０が剥離された状態の基板２を図７（ｃ）に示す。
図７（ｂ）に示した仮設基板２０が貼り合わされた基板２から、配線７ａ～７ｆおよび保護膜８ａ～８ｃを基板２に残して、仮設基板２０を剥離する。仮設基板２０が剥離された状態の基板２を図７（ｃ）に示す。
【0071】
以上の工程１、および工程２Ａから工程９Ａにより、図１に示した一実施形態の発光装置１を製造することができる。
なお、第２実施形態においては、２層配線の配線７ａ～７ｈを形成するが、配線７ｇ、７ｈおよび保護膜８ｃの形成を省略することにより、上記の製造方法の第１実施形態と同様に、配線が１層である発光装置１を製造しても良い。
あるいは、仮設基板２０上に、配線および保護膜をさらに積層して形成することにより、３層以上の配線を有する発光装置１を製造しても良い。
なお、第２実施形態においては、２層配線の配線７ａ～７ｈを形成するが、配線７ｇ、７ｈおよび保護膜８ｃの形成を省略することにより、上記の製造方法の第１実施形態と同様に、配線が１層である発光装置１を製造しても良い。
あるいは、仮設基板２０上に、配線および保護膜をさらに積層して形成することにより、３層以上の配線を有する発光装置１を製造しても良い。
【0072】
第２実施形態では、基板２上で導電性ペースト６ｈ等を焼結しないため、基板２を２００℃程度まで加熱する必要が無い。このため、製造工程における基板２に対しての、熱変形などの悪影響を防止できる。
【0073】
仮設基板２０の剥離は、一例として、仮設基板２０を配線７ｈおよび保護膜８ｆから機械的に引き剥がすことにより行う。このために、仮設基板２０は、配線７ｈを構成する導体ペーストの焼結体、および保護膜８ｃを構成する樹脂等との接合力が弱く、かつ機械的強度の強い材質からなる基板を使用することが好ましい。この条件を満たす仮設基板２０として、例えば、ＳＵＳ３０４（ISO 4301-304-00-I）やＳＵＳ４３０（ISO 4016-430-00-I）等のステンレス製の基板を使用することができる。
【0074】
ステンレス製の仮設基板２０は、基板２から剥離され、洗浄された後に、再度、仮設基板２０として発光装置１の製造に使用しても良い。
なお、仮設基板２０として、銅製の基板やガラス基板を使用しても良い。
なお、仮設基板２０として、銅製の基板やガラス基板を使用しても良い。
【0075】
（発光装置の製造方法の変形例５）
以下、図８および図９を参照して、変形例５の製造方法について説明する。変形例５では、上述の第２実施形態におけるステンレス製の仮設基板２０に代えて、ガラス製の仮設基板２１を使用する。また、基板２および仮設基板２１として、そのＸ方向およびＹ方向の大きさが、最終製品である発光装置１のＸ方向およびＹ方向の大きさより大きいものを使用する。ただし、それ以外の製造工程は、上述の第２実施形態と概ね共通する。従って、以下では第２実施形態と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
以下、図８および図９を参照して、変形例５の製造方法について説明する。変形例５では、上述の第２実施形態におけるステンレス製の仮設基板２０に代えて、ガラス製の仮設基板２１を使用する。また、基板２および仮設基板２１として、そのＸ方向およびＹ方向の大きさが、最終製品である発光装置１のＸ方向およびＹ方向の大きさより大きいものを使用する。ただし、それ以外の製造工程は、上述の第２実施形態と概ね共通する。従って、以下では第２実施形態と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
【0076】
（工程２Ｂ）
図８（ａ）は、工程６Ｂにおいて基板２と貼り合わせる際に、基板２における図１（ｂ）の線分Ａの部分と貼り合わされる仮設基板２１の一部分のＸＺ断面を表す図である。ただし、上述のとおり、基板２および仮設基板２１のＸ方向およびＹ方向の大きさが、最終製品である発光装置１の大きさより大きいため、図８（ａ）においては、図１（ｂ）の線分Ａの部分よりも－Ｘ方向に広がった部分のＸＺ断面を表している。
図８（ａ）は、工程６Ｂにおいて基板２と貼り合わせる際に、基板２における図１（ｂ）の線分Ａの部分と貼り合わされる仮設基板２１の一部分のＸＺ断面を表す図である。ただし、上述のとおり、基板２および仮設基板２１のＸ方向およびＹ方向の大きさが、最終製品である発光装置１の大きさより大きいため、図８（ａ）においては、図１（ｂ）の線分Ａの部分よりも－Ｘ方向に広がった部分のＸＺ断面を表している。
【0077】
図８（ａ）に示したように、＋Ｚ側の面に、仮設基板２１側から順に、第１仮設層２２と第２仮設層２３とが形成されているガラス製の仮設基板２１を用意する。ここで第２仮設層２３は、導電性が高く、かつ化学的なエッチングが比較的容易な銅等の金属を主成分とし、第１仮設層２２は、ニッケルやチタン等のガラスとの密着性の高い金属を主成分とするものである。仮設基板２１の厚さは、一例として１～１．５mm程度である。第２仮設層２３の厚さは、一例として１μｍ程度以下である。
【0078】
（工程３Ｂ）
図８（ｂ）に示したように、仮設基板２１上の第２仮設層２３の上に、上述した各種の形成方法を用いて導電性ペーストを形成し、仮設基板２１を加熱して導電性ペーストを焼結し、配線７ｇを形成する。
第２仮設層２３が銅を主成分とする場合、導電性ペーストとして、銅ペーストを使用しても良い。これにより、第２仮設層２３に対する配線７ｇの密着力を向上させることができる。
図８（ｂ）に示したように、仮設基板２１上の第２仮設層２３の上に、上述した各種の形成方法を用いて導電性ペーストを形成し、仮設基板２１を加熱して導電性ペーストを焼結し、配線７ｇを形成する。
第２仮設層２３が銅を主成分とする場合、導電性ペーストとして、銅ペーストを使用しても良い。これにより、第２仮設層２３に対する配線７ｇの密着力を向上させることができる。
【0079】
（工程４Ｂ）
その後、図８（ｃ）に示したように、配線７ｇの一部の上に導電性ペーストを形成し、これを焼結して配線７ｆを形成する。さらに、配線７ｇの上、および仮設基板２１の上に、保護膜８ｂを形成する。保護膜８ｂの厚さは、配線７ｆの上端（＋Ｚ方向の端部）が保護膜８ｂから露出する厚さとする。保護膜８ｂについても、樹脂を印刷することにより形成しても良い。
その後、図８（ｃ）に示したように、配線７ｇの一部の上に導電性ペーストを形成し、これを焼結して配線７ｆを形成する。さらに、配線７ｇの上、および仮設基板２１の上に、保護膜８ｂを形成する。保護膜８ｂの厚さは、配線７ｆの上端（＋Ｚ方向の端部）が保護膜８ｂから露出する厚さとする。保護膜８ｂについても、樹脂を印刷することにより形成しても良い。
【0080】
（工程５Ｂ）
図８（ｄ）に示したように、保護膜８ｂ上および配線７ｆ上に、導電性ペーストを用いて配線７ａおよび配線７ｂを形成する。
なお、形成した配線７ａおよび配線７ｂの上に、電界めっきにより銅等の金属を選択的に製膜し、配線７ａおよび配線７ｂの厚さを増加させ、電気抵抗を低減しても良い。
その後、保護膜８ｂ上に、保護膜８ａを形成する。保護膜８ａの厚さは、配線７ａ、７ｂの上端（＋Ｚ方向の端部）が保護膜８ａから露出する厚さとする。
図８（ｄ）に示したように、保護膜８ｂ上および配線７ｆ上に、導電性ペーストを用いて配線７ａおよび配線７ｂを形成する。
なお、形成した配線７ａおよび配線７ｂの上に、電界めっきにより銅等の金属を選択的に製膜し、配線７ａおよび配線７ｂの厚さを増加させ、電気抵抗を低減しても良い。
その後、保護膜８ｂ上に、保護膜８ａを形成する。保護膜８ａの厚さは、配線７ａ、７ｂの上端（＋Ｚ方向の端部）が保護膜８ａから露出する厚さとする。
【0081】
（工程６Ｂ）
図９（ａ）に示したように、基板２の裏面２ｂに、工程５Ｂまでが終了した仮設基板２１を貼り付ける。基板２への貼り付けに際しては、仮設基板２１の配線７ａ、７ｂと、基板２上の対応する電極５とを位置を整合させて、導電性のフィルム、あるいは導電性の接着ペーストを用いて貼り合わせる。
図９（ａ）に示したように、基板２の裏面２ｂに、工程５Ｂまでが終了した仮設基板２１を貼り付ける。基板２への貼り付けに際しては、仮設基板２１の配線７ａ、７ｂと、基板２上の対応する電極５とを位置を整合させて、導電性のフィルム、あるいは導電性の接着ペーストを用いて貼り合わせる。
【0082】
（工程７Ｂ）
図９（ａ）に示した貼り合わされた仮設基板２１および基板２の周辺部のＸ方向の両端部、およびＹ方向の両端部を破線で示した切断面ＤＣにて切断する。なお、図９（ａ）には、仮設基板２１および基板２の－Ｘ方向の端部の近傍の切断面ＤＣのみが示されている。
切断面ＤＣでの切断は、例えばダイシングソー、または基板２の周辺部を機械的にたたく等の衝撃による割断により行う。
切断面ＤＣにおける切断により、仮設基板２１の表面に形成されている第１仮設層２２および第２仮設層２３が切断面ＤＣに露出する。
図９（ａ）に示した貼り合わされた仮設基板２１および基板２の周辺部のＸ方向の両端部、およびＹ方向の両端部を破線で示した切断面ＤＣにて切断する。なお、図９（ａ）には、仮設基板２１および基板２の－Ｘ方向の端部の近傍の切断面ＤＣのみが示されている。
切断面ＤＣでの切断は、例えばダイシングソー、または基板２の周辺部を機械的にたたく等の衝撃による割断により行う。
切断面ＤＣにおける切断により、仮設基板２１の表面に形成されている第１仮設層２２および第２仮設層２３が切断面ＤＣに露出する。
【0083】
（工程８Ｂ）
第１仮設層２２および第２仮設層２３を境界として、仮設基板２１が貼り合わされた基板２から、配線７、７ｆ、７ｇおよび保護膜８ａ、８ｂを基板２に残して、仮設基板２１を剥離する。上述の切断により第１仮設層２２および第２仮設層２３が切断面ＤＣに露出しているため、第１仮設層２２および第２仮設層２３を剥離層として、仮設基板２１を効率的に剥離することができる。
第１仮設層２２および第２仮設層２３を境界として、仮設基板２１が貼り合わされた基板２から、配線７、７ｆ、７ｇおよび保護膜８ａ、８ｂを基板２に残して、仮設基板２１を剥離する。上述の切断により第１仮設層２２および第２仮設層２３が切断面ＤＣに露出しているため、第１仮設層２２および第２仮設層２３を剥離層として、仮設基板２１を効率的に剥離することができる。
【0084】
（工程９Ｂ）
その後、基板２の裏面２ｂ側に残存する第１仮設層２２および第２仮設層２３を、エッチング処理等により除去する。
仮設基板２１が剥離され、第１仮設層２２および第２仮設層２３が除去された状態の基板２を図９（ｂ）に示す。
以上の工程１、および工程２Ｂから工程９Ｂにより、図１に示した一実施形態の発光装置１を製造することができる。
変形例５は、工程５Ｂの後に基板２を貼り付ける工法を用いたが、複数の発光部３を含む基板２としてではなく、発光部３を個別に実装しても良い。
その後、基板２の裏面２ｂ側に残存する第１仮設層２２および第２仮設層２３を、エッチング処理等により除去する。
仮設基板２１が剥離され、第１仮設層２２および第２仮設層２３が除去された状態の基板２を図９（ｂ）に示す。
以上の工程１、および工程２Ｂから工程９Ｂにより、図１に示した一実施形態の発光装置１を製造することができる。
変形例５は、工程５Ｂの後に基板２を貼り付ける工法を用いたが、複数の発光部３を含む基板２としてではなく、発光部３を個別に実装しても良い。
【0085】
（発光装置の製造方法の変形例６）
以下、図１０を参照して、変形例６の製造方法について説明する。変形例６の製造工程は、上述の変形例５と概ね共通するので、以下では変形例５と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
以下、図１０を参照して、変形例６の製造方法について説明する。変形例６の製造工程は、上述の変形例５と概ね共通するので、以下では変形例５と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
【0086】
変形例６においては、変形例５の工程３Ｂの終了後に、図１０（ａ）に示したように、配線７ｇおよび第２仮設層２３の上（＋Ｚ側）に、導電性が高く、かつ化学的なエッチングが比較的容易な銅等の金属を主成分とする導電層２４を、めっき等により形成する。なお、導電層２４は、配線７ｇに比べてエッチングレートの高い材料で構成する。逆に言えば、変形例６においては、配線７ｇは導電層２４に比べてエッチングレートの低い材料で構成する。一例として、配線７ｇを焼結した銀ペーストで形成し、導電層２４を銅めっきにより形成しても良い。
【0087】
変形例６においても、その後、変形例５と同様に上述の工程４Ｂから工程８Ｂまでの処理を行う。図１０（ｂ）は、変形例６において工程８Ｂの仮設基板２１の剥離までが完了した基板２の状態を示す。基板２に形成されている配線７ｇの下側（－Ｚ側）、および導電層２４の一部の下側には、第２仮設層２３の一部が残存している。
【0088】
その後、変形例６においても、変形例５と同様に上述の工程９Ｂの処理を行う。工程９Ｂにおけるエッチング処理により、残存する第２仮設層２３は除去される。さらに、配線７ｇに比べてエッチングレートの高い材料で構成されている導電層２４の一部は、配線７ｇをエッチングマスクとして、除去される。すなわち、導電層２４のうち、複数の配線７ｇの間に形成され、複数の配線７ｇを相互に導通させている部分は、このエッチング処理により除去される。
【0089】
図１０（ｃ）は、変形例６において、工程９Ｂの処理が終了した基板２の状態を示す。工程９Ｂのエッチング処理により、配線７ｇの露出面を除き、配線７ｇの周囲を導電層２４が覆う構成となる。これにより、導電性ペーストにより形成される配線７ｇが薄くとも、配線７ｇをエッチングマスクとして導電層２４をパターニングすることにより、全体として配線７ｇと導電層２４との全体として厚い、すなわち電気抵抗の小さな配線を形成することができる。
【0090】
別の観点からは、導電性ペーストにより形成される配線７ｇを薄くすることができ、これにより、粘度の低い導電性ペーストを用いて、より細い、またはより狭ピッチの配線７ｇを形成することが可能となる。
なお、変形例６における上述の導電層２４の成膜、および配線７ｇをエッチングマスクとしたエッチングは、上述のステンレス製の仮設基板２０を使用する第２実施形態の製造方法においても用いても良い。
なお、変形例６における上述の導電層２４の成膜、および配線７ｇをエッチングマスクとしたエッチングは、上述のステンレス製の仮設基板２０を使用する第２実施形態の製造方法においても用いても良い。
【0091】
上述の第２実施形態、変形例５、および変形例６においても、仮設基板２０上への配線７ａ、７ｂ、７ｆ、７ｇ、７ｈ（以下、包括的に配線７Ａとも呼ぶ）の形成は、導電性ペースト６ｈ等を、仮設基板２０上にスクリーン印刷等で一括して形成しても良く、ディスペンサー等で個別に形成しても良い。
導電性ペースト６ｈ等をディスペンサー等で個別に形成する場合、貼り合わされる基板２上に形成された電極５の位置を計測し、計測された位置情報に基づいて、導電性ペースト６ｈ等および配線７Ａの相対的な位置関係を補正しても良い。これにより、基板２が変形している場合であっても、配線７Ａを電極５に対して高精度に位置整合して形成することができる。
導電性ペースト６ｈ等をディスペンサー等で個別に形成する場合、貼り合わされる基板２上に形成された電極５の位置を計測し、計測された位置情報に基づいて、導電性ペースト６ｈ等および配線７Ａの相対的な位置関係を補正しても良い。これにより、基板２が変形している場合であっても、配線７Ａを電極５に対して高精度に位置整合して形成することができる。
【0092】
上述の第２実施形態、変形例５、および変形例６においても、仮設基板２０上にレジスト９を形成し、レジスト９に露光を行い溝部９ｏを形成し、溝部９ｏに導電性ペースト６ｈ等を充填して、配線７Ａを形成しても良い。この場合、配線７Ａのうち高い位置精度が必要な部分に対応する溝部９ｏについてはレーザービームスキャン型の露光装置を用い、高い位置精度が不要な部分に対応する溝部９ｏについては、固定マスクを使用する露光装置を用いて露光を行っても良い。
【0093】
（発光装置の製造方法の第２実施形態、変形例５および変形例６の効果）
（８）第２実施形態、変形例５および変形例６は、複数の発光部３がその射出面４をおもて面２ｆに向けて配置され、複数の発光部３に接続される複数の電極５が裏面２ｂから露出するように形成されている基板２を用意すること、基板２の裏面２ｂに、電極５の少なくとも一部に接続される、導電性ペースト６を用いた配線７を形成すること、を備えている。
さらに、仮設基板２０、２１上に導電性ペースト６ｈ等を形成し、形成した導電性ペースト６ｈ等を焼結して配線を形成し、仮設基板２０、２１上に形成された配線７を基板２の裏面２ｂに貼り合わせ、仮設基板２０を、基板２の裏面２ｂに貼り合わされた配線７から剥離して、基板２の裏面２ｂに配線７を形成する。
この構成により、上述の第１実施形態で得られる効果に加え、さらに、製造工程における基板２の熱変形を防止でき、より高精細な光源装置１を実現できるという効果が得られる。
（８）第２実施形態、変形例５および変形例６は、複数の発光部３がその射出面４をおもて面２ｆに向けて配置され、複数の発光部３に接続される複数の電極５が裏面２ｂから露出するように形成されている基板２を用意すること、基板２の裏面２ｂに、電極５の少なくとも一部に接続される、導電性ペースト６を用いた配線７を形成すること、を備えている。
さらに、仮設基板２０、２１上に導電性ペースト６ｈ等を形成し、形成した導電性ペースト６ｈ等を焼結して配線を形成し、仮設基板２０、２１上に形成された配線７を基板２の裏面２ｂに貼り合わせ、仮設基板２０を、基板２の裏面２ｂに貼り合わされた配線７から剥離して、基板２の裏面２ｂに配線７を形成する。
この構成により、上述の第１実施形態で得られる効果に加え、さらに、製造工程における基板２の熱変形を防止でき、より高精細な光源装置１を実現できるという効果が得られる。
【0094】
（９）変形例６は、さらに、配線７ｇを含む仮設基板２１に、配線７ｇよりもエッチングレートの低い導電材料で導電層２４を形成し、仮設基板２１の配線７ｇからの剥離後に、配線７ｇをマスクとして導電層２４をエッチングする。この構成により、導電性ペーストにより形成される配線７ｇが薄くとも、配線７ｇと導電層２４との全体として電気抵抗の小さな配線を形成することができる。また、導電性ペーストにより形成される配線７ｇを薄くすることができ、これにより、より細い、またはより狭ピッチの配線７ｇを形成することが可能となる。
【0095】
（発光装置の製造方法の変形例７）
図１１（ａ）を参照して、変形例７の製造方法について説明する。変形例７の製造工程は、上述の変形例６と概ね共通するので、以下では変形例６と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
図１１（ａ）を参照して、変形例７の製造方法について説明する。変形例７の製造工程は、上述の変形例６と概ね共通するので、以下では変形例６と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
【0096】
変形例７においては、変形例６における導電層２４の形成を、配線７ｇを形成した直後ではなく、配線７ｇ上に配線７ｆを形成した後に行う。これにより、図１１（ａ）に示したように、導電層２４ａは、配線７ｇの露出面を除く配線７ｇの周囲に加えて、配線７ｆの周囲も覆う。この構成により、配線７ｆと配線７ｇの密着力を一層高め、強度を向上することができる。
【0097】
（発光装置の製造方法の変形例８）
図１１（ｂ）を参照して、変形例８の製造方法について説明する。変形例８の製造工程は、上述の変形例７と概ね共通するので、以下では変形例７と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
図１１（ｂ）を参照して、変形例８の製造方法について説明する。変形例８の製造工程は、上述の変形例７と概ね共通するので、以下では変形例７と相違する構成について説明し、共通する構成については適宜説明を省略する。
【0098】
変形例８においては、変形例７において配線７ａ、７ｂを形成した後に、配線７ａ、７ｂ上に、電解めっきにより所定の厚さの銅等の金属層７１を形成する。金属層７１の厚さは、配線７ａ、７ｂがＸＹ方向に導通しない厚さとする。この構成により、金属層７１と配線７ａまたは７ｂとを含む配線の電気抵抗をさらに小さくすることができる。
【0099】
なお、変形例８においては、導電層２４ａの代わりに、変形例６の導電層２４を形成しても良い。すなわち、導電層２４は、配線７ｇを形成した後、配線７ｇ上に配線７ｆを形成する前に形成しても良い。
また、変形例７および変形例８における上述の導電層２４ａの形成、および金属層７１を形成は、上述のステンレス製の仮設基板２０を使用する第２実施形態の製造方法においても用いても良い。
また、変形例７および変形例８における上述の導電層２４ａの形成、および金属層７１を形成は、上述のステンレス製の仮設基板２０を使用する第２実施形態の製造方法においても用いても良い。
【0100】
以上で説明した、発光装置１および発光装置１の各種の製造方法において、発光部３は、上記の構成に限られるわけではない。例えば、発光部３は、透明基板１１、蛍光層１２、保護層１３のいずれか１つ以上を有しなくても良い。例えば、発光部３が保護層１３を有しない場合、発光部３の射出面は、蛍光層１２の＋Ｚ側の面となる。同様に、発光部３の射出面とは、発光部３を構成する部材のうち、最も＋Ｚ側に配置される部材の＋Ｚ側の面となり得る。
【0101】
基板２は、上述の長方形の平板に限らず、他の形状の平板、または曲面を有する板状の部材であっても良い。
発光部３の射出面４の形状は、上述の長方形に限らす、六角形等の任意の形状であっても良い。また、発光部３の基板２内の配列も、上述のＸ方向およびＹ方向に沿った配列に限らず、他の方向に沿った任意の配列であっても良い。
発光部３の射出面４の形状は、上述の長方形に限らす、六角形等の任意の形状であっても良い。また、発光部３の基板２内の配列も、上述のＸ方向およびＹ方向に沿った配列に限らず、他の方向に沿った任意の配列であっても良い。
【0102】
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【0103】
１…発光装置、２…基板、２ｆ…おもて面、２ｂ…裏面、３…発光部、４…射出面、５…電極、６，６ａ～６ｄ，６ｈ…導電性ペースト、７，７ａ、７ｂ、７ｅ～７ｈ…配線、８、８ａ～８ｃ…保護膜、９…レジスト、１０…発光素子、１１…透明基板、１２…蛍光層、１３…保護層、２０，２１…仮設基板、２２…第１仮設層、２３…第２仮設層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】