特許7405226IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

検出装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、従来のＦＡＩＭＳシステムでは、イオンフィルタへ導入されるイオンの量に見合った十分な信号強度が得られないことがある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

開示の技術の一態様によれば、検出装置は、対向する第１の電極及び第２の電極を有し、通過するイオンの移動度を制御するイオンフィルタと、前記イオンフィルタを通過したイオンが接触し、該接触した強さに応じた電気特性値を出力する出力部と、前記イオンフィルタに導入されるイオンを含む流体の流れを調整する流体調整部と、を有し、前記流体調整部は、前記流体の流れのレイノルズ数を、当該流体調整部に供給されたときより・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

開示の技術によれば、信号強度を向上することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１のイオン検出装置の構成を示す模式図である。
【図2】 イオン検出装置の一例におけるイオンの移動の軌跡を示す図である。
【図3】 イオンの移動度の電界強度依存性を示す図である。
【図4】 イオンフィルタで発生する電界波形の一例を示す図である。
【図5】 流体調整部の内部での流体の流れを示す模式図である。
【図6】 第１の実施形態におけるイオンを含む流体の流れを示す模式図である。
【図7】 第２のイオン検出装置の構成を示す模式図である。
【図8】 第２の実施形態におけるイオンを含む流体の流れを示す模式図である。
【図9】 第３のイオン検出装置の構成を示す模式図である。
【図10】 第３の実施形態におけるイオンを含む流体の流れを示す模式図である。
【図11】 二重開口レンズを示す模式図である。
【図12】 第４のイオン検出装置の構成を示す模式図である。
【図13】 第４の実施形態におけるイオンを含む流体の流れを示す模式図である。
【図14】 第５のイオン検出装置の構成を示す分解斜視図である。
【図15】 第５のイオン検出装置の構成を示す上面図及び断面図である。
【図16】 第６のイオン検出装置の構成を示す分解斜視図である。
【図17】 第６のイオン検出装置の構成を示す上面図及び断面図である。
【図18】 第７のイオン検出装置の構成を示す分解斜視図である。
【図19】 第７のイオン検出装置の構成を示す上面図及び断面図である。
【図20】 第８のイオン検出装置の構成を示す分解斜視図である。
【図21】 第８のイオン検出装置の構成を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００ イオン検出装置 １１０、３１０ イオンフィルタ １１１、３１１ 第１の電極 １１２、３１２ 第２の電極 １２０、５９０ イオン検出電極 １３０、４３０ 流体調整部 １３１、４３１ 第１の電極 １３２、４３２ 第２の電極 １３５ 流体 ２４０、４４０ 絶縁体 ５５０、６５０ ＳＯＩ基板 ５６０ 支持層 ５６１ 開口部 ５７０、６７０、７７０ 絶縁層 ５７１、６７１、７７１ 開口部 ５８０、６８０、７８０ 活性層 ５８１、６８１、７８１ 開口部 ８１０ 回路基板 ８２０ チップホルダ ８２１ 開口部 ８３０ ポゴピン

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