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特許 7405850出願番号 特願 2021-529928
半導体膜、光電変換素子、イメージセンサおよび半導体膜の製造方法
出願人 富士フイルム株式会社（識別番号 306037311）
2026年 特許公開件数ランキング 32位 467件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 11位 828件（※）
公報発行日 2023年12月26
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7405850 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
金属原子を含む半導体量子ドットを含む半導体膜、光電変換素子、イメージセンサおよび半導体膜の製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明者が非特許文献１に記載された半導体膜について検討したところ、この半導体膜は、駆動耐久性について改善の余地があることが分かった。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明者の検討によれば、以下の構成とすることにより目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。よって、本発明は以下を提供する。
＜１＞ 金属原子を含む半導体量子ドットの集合体と、
半導体量子ドットに配位する配位子と、を含み、
配位子は、無機ハロゲン化物である第１の配位子と、式（Ａ）～（Ｃ）のいずれかで表される第２の配位子と、を含む、
半導体膜；
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、駆動耐久性に優れた半導体膜、光電変換素子、イメージセンサおよび半導体膜の製造方法を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
光検出素子の一実施形態を示す図である。
【図2】
試験体１の製造に用いた基板（くし型白金電極を有する基板）を示す図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１：光検出素子
１１：上部電極
１２：下部電極
１３：光電変換層
１４：６５対のくし型電極
１５：参照電極
１６：カウンター電極
１７：作用電極
１８：石英ガラス
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