特許7406167IP Force 特許公報全文掲載

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窒化物半導体光触媒薄膜の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

のような水の分解装置は構成要素が多く、反応系が複雑なことから、より簡易な反応系の実現および反応系の小型化が望まれている。例えば、光触媒槽内に光触媒薄膜と水溶液を入れた構成の装置を用い、水溶液中の光触媒薄膜に光源から光を照射して水分解反応を生じさせる。光触媒薄膜は、酸化電極と同様に、窒化物半導体、酸化チタン、またはアモルファスシリコンである。光触媒薄膜の表面には、水の分解反応を促進する金属助触媒が担持されている。単一の光触媒薄膜により水素および酸素を生成する装置の反応系は簡易であり、系の低コスト化および小型化が期待されている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様の窒化物半導体光触媒薄膜の製造方法は、光照射により触媒機能を発揮して酸化還元反応を生じる窒化物半導体光触媒薄膜の製造方法であって、絶縁性または導電性の基板の表面上にｎ型窒化ガリウム層を形成する第１工程と、前記ｎ型窒化ガリウム層の表面に窒化インジウムガリウム層を形成する第２工程と、前記窒化インジウムガリウム層の表面の一部に金属層を形成する第３工程と、前記窒化インジウムガリウム層と・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、光吸収率が高い単一の窒化物半導体光触媒薄膜において効率および寿命を向上できる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本実施形態の窒化物半導体光触媒薄膜の製造方法により作製される窒化物半導体光触媒薄膜の構成を示す断面図である。
【図2】 図２は、窒化物半導体光触媒薄膜の表面に分散配置された金属層とｐ型金属酸化物を説明するための図である。
【図3】 図３は、本実施形態の窒化物半導体光触媒薄膜の製造方法を示すフローチャートである。
【図4】 図４は、酸化還元反応試験を行う装置の概要を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１…窒化物半導体光触媒薄膜 １１…基板 １２…ｎ型窒化ガリウム層 １３…窒化インジウムガリウム層 １４…金属層 １５…ｐ型金属酸化物

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