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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-20
(45)【発行日】2023-12-28
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20231221BHJP
G03F 7/38 20060101ALI20231221BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 563
G03F7/38 501
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2020009763
(22)【出願日】2020-01-24
(65)【公開番号】P2021118243
(43)【公開日】2021-08-10
【審査請求日】2022-11-02
(73)【特許権者】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100122507
【弁理士】
【氏名又は名称】柏岡 潤二
(74)【代理人】
【識別番号】100171099
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 茂樹
(72)【発明者】
【氏名】松永 浩一
【審査官】今井 彰
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１９－１２１６８３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０５１７２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－０４０７４７（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／１０８３７７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－０１９１２９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｆ ７／２０－７／４２、９／００－９／０２
Ｈ０１Ｌ ２１／０２７、２１／３０，２１／６８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
疎水化処理用の疎水化ガスの蒸着により、基板の表面に疎水化膜を形成する疎水化処理を行うように構成された疎水化処理部と、前記基板の裏面のうちの除去領域に紫外線を照射することで、前記疎水化処理において前記除去領域に形成された前記疎水化膜を除去するように構成された紫外線照射部と、
前記疎水化膜が除去された後の前記除去領域にフッ素樹脂膜を形成するように構成された樹脂膜形成部と、
前記フッ素樹脂膜を形成した後の前記基板の前記表面に処理液を供給することで、前記表面に塗布膜を形成するように構成された塗布膜形成部と、を備える基板処理装置。
【請求項2】
前記塗布膜に露光処理が施された後の前記基板に対して現像処理を行うように構成された現像処理部を更に備え、前記除去領域は、前記裏面のうちの周縁部以外の領域に設定されている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
疎水化処理用の疎水化ガスの蒸着により、基板の表面に疎水化膜を形成する疎水化処理を行うように構成された疎水化処理部と、
前記基板の裏面のうちの除去領域に紫外線を照射することで、前記疎水化処理において前記除去領域に形成された前記疎水化膜を除去するように構成された紫外線照射部と、
前記疎水化膜が除去された後の前記除去領域にフッ素樹脂膜を形成するように構成された樹脂膜形成部と、を備え、
前記紫外線照射部は、
前記除去領域を含む領域に前記紫外線を照射可能な紫外線照明部と、
前記紫外線照明部と前記裏面との間に配置され、前記裏面のうちの前記除去領域以外の領域への前記紫外線の照射を遮蔽する遮光部材とを有する、基板処理装置。
【請求項4】
前記遮光部材は、前記裏面の前記除去領域以外の領域を覆った状態で前記基板を保持する保持アームを含む、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記遮光部材は、前記基板を保持する保持部と前記紫外線照明部との間に配置されるカバー部材を含む、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記疎水化処理部は、前記疎水化処理を行うための処理空間内に前記疎水化ガスを供給することで、前記表面に対して前記疎水化ガスの蒸着を行うように構成されており、前記樹脂膜形成部は、前記処理空間内にフッ素樹脂膜形成用の処理ガスを供給することで、前記裏面に対して前記処理ガスの蒸着を行うように構成されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項7】
疎水化処理用の疎水化ガスの蒸着により、基板の表面に疎水化膜を形成する疎水化処理を行うことと、前記基板の裏面のうちの除去領域に紫外線を照射することで、前記疎水化処理において前記除去領域に形成された前記疎水化膜を除去することと、
前記疎水化膜が除去された後の前記除去領域にフッ素樹脂膜を形成することと、
前記フッ素樹脂膜を形成した後の前記基板の前記表面に処理液を供給することで、前記表面に塗布膜を形成することと、を含む基板処理方法。
【請求項8】
疎水化処理用の疎水化ガスの蒸着により、基板の表面に疎水化膜を形成する疎水化処理を行うことと、
紫外線照射部によって前記基板の裏面のうちの除去領域に紫外線を照射することで、前記疎水化処理において前記除去領域に形成された前記疎水化膜を除去することと、
前記疎水化膜が除去された後の前記除去領域にフッ素樹脂膜を形成することと、を含み、
前記紫外線照射部は、
前記除去領域を含む領域に前記紫外線を照射可能な紫外線照明部と、
前記紫外線照明部と前記裏面との間に配置され、前記裏面のうちの前記除去領域以外の領域への前記紫外線の照射を遮蔽する遮光部材とを有する、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、基板の裏面と、露光処理時に基板の裏面を保持する保持面との摩擦を低減する摩擦低減膜を、当該基板の裏面に形成する膜形成部を備える基板処理装置が開示されている。膜形成部により形成される摩擦低減膜の具体例として、フッ素樹脂膜が挙げられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１９－１２１６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、基板面内におけるフッ素樹脂膜の形成範囲を調節することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一側面に係る基板処理装置は、疎水化処理用の疎水化ガスの蒸着により、基板の表面に疎水化膜を形成する疎水化処理を行うように構成された疎水化処理部と、基板の裏面のうちの除去領域に紫外線を照射することで、疎水化処理において除去領域に形成された疎水化膜を除去するように構成された紫外線照射部と、疎水化膜が除去された除去領域にフッ素樹脂膜を形成するように構成された樹脂膜形成部と、を備える。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板面内におけるフッ素樹脂膜の形成範囲を調節することが可能な基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
【0009】
一つの例示的実施形態に係る基板処理装置は、疎水化処理用の疎水化ガスの蒸着により、基板の表面に疎水化膜を形成する疎水化処理を行うように構成された疎水化処理部と、基板の裏面のうちの除去領域に紫外線を照射することで、疎水化処理において除去領域に形成された疎水化膜を除去するように構成された紫外線照射部と、疎水化膜が除去された後の除去領域にフッ素樹脂膜を形成するように構成された樹脂膜形成部と、を備える。
【0010】
この基板処理装置では、疎水化膜が形成されなかった領域と疎水化膜が除去された領域とにフッ素樹脂膜が形成される。一方、疎水化膜が形成された領域には、フッ素樹脂膜が形成されない。つまり、紫外線の照射によって疎水化膜を除去する領域は、フッ素樹脂膜の形成範囲に対応する。従って、紫外線の照射により疎水化膜の除去領域を調節することで、基板面内におけるフッ素樹脂膜の形成範囲を調節することが可能となる。
【0011】
基板処理装置は、フッ素樹脂膜を形成した後の基板の表面に処理液を供給することで、表面に塗布膜を形成するように構成された塗布膜形成部を更に備えてもよい。この場合、裏面に形成されたフッ素樹脂膜を保持した状態で、基板の表面に塗布膜を形成することが可能となる。
【0012】
基板処理装置は、塗布膜に露光処理が施された後の基板に対して現像処理を行うように構成された現像処理部を更に備えてもよい。除去領域は、裏面のうちの周縁部以外の領域に設定されていてもよい。この場合、裏面の周縁部以外の領域にフッ素樹脂膜が形成されるので、露光処理において基板の保持部と裏面との間の摩擦を低減することが可能となる。
【0013】
紫外線照射部は、除去領域を含む領域に紫外線を照射可能な紫外線照明部と、紫外線照明部と裏面との間に配置され、裏面のうちの除去領域以外の領域への紫外線の照射を遮蔽する遮光部材とを有してもよい。この場合、遮光部材の形状によって疎水化膜の除去領域を調節できるので、フッ素樹脂膜の形成範囲の調節が容易である。
【0014】
遮光部材は、裏面の除去領域以外の領域を覆った状態で基板を保持する保持アームを含んでもよい。この場合、保持アームにより基板の搬送と紫外線の遮光とを行うことができるので、装置の簡素化を図ることが可能となる。
【0015】
遮光部材は、基板を保持する保持部と紫外線照明部との間に配置されるカバー部材を含んでもよい。この場合、カバー部材の形状によってフッ素樹脂膜の形成範囲を調節すればよいので、保持部を簡素化することが可能となる。
【0016】
疎水化処理部は、疎水化処理を行うための処理空間内に疎水化ガスを供給することで、表面に対して疎水化ガスの蒸着を行うように構成されていてもよい。樹脂膜形成部は、上記処理空間内にフッ素樹脂膜形成用の処理ガスを供給することで、裏面に対して処理ガスの蒸着を行うように構成されていてもよい。この場合、疎水化処理とフッ素樹脂膜の形成とにおいて処理空間を形成するユニットを共用できるので、装置の簡素化を図ることが可能となる。
【0017】
一つの例示的実施形態に係る基板処理方法は、疎水化処理用の疎水化ガスの蒸着により、基板の表面に疎水化膜を形成する疎水化処理を行うことと、基板の裏面のうちの除去領域に紫外線を照射することで、疎水化処理において除去領域に形成された疎水化膜を除去することと、疎水化膜が除去された後の除去領域にフッ素樹脂膜を形成することと、を含む。この基板処理方法では、上述の基板処理装置と同様に、フッ素樹脂膜の形成範囲を調節することが可能となる。
【0018】
以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【0019】
［基板処理システム］
図１に示される基板処理システム１は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよい。
図１に示される基板処理システム１は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよい。
【0020】
処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。なお、ワークＷの縁にベベル（面取り）が存在する場合、本明細書におけるワークＷの「表面」には、ワークＷの表面側から見たときのベベル部分も含まれる。同様に、ワークＷの「裏面」には、ワークＷの裏面側から見たときのベベル部分も含まれ、ワークＷの「端面」には、ワークＷの端面側から見たときのベベル部分も含まれる。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
【0021】
基板処理システム１は、塗布・現像装置２と、露光装置３とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【0022】
（基板処理装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００とを備える。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００とを備える。
【0023】
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。
【0024】
処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１１は、膜形成ユニットＵ３を更に有する。膜形成ユニットＵ３は、下層膜が形成されたワークＷの表面に疎水化処理を施し、当該ワークＷの裏面にフッ素樹脂を含む膜を形成する。膜形成ユニットＵ３の詳細については後述する。
【0025】
処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１（塗布膜形成部）は、疎水化処理が施された後のワークＷの表面にレジスト膜形成用の処理液（レジスト）を供給することで、ワークＷの表面にレジスト膜（塗布膜）を形成する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【0026】
処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【0027】
処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。液処理ユニットＵ１（現像処理部）は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。
【0028】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。
【0029】
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【0030】
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【0031】
（膜形成ユニット）
続いて、図３、図４（ａ）、及び図４（ｂ）を参照して膜形成ユニットＵ３の一例を詳細に説明する。膜形成ユニットＵ３は、ワークＷの表面Ｗａに対する疎水化処理と、ワークＷの裏面Ｗｂへの紫外線の照射と、ワークＷの裏面Ｗｂへのフッ素樹脂を含む膜（以下、「フッ素樹脂膜Ｆｆ」という。）の形成とを順に行う。膜形成ユニットＵ３は、図３に示されるように、蒸着処理部２０と、紫外線照射部６０とを有する。蒸着処理部２０の一部と、紫外線照射部６０とは、一つの筐体（不図示）内に収容されていてもよい。
続いて、図３、図４（ａ）、及び図４（ｂ）を参照して膜形成ユニットＵ３の一例を詳細に説明する。膜形成ユニットＵ３は、ワークＷの表面Ｗａに対する疎水化処理と、ワークＷの裏面Ｗｂへの紫外線の照射と、ワークＷの裏面Ｗｂへのフッ素樹脂を含む膜（以下、「フッ素樹脂膜Ｆｆ」という。）の形成とを順に行う。膜形成ユニットＵ３は、図３に示されるように、蒸着処理部２０と、紫外線照射部６０とを有する。蒸着処理部２０の一部と、紫外線照射部６０とは、一つの筐体（不図示）内に収容されていてもよい。
【0032】
図３に例示の膜形成ユニットＵ３では、蒸着処理部２０がワークＷの表面Ｗａに対する疎水化処理を行った後、紫外線照射部６０がワークＷへの紫外線の照射を行う。そして、蒸着処理部２０が、紫外線照射後のワークＷの裏面Ｗｂにフッ素樹脂膜Ｆｆを形成する。疎水化処理が行われることで、ワークＷの表面Ｗａに疎水化された膜（以下、「疎水化膜Ｆｈ」という。）が形成される。以下では、疎水化膜Ｆｈとフッ素樹脂膜Ｆｆを総称して「処理膜」といい、疎水化処理とフッ素樹脂膜の形成処理とを含む処理を「処理膜の形成処理」という。以下、ワークＷへの処理の順に沿って、蒸着処理部２０の各要素と紫外線照射部６０の各要素について説明する。蒸着処理部２０は、例えば、熱板２２と、チャンバ２４と、昇降部２８と、疎水化処理部４０と、フッ素樹脂膜形成部５０とを有する。
【0033】
熱板２２は、ワークＷを加熱するように構成されている。熱板２２は、例えば略円板状に形成されており、支持台（不図示）に水平に設けられている。熱板２２は、載置面２２ａを有している。載置面２２ａに処理対象のワークＷが載置されることで、熱板２２はワークＷを支持する。熱板２２は、載置面２２ａに載置されたワークＷを加熱する。熱板２２は、抵抗発熱体から構成されているヒータを含んでいてもよい。ヒータは、例えば、熱板２２の内部又は載置面２２ａとは反対側の下面に設けられる。
【0034】
チャンバ２４は、熱板２２の載置面２２ａを囲むように構成されている。チャンバ２４は、例えば、天板２４ａと、側壁２４ｂとを有する。天板２４ａは、熱板２２と同程度の直径を有する円板状に形成されている。天板２４ａは、載置面２２ａと上下方向において対向するように配置されている。側壁２４ｂは、天板２４ａの外縁から下方に延びるように形成されている。
【0035】
チャンバ２４は、上下方向に移動可能に構成されている。チャンバ２４は、例えば、処理膜の形成処理を行うための空間（以下、「処理空間Ｖ」という。）を形成する下降位置と、処理空間Ｖが開放される上昇位置との間を移動する。チャンバ２４が下降位置に位置するときに、側壁２４ｂの下端が熱板２２に接触していてもよい。蒸着処理部２０は、チャンバ２４を昇降させるチャンバ駆動部２６を更に有する。チャンバ駆動部２６は、例えば、エアシリンダ又は電動モータ等の動力源によってチャンバ２４を昇降させる昇降アクチュエータである。
【0036】
昇降部２８は、熱板２２の上方においてワークＷを昇降させるように構成されている。昇降部２８は、例えば、複数の支持ピン３２と、ピン駆動部３４とを有する。支持ピン３２は、ワークＷを下方から支持するピンである。複数の支持ピン３２は、上下方向に延びるように形成されており、熱板２２を上下方向に貫通した状態で設けられている。複数の支持ピン３２は、周方向に等間隔に配置されていてもよい。
【0037】
複数の支持ピン３２は、上下方向に移動可能に構成されている。複数の支持ピン３２は、例えば、ワークＷを熱板２２の載置面２２ａに載置させる載置位置と、ワークＷを載置面２２ａよりも上方に離間させる離間位置との間を移動する。ピン駆動部３４は、複数の支持ピン３２を昇降させることでワークＷを上下方向に移動させる。ピン駆動部３４は、例えば、エアシリンダ又は電動モータ等の動力源によって複数の支持ピン３２を昇降させる昇降アクチュエータである。
【0038】
疎水化処理部４０は、疎水化処理用のガス（以下、「疎水化ガス」という。）の蒸着により、ワークＷの表面Ｗａに疎水化膜を形成する疎水化処理を行うように構成されている。ワークＷの表面Ｗａに疎水化処理が施されることで（疎水化膜Ｆｈが形成されることで）、疎水化処理後に表面Ｗａに形成されるレジスト膜と表面Ｗａとの密着性が確保される。疎水化ガスは、表面Ｗａを疎水化することが可能な化合物を含んでいれば限定されないが、例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン：（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）を含むガスであってもよい。疎水化処理部４０は、チャンバ２４が下降して処理空間Ｖが形成された状態で、当該処理空間Ｖに疎水化ガスを供給する。
【0039】
疎水化処理部４０は、例えば、ガス供給源４２と、ガス供給路４４と、開閉バルブ４６とを含む。ガス供給源４２は、疎水化ガスの供給源である。ガス供給源４２は、ＨＭＤＳを含むガス（以下、「ＨＭＤＳガス」という。）の供給源であってもよい。ガス供給源４２は、ＨＭＤＳを含む原料液を気化させてＨＭＤＳガスを生成し、窒素ガスによってＨＭＤＳガスを処理空間Ｖに向けて送り出してもよい。ガス供給路４４は、ガス供給源４２とチャンバ２４内に形成される処理空間Ｖとを接続する。ガス供給路４４の処理空間Ｖ側の端部は、例えばチャンバ２４の天板２４ａを上下方向に貫通しており、当該端部に形成された供給口４４ａが処理空間Ｖに開口している。
【0040】
開閉バルブ４６は、ガス供給路４４に設けられており、ガス供給路４４の流路を開閉する。開閉バルブ４６が開状態であるときに、ガス供給源４２から処理空間Ｖに疎水化ガスが供給され、開閉バルブ４６が閉状態であるときに、ガス供給源４２から処理空間Ｖに疎水化ガスが供給されない。なお、蒸着処理部２０は、処理空間Ｖ内のガス（例えば、疎水化ガス）を排出するための排気部を更に有してもよい。一例として、処理空間Ｖ内にＨＭＤＳガスが存在する雰囲気下において、熱板２２によってワークＷが加熱されることで、表面Ｗａにシリル基が結合する。これにより、ワークＷの表面Ｗａに疎水化膜Ｆｈ（シリル化膜）が形成される。
【0041】
ＨＭＤＳガス等の疎水化ガスの蒸着による疎水化処理が行われる際に、ワークＷは載置面２２ａに載置されているが、ワークＷの裏面Ｗｂと載置面２２ａとの間に微細な隙間が生じ得る。このため、疎水化ガスが裏面Ｗｂまで回り込んで、裏面Ｗｂの周縁部及び周縁部よりも内側の領域にも疎水化膜Ｆｈが形成される。膜形成ユニットＵ３は、紫外線照射部６０により、裏面Ｗｂに形成された疎水化膜Ｆｈの一部を除去する。
【0042】
紫外線照射部６０は、ワークＷの裏面Ｗｂのうちの所定の領域（以下、「除去領域Ｓｒ」という。）に紫外線を照射することで、疎水化処理において裏面Ｗｂの除去領域Ｓｒに形成された疎水化膜Ｆｈを除去するように構成されている。紫外線照射部６０は、裏面Ｗｂのうちの除去領域Ｓｒ以外の領域（以下、「非除去領域Ｓｎ」という。）に形成された疎水化膜Ｆｈを除去しないように構成されている。例えば、紫外線照射部６０は、非除去領域Ｓｎに紫外線を照射しないように構成されている。図４（ａ）に示されるように、非除去領域Ｓｎは裏面Ｗｂの周縁部の全周に設定されていてもよく、除去領域Ｓｒは非除去領域Ｓｎの内側に設定されてもよい。非除去領域Ｓｎは、裏面Ｗｂのベベル部分を全て覆うように設定されてもよい。例えば、ワークＷの全周において、非除去領域Ｓｎの半径方向の幅が、ベベル部分の幅よりも大きくてもよい。
【0043】
図３に示されるように、紫外線照射部６０は、水平方向において蒸着処理部２０（熱板２２及びチャンバ２４）と並んで配置される。紫外線照射部６０は、例えば、保持アーム６２と、アーム駆動部６４と、紫外線ランプ６６（紫外線照明部）とを有する。保持アーム６２は、ワークＷを保持するように構成されている。保持アーム６２は、例えばワークＷの裏面Ｗｂを保持する。保持アーム６２は、紫外線照射部６０、熱板２２、チャンバ２４、及び昇降部２８を収容する筐体内を移動可能に設けられる。例えば、保持アーム６２は、水平方向に延びるガイドレール（不図示）に沿って移動可能とされている。
【0044】
保持アーム６２は、熱板２２と重なる受渡位置と、当該受渡位置から水平方向に離間した待機位置との間を移動する。チャンバ２４が熱板２２から離間して処理空間Ｖが開放された状態で、受渡位置において保持アーム６２と支持ピン３２との間でワークＷの受渡が行われる。アーム駆動部６４は、保持アーム６２を水平方向に移動させることで、ワークＷを待機位置と受渡位置との間で移動させる。アーム駆動部６４は、例えば、電動モータ等の動力源によって、保持アーム６２を水平方向に往復移動させる水平アクチュエータである。なお、図３では、保持アーム６２が待機位置に位置する状態が例示されている。
【0045】
保持アーム６２は、ワークＷの周縁部を保持してもよい。図４（ｂ）に示されるように、保持アーム６２は、上下方向から見て円環状（リング状）に形成されてもよい。図４（ｂ）に例示の保持アーム６２は、水平方向に延びる支持部７２と、上方に延びる規制部７４とを含む（図３も参照）。支持部７２は、円環状に形成されており、裏面Ｗｂの周縁部の全周を支持する。規制部７４は、例えば、円環状の支持部７２の外縁（側面）の全周又は一部に設けられおり、ワークＷの水平方向の移動を規制する。
【0046】
保持アーム６２がワークＷを保持している状態で、支持部７２は、ワークＷの裏面Ｗｂの周縁部を覆っている。具体的には、裏面Ｗｂから表面Ｗａに向かう方向から見て、支持部７２が裏面Ｗｂの非除去領域Ｓｎを覆っている。すなわち、支持部７２の幅（径方向の長さ）は、非除去領域Ｓｎの幅（ワークＷの半径方向の長さ）と略同一である。換言すると、支持部７２の厚さ方向から見た形状が非除去領域Ｓｎに対応しており、支持部７２の中央部に形成される開口の形状（輪郭）が除去領域Ｓｒに対応している。
【0047】
紫外線ランプ６６は、疎水化膜Ｆｈを除去するための紫外線を出射可能な光源である。紫外線ランプ６６は、疎水化膜Ｆｈを除去することが可能であれば、いずれの波長を有する紫外線を出射してもよい。図３に示されるように、紫外線ランプ６６は、保持アーム６２の待機位置と、蒸着処理部２０（熱板２２上方の受渡位置）との間に配置されてもよい。紫外線ランプ６６は、例えば、保持アーム６２が水平方向に移動する移動ラインよりも下に位置しており、上方に向けて紫外線を出射する。
【0048】
紫外線ランプ６６は、ワークＷの裏面Ｗｂのうちの少なくとも除去領域Ｓｒに紫外線を照射可能とされている。紫外線ランプ６６は、保持アーム６２の移動ラインに交差する水平なラインに沿って延びるライン状の照射領域に紫外線を照射してもよい。紫外線ランプ６６による紫外線の照射範囲の幅（長軸の長さ）は、ワークＷの直径と同程度か、ワークＷの直径よりも大きくてもよい。紫外線ランプ６６は、アーム駆動部６４によりワークＷが移動している間に、当該紫外線ランプ６６の上方を通過するワークＷの裏面Ｗｂに向けて紫外線を出射する。ライン状の照射範囲がワークＷの直径以上である場合に、紫外線ランプ６６は、ワークＷの裏面Ｗｂの全域に紫外線を照射可能である。
【0049】
上述したように、保持アーム６２の支持部７２が裏面Ｗｂのうちの非除去領域Ｓｎを覆った状態で保持アーム６２がワークＷを保持するので、裏面Ｗｂの全域に向けて出射された紫外線の一部は、非除去領域Ｓｎに到達することなく保持アーム６２により遮蔽される。なお、保持アーム６２（支持部７２）の下面は、紫外線ランプ６６からの紫外線を反射又は吸収する材料で形成されていてもよい。以上のように、図３及び図４（ｂ）に例示される保持アーム６２は、紫外線ランプ６６と裏面Ｗｂとの間に配置され、裏面Ｗｂのうちの非除去領域Ｓｎへの紫外線の照射を遮蔽する遮光部材として機能する。なお、裏面Ｗｂに設定される非除去領域Ｓｎ（除去領域Ｓｒ）の大きさは、保持アーム６２の支持部７２によって規定される。つまり、裏面Ｗｂのうちの支持部７２によって覆われている領域には紫外線が到達せずに、疎水化膜Ｆｈが除去されないので、当該領域が非除去領域Ｓｎとなる。
【0050】
蒸着処理部２０の説明に戻り、フッ素樹脂膜形成部５０は、疎水化膜Ｆｈが除去された後の除去領域Ｓｒにフッ素樹脂膜Ｆｆを形成するように構成されている。フッ素樹脂膜形成部５０は、処理空間Ｖにフッ素樹脂膜形成用のガス（以下、「処理ガス」という。）を供給することで、裏面Ｗｂに対して処理ガスの蒸着を行うように構成されていてもよい。処理ガスは、フッ素樹脂膜Ｆｆを形成することが可能であれば限定されないが、例えば、化合物としてＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン：Poly Tetra Fluoro Ethylene）を含むガスである。
【0051】
フッ素樹脂膜形成部５０は、例えば、ガス供給源５２と、ガス供給路５４と、開閉バルブ５６とを含む。ガス供給源５２は、フッ素樹脂膜形成用の処理ガスの供給源である。ガス供給路５４は、ＰＴＦＥを含むガス（以下、「ＰＴＦＥガス」という。）の供給源であってもよい。ガス供給路５４は、ＰＴＦＥを含む原料液を気化させてＰＴＦＥガスを生成し、窒素ガスによってＰＴＦＥガスを処理空間Ｖに向けて送り出してもよい。ガス供給路５４は、ガス供給源５２とチャンバ２４内に形成される処理空間Ｖとを接続する。ガス供給路５４の処理空間Ｖ側の端部は、例えば熱板２２を上下方向に貫通しており、当該端部に形成された供給口５４ａが処理空間Ｖに開口している。
【0052】
開閉バルブ５６は、ガス供給路５４に設けられており、ガス供給路５４の流路を開閉する。開閉バルブ５６が開状態であるときに、ガス供給源５２から処理空間Ｖに処理ガスが供給され、開閉バルブ５６が閉状態であるときに、ガス供給源５２から処理空間Ｖに処理ガスが供給されない。一例として、複数の支持ピン３２によってワークＷが、裏面Ｗｂと熱板２２とが離間する離間位置に配置された状態で、処理空間Ｖ内にＰＴＦＥガスが供給されることで、裏面ＷｂにＰＴＦＥガスが蒸着する（フッ素樹脂膜Ｆｆが形成される）。この際、裏面Ｗｂのうちの疎水化膜Ｆｈが形成されていない領域（除去領域Ｓｒ）にＰＴＦＥガスが蒸着するのに対して、疎水化膜Ｆｈが形成されている領域（非除去領域Ｓｎ）にはＰＴＦＥガスが蒸着されない。その結果、非除去領域Ｓｎにフッ素樹脂膜Ｆｆが形成されずに、除去領域Ｓｒにフッ素樹脂膜Ｆｆが形成される。
【0053】
裏面Ｗｂ（除去領域Ｓｒ）に形成されたフッ素樹脂膜Ｆｆは、膜形成ユニットＵ３での処理の後の工程において、裏面Ｗｂを保持する部材と裏面Ｗｂとの間の摩擦を低減する機能、又は裏面Ｗｂを保護する機能を有する。例えば、塗布・現像装置２においてレジスト膜が形成された後に露光処理を行う露光装置３では、レジスト膜の露光処理を行うために、ワークＷの中心部を支持する昇降ピンからステージに当該ワークＷが載置される。そして、ワークＷは、ステージに吸着された状態で保持され、ステージにおいてワークＷの位置が固定された状態でショット（エネルギー線の照射）が行われる。
【0054】
しかしながら、昇降ピンに支持されたワークＷは、その自重により外周部が中心部に比べて下方にたわむので、ステージ表面に対して、ワークＷの外周部から中心部へ向かう順にワークＷが接触する。その結果、ワークＷの外周部が先にステージに吸着されるので、ワークＷの中心部はストレス（応力）がかかった状態で吸着される場合がある。また、露光装置３に搬送されるワークＷが平坦ではなく、歪みが生じている場合も、ワークＷはストレスがかかった状態でステージに吸着された状態で保持され得る。このようにワークＷにストレスがかかった状態でステージに吸着されると、ワークＷが変形し、ショットが所望の領域からずれた領域に行われる場合がある。
【0055】
これに対して、ワークＷの裏面Ｗｂにフッ素樹脂膜Ｆｆが形成されることで、フッ素樹脂膜Ｆｆにより裏面Ｗｂと露光装置３のステージとの間の摩擦が低減される。その結果、露光装置３のステージにワークＷが載置される際に、摩擦の低減によってワークＷがステージ上を滑るように載置され、上述したストレスが低減される。その結果、露光装置３のステージにおける目標位置とワークＷの載置位置とのずれを抑制することが可能となる。
【0056】
（制御装置）
続いて、図５を参照して制御装置１００について説明する。制御装置１００は、塗布・現像装置２の各要素を制御する。制御装置１００は、疎水化処理部４０により、疎水化処理用の疎水化ガスを表面Ｗａに蒸着させ、ワークＷの表面Ｗａに疎水化膜Ｆｈを形成させることを実行するように構成されている。また、制御装置１００は、紫外線照射部６０により、除去領域Ｓｒに紫外線を照射させて、疎水化処理において除去領域Ｓｒに形成された疎水化膜Ｆｈを除去させることと、フッ素樹脂膜形成部５０により、疎水化膜Ｆｈが除去された後の除去領域Ｓｒにフッ素樹脂膜Ｆｆを形成させることとを実行するように構成されている。
続いて、図５を参照して制御装置１００について説明する。制御装置１００は、塗布・現像装置２の各要素を制御する。制御装置１００は、疎水化処理部４０により、疎水化処理用の疎水化ガスを表面Ｗａに蒸着させ、ワークＷの表面Ｗａに疎水化膜Ｆｈを形成させることを実行するように構成されている。また、制御装置１００は、紫外線照射部６０により、除去領域Ｓｒに紫外線を照射させて、疎水化処理において除去領域Ｓｒに形成された疎水化膜Ｆｈを除去させることと、フッ素樹脂膜形成部５０により、疎水化膜Ｆｈが除去された後の除去領域Ｓｒにフッ素樹脂膜Ｆｆを形成させることとを実行するように構成されている。
【0057】
制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図５に示される回路１１０を有する。回路１１０は、一つ又は複数のプロセッサ１１２と、メモリ１１４と、ストレージ１１６と、入出力ポート１１８と、タイマ１２２とを有する。ストレージ１１６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する基板処理方法を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１１４は、ストレージ１１６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１１２による演算結果を一時的に記憶する。
【0058】
プロセッサ１１２は、メモリ１１４と協働して上記プログラムを実行する。入出力ポート１１８は、プロセッサ１１２からの指令に従って、熱板２２（ヒータ）、チャンバ駆動部２６、ピン駆動部３４、開閉バルブ４６，５６、アーム駆動部６４、及び紫外線ランプ６６等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１２２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。なお、制御装置１００のハードウェア構成は、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）により構成されていてもよい。
【0059】
［塗布現像処理］
続いて、図６を参照して、基板処理方法の一例として、塗布・現像装置２において行われる塗布現像処理について説明する。制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
続いて、図６を参照して、基板処理方法の一例として、塗布・現像装置２において行われる塗布現像処理について説明する。制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
【0060】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する（ステップＳ０１）。その後制御装置１００は、下層膜が形成された後のワークＷが膜形成ユニットＵ３に搬送されるように搬送装置Ａ３を制御する。
【0061】
次に制御装置１００は、ワークＷの表面Ｗａに疎水化処理を施すことと、ワークＷの裏面Ｗｂにフッ素樹脂膜を形成することを含む処理膜の形成処理を実行する（ステップＳ０２）。ステップＳ０２の詳細については後述する。その後制御装置１００は、処理膜の形成処理が施された後のワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
【0062】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面Ｗａに対してレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する（ステップＳ０３）。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
【0063】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する（ステップＳ０４）。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。
【0064】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。
【0065】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する（ステップＳ０５）。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で塗布現像処理が完了する。
【0066】
（処理膜の形成処理）
続いて、図７～図１０（ｃ）を参照して、ステップＳ０２の処理膜の形成処理について説明する。図７は、処理膜の形成処理の一例を示すフローチャートである。処理膜の形成処理において、制御装置１００は、熱板２２の温度が所定の値に維持されるように熱板２２を制御してもよい。
続いて、図７～図１０（ｃ）を参照して、ステップＳ０２の処理膜の形成処理について説明する。図７は、処理膜の形成処理の一例を示すフローチャートである。処理膜の形成処理において、制御装置１００は、熱板２２の温度が所定の値に維持されるように熱板２２を制御してもよい。
【0067】
制御装置１００は、まず、チャンバ２４により処理空間Ｖが形成されて処理対象のワークＷが熱板２２に載置された状態で、ワークＷの表面Ｗａに疎水化膜Ｆｈを形成するように膜形成ユニットＵ３を制御する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１では、例えば、制御装置１００が、図８（ａ）に示されるように、疎水化処理部４０の開閉バルブ４６を閉状態から開状態に切り替えることで、処理空間Ｖに疎水化ガスをガス供給源４２から供給させる。そして、制御装置１００は、予め設定された所定時間が経過するまで待機する。所定時間の経過後、制御装置１００は、開閉バルブ４６を開状態から閉状態に切り替える。これにより、処理空間Ｖにおいて、ワークＷの表面Ｗａが疎水化ガスに曝され、且つ、熱板２２によりワークＷが加熱される。その結果、少なくとも表面Ｗａに蒸着により疎水化膜Ｆｈが形成される疎水化処理が処理対象のワークＷに対して行われる。
【0068】
ステップＳ１１が実行されることで、図８（ｂ）に示されるように、ワークＷの表面Ｗａの全域に疎水化膜Ｆｈが形成される。また、疎水化処理が行われる際に、疎水化ガスが裏面Ｗｂにも回り込むので、図８（ｃ）に示されるように、裏面Ｗｂの周縁部分（より詳細には、非除去領域Ｓｎの全域及び除去領域Ｓｒの周縁部）にも疎水化膜Ｆｈが形成される。なお、図８（ｃ）では、非除去領域Ｓｎと除去領域Ｓｒとの境界が、境界線ＢＬ（破線）で示されている。図８（ｃ）では、ワークＷの半径方向における疎水化膜Ｆｈの幅が一定であるが、ワークＷの周方向の位置によって疎水化膜Ｆｈの幅が異なるように疎水化膜Ｆｈが形成され得る。
【0069】
次に、制御装置１００は、処理空間Ｖ内から、処理空間Ｖの外に位置する待機位置までワークＷを搬出するように各種駆動部を制御する（ステップＳ１２）。例えば、制御装置１００は、チャンバ駆動部２６によりチャンバ２４を上昇させて、処理空間Ｖを開放する。そして、制御装置１００は、アーム駆動部６４により熱板２２の上方の受渡位置に保持アーム６２を移動させて、複数の支持ピン３２から保持アーム６２へワークＷが受け渡されるように各種駆動部を制御する。その後、制御装置１００は、アーム駆動部６４により、水平方向に熱板２２と離間した待機位置まで保持アーム６２を移動させる。これにより、処理空間ＶからワークＷが搬出される。なお、制御装置１００は、待機位置において、保持アーム６２がワークＷを保持する状態を継続させることで、ワークＷの温度調節処理（冷却処理）を行ってもよい。制御装置１００は、処理空間Ｖを開放する前に、排気部により処理空間Ｖ内の疎水化ガスを排出させてもよい。
【0070】
次に、制御装置１００は、待機位置から処理空間Ｖ内にワークＷを搬入しつつ、裏面Ｗｂに紫外線を照射するように膜形成ユニットＵ３を制御する（ステップＳ１３）。例えば、制御装置１００は、図９（ａ）に示されるように、紫外線ランプ６６に紫外線の出射を開始させ、アーム駆動部６４により待機位置から熱板２２の上方の受渡位置まで保持アーム６２を移動させる。そして、保持アーム６２が受渡位置まで移動した後に（紫外線ランプ６６の上方の紫外線の照射範囲をワークＷ全体が通過した後に）、制御装置１００は、紫外線ランプ６６に紫外線の出射を停止させる。上述したように保持アーム６２が、裏面Ｗｂの非除去領域Ｓｎを覆った状態でワークＷを保持しているので、図９（ｂ）及び図９（ｃ）に示されるように、除去領域Ｓｒに紫外線が照射され、当該除去領域Ｓｒに形成されている疎水化膜Ｆｈが除去される。
【0071】
保持アーム６２が受渡位置に移動された後に、制御装置１００は、保持アーム６２から複数の支持ピン３２にワークＷが受け渡されるように各種駆動部を制御する。そして、制御装置１００は、チャンバ駆動部２６によりチャンバ２４を下降させる。これにより、紫外線が照射された後のワークＷが処理空間Ｖに再度搬入される。
【0072】
次に、制御装置１００は、ワークＷの裏面Ｗｂにフッ素樹脂膜Ｆｆを形成するように膜形成ユニットＵ３を制御する（ステップＳ１４）。例えば、制御装置１００は、図１０（ａ）に示されるように、複数の支持ピン３２が熱板２２と離間した位置にワークＷを支持している状態をピン駆動部３４により継続させる。そして、制御装置１００は、フッ素樹脂膜形成部５０の開閉バルブ５６を閉状態から開状態に切り替えることにより、処理空間Ｖにフッ素樹脂膜形成用の処理ガスをガス供給源５２から供給させる。
【0073】
その後、制御装置１００は、予め設定された所定時間が経過するまで待機する。所定時間の経過後、制御装置１００は、開閉バルブ５６を開状態から閉状態に切り替える。これにより、処理空間ＶにおいてワークＷの裏面Ｗｂが処理ガスに曝される。その結果、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示されるように、除去領域Ｓｒに蒸着によりフッ素樹脂膜Ｆｆが形成される。なお、膜形成ユニットＵ３（蒸着処理部２０）は、複数の支持ピン３２がワークＷを支持している箇所にフッ素樹脂膜Ｆｆを形成するために別の支持部を更に有してもよい。以上で処理膜の形成処理が終了する。
【0074】
［実施形態の効果］
以上に例示した塗布・現像装置２は、疎水化処理用の疎水化ガスの蒸着により、ワークＷの表面Ｗａに疎水化膜Ｆｈを形成する疎水化処理を行うように構成された疎水化処理部４０と、ワークＷの裏面Ｗｂのうちの除去領域Ｓｒに紫外線を照射することで、疎水化処理において除去領域Ｓｒに形成された疎水化膜Ｆｈを除去するように構成された紫外線照射部６０と、疎水化膜Ｆｈが除去された後の除去領域Ｓｒにフッ素樹脂膜Ｆｆを形成するように構成されたフッ素樹脂膜形成部５０とを備える。
以上に例示した塗布・現像装置２は、疎水化処理用の疎水化ガスの蒸着により、ワークＷの表面Ｗａに疎水化膜Ｆｈを形成する疎水化処理を行うように構成された疎水化処理部４０と、ワークＷの裏面Ｗｂのうちの除去領域Ｓｒに紫外線を照射することで、疎水化処理において除去領域Ｓｒに形成された疎水化膜Ｆｈを除去するように構成された紫外線照射部６０と、疎水化膜Ｆｈが除去された後の除去領域Ｓｒにフッ素樹脂膜Ｆｆを形成するように構成されたフッ素樹脂膜形成部５０とを備える。
【0075】
以上に例示した塗布現像処理は、疎水化処理用の疎水化ガスの蒸着により、ワークＷの表面Ｗａに疎水化膜Ｆｈを形成する疎水化処理を行うことと、ワークＷの裏面Ｗｂのうちの除去領域Ｓｒに紫外線を照射することで、疎水化処理において除去領域Ｓｒに形成された疎水化膜Ｆｈを除去することと、疎水化膜Ｆｈが除去された後の除去領域Ｓｒに疎水化膜Ｆｈを形成することとを含む。
【0076】
上記の塗布・現像装置２及び塗布現像処理では、疎水化膜Ｆｈが形成されなかった領域と疎水化膜Ｆｈが除去された領域とにフッ素樹脂膜Ｆｆが形成される。一方、疎水化膜Ｆｈが形成された領域（疎水化膜Ｆｈが除去されずに残った領域）には、フッ素樹脂膜Ｆｆが形成されない。つまり、紫外線の照射によって疎水化膜Ｆｈを除去する領域（疎水化膜Ｆｈを残す領域）は、フッ素樹脂膜Ｆｆの形成範囲に対応する。従って、紫外線の照射により疎水化膜Ｆｈの除去領域Ｓｒを調節することで、裏面Ｗｂにおける疎水化膜Ｆｈの形成範囲を調節することが可能となる。
【0077】
以上に例示した塗布・現像装置２は、フッ素樹脂膜Ｆｆを形成した後のワークＷの表面Ｗａに処理液を供給することで、表面Ｗａにレジスト膜を形成するように構成された液処理ユニットＵ１を更に備える。この場合、裏面Ｗｂに形成されたフッ素樹脂膜Ｆｆを保持した状態で、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成することが可能となる。
【0078】
以上に例示した塗布・現像装置２は、レジスト膜に露光処理が施された後のワークＷに対して現像処理を行うように構成された液処理ユニットＵ１を更に備える。除去領域Ｓｒは、裏面Ｗｂのうちの周縁部以外の領域に設定されていてもよい。この場合、裏面Ｗｂの周縁部以外の領域（非除去領域Ｓｎ）にフッ素樹脂膜Ｆｆが形成されるので、露光処理においてワークＷの保持部（例えば、ステージ）と裏面Ｗｂとの間の摩擦が低減される。これにより、露光処理において目標位置に対する露光位置のずれを抑制することが可能となる。
【0079】
以上のように、露光処理においてフッ素樹脂膜Ｆｆにより摩擦を低減することが可能となる。ただし、裏面Ｗｂのうちのベベル部分にフッ素樹脂膜が形成されていると、露光処理の処理結果に悪影響を及ぼす場合がある。そのため、従来では、レジスト膜の形成の前に、以下の少なくとも５つの工程が順に行われている。まず、下層膜が形成された後のワークＷの表面ＷａにＨＭＤＳガス等により疎水化処理が行われ、疎水化処理において裏面Ｗｂに形成された疎水化膜Ｆｈを除去するために裏面Ｗｂ全域への紫外線の照射（除去処理）が行われる。そして、ベベル部分にＰＴＦＥ等のフッ素樹脂の膜が形成されないようにベベル部分へのマスク処理（保護膜の形成処理）が行われ、フッ素樹脂膜の形成処理が行われる。その後、ベベル部分に形成された保護膜をシンナー等により除去する処理が行われる。
【0080】
これに対して、上述の塗布・現像装置２では、レジスト膜の形成の前に、疎水化処理と、紫外線の照射（除去処理）と、フッ素樹脂膜の形成処理とが順に行われることで、ベベル部分にフッ素樹脂膜を形成しないように裏面Ｗｂにフッ素樹脂膜Ｆｆを形成することができる。すなわち、従来の工程に比べて、工程短縮を図ることが可能となる。
【0081】
以上の例において、紫外線照射部６０は、除去領域Ｓｒを含む領域（例えば、裏面Ｗｂの全域）に紫外線を照射可能な紫外線ランプ６６と、紫外線ランプ６６と裏面Ｗｂとの間に配置され、裏面Ｗｂのうちの除去領域Ｓｒ以外の非除去領域Ｓｎへの紫外線の照射を遮蔽する遮光部材とを有する。この場合、遮光部材の形状によって疎水化膜Ｆｈの除去領域Ｓｒを調節できるので、フッ素樹脂膜Ｆｆの形成範囲の調節が容易である。
【0082】
以上の例において、紫外線照射部６０の遮光部材は、裏面Ｗｂの除去領域Ｓｒ以外の非除去領域Ｓｎを覆った状態でワークＷを保持する保持アーム６２を含む。この場合、保持アーム６２によりワークＷの搬送と紫外線の遮光とを行うことができるので、塗布・現像装置２（膜形成ユニットＵ３）の簡素化を図ることが可能となる。
【0083】
以上の例において、疎水化処理部４０は、疎水化処理を行うための処理空間Ｖ内に疎水化ガスを供給することで、表面Ｗａに対して疎水化ガスの蒸着を行うように構成されている。フッ素樹脂膜形成部５０は、上記処理空間Ｖ内にフッ素樹脂膜形成用の処理ガスを供給することで、裏面Ｗｂに対して当該処理ガスの蒸着を行うように構成されている。この場合、処理空間Ｖを形成するユニットを疎水化処理とフッ素樹脂膜の形成とで共用できるので、塗布・現像装置２（膜形成ユニットＵ３）の簡素化を図ることが可能となる。なお、図３に例示したように、紫外線照射部６０が下方から紫外線を照射し、フッ素樹脂膜形成部５０が処理空間Ｖの下方から処理ガスを供給することで、ワークＷを反転させることなく処理膜の形成処理を行うことができる。つまり、図３に例示した膜形成ユニットＵ３の構成では、従来の工程に比べて、工程を更に短縮することができる。
【0084】
［変形例］
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。図１１（ａ）に示されるように、膜形成ユニットＵ３は、紫外線照射部６０に代えて、紫外線照射部６０Ａを有してもよい。紫外線照射部６０Ａは、保持アーム６２に代えて、保持アーム６２Ａを有する点、紫外線ランプ６６に代えて紫外線ランプ６６Ａを有する点、及びカバー部材８２Ａを更に有する点において紫外線照射部６０と相違する。保持アーム６２Ａは、ワークＷの周縁部分（例えば、ベベル部分）を挟むように保持する点で保持アーム６２と相違する。保持アーム６２Ａでは、ワークＷの周縁部分を挟んだ状態で、裏面Ｗｂの下方に位置する部分が非除去領域Ｓｎを覆っている。また、保持アーム６２Ａは、ワークＷの周縁に対応する全周ではなく、図１１（ｂ）に示されるように、全周のうちの一部（例えば、１／４～１／６程度）が除かれた状態で環状に形成されている。
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。図１１（ａ）に示されるように、膜形成ユニットＵ３は、紫外線照射部６０に代えて、紫外線照射部６０Ａを有してもよい。紫外線照射部６０Ａは、保持アーム６２に代えて、保持アーム６２Ａを有する点、紫外線ランプ６６に代えて紫外線ランプ６６Ａを有する点、及びカバー部材８２Ａを更に有する点において紫外線照射部６０と相違する。保持アーム６２Ａは、ワークＷの周縁部分（例えば、ベベル部分）を挟むように保持する点で保持アーム６２と相違する。保持アーム６２Ａでは、ワークＷの周縁部分を挟んだ状態で、裏面Ｗｂの下方に位置する部分が非除去領域Ｓｎを覆っている。また、保持アーム６２Ａは、ワークＷの周縁に対応する全周ではなく、図１１（ｂ）に示されるように、全周のうちの一部（例えば、１／４～１／６程度）が除かれた状態で環状に形成されている。
【0085】
カバー部材８２Ａは、全周のうちの保持アーム６２Ａが設けられていない部分を覆うように形成されている。カバー部材８２Ａは、ワークＷの周縁の一部に沿った形状（円弧状）に形成された板部材であってもよい。カバー部材８２Ａは、所定の位置に固定されていてもよい。紫外線照射部６０Ａでは、保持アーム６２Ａが待機位置に位置するときに、保持アーム６２Ａとカバー部材８２Ａとによって非除去領域Ｓｎが覆われる。すなわち、保持アーム６２Ａとカバー部材８２Ａとは、非除去領域Ｓｎに向かう紫外線を遮蔽する遮光部材を構成する。紫外線ランプ６６Ａは、ワークＷが待機位置に位置する状態で、裏面Ｗｂの全域に紫外線を照射可能に構成されてもよい。この場合、制御装置１００は、紫外線の照射と、処理空間ＶへのワークＷの搬入とを別に実行するように膜形成ユニットＵ３を制御してもよい。
【0086】
図１２（ａ）に示されるように、膜形成ユニットＵ３は、紫外線照射部６０に代えて、紫外線照射部６０Ｂを有してもよい。紫外線照射部６０Ｂは、保持アーム６２とは別にワークＷを支持する保持部９２Ｂを更に有する点、カバー部材８２Ｂを更に有する点、及びランプ駆動部９４Ｂを更に有する点において紫外線照射部６０と相違する。保持部９２Ｂは、所定の位置に固定されており、当該位置においてワークＷを支持するように構成されていてもよい。カバー部材８２Ｂは、紫外線ランプ６６と保持部９２Ｂ（保持部９２Ｂに支持されているワークＷ）との間に設けられてもよい。カバー部材８２Ｂは、図１２（ｂ）に示されるように、ワークＷの周縁部分を覆うように円環状に形成された板部材であってもよい。すなわち、カバー部材８２Ｂの厚さ方向から見た形状が、非除去領域Ｓｎに対応していてもよい。カバー部材８２Ｂは、非除去領域Ｓｎに向かう紫外線を遮蔽する遮光部材を構成する。
【0087】
紫外線ランプ６６は、水平方向に移動可能に構成されていてもよい。ランプ駆動部９４Ｂは、例えば電動モータ等の動力源によって、紫外線ランプ６６を水平方向に移動させる水平アクチュエータである。この場合、制御装置１００は、ワークＷに対してランプ駆動部９４Ｂにより紫外線ランプ６６を移動させることで、紫外線ランプ６６により裏面Ｗｂ（除去領域Ｓｒ）に紫外線を照射させてもよい。なお、保持部９２Ｂに代えて、保持アーム６２が待機位置においてワークＷを支持した状態で、紫外線ランプ６６を移動させつつ裏面Ｗｂに紫外線を照射してもよく、紫外線ランプ６６Ａにより裏面Ｗｂの全域に紫外線を照射してもよい。非除去領域Ｓｎの少なくとも一部を覆わない状態でワークＷを保持する保持アーム（保持部）と紫外線ランプ６６との間に、カバー部材８２Ｂが配置されてもよい。紫外線照射部６０Ａにおいて、紫外線ランプ６６Ａに代えて、紫外線ランプ６６を移動させることで、裏面Ｗｂの全域に向けて紫外線が照射されてもよい。
【0088】
図１２（ａ）に示される変形例に係る塗布・現像装置２では、遮光部材が、ワークＷを保持する保持部９２Ｂと、当該保持部９２Ｂと紫外線ランプ６６との間に配置されるカバー部材８２Ｂとの別部材で構成される。この場合、カバー部材８２Ｂの形状によって、フッ素樹脂膜Ｆｆの形成範囲を調節すればよいので、ワークＷを保持する部材（例えば、保持部９２Ｂ又は保持アーム６２）を簡素化することが可能となる。
【0089】
なお、フッ素樹脂膜Ｆｆを形成しないための非除去領域Ｓｎが、ワークＷの裏面Ｗｂの周縁部以外にも設定されてもよい。例えば、カバー部材８２Ｂに代えて、図１２（ｃ）に示されるカバー部材８２Ｃが、ワークＷと紫外線ランプ６６との間に配置されてもよい。カバー部材８２Ｃは、円環状に形成されている。カバー部材８２Ｃは、ワークＷの半径に対応する方向において、外縁からワークＷの半径の１／４～２／３程度の幅を有している。カバー部材８２Ｃは、ワークＷの裏面Ｗｂの外周部（中心部を除いた部分）を覆うが、当該外周部の一部において裏面Ｗｂを覆わない。
【0090】
カバー部材８２Ｃは、円環状に形成されることで構成される中央部の孔９６ａに加えて、外周部にて厚さ方向に貫通する複数の孔９６ｂを有する。複数の孔９６ｂは、図１２（ｃ）に示されるように、周方向に沿ってライン状に形成されてもよい。あるいは、複数の孔９６ｂは、半径方向に沿ってライン状に形成されもよく、外周部においてドット状に形成されてもよい。この場合、ワークＷの裏面Ｗｂのうち、孔９６ａ及び複数の孔９６ｂに対応する領域にフッ素樹脂膜Ｆｆが形成され、カバー部材８２Ｃの外周部のうち複数の孔９６ｂ以外の部分に対応する領域に疎水化膜Ｆｈが残る。その結果、裏面Ｗｂの中央部分のフッ素樹脂膜Ｆｆと、ワークＷの外周部に点在するフッ素樹脂膜Ｆｆとにより、ワークＷと他部材との間の摩擦を低減することができる。また、ワークＷの外周部に疎水化膜Ｆｈの一部が残ることにより搬送時のワークＷの滑りを抑制することができる。
【0091】
以上に例示した塗布・現像装置２では、一つのユニット内において疎水化処理とフッ素樹脂膜Ｆｆの形成処理とが行われる。そのため、これらの処理を連続的に効率よく行うことができる。ただし、塗布・現像装置２は、疎水化処理を行う疎水化ユニット（疎水化処理部）と、フッ素樹脂膜Ｆｆの形成処理とを行う樹脂膜形成ユニット（樹脂膜形成部）とを個別に備えてもよい。つまり、疎水化処理と、フッ素樹脂膜Ｆｆの形成処理とが、互いに異なる処理空間で行われてもよい。この場合、紫外線照射部６０が、疎水化ユニット及び樹脂膜形成ユニットのいずれか一方に設けられてもよく、塗布・現像装置２は紫外線照射部６０を有する紫外線照射ユニットを更に備えてもよい。
【0092】
以上に例示した塗布・現像装置２では、フッ素樹脂膜形成用の処理ガスの蒸着により、ワークＷの裏面Ｗｂにフッ素樹脂膜Ｆｆが形成されるが、塗布・現像装置２は、フッ素樹脂膜形成用の処理液を裏面Ｗｂに供給することで、フッ素樹脂膜Ｆｆを形成してもよい。
【0093】
以上に例示した塗布・現像装置２の紫外線照射部６０は、紫外線ランプ６６からの紫外線を遮蔽することで、非除去領域Ｓｎへの紫外線の照射を行わないように構成されているが、紫外線照射部６０は、照射領域が絞られた紫外線ランプを有してもよい。紫外線照射部６０は、除去領域Ｓｒだけに紫外線を照射するように上記紫外線ランプを移動させることで、除去領域Ｓｒの疎水化膜Ｆｈを除去してもよい。
【符号の説明】
【0094】
１…基板処理システム、２…塗布・現像装置、４０…疎水化処理部、５０…フッ素樹脂膜形成部、６０…紫外線照射部、６２，６２Ａ…保持アーム、６６…紫外線ランプ、８２Ｂ，８２Ｃ…カバー部材、９２Ｂ…保持部、Ｕ１…液処理ユニット、Ｕ３…膜形成ユニット、Ｖ…処理空間、Ｗ…ワーク、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面、Ｓｒ…除去領域、Ｓｎ…非除去領域、Ｆｈ…疎水化膜、Ｆｆ…フッ素樹脂膜。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】