特許 7408683 構造体に耐摩耗材料を提供するための方法、及び複合体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-12-22

(45)【発行日】2024-01-05

(54)【発明の名称】構造体に耐摩耗材料を提供するための方法、及び複合体

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20231225BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20231225BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 501

H01L21/68 N

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2021560915

(86)(22)【出願日】2020-04-01

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-06-28

(86)【国際出願番号】 EP2020059188

(87)【国際公開番号】W WO2020221539

(87)【国際公開日】2020-11-05

【審査請求日】2021-12-06

(31)【優先権主張番号】19171823.8

(32)【優先日】2019-04-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(73)【特許権者】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】ニキペロフ，アンドレイ

(72)【発明者】

【氏名】デ グロート，アントニウス，フランシスカス，ヨハネス

【審査官】植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】特開２００７－１５８３０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１１－５１０４８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１１－５１７２９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－００９４１８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｈ０１Ｌ ２１／６８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法であって、
ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体を提供するステップと、
２０ＧＰａを超える硬さを有する耐摩耗材料を提供するステップと、
前記耐摩耗材料が提供される前記構造体の少なくとも一部をろう付け形成材料でコーティングすること、及び／又は、前記構造体に接続される前記耐摩耗材料の表面を前記ろう付け形成材料でコーティングするステップと、
前記構造体と前記耐摩耗材料との間に前記ろう付け形成材料が位置するように、前記構造体と前記耐摩耗材料を一緒にプレスするステップと、
前記ろう付け形成材料を加熱することによって前記耐摩耗材料を前記構造体にろう付けするステップと、
を含む方法。

【請求項2】

構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法であって、
ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体を提供するステップと、
２０ＧＰａを超える硬さを有する耐摩耗材料を提供するステップと、
前記耐摩耗材料と前記構造体との間に、前記耐摩耗材料を前記構造体にろう付けするのに適したろう付け形成材料を提供するステップと、
前記ろう付け形成材料を加熱することによって前記耐摩耗材料を前記構造体にろう付けするステップと、
を含み、
前記構造体の一部及び／又は前記耐摩耗材料にコーティングされた前記ろう付け形成材料の厚さは前記耐摩耗材料の厚さ未満である、
方法。

【請求項3】

構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法であって、
ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体を提供するステップと、
２０ＧＰａを超える硬さを有する耐摩耗材料を提供するステップと、
前記耐摩耗材料を前記構造体にレーザ溶接するステップと、
を含む方法。

【請求項4】

構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法であって、
ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体を提供するステップと、
２０ＧＰａを超える硬さを有する耐摩耗材料を提供するステップと、
前記耐摩耗材料を前記構造体にろう付け又はレーザ溶接するステップと、
を含み、
前記耐摩耗材料を提供するステップは、
２０ＧＰａを超える硬さを有する材料の層を成長基板上で成長させることと、
前記材料の層の一部を前記成長基板からキャリア膜へ移動させることにより、前記キャリア膜上に前記耐摩耗材料を形成することと、
を含む、方法。

【請求項5】

前記方法は、物体を支持するための支持面を規定する複数のバールを含む支持構造を製造するためのものであり、
前記ろう付け又はレーザ溶接の後、前記構造体とは反対側の前記耐摩耗材料の表面は前記バールの前記遠位端面を規定する、請求項１から４のいずれかに記載の方法。

【請求項6】

前記耐摩耗材料を前記構造体と物理的に接触させること、及び
前記耐摩耗材料と前記構造体との間の界面をｐｓパルスレーザ又はｆｓパルスレーザを用いて露光すること、
によって前記耐摩耗材料を前記構造体にレーザ溶接することを含む、請求項３に記載の方法。

【請求項7】

前記耐摩耗材料は透明であると共に前記構造体は不透明であり、前記耐摩耗材料と前記構造体との間の前記界面は前記耐摩耗材料を介して露光される、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記構造体は、本体表面を有する本体と、前記本体表面から突出している複数の未完成バールと、を含み、各未完成バールは遠位端面を有し、
複数のバールを含む支持構造を形成するように、前記耐摩耗材料は前記複数の未完成バールの各々の前記遠位端面上に提供され、前記複数のバールの前記遠位端面は物体の平坦な表面を支持するための支持面を規定する、請求項１から４のいずれかに記載の方法。

【請求項9】

前記構造体は本体表面を有する本体を含み、ろう付け又はレーザ溶接の後、前記耐摩耗材料は前記本体表面から突出している複数のバールを形成し、前記複数のバールは物体の平坦な表面を支持するための支持面を規定する、請求項１から４のいずれかに記載の方法。

【請求項10】

前記耐摩耗材料を提供するステップは前記耐摩耗材料をキャリア膜上に提供することを含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。

【請求項11】

前記耐摩耗材料を提供するステップは、
２０ＧＰａを超える硬さを有する材料の層を成長基板上で成長させることと、
前記材料の層の一部を前記成長基板から前記キャリア膜へ移動させることにより、前記キャリア膜上に前記耐摩耗材料を形成することと、
を含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

請求項１から１１のいずれかの方法によって得られる複合体。

【請求項13】

ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体と、
２０ＧＰａを超える硬さを有する耐摩耗材料と、
前記構造体と前記耐摩耗材料を接続する相互拡散層と、
を備える複合体。

【請求項14】

前記複合体は、物体を支持するための支持面を規定する複数のバールを含む支持構造であり、
前記構造体とは反対側の前記耐摩耗材料の表面は前記バールの前記遠位端面を規定する、請求項１３に記載の複合体。

【請求項15】

請求項１２から１４のいずれか１項に記載の複合体を含むリソグラフィ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１９年４月３０日に出願されたＥＰ出願第１９１７１８２３．８号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。

【0002】

[0002] 本発明は、未完成の基板ホルダ又は未完成のレチクルクランプのような構造体（body）上に耐摩耗材料を提供するための方法に関する。また、本発明は、耐摩耗材料を含む基板ホルダ又はレチクルクランプのような複合体に関する。

【背景技術】

【0003】

[0003] リソグラフィ装置は、基板に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（「設計レイアウト」又は「設計」と称されることも多い）を、基板（例えばウェーハ）上に提供された放射感応性材料（レジスト）層に投影し得る。

【0004】

[0004] パターニングデバイスからパターンを転写する場合、基板はリソグラフィ装置内の基板ホルダにクランプされる。基板ホルダは従来、基板を支持するため複数のバールを有する。基板に接触するバールの総面積は、基板の総面積に比べて小さい。従って、基板又は基板ホルダの表面上にランダムに位置する汚染物質粒子がバールと基板との間にトラップされる可能性は低い。また、基板ホルダの製造において、複数のバールの上部は、１つの大きい表面が正確に平坦に作製され得るよりも高い精度で同一平面とすることができる。

【0005】

[0005] 露光の準備として基板を最初に基板ホルダ上にロードする場合、基板は、３か所で基板を保持するいわゆるｅピン（e-pin）によって支持される。基板がｅピンで保持されている間、自重によって基板は歪み、例えば、上から見た場合に凸状になる。基板を基板ホルダにロードするためには、基板が基板ホルダのバールで支持されるようにｅピンを引っ込める。基板を基板ホルダのバール上へ下降させる際、基板は、例えばエッジ付近のようないくつかの場所では、例えば中央付近のような他の場所よりも先に接触する。バールと基板の下面との摩擦は、基板が完全に緩和して平坦な無応力状態になるのを妨げる可能性がある。これによって、基板の露光中にフォーカスエラー及びオーバーレイエラーが発生する恐れがある。

【0006】

[0006] 基板ホルダは一般に、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、又はシリコンマトリックス内にＳｉＣ粒を有する材料であるＳｉＳｉＣ等、セラミック材料で作られる。このようなセラミック材料は、従来の製造方法を用いて容易に所望の形状に機械加工することができる。基板ホルダから基板をロード及びアンロードすると、セラミック材料はすぐに摩耗する可能性がある。また、セラミック材料の比較的高い摩擦係数は、基板が基板ホルダにロードされるときに緩和して平坦な無応力状態になるのを妨げることがある。

【0007】

[0007] 基板ホルダのバール上にダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ：diamond-like carbon）の層を提供することが提案されている。このＤＬＣは、例えばＤＬＣ ａ－Ｃ：Ｈ、ａ－Ｃ、又はｔａ－Ｃである。このような層は摩耗耐性があり、基板ホルダと基板との間の摩擦を低減する。ＤＬＣは３００℃未満の温度で堆積が可能であるので、基板ホルダのバール上に直接堆積され得る。３００℃を超える温度では、基板ホルダを損傷するリスクがある。

【0008】

[0008] 本発明者らは、そのようなＤＬＣでコーティングされた基板ホルダの性能が期待に応えていないことを認識した。基板ホルダに堆積されたＤＬＣは、望ましいレベルよりも約１０倍速く摩耗するので、所望の動作期間よりもはるかに早く基板ホルダの再研磨及び再調節が必要となる。

【発明の概要】

【0009】

[0009] 従って、例えば、ＤＬＣでコーティングされた構造体に比べて耐摩耗特性が向上した耐摩耗材料を構造体上に提供することが望ましい。耐摩耗材料は、ＤＬＣでコーティングされた構造体に比べて、例えば腐食耐性の向上のように、他にも望ましい特性を有し得る。

【0010】

[0010] 本発明の一態様に従って、構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法が提供される。この方法は、ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体を提供するステップと、２０ＧＰａを超える硬さを有する耐摩耗材料を提供するステップと、耐摩耗材料を構造体にろう付け（brazing）又はレーザ溶接するステップと、を含む。

【0011】

[0011] 本発明の別の態様に従って、複合体が提供される。この複合体は、ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体と、２０ＧＰａを超える硬さを有する耐摩耗材料と、構造体と耐摩耗材料を接続する中間ろう付け層又は相互拡散層と、を備える。

【図面の簡単な説明】

【0012】

[0012] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

【0013】

【図1】[0013] リソグラフィ装置を概略的に示す。

【図2】[0014] 一実施形態に従った複合体の一例である基板ホルダを平面視で示す。

【図3A】[0015] 一実施形態に従って構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法を示す。

【図3B】[0016] 別の実施形態に従って構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法を示す。

【図4A】[0017] 一実施形態に従って構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法の一実施形態を概略的に示す。

【図4B】[0017] 一実施形態に従って構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法の一実施形態を概略的に示す。

【図4C】[0017] 一実施形態に従って構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法の一実施形態を概略的に示す。

【図4D】[0017] 一実施形態に従って構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法の一実施形態を概略的に示し、一実施形態に従った複合体を示す。

【図5A】[0018] 耐摩耗材料を提供するための方法の別の実施形態を概略的に示す。

【図5B】[0018] 耐摩耗材料を提供するための方法の別の実施形態を概略的に示す。

【図5C】[0018] 耐摩耗材料を提供するための方法の別の実施形態を概略的に示し、この別の実施形態に従った複合体を示す。

【図6A】[0019] 耐摩耗材料を提供するための方法ステップを概略的に示す。

【図6B】[0019] 耐摩耗材料を提供するための方法ステップを概略的に示す。

【図6C】[0019] 耐摩耗材料を提供するための方法ステップを概略的に示す。

【図6D】[0019] 耐摩耗材料を提供するための方法ステップを概略的に示す。

【発明を実施するための形態】

【0014】

[0020] 本文献では、「放射」及び「ビーム」という用語は、特に明記しない限り、紫外線（例えば、波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長）及びＥＵＶ（極端紫外線放射、例えば、約５～１００ｎｍの範囲の波長を有する）を含む、すべてのタイプの電磁放射を包含するために使用される。

【0015】

[0021] 「レチクル」、「マスク」、又は「パターニングデバイス」という用語は、本文で用いる場合、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応して、入来する放射ビームにパターン付き断面を与えるため使用できる汎用パターニングデバイスを指すものとして広義に解釈され得る。また、この文脈において「ライトバルブ」という用語も使用できる。古典的なマスク（透過型又は反射型マスク、バイナリマスク、位相シフトマスク、ハイブリッドマスク等）以外に、他のそのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイを含む。

【0016】

[0022] 図１は、一実施形態のリソグラフィ装置ＬＡを概略的に示す。リソグラフィ装置ＬＡは、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築されたレチクルクランプを一般的に含み、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたパターニングデバイス支持構造（例えばマスクテーブル）Ｔと、
例えば、１つ以上のセンサを支持するセンサテーブル、又は基板（例えばレジストコート製品基板）Ｗを保持するように構築された基板テーブルもしくはウェーハテーブルＷＴのような、特定のパラメータに従って、例えば基板Ｗのようなテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された支持テーブルと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えばダイの一部、１つのダイ、又は複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。

【0017】

[0023] 動作中、イルミネータＩＬは、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して放射源ＳＯから放射ビームを受ける。イルミネータＩＬは、放射を誘導し、整形し、及び／又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、及び／又はその他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使用して放射ビームＢを調節し、パターニングデバイスＭＡの平面において、その断面にわたって所望の空間及び角度強度分布が得られるようにしてもよい。

【0018】

[0024] 本明細書で用いられる「投影システム」ＰＳという用語は、使用する露光放射、及び／又は液浸液の使用や真空の使用のような他のファクタに合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、アナモルフィック光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム、及び／又は静電気光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈するべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語が使用される場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

【0019】

[0025] リソグラフィ装置ＬＡは、例えば２つ以上の支持テーブル、又は１つ以上の支持テーブルと１つ以上の洗浄テーブル、センサテーブル、もしくは測定テーブルとの組み合わせのように、２つ以上の支持テーブルを有するタイプとすることができる。例えばリソグラフィ装置ＬＡは、投影システムＰＳの露光側に位置付けられた２つ以上のテーブルを備えるマルチステージ装置であり、各テーブルが１つ以上の物体を備えている及び／又は保持している。一例において、テーブルのうち１つ以上は、放射感応性基板を保持することができる。一例において、テーブルのうち１つ以上は、投影システムからの放射を測定するセンサを保持することができる。一例において、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１のテーブル（すなわち支持テーブル）と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第２のテーブル（以降、限定ではないが一般に、測定テーブル、センサテーブル、及び／又は洗浄テーブルと呼ぶ）とを備える。第２のテーブルは、放射感応性基板以外の１つ以上の物体を備える及び／又は保持することができる。このような１つ以上の物体には、投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ以上のアライメントマーク、及び／又は（例えば液体閉じ込め構造を洗浄する）洗浄デバイスから選択された１つ以上のものが含まれ得る。

【0020】

[0026] 動作中、放射ビームＢは、パターニングデバイス支持構造（例えばマスクテーブル）Ｔに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに存在するパターン（設計レイアウト）に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＭＳ（例えば干渉デバイス、リニアエンコーダ、２Ｄエンコーダ、又は容量センサ）を用いて、例えば、放射ビームＢの経路内の集束され位置合わせされた位置に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に図示されていない）を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。図示されている基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分Ｃを占有しているが、それらをターゲット部分Ｃ間の空間に位置付けることも可能である（これらはスクライブラインアライメントマークとして既知である）。

【0021】

[0027] 基板テーブルＷＴは基板ホルダ６０を備えている。図２は、一実施形態に従ったリソグラフィ装置ＬＡで用いられる基板ホルダ６０を示す。基板ホルダ６０は基板Ｗを支持するためのものである。基板ホルダ６０は本体２１を含む。本体２１は本体表面２２を有する。本体表面２２から突出して複数のバール２０が設けられている。各バール２０の遠位端面は基板Ｗと係合する。バール２０の遠位端面は同一平面上にある。すなわち、バール２０の遠位端面は支持面ＳＰと実質的に一致し、基板Ｗを支持する。本体２１は、例えばＳｉＣ又はＳｉＳｉＣのようなセラミックで形成することができる。バール２０は、本体２１と同一の材料で形成するか、又は異なる材料で形成することができる。

【0022】

[0028] バール２０の高さは１０μｍ～５００μｍの範囲内とすることができ、例えば約１５０μｍである。バール２０の遠位端面の直径は１００μｍ～３００μｍの範囲内とすることができ、例えば約２００μｍである。バール２０のピッチは約０．５ｍｍ～３ｍｍの範囲内とすることができ、例えば約１．５ｍｍである。バール２０のピッチは、２つの隣接するバール２０の中心間の距離である。全てのバール２０の遠位端面の総面積は、基板ホルダ６０の総面積の１％～３％の範囲内とすればよい。バール２０は、バール側面がわずかに傾斜している円錐台状（fursto-conical）とすればよい。あるいは、バール側面は鉛直であってもよく、又は上部が張り出していてもよい。バール２０は平面視で円形とすればよい。あるいは、所望の場合にはバール２０を他の形状に形成してもよい。

【0023】

[0029] 本体２１に複数の貫通孔８９を形成してもよい。貫通孔８９によって、ｅピンが基板ホルダ６０を通って突き出て基板Ｗを受け止めることが可能となる。また、貫通孔８９によって、基板Ｗと基板ホルダ６０との間の空間を排気することが可能となる。基板Ｗと基板ホルダ６０との間の空間を排気すると、基板Ｗの上方の空間を排気しない場合にクランプ力を提供することができる。このクランプ力は基板Ｗを所定位置に保持する。ＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置の場合のように、基板Ｗの上方の空間も排気される場合は、基板ホルダ６０上に電極を提供して静電クランプを形成することができる。

【0024】

[0030] 例えば基板ホルダ６０と基板Ｗとの間のガス流及び／又は熱伝導率を制御するため、他の構造も提供され得る。基板ホルダ６０に電子コンポーネントを備えることができる。電子コンポーネントはヒータ及びセンサを含み得る。ヒータ及びセンサを用いて、基板ホルダ６０及び基板Ｗの温度を制御することができる。

【0025】

[0031] バール２０の摩耗及び摩擦を低減するため、基板ホルダ６０のバール２０の少なくとも遠位端面にＤＬＣ層を堆積することが提案されている。しかしながら、本発明者らは、そのようなＤＬＣ層が予想よりも速く摩耗することを認識した。これは、ＤＬＣ内のｓｐ２混成炭素の存在に起因する可能性がある。典型的に、ＤＬＣはｓｐ２：ｓｐ３炭素比が１０：１～１：１の範囲内であり、いわゆるＨ－ＤＬＣ又はａ－Ｃ：Ｈを形成するトラップされた水素を含み得る。ｔａ－Ｃは炭素のみを含むので水素化されないが、より低濃度のｓｐ２炭素も含む。ｓｐ２混成炭素はグラファイトと同様にふるまうので、機械的に弱く電気的に伝導性であり、接触摩耗、摩擦帯電によって誘発される摩耗、及び酸化が生じる可能性がある。これにより、特に液浸リソグラフィ装置のような湿潤環境では、ＤＬＣが予想よりも速く劣化する恐れがある。

【0026】

[0032] 従って、ＤＬＣよりも摩耗に耐えられる耐摩耗材料を基板ホルダ６０に提供することが望ましい。本発明者らは、そのような耐摩耗材料はビッカース硬さ試験によって決定される硬さが２０ＧＰａを超えなければならないことを認識した。２０ＧＰａ超の硬さでは、耐摩耗材料が、基板ホルダ６０又はリソグラフィ装置ＬＡの他の支持構造（例えば、基板テーブルＷＴ以外の支持テーブルに含まれる支持構造、基板クランプ、パターニングデバイスＭＡを保持するためのレチクルホルダ又はレチクルクランプ）のような構造体での使用に適していることが保証される。耐摩耗材料は、好ましくは結晶性物質又は少なくともナノ結晶性物質であり、例えばダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素（ｃ－ＢＮ）、立方晶窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、立方晶窒化炭素（Ｃ_３Ｎ_４）、ＡｌＭｇＢ_１４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＷＢ_４、Ｖ_ｙＢ_ｘ、Ｔａ_ｙＢ_ｘ、Ｚｒ_ｙＢ_ｘ、Ｎｂ_ｙＢ_ｘ、ｃ－ＢＣ_２Ｎ、他のＣ－Ｂ－Ｎ三元化合物、又はこれらの任意の組み合わせ等である。あるいは、耐摩耗材料は、例えば５０％以上のｓｐ３炭素を含有するアモルファスＤＬＣとすればよい。このようなｓｐ３炭素含有量によってＤＬＣに内部機械応力が生じ、アモルファスＤＬＣが３０ＧＰａ超の硬さを有することが保証される。これらの材料は、極めて低い摩耗及び摩擦特性のため、リソグラフィ装置ＬＡで耐摩耗材料として使用するのに特に適している。これらの材料を、エンハンス蒸着（enhanced vapour deposition）（ＣＶＤ、ＰＶＤ、パルスレーザ堆積）を用いて成長基板上に成長させるには、成長基板を５００℃～１２００℃の高温にする必要がある。このような高温は、基板ホルダ６０、又は耐摩耗材料を適用する他の構造体を損傷する可能性がある。従って、基板ホルダ６０に耐摩耗材料を直接堆積することは、基板ホルダ６０を損傷するリスクがある。

【0027】

[0033] 本発明者らは、セラミック、ガラス、又はガラスセラミックで作られた構造体上に耐摩耗材料を提供する新しい方法を確認した。このような構造体の一例は、未完成基板ホルダ６０’である。しかしながら本発明は、未完成基板ホルダ６０’に耐摩耗材料を適用し、これによってリソグラフィ装置ＬＡで使用される基板ホルダ６０を生成することに限定されない。本発明は、ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた他の任意の構造体に耐摩耗材料を適用することに拡張される。ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体は、従来の製造方法を用いて容易に機械加工することができ、従って、リソグラフィ装置ＬＡで使用されるようなコンポーネントの基材を形成するためには特に有用である。

【0028】

[0034] 図３Ａに、構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法２００の一実施形態が示されている。方法２００は、ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体を提供することを含む（Ｓ２１０）。構造体は、例えばＳｉＣ又はＳｉＳｉＣで作ることができる。方法２００は更に、２０ＧＰａ超の硬さを有する耐摩耗材料を提供することを含む（Ｓ２２０）。耐摩耗材料の例は、ダイヤモンド及びｃ－ＢＮ、並びに上述した他の耐摩耗材料である。ステップＳ２２０は、図６Ａから図６Ｄで概略的に示されているように、成長基板上に材料層を成長させること（Ｓ２２１）と、材料層の一部をキャリア膜へ移動させること（Ｓ２２２）と、を含み得る。

【0029】

[0035] 方法２００は更に、耐摩耗材料と構造体との間に、耐摩耗材料を構造体にろう付けするのに適したろう付け形成材料を提供することを含む（Ｓ２３０）。これは、図４Ａ及び図４Ｂ、並びに図５Ａ及び図５Ｂで概略的に示されているように、耐摩耗材料及び／又は構造体をろう付け形成材料でコーティングすること（Ｓ２３１）と、耐摩耗材料と構造体を一緒にプレスすること（Ｓ２３２）と、を含み得る。方法２００は更に、ろう付け形成材料を加熱することによって耐摩耗材料を構造体にろう付けすることを含む（Ｓ２４０）。これは図４Ｂ及び図５Ｂで概略的に示されている。方法２００の最後のステップＳ２５０では、キャリア膜を除去することができる。方法２００によって得られる複合体は、図４Ｄ及び図５Ｃで概略的に示されている。

【0030】

[0036] 図３Ｂは、構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法２０１の代替的な実施形態を示す。方法２０１は、図３Ａの方法２００に関してすでに検討したように、ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体を提供すること（Ｓ２１０）と、２０ＧＰａ超の硬さを有する耐摩耗材料を提供すること（Ｓ２２０）と、を含む。しかしながら、図３Ａの方法２００と比べて図３Ｂの方法２０１では、耐摩耗材料と構造体との間にろう付け形成材料は提供されず、耐摩耗材料３０は構造体と直接に物理的に接触している。方法２０１は、耐摩耗材料を構造体にレーザ溶接する（又はレーザ誘起溶接する（laser-induced welding））こと（Ｓ２６０）を含む。これは、耐摩耗材料を構造体と直接に物理的に接触させること（Ｓ２６１）と、ｐｓパルスレーザ又はｆｓパルスレーザを用いて耐摩耗材料と構造体との間の界面を露光することと、を含む。耐摩耗材料及びキャリア膜はｐｓレーザ又はｆｓレーザに対して透明とすることができ、構造体はｐｓレーザ又はｆｓレーザに対して不透明とすることができる。従って、耐摩耗材料と構造体との間の界面は、耐摩耗材料及びキャリア膜を介してｐｓレーザ又はｆｓパルスレーザで露光することができる。

【0031】

[0037] 方法２００及び２０１を用いて、耐摩耗材料を構造体上に直接成長させること（これは高温を必要とする）に頼らずに耐摩耗材料を構造体に提供できるので、構造体を損傷するリスクが低減する。耐摩耗材料は、構造体とは異なる成長基板上で最適な条件のもとに高温で成長させることができ、高品質の耐摩耗材料を得ることが可能となる。この後、耐摩耗材料を構造体にろう付け又はレーザ溶接することで、構造体と耐摩耗材料との間の強力な接続を保証する。このようなろう付けでは、構造体上に耐摩耗材料を直接成長させるよりも必要な温度が低い可能性があり、又は、ろう付け形成材料とその周りのエリアの局所的な加熱のみが必要であり得るので、構造体上に耐摩耗材料を成長させるため構造体全体が高温に加熱される状況に比べて、構造体を損傷するリスクを低減できる。同様に、レーザ溶接では、耐摩耗材料と構造体との間の界面の極めて局所的な加熱のみが必要であるので、この場合も損傷のリスクが低減する。

【0032】

[0038] 図４Ａから図４Ｄは、構造体上に２０ＧＰａ超の硬さを有する耐摩耗材料３０を提供するための方法２００の一実施形態を示す。この実施形態では、構造体は未完成基板ホルダ６０’である。未完成基板ホルダ６０’は、本体表面２２を有する本体２１と、本体表面２２から突出している複数の未完成バール２０’と、を含む。

【0033】

[0039] 図４Ａに示されているように、耐摩耗材料３０は層の形態で提供され得るので、耐摩耗層とすることができる。耐摩耗層は、この耐摩耗層を支持構造上に堆積した後に過剰な研摩を必要とすることなく物体を支持する支持面ＳＰを規定するのに特に適しているので、支持構造（基板ホルダ６０等）で耐摩耗材料３０を使用することが簡単になる。耐摩耗材料３０は、好ましくは０．１～５００μｍの範囲内の厚さを有する。

【0034】

[0040] 耐摩耗材料３０は、複数の別個部分３０’で提供することができる。別個部分３０’は、直径ｄ_１又は平面視の平均横寸法が２ｍｍ未満、又は好ましくは５００μｍ未満であることが望ましい。

【0035】

[0041] 耐摩耗材料３０を複数の別個部分３０’で提供することにより、耐摩耗材料３０を、未完成基板ホルダ６０’の未完成バール２０’の遠位端面上に提供することが可能となる（図４Ａから図４Ｄに示されている）。この場合、耐摩耗材料３０は好ましくは、０．１μｍ～１０μｍの厚さｔ_１（本体表面２２に対して垂直な方向）を有する。耐摩耗材料３０、特に耐摩耗材料３０の別個部分３０’で形成されるパターンは、複数の未完成バール２０’で形成されるパターンと幾何学的に同様であるか又は同一であることが好ましい。あるいは、耐摩耗材料３０（の別個部分３０’）で形成されるパターンは、複数の未完成バール２０’のサブセット、例えば１つおき又は２つおきの未完成バール２０’で形成されるパターンと幾何学的に同様又は同一としてもよい。これにより、耐摩耗材料３０を複数の未完成バール２０’に対して２つ以上の段階で提供することができる。例えば、第１の段階で未完成バール２０’の最初の半分に耐摩耗材料３０を提供し、第２の段階で未完成バール２０’の残りの半分に耐摩耗材料３０を提供する。別個部分３０’の各々の直径ｄ_１は、未完成バール２０’の直径以下とすることができ、例えば５０μｍ～３００μｍの範囲内、例えば約２００μｍとすればよい。２つの隣接した別個部分３０’の中心間の距離は、未完成バール２０’のピッチに等しくすることができ、例えば約０．５ｍｍ～３ｍｍ、例えば約１．５ｍｍとすればよい。別個部分３０’の形状は、未完成バール２０’の遠位端面の形状と幾何学的に同様とすることができ、例えば平面視で円形とすればよい。また、所望の場合には別個部分３０’を他の形状に形成してもよい。

【0036】

[0042] 図４Ａに示されているように、耐摩耗材料３０を提供することは、キャリア膜７４上に耐摩耗材料３０を提供することを含むと好ましい。これによって、構造体上に耐摩耗材料を簡単かつ正確に配置することが可能となる。耐摩耗材料が複数の別個部分３０’で提供される場合、キャリア膜７４は、別個部分３０’の相互の相対位置と、別個部分３０’を提供する構造体に対する相対位置を規定するようにも機能する。キャリア膜７４は、実質的に平坦であることが好ましい。キャリア膜７４は、例えばろう付けに使用されるろう付けレーザ、又はレーザ溶接に使用されるｐｓパルスレーザもしくはｆｓパルスレーザに対して、透明とすることができる。好ましくはキャリア膜７４は、耐摩耗材料３０に比べて剛性であると共に構造体に比べて可撓性である。耐摩耗材料３０に対して剛性であるキャリア膜７４を提供することで、耐摩耗材料３０を構造体上に配置した場合に耐摩耗材料３０の別個部分３０’の各々と構造体との間で良好な接触を達成できることが保証される。任意選択的に、耐摩耗材料３０とキャリア膜７４との間に接着層（図示せず）を提供して、キャリア膜７４上で耐摩耗材料３０又は耐摩耗材料３０の別個部分３０’を安定化させてもよい。接着層の接着特性は可逆性としてもよく、例えば、所望の場合（例えばろう付けのステップＳ２４０の後）に接着層を加熱することで耐摩耗材料３０からキャリア膜７４を取り外してもよい。接着層は、この接着層をレーザが貫通可能であるように透明とすることができる。

【0037】

[0043] 図４Ａ及び図４Ｂは、耐摩耗材料３０と構造体（未完成基板ホルダ６０’）との間にろう付け形成材料８０を提供するステップＳ２２０を概略的に示す。ろう付け形成材料８０は、耐摩耗材料３０を未完成基板ホルダ６０’にろう付けするのに適している。すなわちろう付け形成材料８０は、加熱されると、耐摩耗材料３０を未完成基板ホルダ６０’に接続する中間ろう付け層８１、８２を形成するように、耐摩耗材料３０及び未完成基板ホルダ６０’と化学的に反応する。例えば、未完成基板ホルダ６０’がＳｉＣ又はＳｉＳｉＣで作られている場合、ろう付け形成材料８０は未完成基板ホルダ６０’のＳｉＣ又はＳｉＳｉＣによってカーバイド又はシリサイドを形成し得る。耐摩耗材料３０がダイヤモンドで作られている場合、ろう付け形成材料８０はダイヤモンドによってカーバイドを形成し得る。

【0038】

[0044] ろう付け形成材料８０は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｓｉ、Ｂ、及びそれらの組み合わせから成るろう付け形成材料８０の群から選択すればよい。適切なろう付け形成材料８０の選択は、特定の耐摩耗材料と、構造体を構成する特定のガラス、セラミック、又はガラスセラミックに依存する。例えば、構造体がＳｉＣ又はＳｉＳｉＣで作られ、かつ耐摩耗材料がダイヤモンドである場合、ろう付け形成材料８０は好ましくは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｃ、Ｓｉ、及びＢ、及びそれらの組み合わせから成るろう付け形成材料８０の群から選択される。例えば、ろう付け形成材料８０はＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉとすればよい。構造体がＳｉＣ又はＳｉＳｉＣで作られ、かつ耐摩耗材料がｃ－ＢＮである場合、ろう付け形成材料８０は好ましくは、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及びＺｒ、及びそれらの組み合わせから成るろう付け形成材料８０の群から選択される。

【0039】

[0045] 図４Ａに示されているように、ろう付け形成材料８０を提供するステップＳ２３０は、未完成基板ホルダ６０’、特に、耐摩耗材料が提供される構造体の少なくとも一部（未完成バール２０’の遠位端面等）を、ろう付け形成材料８０でコーティングするステップＳ２３１を含み得る。この代わりに又はこれに加えて、構造体に接続される耐摩耗材料３０の少なくとも表面をろう付け形成材料８０でコーティングしてもよい。一実施形態では、耐摩耗材料３０が提供されているキャリア膜７４の側面もろう付け形成材料８０でコーティングすることで、マスキングの必要をなくし、ろう付け形成材料８０の提供を簡単にする。ろう付け形成材料８０の厚さは、好ましくは耐摩耗材料３０の厚さｔ_１未満であり、より好ましくは厚さｔ_１の半分未満である。これによって、ろう付けの後、未完成基板ホルダ６０’とは反対側の耐摩耗材料３０の表面の所望の化学的特性と構造的特性が最適に維持されることを保証する。

【0040】

[0046] 図４Ｂに示されているように、ろう付け形成材料８０を提供するステップＳ２３０は更に、構造体（すなわち基板ホルダ６０）と耐摩耗材料３０（又は耐摩耗材料３０の別個部分３０’）との間にろう付け形成材料８０が位置するように、構造体と耐摩耗材料３０を一緒にプレスするステップＳ２３２を含む。図４Ａに示されているように、未完成基板ホルダ６０’上にろう付け形成材料８０がコーティングされている場合は、ろう付け形成材料８０に耐摩耗材料３０をプレスする。あるいは、耐摩耗材料３０上にろう付け形成材料８０がコーティングされている場合は、ろう付け形成材料８０に未完成基板ホルダ６０’（特に、未完成基板ホルダ６０’の複数の未完成バール２０’）をプレスする。未完成基板ホルダ６０’と耐摩耗材料３０を一緒にプレスして、未完成基板ホルダ６０’及び耐摩耗材料３０の別個部分３０’がろう付け形成材料８０と接触することによる適切な濡れを保証する。

【0041】

[0047] また、図４Ｂは、ろう付け形成材料８０を加熱することによって耐摩耗材料３０を構造体にろう付けするステップＳ２４０を概略的に示す。ろう付け形成材料８０は、例えば５００～１５００℃の範囲内の温度に加熱され得る。あるいは、例えば、比較的冷たい構造体を提供しながら１０～１００ｎｓのレーザ照射加熱を用いる場合、ろう付け形成材料８０はより高温に加熱され得る。ろう付け形成材料８０が加熱された場合、ろう付け形成材料８０は構造体及び／又は耐摩耗材料３０と化学的に結合する及び／又はそれらへ拡散し、これによって中間ろう付け層８１、８２を形成することができる。図４Ｃに示されているように、中間ろう付け層８１、８２は、ろう付け形成材料８０が耐摩耗材料３０内へ拡散することで形成された第１の部分８１と、ろう付け形成材料８０が未完成基板ホルダ６０’又は他の構造体内へ拡散することで形成された第２の部分８２とを含むか、又はこれらから成ることができる。

【0042】

[0048] 耐摩耗材料３０を構造体に接続するように機能するろう付け形成材料８０の部分は、好ましくは局所的に加熱される。すなわち、ろう付け形成材料８０のこれらの部分と、ろう付け形成材料８０のこれらの部分に隣接した構造体及び耐摩耗材料３０の領域のみが加熱される。未完成基板ホルダ６０’の全体が加熱されるわけではないので、未完成基板ホルダ６０’を損傷するリスクを低減できる。

【0043】

[0049] 好ましくは、ろう付け形成材料８０はろう付けレーザ９４により加熱され、これによって耐摩耗材料と構造体との間に位置するろう付け形成材料８０の部分をレーザろう付けする。これは図４Ｂに示されている。ろう付けレーザ９４は、キャリア膜７２及び耐摩耗材料３０を介してろう付け形成材料８０を照射及び加熱することができる（例えば、ダイヤモンド等の耐摩耗材料３０が透明である場合）。この代わりに又はこれに加えて、ろう付けレーザ９４は構造体を介してろう付け形成材料８０を照射及び加熱することができる（図示せず）。ろう付けレーザ９４は、１又は複数のレーザパルスでろう付け形成材料８０の部分を照射できる。ろう付けレーザ９４の波長は、ろう付けレーザ９４のパワーの５０％未満、好ましくは５％未満が耐摩耗材料３０で吸収される（レーザビームが耐摩耗材料を介して伝送される場合）か、又は構造体で吸収される（レーザビームが構造体を介して伝送される場合）ように選択すればよい。これにより、ろう付けレーザ９４のパワーのほとんどがろう付け形成材料で吸収されることを保証する。通例、各レーザパルスは１～１００ｎｓのパルス長を有し、０．０５～５Ｊ／ｃｍ^２のフルエンス（fluence）を有し得る。あるいは、各レーザパルスは１ｎｓ未満のパルス長を有し、０．０１～１Ｊ／ｃｍ_２の小さいフルエンスを有し得る。ろう付けレーザ９４を用いることで、ろう付け形成材料８０の照射される部分の迅速な加熱が可能となるので、照射部分の周囲のエリアに対する加熱の影響が軽減し、従って未完成基板ホルダ６０’を損傷するリスクが低減する。

【0044】

[0050] また、例えば耐摩耗材料がｃ－ＢＮ（１５００℃超の温度では不安定である）である場合、ろう付けレーザ９４を用いて耐摩耗材料を加熱してもよい。耐摩耗材料はろう付け形成材料８０と物理的に接触しているので、この加熱は伝導性熱伝達によってろう付け形成材料を加熱し、これによって耐摩耗材料を構造体にろう付けする。

【0045】

[0051] また、ろう付けレーザ９４以外の加熱デバイスを用いてろう付け形成材料８０を局所的に加熱してもよい。例えば、ろう付け形成材料８０と加熱デバイスを直接接触させることで、伝導性熱伝達によってろう付け形成材料８０を局所的に加熱することができる（例えば、キャリア膜７２の加熱、及び耐摩耗材料３０の別個部分３０’の接触加熱によって）。あるいは、ろう付け形成材料８０が３００℃未満の温度で未完成基板ホルダ６０’及び耐摩耗材料３０と化学的に反応する及び／又はそれらへ拡散することができる場合は、未完成基板ホルダ６０’の全体を加熱してもよい。これは、未完成基板ホルダ６０’がそのような低温に耐えられるからである。

【0046】

[0052] ろう付けステップＳ２４０の後、キャリア膜７２を耐摩耗材料３０から分離すればよい。キャリア膜７２に任意選択的な接着層が設けられている場合、この接着層を加熱して、キャリア膜７２からの耐摩耗材料３０の分離を容易にすることができる。耐摩耗材料３０が提供されていない未完成基板ホルダ６０’の部分に設けられたろう付け形成材料８０のような、過剰なろう付け形成材料８０を除去することができる。ろう付けの後、未完成基板ホルダ６０’とは反対側の耐摩耗材料３０の表面は、支持される物体（基板Ｗ等）の平坦な表面を支持するための支持面ＳＰを規定する。任意選択的に、ろう付けの後に耐摩耗材料３０を研摩及び平坦化して、耐摩耗材料３０で規定された支持面ＳＰがリソグラフィ装置ＬＡで用いるために必要な仕様を満たすことを保証してもよい。

【0047】

[0053] 図４Ｄは、図４Ａから図４Ｄに示されている方法２００で得られる最終複合体を示す。最終複合体は基板ホルダ６０である。未完成バール２０’と中間ろう付け層８１、８２及び耐摩耗材料３０との組み合わせが、基板ホルダ６０のバール２０を構成する。

【0048】

[0054] 図５Ａから図５Ｃは、耐摩耗材料を構造体上に提供するための方法２００の別の実施形態を示す。この実施形態が図４Ａから図４Ｄの実施形態と異なる点は、耐摩耗材料３０が未完成基板ホルダ６０’の予め作製された未完成バール２０’の上に提供されないことである。耐摩耗材料３０は、基板ホルダブランク又はテンプレートの本体２１の本体表面２２から突出する複数のバール２０を形成する。

【0049】

[0055] 図５Ａから図５Ｃの実施形態において、ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体は、基板ホルダブランクである。基板ホルダブランクはＳｉＣ又はＳｉＳｉＣで作ることができる。基板ホルダブランクは、本体表面２２を有する本体２１を含む。本体表面２１は実質的に平坦である。基板ホルダブランクは複数のバール２０を含まない。

【0050】

[0056] 図５Ａから図５Ｃの実施形態において、耐摩耗材料を提供するステップＳ２２０は図４Ａから図４Ｄに関して記載したものと同様である。耐摩耗材料３０を複数の別個領域３０’で提供することにより、耐摩耗材料３０は基板ホルダブランク上に複数のバール２０を形成し、これによって基板ホルダ６０を形成することができる。耐摩耗材料３０を用いて複数のバール２０を形成する場合、耐摩耗材料３０の厚さｔ_１（本体表面２２に対して垂直な方向）は、所望のバール２０の高さｈ_１と等しく、好ましくは１０μｍ～５００μｍである。別個領域３０’の直径ｄ_１は、５０μｍ～３００μｍの範囲内とすることができ、例えば約２００μｍである。２つの隣接した別個領域３０’の中心間の距離は、約０．５ｍｍ～３ｍｍの範囲内とすることができ、例えば約１．５ｍｍである。別個領域３０’の形状は、円形バール２０を形成するように平面視で円形とすればよい。また、所望の場合には別個領域３０’を他の形状に形成してもよい。

【0051】

[0057] 図５Ａから図５Ｃの実施形態において、ろう付け形成材料８０は図４Ａから図４Ｄに関して記載したものと同様である。基板ホルダブランクの本体表面２２の全体、又は耐摩耗材料３０が提供される本体表面２２の少なくとも一部を、ろう付け形成材料８０でコーティングする。この代わりに又はこれに加えて、基板ホルダブランクに接続される耐摩耗材料３０の表面をろう付け形成材料８０でコーティングしてもよい。次いで、例えば図４Ａから図４Ｄに関してすでに記載した通り、耐摩耗材料３０を基板ホルダブランクに接続する中間ろう付け層８１、８２を形成するように、ろう付け形成材料８０を（局所的に）加熱する。キャリア膜７４及び過剰なろう付け形成材料８０を除去し、任意選択的にろう付け形成材料３０を研摩及び平坦化して、図５Ｃに示されている複合体を形成することができる。

【0052】

[0058] 図５Ｃは、図５Ａから図５Ｃに示されている方法２００で得られる最終複合体を示す。最終複合体は基板ホルダ６０である。中間ろう付け層の第１の部分８１及び耐摩耗材料３０が、基板ホルダ６０のバール２０を構成する。

【0053】

[0059] 図４及び図５は、構造体上に耐摩耗材料を提供するための図３Ａの方法２００のステップを概略的に示す。図３Ｂの方法２０１は、図４及び図５に関して記載したものと同様に実行され得るが、耐摩耗材料３０と構造体との間にろう付け形成材料８０が提供されない点が異なる。ろう付け形成レーザ９４の代わりに、ｐｓパルスレーザ又はｆｓパルスレーザを用いて、耐摩耗材料３０又は耐摩耗材料３０の別個部分３０’の各々を構造体にレーザ溶接することができる。好ましくは、耐摩耗材料３０は（ｐｓパルスレーザ又はｆｓパルスレーザに対して）透明であり、構造体は（ｐｓパルスレーザ又はｆｓパルスレーザに対して）不透明であり、ｐｓパルスレーザ又はｆｓパルスレーザは耐摩耗材料３０を介して構造体と耐摩耗材料３０との間の界面を露光する。ｐｓパルスレーザ又はｆｓパルスレーザは、１００ｐｓ未満、好ましくは１０ｐｓ未満のパルス長を有するレーザパルスを放出し得る。各レーザパルスは、焦点において０．０１Ｊ／ｃｍ_２より大きい、好ましくは０．１～１Ｊ／ｃｍ_２のフルエンスを有し得る。ｐｓパルスレーザ又はｆｓパルスレーザを、耐摩耗材料３０の別個領域３０’の各々と構造体との間の界面の少なくとも一部で集束させることで、この界面で１０００Ｋ超の温度までの極めて局所的な加熱を達成できる。このような極めて局所的な加熱によって、構造体のガラス、セラミック、又はガラスセラミック材料内への耐摩耗材料３０の拡散、及び／又はその逆の拡散が生じる。これにより、耐摩耗材料３０を構造体に接続する相互拡散層が生成され、結果として耐摩耗材料３０と構造体との間の強力な結合が得られる。

【0054】

[0060] 方法２００を用いて、本発明の一実施形態に従った複合体を得ることができる。図４Ｄ及び図５Ｃは、そのような複合体の２つの実施形態を概略的に示す。図４Ｄ及び図５Ｃの実施形態において、複合体はリソグラフィ装置ＬＡで用いられる基板ホルダ６０である。あるいは、複合体は他の任意の支持構造であってもよく、例えば、リソグラフィ装置ＬＡで用いられるレチクルクランプもしくはレチクルホルダ、基板クランプ、又はリソグラフィ装置ＬＡで用いられる他の任意の支持テーブル等である。また、複合体は、例えばメトロロジ装置や他の基板処理デバイス等、リソグラフィ装置ＬＡ以外の用途で用いられる支持構造であってもよい。また、複合体は、物体を支持するためのものでなく、ガラス、セラミック、又はガラスセラミックの構造体に極めて耐摩耗性の高い材料を提供することから利益を得る他の任意の用途のためのものであってもよい。

【0055】

[0061] 複合体は、未完成基板ホルダ６０’（図４Ｄに示されている）、基板ホルダブランク（図５Ｃに示されている）、レチクルクランプブランク、又は他の任意の支持構造ブランクのような、ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体を含む。複合体は、２０ＧＰａ超の硬さを有する、例えば耐摩耗層の形態の耐摩耗材料３０も含む。複合体は更に中間ろう付け層８１、８２を含む。中間ろう付け層８１、８２は、ろう付けによって構造体と耐摩耗材料を接続する。中間ろう付け層８１、８２は、構造体内へ及び耐摩耗材料内へ拡散したろう付け形成材料８０を含み得る。透過電子顕微鏡（ＴＥＭ：transmission electron microscope）の集束イオンビーム（ＦＩＢ：focused ion beam）システム、ラマン分光法、又は光学顕微鏡を用いた視覚的検査によって複合体を検査する場合、中間ろう付け８１、８２は容易に検出することができる。

【0056】

[0062] 従って複合体は、リソグラフィ装置ＬＡ又は他の用途において基板ホルダ６０又は他の支持構造として使用され得る。例えば、基板Ｗ、マスクＭＡ、又は複合体からの他の物体の所定数のロード／アンロードサイクルの後に、複合体の中間ろう付け８１、８２が疲労した場合、中間ろう付け層８１、８２を修理することができる。これは中間ろう付け層８１、８２を加熱することによって実施できる。このような加熱は、最初のろう付けステップと同様の又はより低レベルの照射を用いたろう付けレーザ９４によって実行され得る。

【0057】

[0063] 方法２０１を用いて、本発明の一実施形態に従った複合体を得ることができる。この複合体は上述したものと同様であり得るが、中間ろう付け層８１、８２でなく相互拡散層が提供される点が異なる。相互拡散層は、耐摩耗材料３０を構造体にレーザ溶接することによって形成される。相互拡散層は、構造体のガラス、セラミック、又はガラスセラミック材料から耐摩耗材料までの（元素）組成の勾配を含む。相互拡散層は、中間ろう付け層８１、８２と同様に検出及び／又は修理することができる。

【0058】

[0064] 図６Ａから図６Ｄは、耐摩耗材料を提供するステップＳ２２０の好適な実施形態を概略的に示す。ステップＳ２２０は好ましくは、ダイヤモンド、ｃ－ＢＮ、Ｃ_３Ｎ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＭｇＢ_１４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＷＢ_４、Ｖ_ｙＢ_ｘ、Ｔａ_ｙＢ_ｘ、Ｚｒ_ｙＢ_ｘ、Ｎｂ_ｙＢ_ｘ、ｃ－ＢＣ_２Ｎ、他のＣ－Ｂ－Ｎ三元化合物、又はこれらの任意の組み合わせの層のような、２０ＧＰａ超の硬さを有する材料層３１を、成長基板７２上に成長させること（Ｓ２２１）を含む。成長基板は例えば、単結晶又は多結晶のＳｉＣ、Ｓｉ、又はサファイヤで作ることができる。材料層３１は、例えば５００℃～１２００℃の成長基板温度でエンハンス蒸着を用いた最適な条件下で成長させればよい。最適な成長条件は、成長させる材料に依存する。また、高圧高温焼結／ホットプレス等、結晶硬質膜を成長させるか又は生成する他の方法を用いて材料層３１を提供してもよい。次いで、材料層３１の少なくとも一部を成長基板７２からキャリア膜７４へ移動させ（Ｓ２２２）、これによってキャリア膜７４上に耐摩耗材料３０を形成することができる。キャリア膜７４へ移動させる材料層３１の部分は、構造体に適用される耐摩耗材料３０の別個部分３０’に対応する。このため、移動させる材料層３１の部分のパターンは、構造体に適用される耐摩耗材料３０のパターンと等しい。

【0059】

[0065] 図６Ａ及び図６Ｂに示されているように、材料層３１の一部をキャリア膜へ移動させるためにレーザ誘起剥離（laser induced delamination）を用いることができる。剥離レーザ９２は、例えばフェムト秒（ｆｓ）パルスレーザビームを用いて、移動させる材料層３１の部分を照射できる。剥離レーザ９２は、５００ｆｓ未満、好ましくは１００ｆｓ未満のパルス長を有するレーザパルスを放出し得る。これらのレーザパルスのフルエンスは０．１Ｊ／ｃｍ^２より大きく、好ましくは１Ｊ／ｃｍ^２より大きくすることができる。これにより、成長基板７２と材料層３１との間の界面の照射領域にアブレーションが生じるので、材料層３１の一部が剥離し、キャリア膜７４の方へ又はキャリア膜７４上の任意選択的な接着層の方へ送出される。任意選択的な接着層は、剥離部分がキャリア膜７４に接着せずにキャリア膜７４に当たって跳ね返るリスクを低減するという追加の利点を有する。

【0060】

[0066] 剥離レーザ９２は、キャリア膜７４を介して材料層３１の一部を照射して（図６Ａに示されているように）、材料層３１の一部のキャリア膜７４への、いわゆる逆方向移動（backward transfer）を可能とする。あるいは、剥離レーザ９２は成長基板７２を介して材料層３１の一部（例えばｃ－ＢＮ）を照射して（図６Ｂに示されているように）、材料層３１の一部のキャリア膜７４への、いわゆる順方向移動（forward transfer）を可能とする。移動ステップは、好ましくは低圧で又は真空下で実行されるべきである。移動ステップの間、キャリア膜７４と材料層３１との間の距離Ｈは、好ましくは１ｍｍ未満、より好ましくは１００μｍとして、キャリア膜７４上での別個部分３０’の正確な位置決めを保証する。

【0061】

[0067] 任意選択として、レーザ誘起剥離の前に、材料層３１の一部のキャリア膜７４への移動を促進するように成長基板７２上の材料層を予めパターン形成してもよい。これは図６Ｃ及び図６Ｄに概略的に示されている。このように予めパターン形成することは、１０μｍ超の厚さの材料層３１のような、比較的厚い材料層３１の部分を移動させるには特に有用である。例えば図６Ｃに示されているように、移動させる部分を取り囲む材料層３１の部分、又は移動させない材料層３１の部分全体を、レーザ誘起剥離の前にエッチングすることができる。これによって、より精密な剥離プロセスが保証され、移動部分の損傷が抑えられる。あるいは図６Ｄに示されているように、第１のステップでレーザ誘起剥離を用いて、移動させる部分を取り囲む材料層３１の部分を剥離及び除去することができる。次いで第２のステップでレーザ誘起剥離を用いて、移動させる部分を剥離してキャリア膜７４へ移動させることができる。

【0062】

[0068] 本発明は、図６Ａから図６Ｄのレーザ誘起剥離プロセスを用いてキャリア膜７４上に耐摩耗材料を提供することに限定されない。材料層３１を成長させ、次いでこの材料層３１の一部をキャリア膜７４へ移動させて耐摩耗材料を生成するのではなく、例えば成長基板７２上でのエンハンス蒸着中にマスクを用いて、耐摩耗材料を複数の別個部分３０’で成長させてもよい。また、耐摩耗材料を直接キャリア膜７４の上に成長させること、又は成長基板７２から構造体へ直接に移動させることも可能である。

【0063】

[0069] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

【0064】

以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

【0065】

[0070] 本発明は、以下の番号を付けた条項から更に明らかにすることができる。
１．構造体上に耐摩耗材料を提供するための方法であって、
ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体を提供するステップと、２０ＧＰａを超える硬さを有する耐摩耗材料を提供するステップと、耐摩耗材料を構造体にろう付け又はレーザ溶接するステップと、を含む方法。
２．この方法は、物体を支持するための支持面を規定する複数のバールを含む支持構造を製造するためのものであり、ろう付け又はレーザ溶接の後、構造体とは反対側の耐摩耗材料の表面はバールの遠位端面を規定する、条項１に記載の方法。
３．耐摩耗材料と構造体との間に、耐摩耗材料を構造体にろう付けするのに適したろう付け形成材料を提供することと、ろう付け形成材料を加熱することによって耐摩耗材料を構造体にろう付けすることと、を含む、条項１又は２に記載の方法。
４．ろう付け形成材料は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｓｉ、Ｂ、又はこれらの任意の組み合わせから成るろう付け形成材料の群から選択される、条項３に記載の方法。
５．ろう付け形成材料を提供するステップは、耐摩耗材料が提供される構造体の少なくとも一部をろう付け形成材料でコーティングすること、及び／又は、構造体に接続される耐摩耗材料の表面をろう付け形成材料でコーティングすることと、構造体と耐摩耗材料との間にろう付け形成材料が位置するように、構造体と耐摩耗材料を一緒にプレスすることと、を含む、条項３又は４に記載の方法。
６．耐摩耗材料を構造体にろう付けするステップはろう付け形成材料を局所的に加熱することを含む、条項３から５のいずれか１項に記載の方法。
７．ろう付け形成材料及び／又はろう付け形成材料に隣接した耐摩耗材料の少なくとも一部を局所的に加熱するためにろう付けレーザが用いられる、条項６に記載の方法。
８．ろう付けレーザは耐摩耗材料を介して又は構造体を介してろう付け形成材料を照射する、条項７に記載の方法。
９．構造体の一部及び／又は耐摩耗材料にコーティングされたろう付け形成材料の厚さは耐摩耗材料の厚さ未満である、条項３から８のいずれか１項に記載の方法。
１０．耐摩耗材料を構造体と物理的に接触させること、及び、耐摩耗材料と構造体との間の界面をｐｓパルスレーザ又はｆｓパルスレーザを用いて露光すること、によって耐摩耗材料を構造体にレーザ溶接することを含む、条項１又は２に記載の方法。
１１．耐摩耗材料は透明であると共に構造体は不透明であり、耐摩耗材料と構造体との間の界面は耐摩耗材料を介して露光される、条項１０に記載の方法。
１２．構造体はＳｉＣ又はＳｉＳｉＣで作られている、条項１から１１のいずれかに記載の方法。
１３．構造体は、本体表面を有する本体と、本体表面から突出している複数の未完成バールと、を含み、各未完成バールは遠位端面を有し、複数のバールを含む支持構造を形成するように耐摩耗材料は複数の未完成バールの各々の遠位端面上に提供され、複数のバールの遠位端面は物体の平坦な表面を支持するための支持面を規定する、条項１から１２のいずれかに記載の方法。
１４．耐摩耗材料は０．１μｍから１０μｍの厚さを有する、条項１３に記載の方法。
１５．構造体は本体表面を有する本体を含み、ろう付け又はレーザ溶接の後、耐摩耗材料は本体表面から突出している複数のバールを形成し、複数のバールは物体の平坦な表面を支持するための支持面を規定する、条項１から１２のいずれか１項に記載の方法。
１６．耐摩耗材料は１０μｍから５００μｍの厚さを有する、条項１５に記載の方法。
１７．耐摩耗材料は、ダイヤモンド、ｃ－ＢＮ、Ｓｉ_３Ｎ_３、Ｃ_３Ｎ_４、ＡｌＭｇＢ_１４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＷＢ_４、Ｖ_ｙＢ_ｘ、Ｔａ_ｙＢ_ｘ、Ｚｒ_ｙＢ_ｘ、Ｎｂ_ｙＢ_ｘ、ｃ－ＢＣ_２Ｎ、他のＣ－Ｂ－Ｎ三元化合物、又はこれらの任意の組み合わせのうち１つである、条項１から１６のいずれかに記載の方法。
１８．耐摩耗材料は複数の分離部分で提供される、条項１から１７のいずれかに記載の方法。
１９．耐摩耗材料を提供するステップは耐摩耗材料をキャリア膜上に提供することを含む、条項１から１８のいずれかに記載の方法。
２０．ろう付けステップの後、耐摩耗材料からキャリア膜を分離させるステップを更に含む、条項１９に記載の方法。
２１．耐摩耗材料を提供するステップは、２０ＧＰａを超える硬さを有する材料の層を成長基板上で成長させることと、材料の層の一部を成長基板からキャリア膜へ移動させることにより、キャリア膜上に耐摩耗材料を形成することと、を含む、条項１９又は２０に記載の方法。
２２．材料の層の一部をキャリア膜へ移動させるためにレーザ誘起剥離が用いられる、条項２１に記載の方法。
２３．レーザ誘起剥離の前に、成長基板上の材料の層の一部の移動を促進するように材料の層を予めパターン形成する、条項２２に記載の方法。
２４．条項項１から２３のいずれかの方法によって得られる複合体。
２５．ガラス、セラミック、又はガラスセラミックで作られた構造体と、２０ＧＰａを超える硬さを有する耐摩耗材料と、構造体と耐摩耗材料を接続する中間ろう付け層又は相互拡散層と、を備える複合体。
２６．複合体は、物体を支持するための支持面を規定する複数のバールを含む支持構造であり、構造体とは反対側の耐摩耗材料の表面はバールの遠位端面を規定する、条項２４又は２５に記載の複合体。
２７．支持構造はリソグラフィ装置で用いられる基板ホルダである、条項２４から２６のいずれか１項に記載の複合体。
２８．構造体は、本体表面を有する本体と、本体表面から突出している複数の未完成バールと、を含む未完成基板ホルダであり、各未完成バールは遠位端面を有し、耐摩耗材料は複数の未完成バールの各々の遠位端面上に提供され、これによって基板を支持するための支持面を規定する、条項２７に記載の複合体。
２９．構造体は、本体表面を有する本体を含む基板ホルダブランクであり、耐摩耗材料は本体表面から突出している複数のバールを形成し、複数のバールは基板を支持するための支持面を規定する、条項２７に記載の複合体。
３０．支持構造はリソグラフィ装置で用いられるレチクルクランプであり、耐摩耗材料はパターニングデバイスを支持するための支持面を規定する、条項２４から２６のいずれか１項に記載の複合体。
３１．中間ろう付け層を含み、この中間ろう付け層は、構造体内へ及び耐摩耗材料内へ拡散されたろう付け形成材料を含む、条項２４から３０のいずれか１項に記載の複合体。
３２．相互拡散層を含み、この相互拡散層は、構造体のガラス、セラミック、又はガラスセラミック材料から耐摩耗材料までの組成の勾配を含む、条項２５から３１のいずれか１項に記載の複合体。
３３．条項２４から３２のいずれか１項に記載の複合体を含むリソグラフィ装置。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】