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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-26
(45)【発行日】2024-01-10
(54)【発明の名称】発光素子及び発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/38 20100101AFI20231227BHJP
H01L 33/52 20100101ALI20231227BHJP
H01L 33/62 20100101ALI20231227BHJP
【ＦＩ】
H01L33/38
H01L33/52
H01L33/62
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2019228557
(22)【出願日】2019-12-18
(65)【公開番号】P2021097170
(43)【公開日】2021-06-24
【審査請求日】2022-11-18
(73)【特許権者】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000202
【氏名又は名称】弁理士法人新樹グローバル・アイピー
(72)【発明者】
【氏名】三木 康寛
(72)【発明者】
【氏名】井手 義行
【審査官】右田 昌士
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－１０７３７１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－０２６６４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０６－２０４２９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１２４２４８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－２４３０７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００５／００９３１７８（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ３３／００ － ３３／６４
Ｈ０１Ｌ ２３／２８ － ２３／３１
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体であって、前記第１半導体層は前記第２半導体層の上面側に前記第２半導体層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部を有する半導体積層体と、前記第２半導体層上に設けられ、前記第２半導体層と接続された光反射性電極と、
前記光反射性電極上に設けられた第２電極と、
前記半導体積層体及び前記光反射性電極を覆うとともに、前記複数の露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記第１半導体層と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された複数の第１外部接続電極と、
前記第２電極上に配置された複数の第２外部接続電極と、
前記第１電極上に配置され、平面視において前記複数の第１外部接続電極の全部を取り囲む１又は２つの第１隔壁とを備え、
前記光反射性電極の外縁は、平面視において前記第２半導体層の外縁よりも内側に配置されており、
前記第１隔壁は、平面視において前記光反射性電極の外縁よりも内側に配置されている発光素子。
【請求項2】
さらに、前記複数の第２外部接続電極の全部を取り囲む第２隔壁が配置され、前記第２隔壁の外縁は、平面視において前記光反射性電極の外縁よりも内側に配置されている請求項１に記載の発光素子。
【請求項3】
平面視において、前記第１外部接続電極は、前記第２外部接続電極の両側に配置されており、前記第１隔壁は、前記第２外部接続電極の両側で、それぞれ前記複数の第１外部接続電極を取り囲む、２つの第１隔壁を含む請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項4】
前記第１外部接続電極は、平面視において前記露出部と離間して配置されている請求項１から３のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項5】
前記第１電極は、前記複数の露出部を一体的に覆う請求項１から４のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項6】
前記第２電極は、前記光反射性電極を介して前記第２半導体層に接続されている請求項１から５のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項7】
前記第１隔壁の厚みは、前記第１外部接続電極の厚みよりも小さい請求項１から６のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項8】
前記第１隔壁の幅は、前記第１外部接続電極の幅よりも小さい請求項１から７のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項9】
前記第１外部接続電極及び前記第１隔壁は、同じ金属材料からなる請求項１から８のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項10】
上面に配線パターンを有する配線基板と、前記配線パターン上に、前記複数の第１外部接続電極及び前記複数の第２外部接続電極により実装される請求項１～９のいずれか１つに記載の発光素子と、
前記発光素子と、前記第１隔壁の外側面とを被覆する被覆部材とを備える発光装置。
【請求項11】
前記複数の第２外部接続電極を取り囲む第２隔壁と、平面視において、前記第２隔壁の両側で、それぞれ前記複数の第１外部接続電極を取り囲む２つの前記第１隔壁とを含み、
前記被覆部材は、前記第１隔壁の外側面及び前記第２隔壁の外側面を被覆する、請求項２を引用する請求項１０に記載の発光装置。
【請求項12】
前記被覆部材は、光反射性物質を含む、請求項２を引用する請求項１０又は請求項１１に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光素子及び発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
発光素子は、一般照明分野及び車載照明分野等で、用途に応じてさらなる高品質化をはかりつつ、広く利用されている。
例えば、発光素子がバンプを用いて実装基板にフリップチップ実装され、さらに光反射性樹脂を発光素子と実装基板の間に入り込ませた構造の発光装置が知られている。（例えば、特許文献１等）。
例えば、発光素子がバンプを用いて実装基板にフリップチップ実装され、さらに光反射性樹脂を発光素子と実装基板の間に入り込ませた構造の発光装置が知られている。（例えば、特許文献１等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１５－１８８０５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかし、このような構造の発光装置では、発光素子の下面と実装基板の上面との間におけるバンプの高さ分の隙間に入り込んだ光反射性樹脂が熱膨張して、発光素子を持ち上げることがある。このような場合、発光素子と実装基板との導通が確保できず発光装置の信頼性を低下させるおそれがある。
本発明の一実施形態は、光取り出し効率を維持しつつ、熱による応力負荷を低減することができる発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態は、光取り出し効率を維持しつつ、熱による応力負荷を低減することができる発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一実施形態は、以下を含む。
（１）第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体であって、前記第１半導体層は前記第２半導体層の上面側に前記第２半導体層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部を有する半導体積層体と、
前記第２半導体層上に設けられ、前記第２半導体層と接続された光反射性電極と、
前記光反射性電極上に設けられた第２電極と、
前記半導体積層体及び前記光反射性電極を覆うとともに、前記複数の露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記第１半導体層と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された複数の第１外部接続電極と、
前記第２電極上に配置された複数の第２外部接続電極と、
前記第１電極上に配置され、平面視において前記複数の第１外部接続電極を取り囲む第１隔壁とを備え、
前記光反射性電極の外縁は、平面視において前記第２半導体層の外縁よりも内側に配置されており、
前記第１隔壁は、平面視において前記光反射性電極の外縁よりも内側に配置されている発光素子。
（２）上面に配線パターンを有する配線基板と、
前記配線パターン上に、複数の第１外部接続電極及び複数の第２外部接続電極により実装される上述した発光素子と、
前記発光素子と、第１隔壁の外側面とを被覆する被覆部材とを備える発光装置。
（１）第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体であって、前記第１半導体層は前記第２半導体層の上面側に前記第２半導体層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部を有する半導体積層体と、
前記第２半導体層上に設けられ、前記第２半導体層と接続された光反射性電極と、
前記光反射性電極上に設けられた第２電極と、
前記半導体積層体及び前記光反射性電極を覆うとともに、前記複数の露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記第１半導体層と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された複数の第１外部接続電極と、
前記第２電極上に配置された複数の第２外部接続電極と、
前記第１電極上に配置され、平面視において前記複数の第１外部接続電極を取り囲む第１隔壁とを備え、
前記光反射性電極の外縁は、平面視において前記第２半導体層の外縁よりも内側に配置されており、
前記第１隔壁は、平面視において前記光反射性電極の外縁よりも内側に配置されている発光素子。
（２）上面に配線パターンを有する配線基板と、
前記配線パターン上に、複数の第１外部接続電極及び複数の第２外部接続電極により実装される上述した発光素子と、
前記発光素子と、第１隔壁の外側面とを被覆する被覆部材とを備える発光装置。
【発明の効果】
【0006】
本発明の一実施形態によれば、光取り出し効率を維持しつつ、熱による応力負荷を低減することができる発光素子及び発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1A】本発明の発光素子の一実施形態を表す概略平面図である。
【図2】本発明の発光素子の別の実施形態における、第１外部接続電極、第２外部接続電極、第１隔壁の配置を示した概略平面図である。
【図3A】本発明の発光装置の一実施形態を表す概略斜視図である。
【図4】本発明の発光装置の別の実施形態を表す概略断面図である。
【図5】本発明の発光装置のさらに別の実施形態を表す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下に限定するものではない。また、各図面が示す部材の大きさ及び位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。さらに、同一の名称、符号については、原則として同一又は同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略する。
【0009】
〔発光素子１０〕
本実施形態の発光素子１０は、図１Ａから図１Ｄに示すように、半導体積層体１１と、光反射性電極１５と、光反射性電極１５上に設けられた第２電極１６と、開口部１２ａを有する絶縁膜１２と、第１電極１８と、複数の第１外部接続電極１９と、複数の第２外部接続電極２０と、第１隔壁２１とを備える。光反射性電極１５の外縁１５ａは、図１Ａ及び図１Ｅに示すように、平面視において半導体積層体１１、つまり第２半導体層１１ｐの外縁１１ｃよりも内側に配置されており、第１隔壁２１は、平面視において光反射性電極１５の外縁１５ａよりも内側に配置されている。
なお、発光素子１０及び／又は半導体積層体１１の平面形状は、例えば、四角形（略正方形、長方形等）、六角形等の多角形、これらの角に丸みを帯びた形状、円形又は楕円形等、種々の形状とすることができる。
本実施形態の発光素子１０は、図１Ａから図１Ｄに示すように、半導体積層体１１と、光反射性電極１５と、光反射性電極１５上に設けられた第２電極１６と、開口部１２ａを有する絶縁膜１２と、第１電極１８と、複数の第１外部接続電極１９と、複数の第２外部接続電極２０と、第１隔壁２１とを備える。光反射性電極１５の外縁１５ａは、図１Ａ及び図１Ｅに示すように、平面視において半導体積層体１１、つまり第２半導体層１１ｐの外縁１１ｃよりも内側に配置されており、第１隔壁２１は、平面視において光反射性電極１５の外縁１５ａよりも内側に配置されている。
なお、発光素子１０及び／又は半導体積層体１１の平面形状は、例えば、四角形（略正方形、長方形等）、六角形等の多角形、これらの角に丸みを帯びた形状、円形又は楕円形等、種々の形状とすることができる。
【0010】
このような構成の発光素子により、この発光素子を後述する配線基板３２の配線パターン３１上に、複数の第１外部接続電極１９及び前記複数の第２外部接続電極２０により実装する際、つまり、いわゆるフリップチップ実装する際、第１隔壁２１によって、発光素子と配線基板３２との間に樹脂が入り込むことを効果的に防止することができる。これによって、発光素子の熱による樹脂の熱膨張に起因する発光素子への応力負荷を低減することができる。その結果、発光素子の配線基板３２からの剥がれなどを有効に防止することができる。
また、第１隔壁２１は、第１電極１８上に配置され、複数の第１外部接続電極１９を取り囲み、配線パターン３１に実装されることにより、第１隔壁２１によっても放熱経路を確保することができる。よって、発光素子によって発生した熱を効果的に逃がすことができ、より信頼性の高い発光素子を得ることができる。
さらに、第１隔壁２１によって、発光素子と配線基板３２との間へ樹脂を入り込ませず、第１隔壁２１の外側に樹脂を配置させることができる。そのため、第１隔壁２１の外側で生じることがある発光素子からの光漏れを、光拡散性を有する樹脂、つまり、後述する被覆部材３３によって抑制する構造とすることができる。特に、第１隔壁２１の外側に光反射性電極１５の外縁１５ａが配置されることにより、発光素子の外周において生じる発光素子の光漏れを効果的に低減でき、信頼性及び光取り出し効率を向上させることができる。
また、第１隔壁２１は、第１電極１８上に配置され、複数の第１外部接続電極１９を取り囲み、配線パターン３１に実装されることにより、第１隔壁２１によっても放熱経路を確保することができる。よって、発光素子によって発生した熱を効果的に逃がすことができ、より信頼性の高い発光素子を得ることができる。
さらに、第１隔壁２１によって、発光素子と配線基板３２との間へ樹脂を入り込ませず、第１隔壁２１の外側に樹脂を配置させることができる。そのため、第１隔壁２１の外側で生じることがある発光素子からの光漏れを、光拡散性を有する樹脂、つまり、後述する被覆部材３３によって抑制する構造とすることができる。特に、第１隔壁２１の外側に光反射性電極１５の外縁１５ａが配置されることにより、発光素子の外周において生じる発光素子の光漏れを効果的に低減でき、信頼性及び光取り出し効率を向上させることができる。
【0011】
（半導体積層体１１）
半導体積層体１１は、第１半導体層１１ｎ、発光層１１ａ及び第２半導体層１１ｐがこの順に積層されて構成される。なお、半導体積層体１１は、例えば、基板１３上に積層されている。なお、基板１３は半導体積層体１１から除去してもよい。
基板１３は、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものであればよい。このような基板１３としては、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）基板のような絶縁性基板、ＧａＮ基板のような導電性基板等が挙げられる。
第１半導体層１１ｎ、発光層１１ａ及び第２半導体層１１ｐは、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。
半導体積層体１１は、第１半導体層１１ｎ、発光層１１ａ及び第２半導体層１１ｐがこの順に積層されて構成される。なお、半導体積層体１１は、例えば、基板１３上に積層されている。なお、基板１３は半導体積層体１１から除去してもよい。
基板１３は、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものであればよい。このような基板１３としては、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）基板のような絶縁性基板、ＧａＮ基板のような導電性基板等が挙げられる。
第１半導体層１１ｎ、発光層１１ａ及び第２半導体層１１ｐは、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。
【0012】
（露出部１１ｂ）
第１半導体層１１ｎは、第２半導体層１１ｐ及び発光層１１ａが形成されておらず、第１半導体層１１ｎが第２半導体層１１ｐ及び発光層１１ａから露出する複数の露出部１１ｂを有する。つまり、半導体積層体１１は、第２半導体層１１ｐ側の表面に孔を有し、孔の底面に第１半導体層１１ｎが露出している。そして、孔の側面には第２半導体層１１ｐ、発光層１１ａ、任意に第１半導体層１１ｎが露出している。
露出部１１ｂの形状、大きさ、位置、数は、意図する発光素子の大きさ、形状、電極パターン等によって適宜設定することができる。露出部１１ｂは、半導体積層体１１の縁部よりも内側に複数形成されていることが好ましい。露出部１１ｂは、三角格子状又は四角格子状に配置していることが好ましい。これによって、発光素子の輝度ムラを抑制して、均一に光取り出しすることができる。
露出部１１ｂの形状は、例えば、平面視において円又は楕円、三角形、四角形、六角形等の多角形等が挙げられ、なかでも、円形又は円形に近い形状（例えば楕円又は六角形以上の多角形）が好ましい。露出部の大きさは、半導体積層体１１の大きさ、求められる発光素子の出力、輝度等によって適宜調整することができ、例えば、直径が数十～数百μｍ程度の大きさであることが好ましい。別の観点から、直径が、半導体積層体１１の一辺の１／２０～１／５程度の大きさであることが好ましい。
露出部１１ｂは、後述する第１電極１８と電気的に接続される。露出部１１ｂと接続される第１電極１８は、その一部が、後述する絶縁膜１２を介して第２半導体層１１ｐ上に配置される。このような露出部１１ｂは、平面視においてそれぞれが一定の距離をあけて離間して配列されていることが好ましい。具体的には、露出部１１ｂは、第１方向に沿って複数列配置されていることが好ましい。ここでの第１方向とは、例えば、半導体積層体１１又は発光素子１０の一辺に平行な一方向を指す。また、露出部１１ｂは、第１方向に直交する第２方向にも数行以上配置されていることが好ましい。例えば、第２方向に数行～十数行配置されていることが好ましい。
複数の露出部１１ｂはすべてが同じ形状、大きさであってもよいし、それぞれ又は一部が異なる形状、大きさであってもよい。複数の露出部１１ｂは、発光素子における輝度ムラの低減の観点から、全てが同程度の大きさ及び形状であることが好ましい。露出部１１ｂは発光層１１ａを有さない領域であるため、同程度の大きさの複数の露出部を規則的に整列して配置することで、発光面積及び電流の供給量の偏りを抑制することができる。その結果、発光素子全体として、輝度ムラを抑制することができる。
露出部１１ｂは、半導体積層体１１の縁部の内側に配置されるものの合計面積が、半導体積層体１１の平面積の３０％以下、２５％以下が好ましい。露出部１１ｂの合計面積を半導体積層体１１の平面積の３０％以下とすることで、第１半導体層１１ｎ及び第２半導体層１１ｐへの電流供給のバランスを図ることができ、供給される電力の偏りによる輝度ムラを抑制することができる。
第１半導体層１１ｎは、第２半導体層１１ｐ及び発光層１１ａが形成されておらず、第１半導体層１１ｎが第２半導体層１１ｐ及び発光層１１ａから露出する複数の露出部１１ｂを有する。つまり、半導体積層体１１は、第２半導体層１１ｐ側の表面に孔を有し、孔の底面に第１半導体層１１ｎが露出している。そして、孔の側面には第２半導体層１１ｐ、発光層１１ａ、任意に第１半導体層１１ｎが露出している。
露出部１１ｂの形状、大きさ、位置、数は、意図する発光素子の大きさ、形状、電極パターン等によって適宜設定することができる。露出部１１ｂは、半導体積層体１１の縁部よりも内側に複数形成されていることが好ましい。露出部１１ｂは、三角格子状又は四角格子状に配置していることが好ましい。これによって、発光素子の輝度ムラを抑制して、均一に光取り出しすることができる。
露出部１１ｂの形状は、例えば、平面視において円又は楕円、三角形、四角形、六角形等の多角形等が挙げられ、なかでも、円形又は円形に近い形状（例えば楕円又は六角形以上の多角形）が好ましい。露出部の大きさは、半導体積層体１１の大きさ、求められる発光素子の出力、輝度等によって適宜調整することができ、例えば、直径が数十～数百μｍ程度の大きさであることが好ましい。別の観点から、直径が、半導体積層体１１の一辺の１／２０～１／５程度の大きさであることが好ましい。
露出部１１ｂは、後述する第１電極１８と電気的に接続される。露出部１１ｂと接続される第１電極１８は、その一部が、後述する絶縁膜１２を介して第２半導体層１１ｐ上に配置される。このような露出部１１ｂは、平面視においてそれぞれが一定の距離をあけて離間して配列されていることが好ましい。具体的には、露出部１１ｂは、第１方向に沿って複数列配置されていることが好ましい。ここでの第１方向とは、例えば、半導体積層体１１又は発光素子１０の一辺に平行な一方向を指す。また、露出部１１ｂは、第１方向に直交する第２方向にも数行以上配置されていることが好ましい。例えば、第２方向に数行～十数行配置されていることが好ましい。
複数の露出部１１ｂはすべてが同じ形状、大きさであってもよいし、それぞれ又は一部が異なる形状、大きさであってもよい。複数の露出部１１ｂは、発光素子における輝度ムラの低減の観点から、全てが同程度の大きさ及び形状であることが好ましい。露出部１１ｂは発光層１１ａを有さない領域であるため、同程度の大きさの複数の露出部を規則的に整列して配置することで、発光面積及び電流の供給量の偏りを抑制することができる。その結果、発光素子全体として、輝度ムラを抑制することができる。
露出部１１ｂは、半導体積層体１１の縁部の内側に配置されるものの合計面積が、半導体積層体１１の平面積の３０％以下、２５％以下が好ましい。露出部１１ｂの合計面積を半導体積層体１１の平面積の３０％以下とすることで、第１半導体層１１ｎ及び第２半導体層１１ｐへの電流供給のバランスを図ることができ、供給される電力の偏りによる輝度ムラを抑制することができる。
【0013】
（光反射性電極１５）
光反射性電極１５は、第２半導体層１１ｐ上に設けられ、第２半導体層１１ｐと電気的に接続されている。光反射性電極１５は、第２半導体層１１ｐの上面に直接配置されている。
図１Ａから１Ｃ及び１Ｅに示すように、光反射性電極１５は、その外縁１５ａが、平面視において第２半導体層１１ｐの外縁１１ｃよりも内側に配置されている。平面視において、光反射性電極１５の全ては、第２半導体層１１ｐ上に配置されている。発光素子の光取り出し効率を向上させるためには、光反射性電極１５は第２半導体層１１ｐの上面のより広い面積に形成されることが好ましい。このことから、例えば、光反射性電極１５の外縁１５ａと第２半導体層１１ｐの外縁１１ｃとの距離は、数μｍから数十μｍの範囲が挙げられ、１μｍから２０μｍの範囲が好ましく、５μｍから１５μｍの範囲がさらに好ましい。別の観点から、光反射性電極１５の外縁１５ａは、第２半導体層１１ｐの中心（又は重心）を基準として、第２半導体層１１ｐの外縁１１ｃから、０．１％から２０％の範囲で縮小した位置に配置されていればよく、０．５％から１５％の範囲で縮小した位置に配置されていることが好ましい。また、光反射性電極１５の平面積は、第２半導体層１１ｐの平面積の６０％以上とすることが好ましく、７０％以上がより好ましい。
光反射性電極１５としては、銀、アルミニウム又はこれらのいずれかの金属を主成分とする合金を用いることができ、特に発光層から発せられる光に対して高い光反射性を有する銀又は銀合金がより好ましい。
光反射性電極１５が銀を含む場合には、銀のマイグレーションを抑制するために、その上面、好ましくは、上面及び側面を被覆する保護層１７を設けてもよい。保護層１７としては、絶縁性部材を用いることができる。絶縁性部材としては、後述する絶縁膜１２と同様の材料が挙げられるが、なかでもＳｉＮを用いることが好ましい。保護層１７の厚みは、効果的に銀のマイグレーションを抑制するために、数百ｎｍ～数μｍ程度であることが好ましい。保護層１７には光反射性電極１５の上方に開口が設けられ、その開口にて光反射性電極１５と後述する第２電極とが電気的に接続される。なお、発光素子１０が第２半導体層１１ｐ上に光反射性電極１５及び保護層１７を有する場合、半導体積層体１１を覆う絶縁膜１２は光反射性電極１５及び保護層１７を覆い、かつ、第２電極１６の直下の領域に開口部１２ａを有し、この開口部１２ａにより第２電極１６と光反射性電極１５とが電気的に接続される。
光反射性電極１５は、発光層から出射される光を反射することができる厚みを有することが好ましい。光反射性電極１５の厚みは、例えば、２０ｎｍから１μｍの範囲が挙げられる。
光反射性電極１５は、第２半導体層１１ｐ上に設けられ、第２半導体層１１ｐと電気的に接続されている。光反射性電極１５は、第２半導体層１１ｐの上面に直接配置されている。
図１Ａから１Ｃ及び１Ｅに示すように、光反射性電極１５は、その外縁１５ａが、平面視において第２半導体層１１ｐの外縁１１ｃよりも内側に配置されている。平面視において、光反射性電極１５の全ては、第２半導体層１１ｐ上に配置されている。発光素子の光取り出し効率を向上させるためには、光反射性電極１５は第２半導体層１１ｐの上面のより広い面積に形成されることが好ましい。このことから、例えば、光反射性電極１５の外縁１５ａと第２半導体層１１ｐの外縁１１ｃとの距離は、数μｍから数十μｍの範囲が挙げられ、１μｍから２０μｍの範囲が好ましく、５μｍから１５μｍの範囲がさらに好ましい。別の観点から、光反射性電極１５の外縁１５ａは、第２半導体層１１ｐの中心（又は重心）を基準として、第２半導体層１１ｐの外縁１１ｃから、０．１％から２０％の範囲で縮小した位置に配置されていればよく、０．５％から１５％の範囲で縮小した位置に配置されていることが好ましい。また、光反射性電極１５の平面積は、第２半導体層１１ｐの平面積の６０％以上とすることが好ましく、７０％以上がより好ましい。
光反射性電極１５としては、銀、アルミニウム又はこれらのいずれかの金属を主成分とする合金を用いることができ、特に発光層から発せられる光に対して高い光反射性を有する銀又は銀合金がより好ましい。
光反射性電極１５が銀を含む場合には、銀のマイグレーションを抑制するために、その上面、好ましくは、上面及び側面を被覆する保護層１７を設けてもよい。保護層１７としては、絶縁性部材を用いることができる。絶縁性部材としては、後述する絶縁膜１２と同様の材料が挙げられるが、なかでもＳｉＮを用いることが好ましい。保護層１７の厚みは、効果的に銀のマイグレーションを抑制するために、数百ｎｍ～数μｍ程度であることが好ましい。保護層１７には光反射性電極１５の上方に開口が設けられ、その開口にて光反射性電極１５と後述する第２電極とが電気的に接続される。なお、発光素子１０が第２半導体層１１ｐ上に光反射性電極１５及び保護層１７を有する場合、半導体積層体１１を覆う絶縁膜１２は光反射性電極１５及び保護層１７を覆い、かつ、第２電極１６の直下の領域に開口部１２ａを有し、この開口部１２ａにより第２電極１６と光反射性電極１５とが電気的に接続される。
光反射性電極１５は、発光層から出射される光を反射することができる厚みを有することが好ましい。光反射性電極１５の厚みは、例えば、２０ｎｍから１μｍの範囲が挙げられる。
【0014】
（第１電極１８及び第２電極１６）
第１電極１８及び第２電極１６は、半導体積層体１１の上面側（つまり、半導体積層体１１の基板１３が設けられている側とは反対側）に配置されている。第１電極１８及び第２電極１６は、第１半導体層１１ｎ及び第２半導体層１１ｐと、それぞれ直接接触していてもよいし、上述した光反射性電極１５を介して電気的に接続されていてもよい。
第１電極１８及び第２電極１６は、半導体積層体１１の上面側（つまり、半導体積層体１１の基板１３が設けられている側とは反対側）に配置されている。第１電極１８及び第２電極１６は、第１半導体層１１ｎ及び第２半導体層１１ｐと、それぞれ直接接触していてもよいし、上述した光反射性電極１５を介して電気的に接続されていてもよい。
【0015】
第１電極１８及び第２電極１６は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、これら電極は、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ-Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ-Ｓｉ-Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈなどの積層膜によって形成することができる。上述した第１電極１８及び第２電極１６の膜厚は、当該分野で用いられる電極の膜厚範囲であればよい。
第１電極１８の平面視形状は、半導体積層体１１の平面視形状が矩形の場合、同様に矩形又は略矩形であることが好ましい。第２電極１６の平面視形状は、半導体積層体１１の平面視形状が矩形の場合、同様に矩形又は略矩形であることが好ましい。１つの半導体積層体１１に設けられる第１電極１８及び第２電極１６は、平面視において、一方向に並行して交互に配置されていることが好ましい。例えば、平面視において、第１電極１８が第２電極１６を挟むように配置されていることが好ましい。
第１電極１８の平面視形状は、半導体積層体１１の平面視形状が矩形の場合、同様に矩形又は略矩形であることが好ましい。第２電極１６の平面視形状は、半導体積層体１１の平面視形状が矩形の場合、同様に矩形又は略矩形であることが好ましい。１つの半導体積層体１１に設けられる第１電極１８及び第２電極１６は、平面視において、一方向に並行して交互に配置されていることが好ましい。例えば、平面視において、第１電極１８が第２電極１６を挟むように配置されていることが好ましい。
【0016】
第１電極１８は、上述した半導体積層体１１の第２半導体層１１ｐ側に配置される露出部１１ｂと電気的に接続される。第１電極１８は複数の露出部１１ｂを一体的に覆い、複数の露出部１１ｂと接続されることが好ましく、全ての露出部１１ｂを一体的に覆い接続されることがより好ましい。従って、第１電極１８は、第１半導体層１１ｎ上のみならず、第２半導体層１１ｐの上方にも配置される。この場合、第１電極１８は絶縁膜１２を介して、露出部１１ｂを形成する孔の側面（つまり発光層１１ａ及び第２半導体層１１ｐの側面）及び第２半導体層１１ｐ上に配置される。
【0017】
第２電極１６は、上述した半導体積層体１１の第２半導体層１１ｐ上に配置され、第２半導体層１１ｐと電気的に接続される。第２電極１６は、光反射性電極１５を介して第２半導体層１１ｐ上に配置されることが好ましい。第２電極１６は、例えば、第１方向に長い形状であり、第１方向において光反射性電極１５と略同等の長さを有し、第２方向において半導体積層体１１の長さの５～２０％の長さが挙げられる。
第２電極１６は、例えば、第１方向に沿って設けられた第１電極１８の間に挟まれて配置されていることが好ましい。つまり、平面視において、第２電極１６は第２方向よりも第１方向に長い形状であり、第１電極１８は、第２電極１６を挟んで配置されていることが好ましい。この場合、第１電極１８は、第２電極１６の第１方向の中心線に対して線対称に配置されていることがより好ましい。これにより、発光素子１０を配線基板３２上にフリップチップ実装する際に第１電極１８及び第２電極１６にかかる応力の偏りを少なくすることができる。その結果、発光素子１０を配線基板に実装する際の実装精度が安定する。なお、第２電極１６の両側に配置された第１電極１８は、互いに電気的に接続されていてもよい。
第２電極１６は、例えば、第１方向に沿って設けられた第１電極１８の間に挟まれて配置されていることが好ましい。つまり、平面視において、第２電極１６は第２方向よりも第１方向に長い形状であり、第１電極１８は、第２電極１６を挟んで配置されていることが好ましい。この場合、第１電極１８は、第２電極１６の第１方向の中心線に対して線対称に配置されていることがより好ましい。これにより、発光素子１０を配線基板３２上にフリップチップ実装する際に第１電極１８及び第２電極１６にかかる応力の偏りを少なくすることができる。その結果、発光素子１０を配線基板に実装する際の実装精度が安定する。なお、第２電極１６の両側に配置された第１電極１８は、互いに電気的に接続されていてもよい。
【0018】
（絶縁膜１２）
絶縁膜１２は、半導体積層体１１の上面及び側面を被覆するとともに、露出部１１ｂの上方に開口部１２ａを有する。絶縁膜１２が半導体積層体１１を被覆し、かつ露出部１１ｂの上方に開口部１２ａを有することにより、絶縁膜１２の上面の広範囲に第１電極１８を形成することができる。開口部１２ａの大きさは、露出部１１ｂの大きさ、発光素子の大きさ等によって適宜設定することができる。
絶縁膜１２は、当該分野で公知の材料を、電気的な絶縁性を確保し得る材料及び厚みで形成されている。具体的には、絶縁膜１２には、金属酸化物及び金属窒化物等を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を用いることが好ましい。
絶縁膜１２は、半導体積層体１１の上面及び側面を被覆するとともに、露出部１１ｂの上方に開口部１２ａを有する。絶縁膜１２が半導体積層体１１を被覆し、かつ露出部１１ｂの上方に開口部１２ａを有することにより、絶縁膜１２の上面の広範囲に第１電極１８を形成することができる。開口部１２ａの大きさは、露出部１１ｂの大きさ、発光素子の大きさ等によって適宜設定することができる。
絶縁膜１２は、当該分野で公知の材料を、電気的な絶縁性を確保し得る材料及び厚みで形成されている。具体的には、絶縁膜１２には、金属酸化物及び金属窒化物等を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を用いることが好ましい。
【0019】
（第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０）
第１外部接続電極１９は第１電極１８と電気的に接続される。第２外部接続電極２０は第２電極１６と電気的に接続される。
第１外部接続電極１９は、第１電極１８上に設けられる。つまり、第１電極１８と電気的に接続されるように配置されている。第１外部接続電極１９は、第２半導体層１１ｐの上方において、絶縁膜１２の上面に設けられた第１電極１８上に設けられている。第１外部接続電極１９は、平面視において、露出部１１ｂとは離間して配置されている。第１外部接続電極１９は、第１方向に沿って配列された露出部１１ｂの列間において、第１方向に沿って複数配置されている。第１外部接続電極１９は、例えば、平面視、円形又は楕円形、多角形あるいはこれらに近い形状とすることができる。第１外部接続電極１９は、それらの一部又は全てが異なる大きさ及び形状であってもよい。第１外部接続電極１９のうち、少なくとも同じ第１方向に沿って配置される複数の第１外部接続電極１９は大きさ及び形状が同じであることが好ましい。第１外部接続電極１９は、第１方向に沿って配列する露出部１１ｂの列間ごとに複数配置されることが好ましい。
平面視において、第１外部接続電極１９と露出部１１ｂとが重ならないため、後述する発光素子の配線基板３２への実装の際に、実装時に生じる負荷による露出部１１ｂ近傍の絶縁膜及び電極の破損を回避することができる。
平面視において、第１外部接続電極１９と露出部１１ｂとの間の距離は、例えば、半導体積層体１１の一辺の長さの０．１％から２％の距離とすることが挙げられる。第１外部接続電極１９と露出部１１ｂとの間の距離は、具体的には、１０μｍから２００μｍとすることが好ましい。
第２外部接続電極２０は、第２電極１６上に設けられる。上述したように、第２方向において第１電極１８が第２電極１６を挟むように配置されている場合には、平面視において、第２外部接続電極２０の両側に、第１外部接続電極１９が配置されていることが好ましい。
第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の平面形状及び大きさは、当該分野で通常用いられる程度に設定することができる。第１外部接続電極１９または第２外部接続電極２０の平面形状は、例えば、平面視、円形、楕円形、四角形及び六角形等の多角形、これらに近似する形状等が挙げられる。平面視における第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の最大幅は、例えば、１０μｍから３００μｍの範囲とすることが好ましく、２０μｍから２００μｍの範囲とすることがさらに好ましい。
第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の厚みは、当該分野で通常用いられている程度に設定することができる。第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の厚みは、例えば、１０μｍから１００μｍの範囲の厚みが挙げられる。第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の上面は、例えば、第２半導体層１１ｐの表面からの高さが同じ位置に配置されていることが好ましい。
第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、金、銀、銅、錫、白金、亜鉛、ニッケル、アルミニウム又はこれらの合金により、単層又は積層構造で形成することができる。第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、腐食防止及びＡｕ－Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接着部材を用いた配線基板との接合性を高めるために、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。
第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、これらの材料を用いて、例えば、めっき法、スパッタリング法又は蒸着法とフォトレジスト法とを組合せた方法等により形成することができる。
例えば、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０をめっき法で形成する場合、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金及びＡｇ合金、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属の単層又は積層構造を用いることができる。
第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０を半導体積層体１１に配置される複数の露出部１１ｂと離間させ、発光素子の表面に高密度に配置することが好ましい。これにより、発光素子１０に供給される電流密度が分散され、輝度むらが抑制される。さらに、発光素子１０の発光によって発生する熱を、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０を介して配線基板３２側へ逃がす放熱経路を増大させることができる。
第１外部接続電極１９は第１電極１８と電気的に接続される。第２外部接続電極２０は第２電極１６と電気的に接続される。
第１外部接続電極１９は、第１電極１８上に設けられる。つまり、第１電極１８と電気的に接続されるように配置されている。第１外部接続電極１９は、第２半導体層１１ｐの上方において、絶縁膜１２の上面に設けられた第１電極１８上に設けられている。第１外部接続電極１９は、平面視において、露出部１１ｂとは離間して配置されている。第１外部接続電極１９は、第１方向に沿って配列された露出部１１ｂの列間において、第１方向に沿って複数配置されている。第１外部接続電極１９は、例えば、平面視、円形又は楕円形、多角形あるいはこれらに近い形状とすることができる。第１外部接続電極１９は、それらの一部又は全てが異なる大きさ及び形状であってもよい。第１外部接続電極１９のうち、少なくとも同じ第１方向に沿って配置される複数の第１外部接続電極１９は大きさ及び形状が同じであることが好ましい。第１外部接続電極１９は、第１方向に沿って配列する露出部１１ｂの列間ごとに複数配置されることが好ましい。
平面視において、第１外部接続電極１９と露出部１１ｂとが重ならないため、後述する発光素子の配線基板３２への実装の際に、実装時に生じる負荷による露出部１１ｂ近傍の絶縁膜及び電極の破損を回避することができる。
平面視において、第１外部接続電極１９と露出部１１ｂとの間の距離は、例えば、半導体積層体１１の一辺の長さの０．１％から２％の距離とすることが挙げられる。第１外部接続電極１９と露出部１１ｂとの間の距離は、具体的には、１０μｍから２００μｍとすることが好ましい。
第２外部接続電極２０は、第２電極１６上に設けられる。上述したように、第２方向において第１電極１８が第２電極１６を挟むように配置されている場合には、平面視において、第２外部接続電極２０の両側に、第１外部接続電極１９が配置されていることが好ましい。
第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の平面形状及び大きさは、当該分野で通常用いられる程度に設定することができる。第１外部接続電極１９または第２外部接続電極２０の平面形状は、例えば、平面視、円形、楕円形、四角形及び六角形等の多角形、これらに近似する形状等が挙げられる。平面視における第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の最大幅は、例えば、１０μｍから３００μｍの範囲とすることが好ましく、２０μｍから２００μｍの範囲とすることがさらに好ましい。
第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の厚みは、当該分野で通常用いられている程度に設定することができる。第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の厚みは、例えば、１０μｍから１００μｍの範囲の厚みが挙げられる。第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の上面は、例えば、第２半導体層１１ｐの表面からの高さが同じ位置に配置されていることが好ましい。
第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、金、銀、銅、錫、白金、亜鉛、ニッケル、アルミニウム又はこれらの合金により、単層又は積層構造で形成することができる。第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、腐食防止及びＡｕ－Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接着部材を用いた配線基板との接合性を高めるために、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。
第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、これらの材料を用いて、例えば、めっき法、スパッタリング法又は蒸着法とフォトレジスト法とを組合せた方法等により形成することができる。
例えば、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０をめっき法で形成する場合、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金及びＡｇ合金、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属の単層又は積層構造を用いることができる。
第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０を半導体積層体１１に配置される複数の露出部１１ｂと離間させ、発光素子の表面に高密度に配置することが好ましい。これにより、発光素子１０に供給される電流密度が分散され、輝度むらが抑制される。さらに、発光素子１０の発光によって発生する熱を、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０を介して配線基板３２側へ逃がす放熱経路を増大させることができる。
【0020】
（第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２）
第１隔壁２１は、図１Ａ及び１Ｄに示すように、第１電極１８上に配置され、平面視において複数の第１外部接続電極１９を取り囲む。上述したように、平面視において、第１外部接続電極１９が第２外部接続電極２０の両側に配置されている場合には、第１隔壁２１は、第２外部接続電極２０の両側で、それぞれ複数の第１外部接続電極１９を取り囲むように、２つの第１隔壁２１を含むことができる。
また、図２に示す発光素子４０のように、第１隔壁４１は、複数の第１外部接続電極１９を取り囲む限り、複数の第２外部接続電極２０の一部又は全部を、複数の第１外部接続電極１９とともに取り囲んでいてもよい。
第１隔壁２１、４１は、第１電極１８と接触していてもよいし、例えば、第１電極１８上に絶縁膜を設け、その絶縁膜を介して非接触で配置されていてもよい。第１電極１８と配線基板３２との導通経路を増加させるために、第１隔壁２１、４１は、第１電極１８と接触して配置されることが好ましい。第１隔壁２１、４１は、製造方法の簡略化の観点から、第１外部接続電極１９と同一工程によって形成することが好ましい。この場合、第１隔壁２１、４１及び第１外部接続電極１９は、同じ材料を含んで又は同じ材料によって形成されていることが好ましく、同じ金属材料によって形成されていることがより好ましい。
第１隔壁２１、４１は、平面視において、図１Ｂ、１Ｃ、１Ｅ及び図２に示すように、光反射性電極１５の外縁１５ａよりも内側に配置されていることが好ましい。言い換えると、第１隔壁２１、４１は、その全部が光反射性電極１５上に配置されていることが好ましい。また、第１隔壁２１、４１は、その底面が、同じ光反射性電極１５又は光反射性電極１５の上に配置されている同じ第１電極１８の上に配置されていることが好ましい。平面視において、第１隔壁２１、４１（例えば、第１隔壁２１、４１の外側面２１ａ、４１ａ）と外縁１５ａとの距離は、数μｍから数十μｍの範囲が挙げられ、１μｍから３０μｍの範囲とすることができる。
第１隔壁２１は、図１Ａ及び１Ｄに示すように、第１電極１８上に配置され、平面視において複数の第１外部接続電極１９を取り囲む。上述したように、平面視において、第１外部接続電極１９が第２外部接続電極２０の両側に配置されている場合には、第１隔壁２１は、第２外部接続電極２０の両側で、それぞれ複数の第１外部接続電極１９を取り囲むように、２つの第１隔壁２１を含むことができる。
また、図２に示す発光素子４０のように、第１隔壁４１は、複数の第１外部接続電極１９を取り囲む限り、複数の第２外部接続電極２０の一部又は全部を、複数の第１外部接続電極１９とともに取り囲んでいてもよい。
第１隔壁２１、４１は、第１電極１８と接触していてもよいし、例えば、第１電極１８上に絶縁膜を設け、その絶縁膜を介して非接触で配置されていてもよい。第１電極１８と配線基板３２との導通経路を増加させるために、第１隔壁２１、４１は、第１電極１８と接触して配置されることが好ましい。第１隔壁２１、４１は、製造方法の簡略化の観点から、第１外部接続電極１９と同一工程によって形成することが好ましい。この場合、第１隔壁２１、４１及び第１外部接続電極１９は、同じ材料を含んで又は同じ材料によって形成されていることが好ましく、同じ金属材料によって形成されていることがより好ましい。
第１隔壁２１、４１は、平面視において、図１Ｂ、１Ｃ、１Ｅ及び図２に示すように、光反射性電極１５の外縁１５ａよりも内側に配置されていることが好ましい。言い換えると、第１隔壁２１、４１は、その全部が光反射性電極１５上に配置されていることが好ましい。また、第１隔壁２１、４１は、その底面が、同じ光反射性電極１５又は光反射性電極１５の上に配置されている同じ第１電極１８の上に配置されていることが好ましい。平面視において、第１隔壁２１、４１（例えば、第１隔壁２１、４１の外側面２１ａ、４１ａ）と外縁１５ａとの距離は、数μｍから数十μｍの範囲が挙げられ、１μｍから３０μｍの範囲とすることができる。
【0021】
第２隔壁２２は、第１隔壁２１とは別に、平面視において、図１Ｄに示すように、複数の第２外部接続電極２０を取り囲むように配置されていることが好ましい。この場合、第２隔壁２２は、図１Ａ、１Ｂ及び１Ｃに示すように、第２電極１６上に配置することができる。第２隔壁２２は、第２電極１６と接触していてもよいし、例えば、第２電極１６上に絶縁膜を設け、その絶縁膜を介して非接触で配置されていてもよい。第２電極１６と配線基板３２との導通経路を増加させるために、第２隔壁２２は、第２電極１６と接触して配置されることが好ましい。第２隔壁２２は、製造方法の簡略化の観点から、第２外部接続電極２０と同一工程によって形成することが好ましい。この場合、第２隔壁２２及び第２外部接続電極２０は、同じ材料を含んで又は同じ材料によって形成されていることが好ましく、同じ金属材料によって形成されていることがより好ましい。
第２隔壁２２が配置される場合、図１Ａ、１Ｂ、１Ｅに示すように、第２隔壁２２は、平面視において、光反射性電極１５の外縁１５ａよりも内側に配置されていることが好ましい。言い換えると、第２隔壁２２は、その全部が光反射性電極１５上に配置されていることが好ましい。また、第２隔壁２２は、その底面が、同じ光反射性電極１５又は光反射性電極１５の上に配置されている同じ第２電極１６の上に配置されていることが好ましい。平面視において、第２隔壁２２（例えば、第２隔壁２２の外側面２２ａ）と外縁１５ａとの距離は、数μｍから数十μｍの範囲が挙げられ、１μｍから５０μｍの範囲とすることが好ましく、２０μｍから３０μｍの範囲とすることがより好ましい。
なお、第１隔壁２１、４１と外縁１５ａとの距離は、第２隔壁２２と外縁１５ａとの距離と同じでもよいが、異なっていてもよい。例えば、第１隔壁２１、４１と外縁１５ａとの距離は、第２隔壁２２と外縁１５ａとの距離よりも小さいことが好ましい。
第２隔壁２２が配置される場合、図１Ａ、１Ｂ、１Ｅに示すように、第２隔壁２２は、平面視において、光反射性電極１５の外縁１５ａよりも内側に配置されていることが好ましい。言い換えると、第２隔壁２２は、その全部が光反射性電極１５上に配置されていることが好ましい。また、第２隔壁２２は、その底面が、同じ光反射性電極１５又は光反射性電極１５の上に配置されている同じ第２電極１６の上に配置されていることが好ましい。平面視において、第２隔壁２２（例えば、第２隔壁２２の外側面２２ａ）と外縁１５ａとの距離は、数μｍから数十μｍの範囲が挙げられ、１μｍから５０μｍの範囲とすることが好ましく、２０μｍから３０μｍの範囲とすることがより好ましい。
なお、第１隔壁２１、４１と外縁１５ａとの距離は、第２隔壁２２と外縁１５ａとの距離と同じでもよいが、異なっていてもよい。例えば、第１隔壁２１、４１と外縁１５ａとの距離は、第２隔壁２２と外縁１５ａとの距離よりも小さいことが好ましい。
【0022】
第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の平面形状及び大きさは、それらの材料等によって適宜調整することができる。第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の平面形状は、環状が挙げられる。第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の幅は、例えば、それぞれ、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の幅よりも小さいことが好ましい。このように、第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の幅が小さくすることで、実装時に第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０よりも小さい負荷で接合が可能になる。したがって、実装時に第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２が第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０による接合の妨げを抑制し、実装性を確保することができる。第１隔壁２１及び第２隔壁２２は、それぞれ全ての部分で同じ幅でもよいし、一部異なる幅であってもよい。具体的には、平面視において、第１隔壁２１及び第２隔壁２２の幅は、５μｍから５０μｍの範囲が挙げられる。
第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の厚みは、例えば、１０μｍから１００μｍの範囲の厚みが挙げられ、１０μｍから３０μｍの範囲が好ましい。第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の厚みは、それぞれ、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０と同じ厚みであってもよいし、異なる厚みであってもよい。なかでも、第１隔壁２１、４１の厚みは、第１外部接続電極１９の厚みよりも小さいことが好ましい。この場合、第１隔壁２１、４１の厚みは、第１外部接続電極１９の厚みよりも、５％～２０％の範囲で小さい厚みが挙げられる。また、第２隔壁２２の厚みは、第２外部接続電極２０の厚みよりも小さいことが好ましい。この場合、第２隔壁２２の厚みは、第２外部接続電極２０の厚みよりも、５％～２０％の範囲で小さい厚みが挙げられる。第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の上面は、第２半導体層１１ｐの表面からの高さが同じ位置に配置されていることが好ましい。第１隔壁２１及び第２隔壁２２の上面は、それぞれ、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の上面と、第２半導体層１１ｐ表面から同じ高さに配置されていてもよいし、異なる高さに配置されていてもよい。なかでも、第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の上面は、それぞれ、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の上面よりも、第２半導体層１１ｐの表面から低い高さ、つまり、第２半導体層１１ｐ側に配置していることが好ましい。これにより、発光素子を配線基板に実装する際、第１隔壁２１、４１及び／又は第２隔壁２２よりも、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０が配線基板に先に接触するために、発光素子の実装性を確保することができる。第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、配線基板に圧着等により接合されることで厚みが小さくなる。そして、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０よりも厚みを小さく形成した第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２が配線基板と接触、または第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２と配線基板との隙間が小さくなる。従って、発光素子の実装性を確保しつつ、第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２を樹脂をせき止める部材として機能させることができる。
特に、第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２は、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０と同じ材料を含んで又は同じ材料によって、同一工程によって形成することが好ましい。
第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の厚みは、例えば、１０μｍから１００μｍの範囲の厚みが挙げられ、１０μｍから３０μｍの範囲が好ましい。第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の厚みは、それぞれ、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０と同じ厚みであってもよいし、異なる厚みであってもよい。なかでも、第１隔壁２１、４１の厚みは、第１外部接続電極１９の厚みよりも小さいことが好ましい。この場合、第１隔壁２１、４１の厚みは、第１外部接続電極１９の厚みよりも、５％～２０％の範囲で小さい厚みが挙げられる。また、第２隔壁２２の厚みは、第２外部接続電極２０の厚みよりも小さいことが好ましい。この場合、第２隔壁２２の厚みは、第２外部接続電極２０の厚みよりも、５％～２０％の範囲で小さい厚みが挙げられる。第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の上面は、第２半導体層１１ｐの表面からの高さが同じ位置に配置されていることが好ましい。第１隔壁２１及び第２隔壁２２の上面は、それぞれ、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の上面と、第２半導体層１１ｐ表面から同じ高さに配置されていてもよいし、異なる高さに配置されていてもよい。なかでも、第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２の上面は、それぞれ、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０の上面よりも、第２半導体層１１ｐの表面から低い高さ、つまり、第２半導体層１１ｐ側に配置していることが好ましい。これにより、発光素子を配線基板に実装する際、第１隔壁２１、４１及び／又は第２隔壁２２よりも、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０が配線基板に先に接触するために、発光素子の実装性を確保することができる。第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、配線基板に圧着等により接合されることで厚みが小さくなる。そして、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０よりも厚みを小さく形成した第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２が配線基板と接触、または第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２と配線基板との隙間が小さくなる。従って、発光素子の実装性を確保しつつ、第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２を樹脂をせき止める部材として機能させることができる。
特に、第１隔壁２１、４１及び第２隔壁２２は、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０と同じ材料を含んで又は同じ材料によって、同一工程によって形成することが好ましい。
【0023】
〔発光装置３０〕
本実施形態の発光装置３０は、図３Ａ及び３Ｂに示すように、上面に配線パターン３１を有する配線基板３２と、配線パターン３１上に、複数の第１外部接続電極１９及び複数の第２外部接続電極２０を用いて接続される発光素子１０と、発光素子１０と、第１隔壁２１の外側面２１ａとを被覆する被覆部材３３とを備える。
このような構成とすることにより、発光素子における第１隔壁２１が、発光素子と配線基板３２との間へ被覆部材３３を入り込ませず、第１隔壁２１の外側に被覆部材３３をせき止めることができる。よって、発光素子と配線基板３２との間に入り込んだ被覆部材３３が発光素子の熱によって膨張することによる発光素子の配線基板３２から浮き又は剥がれ等を効果的に防止することができる。
また、発光素子の外周の近傍で生じる発光素子からの光漏れを、第１隔壁２１の外側に配置された被覆部材３３によって、効果的に抑制する構造とすることができる。また、第１隔壁２１は、発光素子に設けられた光反射性電極１５の外縁１５ａよりも内側に配置されており、被覆部材３３が入り込まない領域については発光素子からの光を光反射性電極１５によって反射する構造としている。その結果、発光素子の光漏れを低減でき、光取り出し効率を維持しつつ、信頼性を向上させることができる。
本実施形態の発光装置３０は、図３Ａ及び３Ｂに示すように、上面に配線パターン３１を有する配線基板３２と、配線パターン３１上に、複数の第１外部接続電極１９及び複数の第２外部接続電極２０を用いて接続される発光素子１０と、発光素子１０と、第１隔壁２１の外側面２１ａとを被覆する被覆部材３３とを備える。
このような構成とすることにより、発光素子における第１隔壁２１が、発光素子と配線基板３２との間へ被覆部材３３を入り込ませず、第１隔壁２１の外側に被覆部材３３をせき止めることができる。よって、発光素子と配線基板３２との間に入り込んだ被覆部材３３が発光素子の熱によって膨張することによる発光素子の配線基板３２から浮き又は剥がれ等を効果的に防止することができる。
また、発光素子の外周の近傍で生じる発光素子からの光漏れを、第１隔壁２１の外側に配置された被覆部材３３によって、効果的に抑制する構造とすることができる。また、第１隔壁２１は、発光素子に設けられた光反射性電極１５の外縁１５ａよりも内側に配置されており、被覆部材３３が入り込まない領域については発光素子からの光を光反射性電極１５によって反射する構造としている。その結果、発光素子の光漏れを低減でき、光取り出し効率を維持しつつ、信頼性を向上させることができる。
【0024】
（配線基板３２）
配線基板３２は、上面に配線パターン３１を有する。
配線基板３２の材料としては、例えば、樹脂やセラミックスなどの絶縁性部材、表面に絶縁性部材を形成した金属部材等が挙げられる。なかでも、基板の材料は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウムなどが挙げられる。
配線パターン３１は、発光素子に電流を供給し得るものであればよく、当該分野で通常使用されている材料、厚み、形状等で形成されている。具体的には、配線パターン３１は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、プラチナ、チタン、タングステン、パラジウム、鉄、ニッケル等の金属又はこれらを含む合金等によって形成することができる。特に、配線基板３２の上面に配置される配線パターン３１の最表面の一部は、発光素子１０からの光を効率よく取り出すために、銀などの反射率の高い材料で覆われていることが好ましい。配線パターン３１は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成される。
発光素子１０における第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０と、配線パターン３１の接合は、例えば、超音波接合法を用いて接合することができる。また、接合部材として、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫－ビスマス系、錫－銅系、錫－銀系、金－錫系などの半田、低融点金属などのろう材等を用いてもよい。例えば、発光素子の配線基板３２への実装にＡｕを最表面に含む第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０を用いる場合、配線パターン３１の最表面にＡｕを用いると、発光素子と基板との接合性が向上できる。
配線パターン３１は、配線基板３２の上面に正負一対のパターンを有していることが好ましい。このような配線パターン３１によって、発光素子１０における第１電極１８及び第２電極１６を、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０をそれぞれ介して接続することができる。
配線基板３２は、上面に配線パターン３１を有する。
配線基板３２の材料としては、例えば、樹脂やセラミックスなどの絶縁性部材、表面に絶縁性部材を形成した金属部材等が挙げられる。なかでも、基板の材料は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウムなどが挙げられる。
配線パターン３１は、発光素子に電流を供給し得るものであればよく、当該分野で通常使用されている材料、厚み、形状等で形成されている。具体的には、配線パターン３１は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、プラチナ、チタン、タングステン、パラジウム、鉄、ニッケル等の金属又はこれらを含む合金等によって形成することができる。特に、配線基板３２の上面に配置される配線パターン３１の最表面の一部は、発光素子１０からの光を効率よく取り出すために、銀などの反射率の高い材料で覆われていることが好ましい。配線パターン３１は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成される。
発光素子１０における第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０と、配線パターン３１の接合は、例えば、超音波接合法を用いて接合することができる。また、接合部材として、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫－ビスマス系、錫－銅系、錫－銀系、金－錫系などの半田、低融点金属などのろう材等を用いてもよい。例えば、発光素子の配線基板３２への実装にＡｕを最表面に含む第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０を用いる場合、配線パターン３１の最表面にＡｕを用いると、発光素子と基板との接合性が向上できる。
配線パターン３１は、配線基板３２の上面に正負一対のパターンを有していることが好ましい。このような配線パターン３１によって、発光素子１０における第１電極１８及び第２電極１６を、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０をそれぞれ介して接続することができる。
【0025】
（被覆部材３３）
被覆部材３３は、発光素子１０と、第１隔壁２１の外側面２１ａとを被覆する。つまり、被覆部材３３は、発光素子１０と配線基板３２及び／又は配線パターン３１との間において、少なくとも第１外部接続電極１９を被覆しない。
また、図１Ｃに示すように、複数の第２外部接続電極２０を取り囲む第２隔壁２２が、第１隔壁２１とは別に設けられている場合には、発光素子１０と、第１隔壁２１の外側面２１ａ、第２隔壁２２の外側面２２ａとを被覆する。つまり、被覆部材３３は、発光素子１０と配線基板３２及び／又は配線パターン３１との間において、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０を被覆しない。
これにより、発光素子１０と配線基板３２及び／又は配線パターン３１との間において、被覆部材３３が存在しないか、存在するとしても、極めて少量又は小面積を被覆する程度とすることができる。よって、発光素子１０の熱による被覆部材３３の熱膨張に起因する発光素子１０への応力負荷を低減することができる。その結果、発光素子１０の配線基板３２からの剥がれなどを有効に抑制することができる。
被覆部材３３は、図３Ｂ等に示すように、発光素子１０の第１隔壁２１の外側及び／又は第２隔壁２２の外側と、発光素子１０の側面を被覆することが好ましい。発光素子の側面は、後述するように、接着材（図３Ｂ中、３５）等の透光性の材料で一部被覆されることがあるため、この場合には、発光素子の側方の透光性の材料の表面を被覆することが好ましい。
被覆部材３３は、発光素子１０と、第１隔壁２１の外側面２１ａとを被覆する。つまり、被覆部材３３は、発光素子１０と配線基板３２及び／又は配線パターン３１との間において、少なくとも第１外部接続電極１９を被覆しない。
また、図１Ｃに示すように、複数の第２外部接続電極２０を取り囲む第２隔壁２２が、第１隔壁２１とは別に設けられている場合には、発光素子１０と、第１隔壁２１の外側面２１ａ、第２隔壁２２の外側面２２ａとを被覆する。つまり、被覆部材３３は、発光素子１０と配線基板３２及び／又は配線パターン３１との間において、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０を被覆しない。
これにより、発光素子１０と配線基板３２及び／又は配線パターン３１との間において、被覆部材３３が存在しないか、存在するとしても、極めて少量又は小面積を被覆する程度とすることができる。よって、発光素子１０の熱による被覆部材３３の熱膨張に起因する発光素子１０への応力負荷を低減することができる。その結果、発光素子１０の配線基板３２からの剥がれなどを有効に抑制することができる。
被覆部材３３は、図３Ｂ等に示すように、発光素子１０の第１隔壁２１の外側及び／又は第２隔壁２２の外側と、発光素子１０の側面を被覆することが好ましい。発光素子の側面は、後述するように、接着材（図３Ｂ中、３５）等の透光性の材料で一部被覆されることがあるため、この場合には、発光素子の側方の透光性の材料の表面を被覆することが好ましい。
【0026】
被覆部材３３は、光反射性、透光性、遮光性等を有する樹脂を用いることができる。具体的には、被覆部材３３は、樹脂に光反射性物質が含有された樹脂を用いることができる。被覆部材３３を構成する樹脂、光反射性物質等は、当該分野で通常使用されているもののいずれをも利用することができる。
例えば、樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。
被覆部材３３は、例えば、樹脂に光反射性物質を２０ｗｔ％以上含有することが好ましい。被覆部材３３は、例えば、射出成形、ポッティング成形、樹脂印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形などで成形することができる。
例えば、樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。
被覆部材３３は、例えば、樹脂に光反射性物質を２０ｗｔ％以上含有することが好ましい。被覆部材３３は、例えば、射出成形、ポッティング成形、樹脂印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形などで成形することができる。
【0027】
（透光部材３４）
発光装置３０は、発光素子１０の上に透光部材３４を有することが好ましい。例えば、発光素子１０は第１電極１８及び第２電極１６を有する面を下面として配線パターン３１上にフリップチップ実装される場合、発光素子１０は、下面と反対側の上面を主な光取り出し面として、この上面と透光部材３４の下面とが接合される。
透光部材３４は、発光素子１０の上面を被覆し、発光素子１０から出射される光の５０％以上又は６０％以上、好ましくは７０％以上を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。透光部材３４は、光反射性物質や、発光素子１０から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有することができる。
透光部材３４の下面は、発光素子１０の上面の面積の８０～１５０％程度の面積を有することが好ましい。透光部材３４の下面外縁は、発光素子の上面外縁と一致するか、上面外縁より内側又は外側のどちらかのみに位置していることが好ましい。透光部材３４の厚みは、例えば、５０μｍから３００μｍの範囲が挙げられる。
発光装置３０は、発光素子１０の上に透光部材３４を有することが好ましい。例えば、発光素子１０は第１電極１８及び第２電極１６を有する面を下面として配線パターン３１上にフリップチップ実装される場合、発光素子１０は、下面と反対側の上面を主な光取り出し面として、この上面と透光部材３４の下面とが接合される。
透光部材３４は、発光素子１０の上面を被覆し、発光素子１０から出射される光の５０％以上又は６０％以上、好ましくは７０％以上を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。透光部材３４は、光反射性物質や、発光素子１０から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有することができる。
透光部材３４の下面は、発光素子１０の上面の面積の８０～１５０％程度の面積を有することが好ましい。透光部材３４の下面外縁は、発光素子の上面外縁と一致するか、上面外縁より内側又は外側のどちらかのみに位置していることが好ましい。透光部材３４の厚みは、例えば、５０μｍから３００μｍの範囲が挙げられる。
【0028】
透光部材３４は、例えば、樹脂、ガラス等により形成することができる。また、蛍光体を含有する透光部材３４は、例えば、蛍光体の焼結体、樹脂又はガラスに蛍光体を含有させたもの等が挙げられる。
【0029】
透光部材３４に含有させる蛍光体としては、例えば、発光素子１０として、青色光を発する発光素子又は紫外光を発する発光素子を用いる場合には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2：Ｅｕ）、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ4：Ｅｕ）、β サイアロン系蛍光体（例えばＳｉ6-zＡｌzＯzＮ8-z：Ｅｕ（０＜Ｚ＜４．２））、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体等が挙げられる。これらの蛍光体と、青色光を発する発光素子又は紫外光を発する発光素子との組み合わせにより、所望の発光色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を得ることができる。このような蛍光体を透光部材３４に含有させる場合、蛍光体の濃度を、例えば５～５０％程度とすることが好ましい。
【0030】
透光部材３４は、発光素子１０の上面を被覆するように配置する場合、接着材３５を介して接合することができる。接着材は、例えば、エポキシ又はシリコーンのような周知の透光性を有する樹脂を用いることができる。この場合、接着材３５は、透光部材３４の下面と発光素子１０との間のみならず、発光素子１０の側面を被覆してもよい。また、透光部材３４と発光素子１０との接合には、圧着、焼結による接合法や、表面活性化接合、原子拡散接合、水酸基接合による直接接合法を用いてもよい。
発光装置３０は、任意に、保護素子３６等の別の素子、電子部品等を有していてもよい。例えば、保護素子３６は、図３Ｂに示すように、被覆部材３３及び／又は後述する第２被覆部材３７に埋設されていることが好ましい。
発光装置３０は、任意に、保護素子３６等の別の素子、電子部品等を有していてもよい。例えば、保護素子３６は、図３Ｂに示すように、被覆部材３３及び／又は後述する第２被覆部材３７に埋設されていることが好ましい。
【0031】
（第２被覆部材３７）
発光装置３０は、透光部材３４を有する場合、透光部材３４の側面の一部又は全部を被覆する第２被覆部材３７をさらに備えることが好ましい。第２被覆部材３７の上面は、例えば、透光部材３４の上面と面一又は略面一に配置されることが好ましい。また、第２被覆部材３７は、発光装置３０の外形の一部を構成することができる。
第２被覆部材３７は、被覆部材３３と同様の材料を利用して形成することができる。
発光装置３０は、透光部材３４を有する場合、透光部材３４の側面の一部又は全部を被覆する第２被覆部材３７をさらに備えることが好ましい。第２被覆部材３７の上面は、例えば、透光部材３４の上面と面一又は略面一に配置されることが好ましい。また、第２被覆部材３７は、発光装置３０の外形の一部を構成することができる。
第２被覆部材３７は、被覆部材３３と同様の材料を利用して形成することができる。
【0032】
〔発光装置５０〕
発光装置５０では、図２に示すように、複数の第１外部接続電極１９のみならず、複数の第２外部接続電極２０をも取り囲む第１隔壁４１が設けられた発光素子４０を用いる。図４に示すように、上面に配線パターン５１を有する配線基板５２を用いて、配線パターン５１上に、発光素子４０を複数の第１外部接続電極１９及び複数の第２外部接続電極２０により実装する。
ここで用いる配線基板５２は、発光素子４０における第１隔壁４１が対向する部分に、配線パターン５１が配置されないか、配置されるとしても、その一部が配線基板５２内に埋設されている。このような配線基板５２を用いることにより、第１隔壁４１が発光素子４０の第１電極１８又は第２電極１６に接続されている場合においても、第１隔壁４１と配線パターン５１との導通が防止されるため、短絡を防止することができる。
その他の構成は、実質的に発光装置３０と同様である。
このような配線基板５２を用いた場合においても、発光素子４０と配線基板５２及び／又は配線パターン５１との間において、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、被覆部材３３に被覆されない。つまり、被覆部材３３は、第１隔壁４１の外側面４１ａを被覆し、第１隔壁４１の外側に配置されることで、発光素子の外周の近傍で生じる光漏れを抑制する効果を発揮する。
発光装置５０では、図２に示すように、複数の第１外部接続電極１９のみならず、複数の第２外部接続電極２０をも取り囲む第１隔壁４１が設けられた発光素子４０を用いる。図４に示すように、上面に配線パターン５１を有する配線基板５２を用いて、配線パターン５１上に、発光素子４０を複数の第１外部接続電極１９及び複数の第２外部接続電極２０により実装する。
ここで用いる配線基板５２は、発光素子４０における第１隔壁４１が対向する部分に、配線パターン５１が配置されないか、配置されるとしても、その一部が配線基板５２内に埋設されている。このような配線基板５２を用いることにより、第１隔壁４１が発光素子４０の第１電極１８又は第２電極１６に接続されている場合においても、第１隔壁４１と配線パターン５１との導通が防止されるため、短絡を防止することができる。
その他の構成は、実質的に発光装置３０と同様である。
このような配線基板５２を用いた場合においても、発光素子４０と配線基板５２及び／又は配線パターン５１との間において、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、被覆部材３３に被覆されない。つまり、被覆部材３３は、第１隔壁４１の外側面４１ａを被覆し、第１隔壁４１の外側に配置されることで、発光素子の外周の近傍で生じる光漏れを抑制する効果を発揮する。
【0033】
〔発光装置６０〕
発光装置６０では、上述した発光装置５０と同様に、図２に示す発光素子４０を用いる。図５に示すように、上面に配線パターン６１を有する配線基板６２を用いて、配線パターン６１上に、発光素子４０を複数の第１外部接続電極１９及び複数の第２外部接続電極２０により実装する。
ここで用いる配線基板６２は、発光素子４０における第１隔壁４１が対向する配線パターン６１上に、被覆層６３が配置されている。この被覆層６３は、絶縁性の材料で形成されている。このような配線基板６２を用いることにより、第１隔壁４１が発光素子の電極に接続されている場合においても、第１隔壁４１と配線パターン６１との導通が防止されるため、短絡を防止することができる。
その他の構成は、実質的に発光装置３０と同様である。
このような配線基板６２を用いた場合においても、発光素子４０と配線基板６２及び／又は配線パターン６１との間において、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、被覆部材３３に被覆されない。つまり、被覆部材３３は、第１隔壁４１の外側面４１ａを被覆し、第１隔壁４１の外側に配置されることで、発光素子の外周の近傍で生じる光漏れを抑制する効果を発揮する。
発光装置６０では、上述した発光装置５０と同様に、図２に示す発光素子４０を用いる。図５に示すように、上面に配線パターン６１を有する配線基板６２を用いて、配線パターン６１上に、発光素子４０を複数の第１外部接続電極１９及び複数の第２外部接続電極２０により実装する。
ここで用いる配線基板６２は、発光素子４０における第１隔壁４１が対向する配線パターン６１上に、被覆層６３が配置されている。この被覆層６３は、絶縁性の材料で形成されている。このような配線基板６２を用いることにより、第１隔壁４１が発光素子の電極に接続されている場合においても、第１隔壁４１と配線パターン６１との導通が防止されるため、短絡を防止することができる。
その他の構成は、実質的に発光装置３０と同様である。
このような配線基板６２を用いた場合においても、発光素子４０と配線基板６２及び／又は配線パターン６１との間において、第１外部接続電極１９及び第２外部接続電極２０は、被覆部材３３に被覆されない。つまり、被覆部材３３は、第１隔壁４１の外側面４１ａを被覆し、第１隔壁４１の外側に配置されることで、発光素子の外周の近傍で生じる光漏れを抑制する効果を発揮する。
【産業上の利用可能性】
【0034】
本発明の発光素子は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機、車載部品、看板用チャンネルレター等、種々の光源に使用することができる。
【符号の説明】
【0035】
１０ 発光素子
１１ 半導体積層体
１１ａ 発光層
１１ｂ 露出部
１１ｎ 第１半導体層
１１ｐ 第２半導体層
１１ｃ 外縁
１２ 絶縁膜
１２ａ 開口部
１３ 基板
１５ 光反射性電極
１５ａ 外縁
１６ 第２電極
１７ 保護層
１８ 第１電極
１９ 第１外部接続電極
２０ 第２外部接続電極
２１、４１ 第１隔壁
２１ａ、４１ａ 外側面
２２ 第２隔壁
２２ａ 外側面
３０、５０、６０ 発光装置
３１、５１、６１ 配線パターン
３２、５２、６２ 配線基板
３３ 被覆部材
３４ 透光部材
３５ 接着材
３６ 保護素子
６３ 被覆層
１１ 半導体積層体
１１ａ 発光層
１１ｂ 露出部
１１ｎ 第１半導体層
１１ｐ 第２半導体層
１１ｃ 外縁
１２ 絶縁膜
１２ａ 開口部
１３ 基板
１５ 光反射性電極
１５ａ 外縁
１６ 第２電極
１７ 保護層
１８ 第１電極
１９ 第１外部接続電極
２０ 第２外部接続電極
２１、４１ 第１隔壁
２１ａ、４１ａ 外側面
２２ 第２隔壁
２２ａ 外側面
３０、５０、６０ 発光装置
３１、５１、６１ 配線パターン
３２、５２、６２ 配線基板
３３ 被覆部材
３４ 透光部材
３５ 接着材
３６ 保護素子
６３ 被覆層
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
