特許 7413032 ウエーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-04

(45)【発行日】2024-01-15

(54)【発明の名称】ウエーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20240105BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 Q

H01L21/78 M

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2020004365

(22)【出願日】2020-01-15

(65)【公開番号】P2021111749

(43)【公開日】2021-08-02

【審査請求日】2022-11-25

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110003524

【氏名又は名称】弁理士法人愛宕綜合特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100113217

【弁理士】

【氏名又は名称】奥貫 佐知子

(74)【代理人】

【識別番号】100202496

【弁理士】

【氏名又は名称】鹿角 剛二

(74)【代理人】

【識別番号】100202692

【弁理士】

【氏名又は名称】金子 吉文

(72)【発明者】

【氏名】大前 巻子

(72)【発明者】

【氏名】辻本 浩平

【審査官】内田 正和

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１１－２２８５６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－２１２８３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０９３００５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０６７３９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス層の領域と、該デバイス層の領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの外周余剰領域を支持するリング状凸部を外周に有するサブストレートを準備するサブストレート準備工程と、
ウエーハの外周余剰領域と該サブストレートのリング状凸部とを接着剤を介して一体にしてウエーハの裏面を露出させる一体工程と、
該サブストレート側をチャックテーブルに保持する保持工程と、
ウエーハの裏面から赤外線カメラによって分割予定ラインを検出する検出工程と、
ウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置付けてデバイスを形成するデバイス層を残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
ウエーハの裏面側にダイシングテープを配設し、該サブストレートを取り外すサブストレート取り外し工程と、
該ダイシングテープを拡張してデバイス層を分割予定ラインに沿って分割して個々のデバイスチップを生成する分割工程と、
を含み構成され、
ウエーハの裏面が梨地面となっており、該検出工程においてウエーハの裏面から赤外線カメラによって分割予定ラインを検出することが困難である場合、
ウエーハの裏面を研磨して鏡面に加工する裏面鏡面加工工程が含まれ、
該裏面鏡面加工工程は、ウエーハの外周余剰領域に対応する裏面の外周領域を研磨する外周余剰領域鏡面加工工程であり、
該検出工程において、研磨された該外周領域からウエーハの分割予定ラインを検出するウエーハの加工方法。

【請求項2】

該分割工程は、ウエーハの表面を下にして実施される請求項１に記載のウエーハの加工方法。

【請求項3】

該一体工程において使用される該接着剤はワックスである請求項１又は２に記載のウエーハの加工方法。

【請求項4】

該サブストレートは、サブストレート準備工程において、該リング状凸部に加え、ウエーハの中央を支持する中央凸部が形成される請求項１乃至３のいずれかに記載されたウエーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置によって個々のデバイスチップに分割されて携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。

【0003】

ＣＣＤ、ＣＭＯＳ、ＭＥＭＳ等のデバイスは、切削屑の付着を嫌うため、ウエーハの表面に粘着テープを配設してダイシング加工が施される（例えば特許文献１を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００７－１３４３９０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１に記載の技術によれば、ウエーハの表面に切削屑が付着することは回避できるものの、粘着テープに使用される糊剤がウエーハの表面に付着して、粘着テープを剥離する際にデバイスに残留し、個々に分割されたデバイスチップの品質を低下させるという問題がある。また、粘着テープが、ウエーハの表面に形成されたデバイス、例えばＭＥＭＳを構成する要素に付着して、粘着テープを剥離する際に、ＭＥＭＳを損傷させるという問題がある。

【0006】

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの表面に形成されたデバイスに保護テープの糊剤が付着して品質を低下させたり、粘着テープの剥離によってデバイスが損傷したりすることが回避されるウエーハの加工方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス層の領域と、該デバイス層の領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの外周余剰領域を支持するリング状凸部を外周に有するサブストレートを準備するサブストレート準備工程と、ウエーハの外周余剰領域と該サブストレートのリング状凸部とを接着剤を介して一体にしてウエーハの裏面を露出させる一体工程と、該サブストレート側をチャックテーブルに保持する保持工程と、ウエーハの裏面から赤外線カメラによって分割予定ラインを検出する検出工程と、ウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置付けてデバイスを形成するデバイス層を残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、ウエーハの裏面側にダイシングテープを配設し、該サブストレートを取り外すサブストレート取り外し工程と、該ダイシングテープを拡張してデバイス層を分割予定ラインに沿って分割して個々のデバイスチップを生成する分割工程と、を含み構成され、ウエーハの裏面が梨地面となっており、該検出工程においてウエーハの裏面から赤外線カメラによって分割予定ラインを検出することが困難である場合、ウエーハの裏面を研磨して鏡面に加工する裏面鏡面加工工程が含まれ、該裏面鏡面加工工程は、ウエーハの外周余剰領域に対応する裏面の外周領域を研磨する外周余剰領域鏡面加工工程であり、該検出工程において、研磨された該外周領域からウエーハの分割予定ラインを検出するウエーハの加工方法が提供される。

【0008】

該分割工程は、ウエーハの表面を下にして実施されることが好ましい。また、該一体工程において使用される該接着剤はワックスであることが好ましい。

【0010】

該サブストレートは、サブストレート準備工程において、該リング状凸部に加え、ウエーハの中央を支持する中央凸部が形成されるようにしてもよい。

【発明の効果】

【0011】

本発明のウエーハの加工方法は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス層の領域と、該デバイス層の領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの外周余剰領域を支持するリング状凸部を外周に有するサブストレートを準備するサブストレート準備工程と、ウエーハの外周余剰領域と該サブストレートのリング状凸部とを接着剤を介して一体にしてウエーハの裏面を露出させる一体工程と、該サブストレート側をチャックテーブルに保持する保持工程と、ウエーハの裏面から赤外線カメラによって分割予定ラインを検出する検出工程と、ウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置付けてデバイスを形成するデバイス層を残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、ウエーハの裏面側にダイシングテープを配設し、該サブストレートを取り外すサブストレート取り外し工程と、該ダイシングテープを拡張してデバイス層を分割予定ラインに沿って分割して個々のデバイスチップを生成する分割工程と、を含み構成され、ウエーハの裏面が梨地面となっており、該検出工程においてウエーハの裏面から赤外線カメラによって分割予定ラインを検出することが困難である場合、ウエーハの裏面を研磨して鏡面に加工する裏面鏡面加工工程が含まれ、該裏面鏡面加工工程は、ウエーハの外周余剰領域に対応する裏面の外周領域を研磨する外周余剰領域鏡面加工工程であり、該検出工程において、研磨された該外周領域からウエーハの分割予定ラインを検出することから、サブストレートとデバイス層の領域とは非接触となる。これにより、デバイスに糊剤が付着して汚染したり、デバイスを破損したりすることがない。また、切削溝形成工程においては、デバイス層の領域においてデバイスを形成するデバイス層を残して切削溝を形成することから、切削加工を実施する際に切削屑を含む切削水がウエーハの表面と、サブストレートとの間に進入することが阻止され、ウエーハのデバイスが形成された表面側が汚染されることが回避される。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本実施形態の被加工物としてのウエーハを示す斜視図である。

【図2】（ａ）サブストレート準備工程を実施する研削装置のチャックテーブルにサブストレートを載置する態様を示す斜視図、（ｂ）研削手段によってサブストレートの外周にリング状凸部を形成する態様を示す斜視図、（ｃ）研削手段によってサブストレートの外周にリング状凸部を、サブストレートの中央に中央凸部を形成する態様を示す斜視図である。

【図3】（ａ）サブストレートとウエーハを一体とする一体工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す一体工程のその他の実施態様を示す斜視図、（ｃ）（ａ）に示す一体工程によって一体とされたウエーハ及びサブストレートを示す斜視図、（ｄ）（ｃ）に示すウエーハ及びサブストレートの一部拡大断面図である。

【図4】研磨装置にウエーハを保持する態様を示す斜視図である。

【図5】（ａ）裏面鏡面加工工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）外周余剰領域鏡面加工工程の実施態様を示す斜視図である。

【図6】検出工程の実施態様を示す斜視図である。

【図7】（ａ）切削溝形成工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す切削溝形成工程によって加工されるウエーハ及びサブストレートの一部拡大断面図である。

【図8】図６に示す検出工程の別の実施態様を示す斜視図である。

【図9】図７に示す切削溝形成工程の別の実施態様を示す斜視図である。

【図10】サブストレート取り外し工程の実施態様を示す斜視図である。

【図11】分割工程の実施態様を示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本発明に基づいて構成されるウエーハの加工方法に係る実施形態について添付図面を参照しながら、詳細に説明する。

【0014】

図１には、本実施形態において分割される被加工物の一例であるウエーハ１０が示されている。ウエーハ１０には、ウエーハ１０の結晶方位を示すノッチＮが形成されており、ウエーハ１０の表面１０ａには、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され形成されている。ノッチＮの位置と、分割予定ライン１４が形成される方向には、一定の関係があり、ノッチＮの位置が特定されることで、分割予定ライン１４が形成されている方向が特定される。

【0015】

ウエーハ１０は、半導体の基板により構成され、該基板は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ、サファイア、ＧａＮ等から構成される。ウエーハ１０の表面１０ａに形成されるデバイス１２は、例えばＭＥＭＳである。複数のデバイス１２が形成されたウエーハ１０の中央側の領域Ｓ１には、例えばソース、ドレイン、ゲート酸化膜、ゲート酸化膜上に配置されたゲート、該ゲート上に形成される酸化膜等（いずれも図示は省略）の所謂電界効果トランジスタを含むデバイス層１６が形成されている。ウエーハ１０の表面１０ａは、前記したデバイス層１６が形成された中央側の領域Ｓ１と、デバイス層１６の領域Ｓ１を囲繞する外周余剰領域Ｓ２とで構成される。なお、図１に記載されたウエーハ１０には、デバイス層１６の領域Ｓ１と、外周余剰領域Ｓ２とを区分する円形状の境界Ｌが点線で示されているが、該境界Ｌは、説明の都合上便宜的に示したものであり、実際にウエーハ１０に付与されているものではない。

【0016】

上記したウエーハ１０を個々のデバイスチップに分割する本実施形態のウエーハの加工方法について、図２～図１１を参照しながら、より具体的に説明する。

【0017】

本実施形態のウエーハの加工方法を実施するに際し、まず、上記したウエーハ１０を支持するためのサブストレートを準備するサブストレート準備工程を実施する。図２（ａ）に示すサブストレート２０は、サブストレート準備工程によって加工される前の基材であり、表面２０ａ及び裏面２０ｂには加工が施されておらず、平坦面である。サブストレート２０は、所定の厚み（例えば３００μｍ）で形成されたＳｉ、ガラス等からなる円形の板状部材であり、上記したウエーハ１０と同一の径で形成されている。

【0018】

上記したように加工前のサブストレート２０（基材）を用意したならば、図２（ａ）に示す研削装置３０（一部のみ示している）に搬入し、チャックテーブル３２の保持面３２ａ上に載置し、図示しない吸引手段を作動して吸引保持する。研削装置３０には、図２（ｂ）に示す研削ユニット３４が配設されている。研削ユニット３４は、鉛直方向の軸心回りであって矢印Ａで示す方向に回転されるスピンドル３４Ａと、スピンドル３４Ａの下端に装着された研削ホイール３４Ｂと、研削ホイール３４Ｂの下面に環状に配設された複数の研削砥石３４Ｃとで構成されている。チャックテーブル３２に保持されたサブストレート２０は、研削ユニット３４の下方の所定の研削位置に位置づけられる。

【0019】

上記した所定の研削位置とは、図２（ｂ）に示すように、研削ユニット３４の研削砥石３４Ｃの外周縁が、サブストレート２０の中心と、サブストレート２０の内側の領域において上記したウエーハ１０のデバイス層１６の領域Ｓ１に相当する大きさの領域の外周端に位置付けられる位置である。このように位置付けられたサブストレート２０に対して、スピンドル３４Ａを矢印Ａで示す方向に、例えば６０００ｒｐｍの回転速度で回転させ、チャックテーブル３２を矢印Ｂで示す方向に、例えば３００ｒｐｍの回転速度で回転させ、研削ユニット３４を矢印Ｃで示す方向に下降させて、図示しない供給手段によって研削水を供給しながら研削砥石３４Ｃをサブストレート２０に押し当てる。研削砥石３４Ｃをサブストレート２０に押し当て、所定の速度（例えば１μｍ／秒）で研削送りして、所定の深さ（例えば３０μｍ～１００μｍ）だけ研削する。このように加工することで、ウエーハ１０の外周余剰領域Ｓ２に相当する幅のリング状凸部２２が外周に形成され、ウエーハ１０のデバイス層１６の領域Ｓ１に相当する底部２４が形成されたサブストレート２０となる。以上によりサブストレート準備構成が完了する。

【0020】

なお、サブストレート準備工程によって形成されるサブストレート２０は、上記した形態に限定されず、例えば、図２（ｃ）に示す別の研削ユニット３６を使用してサブストレート２０を加工するサブストレート準備工程を実施してもよい。より具体的には、図２（ｃ）に示された研削ユニット３６には、上記した研削ユニット３４に採用された研削ホイール３４Ｂよりも径の小さい研削ホイール３６Ｂが採用されている。そして、研削ホイール３６Ｂを所定の研削位置に位置付けてサブストレート２０を研削する際には、研削ユニット３６の研削砥石３６Ｃの外周縁は、サブストレート２０の内側の領域において上記したウエーハ１０のデバイス層１６の領域Ｓ１に相当する大きさの領域の外周端と、サブストレート２０の中心よりも該外周端側の位置とに位置付けられる。このような研削位置において、研削ホイール３６Ｂとチャックテーブル３２とを回転させてサブストレート２０の表面２０ａを研削することにより、図２（ｂ）に基づいて説明したのと同一のリング状凸部２２が形成されると共に、リング状凸部２２の内側の底部２４の中心に中央凸部２６が形成される。中央凸部２６の大きさは、研削ユニット３６の研削ホイール３６Ｂの大きさを調整することにより任意に設定することが可能である。

【0021】

上記したサブストレート準備工程を実施したならば、ウエーハ１０の表面１０ａの外周余剰領域Ｓ２とサブストレート２０のリング状凸部２２とを一体にしてウエーハ１０の裏面１０ｂを露出させる一体工程を実施する。

【0022】

該一体工程を、例えば図２（ｂ）に示した研削ユニット３４を使用して準備されたサブストレート２０を使用して実施する場合は、図３（ａ）に示すように、サブストレート２０のリング状凸部２２の表面（ハッチングで示す）に接着剤、例えば温めて溶融したワックスＷを塗布し、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に、表面１０ａ側をサブストレート２０側に向けて、図３（ｃ）に示すように貼着して一体とする。これにより、ウエーハ１０の表面１０ａは外部に露出せず、裏面１０ｂが外部に露出した状態となる。上記したように、リング状凸部２２は、ウエーハ１０の外周余剰領域Ｓ２に対応するように形成されていることから、ウエーハ１０の表面１０ａ側の外周余剰領域Ｓ２がリング状凸部２２に貼着されて支持され、デバイス層１６が形成された領域Ｓ１は、図３（ｄ）に示す一部拡大断面図から理解されるように、ウエーハ１０の底部２４との間で隙間Ｐを形成する状態となる。なお、サブストレート２０を研削ユニット３６を使用して準備した場合も、図３（ｂ）に示すように、リング状凸部２２に接着剤（ワックスＷ）を塗布して、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に、表面１０ａ側をサブストレート２０側に向けて、貼着して一体とする。この際、中央凸部２６には、接着剤を塗布しないようにする。また、上記した一体工程を実施する場合は、真空環境下で実施してもよい。以上により一体工程が完了する。

【0023】

ここで、上記した一体工程によりサブストレート２０と一体にされて露出されたウエーハ１０の裏面１０ｂが、赤外線を透過して表面１０ａ側の分割予定ライン１４を検出可能である場合は、分割予定ライン１４に沿った切削溝を形成すべくそのまま切削装置に搬送される。しかし、ウエーハ１０の裏面１０ｂが、裏面１０ｂ側から赤外線を照射しても赤外線が十分に透過せず、表面１０ａ側の分割予定ライン１４を正確に検出できない程度の粗面、所謂梨地面であった場合は、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を、赤外線によって分割予定ライン１４を検出できる状態とするため、以下に説明する裏面鏡面加工工程、又は外周余剰領域鏡面加工工程を実施する。

【0024】

裏面鏡面加工工程を実施する場合は、例えば、図４に示す研磨装置４０（一部のみ示している）にウエーハ１０を搬送し、サブストレート２０側を下方に、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に向けてチャックテーブル４２の保持面４２ａに載置して吸引保持し、図５（ａ）に示すように、チャックテーブル４２を研磨ユニット４４の下方に位置付ける。研磨ユニット４４は、鉛直方向の軸心回りであって矢印Ｄで示す方向に回転されるスピンドル４４Ａと、スピンドル４４Ａの下端に装着された研磨ホイール４４Ｂと、研磨ホイール４４Ｂの下面に環状に配設された複数の研磨用の砥石４４Ｃとで構成されている。チャックテーブル４２に保持されたウエーハ１０を研磨ユニット４４の下方の所定の研削位置に位置づけたならば、スピンドル４４Ａを矢印Ｄで示す方向に、例えば６０００ｒｐｍの回転速度で回転させ、チャックテーブル４２を矢印Ｅで示す方向に、例えば３００ｒｐｍの回転速度で回転させ、研磨ユニット４４を矢印Ｆで示す方向に下降させて、図示しない供給手段によって研磨液を供給しながら砥石４４Ｃをウエーハ１０の裏面１０ｂに押し当てる。砥石４４Ｃをウエーハ１０の裏面１０ｂに押し当て、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側全体の梨地面を解消して赤外線を透過する程度の鏡面とする。以上により裏面鏡面加工工程が完了する。

【0025】

ウエーハ１０の裏面１０ｂが、裏面１０ｂ側から赤外線カメラを使用して撮像しても表面１０ａ側の分割予定ライン１４を正確に検出できない程度の粗面、所謂梨地面であった場合、上記した裏面鏡面加工工程に替えて、以下に説明する外周余剰領域鏡面加工工程を実施してもよい。

【0026】

図５（ｂ）には、外周余剰領域鏡面加工工程を実施する研磨装置４０（一部のみ示している）が示されている。この研磨装置４０には、上記した研磨ユニット４４に替えて、他の研磨ユニット４６が備えられる。研磨ユニット４６には、図示しない電動モータによって回転させられるスピンドル４６Ａと、スピンドル４６Ａの先端に保持された円盤状の研磨ホイール４６Ｂが配設されている。研磨ホイール４６Ｂは、例えば、上記したリング状凸部２２よりも少し幅広の寸法で設定されている。研磨ホイール４６Ｂを、チャックテーブル４２に保持されたウエーハ１０の裏面１０ｂの外周余剰領域Ｓ２に対応した領域の上面に位置付け、矢印Ｇで示す方向に所定の回転速度で回転させて、ウエーハ１０に当接させると共に、チャックテーブル４２を矢印Ｈで示す方向にゆっくりと回転させて、ウエーハ１０の裏面１０ｂの外周領域１８を研磨して赤外線が透過できる程度の鏡面とする。ここで、研磨ホイール４６Ｂによって研磨される外周領域１８は、外周余剰領域Ｓ２に対応する領域であるが、外周余剰領域Ｓ２よりも若干広い幅を研磨し、デバイス層１６が形成された領域Ｓ１の外側に対応する領域を含んでいてもよい。

【0027】

上記した実施形態では、裏面鏡面加工工程、又は外周余剰領域鏡面加工工程を、ウエーハ１０とサブストレート２０とを一体とする一体工程を実施した後に実施したが、必ずしも、一体工程の後に実施することに限定されるわけではなく、一体工程の前のいずれかのタイミングで予め実施しておいてもよい。

【0028】

ウエーハ１０の裏面１０ｂ側から赤外線を透過できる状態でサブストレート２０とウエーハ１０とが一体とされたならば、ウエーハ１０の表面１０ａに形成された分割予定ライン１４に沿って切削溝を形成する。なお、上記した裏面鏡面加工工程、又は外周余剰領域鏡面加工工程は、必要に応じて実施されるものであり、ウエーハ１０の裏面１０ｂが赤外線を透過する状態であれば実施する必要はない。以下に、図６、図７を参照しながら、ウエーハ１０に対して切削溝を形成する切削溝形成工程について説明する。

【0029】

図６に示すウエーハ１０は、例えば、裏面１０ｂに、上記した裏面鏡面加工工程を施したものである。図に示すように、サブストレート２０と一体とされたウエーハ１０を切削装置５０（一部のみ示している）に搬送し、ウエーハ１０の裏面１０ｂを上方に向けサブストレート２０側をチャックテーブル５２に載置する。チャックテーブル５２の保持面（図示は省略）は、通気性を有する素材によって形成されており、吸引源（図示は省略）と接続されている。該吸引源を作動することにより、チャックテーブル５２にサブストレート２０を介してウエーハ１０が吸引保持される（保持工程）。

【0030】

次いで、チャックテーブル５２を図示しない移動手段を作動して移動することにより、図に示すように、赤外線ＣＣＤを備えた赤外線カメラ５４の下方に位置付けて、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側から赤外線を照射し、ウエーハ１０の表面１０ａ側が撮像されて、撮像された画像は、コンピュータによって構成された制御手段（図示は省略）に送られる。赤外線カメラ５４によって撮像された分割予定ライン１４とノッチＮの位置とにより、ウエーハ１０に形成された分割予定ライン１４の方向がＸ軸方向に沿うように調整され、さらに、該画像に基づいて分割予定ライン１４の位置が検出されることで、該制御手段を構成するメモリに分割予定ライン１４の位置情報が記憶される（検出工程）。

【0031】

次いで、検出工程によって検出された分割予定ライン１４の位置情報に基づいて、ウエーハ１０を保持したチャックテーブル５２を、図７（ａ）に示すように、切削手段５６の下方に位置付ける。切削手段５６は、スピンドルハウジング５６Ａに支持された回転スピンドル５６Ｃの先端部に固定され、外周に切り刃を有する切削ブレード５６Ｄと、切削ブレード５６Ｄを保護するブレードカバー５６Ｂと、を備えている。ブレードカバー５６Ｂには、切削ブレード５６Ｄに隣接する位置に切削水供給手段５６Ｅが配設されており、ブレードカバー５６Ｂを介して導入される切削水を切削位置に向けて供給する。回転スピンドル５６Ｃの他端側には図示しないモータ等の回転駆動源が配設されており、該回転駆動源よって回転スピンドル５６Ｃを回転させることにより切削ブレード５６Ｄが矢印Ｉで示す方向に回転させられる。

【0032】

切削手段５６によって切削溝を形成するには、上記した検出工程で検出した分割予定ライン１４の位置情報に基づいて、ウエーハ１０の裏面１０ｂにおける分割予定ライン１４に対応する領域に切削手段５６の切削ブレード５６Ｄを位置付ける。次いで、切削ブレード５６Ｄを下降させて切り込み送りし、ウエーハ１０を矢印Ｘで示すＸ軸方向に加工送りして切削溝１００を形成する。所定の分割予定ライン１４に対応する領域に切削溝１００を形成したならば、適宜矢印Ｙで示すＹ軸方向に割り出し送りし、又はチャックテーブル５２を図示しない回転駆動手段によって９０度回転して、すべての分割予定ライン１４に対応する領域に沿って切削溝１００を形成する。このとき形成される切削溝１００は、図７（ｂ）に示す一部拡大断面図から理解されるように、ウエーハ１０の表面１０ａのデバイス層１６を残すように、より好ましくはデバイス層１６に至らない深さで形成される。以上により切削溝形成工程が完了する。

【0033】

なお、上記した切削溝形成工程は、裏面１０ｂの全域に裏面鏡面加工工程を実施したウエーハ１０に切削溝形成工程を実施した例を示したが、外周余剰領域鏡面加工工程を実施したウエーハ１０に対して上記した切削溝形成工程を実施することもできる。図８には、外周余剰領域鏡面加工工程が施されたウエーハ１０を切削装置５０に搬送し、チャックテーブル５２に吸引保持された状態が示されている。

【0034】

図８に示すウエーハ１０は、裏面１０ｂの外周余剰領域Ｓ２に対応した外周領域１８のみを鏡面とする加工が施されており、裏面１０ｂのデバイス層１６の領域Ｓ１に対応する領域は赤外線カメラを使用しても、表面１０ａ側の分割予定ライン１４を検出することができない。よってこの場合は、チャックテーブル５２を移動して、ウエーハ１０の裏面１０ｂにおいて鏡面となる加工が施された外周領域１８を、赤外線カメラ５４の直下に位置付ける。外周領域１８に対応する表面１０ａ側にデバイス１２は形成されていないが、分割予定ライン１４の端部の検出が可能であることから、ウエーハ１０のノッチＮの位置と、外周領域１８に赤外線を照射して撮像することにより得られる分割予定ライン１４の画像情報とに基づいて、分割予定ライン１４の位置情報が検出される（検出工程）。このように、分割予定ライン１４の位置が検出されたならば、図９に示すように、切削手段５６によって、分割予定ライン１４に対応する領域に沿って切削溝１００を形成する。そして、図７に基づいて説明した切削溝形成工程と同様の手順により、ウエーハ１０のすべての分割予定ライン１４に対応する領域に沿って切削溝１００を形成する。図９に示す切削溝形成工程においても、その切削溝１００は、図８（ｂ）に基づいて説明したのと同様に、ウエーハ１０の表面１０に形成されたデバイス層１６を残すように、デバイス層１６に至らない深さで形成される。

【0035】

上記したように、切削溝形成工程を実施したならば、図１０に示すように、ダイシングテープＴと環状のフレームＦを用意して、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側にダイシングテープＴを配設し、ダイシングテープＴを介してフレームＦによってウエーハ１０を保持する。ウエーハ１０をダイシングテープＴに配設した状態で、図に示すように、サブストレート２０を取り外す（サブストレート取り外し工程）。本実施形態では、サブストレート２０とウエーハ１０とは、ワックスＷによって接着されていることから、サブストレート取り外し工程を実施する際には、サブストレート２０を加温する（例えば１５０℃程度）。これによりワックスＷの接着力を弱め、容易にサブストレート２０を取り外すことができる。

【0036】

サブストレート取り外し工程を実施したならば、図１１に示すように、ダイシングテープＴを矢印Ｊで示す外方向に拡張する。ウエーハ１０は、上記した切削溝形成工程によって裏面１０ｂ側から切削溝１００が形成されており、分割予定ライン１４に沿って、脆弱な領域が形成されている。よって、ダイシングテープＴが図に示す方向に拡張されることにより、デバイス層１６に分割予定ライン１４に沿う分割溝１１０に沿って分割され、ウエーハ１０から個々のデバイスチップ１２’が生成される（分割工程）。なお、図１１では、説明の都合上、ウエーハ１０の表面１０ａを上方に向けた状態を示しているが、好ましくは、フレームＦを反転してウエーハ１０の表面１０ａ側を下方に向けた状態で、ダイシングテープＴを拡張する。これにより、分割予定ライン１４に沿って分割した際に生じる微細な屑がデバイス１２の表面に付着することが回避される。そして、この分割工程が実施された後は、図示しないピックアップ工程にそのまま搬送されるか、又は図示しない収容カセットに収容されて搬送される。

【0037】

上記したように、本実施形態の一体工程においては、サブストレート２０とウエーハ１０とが、サブストレート２０のリング状凸部２２によってのみ接着されていることから、サブストレート２０とデバイス層１６の領域Ｓ１とは非接触となっている。これにより、ウエーハ１０のデバイス１２に糊剤が付着して汚染したり、デバイス１２を破損したりすることがない。また、切削溝形成工程においては、デバイス層１６の領域においてデバイス１２を形成するデバイス層１６を残して切削溝１００を形成していることから、切削加工を実施する際に生じる切削屑を含む切削水が、ウエーハ１０の表面１０ａと、サブストレート２０との間に進入することがなく、ウエーハ１０のデバイス１２が形成された表面１０ａ側が汚染されることが回避される。

【符号の説明】

【0038】

１０：ウエーハ
１０ａ：表面
１０ｂ：裏面
１２：デバイス
１２’：デバイスチップ
１４：分割予定ライン
１６：デバイス層
１８：外周領域
２０：サブストレート
２０ａ：表面
２０ｂ：裏面
２２：リング状凸部
２４：底部
２６：中央凸部
３０：研削装置
３２：チャックテーブル
３４：研削ユニット
３４Ａ：スピンドル
３４Ｂ：研削ホイール
３４Ｃ：研削砥石
３６：研削ユニット
３６Ａ：スピンドル
３６Ｂ：研削ホイール
３６Ｃ：研削砥石
４０：研磨装置
４２：チャックテーブル
４４：研磨ユニット
４４Ａ：スピンドル
４４Ｂ：研磨ホイール
４４Ｃ：砥石
４６：研磨ユニット
４６Ａ：スピンドル
４６Ｂ：研磨ホイール
５０：切削装置
５２：チャックテーブル
５２ａ：保持面
５４：赤外線カメラ
５６：切削手段
５６Ａ：スピンドルハウジング
５６Ｂ：ブレードカバー
５６Ｃ：回転スピンドル
５６Ｄ：切削ブレード
５６Ｅ：切削水供給手段
１００：切削溝
１１０：分割溝
Ｆ：フレーム
Ｐ：隙間
Ｓ１：デバイス層の領域
Ｓ２：外周余剰領域
Ｔ：ダイシングテープ
Ｗ：ワックス（接着剤）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】