特許 7415813 銅張積層板および銅張積層板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-09

(45)【発行日】2024-01-17

(54)【発明の名称】銅張積層板および銅張積層板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C25D 21/12 20060101AFI20240110BHJP

   B32B 15/20 20060101ALI20240110BHJP

   C25D 5/56 20060101ALI20240110BHJP

   H05K 1/09 20060101ALI20240110BHJP

   H05K 3/18 20060101ALN20240110BHJP

【ＦＩ】

C25D21/12 A

B32B15/20

C25D5/56 Z

H05K1/09 A

H05K3/18 G

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2020104193

(22)【出願日】2020-06-17

(65)【公開番号】P2021195604

(43)【公開日】2021-12-27

【審査請求日】2022-12-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000183303

【氏名又は名称】住友金属鉱山株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001704

【氏名又は名称】弁理士法人山内特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西山 芳英

【審査官】瀧口 博史

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－０１９０３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１４３４９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－０９５９６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－０５８５９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２５Ｄ ５／００

Ｃ２５Ｄ ７／００

Ｃ２５Ｄ ２１／１２

Ｈ０５Ｋ １／０９

Ｈ０５Ｋ ３／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベースフィルムと、
前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層と、
前記銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、
前記銅めっき被膜は、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度が、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定された電解めっきにより成膜されたものである
ことを特徴とする銅張積層板。
Ｊ_min(ｄ)＝－３ｄ²＋７ｄ－０．２ ・・・（１）
ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊ_min(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ²］である。

【請求項2】

前記最低電流密度は、式（２）で求められる
ことを特徴とする請求項１記載の銅張積層板。
Ｊ_min(ｄ)＝－３．５ｄ²＋８ｄ－０．２ ・・・（２）

【請求項3】

前記銅めっき被膜は、前記電流密度上昇期間における電流密度が、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定された電解めっきにより成膜されたものである
ことを特徴とする請求項１または２記載の銅張積層板。
Ｊ_max(ｄ)＝－５．５ｄ²＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊ_max(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ²］である。

【請求項4】

ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層とを有する基材を用い、前記銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、
電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定する
ことを特徴とする銅張積層板の製造方法。
Ｊ_min(ｄ)＝－３ｄ²＋７ｄ－０．２ ・・・（１）
ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊ_min(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ²］である。

【請求項5】

前記最低電流密度は、式（２）で求められる
ことを特徴とする請求項４記載の銅張積層板の製造方法。
Ｊ_min(ｄ)＝－３．５ｄ²＋８ｄ－０．２ ・・・（２）

【請求項6】

前記電流密度上昇期間における電流密度を、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定する
ことを特徴とする請求項４または５記載の銅張積層板の製造方法。
Ｊ_max(ｄ)＝－５．５ｄ²＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊ_max(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ²］である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、銅張積層板および銅張積層板の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）などの製造に用いられる銅張積層板、およびその銅張積層板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などの電子機器には、樹脂フィルムの表面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が用いられる。フレキシブルプリント配線板は、例えば、銅張積層板から製造される。

【0003】

銅張積層板の製造方法としてメタライジング法が知られている。メタライジング法による銅張積層板の製造は、例えば、つぎの手順で行なわれる。まず、樹脂フィルムの表面にニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成する。つぎに、下地金属層の上に銅薄膜層を形成する。つぎに、銅薄膜層の上に銅めっき被膜を形成する。銅めっきにより、配線パターンを形成するのに適した膜厚となるまで導体層を厚膜化する。メタライジング法により、樹脂フィルム上に直接導体層が形成された、いわゆる２層基板と称されるタイプの銅張積層板が得られる。

【0004】

この種の銅張積層板を用いてフレキシブルプリント配線板を製造する方法としてセミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法によるフレキシブルプリント配線板の製造は、つぎの手順で行なわれる（特許文献１参照）。まず、銅張積層板の銅めっき被膜の表面にレジスト層を形成する。つぎに、レジスト層のうち配線パターンを形成する部分に開口部を形成する。つぎに、レジスト層の開口部から露出した銅めっき被膜を陰極として電解めっきを行ない、配線部を形成する。つぎに、レジスト層を除去し、フラッシュエッチングなどにより配線部以外の導体層を除去する。これにより、フレキシブルプリント配線板が得られる。

【0005】

セミアディティブ法において、銅めっき被膜の表面にレジスト層を形成するにあたり、ドライフィルムレジストを用いることがある。この場合、銅めっき被膜の表面を化学研磨した後に、ドライフィルムレジストを貼り付ける。化学研磨により銅めっき被膜の表面に微細な凹凸をつけることで、アンカー効果によるドライフィルムレジストの密着性を高めている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２００６－２７８９５０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

樹脂フィルムの表面に形成された下地金属層および銅薄膜層は、銅めっき被膜を形成するまでの工程において搬送ローラとの接触によりピンホールが生じることがある。下地金属層および銅薄膜層にピンホールがあると、銅めっき被膜を形成してもピンホールが被覆されずに残ることがある。また、銅めっき被膜によりピンホールが被覆されたとしても、銅めっき被膜の内部に空間が形成され、化学研磨によりピンホールが露出することがある。銅めっき被膜にピンホールがあると、配線部が適切に形成されず、断線不良を引き起こすことがある。

【0008】

本発明は上記事情に鑑み、銅めっき被膜のピンホールが少ない銅張積層板、およびその銅張積層板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

第１発明の銅張積層板は、ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層と、前記銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、前記銅めっき被膜は、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度が、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定された電解めっきにより成膜されたものであることを特徴とする。
Ｊ_min(ｄ)＝－３ｄ²＋７ｄ－０．２ ・・・（１）
ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊ_min(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ²］である。
第２発明の銅張積層板は、第１発明において、前記最低電流密度は、式（２）で求められることを特徴とする。
Ｊ_min(ｄ)＝－３．５ｄ²＋８ｄ－０．２ ・・・（２）
第３発明の銅張積層板は、第１または第２発明において、前記銅めっき被膜は、前記電流密度上昇期間における電流密度が、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定された電解めっきにより成膜されたものであることを特徴とする。
Ｊ_max(ｄ)＝－５．５ｄ²＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊ_max(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ²］である。
第４発明の銅張積層板の製造方法は、ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層とを有する基材を用い、前記銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、電解めっき初期の電流密度上昇期間における電流密度を、式（１）で求められる最低電流密度以上に設定することを特徴とする。
Ｊ_min(ｄ)＝－３ｄ²＋７ｄ－０．２ ・・・（１）
ここで、ｄは電解めっき中における前記銅薄膜層と前記銅めっき被膜とを合わせた厚さ［μｍ］、Ｊ_min(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ²］である。
第５発明の銅張積層板の製造方法は、第４発明において、前記最低電流密度は、式（２）で求められることを特徴とする。
Ｊ_min(ｄ)＝－３．５ｄ²＋８ｄ－０．２ ・・・（２）
第６発明の銅張積層板の製造方法は、第４または第５発明において、前記電流密度上昇期間における電流密度を、式（３）で求められる最高電流密度以下に設定することを特徴とする。
Ｊ_max(ｄ)＝－５．５ｄ²＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊ_max(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ²］である。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、電解めっき初期の電流密度を比較的高く設定することにより、銅薄膜層に存在するピンホールが被覆されやすくなる。また、銅めっき被膜の内部に形成される空間の高さを低くできるので、化学研磨によりピンホールが露出することを抑制できる。これにより、銅めっき被膜のピンホールを少なくできる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施形態に係る銅張積層板の断面図である。

【図2】めっき槽の平面図である。

【図3】図（Ａ）は銅めっき被膜にピンホールが形成された状態の説明図である。図（Ｂ）は銅めっき被膜の内部に空間が形成された状態の説明図である。図（Ｃ）は銅めっき被膜の内部に高さの低い空間が形成された状態の説明図である。

【図4】実施例１、２、比較例１、２の電流密度の条件を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る銅張積層板１は、基材１０と、基材１０の表面に成膜された銅めっき被膜２０とからなる。図１に示すように基材１０の片面のみに銅めっき被膜２０が成膜されてもよいし、基材１０の両面に銅めっき被膜２０が成膜されてもよい。

【0013】

基材１０は絶縁性を有するベースフィルム１１の表面に金属層１２が成膜されたものである。ベースフィルム１１としてポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルムなどの樹脂フィルムを用いることができる。金属層１２は、例えば、スパッタリング法により成膜される。金属層１２は下地金属層１３と銅薄膜層１４とからなる。下地金属層１３と銅薄膜層１４とはベースフィルム１１の表面にこの順に積層されている。一般に、下地金属層１３はニッケル、クロム、またはニッケルクロム合金からなる。特に限定されないが、下地金属層１３の厚さは５～５０ｎｍが一般的であり、銅薄膜層１４の厚さは５０～４００ｎｍが一般的である。

【0014】

なお、下地金属層１３はなくてもよい。銅薄膜層１４はベースフィルム１１の表面に下地金属層１３を介して成膜されてもよいし、下地金属層１３を介さずベースフィルム１１の表面に直接成膜されてもよい。

【0015】

銅めっき被膜２０は銅薄膜層１４の表面に成膜されている。特に限定されないが、銅めっき被膜２０の厚さは、サブトラクティブ法により加工される銅張積層板１の場合８～１２μｍが一般的であり、セミアディティブ法により加工される銅張積層板１の場合０．１～５μｍが一般的である。なお、金属層１２と銅めっき被膜２０とを合わせて「導体層」と称する。

【0016】

銅めっき被膜２０は、特に限定されないが、ロールツーロール方式のめっき装置により成膜される。めっき装置は、ロールツーロールにより長尺帯状の基材１０を搬送しつつ、基材１０に対して電解めっきを行なう装置である。めっき装置はロール状に巻回された基材１０を繰り出す供給装置と、めっき後の基材１０（銅張積層板１）をロール状に巻き取る巻取装置とを有する。

【0017】

めっき装置には基材１０を搬送するための複数のクランプが設けられている。複数のクランプが基材１０の両縁を把持し、基材１０を搬送する。基材１０の搬送経路には、前処理槽、めっき槽３０、および後処理槽が配置されている。基材１０はめっき槽３０内を搬送されつつ、電解めっきによりその表面に銅めっき被膜２０が成膜される。これにより、長尺帯状の銅張積層板１が得られる。

【0018】

図２に示すように、めっき槽３０は基材１０の搬送方向に沿った横長の単一の槽である。基材１０はめっき槽３０の中心に沿って搬送される。めっき槽３０には銅めっき液が貯留されている。めっき槽３０内を搬送される基材１０は、その全体が銅めっき液に浸漬されている。

【0019】

銅めっき液は水溶性銅塩を含む。銅めっき液に一般的に用いられる水溶性銅塩であれば、特に限定されず用いられる。水溶性銅塩として、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などが挙げられる。無機銅塩として、硫酸銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅などが挙げられる。アルカンスルホン酸銅塩として、メタンスルホン酸銅、プロパンスルホン酸銅などが挙げられる。アルカノールスルホン酸銅塩として、イセチオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅などが挙げられる。有機酸銅塩として、酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅などが挙げられる。

【0020】

銅めっき液に用いる水溶性銅塩として、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などから選択された１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。例えば、硫酸銅と塩化銅とを組み合わせる場合のように、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などから選択された１つのカテゴリー内の異なる２種類以上を組み合わせて用いてもよい。ただし、銅めっき液の管理の観点からは、１種類の水溶性銅塩を単独で用いることが好ましい。

【0021】

銅めっき液は硫酸を含んでもよい。硫酸の添加量を調整することで、銅めっき液のｐＨおよび硫酸イオン濃度を調整できる。

【0022】

銅めっき液は一般的にめっき液に添加される添加剤を含んでもよい。添加剤として、ブライトナー成分、レベラー成分、ポリマー成分、塩素成分などが挙げられる。添加剤として、ブライトナー成分、レベラー成分、ポリマー成分、塩素成分などから選択された１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

【0023】

ブライトナー成分として、特に限定されないが、ビス（３－スルホプロピル）ジスルフィド（略称ＳＰＳ）、３－メルカプトプロパン－１－スルホン酸（略称ＭＰＳ）などから選択された１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。レベラー成分は窒素を含有するアミンなどで構成される。レベラー成分として、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ヤヌス・グリーンＢなどが挙げられる。ポリマー成分として、特に限定されないが、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体から選択された１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。塩素成分として、特に限定されないが、塩酸、塩化ナトリウムなどから選択された１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。

【0024】

銅めっき液の各成分の含有量は任意に選択できる。ただし、銅めっき液は銅を１５～７０ｇ／Ｌ、硫酸を２０～２５０ｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、銅めっき被膜２０を十分な速度で成膜できる。銅めっき液はブライトナー成分を１～５０ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、析出結晶を微細化し銅めっき被膜２０の表面を平滑にできる。銅めっき液はレベラー成分を１～３００ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、突起を抑制し平坦な銅めっき被膜２０を成膜できる。銅めっき液はポリマー成分を１０～１，５００ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、基材１０端部への電流集中を緩和し均一な銅めっき被膜２０を成膜できる。銅めっき液は塩素成分を２０～８０ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、異常析出を抑制できる。

【0025】

銅めっき液の温度は２０～３５℃が好ましい。また、めっき槽３０内の銅めっき液を撹拌することが好ましい。銅めっき液を撹拌する手段は、特に限定されないが、噴流を利用した手段を用いることができる。例えば、ノズルから噴出させた銅めっき液を基材１０に吹き付けることで、銅めっき液を撹拌できる。

【0026】

めっき槽３０の内部には、基材１０の搬送方向に沿って複数のアノード３１が配置されている。また、基材１０を把持するクランプはカソードとしての機能も有する。アノード３１とクランプ（カソード）との間に電流を流すことで、基材１０の表面に銅めっき被膜２０を成膜できる。

【0027】

なお、図２に示すめっき槽３０には、基材１０の表裏両側にアノード３１が配置されている。したがって、ベースフィルム１１の両面に金属層１２が成膜された基材１０を用いれば、基材１０の両面に銅めっき被膜２０を成膜できる。

【0028】

めっき槽３０の内部に配置された複数のアノード３１は、それぞれに整流器が接続されている。したがって、アノード３１ごとに異なる電流密度となるように設定できる。

【0029】

ベースフィルム１１に成膜された金属層１２は比較的薄いため、電解めっきの初期に電流密度を高くすると、金属層１２のうち給電部（クランプ）と接触する部分が溶解する恐れがある。一方で、生産性を上げるには電流密度をできるだけ高くすることが好ましい。そこで、電解めっきの初期において、電流密度を徐々に上昇させることが行なわれる。溶解の恐れがない程度の厚さ（例えば、１．０μｍ）まで銅めっき被膜２０が厚くなった後は、比較的高い一定の電流密度で電解めっきが行なわれる。本明細書では、電解めっき初期の電流密度を徐々に上昇させる期間を「電流密度上昇期間」と称する。

【0030】

図２に示すめっき槽３０の構成の場合、めっき槽３０に配置された複数のアノード３１のうち、上流側の一部のアノード３１について、上流から下流に向かって電流密度が高くなるように設定する。これにより、電流密度上昇期間において、電流密度を段階的に上昇させることができる。

【0031】

ところで、ベースフィルム１１の表面に成膜された金属層１２は、銅めっき被膜２０を形成するまでの工程において搬送ローラとの接触により一部が剥離し、ピンホールが生じることがある。図３（Ａ）に示すように、金属層１２にピンホールがあると、銅めっき被膜２０を成膜してもピンホールが被覆されずに残ることがある。

【0032】

図３（Ｂ）に示すように、金属層１２のピンホールは銅めっき被膜２０により被覆されることもある。この場合、銅めっき被膜２０の内部にはドーム形の空間が形成されていると推測される。銅めっき被膜２０を化学研磨しない場合には、この状態でも問題ないといえる。しかし、図３（Ｂ）において一点鎖線で示す位置まで銅めっき被膜２０を化学研磨すると、ピンホールが露出することになる。

【0033】

図３（Ｃ）に示すように、銅めっき被膜２０の内部にドーム形の空間が形成されたとしても、その高さが十分に低ければ、銅めっき被膜２０を化学研磨してもピンホールが露出することはない。

【0034】

このように、銅めっき被膜２０の内部に形成されるドーム形の空間の高さを低くするほど、銅めっき被膜２０のピンホールを少なくできるといえる。本願発明者の経験則によれば、電解めっきにおける電流密度が低いほど、めっき面に対して縦方向にめっきが成長しやすい。すなわち、図３（Ａ）に示すように、金属層１２のピンホールを反映して、銅めっき被膜２０にもピンホールが形成される。これに対して、電解めっきにおける電流密度が高いほど、めっきは縦方向に成長するとともに、横方向にも成長する。すなわち、図３（Ｃ）に示すように、ドーム形の空間の高さを低くできる。

【0035】

そこで、本願発明者は、電流密度上昇期間における電流密度を比較的高く設定することで、銅めっき被膜２０の内部に形成されるドーム形の空間の高さを低くし、銅めっき被膜２０のピンホールを少なくすることの着想を得た。

【0036】

電流密度上昇期間における電流密度Ｊは、段階的に、または無段階で、徐々に上昇させる。その理由は、薄い金属層１２および銅めっき被膜２０の溶解を防止しつつ、生産性を上げるためである。そこで、電流密度Ｊは電解めっき中における銅薄膜層１４と銅めっき被膜２０とを合わせた厚さｄ［μｍ］を指標として増加させる。

【0037】

具体的には、電流密度上昇期間における電流密度Ｊは、常に、式（１）で求められる最低電流密度Ｊ_min(ｄ)以上になるよう設定することが好ましい。
Ｊ_min(ｄ)＝－３ｄ²＋７ｄ－０．２ ・・・（１）
ここで、Ｊ_min(ｄ)は厚さｄのときの最低電流密度［Ａ／ｄｍ²］である。

【0038】

電流密度Ｊが高いほど、銅めっき被膜２０のピンホールを少なくする効果が高い。そこで、最低電流密度Ｊ_min(ｄ)は、式（１）に代えて、式（２）で求める方がより好ましい。
Ｊ_min(ｄ)＝－３．５ｄ²＋８ｄ－０．２ ・・・（２）

【0039】

電解めっき初期の電流密度Ｊを比較的高く設定すれば、銅薄膜層１４に存在するピンホールが被覆されやすくなる。また、銅めっき被膜２０の内部に形成されるドーム形の空間の高さを低くできる。そのため、化学研磨によりピンホールが露出することを抑制できる。これにより、銅めっき被膜２０のピンホールを少なくできる。

【0040】

電解めっき初期の電流密度Ｊを高く設定すると、金属層１２および銅めっき被膜２０が溶解する恐れがある。そこで、電流密度上昇期間における電流密度Ｊは、式（３）で求められる最高電流密度Ｊ_max(ｄ)以下に設定することが好ましい。
Ｊ_max(ｄ)＝－５．５ｄ²＋１１ｄ ・・・（３）
ここで、Ｊ_max(ｄ)は厚さｄのときの最高電流密度［Ａ／ｄｍ²］である。

【0041】

金属層１２および銅めっき被膜２０の溶解は、それらが薄い場合には電気抵抗が高く、高電流を流すと発熱することに起因する。そのため、金属層１２および銅めっき被膜２０の溶解は、給電部との接触部分の放熱効率を上げるか、電気抵抗を下げることで、抑制できる。放熱効率を上げるには銅めっき液の噴流を給電部に吹き付ければよい。また、電気抵抗を下げるには給電部との接触面積を大きくすればよい。これらの対応をすることにより、金属層１２および銅めっき被膜２０の溶解を抑制できる。

【0042】

なお、式（１）、（２）、（３）における厚さｄは、電解めっき中における銅薄膜層１４の厚さと銅めっき被膜２０の厚さとを合わせたものである。このうち銅めっき被膜２０の厚さは電解めっきの進行にともない増加する。電解めっき中の銅めっき被膜２０の厚さＤは電流密度とめっき時間とから求められる。具体的には、式（４）に示すように、電流密度Ｊ［Ａ／ｄｍ²］、めっき時間Ｔ［分］、および係数ｋを乗じて厚さＤ［μｍ］が求められる。ここで、係数ｋは銅めっき液などの条件に依存する値であり、試験により定められる。
Ｄ＝ｋ×Ｊ×Ｔ ・・・（４）

【実施例】

【0043】

つぎに、実施例を説明する。
（共通の条件）
つぎの手順で、基材を準備した。ベースフィルムとして、厚さ３５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製 Ｕｐｉｌｅｘ－３５ＳＧＡＶ１）を用意した。ベースフィルムをマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置内にはニッケルクロム合金ターゲットと銅ターゲットとが設置されている。ニッケルクロム合金ターゲットの組成はＣｒが２０質量％、Ｎｉが８０質量％である。真空雰囲気下で、ベースフィルムの片面に、厚さ２５ｎｍのニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成し、その上に厚さ１００ｎｍの銅薄膜層を形成した。

【0044】

つぎに、銅めっき液を調整した。銅めっき液は硫酸銅を１２０ｇ／Ｌ、硫酸を７０ｇ／Ｌ、ブライトナー成分を１６ｍｇ／Ｌ、レベラー成分を２０ｍｇ／Ｌ、ポリマー成分を１，１００ｍｇ／Ｌ、塩素成分を５０ｍｇ／Ｌ含有する。ブライトナー成分としてビス（３－スルホプロピル）ジスルフィド（ＲＡＳＣＨＩＧ ＧｍｂＨ社製の試薬）を用いた。レベラー成分としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド－二酸化硫黄共重合体（ニットーボーメディカル株式会社製 ＰＡＳ－Ａ―５）を用いた。ポリマー成分としてポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体（日油株式会社製 ユニルーブ５０ＭＢ－１１）を用いた。塩素成分として塩酸（和光純薬工業株式会社製の３５％塩酸）を用いた。

【0045】

前記銅めっき液が貯留されためっき槽に基材を供給した。電解めっきにより基材の片面に厚さ銅めっき被膜を成膜した。ここで、銅めっき液の温度を３１℃とした。また、電解めっきの間、ノズルから噴出させた銅めっき液を基材の表面に対して略垂直に吹き付けることで、銅めっき液を撹拌した。

【0046】

（実施例１）
電解めっきの条件が表１の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ²で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。

【0047】

【表1】

【0048】

図４のグラフに示すように、実施例１において、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（２）で求められる最低電流密度Ｊ_min(ｄ)よりも常に高くなるよう設定されている。また、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（３）で求められる最高電流密度Ｊ_max(ｄ)よりも、常に低くなるよう設定されている。

【0049】

得られた銅めっき被膜に対して硫酸過水系エッチング液により化学研磨処理を行ない、銅めっき被膜の厚さが０．７μｍとなるまで減膜した。化学研磨後の銅めっき被膜を光学顕微鏡（倍率５００倍）による透過光で３視野（合計１０ｍｍ²）を観察し、ピンホール数を計数した。その結果、５μｍ未満のピンホールが６個／１０ｍｍ²、５μｍ以上１０μｍ未満のピンホールが０個／１０ｍｍ²、１０μｍ以上のピンホールが０個／１０ｍｍ²であった。

【0050】

（実施例２）
電解めっきの条件が表２の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ²で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。

【0051】

【表2】

【0052】

図４のグラフに示すように、実施例２における電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、実施例１における電流密度上昇期間の電流密度Ｊに比べて低い。しかし、実施例２において、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（１）で求められる最低電流密度Ｊ_min(ｄ)よりも、常に高くなるよう設定されている。また、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（３）で求められる最高電流密度Ｊ_max(ｄ)よりも、常に低くなるよう設定されている。

【0053】

実施例１と同様の手順で銅めっき被膜の化学研磨を行ない、ピンホール数を計数した。その結果、５μｍ未満のピンホールが９個／１０ｍｍ²、５μｍ以上１０μｍ未満のピンホールが０個／１０ｍｍ²、１０μｍ以上のピンホールが０個／１０ｍｍ²であった。

【0054】

（比較例１）
電解めっきの条件が表３の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ²で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。

【0055】

【表3】

【0056】

図４のグラフに示すように、比較例１における電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、実施例２における電流密度上昇期間の電流密度Ｊに比べて低い。比較例１において、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（１）で求められる最低電流密度Ｊ_min(ｄ)よりも低くなることがある。

【0057】

実施例１と同様の手順で銅めっき被膜の化学研磨を行ない、ピンホール数を計数した。その結果、５μｍ未満のピンホールが１３個／１０ｍｍ²、５μｍ以上１０μｍ未満のピンホールが１個／１０ｍｍ²、１０μｍ以上のピンホールが０個／１０ｍｍ²であった。

【0058】

（比較例２）
電解めっきの条件が表４の通りとなるように、基材の搬送速度および各アノードの電流密度を調整した。銅薄膜層と銅めっき被膜とを合わせた厚さｄが０．８μｍに達するまでを電流密度上昇期間とし、電流密度を段階的に上昇させた。厚さｄが０．８μｍ以上の期間は、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ²で一定とした。厚さｄが２．５μｍとなるまで電解めっきを行なった。

【0059】

【表4】

【0060】

図４のグラフに示すように、比較例２における電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、比較例１における電流密度上昇期間の電流密度Ｊに比べて低い。比較例２において、電流密度上昇期間の電流密度Ｊは、前記式（１）で求められる最低電流密度Ｊ_min(ｄ)よりも低くなることがある。

【0061】

実施例１と同様の手順で銅めっき被膜の化学研磨を行ない、ピンホールの数を計数した。その結果、５μｍ未満のピンホールが１５個／１０ｍｍ²、５μｍ以上１０μｍ未満のピンホールが２個／１０ｍｍ²、１０μｍ以上のピンホールが１個／１０ｍｍ²であった。

【0062】

以上の結果を表５にまとめる。

【表5】

【0063】

電流密度上昇期間における電流密度Ｊを比較的高く設定した実施例１、２は、化学研磨後においても５μｍ未満のピンホールが１０個／１０ｍｍ²以下と少ない。また、５μｍ以上のピンホールは確認されない。特に、電流密度Ｊが高い実施例１は実施例２よりもピンホールの数が少ない。これより、電流密度上昇期間における電流密度Ｊを高く設定すれば、銅めっき被膜のピンホールを少なくできることが確認された。具体的には、電流密度上昇期間における電流密度Ｊを、式（１）で求められる最低電流密度Ｊ_min(ｄ)よりも高くすることが好ましく、式（２）で求められる最低電流密度Ｊ_min(ｄ)よりも高くすることがより好ましいことが確認された。

【0064】

なお、実施例１、２、比較例１、２のいずれの条件においても、電解めっきの際の金属層および銅めっき被膜の溶解は確認されなかった。これより、電流密度上昇期間における電流密度Ｊを、式（３）で求められる最高電流密度Ｊ_max(ｄ)よりも低くすることにより、金属層および銅めっき被膜の溶解を抑制できることが確認された。

【符号の説明】

【0065】

１ 銅張積層板
１０ 基材
１１ ベースフィルム
１２ 金属層
１３ 下地金属層
１４ 銅薄膜層
２０ 銅めっき被膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】