(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-24
(45)【発行日】2024-02-01
(54)【発明の名称】シリコン粉塵の空気輸送方法、捕集方法、および処理方法
(51)【国際特許分類】
B65G 53/04 20060101AFI20240125BHJP
B01D 45/08 20060101ALI20240125BHJP
B01D 47/06 20060101ALI20240125BHJP
B01D 50/00 20220101ALI20240125BHJP
【FI】
B65G53/04 Z
B01D45/08 B
B01D47/06 Z
B01D50/00 501G
B01D50/00 501L
(21)【出願番号】P 2020081722
(22)【出願日】2020-05-07
(62)【分割の表示】P 2019021169の分割
【原出願日】2015-08-10
【審査請求日】2020-06-03
【審判番号】
【審判請求日】2022-10-04
(73)【特許権者】
【識別番号】000002060
【氏名又は名称】信越化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】230104019
【氏名又は名称】大野 聖二
(74)【代理人】
【識別番号】230117802
【氏名又は名称】大野 浩之
(72)【発明者】
【氏名】宮尾 秀一
(72)【発明者】
【氏名】岡田 淳一
【合議体】
【審判長】小川 恭司
【審判官】中屋 裕一郎
【審判官】尾崎 和寛
(56)【参考文献】
【文献】特開2013-31811(JP,A)
【文献】特開昭60-142130(JP,A)
【文献】特開平8-245243(JP,A)
【文献】特開2013-116235(JP,A)
【文献】特開2009-240908(JP,A)
【文献】特開2000-126533(JP,A)
【文献】特開2012-81454(JP,A)
【文献】特開平9-201510(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
B65G 53/00-53/04
C01B 33/00-33/193
B01D 49/00-51/10
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン粉塵を捕集する方法であって、
破砕場所からダクト内を空気輸送された前記シリコン粉塵を湿式のスクラバーのサイロ内にサイロの側面
から導き、該サイロ内に導かれた前記シリコン粉塵に上方から水噴霧して水中に沈降させる第1の工程と、
輸送空気を強制的に湾曲させる空気抵抗部であってサイロ内で水噴霧する箇所よりも上方に位置する空気抵抗部に導いて輸送空気中のシリコン粉塵を該空気抵抗部で捕捉する第2の工程と、を備えている、シリコン粉塵の捕集方法。
【請求項2】
請求項1に記載の捕集方法に続き、前記スクラバー内で水中に沈降した前記シリコン粉塵を、湿潤状態のまま排出して処理する工程を備えている、シリコン粉塵の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン粉塵を安全に空気輸送するための技術、および、上記シリコン粉塵を安全に捕集するための技術に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイス等の製造に不可欠な単結晶シリコンは、殆どの場合、シーメンス法により製造された多結晶シリコンロッドやこれを粉砕して得られた多結晶シリコン塊を原料として、FZ法やCZ法により育成される。シーメンス法とは、トリクロロシランやモノシラン等のシラン原料ガスを加熱されたシリコン芯線に接触させることにより、該シリコン芯線の表面に多結晶シリコンをCVD(Chemical Vapor Deposition)法により気相成長
(析出)させる方法である。
【0003】
多結晶シリコン塊は、シーメンス法により合成された多結晶シリコンロッドを反応器から取り出した後にハンマー等で破砕し、この破砕物の表面に付着した汚染物を取り除くために、フッ硝酸等による薬液エッチングを行い、高い清浄度の表面状態とされて製品化される。市場に流通する多結晶シリコン塊は、一般に、概ね20~80mm程度の径のサイズのものである。
【0004】
ところで、多結晶シリコン棒の破砕に伴い、上記多結晶シリコン塊よりもはるかに小径のシリコン微粒子が発生する。そのようなシリコン微粒子の発生量は、破砕条件にもよるが、破砕対象の多結晶シリコンの全重量に対し0.5wt%程度発生する場合もある。このようなシリコン微粒子のうち、長径が1mm以下のサイズのものは空気中を漂う。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0005】
【文献】児玉ほか、「粉体空気輸送における静電気帯電に関する安全評価」、産業安全研究所特別研究報告、NIIS-SRR-N0.17(1999)p.43~49.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
破砕により生じたシリコン微粒子のうち、100μm以下のサイズの微粒子はその濃度が増加すると粉塵爆発を起こす危険性がある(紛体の粉塵爆発については、例えば、非特許文献1を参照)。
【0007】
一般に、粉体は局所排気装置により吸引されて集塵装置で捕集されるが、多くの粉塵爆発は、ダクト内部と集塵装置のサイロ内で発生している。このような粉塵爆発は、粉体同士の衝突と配管内壁との摩擦により発生・蓄積した静電気に起因し、サイロ内の静電界強度が高まった気相空間で発生する静電気放電が引き起こすと考えられている。
【0008】
多結晶シリコン棒は高純度シリコン単結晶を育成するための原料となるため、不純物は極力排除される条件で合成されるから、その比抵抗は極めて高い。従って、その粉砕に伴って発生するシリコン微粒子の比抵抗も必然的に高いものであるから、静電気を発生させ易いと考えられる。
【0009】
従って、破砕により生じたシリコン微粒子は、その集塵作業に際して粉塵爆発を引き起こす危険性が高いと考えられるが、これまでは殆ど検討課題とされてこなかった。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、例えばシーメンス法により合成した多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン微粒子を、粉塵爆発させることなく、安全に空気輸送ないし集塵するための技術を提供することにある。
【0011】
上記課題を解決するために、本発明に係るシリコン粉塵の空気輸送方法は、多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン粉塵を空気輸送する方法であって、破砕場所とスクラバーの間に設けられたダクト内の前記シリコン粉塵の濃度を2,000g/m3以下と
する、ことを特徴とする。
【0013】
また、好ましくは、前記ダクトの一方端側に設けられた局所排気部の吸込口での空気の流速度を8m/秒以上とする。
【0014】
本発明に係るシリコン粉塵の捕集方法は、多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン粉塵を捕集する方法であって、破砕場所からダクト内を空気輸送された前記シリコン粉塵を湿式のスクラバーに導き、該スクラバー内で前記シリコン粉塵に水噴霧して水中に沈降させる第1の工程の後に、輸送空気を強制的に湾曲させる空気抵抗部に導いて輸送空気中のシリコン粉塵を該空気抵抗部で捕捉する第2の工程を備えている、ことを特徴とする。
【0015】
本発明に係るシリコン粉塵の処理方法は、上述の捕集方法に続き、前記スクラバー内で水中に沈降した前記シリコン粉塵を、湿潤状態のまま排出して処理する工程を備えている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【0016】
本発明では、多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン粉塵を空気輸送するに際し、破砕場所とスクラバーの間に設けられたダクト内のシリコン粉塵の濃度、ダクト内を流れる空気の線速度、ダクトの一方端側に設けられた局所排気部の吸込口での空気の流速度を、適正な範囲に設定する。
【0017】
これにより、多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン微粒子を、粉塵爆発させることなく、安全に空気輸送することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【
図1】本発明で用いる湿式のスクラバーの構造を概念的に説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下に、図面を参照して、本発明を実施する際の形態について説明する。
【0020】
[予備実験]
多結晶シリコン棒を破砕して発生した粉塵についての、粉塵爆発の危険性について、予備的な実験を行った。
【0021】
先ず、多結晶シリコン棒を破砕し、発生した粉塵の全量を孔径1μmのフィルターに捕集した。この粉塵の粒径分布を、レーザー回折式乾式法で測定した。その結果、メジアン10%径は20.2μm、メジアン50%径は74μm、メジアン60%径は88μmで
あり、粉塵粒径は、4.2μm~704μmの範囲で分布していた。
【0022】
この粉塵について爆発下限濃度試験を行った。当該試験は、JIS Z 8818:2002「可燃性粉塵の爆発下限濃度測定方法」で規定された公定法に則って行った。用いた装置は吹上式粉塵爆発試験装置(株式会社 環境衛生研究所、都田Lab.製、DES-10)であり、粉塵雲を発生させ、放電させた後の炎の着火状態により爆発下限濃度の判定を行った。なお、粉塵濃度は100~2000g/m
3の範囲の水準とし、各水準につき5回の繰り返し測定を行った。
【0023】
なお、この際の実験条件は、測定室の温度・相対湿度が24℃、46%、粉塵雲を作るための圧縮空気の圧力である圧縮空気吹き出し圧力が50kPa、放電開始時間が0.1秒(つまり、粉塵雲形成後0.1秒に放電開始)、着火放電エネルギーが10J(ネオントランス2次側出力:15kV、20mA)である。
【0024】
着火ないし爆発の有無を評価した結果を表1に示す。
【0025】
【0026】
この表に示したように、シリコン粉塵の濃度2,000g/m3以下では、着火ないし
爆発は生じなかった。
【0027】
続いて、圧力上昇速度、爆発指数(Kst)、粉塵爆発クラスの評価を行った。この評価
を行うに際し、JIS Z 88017:2002「可燃性粉塵の爆発圧力及び、圧力上昇速度の測定方法」の付属書2に規定された公定法に則った。具体的には、容量が30リットル(0.03m3)の球型試験装置内において、コンプレッサーエアーにより粉塵雲を発生させ、火薬に着火させ、爆発させた時の圧力波形を観測し圧力の最大値とそれに至るまでの時間から圧力上昇速度を算出した。なお、この評価方法は、爆発を発生させ、集塵機等の装置の爆発時の防護を目的とした放散口面積の設計に利用されるものである。
【0028】
この際の実験条件は、測定室の温度・湿度が25℃、50%、着火剤の種類は火薬(総発熱量10kJ)、粉塵雲を作るための圧縮空気の圧力である圧縮空気吹き出し圧力が1.0MPa、圧縮空気を噴き上げている時間である吹き上げ時間が63ms、起爆遅延時間が180msである。なお、爆発指数(Kst)の単位は102kPa・m/sであり、
1m3の容量をもつ測定機を用いて測定して得られる値に換算した値であり、本実験で用いた球型試験装置(容量0.03m3)の場合のKstは、(0.03m3)1/3×最大
爆発圧力上昇速度で与えられる。
【0029】
また、この爆発指数(Kst)に応じて、粉塵爆発クラスはSt0~3に分類される(J
IS Z 8817:2002)。具体的には、Kst値が0であればSt0(燃焼、爆発性のない粉塵)、Kst値が1~200であればSt1(爆発の激しさが弱い粉塵)、
Kst値が201~300であればSt2(爆発の激しい粉塵)、そして、Kst値が301以上であればSt3(爆発の激しさが特に大きい粉塵)となる。
【0030】
評価結果を表2に示す。
【0031】
【0032】
この表に示したように、上述した試験で着火ないし爆発が生じなかったシリコン粉塵濃度2,000g/m3の場合、仮に何らかの原因で爆発を起こしたとしても、爆発の激し
さは弱いことが判明した。そこで、本発明では、多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン粉塵を空気輸送するに際し、破砕場所とスクラバーの間に設けられたダクト内のシリコン粉塵の濃度を2,000g/m3以下とする。
【0033】
しかし、粒径分布が変化し、100μm以下の小粒径が多くなった場合は、粉塵爆発の危険性が増すことが予想される。従って、粉塵の発生から、輸送、そして、最終処理に至る一連のプロセスで粉塵爆発を起こさせないことが重要となる。本発明者らは、そのための条件を検討した。
【0034】
[粉塵爆発危険性回避の条件検討]
先ず、シーメンス法により製造した多結晶シリコン棒を破砕してCZシリコン単結晶製造用のナゲットを得た際の重量損失を確認した。投入重量が112.0kgの時の重量損失は0.43kg、投入重量が109.5kgの時の重量損失は0.38kg、投入重量が111.5kgの時の重量損失は0.54kgであった。この重量損失は、破砕時に局所排気装置により吸引・輸送された粉塵の重量に当たる。なお、この粉塵の粒径分布を測定したところ、100μm以下の粒径のものが67.4%であった。
【0035】
粉塵発生直後にその全量を吸引するために、粉砕作業台に吸引口を設置し、吸引口の線速度を8m/s以上になる様、開口面積を調節した。なお、風速の測定には熱線式風速計
を使用した。
【0036】
その後、破砕場所とスクラバーの間に設けたダクト(直径500mm)内に送る排風量を30m3/時間に設定した。
【0037】
ダクトの全長距離は20mであり、破砕場所からスクラバーに至る送風経路には3箇所の屈曲部がある。このダクトで、延べ1,787kgの粉塵をスクラバーへと導いた。その後、ダクトの3箇所の屈曲部の近傍を開放してダクト内部の様子を確認したところ、全吸引粉塵の0.15wt%に相当するシリコン粉塵の滞留が認められた。そして、この滞留分の粒径分布を測定したところ、100μm以下の粒径分の濃縮は認められず、むしろ44.1%に減少していた。即ち、100μm以下の粒径のものと100μmより大きな粒径のものが分離されたこととなる。
【0038】
上述のとおり、破砕により生じたシリコン微粒子のうち、100μm以下のサイズの微粒子はその濃度が増加すると粉塵爆発を起こす危険性がある。従って、上記の空気輸送条件(ダクト内の気流の線速度)は、ダクト内での100μm以下のサイズの微粒子の滞留防止に適切であることを意味している。つまり、ダクト内の気流の線速度が所定値以上であれば、シリコン粉塵を空気輸送する際の
粉塵爆発を抑止することができることを意味している。
【0039】
そこで、多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン粉塵を空気輸送するに際し、破砕場所とスクラバーの間に設けられたダクト内のシリコン粉塵の濃度を2,000g/m3以下とすることが好ましい。
【0040】
[粉塵爆発危険性回避のスクラバーの構造検討]
図1は、本発明で用いる湿式のスクラバーの構造を概念的に説明するための図である。
【0041】
本発明では、多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン粉塵を捕集するに際し、破砕場所からダクト内を空気輸送されたシリコン粉塵を湿式のスクラバーに導き、先ず、該スクラバー内でシリコン粉塵に水噴霧して水中に沈降させる(第1の工程)。その後に、輸送空気を強制的に湾曲させる空気抵抗部に導いて輸送空気中のシリコン粉塵を該空気抵抗部で捕捉する(第2の工程)。
【0042】
上記第1の工程で殆どのシリコン粉塵が捕捉されるが、粒径の小さなシリコン粉塵の捕捉が十分ではない場合もあるため、本発明では上記第2の工程を設けている。
【0043】
また、本発明では、上記の捕集の後に、スクラバー内で水中に沈降したシリコン粉塵を、湿潤状態のまま排出して処理する。このような方法であれば、シリコン粉塵は上記湿潤状態にあるため、粉塵爆発の危険性はない。
【0044】
図1に例示した湿式スクラバー100では、サイロ10にシリコン粉塵を空気輸送(図中にAで示した)により導き、この内積が870リットルのサイロ10(直径1200mmで高さ4050mm)内において、ポンプ20により水(図中にWで示した)を循環させ(流量290リットル/分)、上部より水を噴霧させる。粒径の大きいシリコン粉塵は
この水噴射により沈殿槽30に沈降するが、粒径の小さなシリコン粉塵の捕捉が十分ではない場合もある。このような非捕捉のシリコン粉塵を捕集して定量したところ、0.01g/cm
3であった。なお、この値は、粒径1μm以上のシリコン粉塵を対象とし、JIS Z 8808の等速吸引・濾紙捕集法により定量して得られたものである。
【0045】
そこで、本発明では、サイロ10の上部(排出口近傍)に、輸送空気を強制的に湾曲させる空気抵抗部15を設け、この空気抵抗部15に輸送空気を導いて残余のシリコン粉塵を捕捉する。
【0046】
シリコン粉塵は、スクラバー100外へと排出される前に、この空気抵抗部15の表面に、湿潤状態で付着し、やがて滴となって沈殿槽30へと落下し、沈降する。
【0047】
このような空気抵抗部15は、例えば、透明硬質PVC製の厚さ0.5mmのシートを20mm間隔にて重ね、300mmの距離範囲に6箇所の湾曲部を設けた構造としたものである。このような空気抵抗部15を通過させた空気中に含まれるシリコン粉塵量は、0.01g/m3未満となる。
【0048】
上記の捕集の後に、スクラバー内で水中に沈降したシリコン粉塵を、湿潤状態のまま排出して処理する。サイロ10に供給した水は、粉塵の沈降後に上澄み液として、一般排水として排出されるが、水質汚濁防止法における浮遊物質量SSは、排水基準の40mg/
l以下であった。対象粒径は、1μm以上である。
【0049】
沈殿槽30内に沈降した粉塵は、上澄み液を除去することにより湿った状態のまま取り出し、回収、運搬され、産業廃棄物として処理する。湿った状態のままハンドリングされることが重要であり、乾燥させないことで、発塵性を抑え、粉塵爆発の危険性を回避する。人間に対する、作業環境的にも安全である。
【0050】
[粉塵吸引パラメータの検討]
続いて、局所排気部の吸込口(フード)での空気の適切な流速度について検討した。表3に、5つの条件で行った検討結果を纏めた。
【0051】
【0052】
局所排気部の吸込口(フード)での空気の流速(線速)が8m/秒以上の場合には、ダクト内に滞留する粒径100μm以下の粉塵比率が0.1wt%を切っている。
【0053】
この結果から、ダクトの一方端側に設けられた局所排気部の吸込口(フード)での空気の流速度を8m/秒以上とすることが好ましいことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【0054】
本発明は、多結晶シリコンを破砕した際に発生するシリコン微粒子を、粉塵爆発させることなく、安全に空気輸送ないし集塵するための技術を提供する。
【符号の説明】
【0055】
10 サイロ
15 空気抵抗部
20 ポンプ
30 沈殿槽
100 スクラバー