特許7427685スリット構造に支持構造を伴う三次元メモリデバイス、およびその三次元メモリデバイスを形成するための方法

発明の名称　スリット構造に支持構造を伴う三次元メモリデバイス、およびその三次元メモリデバイスを形成するための方法

出願人　長江存儲科技有限責任公司　（識別番号 519237948）

　　　　特許公開件数ランキング 436 位（63件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 429 位（55件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7427685

公報発行日　2024年2月5

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7427685

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特許-7427685「スリット構造に支持構造を伴う三次元メモリデバイス、およびその三次元メモリデバイスを形成するための方法」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録