特許7430481IP Force 特許公報全文掲載

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配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関するものである。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、金属ポストが銅からなる場合には、金属ポストの表面が外部に露出していると、金属ポストの表面が酸化しやすい。金属ポストが酸化すると、配線基板に実装される半導体素子等の電子部品の接続端子と金属ポストとの接続信頼性が低下するという問題がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一観点によれば、配線層と、前記配線層を被覆し、前記配線層の上面の一部を露出する開口部を有する絶縁層と、前記開口部の内面及び前記絶縁層の上面を連続して被覆するシード層と、電解銅めっき層からなり、前記シード層よりも内側の前記開口部を充填する金属層と、電解銅めっき層からなり、前記絶縁層の上面に形成された前記シード層上及び前記金属層の上面に形成された金属ポストと、前記金属ポストの上面全面を被・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一観点によれば、電子部品との接続信頼性を向上できるという効果を奏する。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 （ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示した配線基板の一部を拡大した拡大断面図。
【図2】 第１実施形態の半導体装置を示す概略断面図。
【図3】 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図4】 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図5】 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図6】 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図7】 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図8】 第２実施形態の配線基板を示す拡大断面図。
【図9】 第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図10】 （ａ），（ｂ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図11】 第３実施形態の配線基板を示す拡大断面図。
【図12】 第３実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図13】 （ａ），（ｂ）は、第３実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図14】 第３実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図15】 第４実施形態の配線基板を示す拡大断面図。
【図16】 （ａ），（ｂ）は、第４実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図17】 （ａ），（ｂ）は、第４実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図18】 変更例の配線基板を示す拡大断面図。
【図19】 （ａ），（ｂ）は、参考例の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図20】 （ａ），（ｂ）は、参考例の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図21】 （ａ），（ｂ）は、参考例の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図22】 （ａ），（ｂ）は、参考例の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。
【図23】 参考例の配線基板の製造方法を示す概略断面図。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ 配線基板 ４２ 配線層 ４３ ソルダーレジスト層（絶縁層） ５０ 配線層 ５１ ビア配線 ５２ 接続端子 ６０ 拡散防止層 ６５ シード層 ７０ 金属ポスト ８０，８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ 外装めっき層 ８１，８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ 上面部 ８２，８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ 側面部 ８３ めっき層（第１めっき層） ８４，８５ めっき層（第２めっき層） ８６ 突出部 ８８ 段差部 ９０ 半導体装置 ９１ 半導体素子 １００ レジスト層 １００Ｓ 隙間 １００Ｘ 開口パターン

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