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特許7436409酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに酸化物薄膜
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-02-13
(45)【発行日】2024-02-21
(54)【発明の名称】酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに酸化物薄膜
(51)【国際特許分類】
C23C 14/34 20060101AFI20240214BHJP
C04B 35/495 20060101ALI20240214BHJP
【ＦＩ】
C23C14/34 A
C04B35/495
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2021030722
(22)【出願日】2021-02-26
(65)【公開番号】P2022131665
(43)【公開日】2022-09-07
【審査請求日】2021-10-11
(73)【特許権者】
【識別番号】502362758
【氏名又は名称】ＪＸ金属株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002860
【氏名又は名称】弁理士法人秀和特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100173901
【弁理士】
【氏名又は名称】小越 一輝
(74)【代理人】
【氏名又は名称】小越 勇
(72)【発明者】
【氏名】宗安 慧
(72)【発明者】
【氏名】奈良 淳史
【審査官】▲高▼橋 真由
(56)【参考文献】
【文献】特開２００４－１９０１２０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０１７２２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０２０－５３６１７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－０９２０８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０１５５０５３５（ＣＮ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２３Ｃ １４／００ －１４／５８
Ｃ０４Ｂ ３５／４９５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び、酸素（Ｏ）からなる酸化物スパッタリングターゲットであって、相対密度が９０％以上であり、ＭｏＯ２相の（１１０）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩＭｏＯ２とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩＢＧとしたとき、ＩＭｏＯ２／ＩＢＧが３．０以上であり、ＷＯ３相の（２０２）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩＷＯ３とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩＢＧとしたとき、ＩＷＯ３／ＩＢＧが３．０以上であることを特徴とする酸化物スパッタリングターゲット。
【請求項2】
ＭｏＯ２であるモリブデン酸化物を含有することを特徴とする請求項１に記載の酸化物スパッタリングターゲット。
【請求項3】
ＷＯ３であるタングステン酸化物を含有する請求項１又は２に記載の酸化物スパッタリングターゲット。
【請求項4】
ＷとＭｏの含有比率が原子％で０．１０≦Ｗ／（Ｗ＋Ｍｏ）＜１．０を満たす請求項１～３のいずれか一項に記載の酸化物スパッタリングターゲット。
【請求項5】
体積抵抗率が１Ω・ｃｍ以下である請求項１～４のいずれか一項に記載の酸化物スパッタリングターゲット。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか一項に記載の酸化物スパッタリングターゲットの製造方法であって、酸化タングステン粉と酸化モリブデン粉とを混合し、その混合粉を８００℃以上１０００℃以下ホットプレス焼結して製造する酸化物スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項7】
前記酸化モリブデン粉として、ＭｏＯ２を使用する請求項６に記載の酸化物スパッタリングターゲットの製造方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、仕事関数の高い酸化物薄膜を成膜するのに適した、酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに酸化物薄膜に関する。
【背景技術】
【0002】
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子などの発光素子における透明電極（陽極）としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）が用いられている。陽極に電圧を印加することで注入された正孔は、正孔輸送層を経由して、発光層で電子と結合する。近年、正孔輸送層への電荷注入効率を向上させる目的で、ＩＴＯよりも仕事関数が高い酸化物を用いることが研究されている。たとえば、非特許文献１には、有機半導体デバイスにおける酸化物薄膜として、ＴｉＯ2、ＭｏＯ2、ＣｕＯ、ＮｉＯ、ＷＯ3、Ｖ2Ｏ5、ＣｒＯ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｃｏ3Ｏ4などの高い仕事関数のものが報告されている。
【0003】
非特許文献１に示されるように、ＷＯ3は比較的高い仕事関数を有する。このＷＯ3膜は酸化タングステン焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて成膜することができるが（特許文献１、２）、ＷＯ3単相では焼結体の高密度化が困難であり、体積抵抗率が高いために、ＤＣスパッタリングが困難であった。そのため、特許文献２には、ＷＯ3にＷＯ2を添加することで、焼結体の高密度化を達成し、導電性を高めてＤＣスパッタリングを可能とすることが開示されている。なお、特許文献３、４には、ＷとＭｏの酸化物を含む酸化物スパッタリングターゲットが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開平３－１５０３５７号公報
【文献】特開２０１３－７６１６３号公報
【文献】特開２０１７－２５３４８号公報
【文献】特開２００４－１９０１２０号公報
【非特許文献】
【0005】
【文献】Mark T Greiner and Zheng-Hong Lu, "Thin-Film metal oxides in organic semiconductor devices: their electronic structures, work functions and interfaces", NPG Asia Materials (2013) 5,e55, 19 July 2013
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上述の通り、有機ＥＬなどの有機半導体デバイスを構成する膜として、仕事関数の高い酸化物膜が求められている。ＷＯ3、ＭｏＯ3は、ともに高い仕事関数を有する材料として知られているが、両材料とも単相で高密度なスパッタリングターゲットを製造することが困難であった。このようなことから本発明は、上述課題を解決するために提案されたものであって、仕事関数の高い膜を成膜することができる高密度のスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、上記課題を解決するために提案されたものであって、その課題を解決できる本発明の一態様は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び、酸素（Ｏ）からなる酸化物スパッタリングターゲットであって、相対密度が９０％以上であることを特徴とする酸化物スパッタリングターゲットである。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、相対密度が高い酸化物スパッタリングターゲットを製造することができ、このような酸化物スパッタリングターゲットを用いて仕事関数の高い酸化物薄膜を製造することができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び、酸素（Ｏ）からなる。但し、当該スパッタリングターゲットには、原料や製造過程などから混入する不純物が含まれる場合があり、成膜した薄膜の仕事関数などに特別な影響を及ぼさない量の不純物を含んでいてもよく、不純物の合計含有量が０．１ｗｔ％以下であれば、特に問題ないといえる。
【0010】
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、相対密度が９０％以上であることを特徴とするものである。より好ましくは９２％以上、さらに好ましくは９４％以上である。このような高密度のスパッタリングターゲットは、スパッタリングの際にクラックや割れ等を防ぐことができ、成膜時のパーティクルを低減することができる。
また、スパッタリングターゲットの相対密度は、体積抵抗率とも関連し、相対密度の値が低くなると、体積抵抗率が高くなる傾向にある。そのため、体積抵抗率を下げるためには、スパッタリングターゲットのＷとＭｏの含有比率の他、スパッタリングターゲットの製造方法や製造条件を厳格に調整して、相対密度を高める必要がある。
また、スパッタリングターゲットの相対密度は、体積抵抗率とも関連し、相対密度の値が低くなると、体積抵抗率が高くなる傾向にある。そのため、体積抵抗率を下げるためには、スパッタリングターゲットのＷとＭｏの含有比率の他、スパッタリングターゲットの製造方法や製造条件を厳格に調整して、相対密度を高める必要がある。
【0011】
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、モリブデンの酸化物を含有し、前記モリブデン酸化物はＭｏＯ2として存在していることが好ましい。モリブデン酸化物には、ＭｏＯ2とＭｏＯ3があるが、ＭｏＯ2はＭｏＯ3に比べて、密度が高く、導電性も高いため、ＭｏＯ3ではなく、ＭｏＯ2として存在させることが、高密度、且つ、低抵抗の酸化物スパッタリングターゲットを製造する上で重要である。
好ましい実施形態は、ＭｏＯ2相の（１１０）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩMoO2とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩBGとしたときに、ＩMoO2／ＩBGが３．０以上とすることである。
本願明細書おいて、ＭｏＯ2相の（１１０）面に帰属するＸＲＤピーク強度ＩMoO2、バックグランドのＸＲＤ平均強度ＩBGは以下のように定義される。
ＩMoO2：２５．８°≦２θ≦２６．３°の範囲におけるＸＲＤピーク強度
ＩBG：２０.０°≦２θ＜２２.０°の範囲におけるＸＲＤ平均強度
好ましい実施形態は、ＭｏＯ2相の（１１０）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩMoO2とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩBGとしたときに、ＩMoO2／ＩBGが３．０以上とすることである。
本願明細書おいて、ＭｏＯ2相の（１１０）面に帰属するＸＲＤピーク強度ＩMoO2、バックグランドのＸＲＤ平均強度ＩBGは以下のように定義される。
ＩMoO2：２５．８°≦２θ≦２６．３°の範囲におけるＸＲＤピーク強度
ＩBG：２０.０°≦２θ＜２２.０°の範囲におけるＸＲＤ平均強度
【0012】
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、タングステン酸化物を含有し、タングステン酸化物はＷＯ3として存在していることが好ましい。タングステン酸化物は、ＷＯ3が安定酸化物であるが、酸素欠損した、ＷＯ2、ＷＯ2.72～2.75、ＷＯ2.9などが存在する。酸素欠損したタングステン酸化物では、ターゲットの相対密度が上がり難く、また、仕事関数が低下する可能性が高いことから、ターゲットの高密度化、かつ、薄膜の高仕事関数を得るためには、ＷＯ3として存在していることが望ましい。
好ましい実施形態は、ＷＯ3相の（２０２）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩWO3とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩBGとしたときに、ＩｗO3／ＩBGが３．０以上である。本願明細書において、ＷＯ3相の（２０２）面に帰属するＸＲＤピーク強度ＩWO3、バックグランドのＸＲＤ平均強度ＩBGは以下のように定義される。
ＩWO3：３３．５°≦２θ≦３４．５°の範囲におけるＸＲＤピーク強度
ＩBG：２０.０°≦２θ＜２２.０°の範囲におけるＸＲＤ平均強度
好ましい実施形態は、ＷＯ3相の（２０２）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩWO3とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩBGとしたときに、ＩｗO3／ＩBGが３．０以上である。本願明細書において、ＷＯ3相の（２０２）面に帰属するＸＲＤピーク強度ＩWO3、バックグランドのＸＲＤ平均強度ＩBGは以下のように定義される。
ＩWO3：３３．５°≦２θ≦３４．５°の範囲におけるＸＲＤピーク強度
ＩBG：２０.０°≦２θ＜２２.０°の範囲におけるＸＲＤ平均強度
【0013】
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、ＷとＭｏの含有比率が原子％で０．１０≦Ｗ／（Ｗ＋Ｍｏ）＜１.０を満たすことが好ましい。ＷとＭｏの含有比率が原子％でＷ／（Ｗ＋Ｍｏ）が０．１０未満であると、本実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットを用いて形成した酸化物膜において、所望の仕事関数が得られないことがある。一方、Ｗ／（Ｗ＋Ｍｏ）＝１．０（ＷＯ3単相）であると、高密度の酸化物スパッタリングターゲットが得ることが困難となる。より好ましくは、ＷとＭｏの含有比率が原子％で０．１５≦Ｗ／（Ｗ＋Ｍｏ）≦０．８５である
【0014】
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、体積抵抗率が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。より好ましくは０．５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは０．１Ω・ｃｍ以下である。これにより、高速成膜が可能なＤＣスパッタリングを安定して実施することができる。上述の通り、本実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲット中、酸化モリブデンはＭｏＯ2となっており、ＭｏＯ2はＭｏＯ3に比べて酸素欠損しているため体積抵抗率を低くすることができる。なお、Ｍｏの含有比率によって、体積抵抗率は変動し、Ｍｏの含有比率が増えると、体積抵抗率が低くなる傾向にある。
【0015】
本発明の別の実施形態に係る酸化物薄膜は、上記酸化物スパッタリングターゲットを用いて成膜される薄膜であって、仕事関数が４．５ｅＶ以上であることを特徴とする。このような仕事関数が高い膜は、例えば、有機ＥＬ、有機太陽電池などの有機半導体デバイスにおいて正孔輸送層への電荷注入効率を向上させることができ、発光効率あるいは変換効率などの向上が期待できる。
【0016】
（酸化物スパッタリングターゲットの製造方法）
以下に、本実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットの製造方法を示す。但し、以下の製造条件等は開示した範囲に限定するものではなく、いくらかの省略や変更を行ってもよいことは明らかである。
以下に、本実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットの製造方法を示す。但し、以下の製造条件等は開示した範囲に限定するものではなく、いくらかの省略や変更を行ってもよいことは明らかである。
【0017】
原料粉末として、酸化タングステン（ＷＯ3）粉末、酸化モリブデン（ＭｏＯ2）粉末を準備し、これらの原料粉末を所望の組成比となるように秤量する。このとき、酸化モリブデンはＭｏＯ3ではなく、ＭｏＯ2を使用すること好ましい。次に、ボール径が０．５～３．０ｍｍのジルコニアビーズを用いて、湿式粉砕を行う。そして、粒径の中央値が０．１～５．０μｍとなるまで粉砕を行い、その後、造粒を行う。
【0018】
次に、得られた造粒混合粉を真空又は不活性ガス（Ａｒなど）雰囲気、８００℃以上１０００℃以下でホットプレス焼結を行う。焼結温度が８００℃未満であると、高密度の焼結体が得られず、一方、１０００℃超であると、粒が粗大化し、クラックが発生するため好ましくない。また、焼結時間は、１～１０時間とすることが好ましい。その後、得られた焼結体をターゲット形状に切削、研磨などして、スパッタリングターゲットを作製することができる。
【0019】
本願明細書において、スパッタリングターゲット及び薄膜の各種物性の分析方法等を以下に示す。
（スパッタリングターゲットの成分組成）
スパッタリングターゲットの成分組成の分析は、以下の装置を用いることができる。
装置：ＳＩＩ社製ＳＰＳ３５００ＤＤ
方法：ＩＣＰ-ＯＥＳ（高周波誘導結合プラズマ発光分析法）
なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなすことができる。本実施形態に係るスパッタリングターゲットの製造プロセスにおいて、特定の酸化物のみをロスするような工程はなく、組成比率の変化が少ないと考えられるためである。
（スパッタリングターゲットの成分組成）
スパッタリングターゲットの成分組成の分析は、以下の装置を用いることができる。
装置：ＳＩＩ社製ＳＰＳ３５００ＤＤ
方法：ＩＣＰ-ＯＥＳ（高周波誘導結合プラズマ発光分析法）
なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなすことができる。本実施形態に係るスパッタリングターゲットの製造プロセスにおいて、特定の酸化物のみをロスするような工程はなく、組成比率の変化が少ないと考えられるためである。
【0020】
（スパッタリングターゲットのＸ線回折分析について）
スパッタリングターゲットのＸ線回折分析（ＸＲＤ）は、以下の方法により行う。
装置：リガク社製ＳｍａｒｔＬａｂ
管球：Ｃｕ－Ｋα線
管電圧：４０ｋＶ
電流：３０ｍＡ
測定方法：２θ－θ反射法
スキャン速度：２０．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０１°
スパッタリングターゲットのＸ線回折分析（ＸＲＤ）は、以下の方法により行う。
装置：リガク社製ＳｍａｒｔＬａｂ
管球：Ｃｕ－Ｋα線
管電圧：４０ｋＶ
電流：３０ｍＡ
測定方法：２θ－θ反射法
スキャン速度：２０．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０１°
【0021】
（スパッタリングターゲットの体積抵抗率）
スパッタリングターゲットの体積抵抗率は、スパッタリングターゲットの表面を５点（中心１点、半径の１／２の箇所を９０度間隔で４点）測定し、それらの平均値とした。測定には、以下の装置を使用する。
装置：ＮＰＳ社製 抵抗率測定器 Σ－５＋
方式：定電流印加方式
方法：直流４探針法
スパッタリングターゲットの体積抵抗率は、スパッタリングターゲットの表面を５点（中心１点、半径の１／２の箇所を９０度間隔で４点）測定し、それらの平均値とした。測定には、以下の装置を使用する。
装置：ＮＰＳ社製 抵抗率測定器 Σ－５＋
方式：定電流印加方式
方法：直流４探針法
【0022】
（スパッタリングターゲットの相対密度について）
相対密度（％）＝アルキメデス密度／真密度×１００
アルキメデス密度：スパッタリングターゲットターゲットから小片を切り出して、その小片からアルキメデス法を用いて密度を算出する。
真密度：原料の組成比率から計算したＷ、Ｍｏの原子比を、スパッタリングターゲットのＷ、Ｍｏの原子比とみなし、その原子比から、ＷのＷＯ3換算重量をａ（ｗｔ％）、ＭｏのＭｏＯ2換算重量をｂ（ｗｔ％）を求め、ＷＯ3、ＭｏＯ2の理論密度をそれぞれｄWO3、ｄMoO2として、真密度（ｇ／ｃｍ3）＝１００／（ａ／dWO3＋ｂ／dMoO2）を計算する。なお、ＷＯ3の理論密度をｄWO3＝７．１６ｇ／ｃｍ3、ＭｏＯ2の理論密度ｄMoO2＝６．４７ｇ／ｃｍ3、とする。
相対密度（％）＝アルキメデス密度／真密度×１００
アルキメデス密度：スパッタリングターゲットターゲットから小片を切り出して、その小片からアルキメデス法を用いて密度を算出する。
真密度：原料の組成比率から計算したＷ、Ｍｏの原子比を、スパッタリングターゲットのＷ、Ｍｏの原子比とみなし、その原子比から、ＷのＷＯ3換算重量をａ（ｗｔ％）、ＭｏのＭｏＯ2換算重量をｂ（ｗｔ％）を求め、ＷＯ3、ＭｏＯ2の理論密度をそれぞれｄWO3、ｄMoO2として、真密度（ｇ／ｃｍ3）＝１００／（ａ／dWO3＋ｂ／dMoO2）を計算する。なお、ＷＯ3の理論密度をｄWO3＝７．１６ｇ／ｃｍ3、ＭｏＯ2の理論密度ｄMoO2＝６．４７ｇ／ｃｍ3、とする。
【0023】
（酸化物薄膜の仕事関数について）
酸化物薄膜の仕事関数の測定は、ガラス基板もしくはＳｉ基板上に成膜した２０×２０ｍｍのサンプルを作製し、以下の条件で測定を実施した。なお、仕事関数の測定結果は、通常、サンプルのサイズに依存しない。
方式：大気中光電子分光法
装置：理研計器製 ＡＣ－５装置
条件：測定可能な仕事関数の範囲：３．４ｅＶ～６．２ｅＶ
光源パワー:２０００Ｗ
酸化物薄膜の仕事関数の測定は、ガラス基板もしくはＳｉ基板上に成膜した２０×２０ｍｍのサンプルを作製し、以下の条件で測定を実施した。なお、仕事関数の測定結果は、通常、サンプルのサイズに依存しない。
方式：大気中光電子分光法
装置：理研計器製 ＡＣ－５装置
条件：測定可能な仕事関数の範囲：３．４ｅＶ～６．２ｅＶ
光源パワー:２０００Ｗ
【実施例】
【0024】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
【0025】
（実施例１）
ＷＯ3粉とＭｏＯ2粉とを準備し、これらの粉末をＷＯ3：ＭｏＯ2＝８５：１５（ｍｏｌ％）で秤量した。次に、０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕を実施し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：８２５℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：６時間、雰囲気：アルゴン、の条件でホットプレス焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
実施例１で得られたスパッタリングターゲットについて評価した結果、相対密度は、９４．４％であり、体積抵抗率は７５．５ｍΩ・ｃｍであった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは７．１であった。以上の結果を表１に示す。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
ＷＯ3粉とＭｏＯ2粉とを準備し、これらの粉末をＷＯ3：ＭｏＯ2＝８５：１５（ｍｏｌ％）で秤量した。次に、０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕を実施し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：８２５℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：６時間、雰囲気：アルゴン、の条件でホットプレス焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
実施例１で得られたスパッタリングターゲットについて評価した結果、相対密度は、９４．４％であり、体積抵抗率は７５．５ｍΩ・ｃｍであった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは７．１であった。以上の結果を表１に示す。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
【0026】
【表1】
【0027】
（実施例２～４）
ＷＯ3粉とＭｏＯ2粉とを準備し、これらの粉末を表１に記載するモル比となるように秤量した。次に、０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：８５０℃～８７５℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：６時間、雰囲気：アルゴンの条件でホットプレス焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
実施例２～４のスパッタリングターゲットは、いずれも相対密度が９４％以上であり、体積抵抗率は１．０Ω・ｃｍ以下であった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは３．０以上であった。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
ＷＯ3粉とＭｏＯ2粉とを準備し、これらの粉末を表１に記載するモル比となるように秤量した。次に、０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：８５０℃～８７５℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：６時間、雰囲気：アルゴンの条件でホットプレス焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
実施例２～４のスパッタリングターゲットは、いずれも相対密度が９４％以上であり、体積抵抗率は１．０Ω・ｃｍ以下であった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは３．０以上であった。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
【0028】
（比較例１）
比較例１では、ＷＯ3粉のみとした。ＷＯ3粉を０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：９４０℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：１０時間、雰囲気：酸素の条件で、常圧焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
比較例１のスパッタリングターゲットは、相対密度が９４％であり、体積抵抗率は１．６×１０4Ω・ｃｍであった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは１．９であった。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
比較例１では、ＷＯ3粉のみとした。ＷＯ3粉を０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：９４０℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：１０時間、雰囲気：酸素の条件で、常圧焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
比較例１のスパッタリングターゲットは、相対密度が９４％であり、体積抵抗率は１．６×１０4Ω・ｃｍであった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは１．９であった。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
【0029】
次に、実施例１～４のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜を行った。なお、成膜条件は以下の通りとした。得られたスパッタ膜について、仕事関数を測定した結果、Ａｒガス下では４．６２～４．７６ｅＶであり、Ａｒガス＋２％Ｏ2下では４．７１～４．７６ｅＶであり、Ａｒガス＋６％Ｏ2下では４．７４～４．７７ｅＶであり、所望の高い仕事関数が得られた。以上の結果を表１に示す。なお、スパッタ膜の成分組成は、原料比率と同じとみなして計算した。
（成膜条件）
装置：キャノンアネルバ製 ＳＰＬ－５００スパッタ装置
基板：シリコン基板
成膜パワー密度：２．７４Ｗ/ｃｍ2
成膜雰囲気：Ａｒ、Ａｒ＋２％Ｏ2、Ａｒ＋６％Ｏ2
ガス圧：０．５Ｐａ
膜厚：５０ｎｍ
（成膜条件）
装置：キャノンアネルバ製 ＳＰＬ－５００スパッタ装置
基板：シリコン基板
成膜パワー密度：２．７４Ｗ/ｃｍ2
成膜雰囲気：Ａｒ、Ａｒ＋２％Ｏ2、Ａｒ＋６％Ｏ2
ガス圧：０．５Ｐａ
膜厚：５０ｎｍ
【産業上の利用可能性】
【0030】
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、相対密度が高く、成膜時にターゲットに割れやクラックが発生することがなく、実用的、商業的レベルで使用することができる。さらに、体積抵抗率が低く、ＤＣスパッタリングが可能である。本発明は、特に有機エレクトロルミネッセンス素子などの発光素子における透明電極を形成するために有用である。