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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-02-22
(45)【発行日】2024-03-04
(54)【発明の名称】発光素子および発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/38 20100101AFI20240226BHJP
【ＦＩ】
H01L33/38
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2021210673
(22)【出願日】2021-12-24
(65)【公開番号】P2023095025
(43)【公開日】2023-07-06
【審査請求日】2023-01-17
(73)【特許権者】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108062
【弁理士】
【氏名又は名称】日向寺 雅彦
(74)【代理人】
【識別番号】100168332
【弁理士】
【氏名又は名称】小崎 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100172188
【弁理士】
【氏名又は名称】内田 敬人
(72)【発明者】
【氏名】尺長 功一
【審査官】八木 智規
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２１－１７６１８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－９８８５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－２１７８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０２０／４４１１６（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
上面に、複数の第１領域と、上面視において前記複数の第１領域を囲む第２領域と、を含む第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層の前記第２領域上に配置される活性層と、前記活性層上に配置される第２導電型の第２半導体層と、を含む半導体構造体と、前記半導体構造体上に配置され、前記複数の第１領域が露出する複数の第１開口と、前記第２半導体層と上面視で重なる部分に位置する第２開口と、を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置され、前記複数の第１開口を介して前記複数の第１領域に電気的に接続される第１電極と、
前記絶縁膜上に配置され、前記第１電極から離隔し、前記第２半導体層に前記第２開口を介して電気的に接続される第２電極と、
前記第１電極上に配置される複数の第１導電性部材と、
前記第２電極上に配置される複数の第２導電性部材と、
を備え、
前記複数の第１領域は、上面視において第１方向に並び、
前記第１電極は、上面視において前記複数の第１領域を覆い、前記第１方向と直交する第２方向において前記第２電極と隣り合う第１電極領域を有し、
前記第１電極領域は、前記複数の第１領域を覆う複数の第１部分と、隣り合う前記第１部分の間に位置する第２部分と、を有し、
前記第１部分は、前記第２部分よりも前記第１電極領域から前記第２電極に向かう方向に延出する第１延出部を有し、
前記第２電極は、上面視において複数の前記第１延出部の形状にそれぞれが対応する複数の第１凹部を有し、
前記複数の第２導電性部材は、前記第１方向に並び、それぞれが前記第２方向において前記第１電極領域に最も近い第１端部を有し、
上面視において、前記複数の第１延出部は、前記複数の第２導電性部材の前記第１端部のうち、前記第１電極領域に最も近い第１端部を通る前記第１方向と平行な第１直線よりも前記第２部分側に位置し、
上面視において、前記複数の第２導電性部材は、前記第２開口の内側に位置し、
上面視において、前記第２開口の外縁において前記複数の第２導電性部材と前記第１電極領域との間に位置する部分は、前記第１直線よりも前記第１電極領域側に位置する発光素子。
【請求項2】
上面視において、前記複数の第１凹部は、前記第１直線よりも前記第１電極領域側に位置する請求項１に記載の発光素子。
【請求項3】
上面視において、前記第２電極は、前記半導体構造体の前記第２方向における中心上に位置する請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項4】
前記第１半導体層は、上面視において前記活性層および前記第２半導体層から露出し、前記第１方向に並ぶ複数の第３領域をさらに有し、前記絶縁膜は、前記複数の第３領域が露出する複数の第３開口をさらに有し、
前記第１電極は、前記複数の第３開口を介して前記複数の第３領域に電気的に接続され、
上面視において、前記第２電極は、前記第２方向において前記複数の第１領域と前記複数の第３領域との間に位置し、
前記第１電極は、上面視において前記複数の第３領域を覆い、前記第２電極と隣り合う第２電極領域を有し、
前記第２電極領域は、前記複数の第３領域を覆う複数の第３部分と、隣り合う前記第３部分の間に位置する第４部分と、を有し、
前記第３部分は、前記第４部分よりも、前記第２電極領域から前記第２電極に向かう方向に延出する第２延出部を有し、
前記第２電極は、上面視において複数の前記第２延出部の形状にそれぞれが対応する複数の第２凹部を有し、
前記複数の第２導電性部材は、それぞれが前記第２方向において前記第２電極領域に最も近い第２端部を有し、
上面視において、前記複数の第２延出部は、前記複数の第２導電性部材の前記第２端部のうち、前記第２電極領域に最も近い第２端部を通る前記第１方向と平行な第２直線よりも前記第４部分側に位置する請求項１～３のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項5】
上面視において、前記第２電極の前記複数の第２凹部は、前記第２直線よりも前記第２電極領域側に位置する請求項４に記載の発光素子。
【請求項6】
前記第１半導体層の前記上面は、前記活性層および前記第２半導体層から露出し、上面視において前記第２半導体層の外周よりも外側に位置する外周領域および前記外周領域から内側に延出する複数の第４領域をさらに有し、前記絶縁膜は、前記複数の第４領域が露出する複数の第４開口を有し、
前記第１電極は、前記複数の第４開口を介して、前記複数の第４領域に電気的に接続される請求項１～５のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項7】
上面視において、前記第１電極の外縁は、前記複数の第４開口の外側に位置し、上面視において、各前記第４開口の外縁のうち前記第１電極の外縁と隣り合う部分は、前記第１電極の外縁に平行に延びる、請求項６に記載の発光素子。
【請求項8】
前記第１電極の外周部は、前記複数の第４領域を覆う複数の第５部分と、隣り合う前記第５部分の間に位置する第６部分と、を有し、上面視において、前記第６部分は、前記第１半導体層の前記外周領域の内側に位置する、請求項６に記載の発光素子。
【請求項9】
請求項１～８のいずれか１つに記載の発光素子と、前記複数の第１導電性部材に電気的に接続される第１配線と、前記第１配線から離隔し、前記複数の第２導電性部材に電気的に接続される第２配線と、を含む基板と、
を備える発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施形態は、発光素子および発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、発光素子の第１電極および第２電極を、それぞれバンプにより基板の配線に電気的に接続した発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１３－２３９４７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
実施形態は、輝度ムラを低減しつつ実装が容易な発光素子およびそのような発光素子を含む発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る発光素子は、上面に、複数の第１領域と、上面視において前記複数の第１領域を囲む第２領域と、を含む第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層の前記第２領域上に配置される活性層と、前記活性層上に配置される第２導電型の第２半導体層と、を含む半導体構造体と、前記半導体構造体上に配置され、前記複数の第１領域が露出する複数の第１開口と、前記第２半導体層と上面視で重なる部分に位置する第２開口と、を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置され、前記複数の第１開口を介して前記複数の第１領域に電気的に接続される第１電極と、前記絶縁膜上に配置され、前記第１電極から離隔し、前記第２半導体層に前記第２開口を介して電気的に接続される第２電極と、前記第１電極上に配置される複数の第１導電性部材と、前記第２電極上に配置される複数の第２導電性部材と、を備える。前記複数の第１領域は、上面視において第１方向に並ぶ。前記第１電極は、上面視において前記複数の第１領域を覆い、前記第１方向と直交する第２方向において前記第２電極と隣り合う第１電極領域を有する。前記第１電極領域は、前記複数の第１領域を覆う複数の第１部分と、隣り合う前記第１部分の間に位置する第２部分と、を有し、前記第１部分は、前記第２部分よりも前記第１電極領域から前記第２電極に向かう方向に延出する第１延出部を有する。前記第２電極は、上面視において複数の前記第１延出部の形状にそれぞれが対応する複数の第１凹部を有する。前記複数の第２導電性部材は、前記第１方向に並び、それぞれが前記第２方向において前記第１電極領域に最も近い第１端部を有する。上面視において、前記複数の第１延出部は、前記複数の第２導電性部材の前記第１端部のうち、前記第１電極領域に最も近い第１端部を通る前記第１方向と平行な第１直線よりも前記第２部分側に位置する。
【0006】
実施形態に係る発光装置は、上記の発光素子と、前記複数の第１導電性部材に電気的に接続される第１配線と、前記第１配線から離隔し、前記複数の第２導電性部材に電気的に接続される第２配線と、を含む基板と、を備える。
【発明の効果】
【0007】
実施形態によれば、輝度ムラを低減しつつ実装が容易な発光素子およびそのような発光素子を含む発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１の実施形態に係る発光素子を示す上面図である。
【図3】第１の実施形態に係る発光素子を示す上面図である。
【図4】第１の実施形態に係る発光素子を示す上面図である。
【図5】第１の実施形態に係る発光素子を示す上面図である。
【図6】第１の実施形態に係る発光素子を示す上面図である。
【図7】第１の実施形態に係る発光装置を示す断面図である。
【図8】第１の実施形態に係る発光装置を示す上面図である。
【図10】第２の実施形態に係る発光素子の一部を拡大して示す上面図である。
【図11】第３の実施形態に係る発光素子の一部を拡大して示す上面図である。
【図12】第４の実施形態に係る発光素子を示す上面図である。
【図13】第５の実施形態に係る発光素子を示す上面図である。
【図14】第５の実施形態に係る発光素子を示す上面図である。
【図15】第５の実施形態に係る発光装置を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下に、各実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。更に、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0010】
また、以下では、説明をわかりやすくするために、ＸＹＺ直交座標系を用いて、各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交する。またＸ軸が延びる方向を「Ｘ方向」とし、Ｙ軸が延びる方向を「Ｙ方向」とし、Ｚ軸が延びる方向を「Ｚ方向」とする。また、説明をわかりやすくするために、Ｚ方向を上方、その逆方向を下方とする場合があるが、これらの方向は、重力方向とは無関係である。また、上方から対象部材を見ること、または、対象部材を適宜透過させて見ることを「上面視」という。また、Ｘ方向のうち、矢印の方向を「＋Ｘ方向」といい、その逆方向を「－Ｘ方向」という。また、Ｙ方向のうち、矢印の方向を「＋Ｙ方向」といい、その逆方向を「－Ｙ方向」という。
【0011】
＜第１の実施形態＞
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る発光素子１１を示す上面図である。
図２は、図１のII－II線における断面図である。
本実施形態に係る発光素子１１は、図１および図２に示すように、支持基板１１０と、半導体構造体１２０と、絶縁膜１４０と、第１電極１５０と、第２電極１６０と、複数の第１導電性部材１７１と、複数の第２導電性部材１７２と、を備える。発光素子１１は、第３電極１３０をさらに備える。以下、発光素子１１の各部材について詳述する。
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る発光素子１１を示す上面図である。
図２は、図１のII－II線における断面図である。
本実施形態に係る発光素子１１は、図１および図２に示すように、支持基板１１０と、半導体構造体１２０と、絶縁膜１４０と、第１電極１５０と、第２電極１６０と、複数の第１導電性部材１７１と、複数の第２導電性部材１７２と、を備える。発光素子１１は、第３電極１３０をさらに備える。以下、発光素子１１の各部材について詳述する。
【0012】
支持基板１１０は、半導体構造体１２０を支持する部材である。また、支持基板１１０は、例えば、半導体構造体１２０をエピタキシャル成長させるための部材である。また、支持基板１１０は、半導体構造体１２０からの光に対して透光性を有する部材であることが好ましく、例えば、サファイア等が挙げられる。ただし、支持基板１１０の材料は、上記に限定されない。例えば、支持基板１１０の材料としては、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、ダイヤモンド、ニオブ酸リチウム、またはガリウム酸ネオジウム等を用いることができる。
【0013】
支持基板１１０の表面は、下面１１０ａと、下面１１０ａの反対側に位置する上面１１０ｂと、を含む。図２に示すように、支持基板１１０の下面１１０ａから上面１１０ｂに向かう方向をＺ方向とする。下面１１０ａは、ＸＹ平面に概ね平行である。上面１１０ｂは、ＸＹ平面に概ね平行な表面１１１と、表面１１１から＋Ｚ方向に突出する複数の凸部１１２と、を有する。ただし、支持基板の上面および下面の形状は、上記に限定されない。例えば、支持基板の上面は、ＸＹ平面に概ね平行な表面のみであってもよい。
【0014】
図１に示すように、支持基板１１０の上面視形状は、例えば矩形である。上面視において、支持基板１１０の外縁を構成する４辺のうちの２辺はＸ方向に概ね平行であり、残りの２辺はＹ方向に概ね平行である。ただし、支持基板の上面視形状は上記に限定されず、例えば、六角形などの多角形でもよい。
【0015】
支持基板１１０の上面１１０ｂには、図２に示すように、半導体構造体１２０が配置される。半導体構造体１２０には、例えば、窒化物半導体を用いることができる。ここで、「窒化物半導体」とは、窒素を含む半導体であって、典型的には、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘおよびｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものである。
【0016】
半導体構造体１２０は、支持基板１１０上に配置された第１導電型の第１半導体層１２１と、第１半導体層１２１上に配置された活性層１２２と、活性層１２２上に配置された第２導電型の第２半導体層１２３と、を有する。
【0017】
図３は、本実施形態に係る発光素子１１の支持基板１１０および半導体構造体１２０を示す上面図である。
なお、図３では、説明をわかりやすくするため、上面視において、活性層１２２および第２半導体層１２３が配置された領域をハッチングで示す。
なお、図３では、説明をわかりやすくするため、上面視において、活性層１２２および第２半導体層１２３が配置された領域をハッチングで示す。
【0018】
第１半導体層１２１は、例えばｎ型の半導体層を含む。第１半導体層１２１は、支持基板１１０の上面の概ね全域を覆う。したがって本実施形態においては、第１半導体層１２１の上面視形状は、支持基板１１０の上面視形状と概ね同じである。ただし、支持基板の上面の外周領域は第１半導体層１２１から露出してもよい。
【0019】
活性層１２２は、第１半導体層１２１上に位置する。活性層１２２は、第１半導体層１２１の上面を部分的に覆う。
【0020】
第２半導体層１２３は、例えばｐ型の半導体層を含む。第２半導体層１２３は、活性層１２２上に位置する。第２半導体層１２３は、本実施形態では活性層１２２の上面の概ね全域を覆う。したがって、第２半導体層１２３の上面視形状は、活性層１２２の上面視形状と概ね同じである。
【0021】
第１半導体層１２１の上面１２１ａは、複数の第１領域１２１ｓ１と、第２領域１２１ｓ２と、複数の第３領域１２１ｓ３と、複数の第４領域１２１ｓ４と、複数の第５領域１２１ｓ５と、複数の第６領域１２１ｓ６と、外周領域１２１ｓ７と、を含む。第２領域１２１ｓ２は、上面１２１ａのうち、活性層１２２および第２半導体層１２３に覆われる領域である。複数の第１領域１２１ｓ１、複数の第３領域１２１ｓ３、複数の第５領域１２１ｓ５、および複数の第６領域１２１ｓ６は、上面１２１ａのうち、第２領域１２１ｓ２の外縁の内側に位置し、かつ、活性層１２２および第２半導体層１２３から露出する領域である。複数の第４領域１２１ｓ４および外周領域１２１ｓ７は、上面１２１ａのうち、第２領域１２１ｓ２の外側に位置し、かつ、活性層１２２および第２半導体層１２３から露出する領域である。
【0022】
各第１領域１２１ｓ１、各第３領域１２１ｓ３、各第５領域１２１ｓ５、および各第６領域１２１ｓ６の上面視形状は、例えば概ね同じ形状であって、略円形である。ただし、第１領域、第３領域、第５領域、および第６領域の上面視形状は、相互に異なっていてもよい。また、第１領域、第３領域、第５領域、および第６領域の上面視形状は、楕円形、多角形、または角部を丸めた多角形等の他の形状であってもよい。
【0023】
上面視において、複数の第１領域１２１ｓ１は、半導体構造体１２０の中心Ｃを通り、Ｘ方向に平行な直線ＣＸよりも＋Ｙ側に位置する。複数の第１領域１２１ｓ１は、ＸＹ平面に沿う第１方向Ｄ１に略等間隔に一列に並ぶ。以下、上面視において第１方向Ｄ１と直交する方向を第２方向Ｄ２とする。本実施形態では、第１方向Ｄ１はＸ方向と一致し、第２方向Ｄ２は、Ｙ方向と一致する。ただし、第１方向は、Ｘ方向と異なり、第２方向はＹ方向と異なってもよい。図３に示す例においては、第１領域１２１ｓ１の数は５個である。
【0024】
上面視において複数の第３領域１２１ｓ３は、直線ＣＸよりも－Ｙ側に位置する。複数の第３領域１２１ｓ３は、第１方向Ｄ１に略等間隔に一列に並ぶ。図３に示す例においては、第３領域１２１ｓ３の数は５個である。複数の第３領域１２１ｓ３は、直線ＣＸを基準として、複数の第１領域１２１ｓ１と概ね対称に配置される。
【0025】
上面視において、複数の第５領域１２１ｓ５は、複数の第１領域１２１ｓ１よりも＋Ｙ側に位置する。複数の第５領域１２１ｓ５は、第１方向Ｄ１に略等間隔に一列に並ぶ。複数の第５領域１２１ｓ５は、複数の列をなすように配置されてもよい。図３に示す例においては、第５領域１２１ｓ５の数は５個である。また、各第５領域１２１ｓ５は、各第１領域１２１ｓ１と第２方向Ｄ２に並ぶように配置される。
【0026】
上面視において、複数の第６領域１２１ｓ６は、複数の第３領域１２１ｓ３よりも－Ｙ側に位置する。複数の第６領域１２１ｓ６は、第１方向Ｄ１に略等間隔に一列に並ぶ。複数の第６領域１２１ｓ６は、複数の列をなすように配置されてもよい。図３に示す例においては、第６領域１２１ｓ６の数は５個である。また、各第６領域１２１ｓ６は、各第３領域１２１ｓ３と第２方向Ｄ２に並ぶように配置される。複数の第６領域１２１ｓ６は、直線ＣＸを基準として、複数の第５領域１２１ｓ５と概ね対称に配置される。
【0027】
したがって図３に示す例においては、＋Ｙ方向に、１個の第６領域１２１ｓ６、１個の第３領域１２１ｓ３、１個の第１領域１２１ｓ１、および１個の第５領域１２１ｓ５が、この順で一列に並ぶ。そしてこのような複数の領域を含む列が、Ｘ方向に５個並ぶ。Ｙ方向において隣り合う第１領域１２１ｓ１の中心と第３領域１２１ｓ３の中心との距離Ｌ１は、Ｙ方向において隣り合う第１領域１２１ｓ１の中心と第５領域１２１ｓ５の中心との距離Ｌ２よりも長い。距離Ｌ１は、Ｙ方向において隣り合う第３領域１２１ｓ３の中心と第６領域１２１ｓ６の中心との距離Ｌ３よりも長い。ただし、第１領域、第３領域、第５領域、および第６領域の数、位置、および各領域同士の距離は、上記に限定されない。
【0028】
外周領域１２１ｓ７は、上面１２１ａの外縁を含む枠状の領域である。外周領域１２１ｓ７の外縁の形状は、上面１２１ａの外縁の形状と同様に略矩形であり、外周領域１２１ｓ７の内縁の形状は、例えば上面１２１ａの外縁の形状と相似であり、略矩形である。具体的には、外周領域１２１ｓ７は、Ｙ方向に延び、最も－Ｘ側に位置する第１延伸部１２４ａと、Ｙ方向に延び、最も＋Ｘ側に位置する第２延伸部１２４ｂと、Ｘ方向に延び、最も＋Ｙ側に位置する第３延伸部１２４ｃと、Ｘ方向に延び、最も－Ｙ側に位置する第４延伸部１２４ｄと、を含む。第３延伸部１２４ｃは、第１延伸部１２４ａの＋Ｙ方向の端部と第２延伸部１２４ｂの＋Ｙ方向の端部との間に位置している。第３延伸部１２４ｃの－Ｘ方向の端部は、第１延伸部１２４ａの＋Ｙ方向の端部に連なり、第３延伸部１２４ｃの＋Ｘ方向の端部は、第２延伸部１２４ｂの＋Ｙ方向の端部に連なる。第４延伸部１２４ｄは、第１延伸部１２４ａの－Ｙ方向の端部と第２延伸部１２４ｂの－Ｙ方向の端部との間に位置している。第４延伸部１２４ｄの－Ｘ方向の端部は、第１延伸部１２４ａの－Ｙ方向の端部に連なり、第４延伸部１２４ｄの＋Ｘ方向の端部は、第２延伸部１２４ｂの－Ｙ方向の端部に連なる。
【0029】
第４領域１２１ｓ４は、外周領域１２１ｓ７から内側に延出する。なお、図３では、外周領域１２１ｓ７と各第４領域１２１ｓ４との境界を２点鎖線で示す。具体的には、第２領域１２１ｓ２の－Ｘ側において、４個の第４領域１２１ｓ４が、第１延伸部１２４ａのＹ方向における各位置から＋Ｘ方向に延出する。また、第２領域１２１ｓ２の＋Ｘ側において、４個の第４領域１２１ｓ４が、第２延伸部１２４ｂのＹ方向における各位置から－Ｘ方向に延出する。また、第２領域１２１ｓ２の＋Ｙ側において、５個の第４領域１２１ｓ４が、第３延伸部１２４ｃのＸ方向における各位置から－Ｙ方向に延出する。また、第２領域１２１ｓ２の－Ｙ側において、５個の第４領域１２１ｓ４が、第４延伸部１２４ｄのＸ方向における各位置から＋Ｙ方向に延出する。また、４個の第４領域１２１ｓ４が、外周領域１２１ｓ７の４つの角部からＸ方向およびＹ方向と交差する対角方向に延出する。
【0030】
第１延伸部１２４ａから延出する各第４領域１２１ｓ４と、第２延伸部１２４ｂから延出する各第４領域１２１ｓ４は、複数の第１領域１２１ｓ１、複数の第３領域１２１ｓ３、複数の第５領域１２１ｓ５、および複数の第６領域１２１ｓ６のうちのいずれかとともにＸ方向に一列に並ぶように配置される。また、第３延伸部１２４ｃから延出する各第４領域１２１ｓ４と、第４延伸部１２４ｄから延出する各第４領域１２１ｓ４は、複数の第５領域１２１ｓ５のうちのいずれか１つ、複数の第１領域１２１ｓ１のうちのいずれか１つ、複数の第３領域１２１ｓ３のうちのいずれか１つ、および複数の第６領域１２１ｓ６のうちのいずれか１つとともにＹ方向に一列に並ぶように配置される。
【0031】
上面視において、第２領域１２１ｓ２は、各第１領域１２１ｓ１、各第３領域１２１ｓ３、各第５領域１２１ｓ５、および各第６領域１２１ｓ６を囲む。第２領域１２１ｓ２の外周部は、複数の第４領域１２１ｓ４に対応する複数の凹部１２５を有している。
【0032】
複数の第１領域１２１ｓ１、複数の第３領域１２１ｓ３、複数の第４領域１２１ｓ４、複数の第５領域１２１ｓ５、複数の第６領域１２１ｓ６、および外周領域１２１ｓ７は、図２に示すように、第２領域１２１ｓ２よりも下方に位置する。複数の第１領域１２１ｓ１、複数の第３領域１２１ｓ３、複数の第４領域１２１ｓ４、複数の第５領域１２１ｓ５、複数の第６領域１２１ｓ６、および外周領域１２１ｓ７は、例えば、第１半導体層１２１の上面の略全域に活性層１２２および第２半導体層１２３を形成した後、第１半導体層１２１の一部、活性層１２２の一部、及び第２半導体層１２３の一部を除去することによって形成される。ただし、第１半導体層において活性層および第２半導体層から露出領域の数および位置は、上記に限定されない。
【0033】
図４は、本実施形態に係る発光素子１１の支持基板１１０、半導体構造体１２０、および第３電極１３０を示す上面図である。
なお、図４では、説明をわかりやすくするため、第３電極１３０が配置される領域をハッチングで示す。
第２半導体層１２３上には、第３電極１３０が配置される。
なお、図４では、説明をわかりやすくするため、第３電極１３０が配置される領域をハッチングで示す。
第２半導体層１２３上には、第３電極１３０が配置される。
【0034】
第３電極１３０は、金属等の導電性材料からなる。第３電極１３０は、活性層１２２から発せられる光に対して高い光反射性を有する光反射性電極であることが好ましい。第３電極１３０に用いられる金属としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、またはルテニウム（Ｒｕ）等が挙げられる。第３電極１３０は、これらの金属のうちの１種からなってもよいし、これらの金属を積層した構造であってもよいし、これらの金属を含む合金からなってもよい。
【0035】
第３電極１３０は、第２半導体層１２３に接することにより、第２半導体層１２３に電気的に接続される。上面視において、第３電極１３０の面積は、例えば、第２半導体層１２３の面積よりも小さく、第２半導体層１２３の外縁の内側に位置する。第３電極１３０の外縁の上面視形状は、第２半導体層１２３の外縁の上面視形状と概ね相似である。すなわち、第３電極１３０の外縁は、複数の凹部１２５に対応する複数の凹部１３１を有している。ただし、第３電極は、第２半導体層の上面の概ね全域を覆ってもよい。
【0036】
第３電極１３０は、複数の第１領域１２１ｓ１、複数の第３領域１２１ｓ３、複数の第５領域１２１ｓ５、および複数の第６領域１２１ｓ６が露出する複数の開口１３２を有している。上面視において、各開口１３２の面積は、対応する領域１２１ｓ１、１２１ｓ３、１２１ｓ５、１２１ｓ６の面積よりも大きい。上面視において、第２半導体層１２３において各第１領域１２１ｓ１、各第３領域１２１ｓ３、各第５領域１２１ｓ５、および各第６領域１２１ｓ６の周囲に位置する部分は、各開口１３２内において、第３電極１３０から露出する。各開口１３２の上面視形状は、第１半導体層１２１の対応する領域１２１ｓ１、１２１ｓ３、１２１ｓ５、１２１ｓ６の上面視形状と概ね相似である。ただし、第３電極の各開口の上面視形状は、第１半導体層の対応する領域の上面視形状と相似でなくてもよい。
【0037】
図５は、本実施形態に係る発光素子１１の支持基板１１０、半導体構造体１２０、第３電極１３０、および絶縁膜１４０を示す上面図である。
なお、図５では、説明をわかりやすくするため、絶縁膜１４０が配置される領域をハッチングで示す。
半導体構造体１２０および第３電極１３０上には、絶縁膜１４０が配置される。
なお、図５では、説明をわかりやすくするため、絶縁膜１４０が配置される領域をハッチングで示す。
半導体構造体１２０および第３電極１３０上には、絶縁膜１４０が配置される。
【0038】
絶縁膜１４０は、絶縁性材料からなる。絶縁膜１４０に用いられる絶縁性材料としては、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）またはシリコン窒化物（ＳｉＮ）等が挙げられる。
【0039】
上面視において、絶縁膜１４０の外縁は、第１半導体層１２１の外縁の内側であって、複数の第４領域１２１ｓ４の外側に位置する。上面視における絶縁膜１４０の外縁の形状は、角部を丸めた略矩形である。ただし、上面視において、絶縁膜の外縁は第１半導体層の外縁と一致していてもよい。絶縁膜１４０には、複数の第１開口１４１と、１個の第２開口１４２と、複数の第３開口１４３と、複数の第４開口１４４と、複数の第５開口１４５と、複数の第６開口１４６と、が配置される。
【0040】
各第１開口１４１において、各第１領域１２１ｓ１が露出する。上面視において、各第１開口１４１の面積は、各第１領域１２１ｓ１の面積よりも小さい。各第１開口１４１の上面視形状は、各第１領域１２１ｓ１の上面視形状と概ね相似である。同様に、各第３開口１４３において、各第３領域１２１ｓ３が露出する。上面視において、各第３開口１４３の面積は、各第３領域１２１ｓ３の面積よりも小さい。各第３開口１４３の上面視形状は、各第３領域１２１ｓ３の上面視形状と概ね相似である。
【0041】
同様に各第５開口１４５において、各第５領域１２１ｓ５が露出する。上面視において、各第５開口１４５の面積は、各第５領域１２１ｓ５の面積よりも小さい。各第５開口１４５の上面視形状は、各第５領域１２１ｓ５の上面視形状と概ね相似である。同様に各第６開口１４６において、各第６領域１２１ｓ６が露出する。上面視において、各第６開口１４６の面積は、各第６領域１２１ｓ６の面積よりも小さい。各第６開口１４６の上面視形状は、各第６領域１２１ｓ６の上面視形状と概ね相似である。ただし、第１開口の上面視形状は、第１領域の上面視形状と相似でなくてもよい。第３開口、第５開口、および第６開口の上面視形状についても同様に第１半導体層の対応する領域の上面視形状と相似でなくてもよい。
【0042】
各第４開口１４４において、各第４領域１２１ｓ４が露出する。各第４開口１４４の上面視形状は、第１開口１４１、第３開口１４３、第５開口１４５、および第６開口１４６の上面視形状と概ね同じであり、略円形である。ただし、各第４開口の上面視形状は、第１開口、第３開口、第５開口、および第６開口の上面視形状と異なっていてもよい。
【0043】
上面視において、第２領域１２１ｓ２のうち、互いに最も近い２つの第４領域１２１ｓ４の間に位置する部分１２６と第１半導体層１２１の外縁との距離は、部分１２６に最も近い第４開口１４４と第１半導体層１２１の外縁との距離と概ね同じである。ただし、第２領域の外縁と絶縁膜の第４開口との位置関係は上記に限定されない。
【0044】
第２開口１４２は、上面視で第２半導体層１２３と重なる。本実施形態では、上面視において第２開口１４２は、複数の第１領域１２１ｓ１と複数の第３領域１２１ｓ３との間の位置であって、半導体構造体１２０の中心Ｃ上に位置する。このため、活性層１２２における電流密度分布のばらつきを低減できる。第２開口１４２において、第３電極１３０の一部が露出する。ただし、第２開口の位置は、上記に限定されない。
【0045】
絶縁膜１４０は、第１半導体層１２１の上面１２１ａにおいて活性層１２２および第２半導体層１２３から露出する領域のうち、外周領域１２１ｓ７の一部、各第１領域１２１ｓ１の外周部、各第３領域１２１ｓ３の外周部、各第４領域１２１ｓ４の外周部、各第５領域１２１ｓ５の外周部、および各第６領域１２１ｓ６の外周部を覆う。また、絶縁膜１４０は、第３電極１３０の上面のうち第２開口１４２の直下に位置する部分以外の部分、第３電極１３０の側面、活性層１２２の側面、第２半導体層１２３の側面、および第２半導体層１２３の上面において第３電極１３０から露出する部分を覆う。
【0046】
図６は、本実施形態に係る発光素子１１の支持基板１１０、半導体構造体１２０、第３電極１３０、絶縁膜１４０、第１電極１５０、および第２電極１６０を示す上面図である。
なお、図６では、説明をわかりやすくするため、第１電極１５０および第２電極１６０が配置される領域を相互に異なるハッチングで示す。
絶縁膜１４０上には、第１電極１５０および第２電極１６０が配置される。
なお、図６では、説明をわかりやすくするため、第１電極１５０および第２電極１６０が配置される領域を相互に異なるハッチングで示す。
絶縁膜１４０上には、第１電極１５０および第２電極１６０が配置される。
【0047】
第１電極１５０は、金属等の導電性材料からなる。第１電極１５０に用いられる金属としては、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）またはチタン（Ｔｉ）等の活性層１２２から発せられる光に対して高い光反射性を有する金属が挙げられる。第１電極１５０は、これらの金属のうちの１種からなってもよいし、これらの金属を積層した構造であってもよいし、これらの金属を含む合金からなってもよい。
【0048】
第１電極１５０は、第１半導体層１２１および絶縁膜１４０上に配置され、各開口１４１、１４３、１４４、１４５、１４６を介して第１半導体層１２１に電気的に接続される。本明細書において「電極が半導体層に電気的に接続される」とは、電極が半導体層に接することにより電気的に接続される場合だけでなく、電極が導電性部材を介して半導体層に電気的に接続される場合を含む。
【0049】
本実施形態では、上面視において、第１電極１５０の外縁は、絶縁膜１４０の外縁の内側であって、複数の第４領域１２１ｓ４の外側に位置する。第１電極１５０の外縁の上面視形状は、絶縁膜１４０の外縁の上面視形状と概ね相似である。ただし、第１電極の外縁の上面視形状は、絶縁膜の外縁の上面視形状と相似でなくてもよい。
【0050】
また、第１電極１５０は、複数の第１領域１２１ｓ１、複数の第３領域１２１ｓ３、複数の第４領域１２１ｓ４、複数の第５領域１２１ｓ５、および複数の第６領域１２１ｓ６を連続して覆う。第１電極１５０は、絶縁膜１４０の各第１開口１４１内に配置され、各第１領域１２１ｓ１に接する。同様に、第１電極１５０は、絶縁膜１４０の各第３開口１４３内に配置され、各第３領域１２１ｓ３に接する。同様に、第１電極１５０は、絶縁膜１４０の各第４開口１４４内に配置され、各第４領域１２１ｓ４に接する。同様に、第１電極１５０は、絶縁膜１４０の各第５開口１４５内に配置され、各第５領域１２１ｓ５に接する。同様に、第１電極１５０は、絶縁膜１４０の各第６開口１４６内に配置され、各第６領域１２１ｓ６に接する。ただし、第１電極は第１半導体層に接することにより電気的に接続されるのではなく、導電性部材を介して電気的に接続されてもよい。
【0051】
第１電極１５０が、複数の第４開口１４４を介して、複数の第４領域１２１ｓ４に電気的に接続されることによって、活性層１２２の外周領域にもキャリアが供給され易くなる。そのため、活性層１２２の電流密度分布のばらつきをより一層低減できる。
【0052】
第１電極１５０には、絶縁膜１４０の第２開口１４２が露出する貫通穴１５０ｈが配置されている。上面視において、貫通穴１５０ｈは、複数の第１領域１２１ｓ１と複数の第３領域１２１ｓ３との間に位置する。上面視において、貫通穴１５０ｈの面積は、第２開口１４２の面積よりも大きい。
【0053】
貫通穴１５０ｈ内には、第１電極１５０から離隔するように第２電極１６０が配置される。第２電極１６０には、第１電極１５０と同様の材料を用いることができる。第２電極１６０は、絶縁膜１４０上に配置され、第２開口１４２を介して第２半導体層１２３に電気的に接続される。上面視において、第２電極１６０の面積は、貫通穴１５０ｈの面積よりも小さく、第２開口１４２の面積よりも大きい。そのため、第２電極１６０において第２開口１４２の周囲に位置する部分は、絶縁膜１４０上に位置する。第２電極１６０の一部は、第２開口１４２内に配置され、第３電極１３０に接する。これにより、第２電極１６０は、第２半導体層１２３に電気的に接続される。ただし、発光素子に第３電極は配置されていなくてもよい。この場合、第２電極は第２半導体層に第３電極等の導電性部材を介して電気的に接続されるのではなく、第２半導体層に接することにより電気的に接続されてもよい。
【0054】
第１電極１５０は、貫通穴１５０ｈの＋Ｙ側に位置する第１電極領域１５１と、貫通穴１５０ｈの－Ｙ側に位置する第２電極領域１５２と、Ｘ方向において貫通穴１５０ｈに隣り合って配置される２つの第３電極領域１５３と、を有する。貫通穴１５０ｈは、２つの第３電極領域１５３の間に位置する。
【0055】
第１電極領域１５１は、上面視において少なくとも複数の第１領域１２１ｓ１を覆い、第２方向Ｄ２において第２電極１６０と隣り合う。本実施形態では、第１電極領域１５１は、複数の第５領域１２１ｓ５と、２２個の第４領域１２１ｓ４のうち、上面視において直線ＣＸよりも＋Ｙ側に位置する１１個の第４領域１２１ｓ４と、をさらに覆う。
【0056】
第１電極領域１５１は、複数の第１領域１２１ｓ１を覆う複数の第１部分１５１ａと、隣り合う第１部分１５１ａの間に位置する複数の第２部分１５１ｂと、を有する。各第１部分１５１ａは、第２部分１５１ｂよりも第１電極領域１５１から第２電極１６０に向かう方向、すなわち－Ｙ方向に延出する第１延出部１５１ｃを有する。各第２部分１５１ｂの外縁は、例えば第１方向Ｄ１に概ね平行に延びる。各第１延出部１５１ｃの外縁の上面視形状は、例えば各第１領域１２１ｓ１に対応する形状であり、略円弧状である。
【0057】
第２電極領域１５２は、上面視において少なくとも複数の第３領域１２１ｓ３を覆い、第２方向Ｄ２において第２電極１６０と隣り合う。本実施形態では、第２電極領域１５２は、複数の第６領域１２１ｓ６と、２２個の第４領域１２１ｓ４のうち、上面視において直線ＣＸよりも－Ｙ側に位置する１１個の第４領域１２１ｓ４と、をさらに覆う。
【0058】
第２電極領域１５２は、複数の第３領域１２１ｓ３を覆う複数の第３部分１５２ａと、隣り合う第３部分１５２ａの間に位置する複数の第４部分１５２ｂと、を有する。各第３部分１５２ａは、第４部分１５２ｂよりも第２電極領域１５２から第２電極１６０に向かう方向、すなわち＋Ｙ方向に延出する第２延出部１５２ｃを有する。各第４部分１５２ｂの外縁は、例えば第１方向Ｄ１に概ね平行に延びる。各第２延出部１５２ｃの外縁の上面視形状は、例えば各第３領域１２１ｓ３に対応する形状であり、略円弧状である。
【0059】
２つの第３電極領域１５３のうちの一方は、第１電極領域１５１の－Ｘ方向における端部と第２電極領域１５２の－Ｘ方向における端部との間に位置し、第１電極領域１５１の－Ｘ方向における端部と第２電極領域１５２の－Ｘ方向における端部に連なる。２つの第３電極領域１５３のうちの他方は、第１電極領域１５１の＋Ｘ方向における端部と第２電極領域１５２の＋Ｘ方向における端部との間に位置し、第１電極領域１５１の＋Ｘ方向における端部と第２電極領域１５２の＋Ｘ方向における端部に連なる。各第３電極領域１５３は、第２方向Ｄ２に概ね平行に延びる。
【0060】
第１電極１５０の貫通穴１５０ｈは、第１電極領域１５１、第２電極領域１５２、および２つの第３電極領域１５３に囲まれた領域であり、第１電極領域１５１、第２電極領域１５２、および２つの第３電極領域１５３に対応した形状を有する。
【0061】
第２電極１６０の上面視形状は、本実施形態では、貫通穴１５０ｈの上面視形状と概ね相似である。
【0062】
第２電極１６０は、複数の第１延出部１５１ｃに応じた複数の第１凹部１６１を有している。各第１凹部１６１の上面視形状は、第１延出部１５１ｃの上面視形状に対応しており、例えば略円弧状である。
【0063】
第１半導体層１２１において第２電極１６０の直下に位置する部分には、第１電極１５０と接する領域を配置することが難しい。本実施形態の発光素子１１においては、第１半導体層１２１において第１電極１５０と接する複数の第１領域１２１ｓ１を上面視において第２電極１６０に近づけることができる。これにより、活性層１２２において第２電極１６０の直下に位置する部分にキャリアが供給され易くなる。そのため、活性層１２２の電流密度分布がばらつくことを低減できる。その結果、発光素子１１に輝度ムラが生じることを低減できる。
【0064】
第２電極１６０は、複数の第２延出部１５２ｃに応じた複数の第２凹部１６２を有している。各第２凹部１６２の上面視形状は、第２延出部１５２ｃの上面視形状に対応しており、例えば略円弧状である。
【0065】
そのため、発光素子１１の輝度ムラをより一層低減しつつ、第２電極１６０上に複数の第２導電性部材１７２を配置するスペースを確保できる。また、発光素子１１を基板１２に実装する際に、第２導電性部材１７２が第２電極１６０上からはみ出して第１電極１５０に接触することを低減できる。
【0066】
絶縁膜１４０の第２開口１４２の上面視形状は、本実施形態では、貫通穴１５０ｈの上面視形状と概ね相似である。したがって、第２開口１４２には、複数の第１延出部１５１ｃに応じた複数の第１凹部１４２ａと、複数の第２延出部１５２ｃに応じた複数の第２凹部１４２ｂと、が配置される。ただし、第２開口の上面視形状は、第１電極の貫通穴および第２電極の上面視形状と相似でなくてもよい。
【0067】
複数の第１導電性部材１７１は、図１および図２に示すように、第１電極１５０上に配置される。上面視における各第１導電性部材１７１の上面視形状は、例えば略楕円形である。ただし、第１導電性部材の上面視形状は、上記に限定されない。例えば、第１導電性部材の上面視形状は、円形、角丸長方形、または角部を丸めた多角形等であってもよい。各第１導電性部材１７１は、例えば、めっき法等によって形成することができる。各第１導電性部材１７１には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、またはこれらの合金を用いることができる。
【0068】
図１に示す例では、第１導電性部材１７１の数は、２４個である。複数の第１導電性部材１７１は、図１に示す例では、上面視において第３電極１３０の各開口１３２と重ならないように配置される。具体的には、２４個の第１導電性部材１７１のうちの６個は、上面視において、最も＋Ｙ側に位置する第４領域１２１ｓ４の中心を通りＸ方向に延びる直線と、第５領域１２１ｓ５の中心を通りＸ方向に延びる直線と、の間に位置する。これらの６個の第１導電性部材１７１は、Ｘ方向に並ぶ。
【0069】
また、２４個の第１導電性部材のうちの他の６個は、上面視において、第５領域１２１ｓ５の中心を通りＸ方向に延びる直線と、第１領域１２１ｓ１の中心を通りＸ方向に延びる直線と、の間に位置する。これの６個の第１導電性部材１７１は、Ｘ方向に並ぶ。
【0070】
また、２４個の第１導電性部材のうちの他の６個は、上面視において、第３領域１２１ｓ３の中心を通りＸ方向に延びる直線と、第６領域１２１ｓ６の中心を通り、Ｘ方向に延びる直線と、の間に位置する。これらの６個の第１導電性部材１７１は、Ｘ方向に並ぶ。
【0071】
また、２４個の第１導電性部材のうちの残りの６個は、上面視において、第６領域１２１ｓ６の中心を通りＸ方向に延びる直線と、最も－Ｙ側に位置する第４領域１２１ｓ４の中心を通りＸ方向に延びる直線と、の間に位置する。これらの６個の第１導電性部材１７１は、Ｘ方向に並ぶ。
【0072】
図１に示す例では、隣り合う第１導電性部材１７１同士は離隔している。ただし、隣り合う第１導電性部材同士は接してもよい。また、第１導電性部材の数および位置は、上記に限定されない。
【0073】
複数の第２導電性部材１７２は、第２電極１６０上に配置される。上面視における各第２導電性部材１７２の上面視形状は、例えば略楕円形である。ただし、第２導電性部材の上面視形状は、上記に限定されない。例えば、第２導電性部材の上面視形状は、円形、長円形、または角部を丸めた多角形等であってもよい。各第２導電性部材１７２は、例えば、めっき法等によって形成することができる。各第２導電性部材１７２には、第１導電性部材１７１の材料と同様の材料を用いることができる。
【0074】
図１に示す例では、第２導電性部材１７２の数は、６個である。ただし、第２導電性部材の数は、上記に限定されない。６個の第２導電性部材１７２は、第１方向Ｄ１に一列に並ぶ。各第２導電性部材１７２の中心は、上面視において概ね直線ＣＸ上に位置する。図１に示す例では、Ｘ方向に隣り合う第２導電性部材１７２同士は接している。ただし、Ｘ方向に隣り合う第２導電性部材同士は離隔してもよい。
【0075】
各第２導電性部材１７２は、第２方向Ｄ２において第１電極領域１５１に最も近い第１端部１７２ｔ１と、第２方向Ｄ２において第２電極領域１５２に最も近い第２端部１７２ｔ２と、を有する。
【0076】
上面視において、複数の第１延出部１５１ｃは、複数の第１端部１７２ｔ１のうち、第１電極領域１５１に最も近い第１端部１７２ｔ１を通り、第１方向Ｄ１と平行な第１直線Ｌｄ１よりも第２部分１５１ｂ側、すなわち＋Ｙ側に位置する。そのため、発光素子１１の輝度ムラを低減しつつ、複数の第２導電性部材１７２を配置するスペースを確保できる。これにより、発光素子１１を基板１２に実装することが容易になる。また、第２導電性部材１７２を基板１２の第２配線１２ｃに接続する際に、第２導電性部材１７２が半導体構造体１２０と基板１２の間でつぶれて変形する場合がある。このような場合に、第２導電性部材１７２が、第２電極１６０上からはみ出して第１電極１５０に接することを低減できる。そのため、発光素子１１を基板１２に実装する際の歩留まりを向上できる。本実施形態では、全ての第１端部１７２ｔ１が、上面視において第１直線Ｌｄ１上に位置する。ただし、全ての第１端部が上面視において第１直線上に位置しなくてもよい。
【0077】
同様に、上面視において、複数の第２延出部１５２ｃは、複数の第２端部１７２ｔ２のうち、第２電極領域１５２に最も近い第２端部１７２ｔ２を通り、第１方向Ｄ１と平行な第２直線Ｌｄ２よりも第４部分１５２ｂ側、すなわち－Ｙ側に位置する。本実施形態では、全ての第２端部１７２ｔ２が、上面視において第２直線Ｌｄ２上に位置する。ただし、全ての第２端部が上面視において第２直線上に位置しなくてもよい。
【0078】
また、上面視において第２電極１６０の複数の第１凹部１６１は、第１直線Ｌｄ１よりも第２部分１５１ｂ側、すなわち＋Ｙ側に位置する。これにより、第２電極１６０上に複数の第２導電性部材１７２を配置するスペースを確保できる。また、発光素子１１を基板１２に実装する際に、第２導電性部材１７２が第２電極１６０上からはみ出して第１電極１５０に接することを低減できる。また、上面視において、複数の第２凹部１６２は、第２直線Ｌｄ２よりも第４部分１５２ｂ側、すなわち－Ｙ側に位置する。これにより、第２電極１６０上に複数の第２導電性部材１７２を配置するスペースを確保できる。また、発光素子１１を基板１２に実装する際に、第２導電性部材１７２が第２電極１６０上からはみ出して第１電極１５０に接触することを低減できる。ただし、複数の第１凹部と第１直線との位置関係、および複数の第２凹部と第２直線との位置関係は、上記に限定されない。
【0079】
また、上面視において、複数の第２導電性部材１７２は、第２開口１４２の内側に位置する。上面視において、第２開口１４２の外縁のうち複数の第２導電性部材１７２と第１電極領域１５１との間に位置する部分は、第１直線Ｌｄ１よりも第１電極領域１５１側に位置する。これにより、第２開口１４２の面積を広げつつ、第２導電性部材１７２が上面視で第２開口１４２から絶縁膜１４０上に跨って配置されることを低減できる。よって、第２導電性部材１７２の上面の高さがばらつくことを低減できる。上面視において、第２開口１４２の外縁のうち複数の第２導電性部材１７２と第２電極領域１５２との間に位置する部分は、第２直線Ｌｄ２よりも第２電極領域１５２側に位置する。ただし、第２開口の外縁の位置は、上記に限定されない。
【0080】
第１導電性部材１７１の中心と第２導電性部材１７２の中心との距離Ｌ３は、Ｙ方向において隣り合う２つの第１導電性部材１７１の中心同士の距離Ｌ４よりも長い。ただし、これらの距離の大小関係は、上記に限定されない。
【0081】
次に、本実施形態に係る発光装置１０について説明する。
図７は、本実施形態に係る発光装置１０を示す断面図である。
図８は、本実施形態に係る発光装置１０の発光素子１１および基板１２を示す上面図である。
図９は、図８のIX-IX線における断面図である。
発光装置１０は、発光素子１１および基板１２を備える。なお、図７では、発光素子１１において第１導電性部材１７１以外の部分を簡易的にまとめて四角形で示す。本実施形態では、発光装置１０は、波長変換部材１３と、保護素子１４と、光反射性部材１５と、をさらに備える。
図７は、本実施形態に係る発光装置１０を示す断面図である。
図８は、本実施形態に係る発光装置１０の発光素子１１および基板１２を示す上面図である。
図９は、図８のIX-IX線における断面図である。
発光装置１０は、発光素子１１および基板１２を備える。なお、図７では、発光素子１１において第１導電性部材１７１以外の部分を簡易的にまとめて四角形で示す。本実施形態では、発光装置１０は、波長変換部材１３と、保護素子１４と、光反射性部材１５と、をさらに備える。
【0082】
基板１２は、図８および図９に示すように、絶縁部材１２ａと、複数の第１導電性部材１７１に電気的に接続される第１配線１２ｂと、第１配線１２ｂから離隔し、複数の第２導電性部材１７２に電気的に接続される第２配線１２ｃと、を含む。第１配線１２ｂおよび第２配線１２ｃは、絶縁部材１２ａ上に配置される。
【0083】
発光素子１１は、基板１２にフリップチップ実装される。具体的には、発光素子１１は、複数の第１導電性部材１７１が第１配線１２ｂと対向し、かつ、複数の第２導電性部材１７２が第２配線１２ｃと対向するように配置される。各第１導電性部材１７１は、第１配線１２ｂに接することにより、第１配線１２ｂに電気的に接続される。同様に、各第２導電性部材１７２は、第２配線１２ｃに接することにより、第２配線１２ｃに電気的に接続される。第１配線１２ｂおよび第２配線１２ｃを介して発光素子１１に給電することで、半導体構造体１２０における活性層１２２が発光する。第１配線１２ｂは、Ｘ方向に延び、第１電極領域１５１と対向する第１延伸部と、Ｘ方向に延び、第２電極領域１５２と対向する第２延伸部と、第１延伸部の－Ｘ方向における端部と第２延伸部の－Ｘ方向における端部との間に位置し、これらに接続される接続部と、を有する。第２配線１２ｃは、第１配線の第１延伸部と第２延伸部との間に位置する。
【0084】
波長変換部材１３は、図７に示すように、発光素子１１の支持基板１１０と対向するように配置された状態で、透光性を有する接着部材１６を介して発光素子１１に固定される。波長変換部材１３は、発光素子１１が発する光が入射することにより、発光素子１１が発する光の発光ピーク波長とは異なる発光ピーク波長の光を発する波長変換物質を含む。波長変換部材１３の形状は、例えば、ＸＹ平面に概ね平行な平板状である。波長変換部材１３上には、透光性を有する保護層１７を配置してもよい。
【0085】
保護素子１４は、例えば、ツェナーダイオードである。保護素子１４は、各配線１２ｂ、１２ｃに電気的に接続され、発光素子１１を電気的に保護する。
【0086】
光反射性部材１５は、基板１２上であって発光素子１１および波長変換部材１３の周囲に配置されるとともに、保護素子１４を覆う。光反射性部材１５は、樹脂部材と、樹脂部材中に配置された光反射性粒子と、を含む。樹脂部材には、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。光反射性粒子としては、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）等を用いることができる。
【0087】
ただし、発光装置の構成は、上記に限定されない。例えば、発光素子は、接着部材により基板に固定されていてもよい。
【0088】
＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。
図１０は、本実施形態に係る発光素子２１の一部を拡大して示す上面図である。
本実施形態に係る発光素子２１は、絶縁膜１４０の第４開口２４４の形状において、第１の実施形態に係る発光素子１１と相違する。
なお、以下の説明においては、原則として、主に第１の実施形態との相違点を主に説明する。以下に説明する事項以外は、第１の実施形態と同様に構成できる。後述する他の実施形態についても同様である。
次に、第２の実施形態について説明する。
図１０は、本実施形態に係る発光素子２１の一部を拡大して示す上面図である。
本実施形態に係る発光素子２１は、絶縁膜１４０の第４開口２４４の形状において、第１の実施形態に係る発光素子１１と相違する。
なお、以下の説明においては、原則として、主に第１の実施形態との相違点を主に説明する。以下に説明する事項以外は、第１の実施形態と同様に構成できる。後述する他の実施形態についても同様である。
【0089】
各開口２４４において、各第４領域１２１ｓ４が露出する。上面視において各第４開口２４４の外縁のうち第１電極１５０の外縁と隣り合う部分２４４ａは、第１電極１５０の外縁に平行に延びる。また、上面視において各第４開口２４４の外縁のうち、部分２４４ａの内側に位置する部分２４４ｂは、内側に向かって凸状に湾曲する。例えば、外周領域１２１ｓ７の第１延伸部１２４ａに連なる第４領域１２１ｓ４が露出する第４開口２４４において、外側の部分２４４ａはＹ方向に延び、内側の部分２４４ｂは＋Ｘ方向に凸状に湾曲する。また、例えば、外周領域１２１ｓ７の第３延伸部１２４ｃに連なる第４領域１２１ｓ４が露出する第４開口２４４において、外側の部分２４４ａはＹ方向に延び、内側の部分２４４ｂは－Ｙ方向に凸状に湾曲する。
【0090】
本実施形態に係る発光素子２１においては、第４開口２４４の面積を広げることができるため、第１電極１５０と各第４領域１２１ｓ４との接触面積を増やすことができる。
【0091】
＜第３の実施形態＞
次に、第３の実施形態について説明する。
図１１は、本実施形態に係る発光素子３１の一部を拡大して示す上面図である。
本実施形態に係る発光素子３１は、第１半導体層１２１における外周領域３２１ｓ７と第２領域３２１ｓ２の境界の形状および第１電極３５０の形状が、第１の実施形態に係る発光素子１１と相違する。
次に、第３の実施形態について説明する。
図１１は、本実施形態に係る発光素子３１の一部を拡大して示す上面図である。
本実施形態に係る発光素子３１は、第１半導体層１２１における外周領域３２１ｓ７と第２領域３２１ｓ２の境界の形状および第１電極３５０の形状が、第１の実施形態に係る発光素子１１と相違する。
【0092】
上面視において、第２領域３２１ｓ２のうち、互いに最も近い２つの第４領域１２１ｓ４の間に位置する部分３２６は、部分３２６に最も近い第４開口１４４よりも外側に突出する。すなわち、上面視において、第２領域３２１ｓ２において複数の第４領域１２１ｓ４の間に位置する部分３２６と第１半導体層１２１の外縁との距離は、この部分３２６に最も近い第４開口１４４と第１半導体層１２１の外縁との距離よりも短い。第２領域３２１ｓ２を活性層３２２および第２半導体層３２３が覆う。第２半導体層３２３上に、第３電極３３０が配置される。上面視において、第３電極３３０の面積は、第２領域３２１ｓ２の面積よりも小さい。第３電極３３０の上面視形状は、第２領域３２１ｓ２の上面視形状と概ね相似である。
【0093】
第１電極３５０の外周部は、複数の第４領域１２１ｓ４を覆う複数の第５部分３５５と、隣り合う第５部分３５５の間に位置する第６部分３５６と、を有する。上面視において第６部分３５６は、第１半導体層１２１の外周領域３２１ｓ７の内側に位置する。本実施形態では、上面視において第６部分３５６は、第３電極３３０の外縁のうちで隣り合う第４領域１２１ｓ４の間に位置する部分３３０ａよりも内側に位置する。
【0094】
第１の実施形態では、第１電極１５０の外縁が外周領域１２１ｓ７上に位置するのに対して、本実施形態では、外周領域３２１ｓ７を第６部分３５６の外側に位置するようにしているため、その分、第２領域３２１ｓ２を広げることができる。すなわち、活性層３２２および第２半導体層３２３の上面視における面積を広げることができる。これにより、第１の実施形態の発光素子１１よりも発光素子３１の発光面を広げることができる。また、第２半導体層３２３の上面視における面積を広げることで、第２半導体層３２３の上に配置する第３電極３３０の上面視における面積を広げることができる。これにより、第３電極３３０による光の反射領域が増加する。そのため、発光素子３１の光の取り出し効率を向上できる。
【0095】
＜第４の実施形態＞
次に、第４の実施形態について説明する。
図１２は、本実施形態に係る発光素子４１を示す上面図である。
本実施形態に係る発光素子４１は、絶縁膜１４０に複数の第２開口４４２を有する点等が、第１の実施形態に係る発光素子１１と相違する。なお、第１半導体層１２１における外周領域と第２領域の境界の形状および第１電極３５０の形状は、第３の実施形態と同様に構成されるため、その説明を省略する。
次に、第４の実施形態について説明する。
図１２は、本実施形態に係る発光素子４１を示す上面図である。
本実施形態に係る発光素子４１は、絶縁膜１４０に複数の第２開口４４２を有する点等が、第１の実施形態に係る発光素子１１と相違する。なお、第１半導体層１２１における外周領域と第２領域の境界の形状および第１電極３５０の形状は、第３の実施形態と同様に構成されるため、その説明を省略する。
【0096】
絶縁膜１４０には、複数の第２開口４４２が配置される。第２電極１６０は、複数の第２開口４４２を覆う。第２電極１６０は、各第２開口４４２内に配置され、第３電極３３０に接する。これにより、第２電極１６０は、第２半導体層３２３に電気的に接続される。
【0097】
上面視において、各第２開口４４２は、第２半導体層３２３と重なり、複数の第２導電性部材１７２と重ならないように配置される。これにより、第２導電性部材１７２の上端の位置と第１導電性部材１７１の上端の位置を揃えやすくなるため、発光素子４１を基板１２に実装することが容易になる。
【0098】
図１２に示す例では、絶縁膜１４０は、１２個の第２開口４４２を有している。上面視において、１２個の第２開口４４２のうちの１つの第２開口４４２ａは、最も－Ｘ側に位置する第２導電性部材１７２の－Ｘ側に位置する。上面視において、１２個の第２開口４４２のうちの他の１つの第２開口４４２ｂは、最も＋Ｘ側に位置する第２導電性部材１７２の＋Ｘ側に位置する。この２つの第２開口４４２ａ、４４２ｂの上面視形状は、第１半導体層１２１の中心Ｃを通りＹＺ平面に平行な平面を基準として概ね対称である。
【0099】
上面視において、１２個の第２開口４４２のうちの５つの第２開口４４２ｄは、複数の第２導電性部材１７２と第２電極１６０の＋Ｙ方向における端部との間に位置する。各第２開口４４２ｄは、それぞれ、Ｘ方向における位置が、隣り合う第２導電性部材１７２の中心のＸ方向における位置の間となるように配置される。５つの第２開口４４２ｄの面積は、例えば、半導体構造体１２０の中心Ｃに近い第２開口４４２ｄほど小さい。
【0100】
上面視において、１２個の第２開口４４２のうちの残りの５つの第２開口４４２ｅは、複数の第２導電性部材１７２と第２電極１６０の－Ｙ方向における端部との間に位置する。各第２開口４４２ｅは、それぞれ、Ｘ方向における位置が、隣り合う第２導電性部材１７２の中心のＸ方向における位置の間となるように配置される。５つの第２開口４４２ｅの面積は、例えば、半導体構造体１２０の中心Ｃに近い第２開口４４２ｅほど小さい。５つの第２開口４４２ｅの上面視形状は、中心Ｃを通り、ＸＺ平面に平行な平面を基準として、５つの第２開口４４２ｄと概ね対称である。
【0101】
ただし、絶縁膜に配置する第２開口の数、位置、および面積は、上記に特に限定されない。また、１つの第２開口を、複数の第２導電性部材と重ならないように配置してもよい。
【0102】
＜第５の実施形態＞
次に、第５の実施形態について説明する。
図１３は、本実施形態に係る発光素子５１を示す上面図である。
図１４は、本実施形態に係る発光素子５１の支持基板１１０、半導体構造体５２０、および第３電極５３０を示す上面図である。
なお、図１４では、説明をわかりやすくするために、第３電極５３０が配置された領域をハッチングで示す。
本実施形態に係る発光素子５１は、上面視において、第２電極５６０が、半導体構造体５２０の第２方向Ｄ２における中心上に位置しない点等で、第１の実施形態に係る発光素子１１と相違する。なお、第１半導体層５２１における外周領域５２１ｓ８と第２領域５２１ｓ２の境界の形状および第１電極５５０の外縁の形状は、第３の実施形態と同様に構成されるため、その説明を省略する。
次に、第５の実施形態について説明する。
図１３は、本実施形態に係る発光素子５１を示す上面図である。
図１４は、本実施形態に係る発光素子５１の支持基板１１０、半導体構造体５２０、および第３電極５３０を示す上面図である。
なお、図１４では、説明をわかりやすくするために、第３電極５３０が配置された領域をハッチングで示す。
本実施形態に係る発光素子５１は、上面視において、第２電極５６０が、半導体構造体５２０の第２方向Ｄ２における中心上に位置しない点等で、第１の実施形態に係る発光素子１１と相違する。なお、第１半導体層５２１における外周領域５２１ｓ８と第２領域５２１ｓ２の境界の形状および第１電極５５０の外縁の形状は、第３の実施形態と同様に構成されるため、その説明を省略する。
【0103】
第１半導体層５２１の上面５２１ａは、複数の第１領域５２１ｓ１と、第２領域５２１ｓ２と、複数の第３領域５２１ｓ３と、複数の第４領域５２１ｓ４と、複数の第５領域５２１ｓ５と、複数の第６領域５２１ｓ６と、複数の第７領域５２１ｓ７と、外周領域５２１ｓ８と、を含む。
【0104】
第２領域５２１ｓ２は、上面５２１ａのうち、活性層５２２および第２半導体層５２３に覆われる領域である。複数の第１領域５２１ｓ１、複数の第５領域５２１ｓ５、複数の第６領域５２１ｓ６、および複数の第７領域５２１ｓ７は、上面５２１ａのうち、第２領域５２１ｓ２の外縁よりも内側に位置し、かつ、活性層５２２および第２半導体層５２３から露出する領域である。
【0105】
上面視において、複数の第１領域５２１ｓ１は、上面視において直線ＣＸよりも－Ｙ側に位置する。複数の第１領域５２１ｓ１は、第１方向Ｄ１に略等間隔で一列で並ぶ。第１領域５２１ｓ１の数は、３個である。上面視において複数の第５領域５２１ｓ５は、複数の第１領域５２１ｓ１の＋Ｘ側であって直線ＣＸよりも－Ｙ側に位置する。複数の第５領域５２１ｓ５は、第１方向Ｄ１に略等間隔で一列に並ぶ。第５領域５２１ｓ５の数は、３個である。各第５領域５２１ｓ５は、第２方向Ｄ２において各第１領域５２１ｓ１と並ぶ。
【0106】
上面視において、複数の第６領域５２１ｓ６は、複数の第５領域５２１ｓ５および直線ＣＸの＋Ｘ側に位置する。複数の第６領域５２１ｓ６は、第１方向Ｄ１に略等間隔で一列に並ぶ。第６領域５２１ｓ６の数は、３個である。各第６領域５２１ｓ６は、第２方向Ｄ２において各第５領域５２１ｓ５と並ぶ。複数の第７領域５２１ｓ７は、複数の第６領域５２１ｓ６の＋Ｘ側に位置する。複数の第７領域５２１ｓ７は、第１方向Ｄ１に略等間隔で一列に並ぶ。第７領域５２１ｓ７の数は、３個である。各第７領域５２１ｓ７は、第２方向Ｄ２において各第６領域５２１ｓ６と並ぶ。
【0107】
複数の第３領域５２１ｓ３、複数の第４領域５２１ｓ４、および外周領域５２１ｓ８は、上面５２１ａのうち、第２領域５２１ｓ２の外側に位置し、かつ、活性層５２２および第２半導体層５２３から露出する領域である。
【0108】
外周領域５２１ｓ８は、第１半導体層５２１の上面の外縁を含む枠状の領域である。外周領域５２１ｓ８の外縁の形状は、上面５２１ａの外縁の形状と同様に略矩形であり、外周領域５２１ｓ８の内縁の形状は、例えば上面５２１ａの外縁の形状と相似であり、略矩形である。具体的には、外周領域５２１ｓ８は、Ｙ方向に延び、最も－Ｘ側に位置する第１延伸部５２４ａと、Ｙ方向に延び、最も＋Ｘ側に位置する第２延伸部５２４ｂと、Ｘ方向に延び、最も＋Ｙ側に位置する第３延伸部５２４ｃと、Ｘ方向に延び、最も－Ｙ側に位置する第４延伸部５２４ｄと、を含む。第３延伸部５２４ｃは、第１延伸部５２４ａの＋Ｙ方向の端部と第２延伸部５２４ｂの＋Ｙ方向の端部との間に位置している。第３延伸部５２４ｃの－Ｘ方向の端部は、第１延伸部５２４ａの＋Ｙ方向の端部に連なり、第３延伸部５２４ｃの＋Ｘ方向の端部は、第２延伸部５２４ｂの＋Ｙ方向の端部に連なる。第４延伸部５２４ｄは、第１延伸部５２４ａの－Ｙ方向の端部と第２延伸部５２４ｂの－Ｙ方向の端部との間に位置している。第４延伸部５２４ｄの－Ｘ方向の端部は、第１延伸部５２４ａの－Ｙ方向の端部に連なり、第４延伸部５２４ｄの＋Ｘ方向の端部は、第２延伸部５２４ｂの－Ｙ方向の端部に連なる。
【0109】
３個の第３領域５２１ｓ３は、第４延伸部５２４ｄから内側に延出する。また、４個の第４領域５２１ｓ４が、第１延伸部５２４ａから内側に延出する。また、４個の第４領域５２１ｓ４が、第２延伸部５２４ｂから内側に延出する。また、３個の第４領域５２１ｓ４が、第３延伸部５２４ｃから内側に延出する。また、４個の第４領域５２１ｓ４が、外周領域５２１ｓ８の４つの角部から内側に延出する。したがって、第４領域５２１ｓ４の数は、１５個である。
【0110】
第３電極５３０は、複数の第３領域５２１ｓ３および複数の第４領域５２１ｓ４が個別に露出する凹部５３１を有している。また、第３電極５３０は、複数の第１領域５２１ｓ１、複数の第１領域５２１ｓ１と、複数の第５領域５２１ｓ５と、複数の第６領域５２１ｓ６と、複数の第７領域５２１ｓ７と、が個別に露出する複数の開口５３２を有している。
【0111】
絶縁膜５４０は、図１３に示すように、複数の第１開口５４１と、１つの第２開口５４２と、複数の第３開口５４３と、複数の第４開口５４４と、複数の第５開口５４５と、複数の第６開口５４６と、複数の第７開口５４７と、を有している。
【0112】
各第１開口５４１において、各第１領域５２１ｓ１が露出する。各第３開口５４３において、各第３領域５２１ｓ３が露出する。各第４開口５４４において、各第４領域５２１ｓ４が露出する。各第５開口５４５において、各第５領域５２１ｓ５が露出する。各第６開口５４６において、各第６領域５２１ｓ６が露出する。各第７開口５４７において、各第７領域５２１ｓ７が露出する。
【0113】
第２開口５４２は第２半導体層５２３と上面視で重なる部分に配置され、第２開口５４２において第３電極５３０の一部が露出する。具体的には、上面視において第２開口５４２は、複数の第２導電性部材５７２と重ならず、複数の第２導電性部材５７２と複数の第１領域５２１ｓ１との間に位置する。ただし、第２開口の位置は、上記に限定されない。例えば、第２開口は、複数の第２導電性部材５７２と重なってもよい。また、第２開口の数は、２以上であってもよい。
【0114】
第１電極５５０は、複数の第１開口５４１、複数の第３開口５４３、複数の第５開口５４５、複数の第６開口５４６、および複数の第７開口５４７を連続して覆う。第１電極５５０は、複数の第１開口５４１を介して複数の第１領域５２１ｓ１に接する。また、第１電極５５０は、複数の第３開口５４３を介して複数の第３領域５２１ｓ３に接する。また、第１電極５５０は、複数の第４開口５４４を介して複数の第４領域５２１ｓ４に接する。また、第１電極５５０は、複数の第５開口５４５を介して複数の第５領域５２１ｓ５に接する。また、第１電極５５０は、複数の第６開口５４６を介して複数の第６領域５２１ｓ６に接する。また、第１電極５５０は、複数の第７開口５４７を介して複数の第７領域５２１ｓ７に接する。
【0115】
第１電極５５０は、貫通穴５５０ｈを有している。貫通穴５５０ｈは、上面視において複数の第１領域５２１ｓ１と複数の第３領域５２１ｓ３との間であって、絶縁膜５４０の第２開口５４２上に位置する。貫通穴５５０ｈ内には、第２電極５６０が配置されている。第２電極５６０は、第２開口５４２を介して第３電極５３０に接する。
【0116】
第１電極５５０は、貫通穴５５０ｈの＋Ｙ側に位置する第１電極領域５５１と、貫通穴５５０ｈの－Ｙ側に位置する第２電極領域５５２と、Ｘ方向において貫通穴５５０ｈに隣り合って配置される２つの第３電極領域５５３と、を有する。貫通穴５５０ｈは、２つの第３電極領域５５３の間に位置する。
【0117】
第１電極領域５５１は、複数の第１領域５２１ｓ１と、１５個の第４領域５２１ｓ４のうち、最も－Ｙ側かつ最も－Ｘ側に位置する第４領域５２１ｓ４および最も－Ｙ側かつ最も＋Ｘ側に位置する第４領域５２１ｓ４を除く１３個の第４領域５２１ｓ４と、複数の第５領域５２１ｓ５と、複数の第６領域５２１ｓ６と、複数の第７領域５２１ｓ７と、を覆う。第１電極領域５５１は、第２方向Ｄ２において第２電極５６０と隣り合う。
【0118】
第１電極領域５５１は、複数の第１領域５２１ｓ１を覆う複数の第１部分５５１ａと、隣り合う第１部分５５１ａの間に位置する第２部分５５１ｂとを有する。第１部分５５１ａは、第２部分５５１ｂよりも第１電極領域５５１から第２電極５６０に向かう方向、すなわち－Ｙ方向に延出する第１延出部５５１ｃを有する。
【0119】
第２電極領域５５２は、複数の第３領域５２１ｓ３と、複数の第４領域５２１ｓ４のうち、最も－Ｙ側かつ最も－Ｘ側に位置する第４領域５２１ｓ４および最も－Ｙ側かつ最も＋Ｘ側に位置する第４領域５２１ｓ４を覆う。第１電極領域５５１と第２電極領域５５２との間に、第２電極５６０が位置する。
【0120】
第２電極領域５５２は、複数の第３領域５２１ｓ３を覆う複数の第３部分５５２ａと、隣り合う第３部分５５２ａの間に位置する第４部分５５２ｂとを有する。第３部分５５２ａは、第４部分５５２ｂよりも第２電極領域５５２から第２電極５６０に向かう方向、すなわち＋Ｙ方向に延出する第２延出部５５２ｃを有する。
【0121】
第２電極５６０は、上面視において、複数の第１延出部５５１ｃの形状にそれぞれが対応する複数の第１凹部５６１と、複数の第２延出部５５２ｃの形状にそれぞれが対応する複数の第２凹部５６２と、を有する。
【0122】
複数の第１導電性部材５７１は、本実施形態では、第１電極領域５５１上に配置されている。第１導電性部材５７１の数は、２４個である。２４個の第１導電性部材５７１は、Ｘ方向に６個並びＹ方向に４個並ぶように行列状に配置される。
【0123】
複数の第２導電性部材５７２は、第１方向Ｄ１に並ぶ。各第２導電性部材５７２は、第２方向Ｄ２において第１電極領域５５１に最も近い第１端部５７２ｔ１と、第２方向Ｄ２において第２電極領域５５２に最も近い第２端部５７２ｔ２と、を有する。上面視において、複数の第１延出部５５１ｃは、複数の第２導電性部材５７２の第１端部５７２ｔ１のうち、第１電極領域５５１に最も近い第１端部５７２ｔ１を通る第１方向Ｄ１と平行な第１直線Ｌｄ２１よりも第２部分５５１ｂ側、すなわち＋Ｙ側に位置する。また、上面視において、複数の第２延出部５５２ｃは、複数の第２導電性部材５７２の第２端部５７２ｔ２のうち、第２電極領域５５２に最も近い第２端部５７２ｔ２を通る第１方向Ｄ１と平行な第２直線Ｌｄ２２よりも第４部分５５２ｂ側、すなわち－Ｙ側に位置する。
【0124】
上面視において第２電極５６０の複数の第１凹部５６１は、本実施形態では、第１直線Ｌｄ２１よりも第２部分５５１ｂ側、すなわち＋Ｙ側に位置する。上面視において複数の第２凹部５６２は、本実施形態では、第２直線Ｌｄ２２よりも第４部分５５２ｂ側、すなわち－Ｙ側に位置する。ただし、複数の第１凹部と第１直線との位置関係、および複数の第２凹部と第２直線との位置関係は、上記に限定されない。
【0125】
次に、本実施形態に係る発光装置５０を説明する。
図１５は、本実施形態に係る発光装置５０の発光素子５１および基板５２を示す上面図である。
発光装置５０は、発光素子５１および基板５２を備える。発光素子５１は、基板５２にフリップチップ実装される。基板５２は、絶縁部材５２ａと、第１配線５２ｂと、第２配線５２ｃと、を有する。第１配線５２ｂは、複数の第１導電性部材５７１に接することにより、複数の第１導電性部材５７１に電気的に接続される。第２配線５２ｃは、複数の第２導電性部材５７２に接することにより、複数の第２導電性部材５７２に電気的に接続される。第１配線５２ｂは、第１電極５５０の第１電極領域５５１と対向するように配置される。第２配線５２ｃは、第２電極５６０と対向するように配置される。
図１５は、本実施形態に係る発光装置５０の発光素子５１および基板５２を示す上面図である。
発光装置５０は、発光素子５１および基板５２を備える。発光素子５１は、基板５２にフリップチップ実装される。基板５２は、絶縁部材５２ａと、第１配線５２ｂと、第２配線５２ｃと、を有する。第１配線５２ｂは、複数の第１導電性部材５７１に接することにより、複数の第１導電性部材５７１に電気的に接続される。第２配線５２ｃは、複数の第２導電性部材５７２に接することにより、複数の第２導電性部材５７２に電気的に接続される。第１配線５２ｂは、第１電極５５０の第１電極領域５５１と対向するように配置される。第２配線５２ｃは、第２電極５６０と対向するように配置される。
【0126】
このように、第２電極５６０は、半導体構造体５２０の第２方向Ｄ２における中心上に位置しなくてもよい。本実施形態においても、発光素子５１の輝度ムラを低減しつつ実装が容易な発光素子５１を提供できる。
【0127】
上記の複数の実施形態においては、第１電極が第１電極領域および第２電極領域を有する例を説明した。すなわち、第１電極に、延出部を有する電極領域が２つ配置される例を説明した。ただし、第１電極において延出部を有する電極領域の数は、１つであってもよい。
【0128】
上記の複数の実施形態における各構成は、矛盾の無い範囲で適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【0129】
１０、５０ ：発光装置
１１、２１、３１、４１、５１：発光素子
１２、５２ ：基板
１２ａ、５２ａ：絶縁部材
１２ｂ、５２ｂ：第１配線
１２ｃ、５２ｃ：第２配線
１３ ：波長変換部材
１４ ：保護素子
１５ ：光反射性部材
１６ ：接着部材
１７ ：保護層
１１０ ：支持基板
１１０ａ ：下面
１１０ｂ ：上面
１１１ ：表面
１１２ ：凸部
１２０、５２０：半導体構造体
１２１、５２１：第１半導体層
１２１ａ、５２１ａ ：上面
１２１ｓ１、５２１ｓ１：第１領域
１２１ｓ２、３２１ｓ２、５２１ｓ２：第２領域
１２１ｓ３、５２１ｓ３：第３領域
１２１ｓ４、５２１ｓ４：第４領域
１２１ｓ５、５２１ｓ５：第５領域
１２１ｓ６、５２１ｓ６：第６領域
１２１ｓ７、３２１ｓ７、５２１ｓ８：外周領域
１２２、３２２、５２２：活性層
１２３、３２３、５２３：第２半導体層
１２４ａ、５２４ａ：第１延伸部
１２４ｂ、５２４ｂ：第２延伸部
１２４ｃ、５２４ｃ：第３延伸部
１２４ｄ、５２４ｄ：第４延伸部
１２５ ：凹部
１２６ ：部分
１３０、３３０、５３０：第３電極
１３１、５３１：凹部
１３２、５３２：開口
１４０、５４０：絶縁膜
１４１、５４１：第１開口
１４２、４４２、４４２ａ、４４２ｂ、４４２ｄ、４４２ｅ、５４２：第２開口
１４２ａ ：第１凹部
１４２ｂ ：第２凹部
１４３、５４３：第３開口
１４４、２４４、５４４：第４開口
１４５、５４５：第５開口
１４６、５４６：第６開口
１５０、３５０、５５０：第１電極
１５０ｈ、５５０ｈ：貫通穴
１５１、５５１：第１電極領域
１５１ａ、５５１ａ：第１部分
１５１ｂ、５５１ｂ：第２部分
１５１ｃ、５５１ｃ：第１延出部
１５２、５５２：第２電極領域
１５２ａ、５５２ａ：第３部分
１５２ｂ、５５２ｂ：第４部分
１５２ｃ、５５２ｃ：第２延出部
１５３、５５３：第３電極領域
１６０、５６０：第２電極
１６１、５６１：第１凹部
１６２、５６２：第２凹部
１７１、５７１：第１導電性部材
１７２、５７２：第２導電性部材
１７２ｔ１、５７２ｔ１：第１端部
１７２ｔ２、５７２ｔ２：第２端部
２４４ａ ：部分
２４４ｂ ：部分
３２６ ：部分
３３０ａ ：部分
３５５ ：第５部分
３５６ ：第６部分
５２１ｓ７ ：第７領域
５４７ ：第７開口
Ｃ ：中心
Ｄ１ ：第１方向
Ｄ２ ：第２方向
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４：距離
Ｌｄ１、Ｌｄ２１：第１直線
Ｌｄ２、Ｌｄ２２：第２直線
１１、２１、３１、４１、５１：発光素子
１２、５２ ：基板
１２ａ、５２ａ：絶縁部材
１２ｂ、５２ｂ：第１配線
１２ｃ、５２ｃ：第２配線
１３ ：波長変換部材
１４ ：保護素子
１５ ：光反射性部材
１６ ：接着部材
１７ ：保護層
１１０ ：支持基板
１１０ａ ：下面
１１０ｂ ：上面
１１１ ：表面
１１２ ：凸部
１２０、５２０：半導体構造体
１２１、５２１：第１半導体層
１２１ａ、５２１ａ ：上面
１２１ｓ１、５２１ｓ１：第１領域
１２１ｓ２、３２１ｓ２、５２１ｓ２：第２領域
１２１ｓ３、５２１ｓ３：第３領域
１２１ｓ４、５２１ｓ４：第４領域
１２１ｓ５、５２１ｓ５：第５領域
１２１ｓ６、５２１ｓ６：第６領域
１２１ｓ７、３２１ｓ７、５２１ｓ８：外周領域
１２２、３２２、５２２：活性層
１２３、３２３、５２３：第２半導体層
１２４ａ、５２４ａ：第１延伸部
１２４ｂ、５２４ｂ：第２延伸部
１２４ｃ、５２４ｃ：第３延伸部
１２４ｄ、５２４ｄ：第４延伸部
１２５ ：凹部
１２６ ：部分
１３０、３３０、５３０：第３電極
１３１、５３１：凹部
１３２、５３２：開口
１４０、５４０：絶縁膜
１４１、５４１：第１開口
１４２、４４２、４４２ａ、４４２ｂ、４４２ｄ、４４２ｅ、５４２：第２開口
１４２ａ ：第１凹部
１４２ｂ ：第２凹部
１４３、５４３：第３開口
１４４、２４４、５４４：第４開口
１４５、５４５：第５開口
１４６、５４６：第６開口
１５０、３５０、５５０：第１電極
１５０ｈ、５５０ｈ：貫通穴
１５１、５５１：第１電極領域
１５１ａ、５５１ａ：第１部分
１５１ｂ、５５１ｂ：第２部分
１５１ｃ、５５１ｃ：第１延出部
１５２、５５２：第２電極領域
１５２ａ、５５２ａ：第３部分
１５２ｂ、５５２ｂ：第４部分
１５２ｃ、５５２ｃ：第２延出部
１５３、５５３：第３電極領域
１６０、５６０：第２電極
１６１、５６１：第１凹部
１６２、５６２：第２凹部
１７１、５７１：第１導電性部材
１７２、５７２：第２導電性部材
１７２ｔ１、５７２ｔ１：第１端部
１７２ｔ２、５７２ｔ２：第２端部
２４４ａ ：部分
２４４ｂ ：部分
３２６ ：部分
３３０ａ ：部分
３５５ ：第５部分
３５６ ：第６部分
５２１ｓ７ ：第７領域
５４７ ：第７開口
Ｃ ：中心
Ｄ１ ：第１方向
Ｄ２ ：第２方向
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４：距離
Ｌｄ１、Ｌｄ２１：第１直線
Ｌｄ２、Ｌｄ２２：第２直線
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】