特許7447392ＳｉＣ基板の評価方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法

発明の名称　ＳｉＣ基板の評価方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法

出願人　日立化成株式会社　（識別番号 4455）

　　　　特許公開件数ランキング 83 位（335件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 46 位（451件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7447392

公報発行日　2024年3月12

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7447392

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