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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-04
(45)【発行日】2024-03-12
(54)【発明の名称】Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石
(51)【国際特許分類】
H01F 1/057 20060101AFI20240305BHJP
C22C 38/00 20060101ALI20240305BHJP
B22F 3/00 20210101ALI20240305BHJP
C22C 33/02 20060101ALI20240305BHJP
B22F 3/24 20060101ALI20240305BHJP
C22C 28/00 20060101ALN20240305BHJP
【ＦＩ】
H01F1/057 170
C22C38/00 303D
B22F3/00 F
C22C33/02 H
B22F3/24 K
C22C28/00 A
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2020056172
(22)【出願日】2020-03-26
(65)【公開番号】P2021057565
(43)【公開日】2021-04-08
【審査請求日】2022-12-26
(31)【優先権主張番号】P 2019176509
(32)【優先日】2019-09-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000005083
【氏名又は名称】株式会社プロテリアル
(74)【代理人】
【識別番号】100101683
【弁理士】
【氏名又は名称】奥田 誠司
(74)【代理人】
【識別番号】100155000
【弁理士】
【氏名又は名称】喜多 修市
(74)【代理人】
【識別番号】100180529
【弁理士】
【氏名又は名称】梶谷 美道
(72)【発明者】
【氏名】野澤 宣介
【審査官】秋山 直人
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１８／０３４２６４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／１３３０７１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１５／０２０１８２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－０４３９６８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－２２３００７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ １／０５７
Ｃ２２Ｃ ３８／００
Ｂ２２Ｆ ３／００
Ｃ２２Ｃ ３３／０２
Ｂ２２Ｆ ３／２４
Ｃ２２Ｃ ２８／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
主相結晶粒及び粒界相を含むＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石であって、Ｒ：２７．０ｍａｓｓ％以上３５．０ｍａｓｓ％以下（Ｒは、ＲＬ及びＲＨからなり、ＲＬは軽希土類元素の少なくとも２種でありＮｄ及びＰｒを必ず含み、ＲＨは重希土類元素の少なくとも１種でありＴｂ及びＤｙの少なくとも一方を必ず含む）、
Ｂ：０．８０ｍａｓｓ％以上１．２０ｍａｓｓ％以下、
Ｇａ：０．２０ｍａｓｓ％以上０．８０ｍａｓｓ％以下、
Ｔ：６１．５ｍａｓｓ％以上（ＴはＦｅとＣｏであり、Ｔの９０ｍａｓｓ％以上がＦｅである）を含有し、
磁石表面から３００μｍの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は０以上０．４５以下であり（[Ｐｒ]はｍａｓｓｓ％で示すＰｒの含有量であり、[Ｎｄ]はｍａｓｓ％で示すＮｄの含有量である）、
磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は２．３以上５．０以下であり、
磁石表面から磁石内部にむかってＲＨ濃度が漸減する部分を含み、
磁石表面から磁石内部にむかってＧａ濃度が漸減する部分を含む、
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
【請求項2】
[Ｔ]はｍａｓｓ％で示すＴの含有量であり、[Ｂ]はｍａｓｓ％で示すＢの含有量とするとき、[Ｔ]／５５．８５＞１４×[Ｂ]／１０．８が成立する、請求項１に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
【請求項3】
前記磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は２．３以上４．０以下である、請求項１又は２に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
【請求項4】
前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石はＣｕを含有し、Ｃｕの含有量は、０．０５ｍａｓｓ％以上０．８０ｍａｓｓ％以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
【請求項5】
Ｇａの含有量はＣｕの含有量よりも多い、請求項４に記載のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に関する。
【背景技術】
【0002】
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石（Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種であり、Ｔは主にＦｅであり、Ｂは硼素である）は永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られており、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、電気自動車用（ＥＶ、ＨＶ、ＰＨＶなど）モータ、産業機器用モータなどの各種モータや家電製品などに使用されている。
【0003】
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主としてＲ２Ｔ１４Ｂ化合物からなる主相と、この主相の粒界部分に位置する粒界相とから構成されている。主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性材料であり、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の特性の根幹をなしている。
【0004】
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、高温で保磁力ＨｃＪ（以下、単に「ＨｃＪ」という）が低下するため不可逆熱減磁が起こるという問題がある。そのため、特に電気自動車用モータに使用されるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石では、高温下でも高いＨｃＪを有する、すなわち室温においてより高いＨｃＪを有することが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】国際公開第２００７／１０２３９１号
【文献】国際公開第２０１６／１３３０７１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物相中の軽希土類元素（主にＮｄ、Ｐｒ）を重希土類元素（主にＤｙ、Ｔｂ）で置換すると、ＨｃＪが向上することが知られている。しかし、ＨｃＪが向上する一方、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物相の飽和磁化が低下するために残留磁束密度Ｂｒ（以下、単に「Ｂｒ」という）が低下してしまうという問題がある。
【0007】
特許文献１には、Ｒ－Ｔ－Ｂ系合金の焼結磁石の表面にＤｙ等の重希土類元素を供給しつつ、重希土類元素を焼結磁石の内部に拡散させることが記載されている。特許文献１に記載の方法は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の表面から内部にＤｙを拡散させてＨｃＪ向上に効果的な主相結晶粒の外殻部にのみＤｙを濃化させることにより、Ｂｒの低下を抑制しつつ、高いＨｃＪを得ることができる。
【0008】
特許文献２には、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結体の表面に特定組成のＲ－Ｇａ－Ｃｕ合金を接触させて熱処理を行うことにより、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石中の粒界相の組成および厚さを制御してＨｃＪを向上させることが記載されている。
【0009】
しかし、近年特に電気自動車用モータなどにおいて重希土類元素の使用量を低減しつつ、更に高いＢｒと高いＨｃＪを得ることが求められている。
【0010】
本開示の様々な実施形態は、重希土類元素の使用量を低減しつつ、高いＢｒと高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、例示的な実施形態において、主相結晶粒及び粒界相を含むＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石であって、Ｒ：２７．０ｍａｓｓ％以上３５．０ｍａｓｓ％以下（Ｒは、ＲＬ及びＲＨからなり、ＲＬは軽希土類元素の少なくとも２種でありＮｄ及びＰｒを必ず含み、ＲＨは重希土類元素の少なくとも１種でありＴｂ及びＤｙの少なくとも一方を必ず含む）、Ｂ：０．８０ｍａｓｓ％以上１．２０ｍａｓｓ％以下、Ｇａ：０．２０ｍａｓｓ％以上０．８０ｍａｓｓ％以下、Ｔ：６１．５ｍａｓｓ％以上（ＴはＦｅとＣｏであり、Ｔの９０ｍａｓｓ％以上がＦｅである）を含有し、磁石表面から３００μｍの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は０以上０．４５以下であり（［Ｐｒ］はｍａｓｓ％で示すＰｒの含有量であり、［Ｎｄ］はｍａｓｓ％で示すＮｄの含有量である）、磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は２．０以上５．０以下であり、磁石表面から磁石内部にむかってＲＨ濃度が漸減する部分を含み、磁石表面から磁石内部にむかってＧａ濃度が漸減する部分を含む。
【0012】
ある実施形態において、[Ｔ]はｍａｓｓ％で示すＴの含有量であり、[Ｂ]はｍａｓｓ％で示すＢの含有量とするとき、[Ｔ]／５５．８５＞１４×[Ｂ]／１０．８が成立する。
【0013】
ある実施形態において、前記磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は２．０以上４．０以下である。
【0014】
ある実施形態において、前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石はＣｕを含有し、Ｃｕの含有量は、０．０５ｍａｓｓ％以上０．８０ｍａｓｓ％以下である。
【0015】
ある実施形態において、Ｇａの含有量はＣｕの含有量よりも多い。
【発明の効果】
【0016】
本開示の実施形態によれば、重希土類元素の使用量を低減しつつ、高いＢｒと高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1A】Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の一部を拡大して模試的に示す断面図である。
【図2】本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法における工程の例を示すフローチャートである。
【図3】本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法における工程の別の例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0018】
まず、本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の基本構造について説明をする。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、原料合金の粉末粒子が焼結によって結合した構造を有しており、主としてＲ２Ｔ１４Ｂ化合物粒子からなる主相と、この主相の粒界部分に位置する粒界相とから構成されている。
【0019】
図１Ａは、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の一部を拡大して模式的に示す断面図であり、図１Ｂは図１Ａの破線矩形領域内を更に拡大して模式的に示す断面図である。図１Ａには、一例として長さ５μｍの矢印が大きさを示す基準の長さとして参考のために記載されている。図１Ａおよび図１Ｂに示されるように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主としてＲ２Ｔ１４Ｂ化合物からなる主相１２と、主相１２の粒界部分に位置する粒界相１４とから構成されている。また、粒界相１４は、図１Ｂに示されるように、２つのＲ２Ｔ１４Ｂ化合物粒子（グレイン）が隣接する二粒子粒界相１４ａと、３つのＲ２Ｔ１４Ｂ化合物粒子が隣接する粒界三重点１４ｂとを含む。典型的な主相結晶粒径は磁石断面の円相当径の平均値で３μｍ以上１０μｍ以下である。主相１２であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性材料である。したがって、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石では、主相１２であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物の存在比率を高めることによってＢｒを向上させることができる。Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物の存在比率を高めるためには、原料合金中のＲ量、Ｔ量、Ｂ量を、Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物の化学量論比（Ｒ量：Ｔ量：Ｂ量＝２：１４：１）に近づければよい。
【0020】
また、主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物の軽希土類元素（主にＮｄ）の一部をＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの重希土類元素で置換することによって飽和磁化を下げつつ、主相の異方性磁界を高められることが知られている。特に二粒子粒界相と接する主相外殻は磁化反転の起点となりやすいため、主相外殻に優先的に重希土類元素を置換できる重希土類拡散技術は、飽和磁化の低下を抑制しつつ効率的に高いＨｃＪが得られる。
【0021】
一方、二粒子粒界相１４ａの磁性を制御することによっても、高いＨｃＪが得られることが知られている。具体的には二粒子粒界相中の磁性元素(Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等)の濃度を下げることによって、二粒子粒界相を非磁性に近づけることで、主相同士の磁気的な結合を弱めて磁化反転を抑制することができる。
【0022】
本発明者は検討の結果、例えば特許文献２に記載のように、Ｒ（主にＰｒやＮｄ）やＧａを磁石表面から磁石内部（深さ方向）に拡散させる場合、特にＨｃＪに影響すると考えられる二粒子粒界におけるＰｒ濃度を高い特定範囲にすることで、ＨｃＪを大幅に向上させることができることを見出した。これは二粒子粒界におけるＰｒ濃度を高くすることにより二粒子粒界相の幅がより広がり易くなり、主相同士の磁気的な相互作用をより低減できるからだと考えられる。さらに、ＰｒとＧａと共にＲＨ（ＲＨは重希土類元素の少なくとも１種でありＴｂ及びＤｙの少なくとも一方を必ず含む）を拡散させると、少ないＲＨでも拡散による主相外殻の異方性磁界の向上が顕著に起こり、Ｂｒの低下を抑制しつつ、ＨｃＪを大幅に向上させることができることがわかった。これにより得られた本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、高いＢｒと高いＨｃＪを有することができる。二粒子粒界におけるＰｒ濃度を高い特定範囲とし、少ないＲＨでも拡散による主相外殻の異方性磁界の向上を顕著にするためには、例えば、後述する拡散合金のＲＨの含有量を低くした上でＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面への付着量を比較的多い特定範囲に管理してＰｒ、ＲＨ、Ｇａの全てを拡散させる方法や後述する第一拡散工程及び第二拡散工程を行う方法により達成することができる。
【0023】
（Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石）
本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主相結晶粒及び粒界相を含み、
Ｒ：２７．０ｍａｓｓ％以上３５．０ｍａｓｓ％以下（Ｒは、ＲＬ及びＲＨからなり、ＲＬは軽希土類元素の少なくとも２種でありＮｄ及びＰｒを必ず含み、ＲＨは重希土類元素の少なくとも１種でありＴｂ及びＤｙの少なくとも一方を必ず含む）、
Ｂ：０．８０ｍａｓｓ％以上１．２０ｍａｓｓ％以下、
Ｇａ：０．２０ｍａｓｓ％以上０．８０ｍａｓｓ％以下、
Ｔ：６１．５ｍａｓｓ％以上（ＴはＦｅとＣｏであり、Ｔの９０ｍａｓｓ％以上がＦｅである）を含有する。
本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主相結晶粒及び粒界相を含み、
Ｒ：２７．０ｍａｓｓ％以上３５．０ｍａｓｓ％以下（Ｒは、ＲＬ及びＲＨからなり、ＲＬは軽希土類元素の少なくとも２種でありＮｄ及びＰｒを必ず含み、ＲＨは重希土類元素の少なくとも１種でありＴｂ及びＤｙの少なくとも一方を必ず含む）、
Ｂ：０．８０ｍａｓｓ％以上１．２０ｍａｓｓ％以下、
Ｇａ：０．２０ｍａｓｓ％以上０．８０ｍａｓｓ％以下、
Ｔ：６１．５ｍａｓｓ％以上（ＴはＦｅとＣｏであり、Ｔの９０ｍａｓｓ％以上がＦｅである）を含有する。
【0024】
Ｒが２７．０ｍａｓｓ％未満では焼結過程で液相が十分に生成せず、焼結体を充分に緻密化することが困難になる可能性がある。一方、Ｒが３５ｍａｓｓ％を超えると焼結時に粒成長が起こり、ＨｃＪが低下する可能性がある。Ｒは２８ｍａｓｓ％以上３３ｍａｓｓ％以下であることが好ましい。より高いＢｒを得ることが出来る。本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、ＲＨの使用量を低減しつつ、高いＢｒと高いＨｃＪを得ることができるため、より高いＨｃＪを求められる場合でもＲＨの添加量を削減できる。典型的にはＲＨの含有量を５ｍａｓｓ％以下とすることができ、好ましくはＲＨの含有量は３ｍａｓｓ％以下であり、もっとも好ましくは、ＲＨの含有量は０．１ｍａｓｓ％以上１．０ｍａｓｓ％以下である。
【0025】
Ｂが０．８０ｍａｓｓ％未満ではＢｒが低下する可能性がある。一方、Ｂが１．２０ｍａｓｓ％を超えると高いＨｃＪが得られない可能性がある。Ｂは０．８７ｍａｓｓ％以上０．９２ｍａｓｓ％以下が好ましく、０．８８ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下がさらに好ましい。より高いＢｒと高いＨｃＪを得ることができる。
【0026】
Ｇａが０．２０ｍａｓｓ％未満では高いＨｃＪが得られない可能性がある。一方、Ｇａが０．８０ｍａｓｓ％を超えるとＢｒが低下する可能性がある。Ｇａは０．３０ｍａｓｓ％以上０．７０ｍａｓｓ％未満が好ましく、０．４０ｍａｓｓ％以上０．６０ｍａｓｓ％以下がさらに好ましい。より高いＢｒと高いＨｃＪを得ることができる。
【0027】
Ｔが６１．５ｍａｓｓ％未満ではＢｒが大幅に低下するおそれがある。そのためＴの含有量は６１．５ｍａｓｓ％以上である。ＴにおけるＦｅの割合がｍａｓｓ比で９０％未満の場合、Ｂｒが低下するおそれがある。そのため、Ｔ含有量におけるＣｏ含有量の割合は、Ｔ含有量全体の１０％以下が好ましく、２．５％以下がより好ましい。
【0028】
好ましくは、より高いＨｃＪを得るために本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、[Ｔ]はｍａｓｓ％で示すＴの含有量であり、[Ｂ]はｍａｓｓ％で示すＢの含有量とするとき、[Ｔ]／５５．８５＞１４×[Ｂ]／１０．８が成立する。この不等式を満足するということは、Ｂの含有量がＲ２Ｔ１４Ｂ化合物の化学量論組成比よりも少ない、すなわち、主相（Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物）形成に使われるＴ量に対して相対的にＢ量が少ないことを意味している。また、同様に、より高いＨｃＪを得るために本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石はＣｕを含有し、Ｃｕの含有量は、０．０５ｍａｓｓ％以上０．８０ｍａｓｓ％以下であることが好ましく、Ｇａの含有量はＣｕの含有量よりも多いことが好ましい。
【0029】
さらに本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、
磁石表面から３００μｍの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は０以上０．４５以下であり、
磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は２．０以上５．０以下であり、
磁石表面から磁石内部にむかってＲＨ濃度が漸減する部分を含み、
磁石表面から磁石内部にむかってＧａ濃度が漸減する部分を含む。
磁石表面から３００μｍの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は０以上０．４５以下であり、
磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は２．０以上５．０以下であり、
磁石表面から磁石内部にむかってＲＨ濃度が漸減する部分を含み、
磁石表面から磁石内部にむかってＧａ濃度が漸減する部分を含む。
【0030】
磁石表面から３００μｍの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は０以上０．４５以下であるということは、主相結晶粒におけるＲはＮｄが主成分であることを示している。［Ｐｒ］はｍａｓｓ％で示すＰｒの含有量であり、［Ｎｄ］はｍａｓｓ％で示すＮｄの含有量である。主相結晶粒の中央部における前記（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））が０以上０．４５以下の範囲外であると、主相結晶粒のＰｒの濃度が高くなり、ＨｃＪの温度係数が低下する可能性がある。
【0031】
磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は２．０以上５．０以下であるということは、二粒子粒界におけるＲはＰｒ濃度がＮｄよりも高い特定範囲にあることを示している。二粒子粒界内における前記（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））が２．０未満であるとＰｒの濃度が低いため高いＨｃＪが得られない。また、５．０を超えるとＰｒの濃度が高すぎるため、結果として多量のＰｒを拡散させることとなりＢｒが大きく低下する。また、二粒子粒界に隣接する主相結晶粒のＰｒ濃度が高くなりＨｃＪの温度係数が低下する。好ましくはより高いＨｃＪを得るために、本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は２．０以上４．０以下であり、さらに好ましくは、２．３以上３．５以下である。最も好ましくは、２．３以上３．０以下である。
【0032】
なお、Ｐｒ及びＮｄの濃度は例えば以下の様にして求める。まず、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の磁石断面における結晶粒（主相結晶粒）及び二粒子粒界を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて観察する。主相結晶粒及び二粒子粒界を観察する箇所はいずれもＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の表面から３００μｍにおける任意の磁石断面である。次に、主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界（二粒子粒界内の任意の場所）が含有するＰｒの濃度（ｍａｓｓ％）及びＮｄの濃度（ｍａｓｓ％）をエネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）にて組成分析する。そして、Ｎｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は、Ｐｒの濃度（ｍａｓｓ％）にＰｒの原子量を除したもの（ａ）と、Ｎｄの濃度（ｍａｓｓ％）にＮｄの原子量で除したもの（ｂ）との比（ａ／ｂ）である。
【0033】
また、「磁石表面から３００μｍの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は０以上０．４５以下であり、磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））は２．０以上５．０以下であり」という条件は、必ずしも磁石全面の磁石表面から３００μｍの深さ全ての主相結晶粒及び二粒界粒界内において満たされる必要はなく、磁石の一部が前記条件を満たしているだけでもよい。これは、高いＢｒ及び高いＨｃＪを得る必要がある場所が必ずしも磁石全体ではなく、磁石の一部分でもよい場合（例えば、磁石がモータに使用される場合、磁石端部において高いＢｒ及び高いＨｃＪが必要となる場合がある）があるからである。
【0034】
「磁石表面から磁石内部にむかってＲＨ濃度が漸減する部分を含み」、「磁石表面から磁石内部にむかってＧａ濃度が漸減する部分を含む」ということは、ＲＨおよびＧａが磁石表面から磁石内部に拡散された状態にあることを意味している。「磁石表面から磁石内部にむかってＲＨ濃度が漸減する部分を含み」、「磁石表面から磁石内部にむかってＧａ濃度が漸減する部分を含む」は、例えば、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の任意の断面における磁石表面から磁石中央付近までをエネルギー分散型Ｘ線分光方法（ＥＤＸ）により線分析（ライン分析）することにより確認することができる。ＲＨおよびＧａ濃度は、測定部位が主相結晶粒（Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物粒子）や粒界であったり、拡散前のＲ１－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材や拡散時に生じるＲＨおよびＧａを含む化合物の種類や有無により局所的にはＲＨおよびＧａの濃度はそれぞれ下がったり、上がったりする場合がある。しかしながら、全体的なＲＨおよびＧａの濃度はそれぞれ磁石内部に行くに従い漸減して（徐々に濃度が低くなって）いく。よって局所的に濃度が下がったり、上がったりしていたとしても、磁石表面から磁石内部へ少なくとも２００μｍの深さにおいて全体的にＲＨおよびＧａ量がそれぞれ漸減していれば、本開示の磁石表面から磁石内部にＲＨおよびＧａ濃度が漸減する部分を含むとする。なお、ＲＨの磁石表面から磁石内部への拡散は、ＲＨがＴｂであることが好ましい。すなわち、磁石表面から磁石内部にむかってＴｂ濃度が漸減する部分を含むことが好ましい。より高いＨｃＪを得ることができる。
【0035】
本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、例えば、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面から粒界を通じて磁石素材内部へ、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金に含有されるＲＬ１、ＲＨおよびＭ１を拡散させることにより得ることができる。本発明者による検討の結果、特に、磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））が２．０以上５．０以下である本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得るためには、後述するように、例えば、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金中のＲＨの含有量を低くした上でＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面への付着量を比較的多い特定範囲に管理してＲＬ１、ＲＨ、Ｍ１の全てを拡散させる方法が有効であることがわかった。また、例えば、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材とＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金とを付着させて拡散させた後に（第一拡散工程）、さらに、前記第一拡散工程が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材とＲＬ２－Ｍ２系合金とを付着させて熱処理を実施することでＲＬ２およびＭ２を更に磁石表面から磁石素材内部へ拡散させる（第二拡散工程）ことで、より確実に本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができることがわかった。但し、本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、これらの方法に限定されない。本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石になるように、ＲＬ１やＲＬ２、ＲＨ、Ｍ１やＭ２を磁石表面から内部に拡散することができれば、その方法は特に問わない。
【0036】
（Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法）
本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、ある実施形態において、図２に示すように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程Ｓ１０とＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備する工程Ｓ２０とを含む。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程Ｓ１０とＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を準備する工程Ｓ２０との順序は任意であり、それぞれ、異なる場所で製造されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材およびＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を用いてもよい。
本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、図２に示すように、更に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面の少なくとも一部にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱する拡散工程Ｓ３０を含む。前記拡散工程Ｓ３０における前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量は４ｍａｓｓ％以上１５ｍａｓｓ％以下が好ましい。
本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、ある実施形態において、図２に示すように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程Ｓ１０とＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備する工程Ｓ２０とを含む。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程Ｓ１０とＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を準備する工程Ｓ２０との順序は任意であり、それぞれ、異なる場所で製造されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材およびＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を用いてもよい。
本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、図２に示すように、更に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面の少なくとも一部にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱する拡散工程Ｓ３０を含む。前記拡散工程Ｓ３０における前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量は４ｍａｓｓ％以上１５ｍａｓｓ％以下が好ましい。
【0037】
なお、本開示において、拡散工程前および拡散工程中（後述する別のある実施形態においては第二拡散工程前および第二拡散工程中）のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を「Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材」と称し、拡散工程後（後述する別のある実施形態においては第二拡散工程後）のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を単に「Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石」と称する。
【0038】
（Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程）
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は例えば、以下の組成範囲を有する。
Ｒ：２７．０～３５．０ｍａｓｓ％、
Ｂ：０．８０～１．２０ｍａｓｓ％、
Ｇａ：０～０．８０ｍａｓｓ％、
Ｔ：６１．５ｍａｓｓ％以上を含有する。
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は例えば、以下の組成範囲を有する。
Ｒ：２７．０～３５．０ｍａｓｓ％、
Ｂ：０．８０～１．２０ｍａｓｓ％、
Ｇａ：０～０．８０ｍａｓｓ％、
Ｔ：６１．５ｍａｓｓ％以上を含有する。
【0039】
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は、Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石に代表される一般的なＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法を用いて準備することができる。一例を挙げると、ストリップキャスト法等で作製された原料合金を、ジェットミルなどを用いて３μｍ以上１０μｍ以下に粉砕した後、磁界中で成形し、９００℃以上１１００℃以下の温度で焼結することにより準備することができる。
【0040】
（ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備する工程）
前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金において、例えば、ＲＬ１は、軽希土類元素の少なくとも１種でありＰｒを必ず含み、ＲＬ１全体に対するＰｒの含有量は５５ｍａｓｓ％以上である。ＲＬ１全体に対するＰｒの含有量は７０ｍａｓｓ％以上がさらに好ましい。ＲＬ１の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金全体の６０ｍａｓｓ％以上９７ｍａｓｓ％以下である。ＲＨ（ＲＨは重希土類元素の少なくとも１種でありＴｂ及びＤｙの少なくとも一方を必ず含む）の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金全体の１ｍａｓｓ％以上８ｍａｓｓ％以下である。Ｍ１は、Ｇａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびＡｌからなる群から選択された少なくとも１つであり、Ｍ１は、Ｇａを必ず含み、Ｍ１全体に対するＧａの含有量は５０ｍａｓｓ％以上である。Ｍ１の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金全体の２ｍａｓｓ％以上３９ｍａｓｓ％以下である。ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の典型例は、ＴｂＮｄＰｒＣｕ合金、ＤｙＮｄＣｅＰｒＣｕ合金、ＴｂＮｄＰｒＧａＣｕ合金などである。また、ＲＬ１―Ｍ１合金と共にＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物等を準備してもよい。ＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物としては、例えば、ＴｂＦ３、ＤｙＦ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｔｂ４ＯＦ、Ｄｙ４ＯＦが挙げられる。ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金は、ＲＬ１、ＲＨおよびＭ１それぞれの含有量を調整することにより、上述した元素以外の元素（例えばＳｉ、Ｍｎ等）を少量（例えば合計で２ｍａｓｓ％程度）含有してもよい。
前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金において、例えば、ＲＬ１は、軽希土類元素の少なくとも１種でありＰｒを必ず含み、ＲＬ１全体に対するＰｒの含有量は５５ｍａｓｓ％以上である。ＲＬ１全体に対するＰｒの含有量は７０ｍａｓｓ％以上がさらに好ましい。ＲＬ１の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金全体の６０ｍａｓｓ％以上９７ｍａｓｓ％以下である。ＲＨ（ＲＨは重希土類元素の少なくとも１種でありＴｂ及びＤｙの少なくとも一方を必ず含む）の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金全体の１ｍａｓｓ％以上８ｍａｓｓ％以下である。Ｍ１は、Ｇａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびＡｌからなる群から選択された少なくとも１つであり、Ｍ１は、Ｇａを必ず含み、Ｍ１全体に対するＧａの含有量は５０ｍａｓｓ％以上である。Ｍ１の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金全体の２ｍａｓｓ％以上３９ｍａｓｓ％以下である。ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の典型例は、ＴｂＮｄＰｒＣｕ合金、ＤｙＮｄＣｅＰｒＣｕ合金、ＴｂＮｄＰｒＧａＣｕ合金などである。また、ＲＬ１―Ｍ１合金と共にＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物等を準備してもよい。ＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物としては、例えば、ＴｂＦ３、ＤｙＦ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｔｂ４ＯＦ、Ｄｙ４ＯＦが挙げられる。ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金は、ＲＬ１、ＲＨおよびＭ１それぞれの含有量を調整することにより、上述した元素以外の元素（例えばＳｉ、Ｍｎ等）を少量（例えば合計で２ｍａｓｓ％程度）含有してもよい。
【0041】
ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の作製方法は、特に限定されない。ロール急冷法によって作製してもよいし、鋳造法で作製してもよい。また、これらの合金を粉砕して合金粉末にしてもよい。遠心アトマイズ法、回転電極法、ガスアトマイズ法、プラズマアトマイズ法などの公知のアトマイズ法で作製してもよい。
【0042】
（拡散工程）
前記によって準備したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の表面の少なくとも一部に、前記によって準備したＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱する拡散工程を行う。これにより、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金からＲＬ１、ＲＨおよびＭ１を含む液相が生成し、その液相がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。拡散工程における前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量を４ｍａｓｓ%以上１５ｍａｓｓ%以下で、かつ、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金による前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＨの付着量を０．１ｍａｓｓ％以上０．６ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。これにより、本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができ、高いＢｒと高いＨｃＪが得られる。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量が４ｍａｓｓ％未満であると、磁石素材内部へのＲＨおよびＲＬ１（特にＰｒ）およびＭ１（特にＧａ）の導入量が少なすぎて高いＨｃＪを得ることができない可能性があり、１５ｍａｓｓ％を超えると、ＲＨおよびＲＬ１およびＭ１の導入量が多すぎてＢｒが大幅に低下したり、重希土類元素の使用量が増加し過ぎてしまうだけでなく、磁石内部まで拡散しきれないＲＬ－ＲＨ－Ｍ系合金が磁石表面に残存し、耐食性や加工性など別の問題が発生する可能性がある。好ましくは、前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量は５ｍａｓｓ%以上１０ｍａｓｓ%以下である。より高いＨｃＪを得ることができる。また、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金による前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＨの付着量が０．１ｍａｓｓ％未満であると、ＲＨによるＨｃＪ向上効果が得られない可能性があり、０．６ｍａｓｓ％を超えると重希土類元素の使用量を低減しつつ、高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができない。好ましくは、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金による前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＨの付着量が０．１ｍａｓｓ％以上０．５ｍａｓｓ％以下である。ここで、ＲＨの付着量は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に付着しているＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金が含有するＲＨの量であり、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材のｍａｓｓを１００ｍａｓｓ％としたときのｍａｓｓ比率によって規定される。
前記によって準備したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の表面の少なくとも一部に、前記によって準備したＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱する拡散工程を行う。これにより、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金からＲＬ１、ＲＨおよびＭ１を含む液相が生成し、その液相がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。拡散工程における前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量を４ｍａｓｓ%以上１５ｍａｓｓ%以下で、かつ、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金による前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＨの付着量を０．１ｍａｓｓ％以上０．６ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。これにより、本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができ、高いＢｒと高いＨｃＪが得られる。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量が４ｍａｓｓ％未満であると、磁石素材内部へのＲＨおよびＲＬ１（特にＰｒ）およびＭ１（特にＧａ）の導入量が少なすぎて高いＨｃＪを得ることができない可能性があり、１５ｍａｓｓ％を超えると、ＲＨおよびＲＬ１およびＭ１の導入量が多すぎてＢｒが大幅に低下したり、重希土類元素の使用量が増加し過ぎてしまうだけでなく、磁石内部まで拡散しきれないＲＬ－ＲＨ－Ｍ系合金が磁石表面に残存し、耐食性や加工性など別の問題が発生する可能性がある。好ましくは、前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量は５ｍａｓｓ%以上１０ｍａｓｓ%以下である。より高いＨｃＪを得ることができる。また、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金による前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＨの付着量が０．１ｍａｓｓ％未満であると、ＲＨによるＨｃＪ向上効果が得られない可能性があり、０．６ｍａｓｓ％を超えると重希土類元素の使用量を低減しつつ、高いＨｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができない。好ましくは、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金による前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＨの付着量が０．１ｍａｓｓ％以上０．５ｍａｓｓ％以下である。ここで、ＲＨの付着量は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に付着しているＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金が含有するＲＨの量であり、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材のｍａｓｓを１００ｍａｓｓ％としたときのｍａｓｓ比率によって規定される。
【0043】
拡散工程は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面に、任意形状のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を配置し、公知の熱処理装置を用いて行うことができる。例えば、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面をＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金の粉末層で覆い、拡散工程を行うことができる。例えば、塗布対象の表面に粘着剤を塗布する塗布工程と、粘着剤を塗布した領域にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を付着させる工程を行ってもよい。粘着剤としては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）、ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）などが挙げられる。粘着剤が水系の粘着剤の場合、塗布の前にＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を予備的に加熱してもよい。予備加熱の目的は余分な溶媒を除去し粘着力をコントロールすること、及び、均一に粘着剤を付着させることである。加熱温度は６０～２００℃が好ましい。揮発性の高い有機溶媒系の粘着剤の場合はこの工程は省略してもよい。また、例えばＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を分散媒中に分散させたスラリーをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面に塗布した後、分散媒を蒸発させＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金とＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材とを付着させてもよい。なお、分散媒として、アルコール（エタノール等）、アルデヒドおよびケトンを例示できる。またＲＨは、ＲＬ１―Ｍ１合金と共にＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物等をＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面に配置することにより導入してもよい。すなわち、ＲＨと共にＲＬ１およびＭ１を同時に拡散させることができればその方法は特に問わない。
【0044】
また、ＲＬ１－ＲＨ―Ｍ１合金の少なくとも一部がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の少なくとも一部に付着していれば、その配置位置は特に問わないが、好ましくは、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金は、少なくともＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の配向方向に対して垂直な表面に付着させるように配置する。より効率よくＲＬ１、ＲＨおよびＭ１を含む液相を磁石表面から内部に拡散導入させることができる。この場合、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の配向方向のみにＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を付着させても、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を付着させてもよい。
【0045】
（熱処理を実施する工程）
好ましくは、拡散工程が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に対して、真空又は不活性ガス雰囲気中、４００℃以上７５０℃以下で、かつ、前記拡散工程で実施した温度よりも低い温度で熱処理を行う。熱処理を行うことにより、より高いＨｃＪを得ることができる。
好ましくは、拡散工程が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に対して、真空又は不活性ガス雰囲気中、４００℃以上７５０℃以下で、かつ、前記拡散工程で実施した温度よりも低い温度で熱処理を行う。熱処理を行うことにより、より高いＨｃＪを得ることができる。
【0046】
本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、別の実施形態において、図３に示すように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程Ｓ５０とＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備する工程Ｓ６０およびＲＬ２－Ｍ２系合金を準備する工程Ｓ６１を含む。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程Ｓ５０とＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を準備する工程Ｓ６０およびＲＬ１－Ｍ２系合金を準備する工程Ｓ６１の順序は任意であり、それぞれ、異なる場所で製造されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金およびＲＬ２－Ｍ２合金を用いてもよい。本開示によるＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法は、図３に示すように、更に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面の少なくとも一部にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱する第一拡散工程Ｓ７０と第一拡散工程が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の表面の少なくとも一部に、前記ＲＬ２－Ｍ２系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、４００℃以上６００℃以下の温度で加熱する第二拡散工程Ｓ７１を含む。
【0047】
（Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程）
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は例えば、以下の組成範囲を有する。
Ｒ：２７．０～３５．０ｍａｓｓ％、
Ｂ：０．８０～１．２０ｍａｓｓ％、
Ｇａ：０～０．８０ｍａｓｓ％、
Ｔ：６１．５ｍａｓｓ％以上
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は例えば、以下の組成範囲を有する。
Ｒ：２７．０～３５．０ｍａｓｓ％、
Ｂ：０．８０～１．２０ｍａｓｓ％、
Ｇａ：０～０．８０ｍａｓｓ％、
Ｔ：６１．５ｍａｓｓ％以上
【0048】
Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材は、Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石に代表される一般的なＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法を用いて準備することができる。一例を挙げると、ストリップキャスト法等で作製された原料合金を、ジェットミルなどを用いて３μｍ以上１０μｍ以下に粉砕した後、磁界中で成形し、９００℃以上１１００℃以下の温度で焼結することにより準備することができる。
【0049】
（ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備する工程）
ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金において、例えば、ＲＬ１は、軽希土類元素の少なくとも１種でありＰｒを必ず含み、ＲＬ１全体に対するＰｒの含有量は５５ｍａｓｓ％以上である。ＲＬ１全体に対するＰｒの含有量は７０ｍａｓｓ％以上がさらに好ましい。ＲＬ１の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金全体の６０ｍａｓｓ％以上９７ｍａｓｓ％以下である。ＲＨ（ＲＨは重希土類元素の少なくとも１種でありＴｂ及びＤｙの少なくとも一方を必ず含む）の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金全体の１ｍａｓｓ％以上８ｍａｓｓ％以下である。Ｍ１は、Ｇａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびＡｌからなる群から選択された少なくとも１つであり、Ｍ１は、Ｇａを必ず含み、Ｍ１全体に対するＧａの含有量は５０ｍａｓｓ％以上である。Ｍ１の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金全体の２ｍａｓｓ％以上３９ｍａｓｓ％以下である。ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の典型例は、ＴｂＮｄＰｒＣｕ合金、ＴｂＮｄＣｅＰｒＣｕ合金、ＴｂＮｄＰｒＧａＣｕ合金などである。また、ＲＬ１―Ｍ１合金と共にＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物等を準備してもよい。ＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物としては、例えば、ＴｂＦ３、ＤｙＦ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｔｂ４ＯＦ、Ｄｙ４ＯＦが挙げられる。
ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金において、例えば、ＲＬ１は、軽希土類元素の少なくとも１種でありＰｒを必ず含み、ＲＬ１全体に対するＰｒの含有量は５５ｍａｓｓ％以上である。ＲＬ１全体に対するＰｒの含有量は７０ｍａｓｓ％以上がさらに好ましい。ＲＬ１の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金全体の６０ｍａｓｓ％以上９７ｍａｓｓ％以下である。ＲＨ（ＲＨは重希土類元素の少なくとも１種でありＴｂ及びＤｙの少なくとも一方を必ず含む）の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金全体の１ｍａｓｓ％以上８ｍａｓｓ％以下である。Ｍ１は、Ｇａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびＡｌからなる群から選択された少なくとも１つであり、Ｍ１は、Ｇａを必ず含み、Ｍ１全体に対するＧａの含有量は５０ｍａｓｓ％以上である。Ｍ１の含有量は、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金全体の２ｍａｓｓ％以上３９ｍａｓｓ％以下である。ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の典型例は、ＴｂＮｄＰｒＣｕ合金、ＴｂＮｄＣｅＰｒＣｕ合金、ＴｂＮｄＰｒＧａＣｕ合金などである。また、ＲＬ１―Ｍ１合金と共にＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物等を準備してもよい。ＲＨのフッ化物、酸化物、酸フッ化物としては、例えば、ＴｂＦ３、ＤｙＦ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｔｂ４ＯＦ、Ｄｙ４ＯＦが挙げられる。
【0050】
ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金は、ＲＬ１、ＲＨおよびＭ１それぞれの含有量を調整することにより、上述した元素以外の元素（例えばＳｉ、Ｍｎ等）を少量（例えば合計で２ｍａｓｓ％程度）含有してもよい。
【0051】
ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の作製方法は、特に限定されない。ロール急冷法によって作製してもよいし、鋳造法で作製してもよい。また、これらの合金を粉砕して合金粉末にしてもよい。遠心アトマイズ法、回転電極法、ガスアトマイズ法、プラズマアトマイズ法などの公知のアトマイズ法で作製してもよい。
【0052】
（ＲＬ２－Ｍ２系合金を準備する工程）
ＲＬ２－Ｍ２系合金において、例えば、ＲＬ２は、軽希土類元素の少なくとも１種でありＰｒを必ず含み、ＲＬ２全体に対するＰｒの含有量は５５ｍａｓｓ％以上である。ＲＬ２全体に対するＰｒの含有量は７０ｍａｓｓ％以上がさらに好ましい。ＲＬ２の含有量は、ＲＬ２－Ｍ２系合金全体の６０ｍａｓｓ％以上９７ｍａｓｓ％以下であり、Ｍ２は、Ｇａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびＡｌからなる群から選択された少なくとも１つであり、Ｍ２は、Ｇａを必ず含み、Ｍ２全体に対するＧａの含有量は５０ｍａｓｓ％以上である。Ｍ２の含有量は、ＲＬ２－Ｍ２系合金全体の３ｍａｓｓ％以上４０ｍａｓｓ％以下である。ＲＬ２－Ｍ２系合金の典型例は、ＮｄＰｒＣｕ合金、ＮｄＣｅＰｒＣｕ合金、ＮｄＰｒＧａＣｕ合金などである。
ＲＬ２－Ｍ２系合金において、例えば、ＲＬ２は、軽希土類元素の少なくとも１種でありＰｒを必ず含み、ＲＬ２全体に対するＰｒの含有量は５５ｍａｓｓ％以上である。ＲＬ２全体に対するＰｒの含有量は７０ｍａｓｓ％以上がさらに好ましい。ＲＬ２の含有量は、ＲＬ２－Ｍ２系合金全体の６０ｍａｓｓ％以上９７ｍａｓｓ％以下であり、Ｍ２は、Ｇａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびＡｌからなる群から選択された少なくとも１つであり、Ｍ２は、Ｇａを必ず含み、Ｍ２全体に対するＧａの含有量は５０ｍａｓｓ％以上である。Ｍ２の含有量は、ＲＬ２－Ｍ２系合金全体の３ｍａｓｓ％以上４０ｍａｓｓ％以下である。ＲＬ２－Ｍ２系合金の典型例は、ＮｄＰｒＣｕ合金、ＮｄＣｅＰｒＣｕ合金、ＮｄＰｒＧａＣｕ合金などである。
【0053】
ＲＬ２－Ｍ２系合金は、ＲＬ２およびＭ２それぞれの含有量を調整することにより、上述した元素以外の元素（例えばＳｉ、Ｍｎ等）を少量（例えば合計で２ｍａｓｓ％程度）含有してもよい。
【0054】
ＲＬ２－Ｍ２系合金の作製方法は、特に限定されない。ロール急冷法によって作製してもよいし、鋳造法で作製してもよい。また、これらの合金を粉砕して合金粉末にしてもよい。遠心アトマイズ法、回転電極法、ガスアトマイズ法、プラズマアトマイズ法などの公知のアトマイズ法で作製してもよい。
【0055】
（第一拡散工程）
前記によって準備したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の表面の少なくとも一部に、前記によって準備したＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱する第一拡散工程を行う。これにより、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金からＲＬ１、ＲＨおよびＭ１を含む液相が生成し、その液相がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。第一拡散工程における前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量を４ｍａｓｓ%以上１５ｍａｓｓ%以下で、かつ、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金による前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＨの付着量を０．１ｍａｓｓ％以上０．６ｍａｓｓ％以下とする。好ましくは、前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量は５ｍａｓｓ%以上１０ｍａｓｓ%以下であり、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金による前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＨの付着量は０．１ｍａｓｓ％以上０．５ｍａｓｓ％以下である。より高いＨｃＪを得ることができる。
前記によって準備したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の表面の少なくとも一部に、前記によって準備したＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で加熱する第一拡散工程を行う。これにより、ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金からＲＬ１、ＲＨおよびＭ１を含む液相が生成し、その液相がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。第一拡散工程における前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量を４ｍａｓｓ%以上１５ｍａｓｓ%以下で、かつ、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金による前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＨの付着量を０．１ｍａｓｓ％以上０．６ｍａｓｓ％以下とする。好ましくは、前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の付着量は５ｍａｓｓ%以上１０ｍａｓｓ%以下であり、前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金による前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材へのＲＨの付着量は０．１ｍａｓｓ％以上０．５ｍａｓｓ％以下である。より高いＨｃＪを得ることができる。
【0056】
第一拡散工程は、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面に、任意形状のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１合金を配置し、公知の熱処理装置を用いて行うことができる。
【0057】
（第二拡散工程）
前記第一拡散工程が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の表面の少なくとも一部に、前記ＲＬ２－Ｍ２系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、４００℃以上６００℃以下の温度で加熱する第二拡散工程を行う。これにより、ＲＬ２－Ｍ２合金からＲＬ２およびＭ２を含む液相が生成し、その液相がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。第二拡散工程における前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ２－Ｍ２系合金の付着量を１ｍａｓｓ%以上１５ｍａｓｓ%以下とする。これにより、より確実に本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができ、高いＢｒと高いＨｃＪが得られる。付着量が１ｍａｓｓ％未満であると、磁石素材内部へのＲＬ２およびＭ２の導入量が少なすぎて高いＨｃＪを得ることができない可能性がある。一方、付着量が１５ｍａｓｓ％を超えるとＲＬ２およびＭ２の導入量が多すぎてＢｒが大幅に低下したり、磁石内部まで拡散しきれないＲＬ２－Ｍ２系合金が磁石表面に残存し、耐食性や加工性など別の問題が発生する可能性がある。好ましくは、前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ２－Ｍ２系合金の付着量は２ｍａｓｓ%以上１０ｍａｓｓ%以下である。より高いＨｃＪを得ることができる。
前記第一拡散工程が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の表面の少なくとも一部に、前記ＲＬ２－Ｍ２系合金の少なくとも一部を付着させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、４００℃以上６００℃以下の温度で加熱する第二拡散工程を行う。これにより、ＲＬ２－Ｍ２合金からＲＬ２およびＭ２を含む液相が生成し、その液相がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材中の粒界を経由して焼結素材表面から内部に拡散導入される。第二拡散工程における前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ２－Ｍ２系合金の付着量を１ｍａｓｓ%以上１５ｍａｓｓ%以下とする。これにより、より確実に本開示のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を得ることができ、高いＢｒと高いＨｃＪが得られる。付着量が１ｍａｓｓ％未満であると、磁石素材内部へのＲＬ２およびＭ２の導入量が少なすぎて高いＨｃＪを得ることができない可能性がある。一方、付着量が１５ｍａｓｓ％を超えるとＲＬ２およびＭ２の導入量が多すぎてＢｒが大幅に低下したり、磁石内部まで拡散しきれないＲＬ２－Ｍ２系合金が磁石表面に残存し、耐食性や加工性など別の問題が発生する可能性がある。好ましくは、前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への前記ＲＬ２－Ｍ２系合金の付着量は２ｍａｓｓ%以上１０ｍａｓｓ%以下である。より高いＨｃＪを得ることができる。
【0058】
第二拡散工程は、第一拡散工程と同様に、前記第一拡散工程が実施されたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材表面に、任意形状のＲＬ２－Ｍ２合金を配置し、公知の熱処理装置を用いて行うことができる。また第一拡散工程と同様に、ＲＬ２―Ｍ２合金の少なくとも一部がＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の少なくとも一部に付着していれば、その配置位置は特に問わないが、好ましくは、ＲＬ２－Ｍ２合金は、少なくともＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の配向方向に対して垂直な表面に付着させるように配置する。より効率よくＲＬ２およびＭ２を含む液相を磁石表面から内部に拡散導入させることができる。この場合、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の配向方向のみにＲＬ２－Ｍ２合金を付着させても、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面にＲＬ２－Ｍ２合金を付着させてもよい。
【0059】
本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【実施例】
【0060】
（実施例１）
［Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材（磁石素材）を準備する工程］
各元素を秤量しストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２～０．４ｍｍのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕した後、５５０℃まで真空中で加熱後冷却する脱水素処理を施し粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０４ｍａｓｓ％添加、混合した後、気流式粉砕機（ジェットミル装置）を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。なお、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積中心値（体積基準メジアン径）である。
［Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材（磁石素材）を準備する工程］
各元素を秤量しストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２～０．４ｍｍのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕した後、５５０℃まで真空中で加熱後冷却する脱水素処理を施し粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０４ｍａｓｓ％添加、混合した後、気流式粉砕機（ジェットミル装置）を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。なお、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積中心値（体積基準メジアン径）である。
【0061】
前記微粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を微粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０５ｍａｓｓ％添加、混合した後磁界中で成形し成形体を得た。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交するいわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。
【0062】
得られた成形体を、真空中、１０４０℃（焼結による緻密化が十分起こる温度を選定）で４時間焼結した後急冷し、磁石素材を得た。得られた磁石素材の密度は７．５Ｍｇ／ｍ３以上であった。得られた磁石素材の成分の結果を表１に示す。なお、表１における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。なお、磁石素材の酸素量をガス融解－赤外線吸収法で測定した結果、すべて０．１ｍａｓｓ％前後であることを確認した。また、Ｃ（炭素量）は、燃焼－赤外線吸収法によるガス分析装置を使用して測定した結果、０．１ｍａｓｓ％前後であることを確認した。表１における「［Ｔ］／［Ｂ］」は、Ｔを構成する各元素（ここではＦｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｎ）に対し、分析値（ｍａｓｓ％）をその元素の原子量で除したものを求め、それらの値を合計したもの（ａ）と、Ｂの分析値（ｍａｓｓ％）をＢの原子量で除したもの（ｂ）との比（ａ／ｂ）である。以下の全ての表も同様である。なお、表１の各組成および酸素量、炭素量を合計しても１００ｍａｓｓ％にはならない。これは、前記の通り、各成分によって分析方法が異なるためである。その他表についても同様である。
【0063】
【表1】
【0064】
［ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備する工程］
表２の符号１－ａ１に示すＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法（メルトスピニング法）によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き３８～１０００μｍの数種類の篩を通過させ、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への付着量を変化させるため、５種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備した。得られたＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成を表２に示す。尚、表２における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。
表２の符号１－ａ１に示すＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法（メルトスピニング法）によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き３８～１０００μｍの数種類の篩を通過させ、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への付着量を変化させるため、５種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備した。得られたＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成を表２に示す。尚、表２における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。
【0065】
【表2】
【0066】
［第一拡散工程］
表１の符号１－ＡのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を切断、切削加工し、７．２ｍｍ×７．２ｍｍ×７．２ｍｍの立方体とした。次に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材にディッピング法により粘着剤としてＰＶＡをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に塗布した。粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に５種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末をそれぞれ付着させた。処理容器にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて、２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中で、９００℃で１０時間の条件で前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及び前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。
表１の符号１－ＡのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を切断、切削加工し、７．２ｍｍ×７．２ｍｍ×７．２ｍｍの立方体とした。次に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材にディッピング法により粘着剤としてＰＶＡをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に塗布した。粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に５種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末をそれぞれ付着させた。処理容器にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて、２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中で、９００℃で１０時間の条件で前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及び前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。
【0067】
［ＲＬ２－Ｍ２系合金を準備する工程］
表３の符号１－ａ２に示すＲＬ２－Ｍ２系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法（メルトスピニング法）によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き３８～１０００μｍの数種類の篩を通過させ、ＲＬ２－Ｍ２系合金を準備した。得られたＲＬ２－Ｍ２系合金の組成を表３に示す。尚、表３における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。
表３の符号１－ａ２に示すＲＬ２－Ｍ２系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法（メルトスピニング法）によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き３８～１０００μｍの数種類の篩を通過させ、ＲＬ２－Ｍ２系合金を準備した。得られたＲＬ２－Ｍ２系合金の組成を表３に示す。尚、表３における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。
【0068】
【表3】
【0069】
［第二拡散工程］
第一拡散工程をおこなった後のサンプルに再度、ディッピング法により粘着剤としてＰＶＡを全面に塗布した。その後、処理容器にＲＬ２－Ｍ２系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したサンプルの全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中にて、５００℃で３時間の条件で前記ＲＬ２－Ｍ２系合金及び前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。熱処理後の各サンプルに対し表面研削盤を用いて各サンプルの全面を切削加工し、７．０ｍｍ×７．０ｍｍ×７．０ｍｍの立方体状のサンプル（Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石）を得た。尚、第一拡散工程を実施する工程におけるＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及びＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の加熱温度、並びに第二拡散工程を実施する工程におけるＲＬ２－Ｍ２系合金及びＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の加熱温度は、それぞれ熱電対を取り付けることにより測定した。
第一拡散工程をおこなった後のサンプルに再度、ディッピング法により粘着剤としてＰＶＡを全面に塗布した。その後、処理容器にＲＬ２－Ｍ２系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したサンプルの全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中にて、５００℃で３時間の条件で前記ＲＬ２－Ｍ２系合金及び前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。熱処理後の各サンプルに対し表面研削盤を用いて各サンプルの全面を切削加工し、７．０ｍｍ×７．０ｍｍ×７．０ｍｍの立方体状のサンプル（Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石）を得た。尚、第一拡散工程を実施する工程におけるＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及びＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の加熱温度、並びに第二拡散工程を実施する工程におけるＲＬ２－Ｍ２系合金及びＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の加熱温度は、それぞれ熱電対を取り付けることにより測定した。
【0070】
［サンプル評価］
得られたサンプルを、Ｂ－Ｈトレーサによって各試料のＢｒ及びＨｃＪを測定した。測定結果を表４に示す。また、サンプルの成分を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した結果を表５に示す。なお、いずれのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石も[Ｔ]はｍａｓｓ％で示すＴの含有量であり、[Ｂ]はｍａｓｓ％で示すＢの含有量とするとき、[Ｔ]／５５．８５＞１４×[Ｂ]／１０．８が成立していることを確認した。また、「磁石表面から３００μｍの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））」及び「磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））」を求めた。さらに、磁石表面から磁石内部に向かってＲＨ及びＧａ濃度が漸減する部分を含むかどうかについても確認した。具体的には次の様にして行った。Ｎｏ．１－１～１－５の磁石表面（ここでは磁化方向に対して垂直な面）から３００μｍにおける結晶粒（主相結晶粒）及び二粒子粒界を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察し、分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）を用いて主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界（二粒子粒界の任意の場所）が含有するＮｄ及びＰｒの濃度（ｍａｓｓ％）を測定した。測定したＰｒの濃度（ｍａｓｓ％）にＰｒの原子量を除したもの（ａ）と、測定したＮｄの濃度（ｍａｓｓ％）にＮｄの原子量で除したもの（ｂ）との比（ａ／ｂ）をそれぞれ求めた。測定結果及び計算結果を表４に示す。なお、表４は、主相結晶粒の中央部におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））の結果を「主相結晶粒中央部[Ｐｒ]／[Ｎｄ]」と、二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））の結果を「二粒子粒界内[Ｐｒ]／[Ｎｄ]」とそれぞれ記載している。以後の表も同様である。さらに、Ｎｏ．１－１～１－５の磁石断面における磁石表面から磁石中央付近までを前記ＥＤＸにより線分析（ライン分析）を行い、ＲＨ及びＧａ濃度が磁石表面から磁石中央部にかけて漸減しているか（徐々に濃度が低くなっているか）確認した。ＲＨ及びＧａ濃度が漸減している場合は○とし漸減していない場合は×として表４に示す。
得られたサンプルを、Ｂ－Ｈトレーサによって各試料のＢｒ及びＨｃＪを測定した。測定結果を表４に示す。また、サンプルの成分を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した結果を表５に示す。なお、いずれのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石も[Ｔ]はｍａｓｓ％で示すＴの含有量であり、[Ｂ]はｍａｓｓ％で示すＢの含有量とするとき、[Ｔ]／５５．８５＞１４×[Ｂ]／１０．８が成立していることを確認した。また、「磁石表面から３００μｍの深さに位置する前記主相結晶粒の中央部におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））」及び「磁石表面から３００μｍの深さに位置する二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））」を求めた。さらに、磁石表面から磁石内部に向かってＲＨ及びＧａ濃度が漸減する部分を含むかどうかについても確認した。具体的には次の様にして行った。Ｎｏ．１－１～１－５の磁石表面（ここでは磁化方向に対して垂直な面）から３００μｍにおける結晶粒（主相結晶粒）及び二粒子粒界を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察し、分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）を用いて主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界（二粒子粒界の任意の場所）が含有するＮｄ及びＰｒの濃度（ｍａｓｓ％）を測定した。測定したＰｒの濃度（ｍａｓｓ％）にＰｒの原子量を除したもの（ａ）と、測定したＮｄの濃度（ｍａｓｓ％）にＮｄの原子量で除したもの（ｂ）との比（ａ／ｂ）をそれぞれ求めた。測定結果及び計算結果を表４に示す。なお、表４は、主相結晶粒の中央部におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））の結果を「主相結晶粒中央部[Ｐｒ]／[Ｎｄ]」と、二粒子粒界内におけるＮｄに対するＰｒのｍｏｌ比（（［Ｐｒ］／Ｐｒの原子量）／（［Ｎｄ］／Ｎｄの原子量））の結果を「二粒子粒界内[Ｐｒ]／[Ｎｄ]」とそれぞれ記載している。以後の表も同様である。さらに、Ｎｏ．１－１～１－５の磁石断面における磁石表面から磁石中央付近までを前記ＥＤＸにより線分析（ライン分析）を行い、ＲＨ及びＧａ濃度が磁石表面から磁石中央部にかけて漸減しているか（徐々に濃度が低くなっているか）確認した。ＲＨ及びＧａ濃度が漸減している場合は○とし漸減していない場合は×として表４に示す。
【0071】
表４に示す通り、サンプルＮｏ．１－２～１－４の本発明例はいずれも１．３４Ｔ以上の高いＢｒ及び１８００ｋＡ／ｍ以上の高いＨｃＪが得られていることがわかる。これに対し、二粒子粒界内における（[Ｐｒ]／[Ｎｄ]）が２．０未満で、磁石表面から磁石内部にむかってＧａ濃度が漸減する部分を含まないサンプルＮｏ．１－１は高いＨｃＪがえられなかった。さらに、二粒子粒界内における（[Ｐｒ]／[Ｎｄ]）が５．０超であるサンプルＮｏ．１－５は高いＢｒがえられなかった。
【0072】
【表4】
【表5】
【0073】
（実施例２）
［Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材（磁石素材）を準備する工程］
表６の符号２－Ａに示す磁石素材の組成となるように、各元素を秤量しストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２～０．４ｍｍのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕した後、５５０℃まで真空中で加熱後冷却する脱水素処理を施し粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０４ｍａｓｓ％添加、混合した後、気流式粉砕機（ジェットミル装置）を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。なお、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積中心値（体積基準メジアン径）である。
［Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材（磁石素材）を準備する工程］
表６の符号２－Ａに示す磁石素材の組成となるように、各元素を秤量しストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２～０．４ｍｍのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕した後、５５０℃まで真空中で加熱後冷却する脱水素処理を施し粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０４ｍａｓｓ％添加、混合した後、気流式粉砕機（ジェットミル装置）を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。なお、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積中心値（体積基準メジアン径）である。
【0074】
前記微粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を微粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０５ｍａｓｓ％添加、混合した後磁界中で成形し成形体を得た。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交するいわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。
【0075】
得られた成形体を、真空中、１０３０℃（サンプル毎に焼結による緻密化が十分起こる温度を選定）で４時間焼結した後急冷し、磁石素材を得た。得られた磁石素材の密度は７．５Ｍｇ／ｍ３以上であった。得られた磁石素材の成分の結果を表６に示す。なお、表６における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。なお、磁石素材の酸素量をガス融解－赤外線吸収法で測定した結果、すべて０．１ｍａｓｓ％前後であることを確認した。また、Ｃ（炭素量）は、燃焼－赤外線吸収法によるガス分析装置を使用して測定した結果、０．１ｍａｓｓ％前後であることを確認した。
【0076】
【表6】
【0077】
［ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備する工程］
表７の符号２－ａ１に示すＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法（メルトスピニング法）によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き３８～１０００μｍの数種類の篩を通過させ、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への付着量を変化させるため、３種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備した。得られたＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成を表７に示す。尚、表７における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。
表７の符号２－ａ１に示すＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法（メルトスピニング法）によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き３８～１０００μｍの数種類の篩を通過させ、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への付着量を変化させるため、３種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備した。得られたＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成を表７に示す。尚、表７における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。
【0078】
【表7】
【0079】
［拡散工程］
表６の符号２－ＡのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を切断、切削加工し、７．２ｍｍ×７．２ｍｍ×７．２ｍｍの立方体とした。次に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材にディッピング法により粘着剤としてＰＶＡをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に塗布した。粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に３種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末をそれぞれ付着させた。処理容器にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて、２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中で、９００℃で１０時間の条件で前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及び前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。次に、真空熱処理炉を用いて２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中にて、５００℃で３時間の条件で拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱した後、冷却した。尚、拡散工程およびその後の熱処理を実施する工程におけるＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及びＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の加熱温度は、それぞれ熱電対を取り付けることにより測定した。
表６の符号２－ＡのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を切断、切削加工し、７．２ｍｍ×７．２ｍｍ×７．２ｍｍの立方体とした。次に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材にディッピング法により粘着剤としてＰＶＡをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に塗布した。粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に３種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末をそれぞれ付着させた。処理容器にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて、２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中で、９００℃で１０時間の条件で前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及び前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。次に、真空熱処理炉を用いて２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中にて、５００℃で３時間の条件で拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱した後、冷却した。尚、拡散工程およびその後の熱処理を実施する工程におけるＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及びＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の加熱温度は、それぞれ熱電対を取り付けることにより測定した。
【0080】
［サンプル評価］
得られたサンプルを、Ｂ－Ｈトレーサによって各試料のＢｒ及びＨｃＪを測定した。測定結果を表８に示す。また、サンプルの成分を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した結果を表９に示す。なお、いずれのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石も[Ｔ]はｍａｓｓ％で示すＴの含有量であり、[Ｂ]はｍａｓｓ％で示すＢの含有量とするとき、[Ｔ]／５５．８５＞１４×[Ｂ]／１０．８が成立していることを確認した。さらに実施例１と同様にして主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界（二粒子粒界の任意の場所）が含有するＮｄ及びＰｒの濃度を測定し、主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界における[Ｐｒ]／[Ｎｄ]を求めた。さらに、磁石表面から磁石内部に向かってＲＨ及びＧａ濃度が漸減する部分を含むかどうかについても実施例１と同様にして確認した。測定結果及び計算結果を表８に示す。表８に示す通り、サンプルＮｏ．２－１～２－３の本発明例はいずれも１．３５Ｔ以上の高いＢｒ及び１９００ｋＡ／ｍ以上の高いＨｃＪが得られていることがわかる。
得られたサンプルを、Ｂ－Ｈトレーサによって各試料のＢｒ及びＨｃＪを測定した。測定結果を表８に示す。また、サンプルの成分を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した結果を表９に示す。なお、いずれのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石も[Ｔ]はｍａｓｓ％で示すＴの含有量であり、[Ｂ]はｍａｓｓ％で示すＢの含有量とするとき、[Ｔ]／５５．８５＞１４×[Ｂ]／１０．８が成立していることを確認した。さらに実施例１と同様にして主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界（二粒子粒界の任意の場所）が含有するＮｄ及びＰｒの濃度を測定し、主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界における[Ｐｒ]／[Ｎｄ]を求めた。さらに、磁石表面から磁石内部に向かってＲＨ及びＧａ濃度が漸減する部分を含むかどうかについても実施例１と同様にして確認した。測定結果及び計算結果を表８に示す。表８に示す通り、サンプルＮｏ．２－１～２－３の本発明例はいずれも１．３５Ｔ以上の高いＢｒ及び１９００ｋＡ／ｍ以上の高いＨｃＪが得られていることがわかる。
【0081】
【表8】
【表9】
【0082】
（実施例３）
［Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材（磁石素材）を準備する工程］
各元素を秤量しストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２～０．４ｍｍのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕した後、５５０℃まで真空中で加熱後冷却する脱水素処理を施し粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０４ｍａｓｓ％添加、混合した後、気流式粉砕機（ジェットミル装置）を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。なお、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積中心値（体積基準メジアン径）である。
［Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材（磁石素材）を準備する工程］
各元素を秤量しストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２～０．４ｍｍのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕した後、５５０℃まで真空中で加熱後冷却する脱水素処理を施し粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０４ｍａｓｓ％添加、混合した後、気流式粉砕機（ジェットミル装置）を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。なお、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積中心値（体積基準メジアン径）である。
【0083】
前記微粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を微粉砕粉１００ｍａｓｓ％に対して０．０５ｍａｓｓ％添加、混合した後磁界中で成形し成形体を得た。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交するいわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。
【0084】
得られた成形体を、真空中、１０００℃～１０３０℃（サンプル毎に焼結による緻密化が十分起こる温度を選定）で４時間焼結した後急冷し、磁石素材を得た。得られた磁石素材の密度は７．５Ｍｇ／ｍ３以上であった。得られた磁石素材の成分の結果を表１０に示す。なお、表１０における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。なお、磁石素材の酸素量をガス融解－赤外線吸収法で測定した結果、すべて０．１ｍａｓｓ％前後であることを確認した。また、Ｃ（炭素量）は、燃焼－赤外線吸収法によるガス分析装置を使用して測定した結果、０．１ｍａｓｓ％前後であることを確認した。
【0085】
【表10】
【0086】
［ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備する工程］
表１１の符号３－ａ１～３－ｃ１に示すＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法（メルトスピニング法）によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き３８～１０００μｍの数種類の篩を通過させ、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への付着量を変化させるため、３種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備した。得られたＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成を表７に示す。尚、表７における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。
表１１の符号３－ａ１～３－ｃ１に示すＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成となるように、各元素を秤量しそれらの原料を溶解して、単ロール超急冷法（メルトスピニング法）によりリボンまたはフレーク状の合金を得た。得られた合金を乳鉢を用いてアルゴン雰囲気中で粉砕した後、目開き３８～１０００μｍの数種類の篩を通過させ、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材への付着量を変化させるため、３種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金を準備した。得られたＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金の組成を表７に示す。尚、表７における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した。
【0087】
【表11】
【0088】
［拡散工程］
表１０の符号３－Ａ～３－ＭのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を切断、切削加工し、７．２ｍｍ×７．２ｍｍ×７．２ｍｍの立方体とした。次に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材にディッピング法により粘着剤としてＰＶＡをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に塗布した。粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に３種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末をそれぞれ付着させた。処理容器にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて、２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中で、９００℃で１０時間の条件で前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及び前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。次に、真空熱処理炉を用いて２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中にて、５００℃で３時間の条件で拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱した後、冷却した。尚、拡散工程およびその後の熱処理を実施する工程におけるＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及びＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の加熱温度は、それぞれ熱電対を取り付けることにより測定した。
表１０の符号３－Ａ～３－ＭのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を切断、切削加工し、７．２ｍｍ×７．２ｍｍ×７．２ｍｍの立方体とした。次に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材にディッピング法により粘着剤としてＰＶＡをＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に塗布した。粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材に３種類の粒径のＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末をそれぞれ付着させた。処理容器にＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金粉末を広げ、粘着剤を塗布したＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の全面に付着させた。次に、真空熱処理炉を用いて、２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中で、９００℃で１０時間の条件で前記ＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及び前記Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。次に、真空熱処理炉を用いて２００Ｐａに制御した減圧アルゴン中にて、５００℃で３時間の条件で拡散工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を加熱した後、冷却した。尚、拡散工程およびその後の熱処理を実施する工程におけるＲＬ１－ＲＨ－Ｍ１系合金及びＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材の加熱温度は、それぞれ熱電対を取り付けることにより測定した。
【0089】
［サンプル評価］
得られたサンプルを、Ｂ－Ｈトレーサによって各試料のＢｒ及びＨｃＪを測定した。測定結果を表１２に示す。また、サンプルの成分を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した結果を表１３に示す。なお、いずれのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石も[Ｔ]はｍａｓｓ％で示すＴの含有量であり、[Ｂ]はｍａｓｓ％で示すＢの含有量とするとき、[Ｔ]／５５．８５＞１４×[Ｂ]／１０．８が成立していることを確認した。さらに実施例１と同様にして主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界（二粒子粒界の任意の場所）が含有するＮｄ及びＰｒの濃度を測定し、主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界における[Ｐｒ]／[Ｎｄ]を求めた。さらに、磁石表面から磁石内部に向かってＲＨ及びＧａ濃度が漸減する部分を含むかどうかについても実施例１と同様にして確認した。測定結果及び計算結果を表１２に示す。表１２に示す通り、サンプルＮｏ．３－１～３－１４の本発明例はいずれも１．３６Ｔ以上の高いＢｒ及び１９００ｋＡ／ｍ以上の高いＨｃＪが得られていることがわかる。
得られたサンプルを、Ｂ－Ｈトレーサによって各試料のＢｒ及びＨｃＪを測定した。測定結果を表１２に示す。また、サンプルの成分を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用して測定した結果を表１３に示す。なお、いずれのＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石も[Ｔ]はｍａｓｓ％で示すＴの含有量であり、[Ｂ]はｍａｓｓ％で示すＢの含有量とするとき、[Ｔ]／５５．８５＞１４×[Ｂ]／１０．８が成立していることを確認した。さらに実施例１と同様にして主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界（二粒子粒界の任意の場所）が含有するＮｄ及びＰｒの濃度を測定し、主相結晶粒の中央部及び二粒子粒界における[Ｐｒ]／[Ｎｄ]を求めた。さらに、磁石表面から磁石内部に向かってＲＨ及びＧａ濃度が漸減する部分を含むかどうかについても実施例１と同様にして確認した。測定結果及び計算結果を表１２に示す。表１２に示す通り、サンプルＮｏ．３－１～３－１４の本発明例はいずれも１．３６Ｔ以上の高いＢｒ及び１９００ｋＡ／ｍ以上の高いＨｃＪが得られていることがわかる。
【0090】
【表12】
【表13】
【産業上の利用可能性】
【0091】
本開示によれば、高残留磁束密度、高保磁力のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石を作製することができる。本開示の焼結磁石は、高温下に晒されるハイブリッド車搭載用モータ等の各種モータや家電製品等に好適である。
【符号の説明】
【0092】
１２・・・Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物からなる主相、１４・・・粒界相、１４ａ・・・二粒子粒界相、１４ｂ・・・粒界三重点
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】