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特許7447903含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-04
(45)【発行日】2024-03-12
(54)【発明の名称】含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体
(51)【国際特許分類】
C07C 43/13 20060101AFI20240305BHJP
C10M 107/50 20060101ALI20240305BHJP
G11B 5/725 20060101ALI20240305BHJP
G11B 5/84 20060101ALI20240305BHJP
C10N 40/18 20060101ALN20240305BHJP
C10N 30/06 20060101ALN20240305BHJP
【ＦＩ】
C07C43/13 D CSP
C10M107/50
G11B5/725
G11B5/84 Z
C10N40:18
C10N30:06
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2021536889
(86)(22)【出願日】2020-07-10
(86)【国際出願番号】 JP2020027013
(87)【国際公開番号】W WO2021020076
(87)【国際公開日】2021-02-04
【審査請求日】2023-02-24
(31)【優先権主張番号】P 2019141290
(32)【優先日】2019-07-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000004455
【氏名又は名称】株式会社レゾナック
(74)【代理人】
【識別番号】100141139
【弁理士】
【氏名又は名称】及川 周
(74)【代理人】
【識別番号】100163496
【弁理士】
【氏名又は名称】荒 則彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134359
【弁理士】
【氏名又は名称】勝俣 智夫
(74)【代理人】
【識別番号】100137017
【弁理士】
【氏名又は名称】眞島 竜一郎
(72)【発明者】
【氏名】福本 直也
(72)【発明者】
【氏名】柳生 大輔
(72)【発明者】
【氏名】加藤 剛
(72)【発明者】
【氏名】室伏 克己
【審査官】阿久津 江梨子
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１９／０４９５８５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１８／１５９２５０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２００９／０３５０７５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１５／１９９０３７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１８－０２４６１４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０７Ｃ ４３／１３
Ｃ１０Ｍ １０７／５０
Ｇ１１Ｂ ５／７２５
Ｇ１１Ｂ ５／８４
Ｃ１０Ｎ ４０／１８
Ｃ１０Ｎ ３０／０６
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。Ｒ１－ＣＨ２－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３ （１）
（式（１）中、Ｒ１は炭素数１～１０のアルコキシ基であり、Ｒ２はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ３は－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である。）
【請求項2】
前記式（１）におけるＲ２が、下記式（２）～（４）のいずれかで表されることを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。【化1】
（式（２）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（３）中、ｒは１～３０を表す。）
（式（４）中、ｓは１～２０を表す。）
【請求項3】
下記式（Ａ）～（Ｆ）で表されるいずれかの化合物であることを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。【化2】
（式（Ａ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（Ｂ）中、ｒは１～３０を表す。）
（式（Ｃ）中、ｓは１～２０を表す。）
（式（Ｄ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（Ｅ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（Ｆ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
【請求項4】
数平均分子量が５００～１００００の範囲内である請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。【請求項5】
請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。【請求項6】
基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。【請求項7】
前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～３ｎｍである請求項６に記載の磁気記録媒体。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体の潤滑剤用途に好適な含フッ素エーテル化合物、それを含む磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
本願は、２０１９年７月３１日に、日本に出願された特願２０１９－１４１２９０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、２０１９年７月３１日に、日本に出願された特願２０１９－１４１２９０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【0002】
磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。
従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。
【0003】
磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、ＣＦ２を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基等の極性基を有する化合物を含有するものが提案されている。
例えば、特許文献１には、片方の末端にアルコキシ基を有し、他方の末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物が開示されている。また、特許文献２には、両方の末端部分に複数のヒドロキシル基を有し、該ヒドロキシル基間の最短距離が３原子以上離れている置換基が配置された化合物が開示されている。
例えば、特許文献１には、片方の末端にアルコキシ基を有し、他方の末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物が開示されている。また、特許文献２には、両方の末端部分に複数のヒドロキシル基を有し、該ヒドロキシル基間の最短距離が３原子以上離れている置換基が配置された化合物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】国際公開第２０１５／１９９０３７号
【文献】特許第４６３２１４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の被覆性が低下して、磁気記録媒体の化学物質耐性および耐摩耗性が低下する傾向がある。
しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の被覆性が低下して、磁気記録媒体の化学物質耐性および耐摩耗性が低下する傾向がある。
【0006】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
その結果、パーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端が炭素数１～１０のアルコキシ基であり、もう一方の末端が－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である特定構造を有する含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は以下の事項に関する。
本発明の第一の態様の化合物は、以下の化合物である。
その結果、パーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端が炭素数１～１０のアルコキシ基であり、もう一方の末端が－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である特定構造を有する含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は以下の事項に関する。
本発明の第一の態様の化合物は、以下の化合物である。
【0008】
［１］ 下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ１－ＣＨ２－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３ （１）
（式（１）中、Ｒ１は炭素数１～１０のアルコキシ基であり、Ｒ２はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ３は－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である。）
本発明の第一の態様の化合物は、下記の[２]～[４]に述べる特徴を好ましく含む。下記特徴は２つ以上を互いに組み合わせることも好ましい。
Ｒ１－ＣＨ２－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３ （１）
（式（１）中、Ｒ１は炭素数１～１０のアルコキシ基であり、Ｒ２はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ３は－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である。）
本発明の第一の態様の化合物は、下記の[２]～[４]に述べる特徴を好ましく含む。下記特徴は２つ以上を互いに組み合わせることも好ましい。
【0009】
［２］ 前記式（１）におけるＲ２が、下記式（２）～（４）のいずれかで表されることを特徴とする、［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
【0010】
【化1】
（式（２）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（３）中、ｒは１～３０を表す。）
（式（４）中、ｓは１～２０を表す。）
【0011】
［３］ 下記式（Ａ）～（Ｆ）で表されるいずれかの化合物であることを特徴とする、［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
【0012】
【化2】
（式（Ａ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（Ｂ）中、ｒは１～３０を表す。）
（式（Ｃ）中、ｓは１～２０を表す。）
（式（Ｄ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（Ｅ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（Ｆ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
【0013】
［４］ 数平均分子量が５００～１００００の範囲内である、［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0014】
本発明の第二の態様は、以下の磁気記録媒体用潤滑剤である。
［５］ ［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする、磁気記録媒体用潤滑剤。
本発明の第三の態様は、以下の磁気記録媒体である。
［６］ 基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする、磁気記録媒体。
［７］ 前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～３ｎｍである［６］に記載の磁気記録媒体。
［５］ ［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする、磁気記録媒体用潤滑剤。
本発明の第三の態様は、以下の磁気記録媒体である。
［６］ 基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする、磁気記録媒体。
［７］ 前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～３ｎｍである［６］に記載の磁気記録媒体。
【発明の効果】
【0015】
本発明の含フッ素エーテル化合物は、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が設けられているため、優れた信頼性および耐久性を有する。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が設けられているため、優れた信頼性および耐久性を有する。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の磁気記録媒体の一実施形態の好ましい例を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）および磁気記録媒体について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。
本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、数値、順番、時間、比率、材料、量、構成等について、変更、付加、省略、置換等が可能である。
本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、数値、順番、時間、比率、材料、量、構成等について、変更、付加、省略、置換等が可能である。
【0018】
［含フッ素エーテル化合物］
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ１－ＣＨ２－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３ （１）
（式（１）中、Ｒ１は炭素数１～１０のアルコキシ基であり、Ｒ２はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ３は－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である。）
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ１－ＣＨ２－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３ （１）
（式（１）中、Ｒ１は炭素数１～１０のアルコキシ基であり、Ｒ２はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ３は－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である。）
【0019】
ここで、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合に、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる理由について説明する。
【0020】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）に示すように、Ｒ２で表されるパーフルオロポリエーテル鎖（以下「ＰＦＰＥ鎖」と略記する場合がある。）を有している。ＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。
【0021】
また、式（１）に示すように、Ｒ２で表されるＰＦＰＥ鎖の一方の末端には、Ｒ１で表される炭素数１～１０のアルコキシ基が結合している。Ｒ１で表される炭素数１～１０のアルコキシ基は、アルコキシ基の分子間相互作用、および／またはアルコキシ基と保護層との相互作用により、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層における化学物質耐性および耐摩耗性を向上させる。したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、例えば、Ｒ１で表される炭素数１～１０のアルコキシ基に代えて、水酸基が配置された含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と比較して、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する。
【0022】
また、式（１）に示すように、Ｒ２で表されるＰＦＰＥ鎖のもう一方の末端には、Ｒ３で表される－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）が結合している。Ｒ３で表される末端基に含まれる２つの水酸基（－ＯＨ）は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させて、化学物質耐性を向上させる。
【0023】
また、Ｒ３で表される末端基では、２つの水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、水酸基の結合している炭素原子同士が、酸素原子を含む連結基（－Ｏ－（エーテル結合）を含む連結基）を介して結合している。エーテル結合を含む連結基は、Ｒ３で表される末端基に柔軟性を付与する。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、末端基に含まれる２つの水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、水酸基の結合している炭素原子同士が結合しているフッ素エーテル化合物と比較して、これを含む潤滑層が保護膜に吸着しやすく、潤滑層と保護層との密着性に優れる。
以上のことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、優れた化学物質耐性と耐摩耗性を有する潤滑層を形成できると推定される。
以上のことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、優れた化学物質耐性と耐摩耗性を有する潤滑層を形成できると推定される。
【0024】
式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ２はパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）である。Ｒ２は、特に限定されるものではなく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
【0025】
Ｒ２は下記式（２）～式（４）で表されるいずれかであることが好ましい。Ｒ２が、式（２）～式（４）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり好ましい。
また、Ｒ２が、式（２）～式（４）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、Ｒ２が式（２）～式（４）のいずれかである場合、良好な耐摩耗性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。
また、Ｒ２が、式（２）～式（４）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、Ｒ２が式（２）～式（４）のいずれかである場合、良好な耐摩耗性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。
【0026】
【化3】
（式（２）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（３）中、ｒは１～３０を表す。）
（式（４）中、ｓは１～２０を表す。）
【0027】
式（２）において、繰り返し単位である（ＣＦ２－ＣＦ２－Ｏ）と（ＣＦ２－Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（２）において、（ＣＦ２－ＣＦ２－Ｏ）の数ｐと（ＣＦ２－Ｏ）の数ｑは同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（２）は、モノマー単位（ＣＦ２－ＣＦ２－Ｏ）と（ＣＦ２－Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。
【0028】
式（１）におけるＲ２が式（２）である場合、平均重合度を示すｐは１～３０であり、１～２０であることが好ましく、さらに１～１５であることが好ましい。必要に応じてｐは、３～７や、７～１３であってもよい。式（１）においてＲ２が式（２）である場合、平均重合度を示すｑは０～３０であり、０～２０であることが好ましく、さらに０～１５であることが好ましい。必要に応じてｑは、３～７や、７～１３であってもよい。また、ｑが０の場合、ｐは１～１７であることが好ましい。
【0029】
式（３）において、平均重合度を示すｒが１～３０である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｒは２～２０であることが好ましく、３～１０であることがより好ましい。
【0030】
式（４）において、平均重合度を示すｓが１～２０である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｓは２～１５であることが好ましく、２～８であることがより好ましい。
【0031】
式（１）中、Ｒ１は炭素数１～１０のアルコキシ基であり、炭素数１～７のアルコキシ基であることが好ましい。また、Ｒ１は炭素数１～１０の直鎖のアルコキシ基であることが好ましい。具体的には、Ｒ１として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキソキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、ノノキシ基、デコキシ基などが挙げられる。
【0032】
式（１）中、Ｒ３は－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ（式中のｍは２～４の整数である。）である。
【0033】
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には下記式（Ａ）～（Ｆ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。なお、式（Ａ）～（Ｆ）中のｐ、ｑ、ｒ、ｓは、平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数とはならない。
【0034】
式（Ａ）、（Ｅ）、（Ｆ）で表される化合物は、Ｒ１が炭素数３のアルコキシ基であり、Ｒ２が式（２）である。そして、式（Ａ）で表される化合物はＲ３のｍが２であり、式（Ｅ）で表される化合物はＲ３のｍが３であり、式（Ｆ）で表される化合物はＲ３のｍが４である。
式（Ｂ）で表される化合物は、Ｒ１が炭素数３のアルコキシ基であり、Ｒ２が式（３）であり、Ｒ３のｍが２である。
式（Ｃ）で表される化合物は、Ｒ１が炭素数３のアルコキシ基であり、Ｒ２が式（４）であり、Ｒ３のｍが２である。
式（Ｄ）で表される化合物は、Ｒ１が炭素数７のアルコキシ基であり、Ｒ２が式（２）であり、Ｒ３のｍが２である。
式（Ｂ）で表される化合物は、Ｒ１が炭素数３のアルコキシ基であり、Ｒ２が式（３）であり、Ｒ３のｍが２である。
式（Ｃ）で表される化合物は、Ｒ１が炭素数３のアルコキシ基であり、Ｒ２が式（４）であり、Ｒ３のｍが２である。
式（Ｄ）で表される化合物は、Ｒ１が炭素数７のアルコキシ基であり、Ｒ２が式（２）であり、Ｒ３のｍが２である。
【0035】
【化4】
（式（Ａ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（Ｂ）中、ｒは１～３０を表す。）
（式（Ｃ）中、ｓは１～２０を表す。）
（式（Ｄ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（Ｅ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
（式（Ｆ）中、ｐは１～３０を表し、ｑは０～３０を表す。）
【0036】
式（１）で表わされる化合物が上記式（Ａ）～（Ｆ）で表されるいずれかの化合物であると、原料が入手しやすく、しかも、厚みが薄くても、より一層優れる化学物質耐性および耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できるため、好ましい。
【0037】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、３０００以下であることが好ましい。
【0038】
含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲによって、具体的には、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料を、ヘキサフルオロベンゼン、ｄ－アセトン、ｄ－テトラヒドロフランなどの単独または混合溶媒へ希釈し、測定に使用した。１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。
【0039】
「製造方法」
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
まず、式（１）におけるＲ２に対応するパーフルオロポリエーテル鎖を有する化合物に、炭素数１～１０のハロゲン化アルキルを付加反応させる。このことにより、式（１－１）で示される化合物が生成する。
Ｒ１－ＣＨ２－Ｒ２－ＣＨ２－ＯＨ （１－１）
（式（１－１）中、Ｒ１およびＲ２は式（１）と同じである。）
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
まず、式（１）におけるＲ２に対応するパーフルオロポリエーテル鎖を有する化合物に、炭素数１～１０のハロゲン化アルキルを付加反応させる。このことにより、式（１－１）で示される化合物が生成する。
Ｒ１－ＣＨ２－Ｒ２－ＣＨ２－ＯＨ （１－１）
（式（１－１）中、Ｒ１およびＲ２は式（１）と同じである。）
【0040】
ここでの付加反応に使用する炭素数１～１０のハロゲン化アルキルとしては、例えば、１－ブロモプロパン、１－クロロプロパン、１－ヨードプロパン、１－ブロモブタン、１－クロロブタン、１－ヨードブタン、１－ブロモペンタン、１－クロロペンタン、１－ヨードペンタン、１－ブロモヘキサン、１－クロロヘキサン、１－ヨードヘキサン、１－ブロモヘプタン、１－クロロヘプタン、１－ヨードヘプタン、１－ブロモオクタン、１－クロロオクタン、１－ヨードオクタン、１－ブロモノナン、１－クロロノナン、１－ヨードノナン、１－ブロモデカン、１－クロロデカン、１－ヨードデカン等が挙げられる。
【0041】
次に、式（１－１）で示される化合物と、エピクロロヒドリンあるいはエピブロモヒドリンとを反応させて、アルコキシ基とエポキシ基とを有するパーフルオロポリエーテルを生成させる。さらに、上記のアルコキシ基とエポキシ基とを有するパーフルオロポリエーテルと、エチレングリコール、１，３－プロパンジオール、１，４－ブタンジオールから選ばれるいずれかとを反応させる。このようにして得られた化合物は、例えば、カラムクロマトグラフィーを用いる方法により分離できる。
以上の方法により、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物が得られる。
以上の方法により、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物が得られる。
【0042】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物である。したがって、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成すると、式（１）においてＲ２で表されるＰＦＰＥ鎖によって、保護層の表面が被覆されるとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力が低減される。また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて形成した潤滑層では、Ｒ１で表されるアルコキシ基における分子間相互作用および／または該アルコキシ基と保護層との相互作用により、化学物質耐性および耐摩耗性が得られる。
【0043】
また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、Ｒ３で表される末端基に含まれる２つの水酸基と保護層との結合によって、保護層上に密着される。しかも、Ｒ３で表される末端基に含まれる２つの水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記水酸基の結合している炭素原子同士が酸素原子を含む連結基を介して結合している。そのため、本実施形態のフッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、柔軟性が良好である。このため、本実施形態のフッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護膜に吸着しやすく、保護層との密着性に優れる。
以上のことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物によれば、潤滑層と保護層とが強固に結合され、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。
以上のことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物によれば、潤滑層と保護層とが強固に結合され、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。
【0044】
［磁気記録媒体用潤滑剤］
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。
【0045】
公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標） ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ－２００１（以上、Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。
【0046】
本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。前記含有量は、８０質量％以上や、９０質量％以上や、９５質量％以上であってもよい。
【0047】
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、保護層との密着性に優れる潤滑層を形成できる。よって、本実施形態の潤滑剤によれば、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。
【0048】
また、本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、式（１）におけるＲ１で表されるアルコキシ基における分子間相互作用および／または該アルコキシ基と保護層との相互作用により、優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる。
【0049】
［磁気記録媒体］
本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられたものである。
本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。
本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられたものである。
本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。
【0050】
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。
【0051】
「基板」
基板１１は、任意に選択でき、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。
基板１１は、任意に選択でき、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。
【0052】
「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを直接接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、任意に選択でき、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを直接接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、任意に選択でき、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0053】
「軟磁性層」
軟磁性層１３は、任意に選択でき、例えば、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。
軟磁性層１３は、任意に選択でき、例えば、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。
【0054】
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、例えば、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0055】
「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。
第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ、ＣｏＷ、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ合金層などが挙げられる。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。
第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ、ＣｏＷ、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ合金層などが挙げられる。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0056】
「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0057】
「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２等が挙げられる。
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２等が挙げられる。
【0058】
磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ２Ｏ３－ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。
例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ２Ｏ３－ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。
【0059】
第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
【0060】
第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
【0061】
磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。
【0062】
磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。
【0063】
磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0064】
磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。
【0065】
「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる水酸基との相互作用が一層高まるため、好ましい。
保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる水酸基との相互作用が一層高まるため、好ましい。
【0066】
炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより、制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量はＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４～１５原子％であることが好ましい。
【0067】
炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。
【0068】
保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍとするのがよい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。
【0069】
保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。
保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。
【0070】
「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。
【0071】
潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。
【0072】
潤滑層１８の平均膜厚は、任意に選択できるが、０．５ｎｍ（５Å）～３ｎｍ（３０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１ｎｍ（１０Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を３ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくできる。
【0073】
保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、保護層１７と吸着、結合し汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）がスメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。
【0074】
汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性不純物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。
【0075】
「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。
潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。
【0076】
潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、任意に選択される溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより、得られる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。
【0077】
潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。
【0078】
本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
熱処理温度は１００～１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０～１２０分とすることが好ましい。
熱処理温度は１００～１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０～１２０分とすることが好ましい。
【0079】
本実施形態においては、潤滑層１８の保護層１７に対する付着力をより一層向上させるために、熱処理前もしくは熱処理後の基板１１の潤滑層１８に、紫外線（ＵＶ）を照射する処理を行ってもよい。
【0080】
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面を被覆している。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０では、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が、潤滑層１８の隙間から侵入することが防止されている。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、表面上に存在する汚染物質が少ないものである。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、異物（スメア）を生じさせにくく、ピックアップを抑制できる。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、優れた耐摩耗性を有する。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、優れた信頼性および耐久性を有する。
【実施例】
【0081】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【0082】
（実施例１）
以下に示す方法により、下記式（５）で示される化合物を製造した。
以下に示す方法により、下記式（５）で示される化合物を製造した。
【0083】
【化5】
（式（５）中、ｐは４．５であり、ｑは４．５である。）
【0084】
窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｐは４．５であり、ｑは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０．０ｇと、１－ブロモプロパン１．９７ｇ（分子量１２３．０、１６．０ｍｍｏｌ）と、ｔ－ＢｕＯＨ２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにｔ－ＢｕＯＫを０．９０ｇ（分子量１１２．２、８．０ｍｍｏｌ）加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。
【0085】
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水３０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル８０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（６）で示される化合物８．２０ｇ（分子量１０４０、７．９ｍｍｏｌ）を得た。
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（６）
（式（６）中、ｐは４．５であり、ｑは４．５である。）
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（６）
（式（６）中、ｐは４．５であり、ｑは４．５である。）
【0086】
次いで、式（６）で示される化合物８．００ｇと、エピブロモヒドリン１．０５ｇ（分子量１３７．０、７．７ｍｍｏｌ）と、ｔ－ＢｕＯＨ１５ｍＬとを、ナスフラスコに仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにｔ－ＢｕＯＫを０．８６ｇ（分子量１１２．２、７．７ｍｍｏｌ）加え、７０℃で６時間撹拌して反応させた。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水３０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル８０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（７）で示される化合物５．２０ｇ（分子量１１０３、４．７ｍｍｏｌ）を得た。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水３０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル８０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（７）で示される化合物５．２０ｇ（分子量１１０３、４．７ｍｍｏｌ）を得た。
【0087】
【化6】
（式（７）中、ｐは４．５であり、ｑは４．５である。）
【0088】
次いで、式（７）で示される化合物５．０ｇと、エチレングリコール１．１２ｇ（分子量６２．１、１８．０ｍｍｏｌ）と、ｔ－ＢｕＯＨ３０ｍＬとを、ナスフラスコに仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにｔ－ＢｕＯＫを０．５６ｇ（分子量１１２．２、５．０ｍｍｏｌ）加え、７０℃で６時間撹拌して反応させた。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水３０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル８０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、上記式（５）で示される化合物４．０ｇを得た。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水３０ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル８０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、上記式（５）で示される化合物４．０ｇを得た。
【0089】
得られた化合物（５）の１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（２Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（２Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）
【0090】
（実施例２）
実施例１において用いたＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｐは４．５であり、ｑは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｐは７．０であり、ｑは０である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（８）で示される化合物４．０ｇを得た。
実施例１において用いたＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｐは４．５であり、ｑは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｐは７．０であり、ｑは０である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（８）で示される化合物４．０ｇを得た。
【0091】
【化7】
（式（８）中、ｐは７．０であり、ｑは０である。）
【0092】
得られた化合物（８）の１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（２Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．５（２Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－９０．０～－８８．５（２８Ｆ）
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（２Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．５（２Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－９０．０～－８８．５（２８Ｆ）
【0093】
（実施例３）
実施例１において用いたＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｐは４．５であり、ｑは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｒＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｒは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（９）で示される化合物４．１ｇを得た。
実施例１において用いたＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｐは４．５であり、ｑは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｒＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｒは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（９）で示される化合物４．１ｇを得た。
【0094】
【化8】
（式（９）中、ｒは４．５である。）
【0095】
得られた化合物（９）の１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（２Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（１８Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－１２４．３（４Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（９Ｆ）
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（２Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（１８Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－１２４．３（４Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（９Ｆ）
【0096】
（実施例４）
実施例１において用いたＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｐは４．５であり、ｑは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｓＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｓは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（１０）で示される化合物３．４ｇを得た。
実施例１において用いたＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｐは４．５であり、ｑは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｓＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｓは３．０である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（１０）で示される化合物３．４ｇを得た。
【0097】
【化9】
（式（１０）中、ｓは３．０である。）
【0098】
得られた化合物（１０）の１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（２Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（１６Ｆ）、－１２２．５（４Ｆ）、－１２６．０（１２Ｆ）、－１２９．０～－１２８．０（４Ｆ）
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（２Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（１６Ｆ）、－１２２．５（４Ｆ）、－１２６．０（１２Ｆ）、－１２９．０～－１２８．０（４Ｆ）
【0099】
（実施例５）
実施例１において用いた１－ブロモプロパンの代わりに、１－ブロモヘプタンを用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（１１）で示される化合物４．５ｇを得た。
実施例１において用いた１－ブロモプロパンの代わりに、１－ブロモヘプタンを用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（１１）で示される化合物４．５ｇを得た。
【0100】
【化10】
（式（１１）中、ｐは４．５であり、ｑは４．５である。）
【0101】
得られた化合物（１１）の１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（１０Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（１０Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）
【0102】
（実施例６）
実施例１において用いたエチレングリコールの代わりに、１，３－プロパンジオールを用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（１２）で示される化合物４．０ｇを得た。
実施例１において用いたエチレングリコールの代わりに、１，３－プロパンジオールを用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（１２）で示される化合物４．０ｇを得た。
【0103】
【化11】
（式（１２）中、ｐは４．５であり、ｑは４．５である。）
【0104】
得られた化合物（１２）の１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（４Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（４Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）
【0105】
（実施例７）
実施例１において用いたエチレングリコールの代わりに、１，４－ブタンジオールを用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（１３）で示される化合物４．０ｇを得た。
実施例１において用いたエチレングリコールの代わりに、１，４－ブタンジオールを用いた以外は実施例１と同様にして、下記式（１３）で示される化合物４．０ｇを得た。
【0106】
【化12】
（式（１３）中、ｐは４．５であり、ｑは４．５である。）
【0107】
得られた化合物（１３）の１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（６Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）
（同定データ）
１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］０．９０～１．２０（３Ｈ）、１．６０～２．００（６Ｈ）、３．５５～４．２０（１５Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）
【0108】
（比較例１）
下記式（１４）で表されるＳｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製のＦｏｍｂｌｉｎ Ｚ－ｔｅｔｒａｏｌを用いた。
下記式（１４）で表されるＳｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製のＦｏｍｂｌｉｎ Ｚ－ｔｅｔｒａｏｌを用いた。
【0109】
【化13】
（式（１４）中、ｐは９．０であり、ｑは９．０である。）
【0110】
（比較例２）
下記式（１５）で表される化合物を特許文献１に記載の方法で合成した。
下記式（１５）で表される化合物を特許文献１に記載の方法で合成した。
【0111】
【化14】
（式（１５）中、ｐは４．５であり、ｑは４．５である。）
【0112】
（比較例３）
下記式（１６）で表される化合物を特許文献２に記載の方法で合成した。
下記式（１６）で表される化合物を特許文献２に記載の方法で合成した。
【0113】
【化15】
（式（１６）中、ｐは４．５であり、ｑは４．５である。）
【0114】
このようにして得られた比較例１～３の化合物について、それぞれ１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、構造を同定した。
また、実施例１～７および比較例１～３の化合物の数平均分子量を、上述した１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表１に示す。
また、実施例１～７および比較例１～３の化合物の数平均分子量を、上述した１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表１に示す。
【0115】
【表1】
【0116】
次に、以下に示す方法により、実施例１～７および比較例１～３で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～７および比較例１～３の磁気記録媒体を得た。
【0117】
「潤滑層形成用溶液」
実施例１～７および比較例１～３で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９Å～１０ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。
実施例１～７および比較例１～３で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９Å～１０ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。
【0118】
「磁気記録媒体」
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～７および比較例１～３の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱して潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去することにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～７および比較例１～３の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱して潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去することにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。
【0119】
このようにして得られた実施例１～７および比較例１～３の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表２に示す。
【0120】
また、実施例１～７および比較例１～３の磁気記録媒体に対して、以下に示す耐摩耗性試験および化学物質耐性試験を行なった。
（耐摩耗性試験）
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。
（耐摩耗性試験）
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。
【0121】
実施例１～７の化合物および比較例１～３の化合物を用いた磁気記録媒体の結果を、それぞれ表２に示す。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間による耐摩耗性の評価は、以下のとおりとした。
◎（優）：６５０ｓｅｃ以上
○（良）：５５０ｓｅｃ以上、６５０ｓｅｃ未満
△（可）：４５０ｓｅｃ以上、５５０ｓｅｃ未満
×（不可）：４５０ｓｅｃ未満
◎（優）：６５０ｓｅｃ以上
○（良）：５５０ｓｅｃ以上、６５０ｓｅｃ未満
△（可）：４５０ｓｅｃ以上、５５０ｓｅｃ未満
×（不可）：４５０ｓｅｃ未満
【0122】
なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行する。摩耗により潤滑層が無くなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。本摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、フリクション試験とも相関があると考えられる。
【0123】
（化学物質耐性試験）
以下に示す方法により、高温環境下で汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べた。環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。
以下に示す方法により、高温環境下で汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べた。環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。
【0124】
具体的には、評価対象である磁気記録媒体を、温度８５℃、湿度０％の高温環境下で、シロキサン系Ｓｉゴムの存在下に２４０時間保持した。次に、磁気記録媒体の表面に存在するＳｉ吸着量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析測定し、Ｓｉイオンによる汚染の程度をＳｉ吸着量として評価した。Ｓｉ吸着量の評価は、比較例１の結果を１．００としたときの数値を用いて評価した。その結果を表２に示す。
（総合評価）
総合評価として、評価した結果が総合的に良かった化合物を◎（優）、劣った結果があった化合物を×（不可）として表２に示した。
（総合評価）
総合評価として、評価した結果が総合的に良かった化合物を◎（優）、劣った結果があった化合物を×（不可）として表２に示した。
【0125】
【表2】
【0126】
表２に示すように、実施例１～７の磁気記録媒体は、比較例１～３の磁気記録媒体と比較して、摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間が長く、耐摩耗性が良好であった。また、表２に示すように、実施例１～７の磁気記録媒体は、比較例１～３の磁気記録媒体と比較して、Ｓｉ吸着量が少なく、高温環境下において環境物質に汚染されにくいことが明らかになった。
【0127】
より詳細には、炭素数１～１０のアルコキシ基を有さず、パーフルオロポリエーテル鎖の両末端にそれぞれ２つの水酸基を含む末端基を有し、両末端に結合している末端基が同じである比較例１および比較例３は、耐摩耗性および化学物質耐性が不十分であった。特に、末端基に含まれる２つの水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合しており、水酸基の結合している炭素原子同士が結合している比較例１では、耐摩耗性が劣っていた。
また、パーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端が炭素数１～１０のアルコキシ基であり、もう一方の末端が２つの水酸基を含み、各水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合しているが、水酸基の結合している炭素原子同士が結合している比較例２では、耐摩耗性および化学物質耐性が不十分であった。
また、パーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端が炭素数１～１０のアルコキシ基であり、もう一方の末端が２つの水酸基を含み、各水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合しているが、水酸基の結合している炭素原子同士が結合している比較例２では、耐摩耗性および化学物質耐性が不十分であった。
【0128】
これらのことから、実施例１～７の磁気記録媒体では、パーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端が炭素数１～１０のアルコキシ基であり、もう一方の末端が２つの水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、水酸基の結合している炭素原子同士が、エーテル結合を含む連結基を介して結合している末端基である化合物を、潤滑層が含むため、優れた耐摩耗性および化学物質耐性が得られるものと推定される。
【産業上の利用可能性】
【0129】
本発明は、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供する。
本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を実現できる潤滑層を形成できる。
本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を実現できる潤滑層を形成できる。
【符号の説明】
【0130】
１０・・・磁気記録媒体
１１・・・基板
１２・・・付着層
１３・・・軟磁性層
１４・・・第１下地層
１５・・・第２下地層
１６・・・磁性層
１７・・・保護層
１８・・・潤滑層
１１・・・基板
１２・・・付着層
１３・・・軟磁性層
１４・・・第１下地層
１５・・・第２下地層
１６・・・磁性層
１７・・・保護層
１８・・・潤滑層
【図1】