特許 7449210 配線基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-05

(45)【発行日】2024-03-13

(54)【発明の名称】配線基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/38 20060101AFI20240306BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240306BHJP

【ＦＩ】

H05K3/38 A

H05K3/46 T

H05K3/46 B

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2020162183

(22)【出願日】2020-09-28

(65)【公開番号】P2022054913

(43)【公開日】2022-04-07

【審査請求日】2023-03-22

(73)【特許権者】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】雪入 裕司

【審査官】鹿野 博司

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１１－１６４３０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－２１９４７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－２０３３１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０６７２１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２３５１６６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ３／３８

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の一方の面に形成された配線層と、
前記第１絶縁層の一方の面に形成され、前記配線層を被覆する第２絶縁層と、を有し、
前記第２絶縁層は、前記配線層の前記第１絶縁層から露出する面の少なくとも一部を被覆する第１樹脂層と、前記第１樹脂層を被覆する第２樹脂層と、を含み、
前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層、及び前記第１絶縁層の一方の面と接し、
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層は、樹脂とフィラーを含有し、
前記第１樹脂層に含まれる単位面積当たりの樹脂の比率は、前記第２樹脂層に含まれる単位面積当たりの樹脂の比率よりも高い、配線基板。

【請求項2】

前記第１樹脂層に含まれる単位面積当たりの樹脂の比率は、前記第２樹脂層に含まれる単位面積当たりの樹脂の比率の１．５倍以上である、請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記第１樹脂層に含まれる単位面積当たりのフィラーの比率は、前記第２樹脂層に含まれる単位面積当たりのフィラーの比率よりも低い、請求項１又は２に記載の配線基板。

【請求項4】

前記第１樹脂層の厚さは、前記第２樹脂層の厚さよりも薄い、請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項5】

前記第２絶縁層全体でのフィラーの含有率が５０ｗｔ％以上である、請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項6】

前記配線層の前記第１絶縁層から露出する面の表面粗さ（Ｒａ）は２００ｎｍ以下である、請求項１乃至５の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項7】

前記第２絶縁層に埋設されたビア配線を有し、前記ビア配線は前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を貫通し、前記配線層と接している、請求項１乃至６の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項8】

前記第１樹脂層の厚さは、前記第２樹脂層の厚さよりも薄い、請求項１乃至７の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項9】

第１絶縁層の一方の面に配線層を形成する工程と、
前記配線層の前記第１絶縁層から露出する面に有機被膜処理を行う工程と、
前記第１絶縁層の一方の面に、前記配線層を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記第２絶縁層を形成する工程は、
フィラーを含有する熱硬化性樹脂を準備し、前記第１絶縁層の一方の面に、前記配線層を被覆するように前記熱硬化性樹脂を配置する工程と、
前記熱硬化性樹脂の硬化に必要な温度よりも低い温度で前記熱硬化性樹脂を加熱し、その後、前記熱硬化性樹脂の硬化に必要な温度よりも高い温度で前記熱硬化性樹脂を加熱して硬化させる工程と、を含み、
前記硬化させる工程では、前記配線層の前記第１絶縁層から露出する面の少なくとも一部を被覆する第１樹脂層と、前記第１樹脂層を被覆する第２樹脂層と、を含む前記第２絶縁層が形成され、
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層は、樹脂とフィラーを含有し、
前記第１樹脂層に含まれる単位面積当たりの樹脂の比率は、前記第２樹脂層に含まれる単位面積当たりの樹脂の比率よりも高い、配線基板の製造方法。

【請求項10】

前記有機被膜処理を行う工程よりも前に、前記配線層の前記第１絶縁層から露出する面に粗化処理を行う工程を有する、請求項９に記載の配線基板の製造方法。

【請求項11】

前記第２絶縁層にレーザを照射し、前記第２絶縁層に前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を貫通して前記配線層を露出するビアホールを形成する工程を有する、請求項９又は１０に記載の配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

樹脂を含む絶縁層と配線層が交互に積層された配線基板が知られている。このような配線基板において、絶縁層と配線層との密着性は重要である。そのため、配線層の表面に粗化処理を施して配線層の表面に凹凸を形成し、アンカー効果をもたせることで、絶縁層と配線層との密着性を向上させる方法が採られる場合がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１２－２３５１６６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、絶縁層は樹脂の他にフィラーを含む場合がある。この場合、フィラーと配線層とが接するため、絶縁層と配線層との密着性を確保することが困難である。

【0005】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、フィラーを含む絶縁層と配線層との密着性を向上可能な配線基板の提供を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一方の面に形成された配線層と、前記第１絶縁層の一方の面に形成され、前記配線層を被覆する第２絶縁層と、を有し、前記第２絶縁層は、前記配線層の前記第１絶縁層から露出する面の少なくとも一部を被覆する第１樹脂層と、前記第１樹脂層を被覆する第２樹脂層と、を含み、前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層、及び前記第１絶縁層の一方の面と接し、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層は、樹脂とフィラーを含有し、前記第１樹脂層に含まれる単位面積当たりの樹脂の比率は、前記第２樹脂層に含まれる単位面積当たりの樹脂の比率よりも高い。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、フィラーを含む絶縁層と配線層との密着性を向上可能な配線基板の提供が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る配線基板を例示する図である。

【図2】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。

【図3】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。

【図4】比較例に係る配線基板を例示する断面図である。

【図5】応用例１に係る多層配線基板を例示する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

〈第１実施形態〉
［配線基板の構造］
図１は、第１実施形態に係る配線基板を例示する図であり、図１（ａ）は部分断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の拡大図である。

【0011】

図１を参照するに、配線基板１は、絶縁層１０と、配線層２０と、絶縁層３０と、配線層４０とを有している。

【0012】

なお、本実施形態では、便宜上、配線基板１の絶縁層３０側を上側又は一方の側、絶縁層１０側を下側又は他方の側とする。また、各部位の絶縁層３０側の面を上面又は一方の面、絶縁層１０側の面を下面又は他方の面とする。ただし、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。また、平面視とは対象物を絶縁層１０の上面１０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層１０の上面１０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

【0013】

絶縁層１０は、例えば、多層配線の層間絶縁層として、ビルドアップ工法を用いて形成することができる絶縁層である。したがって、絶縁層１０の下層として他の配線層や他の絶縁層が積層されていてもよい。また、絶縁層３０の上層として他の配線層や他の絶縁層が積層されていてもよい。この場合、絶縁層１０や他の絶縁層に適宜ビアホールを設け、ビアホールを介して配線層同士を接続することができる。

【0014】

絶縁層１０の材料としては、例えば、非感光性（熱硬化性樹脂）のエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。また、絶縁層１０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有してもかまわない。絶縁層１０の厚さは、例えば、１０～５０μｍ程度とすることができる。絶縁層１０の熱膨張係数は、例えば、１０ｐｐｍ／℃～５０ｐｐｍ／℃程度である。

【0015】

配線層２０は、絶縁層１０の上面１０ａに形成されている。配線層２０の下面は絶縁層１０の上面１０ａに接しており、配線層２０の上面及び側面は絶縁層１０から露出している。すなわち、配線層２０は、絶縁層１０の上面１０ａから上側に突出している。配線層２０の厚さは、例えば、５～２５μｍ程度とすることができる。配線層２０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。

【0016】

絶縁層３０は、絶縁層１０の上面１０ａに形成され、配線層２０を被覆する。絶縁層３０の材料としては、例えば、非感光性（熱硬化性樹脂）のエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。また、絶縁層３０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラー３０Ｆを含有している。フィラー３０Ｆの粒径は、例えば、５μｍ以下とすることができる。絶縁層３０の厚さは、例えば、１０～５０μｍ程度とすることができる。絶縁層３０の熱膨張係数は、例えば、１０ｐｐｍ／℃～５０ｐｐｍ／℃程度である。

【0017】

絶縁層３０は、第１樹脂層３１と、第２樹脂層３２とを含む。第１樹脂層３１は、配線層２０の絶縁層１０から露出する面（図１では配線層２０の上面及び側面）を被覆している。例えば、配線層２０が絶縁層１０に埋め込まれ、上面のみが絶縁層１０から露出する場合には、第１樹脂層３１は配線層２０の上面のみを被覆する。第２樹脂層３２は、第１樹脂層３１を被覆している。第１樹脂層３１の厚さは、第２樹脂層３２の厚さよりも薄い。第１樹脂層３１の厚さは、例えば、１μｍ～３μｍ程度である。第１樹脂層３１の厚さは場所によりばらつきがあってもよいが、厚い方が好ましい。

【0018】

なお、第１樹脂層３１は、配線層２０の絶縁層１０から露出する面をおおよそ被覆するが、完全に被覆する必要はない。つまり、第１樹脂層３１は、配線層２０の絶縁層１０から露出する面の少なくとも一部を被覆していればよく、配線層２０の絶縁層１０から露出する面は、第２樹脂層３２と接する部分を有してもよい。第１樹脂層３１は、配線層２０の絶縁層１０から露出する面の７０％以上を被覆していることが好ましく、８０％以上を被覆していることがより好ましく、９０％以上を被覆していることがさらに好ましい。第１樹脂層３１は、配線層２０の絶縁層１０から露出する面の全てを被覆していることが特に好ましい。

【0019】

第１樹脂層３１及び第２樹脂層３２は、樹脂３０Ｒとフィラー３０Ｆを含有している。つまり、第１樹脂層３１及び第２樹脂層３２は、同じ樹脂と同じフィラーを含有している。ただし、第１樹脂層３１及び第２樹脂層３２は、樹脂３０Ｒとフィラー３０Ｆを含有する量が異なる。第１樹脂層３１に含まれる単位面積当たりの樹脂３０Ｒの比率は、第２樹脂層３２に含まれる単位面積当たりの樹脂３０Ｒの比率よりも高い。すなわち、第１樹脂層３１は、樹脂リッチ層である。言い換えれば、第１樹脂層３１に含まれる単位面積当たりのフィラー３０Ｆの比率は、第２樹脂層３２に含まれる単位面積当たりのフィラー３０Ｆの比率よりも低い。

【0020】

例えば、第１樹脂層３１に含まれる単位面積当たりの樹脂３０Ｒの比率は７０％以上であり、第２樹脂層３２に含まれる単位面積当たりの樹脂３０Ｒの比率５０％以下である。第１樹脂層３１に含まれる単位面積当たりの樹脂３０Ｒの比率は、第２樹脂層３２に含まれる単位面積当たりの樹脂３０Ｒの比率の１．５倍以上であることが好ましい。例えば、第１樹脂層３１に含まれる単位面積当たりの樹脂３０Ｒの比率は、第２樹脂層３２に含まれる単位面積当たりの樹脂３０Ｒの比率の１．５倍～２倍程度となるが、２倍より大きくてもよい。なお、単位面積当たりの樹脂の比率は、絶縁層の断面写真を画像処理することで求められる。

【0021】

配線層４０は、絶縁層３０の一方の側に形成されている。配線層４０は、絶縁層３０の第１樹脂層３１及び第２樹脂層３２を貫通し配線層２０の上面を露出するビアホール３０ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３０の上面に形成された配線パターンを含んでいる。絶縁層３０に埋設されたビア配線は、第１樹脂層３１及び第２樹脂層３２を貫通し、配線層２０の上面と接している。つまり、配線層４０の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２０と電気的に接続されている。ビアホール３０ｘは、例えば、絶縁層３０の上面側に開口されている開口部の径が配線層２０の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層４０の材料は、例えば、銅等である。

【0022】

［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２及び図３は、第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、本実施形態では、単品の配線基板を形成する工程を示すが、配線基板となる複数の部分を作製後、個片化して各配線基板とする工程としてもよい。

【0023】

まず、図２（ａ）に示す工程では、絶縁層１０を準備し、絶縁層１０の上面１０ａに配線層２０を形成する。配線層２０は、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等の各種配線形成方法を用いて形成できる。一例として、セミアディティブ法により配線層２０を形成する方法を以下に示す。

【0024】

まず、絶縁層１０の上面１０ａに、無電解めっき法又はスパッタ法により、銅（Ｃｕ）等からなるシード層を形成する。次に、シード層上に配線層２０に対応する開口部を備えたレジスト層を形成する。次に、シード層を給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部内に露出するシード層の表面に銅（Ｃｕ）等を析出させ、電解めっき層を形成する。次に、レジスト層を除去した後、電解めっき層をマスクにして、電解めっき層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、シード層上に電解めっき層が積層された配線層２０が形成される。

【0025】

次に、図２（ｂ）に示す工程では、配線層２０の絶縁層１０から露出する面（上面及び側面）に粗化処理を行う。そして、粗化処理後、配線層２０の絶縁層１０から露出する面（上面及び側面）の酸化防止及び絶縁層３０との密着性向上のため、有機被膜処理を行う。粗化処理は、例えば、エッチング、酸化、ブラスト等の方法により行うことができる。ただし、粗化処理は必須ではなく、必要に応じて行えばよい。高周波数帯での信号の遅延の発生を回避する観点から、配線層２０の上面及び側面の表面粗さ（Ｒａ）は０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下がより好ましく、０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が特に好ましい。有機被膜処理には、例えば、アミン化合物とメタノールを主成分とする混合物（例えば、防錆処理液）を使用できる。有機被膜処理により、配線層２０の上面及び側面は、例えば、厚さ１０ｎｍ以下程度の有機被膜２０Ｓで被覆される。

【0026】

次に、図２（ｃ）に示す工程では、絶縁層１０の上面１０ａに配線層２０を被覆する絶縁層３０を形成する。絶縁層３０を形成する工程では、例えば、まず、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有する熱硬化性樹脂を準備し、絶縁層１０の上面１０ａに、配線層２０を被覆するように熱硬化性樹脂を配置する。そして、熱硬化性樹脂の硬化に必要な温度よりも低い温度で熱硬化性樹脂を加熱し、その後、熱硬化性樹脂の硬化に必要な温度よりも高い温度で熱硬化性樹脂を加熱して硬化させる。フィラーを含有する熱硬化性樹脂としては、例えば、半硬化状態のフィルム状のエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする非感光性の熱硬化性樹脂が挙げられる。或いは、フィルム状のエポキシ系樹脂等に代えて、液状又はペースト状の非感光性の熱硬化性樹脂を用いてもよい。

【0027】

配線層２０の絶縁層１０から露出する面は有機被膜２０Ｓで被覆されているため、絶縁層３０を積層する直前の配線層２０は酸素と反応しない活性な状態を保っている。そのため、配線層２０を被覆する熱硬化性樹脂を加熱すると、熱硬化性樹脂の熱硬化反応（架橋反応）が進むと同時に、配線層２０を構成する金属（Ｃｕ等）と熱硬化性樹脂中の水酸基が反応する。

【0028】

これにより、フィラーを含有する熱硬化性樹脂中の樹脂成分のみが配線層２０の絶縁層１０から露出する面の付近に移動する。その結果、配線層２０の絶縁層１０から露出する面の少なくとも一部を被覆する樹脂リッチな第１樹脂層３１が形成される。また、第１樹脂層３１を被覆するように、単位面積当たりの樹脂の比率が第１樹脂層３１よりも低い第２樹脂層３２が形成される。なお、加熱により、有機被膜２０Ｓの一部又は全部が消失する。

【0029】

このように、フィラーを含有する熱硬化性樹脂を加熱して絶縁層３０を形成する際には、２段階の熱処理を行うことが好ましい。これにより、第１樹脂層３１を厚く形成できる。具体的には、例えば、使用する熱硬化性樹脂の最低溶融温度付近の低温側（例えば９０℃～１４０℃程度）で３０分以上保持したのち、使用する熱硬化性樹脂の硬化に必要な高温側（例えば、１６０℃以上）の温度を２０分以上加える。この方法では、低温側の温度で熱硬化性樹脂が軟化し樹脂成分のみが配線層２０の上面及び側面の付近に移動しやすい状態を長時間作り出すことで、第１樹脂層３１をより厚く形成できる。

【0030】

なお、軟化した樹脂成分が配線層２０の付近に移動する際に、フィラーが一緒に移動する場合もある。フィラーの粒径がばらついている場合、小径のフィラーの方が大径のフィラーよりも移動しやすいため、配線層２０の付近には、比較的小径のフィラーが集まりやすい。つまり、第１樹脂層３１には、比較的小径のフィラーが集まりやすい。

【0031】

次に、図３（ａ）に示す工程では、絶縁層３０に、絶縁層３０を貫通し配線層２０の上面を露出させるビアホール３０ｘを形成する。ビアホール３０ｘは、例えば、絶縁層３０にＣＯ_２レーザ等のレーザを照射するレーザ加工法により形成できる。ビアホール３０ｘを形成後、デスミア処理を行い、ビアホール３０ｘの底部に露出する配線層２０の上面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。

【0032】

次に、絶縁層３０の一方の側に配線層４０を形成する。配線層４０は、ビアホール３０ｘ内に充填されたビア配線、絶縁層３０の上面に形成された配線パターンを含む。配線層４０の配線パターンは、ビアホール３０ｘの底部に露出した配線層２０と電気的に接続される。以上の工程により、配線基板１が完成する。

【0033】

ここで、比較例を示しながら、配線基板１の奏する効果について説明する。図４は、比較例に係る配線基板を例示する断面図である。図４に示す配線基板１Ｘは、絶縁層３０が絶縁層３０Ａに置換された点が、配線基板１（図１等参照）と相違する。

【0034】

絶縁層３０Ａは、絶縁層３０のように２層構造になっていない。つまり、絶縁層３０Ａにおける単位面積当たりの樹脂の比率は、配線基板１の第２樹脂層３２と同じであり、絶縁層３０Ａは第１樹脂層３１に相当する樹脂リッチ層を有していない。

【0035】

絶縁層３０Ａでは、配線層２０の周囲に樹脂リッチ層が存在しないため、配線層２０の周囲には多くのフィラー３０Ｆが存在し、配線層２０に接触しているフィラー３０Ｆも多い。しかし、配線層２０とフィラー３０Ｆは接触しているだけで密着はしていない。そのため、配線層２０とフィラー３０Ｆが接触している箇所が多いほど、配線層２０と絶縁層３０Ａとの密着性が低下し、配線層２０と絶縁層３０Ａとの界面が剥がれやすくなる。

【0036】

特に、上面側にビアホール３０ｘが形成される配線層２０では、ビアホール３０ｘを形成するためのレーザ加工時に熱ストレスが加わる。そのため、配線層２０の周囲の樹脂３０Ｒが炭化し、密着力がますます低下することになり、配線層２０と絶縁層３０Ａとの界面が一層剥がれやすくなる。

【0037】

また、配線基板１Ｘにおいて、配線層２０と絶縁層３０Ａとの界面の剥がれを抑制するために、配線層２０の上面及び側面の粗度を大きくし、より多くの大きなアンカーを形成することは可能である。これにより、配線層２０と絶縁層３０Ａとの接触面積が広がるため、両者の間の密着力を向上できる。しかし、配線層２０の表面の大きなアンカーは、高周波数帯での信号遅延を発生されるため好ましくない。

【0038】

これに対して、配線基板１では、樹脂リッチな第１樹脂層３１が配線層２０の周囲に存在するため、配線層２０の上面及び側面と第１樹脂層３１を構成する樹脂との接触する面積が大きい。そのため、配線層２０と絶縁層３０との密着力が強くなる。その結果、配線層２０と絶縁層３０との界面の剥がれを抑制できる。配線層２０に、ビアホール３０ｘを形成するためのレーザ加工時に熱ストレスが加わった場合でも、配線層２０と絶縁層３０とが十分な密着力を維持するため配線層２０と絶縁層３０との界面が剥がれることを抑制できる。

【0039】

また、配線基板１では、第１樹脂層３１の存在により配線層２０と絶縁層３０とが十分な密着力を有しているため、配線層２０の表面に配線基板１Ｘのような大きなアンカーを形成する必要はない。そのため、配線基板１では、高周波数帯での信号の遅延の発生を回避することが可能となる。

【0040】

特に、近年では、配線基板を構成する絶縁層の熱ストレスを低減する目的で、低熱膨張係数の絶縁層が要求されるため、絶縁層においてシリカ等のフィラーの含有量が５０ｗｔ％を超える場合がある。絶縁層においてフィラーの含有量が５０ｗｔ％を超える場合には、配線基板１Ｘのように第１樹脂層が存在しないと、配線層と絶縁層との密着性が大きく低下する。したがって、絶縁層においてフィラーの含有量が５０ｗｔ％を超える場合に、第１樹脂層を有する配線基板は、配線層と絶縁層との界面の剥がれを抑制できる点で特に有効である。配線基板１では、例えば、絶縁層３０全体でのフィラーの含有率が５０ｗｔ％以上である場合でも、配線層２０と絶縁層３０との間に十分な密着力が得られる。

【0041】

〈応用例１〉
応用例１では、絶縁層３０と同一構造の絶縁層を含む多層配線基板の例を示す。なお、応用例１において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0042】

図５は、応用例１に係る多層配線基板を例示する断面図である。図５を参照すると、多層配線基板２は、コア層１００の一方の面１００ａに順次積層された、配線層１１０、絶縁層１１１、配線層１１２、絶縁層１１３、配線層１１４、及びソルダーレジスト層１１５を有している。また、多層配線基板２は、コア層１００の他方の面１００ｂに順次積層された、配線層１２０、絶縁層１２１、配線層１２２、絶縁層１２３、配線層１２４、及びソルダーレジスト層１２５を有している。

【0043】

コア層１００としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア層１００として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂等を含浸させた基板等を用いてもよい。

【0044】

配線層１１０は、コア層１００の一方の面１００ａに形成されている。配線層１１０は、コア層１００を貫通する貫通配線１０５を介して、配線層１２０と電気的に接続されている。配線層１１０の材料は、例えば、銅等である。絶縁層１１１は、コア層１００の一方の面１００ａに配線層１１０を覆うように形成されている。絶縁層１１１の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層１１１の厚さは、例えば１０～５０μｍ程度とすることができる。絶縁層１１１は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有する。

【0045】

配線層１１２は、絶縁層１１１の一方の側に形成されている。配線層１１２は、絶縁層１１１を貫通し配線層１１０の上面を露出するビアホール１１１ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１１１の上面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層１１２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層１１０と電気的に接続されている。ビアホール１１１ｘは、例えば、絶縁層１１３側に開口されている開口部の径が配線層１１０の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層１１２の材料は、例えば、銅等である。

【0046】

絶縁層１１３は、絶縁層１１１の上面に配線層１１２を覆うように形成されている。絶縁層１１３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層１１３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有する。

【0047】

配線層１１４は、絶縁層１１３の一方の側に形成されている。配線層１１４は、絶縁層１１３を貫通し配線層１１２の上面を露出するビアホール１１３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１１３の上面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層１１４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層１１２と電気的に接続されている。ビアホール１１３ｘは、例えば、ソルダーレジスト層１１５側に開口されている開口部の径が配線層１１２の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層１１４の材料は、例えば、銅等である。

【0048】

ソルダーレジスト層１１５は、多層配線基板２の一方の側の最外層であり、絶縁層１１３の上面に、配線層１１４を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１１５は、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の感光性樹脂等から形成することができる。ソルダーレジスト層１１５の厚さは、例えば５～４０μｍ程度とすることができる。

【0049】

ソルダーレジスト層１１５は、開口部１１５ｘを有し、開口部１１５ｘの底部には配線層１１４の上面の一部が露出している。開口部１１５ｘの平面形状は、例えば、円形である。必要に応じ、開口部１１５ｘ内に露出する配線層１１４の上面に金属層を形成したり、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施したりしてもよい。

【0050】

開口部１１５ｘの底部に露出する配線層１１４の上面には、外部接続端子１１６が形成されている。外部接続端子１１６は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。外部接続端子１１６は、半導体チップと電気的に接続するための端子となる。

【0051】

配線層１２０は、コア層１００の他方の面１００ｂに形成されている。配線層１２０の材料は、例えば、銅等である。絶縁層１２１は、コア層１００の他方の面１００ｂに配線層１２０を覆うように形成されている。絶縁層１２１の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層１２１は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有する。

【0052】

配線層１２２は、絶縁層１２１の他方の側に形成されている。配線層１２２は、絶縁層１２１を貫通し配線層１２０の下面を露出するビアホール１２１ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２１の下面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層１２２の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層１２０と電気的に接続されている。ビアホール１２１ｘは、例えば、絶縁層１２３側に開口されている開口部の径が配線層１２０の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層１２２の材料は、例えば、銅等である。

【0053】

絶縁層１２３は、絶縁層１２１の下面に配線層１２２を覆うように形成されている。絶縁層１２３の材料や厚さは、例えば、絶縁層１１１と同様である。絶縁層１２３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有する。

【0054】

配線層１２４は、絶縁層１２３の他方の側に形成されている。配線層１２４は、絶縁層１２３を貫通し配線層１２２の下面を露出するビアホール１２３ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２３の下面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層１２４の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層１２２と電気的に接続されている。ビアホール１２３ｘは、例えば、ソルダーレジスト層１２５側に開口されている開口部の径が配線層１２２の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部である。配線層１２４の材料は、例えば、銅等である。

【0055】

ソルダーレジスト層１２５は、多層配線基板２の他方の側の最外層であり、絶縁層１２３の下面に、配線層１２４を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１２５の材料や厚さは、例えば、ソルダーレジスト層１１５と同様である。

【0056】

ソルダーレジスト層１２５は、開口部１２５ｘを有し、開口部１２５ｘ内には配線層１２４の下面の一部が露出している。開口部１２５ｘの平面形状は、例えば、円形とすることができる。開口部１２５ｘ内に露出する配線層１２４は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するためのパッドとして用いることができる。必要に応じ、開口部１２５ｘ内に露出する配線層１２４の下面に前述の金属層を形成したり、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施したりしてもよい。

【0057】

多層配線基板２において、絶縁層１１１、絶縁層１１３、絶縁層１２１、及び絶縁層１２３は、第１実施形態の絶縁層３０と同様に、配線層の表面の少なくとも一部を被覆する第１樹脂層と、第１樹脂層を被覆する第２樹脂層とを含む構造とすることができる。これにより、絶縁層１１１、絶縁層１１３、絶縁層１２１、及び絶縁層１２３と、それぞれが被覆する配線層との密着性を向上できる。

【0058】

以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0059】

１ 配線基板
２ 多層配線基板
１０、３０、１１１、１１３、１２１、１２３ 絶縁層
１０ａ 上面
２０、４０、１１０、１１２、１１４、１２０、１２２、１２４ 配線層
３０ｘ、１１１ｘ、１１３ｘ、１２１ｘ、１２３ｘ ビアホール
３１ 第１樹脂層
３２ 第２樹脂層
１００ コア層
１１５、１２５ ソルダーレジスト層
１１６ 外部接続端子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】