特許7451567三次元メモリデバイス、および三次元メモリデバイスを形成するための方法

発明の名称　三次元メモリデバイス、および三次元メモリデバイスを形成するための方法

出願人　長江存儲科技有限責任公司　（識別番号 519237948）

　　　　特許公開件数ランキング 436 位（63件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 427 位（55件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7451567

公報発行日　2024年3月18

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7451567

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