特許 7452325 銅張積層板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-11

(45)【発行日】2024-03-19

(54)【発明の名称】銅張積層板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   B32B 15/08 20060101AFI20240312BHJP

   B32B 37/00 20060101ALI20240312BHJP

【ＦＩ】

B32B15/08 A

B32B37/00

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2020138390

(22)【出願日】2020-08-19

(65)【公開番号】P2022034626

(43)【公開日】2022-03-04

【審査請求日】2023-03-13

(73)【特許権者】

【識別番号】000183303

【氏名又は名称】住友金属鉱山株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001704

【氏名又は名称】弁理士法人山内特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西山 芳英

【審査官】岩本 昌大

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１６－００４８４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－２２４３３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０５－０９５１９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１０３９８９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ３２Ｂ １／００－４３／００

Ｈ０５Ｋ １／００－１３／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得る電解めっき工程と、
前記銅張積層板をロールツーロールにより搬送しつつ加熱する加熱工程と、を備え、
前記加熱工程における加熱温度を８５～１５０℃の範囲で調整することで、前記銅張積層板の寸法変化率を調整する
ことを特徴とする銅張積層板の製造方法。

【請求項2】

前記加熱温度を低くすることで前記銅張積層板のＴＤ方向の寸法変化率を小さくし、前記加熱温度を高くすることで前記銅張積層板のＴＤ方向の寸法変化率を大きくする
ことを特徴とする請求項１記載の銅張積層板の製造方法。

【請求項3】

前記加熱温度を低くすることで前記銅張積層板のＭＤ方向の寸法変化率を大きくし、前記加熱温度を高くすることで前記銅張積層板のＭＤ方向の寸法変化率を小さくする
ことを特徴とする請求項１記載の銅張積層板の製造方法。

【請求項4】

前記加熱温度を所定値に設定して第１の銅張積層板を製造し、
前記第１の銅張積層板のＴＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率よりも大きい場合は、前記加熱温度を低くして第２の銅張積層板を製造し、
前記第１の銅張積層板のＴＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率よりも小さい場合は、前記加熱温度を高くして第２の銅張積層板を製造する
ことを特徴とする請求項１記載の銅張積層板の製造方法。

【請求項5】

前記加熱温度を所定値に設定して第１の銅張積層板を製造し、
前記第１の銅張積層板のＭＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率よりも大きい場合は、前記加熱温度を高くして第２の銅張積層板を製造し、
前記第１の銅張積層板のＭＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率よりも小さい場合は、前記加熱温度を低くして第２の銅張積層板を製造する
ことを特徴とする請求項１記載の銅張積層板の製造方法。

【請求項6】

前記加熱工程における搬送張力を調整することで、前記銅張積層板の寸法変化率を調整する
ことを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載の銅張積層板の製造方法。

【請求項7】

前記搬送張力を低くすることで前記銅張積層板のＴＤ方向の寸法変化率を小さくし、前記搬送張力を高くすることで前記銅張積層板のＴＤ方向の寸法変化率を大きくする
ことを特徴とする請求項６記載の銅張積層板の製造方法。

【請求項8】

前記搬送張力を低くすることで前記銅張積層板のＭＤ方向の寸法変化率を大きくし、前記搬送張力を高くすることで前記銅張積層板のＭＤ方向の寸法変化率を小さくする
ことを特徴とする請求項６記載の銅張積層板の製造方法。

【請求項9】

前記搬送張力を所定値に設定して第１の銅張積層板を製造し、
前記第１の銅張積層板のＴＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率よりも大きい場合は、前記搬送張力を低くして第２の銅張積層板を製造し、
前記第１の銅張積層板のＴＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率よりも小さい場合は、前記搬送張力を高くして第２の銅張積層板を製造する
ことを特徴とする請求項６記載の銅張積層板の製造方法。

【請求項10】

前記搬送張力を所定値に設定して第１の銅張積層板を製造し、
前記第１の銅張積層板のＭＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率よりも大きい場合は、前記搬送張力を高くして第２の銅張積層板を製造し、
前記第１の銅張積層板のＭＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率よりも小さい場合は、前記搬送張力を低くして第２の銅張積層板を製造する
ことを特徴とする請求項６記載の銅張積層板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、銅張積層板の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）に半導体チップを実装したチップオンフィルム（ＣＯＦ）などの製造に用いられる銅張積層板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などの電子機器には、樹脂フィルムの表面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板や、フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装したチップオンフィルムが用いられる。

【0003】

フレキシブルプリント配線板は銅張積層板から製造される。銅張積層板の製造方法としてメタライジング法が知られている。メタライジング法による銅張積層板の製造は、例えば、つぎの手順で行なわれる。まず、樹脂フィルムの表面にニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成する。つぎに、下地金属層の上に銅薄膜層を形成する。つぎに、銅薄膜層の上に銅めっき被膜を形成する。銅めっきにより、配線パターンを形成するのに適した膜厚となるまで導体層を厚膜化する。メタライジング法により、樹脂フィルム上に直接導体層が形成された、いわゆる２層基板と称されるタイプの銅張積層板が得られる。

【0004】

サブトラクティブ法、セミアディティブ法（特許文献１参照）などにより、銅張積層板に配線パターンを形成することで、フレキシブルプリント配線板が得られる。また、フレキシブルプリント配線板にスズめっきを行なった後、ソルダーレジスト、カバーレイなどにより保護膜を形成し、半導体チップを実装すれば、チップオンフィルムが得られる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２００６－２７８９５０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

銅張積層板は配線パターンの形成過程において伸縮する。配線パターンを形成するために導体層の一部を除去すると樹脂フィルムにたまった応力が解放されて伸縮する。また、スズめっき後のアニール処理、ソルダーレジストの熱硬化処理では、フレキシブルプリント配線板に熱が加わることで伸縮する。

【0007】

チップオンフィルムに用いられるフレキシブルプリント配線板は、半導体チップを実装するために配線の位置が厳密に定められる。位置精度の高い配線を得るために、配線パターンの形成過程における銅張積層板の伸縮を補正した露光マスクが作成される。そのため、銅張積層板の寸法変化率が変化すると露光マスクを作り直す必要がある。また、同一の製品の製造に複数メーカーの銅張積層板を用いる場合、メーカーごとに寸法変化率が異なると、共通の露光マスクを使うことができない。そこで、銅張積層板は予め定められた寸法変化率を有することが求められることがある。

【0008】

本発明は上記事情に鑑み、所望の寸法変化率を有する銅張積層板が得られる銅張積層板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の銅張積層板の製造方法は、ベースフィルムの表面に直接または下地金属層を介して成膜された銅薄膜層の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得る電解めっき工程と、前記銅張積層板をロールツーロールにより搬送しつつ加熱する加熱工程と、を備え、前記加熱工程における加熱温度を８５～１５０℃の範囲で調整することで、前記銅張積層板の寸法変化率を調整することを特徴とする。
前記加熱工程における搬送張力を調整することで、前記銅張積層板の寸法変化率を調整してもよい。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、加熱工程における加熱温度または搬送張力を調整することで、所望の寸法変化率を有する銅張積層板を製造できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施形態に係る銅張積層板の断面図である。

【図2】加熱工程の条件を搬送張力６０Ｎ、加熱温度３５～７５℃として得られた銅張積層板の寸法変化率（メソッドＣ）を示すグラフである。

【図3】加熱工程の条件を搬送張力３０Ｎ、加熱温度７０～１５０℃として得られた銅張積層板の寸法変化率（メソッドＣ）を示すグラフである。

【図4】加熱工程の条件を搬送張力６０Ｎ、加熱温度７０～１５０℃として得られた銅張積層板の寸法変化率（メソッドＣ）を示すグラフである。

【図5】加熱工程の条件を搬送張力９０Ｎ、加熱温度７０～１５０℃として得られた銅張積層板の寸法変化率（メソッドＣ）を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る方法により製造される銅張積層板１は、基材１０と、基材１０の表面に成膜された銅めっき被膜２０とからなる。図１に示すように基材１０の片面のみに銅めっき被膜２０が成膜されてもよいし、基材１０の両面に銅めっき被膜２０が成膜されてもよい。

【0013】

基材１０は絶縁性を有するベースフィルム１１の表面に金属層１２が成膜されたものである。ベースフィルム１１としてポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルムなどの樹脂フィルムを用いることができる。金属層１２は、例えば、スパッタリング法により成膜される。金属層１２は下地金属層１３と銅薄膜層１４とからなる。下地金属層１３と銅薄膜層１４とはベースフィルム１１の表面にこの順に積層されている。一般に、下地金属層１３はニッケル、クロム、またはニッケルクロム合金からなる。特に限定されないが、ベースフィルム１１の厚さは３０～４０μｍが一般的であり、下地金属層１３の厚さは５～５０ｎｍが一般的であり、銅薄膜層１４の厚さは５０～４００ｎｍが一般的である。

【0014】

なお、下地金属層１３はなくてもよい。銅薄膜層１４はベースフィルム１１の表面に下地金属層１３を介して成膜されてもよいし、下地金属層１３を介さずベースフィルム１１の表面に直接成膜されてもよい。

【0015】

銅めっき被膜２０は銅薄膜層１４の表面に成膜されている。特に限定されないが、銅めっき被膜２０の厚さは、サブトラクティブ法により加工される銅張積層板１の場合８～１２μｍが一般的であり、セミアディティブ法により加工される銅張積層板１の場合０．１～５μｍが一般的である。なお、金属層１２と銅めっき被膜２０とを合わせて「導体層」と称する。

【0016】

本実施形態に係る銅張積層板１の製造方法は、電解めっき工程と、加熱工程とを有している。

【0017】

（電解めっき工程）
銅めっき被膜２０は、特に限定されないが、ロールツーロール方式のめっき装置により成膜される。めっき装置は、ロールツーロールにより長尺帯状の基材１０を搬送しつつ、基材１０に対して電解めっきを行なう装置である。めっき装置はロール状に巻回された基材１０を繰り出す供給装置と、めっき後の基材１０（銅張積層板１）をロール状に巻き取る巻取装置とを有する。

【0018】

基材１０の搬送経路には、前処理槽、めっき槽、および後処理槽が配置されている。基材１０はめっき槽内を搬送されつつ、電解めっきよりその表面に銅めっき被膜２０が成膜される。これにより、長尺帯状の銅張積層板１が得られる。

【0019】

めっき槽には銅めっき液が貯留されている。銅めっき液は水溶性銅塩を含む。銅めっき液に一般的に用いられる水溶性銅塩であれば特に限定されず用いられる。銅めっき液は硫酸を含んでもよい。硫酸の添加量を調整することで、銅めっき液のｐＨおよび硫酸イオン濃度を調整できる。銅めっき液は一般的にめっき液に添加される添加剤を含んでもよい。添加剤として、ブライトナー成分、レベラー成分、ポリマー成分、塩素成分などから選択された１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

【0020】

銅めっき液の各成分の含有量は任意に選択できる。ただし、銅めっき液は銅を１５～７０ｇ／Ｌ、硫酸を２０～２５０ｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、銅めっき被膜２０を十分な速度で成膜できる。銅めっき液はブライトナー成分を１～５０ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、析出結晶を微細化し銅めっき被膜２０の表面を平滑にできる。銅めっき液はレベラー成分を１～３００ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、突起を抑制し平坦な銅めっき被膜２０を成膜できる。銅めっき液はポリマー成分を１０～１，５００ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、基材１０端部への電流集中を緩和し均一な銅めっき被膜２０を成膜できる。銅めっき液は塩素成分を２０～８０ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、異常析出を抑制できる。

【0021】

銅めっき液の温度は２０～３５℃が好ましい。また、めっき槽内の銅めっき液を撹拌することが好ましい。例えば、ノズルから噴出させた銅めっき液を基材１０に吹き付けることで、銅めっき液を撹拌できる。

【0022】

（加熱工程）
銅めっき被膜２０の成膜後、銅めっき被膜２０の乾燥を目的とした温風加熱を行なう。この加熱工程は、銅張積層板１をロールツーロールにより搬送しつつ銅めっき被膜２０に温風を吹き付けて加熱することにより行なわれる。

【0023】

銅めっき被膜２０の乾燥が目的であるので、通常の加熱温度（銅張積層板１の温度）は６０～８０℃、処理時間は１分程度である。ところが、本願発明者が、通常は行なわない高温での加熱を行なったところ、加熱温度により銅張積層板１の寸法変化率が変化することが確認された。これより、本願発明者は、加熱工程における加熱温度を調整することで銅張積層板１の寸法変化率を調整することの着想を得た。具体的には、加熱工程における加熱温度を８５～１５０℃の範囲で調整することで、銅張積層板１の寸法変化率を調整する。

【0024】

銅張積層板１のＴＤ方向（Transverse Direction、銅張積層板１の幅方向、ロールツーロールによる搬送方向に対し垂直方向）の寸法変化率と加熱温度とは、加熱温度が高いほど寸法変化率が大きくなるという関係にある。そこで、銅張積層板１のＴＤ方向の寸法変化率を調整するには、加熱温度を低くすることで寸法変化率を小さくし、加熱温度を高くすることで寸法変化率を大きくする。

【0025】

加熱温度の調整は、製造された銅張積層板１の寸法変化率をフィードバックすることで行なわれる。例えば、ＴＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率Ｄ_tの銅張積層板１を得たいとする。まず、加熱温度を所定値に設定して第１の銅張積層板１を製造する。そして、第１の銅張積層板１のＴＤ方向の寸法変化率Ｄ₁を測定する。寸法変化率Ｄ₁が目標寸法変化率Ｄ_tよりも大きい場合は、加熱温度を低くして第２の銅張積層板１を製造する。寸法変化率Ｄ₁が目標寸法変化率Ｄ_tよりも小さい場合は、加熱温度を高くて第２の銅張積層板１を製造する。これを繰り返し行なうことで、目標寸法変化率Ｄ_tの銅張積層板１が得られる加熱温度を特定する。そうすれば、加熱温度を調整することで、所望の寸法変化率を有する銅張積層板１を製造できる。

【0026】

また、銅張積層板１のＭＤ方向（Machine Direction、銅張積層板１の長さ方向、ロールツーロールによる搬送方向）の寸法変化率と加熱温度とは、加熱温度が高いほど寸法変化率が小さくなるという関係にある。そこで、銅張積層板１のＭＤ方向の寸法変化率を調整するには、加熱温度を低くすることで寸法変化率を大きくし、加熱温度を高くすることで寸法変化率を小さくする。

【0027】

例えば、ＭＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率Ｄ_tの銅張積層板１を得たいとする。まず、加熱温度を所定値に設定して第１の銅張積層板１を製造する。そして、第１の銅張積層板１のＭＤ方向の寸法変化率Ｄ₁を測定する。寸法変化率Ｄ₁が目標寸法変化率Ｄ_tよりも大きい場合は、加熱温度を高くして第２の銅張積層板１を製造する。寸法変化率Ｄ₁が目標寸法変化率Ｄ_tよりも小さい場合は、加熱温度を低くして第２の銅張積層板１を製造する。

【0028】

なお、加熱温度は、ＴＤ方向の寸法変化率にもＭＤ方向の寸法変化率にも影響を及ぼす。そのため、ＴＤ方向の寸法変化率およびＭＤ方向の寸法変化率の両方がそれぞれの目標値に近づくように加熱温度を調整する。

【0029】

また、本願発明者は、高温（８５～１５０℃）での加熱を行なう場合、銅張積層板１の搬送張力によっても銅張積層板１の寸法変化率が変化することを見出した。これより、本願発明者は、加熱工程における搬送張力を調整することで銅張積層板１の寸法変化率を調整することの着想を得た。なお、搬送張力は３０～９０Ｎの範囲で調整することが好ましい。

【0030】

銅張積層板１のＴＤ方向の寸法変化率と搬送張力とは、搬送張力が高いほど寸法変化率が大きくなるという関係にある。そこで、銅張積層板１のＴＤ方向の寸法変化率を調整するには、搬送張力を低くすることで寸法変化率を小さくし、搬送張力を高くすることで寸法変化率を大きくする。

【0031】

搬送張力の調整は、製造された銅張積層板１の寸法変化率をフィードバックすることで行なわれる。例えば、ＴＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率Ｄ_tの銅張積層板１を得たいとする。まず、搬送張力を所定値に設定して第１の銅張積層板１を製造する。そして、第１の銅張積層板１のＴＤ方向の寸法変化率Ｄ₁を測定する。寸法変化率Ｄ₁が目標寸法変化率Ｄ_tよりも大きい場合は、搬送張力を低くして第２の銅張積層板１を製造する。寸法変化率Ｄ₁が目標寸法変化率Ｄ_tよりも小さい場合は、搬送張力を高くて第２の銅張積層板１を製造する。これを繰り返し行なうことで、目標寸法変化率Ｄ_tの銅張積層板１が得られる搬送張力を特定する。そうすれば、搬送張力を調整することで、所望の寸法変化率を有する銅張積層板１を製造できる。

【0032】

また、銅張積層板１のＭＤ方向の寸法変化率と搬送張力とは、搬送張力が高いほど寸法変化率が小さくなるという関係にある。そこで、銅張積層板１のＭＤ方向の寸法変化率を調整するには、搬送張力を低くすることで寸法変化率を大きくし、搬送張力を高くすることで寸法変化率を小さくする。

【0033】

例えば、ＭＤ方向の寸法変化率が目標寸法変化率Ｄ_tの銅張積層板１を得たいとする。まず、搬送張力を所定値に設定して第１の銅張積層板１を製造する。そして、第１の銅張積層板１のＭＤ方向の寸法変化率Ｄ₁を測定する。寸法変化率Ｄ₁が目標寸法変化率Ｄ_tよりも大きい場合は、搬送張力を高くして第２の銅張積層板１を製造する。寸法変化率Ｄ₁が目標寸法変化率Ｄ_tよりも小さい場合は、搬送張力を低くして第２の銅張積層板１を製造する。

【0034】

なお、搬送張力は、ＴＤ方向の寸法変化率にもＭＤ方向の寸法変化率にも影響を及ぼす。そのため、ＴＤ方向の寸法変化率およびＭＤ方向の寸法変化率の両方がそれぞれの目標値に近づくように搬送張力を調整する。

【0035】

以上のように、加熱工程における加熱温度および搬送張力のいずれか一方または両方を調整することで、所望の寸法変化率を有する銅張積層板１を製造できる。

【実施例】

【0036】

（共通の条件）
ベースフィルムとして、厚さ３５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製 Ｕｐｉｌｅｘ－３５ＳＧＡＶ１）を用意した。ベースフィルムをマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置内にはニッケルクロム合金ターゲットと銅ターゲットとが設置されている。ニッケルクロム合金ターゲットの組成はＣｒが２０質量％、Ｎｉが８０質量％である。真空雰囲気下で、ベースフィルムの両面に、厚さ２５ｎｍのニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成し、その上に厚さ１００ｎｍの銅薄膜層を形成した。

【0037】

つぎに、銅めっき液を調整した。銅めっき液は硫酸銅を１２０ｇ／Ｌ、硫酸を７０ｇ／Ｌ、ブライトナー成分を１６ｍｇ／Ｌ、レベラー成分を２０ｍｇ／Ｌ、ポリマー成分を１，１００ｍｇ／Ｌ、塩素成分を５０ｍｇ／Ｌ含有する。ブライトナー成分としてビス（３－スルホプロピル）ジスルフィド（ＲＡＳＣＨＩＧ ＧｍｂＨ社製の試薬）を用いた。レベラー成分としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド－二酸化硫黄共重合体（ニットーボーメディカル株式会社製 ＰＡＳ－Ａ―５）を用いた。ポリマー成分としてポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体（日油株式会社製 ユニルーブ５０ＭＢ－１１）を用いた。塩素成分として塩酸（和光純薬工業株式会社製の３５％塩酸）を用いた。

【0038】

前記銅めっき液が貯留されためっき槽に基材を供給した。電解めっきにより基材の両面に厚さ２．０μｍの銅めっき被膜を成膜した。電解めっきにおける電流条件は、電流密度１．０Ａ／ｄｍ²で１分、３．０Ａ／ｄｍ²で１分、５．０Ａ／ｄｍ²で１分とした。ここで、銅めっき液の温度を３１℃とした。また、電解めっきを施す間、ノズルから噴出させた銅めっき液を基材の表面に対して略垂直に吹き付けることで、銅めっき液を撹拌した。電解めっき中の搬送張力は６０Ｎに設定した。

【0039】

加熱工程は循環式温風加熱炉により実施した。加熱炉の前後には、搬送張力をカットできるサクションローラーを備えており、炉内の搬送張力を任意に設定できる。加熱処理時間は１分とした。

【0040】

得られた銅張積層板の寸法変化率の測定は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０．２．２．４に準拠した方法により行なった。以下、測定手順を簡単に説明する。

【0041】

まず、試験片を２７×２９ｃｍに切断し、四隅に直径０．８８９ｍｍの孔Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを形成する。ここで、孔Ａ－Ｂおよび孔Ｃ－Ｄは試験片のＤＭ方向に並べて２５±１．２５ｃｍ離れた位置に形成する。孔Ａ－Ｃおよび孔Ｂ－Ｄは試験片のＴＤ方向に並べて２３±１．２５ｃｍ離れた位置に形成する。

【0042】

試験片を２３±２℃、相対湿度５０±５％で２４時間安定させる。孔Ａ－Ｂ間、孔Ｃ－Ｄ間、孔Ａ－Ｃ間および孔Ｂ－Ｄ間の距離（孔の中心間の距離）を測定し、初期測定値とする。

【0043】

メソッドＢ：
試験片の導体層のうち１３×１３ｍｍのターゲット領域を除く部分をエッチング液により除去した後、試験片を洗浄し、乾燥させる。つぎに、試験片を２３±２℃、相対湿度５０±５％で２４時間安定させる。再度、孔間の距離を測定し、エッチング後の最終測定値とする。

【0044】

メソッドＣ：
メソッドＢによる測定の後の試験片を１５０±２℃に維持されたオーブンで、３０±２分加熱する。試験片を２３±２℃、相対湿度５０±５％で２４時間安定させる。再度、孔間の距離を測定し、エッチングおよび加熱後の最終測定値とする。

【0045】

以下の式（１）、（２）により、寸法変化率を求める。

【数1】

【数2】

ここで、Ｄ_MDはＭＤ方向の寸法変化率である。Ｄ_TDはＴＤ方向の寸法変化率である。Ａ－Ｂは孔Ａ－Ｂ間の距離である。Ａ－Ｃは孔Ａ－Ｃ間の距離である。Ｃ－Ｄは孔Ｃ－Ｄ間の距離である。Ｂ－Ｄは孔Ｂ－Ｄ間の距離である。添字Ｉは初期測定値を意味する。添字ＦはメソッドＢまたはメソッドＣの最終測定値を意味する。

【0046】

（試験１）
加熱工程における搬送張力を６０Ｎとした。また、加熱温度を３５、４５、５５、６５、７５℃のいずれかとした。各条件で製造した銅張積層板の寸法変化率（メソッドＣ）を図２に示す。

【0047】

（試験２）
加熱工程における搬送張力を３０Ｎとした。また、加熱温度を７０、８５、１００、１１０、１３０、１５０℃のいずれかとした。各条件で製造した銅張積層板の寸法変化率（メソッドＣ）を図３に示す。

【0048】

（試験３）
加熱工程における搬送張力を６０Ｎとした。また、加熱温度を７０、８５、１００、１１０、１３０、１５０℃のいずれかとした。各条件で製造した銅張積層板の寸法変化率（メソッドＣ）を図４に示す。

【0049】

（試験４）
加熱工程における搬送張力を９０Ｎとした。また、加熱温度を７０、８５、１００、１１０、１３０、１５０℃のいずれかとした。各条件で製造した銅張積層板の寸法変化率を図５に示す。

【0050】

図２のグラフから分かるように、加熱温度が３５～７５℃の範囲では、銅張積層板の寸法変化率はＴＤ方向、ＭＤ方向ともに加熱温度により変化することはない。これに対し、図３～５から分かるように、加熱温度を８５℃以上とすれば（少なくとも８５～１５０℃の範囲では）、銅張積層板の寸法変化率は加熱温度により変化する。具体的には、加熱温度が高いほどＴＤ方向の寸法変化率が大きくなり、ＭＤ方向の寸法変化率が小さくなる。

【0051】

また、加熱温度を８５℃以上とすれば（少なくとも８５～１５０℃の範囲では）、銅張積層板の寸法変化率は搬送張力によっても変化する。具体的には、搬送張力が高いほどＴＤ方向の寸法変化率が大きくなり、ＭＤ方向の寸法変化率が小さくなる。

【0052】

本実施例の場合、加熱温度を８５～１５０℃の範囲で調整し、搬送張力を３０～９０Ｎの範囲で調整することで、ＴＤ方向の寸法変化率（メソッドＣ）を０．０３６～０．０７０％の範囲で調整可能である。また、ＭＤ方向の寸法変化率（メソッドＣ）を０．０２８～０．０３７％の範囲で調整可能である。

【符号の説明】

【0053】

１ 銅張積層板
１０ 基材
１１ ベースフィルム
１２ 金属層
１３ 下地金属層
１４ 銅薄膜層
２０ 銅めっき被膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】