特許 7453784 プッシャ、基板搬送装置、および基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-12

(45)【発行日】2024-03-21

(54)【発明の名称】プッシャ、基板搬送装置、および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   B24B 37/30 20120101AFI20240313BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20240313BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240313BHJP

   B24B 41/06 20120101ALI20240313BHJP

【ＦＩ】

B24B37/30 A

H01L21/68 A

H01L21/304 622L

B24B37/30

B24B41/06 A

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2019228056

(22)【出願日】2019-12-18

(65)【公開番号】P2021094660

(43)【公開日】2021-06-24

【審査請求日】2022-09-15

(73)【特許権者】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100146710

【弁理士】

【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男

(74)【代理人】

【識別番号】100186613

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(72)【発明者】

【氏名】谷澤 昭尋

(72)【発明者】

【氏名】小林 賢一

【審査官】山村 和人

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１０－１１４４６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３０３２４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２３２４６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－２１８３２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２１５３０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０８４２８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００５－５１７６１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】実開昭６３－０１７１４７（ＪＰ，Ｕ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ２４Ｂ ３７／００ － ３７／３４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／６７７

Ｈ０１Ｌ ２１／６８

Ｂ２４Ｂ ４１／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

四角形の基板を支持するための支持面を一方の端部に有する複数の第１支持柱と、
前記複数の第１支持柱の他方の端部と連結される第１ベースと、
前記第１ベースを昇降させる第１昇降機構と、
を含み、
前記支持面は、前記基板をトップリングに受け渡す際および前記基板を前記トップリングから受け取る際に前記基板を支持するように構成され、
前記複数の第１支持柱の少なくとも１つには、真空源に連通し前記支持面に開口する吸引路が形成され、
前記複数の第１支持柱は、前記支持面に向かって細くなるように構成され、
さらに、
前記基板を前記トップリングに受け渡す際および前記基板を前記トップリングから受け取る際に前記トップリングを支持するための支持面を一方の端部に有する複数の第２支持柱と、
前記複数の第２支持柱の他方の端部と連結される第２ベースと、
前記第１ベースおよび前記第２ベースを昇降させる第２昇降機構と、
を含み、
前記複数の第２支持柱のうちの４つの角部にある第２支持柱のそれぞれの一方の端部において、前記第２支持柱の前記支持面は、基板を前記トップリングから受け取る際に前記トップリングを支持する平坦な支持面であり、さらに、前記トップリングを案内するための傾斜面を含む、
プッシャ。

【請求項2】

前記複数の第１支持柱の少なくとも１つは、前記基板を前記トップリングから受け取る際に前記吸引路を介して前記基板を吸引するように構成される、
請求項１に記載のプッシャ。

【請求項3】

前記第１昇降機構は、前記基板を前記トップリングから受け取る際に、前記第１ベースを上昇させて前記第１支持柱の前記支持面を前記基板に接触させ、前記吸引路を介して前記基板を吸引している状態で前記第１ベースを下降させるように構成される、
請求項１または２に記載のプッシャ。

【請求項4】

前記第１支持柱の前記支持面上の基板の有無を検知するためのセンサをさらに含み、
前記第１昇降機構は、前記基板を前記トップリングから受け取る際に、前記第１ベースを下降させた状態において前記センサにより基板が無いと検知された場合には、前記第１ベースの昇降を繰り返すように構成される、
請求項３に記載のプッシャ。

【請求項5】

基板を搬送するための基板搬送装置であって、
基板の下面を支持するように構成される複数の第１搬送ローラと、
前記複数の搬送ローラが取り付けられる複数の第１ローラシャフトと、
前記複数の第１ローラシャフトを回転させるためのモータと、
前記複数の第１搬送ローラの上にある基板を持ち上げて前記トップリングに受け渡すとともに前記トップリングから受け取った基板を前記複数の第１搬送ローラの上に置くための請求項１から４のいずれか１項に記載のプッシャと、を有し、
前記プッシャは、前記複数の第１支持柱が前記複数の第１ローラシャフトの間の隙間を通過するように配置される、
基板搬送装置。

【請求項6】

前記プッシャは、前記複数の第１支持柱とともに前記複数の第２支持柱が前記複数の第１ローラシャフトの間の隙間を通過するように配置される、
請求項５に記載の基板搬送装置。

【請求項7】

前記基板の上面を支持するように構成される複数の第２搬送ローラと、
前記複数の第２搬送ローラが取り付けられる複数の第２ローラシャフトと、
をさらに含み、
前記モータは、前記第１ローラシャフトとともに前記第２ローラシャフトを回転させるように構成される、
請求項５または６に記載の基板搬送装置。

【請求項8】

前記第２搬送ローラの直径は、前記第１搬送ローラの直径よりも小さい、
請求項７に記載の基板搬送装置。

【請求項9】

前記第１ローラシャフトに取り付けられた第１ギアと、
前記第２ローラシャフトに取り付けられ、前記第１ギアの回転に連動して回転する第２ギアと、を含む、
請求項７または８に記載の基板搬送装置。

【請求項10】

前記基板の厚みを測定する厚みセンサと、
前記厚みセンサによる測定結果に応じて、前記複数の第１搬送ローラおよび前記複数の第２搬送ローラの少なくとも一方の位置を動かせて前記複数の第１搬送ローラと前記複数の第２搬送ローラとの間の間隔を調整する駆動装置と、
をさらに含む、
請求項７から９のいずれか１項に記載の基板搬送装置。

【請求項11】

前記第２搬送ローラを前記第１搬送ローラの方向に向けて付勢するように構成された弾性部材をさらに含む、
請求項１０に記載の基板搬送装置。

【請求項12】

前記第２ローラシャフトの両端部はそれぞれ支持部材に連結されており、
前記第２ローラシャフトの両側に、基板の搬送方向に延びるベースが設けられており、
前記弾性部材は、前記ベースの上面と前記支持部材の下面との間に配置されている、
請求項１１に記載の基板搬送装置。

【請求項13】

基板を研磨するための研磨ユニットと、
基板を搬送するための搬送ユニットと、
基板を乾燥させるための乾燥ユニットと、を含み、
前記搬送ユニットは、請求項５から１２のいずれか１項に記載の基板搬送装置を含む、
基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、プッシャ、基板搬送装置、および基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスの製造に、基板の表面を平坦化するために化学機械研磨（ＣＭＰ）装置が使用されている。半導体デバイスの製造に使用される基板は、多くの場合、円板形状である。また、半導体デバイスに限らず、ＣＣＬ基板（Copper Clad Laminate基板）やＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板、フォトマスク基板、ディスプレイパネルなどの四角形の基板の表面を平坦化する際の平坦度の要求も高まっている。また、ＰＣＢ基板などの電子デバイスが配置されたパッケージ基板の表面を平坦化することへの要求も高まっている。

【0003】

ＣＭＰ装置は、研磨前の基板をトップリングに受け渡したり、研磨後の基板をトップリングから受け取ったりするためのプッシャを備えている。例えば特許文献１には、研磨前の基板を支持してトップリングに受け渡すための複数の基板支えピンと、研磨後の基板をトップリングから受け取るための複数の柱状の基板支え部材と、を備えるプッシャが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００８－１１０４７１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

処理対象の基板には配線や機能性チップなどが形成される領域（パターン領域）があり、このパターン領域にプッシャが接触するのは好ましくない。この点、特許文献１に記載されているプッシャは、研磨前の基板に対して基板支えピンが接触し、研磨後の基板に対して基板支え部材が接触するので、プッシャと基板との接触面積が増加し得る。これは、基板のパターン領域の自由度を広げるという観点では好ましくない。

【0006】

また、プッシャがトップリングから基板を受け取る方法として、基板の近傍までプッシャを上昇させた状態でトップリングの基板吸着を解除することによって基板をプッシャに落下させることが知られているが、この場合、落下の衝撃で基板が破損するおそれがある。これに対して、プッシャを基板に接触するまで上昇させて、プッシャが基板に接触した状態でトップリングの基板吸着を解除することにより、基板を破損させず安全に受け取ることも考えられる。しかしながら、この方法では、基板がトップリングに張り付くことによってプッシャが確実に基板を受け取れないおそれがある。

【0007】

そこで、本願は、基板とプッシャとの接触面積を抑え、かつ、基板の受け取りの安全性および確実性を向上させることを１つの目的としている。

【課題を解決するための手段】

【0008】

一実施形態によれば、プッシャが開示される。プッシャは、基板を支持するための支持面を一方の端部に有する複数の第１支持柱と、前記複数の第１支持柱の他方の端部と連結される第１ベースと、前記第１ベースを昇降させる第１昇降機構と、を含み、前記支持面は、前記基板をトップリングに受け渡す際および前記基板を前記トップリングから受け取る際に前記基板を支持するように構成され、前記複数の第１支持柱の少なくとも１つには
、真空源に連通し前記支持面に開口する吸引路が形成される。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】一実施形態による、基板処理装置の全体構成を示す平面図である。

【図2】一実施形態による、処理対象物である基板を概略的に示す平面図である。

【図3】一実施形態による、研磨ユニットを概略的に示す斜視図である。

【図4】一実施形態による、トップリングの構造を模式的に示す側面断面図である。

【図5】一実施形態による、搬送ユニットを模式的に示す側面図である。

【図6】一実施形態による、搬送ユニットを示す斜視図である。

【図7】一実施形態による、プッシャを示す斜視図である。

【図8】図７に示されるプッシャを矢印８の方に見た部分断面図である。

【図9】一実施形態による、第２ステージの支持柱の１つを示す断面図である。

【図10】一実施形態による、第１ステージの支持柱の１つを示す断面図である。

【図11】第１ステージおよび第２ステージが上位置にあるときを示す部分断面図である。

【図12】第１ステージおよび第２ステージが上位置にあり、さらに第１ステージが、第２ステージに対して上昇した位置にあるときを示す部分断面図である。

【図13】一実施形態による、搬送ユニットを模式的に示す側面図である。

【図14】図１３に示される搬送ユニットを矢印１４の方に見た図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下に、本発明に係るプッシャ、基板搬送装置、および基板処理装置の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。

【0011】

図１は、一実施形態による基板処理装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１に示される基板処理装置１０００は、ロードユニット１００、搬送ユニット２００、研磨ユニット３００、乾燥ユニット５００、およびアンロードユニット６００を有する。図示の実施形態において、搬送ユニット２００は、２つの搬送ユニット２００Ａ、２００Ｂを有し、研磨ユニット３００は、２つの研磨ユニット３００Ａ、３００Ｂを有する。一実施形態において、これらの各ユニットは、独立に形成することができる。これらのユニットを独立して形成することで、各ユニットの数を任意に組み合わせることで異なる構成の基板処理装置１０００を簡易に形成することができる。また、基板処理装置１０００は、制御装置９００を備え、基板処理装置１０００の各構成要素は制御装置９００により制御される。一実施形態において、制御装置９００は、入出力装置、演算装置、記憶装置などを備える一般的なコンピュータから構成することができる。

【0012】

＜ロードユニット＞

ロードユニット１００は、研磨および洗浄などの処理が行われる前の基板ＷＦを基板処理装置１０００内へ導入するためのユニットである。一実施形態において、ロードユニット１００は、ＳＭＥＭＡ（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）の機械装置インタフェース規格（IPC-SMEMA-9851）に準拠するように構成される。

【0013】

図示の実施形態において、ロードユニット１００の搬送機構は、複数の搬送ローラ２０２（第１搬送ローラ）と、搬送ローラ２０２が取り付けられる複数のローラシャフト２０４とを有する。図１に示される実施形態においては、各ローラシャフト２０４には３つの
搬送ローラ２０２が取り付けられている。基板ＷＦは、搬送ローラ２０２上に配置され、搬送ローラ２０２が回転することで基板ＷＦが搬送される。ローラシャフト２０４上の搬送ローラ２０２の取り付け位置は、基板ＷＦを安定的に搬送することができる位置であれば任意とすることができる。ただし、搬送ローラ２０２は基板ＷＦに接触するので、処理対象である基板ＷＦに接触しても問題の無い領域に搬送ローラ２０２が接触するように配置すべきである。一実施形態において、ロードユニット１００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから構成することができる。一実施形態において、搬送ローラ２０２は、ローラシャフト２０４などを介して電気的に接地される。これは、基板ＷＦが帯電して基板ＷＦ上の電子デバイス等を損傷することを防止するためである。また、一実施形態において、ロードユニット１００に、基板ＷＦの帯電を防止するためにイオナイザー（図示せず）を設けてもよい。

【0014】

図２は、一実施形態による、処理対象物である基板ＷＦを概略的に示す平面図である。図２に示されるように、一実施形態において、基板ＷＦは略長方形（正方形を含む）の薄い板状の基板である。図２に示される基板ＷＦは、パターン領域１０および非パターン領域２０を備えている。「パターン領域」は、配線や機能性チップなどを備えた領域であり、基板上に形成されるデバイスとして使用される領域であり、デバイスの機能に意味のある配線や機能性チップなどが備えられている。また、「非パターン領域」とは、基板上のデバイスとして使用されない領域である。図２に示される実施形態においては、基板ＷＦは２つのパターン領域１０を備え、それぞれパターン領域１０が非パターン領域２０に囲まれている。また、一実施形態において、基板ＷＦは、非パターン領域２０に基板ＷＦのＩＤ情報を含むものとすることができ、たとえば、ＩＤタグ１２などを備えるものとすることができる。基板ＷＦのＩＤは、ロードユニット１００に設けたＩＤリーダーで読み取り可能とすることができる。

【0015】

ロードユニット１００は、図２に示される基板ＷＦのパターン領域１０が形成されている面が下面となるように基板ＷＦを受け入れ、搬送する。そのため、搬送ローラ２０２は、基板ＷＦの非パターン領域２０にのみ接触するように配置されている。具体的には、搬送ローラ２０２は、基板ＷＦの端部の非パターン領域２０に接触する位置、および基板ＷＦの中央の非パターン領域２０に接触する位置に設けられている。搬送ローラ２０２の位置は、処理対象である基板ＷＦに応じて変更することができる。そのため、図示の実施形態によれば、搬送ローラ２０２のローラシャフト２０４への取り付け位置を変更することで、異なる寸法や異なるパターンを備える基板ＷＦの搬送に用いることができる。四角形の基板は、円形の半導体基板のように規格により寸法が決まっていないので、本開示の実施形態による搬送機構は、わずかな変更で様々な寸法の基板を搬送できるようになるので有利である。

【0016】

＜研磨ユニット＞
図３は一実施形態による、研磨ユニット３００を概略的に示す斜視図である。図１に示される基板処理装置１０００は、２つの研磨ユニット３００Ａ、３００Ｂを備えている。２つの研磨ユニット３００Ａ、３００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して研磨ユニット３００として説明する。

【0017】

図３に示されるように、研磨ユニット３００は、研磨テーブル３５０と、トップリング３０２と、を備える。研磨テーブル３５０は、テーブルシャフト３５１に支持される。研磨テーブル３５０は、図示していない駆動部によって、矢印ＡＣで示すように、テーブルシャフト３５１の軸心周りに回転するようになっている。研磨テーブル３５０には、研磨パッド３５２が貼り付けられる。トップリング３０２は、基板ＷＦを保持して研磨パッド３５２に押圧する。トップリング３０２は、図示していない駆動源によって回転駆動される。基板ＷＦは、トップリング３０２に保持されて研磨パッド３５２に押圧されることによって研磨される。

【0018】

図３に示されるように、研磨ユニット３００は、研磨パッド３５２に研磨液又はドレッシング液を供給するための研磨液供給ノズル３５４を備える。研磨液は、例えば、スラリである。ドレッシング液は、例えば、純水である。また、図３に示されるように、研磨テーブル３５０およびテーブルシャフト３５１には、研磨液を供給するための通路３５３が設けられている。通路３５３は、研磨テーブル３５０の表面の開口部３５５に連通している。研磨テーブル３５０の開口部３５５に対応する位置において研磨パッド３５２は貫通孔３５７が形成されており、通路３５３を通る研磨液は、研磨テーブル３５０の開口部３５５および研磨パッド３５２の貫通孔３５７から研磨パッド３５２の表面に供給される。また、研磨ユニット３００は、研磨パッド３５２のコンディショニングを行うためのドレッサ３５６を備える。また、研磨ユニット３００は、液体、又は、液体と気体との混合流体、を研磨パッド３５２に向けて噴射するためのアトマイザ３５８を備える。アトマイザ３５８から噴射される液体は、例えば、純水であり、気体は、例えば、窒素ガスである。

【0019】

トップリング３０２は、トップリングシャフト３０４によって支持される。トップリング３０２は、図示していない駆動部によって、矢印ＡＢで示すように、トップリングシャフト３０４の軸心周りに回転するようになっている。また、トップリングシャフト３０４は、図示しない駆動機構により、上下方向に移動可能である。

【0020】

基板ＷＦは、トップリング３０２の研磨パッド３５２と対向する面に真空吸着によって保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３５４から、および／または研磨パッド３５２の貫通孔３５７から研磨パッド３５２の研磨面に研磨液が供給される。また、研磨時には、研磨テーブル３５０及びトップリング３０２が回転駆動される。基板ＷＦは、トップリング３０２によって研磨パッド３５２の研磨面に押圧されることによって研磨される。

【0021】

図３に示されるように、トップリングシャフト３０４は、アーム３６０に連結されており、アーム３６０は、回転軸３６２を中心に揺動可能である。基板ＷＦの研磨中に、トップリング３０２が研磨パッド３５２の中心を通過するように、アーム３６０を固定あるいは揺動させてもよい。また、基板ＷＦの研磨中に、基板ＷＦが研磨パッド３５２の貫通孔３５７を覆うようにアーム３６０を固定または揺動させてもよい。図１に示されるように、揺動可能なアーム３６０により、トップリング３０２は、搬送ユニット２００の方へ移動可能である。トップリング３０２が、後述する搬送ユニット２００の基板受け渡し位置に移動することで、トップリング３０２は、後述するプッシャ２３０から基板ＷＦを受け取ることができる。また、研磨ユニット３００での基板ＷＦの研磨後に、トップリング３０２からプッシャ２３０に基板ＷＦを受け渡すことができる。

【0022】

図４は、一実施形態による、トップリング３０２の構造を模式的に示す側面断面図である。トップリング３０２は、トップリングシャフト３０４の下端に連結されている。トップリング３０２は、略四角形状のヘッド本体３０６と、ヘッド本体３０６の下部に配置されたリテーナ部材３０８と、を備えている。ヘッド本体３０６は金属やセラミックス等の強度および剛性が高い材料から形成することができる。また、リテーナ部材３０８は、剛性の高い樹脂材またはセラミックス等から形成することができる。

【0023】

ヘッド本体３０６およびリテーナ部材３０８の内側に形成された空間内には、基板ＷＦに当接する弾性パッド３１０が収容されている。弾性パッド３１０とヘッド本体３０６との間には、圧力室（エアバッグ）Ｐ１が設けられている。圧力室Ｐ１は弾性パッド３１０とヘッド本体３０６とによって形成されている。圧力室Ｐ１には流体路３１２を介して加圧空気等の加圧流体が供給され、あるいは真空引きがされるようになっている。図４に示される実施形態において、圧力室Ｐ１は保持する基板ＷＦの全面に渡って形成される。

【0024】

基板ＷＦの周端部はリテーナ部材３０８に囲まれており、研磨中に基板ＷＦがヘッド本体３０６から飛び出さないようになっている。リテーナ部材３０８とヘッド本体３０６との間には弾性バッグ３１４が配置されており、その弾性バッグ３１４の内部には圧力室Ｐｒが形成されている。リテーナ部材３０８は、弾性バッグ３１４の膨張／収縮によりヘッド本体３０６に対して相対的に上下動可能となっている。圧力室Ｐｒには流体路３１６が連通しており、加圧空気等の加圧流体が流体路３１６を通じて圧力室Ｐｒに供給されるようになっている。圧力室Ｐｒの内部圧力は調整可能となっている。したがって、基板ＷＦの研磨パッド３５２に対する押圧力とは独立してリテーナ部材３０８の研磨パッド３５２に対する押圧力を調整することができる。

【0025】

＜乾燥ユニット＞
乾燥ユニット５００は、基板ＷＦを乾燥させるための装置である。図１に示される基板処理装置１０００においては、乾燥ユニット５００は、研磨ユニット３００で研磨された後に、搬送ユニット２００の洗浄部で洗浄された基板ＷＦを乾燥させる。図１に示されるように、乾燥ユニット５００は、搬送ユニット２００の下流に配置される。

【0026】

乾燥ユニット５００は、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦに向けて気体を噴射するためのノズル５３０を有する。気体は、たとえば圧縮された空気または窒素とすることができる。搬送される基板ＷＦ上の水滴を乾燥ユニット５００によって吹き飛ばすことで、基板ＷＦを乾燥させることができる。

【0027】

＜アンロードユニット＞
アンロードユニット６００は、研磨および洗浄などの処理が行われた後の基板ＷＦを基板処理装置１０００の外へ搬出するためのユニットである。図１に示される基板処理装置１０００においては、アンロードユニット６００は、乾燥ユニット５００で乾燥された後の基板を受け入れる。図１に示されるように、アンロードユニット６００は、乾燥ユニット５００の下流に配置される。一実施形態において、アンロードユニット６００は、ＳＭＥＭＡ（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）の機械装置インタフェース規格（IPC-SMEMA-9851）に準拠するように構成される。

【0028】

＜搬送ユニット＞
図５は一実施形態による、搬送ユニット２００を模式的に示す側面図である。図１に示される基板処理装置１０００は、２つの搬送ユニット２００Ａ、２００Ｂを備えている。２つの搬送ユニット２００Ａ、２００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して搬送ユニット２００として説明する。

【0029】

図６は、一実施形態による搬送ユニット２００を示す斜視図である。なお、図６においては、図示の明瞭化のために、後述する上搬送ローラ（第２搬送ローラ）２９０およびその駆動機構は省略している。図示の搬送ユニット２００は、基板ＷＦを搬送するための複数の搬送ローラ（第１搬送ローラ）２０２を備えている。搬送ローラ２０２を回転させることで、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを所定の方向に搬送することができる。搬送ユニット２００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから形成されても、導電性のないポリマーから形成されてもよい。搬送ローラ２０２は、ローラシャフト（第１ローラシャフト）２０４に取り付けられており、ギア２０６を介して、モータ２０８により駆動される。一実施形態において、モータ２０８はサーボモータとすることができ、ギア２０６は、歯車式とすることができるが、マグネットギアとすることもできる。また、図示の搬送ユニット２００は、搬送中の基板ＷＦの側面を支持するガイドローラ２１２を備える。図示の搬送ユニット２００は、搬送ローラ２０２上の所定の位置における基板ＷＦの存在の有無を検知するためのセンサ２１６を有する。センサ２１６は任意の形式のセンサとすることができ、たとえば光学式のセンサとすることができる。図５に示される実施形態において
は、センサ２１６は搬送ユニット２００に７個（２１６ａ～２１６ｇ）設けられている。一実施形態において、これらのセンサ２１６ａ～２１６ｇによる基板ＷＦの検知に応じて、搬送ユニット２００の動作を制御することができる。これらのそれぞれのセンサ２１６ａ～２１６ｇの位置および役割は後述する。図５に示されるように、搬送ユニット２００は、搬送ユニット２００内に基板ＷＦを受け入れるために開閉可能な入口シャッタ２１８を有する。

【0030】

図５に示されるように、搬送ユニット２００は、ストッパ２２０を有する。ストッパ２２０は、ストッパ移動機構２２２に接続されており、ストッパ２２０は搬送ローラ２０２上を移動する基板ＷＦの搬送経路内に進入可能である。ストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路内に位置しているときは、搬送ローラ２０２上を移動する基板ＷＦの側面がストッパ２２０に接触し、移動中の基板ＷＦをストッパ２２０の位置で停止させることができる。また、ストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路から退避した位置にあるときは、基板ＷＦは、搬送ローラ２０２上を移動することができる。ストッパ２２０による基板ＷＦの停止位置は、後述のプッシャ２３０が搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを受け取ることができる位置（基板受け渡し位置）である。

【0031】

センサ２１６ａは、搬送ユニット２００の入口側に設けられる。センサ２１６ａによって基板ＷＦの後ろが通過したことが確認されると、入口シャッタ２１８を閉じるようにすることができる。その後、センサ２１６ａの下流側に配置されたセンサ２１６ｂにより基板ＷＦの位置を監視しながら、搬送ローラ２０２で基板ＷＦが搬送される。このときストッパ移動機構２２２によりストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路内に移動されている。搬送ローラ２０２上を搬送されてきた基板ＷＦは、ストッパ２２０に接触して基板ＷＦが停止される。また、センサ２１６ｃはストッパ２２０の位置に配置されており、センサ２１６ｃにより基板ＷＦを検知すると搬送ローラ２０２の動作を停止する。ストッパ２２０の位置（基板受け渡し位置）で停止した基板ＷＦは、後述のプッシャ２３０を介して、トップリング３０２に受け渡される。

【0032】

＜プッシャ＞
図５、６に示されるように、搬送ユニット２００はプッシャ２３０を有する。プッシャ２３０は、複数の搬送ローラ２０２の上にある基板ＷＦを、複数の搬送ローラ２０２から離れるように持ち上げることができるように構成される。またプッシャ２３０は、保持している基板ＷＦを搬送ユニット２００の搬送ローラ２０２に受け渡すことができるように構成される。

【0033】

図７は、一実施形態によるプッシャ２３０を示す斜視図である。図８は、図７に示されるプッシャ２３０を矢印８の方に見た部分断面図である。図８は、プッシャ２３０とともに、搬送ローラ２０２、搬送ローラ２０２上の基板受け渡し位置に配置された基板ＷＦ、および基板ＷＦを受け取るトップリング３０２を概略的に示している。図７、８に示される実施形態において、プッシャ２３０は、第１ステージ２７０および第２ステージ２３２を備える。

【0034】

第２ステージ２３２は、基板ＷＦをプッシャ２３０から後述するトップリング３０２に受け渡す時に、トップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持するためのステージである。第２ステージ２３２は、複数の支持柱（第２支持柱）２３４を備える。図９は、一実施形態による、第２ステージ２３２の支持柱の１つを示す断面図である。図９に示されるように、支持柱２３４の一方の端部は、基板ＷＦをトップリング３０２に受け渡す際および基板ＷＦをトップリング３０２から受け取る際にトップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持する平坦な支持面２３４ａ、およびトップリング３０２を案内するための傾斜面２３４ｂを備える。一実施形態において、複数の支持柱２３４のうちの４つの角部にあ
る支持柱２３４が図９に示されるような支持面２３４ａおよび傾斜面２３４ｂを備えるようにしてもよい。４つの角部の支持柱２３４により形成される凹部でリテーナ部材３０８を位置合わせできる。４つの角部以外の支持柱２３４は支持面２３４ａのみを備えていてもよい。各支持柱２３４の他方の端部は、共通のベース（第２ベース）２３６に連結されている。また、各支持柱２３４は、搬送ローラ２０２に干渉しない位置に設けられ、図８に示される実施形態においては、各支持柱２３４は、搬送ローラ２０２の間に配置されている。

【0035】

第１ステージ２７０は、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを受け取るように構成される。第１ステージ２７０は、複数の支持柱（第１支持柱）２７２を備える。図１０は、一実施形態による、第１ステージ２７０の支持柱２７２の１つを示す断面図である。図１０に示されるように、支持柱２７２の一方の端部は、基板ＷＦをトップリング３０２に受け渡す際および基板ＷＦをトップリング３０２から受け取る際に基板ＷＦを支持する平坦な支持面２７２ａを備える。また、複数の支持柱２７２の少なくとも１つには、支持面２７２ａに開口する吸引路２７２ｂが形成される。吸引路２７２ｂは、真空源２６０に連通するようになっている。これにより、複数の支持柱２７２の少なくとも１つは、基板ＷＦをトップリング３０２から受け取る際に吸引路２７２ｂを介して基板ＷＦを吸引することができるように構成される。各支持柱２７２の他方の端部は共通のベース（第１ベース）２７４に連結されている。また、各支持柱２７２は、搬送ローラ２０２に干渉しない位置に設けられ、図８に示される実施形態においては、各支持柱２７２は、搬送ローラ２０２の間に配置されている。また、各支持柱２７２は、基板ＷＦの非パターン領域２０を支持するように配置される。第１ステージ２７０および第２ステージ２３２は、以下で詳述するように、それぞれ昇降機構に連結されており、それぞれ高さ方向（ｚ方向）に移動可能である。

【0036】

第２ステージ２３２は、高さ方向（ｚ方向）に移動可能に構成される。一実施形態において、プッシャ２３０は第２昇降機構２３１を有する。一実施形態において、図７、８に示されるように、プッシャ２３０の第２昇降機構２３１は、空圧式の昇降機構であり、シリンダ２４０およびピストン２４２を備える。ピストン２４２の端部は、可動台座２４４に連結されている。シリンダ２４０は、固定台座２４６に連結されている。固定台座２４６は、搬送ユニット２００の全体を覆う筐体２０１または搬送ユニット２００を設置する床面などに固定される。シリンダ２４０内の空気圧を調整することにより、ピストン２４２が移動し、可動台座２４４を高さ方向（ｚ方向）に移動させることができる。可動台座２４４が高さ方向に移動することで、第１ステージ２７０および第２ステージ２３２が高さ方向に移動することができる。図示の実施形態において、可動台座２４４の上には、第１ステージ２７０および第２ステージ２３２を水平面内で移動させることが可能なＸＹステージ２４８が搭載されている。ＸＹステージ２４８は、直動ガイドなどにより直交する２方向に移動可能に構成される公知のＸＹステージとすることができる。図示の実施形態において、ＸＹステージ２４８の上には、回転ステージ２５０が搭載されている。回転ステージ２５０は、ＸＹ平面（水平面）において回転可能に構成される。換言すれば、回転ステージ２５０はｚ軸を中心に回転可能に構成される。回転ステージ２５０は、回転軸受などで構成される公知の回転ステージ２５０を採用することができる。

【0037】

回転ステージ２５０の上には、第１昇降機構２３３が搭載されている。第１昇降機構２３３は、シリンダ２５２およびピストン２５４を有する。シリンダ２５２は第２ステージ２３２のベース２３６に連結されている。また、シリンダ２５２には移動可能なピストン２５４が連結されており、シリンダ２５２内の空気圧を調整することで、ピストン２５４を移動することができる。ピストン２５４の端部には、第１ステージ２７０のベース２７４が連結されている。そのため、シリンダ２５２内の空気圧を調整することで、ピストン２５４および第１ステージ２７０を高さ方向（ｚ方向）に移動させることができる。これ
により、第１昇降機構２３３は、基板ＷＦをトップリング３０２から受け取る際には、ベース２７４を上昇させて支持面２７２ａを基板ＷＦに接触させるとともに、吸引路２７２ｂを介して基板ＷＦを吸引している状態でベース２７４を下降させるように構成することができる。さらに、センサ２１６ｂは、支持面２７２ａ上の基板ＷＦの有無を検知するように構成することができる。この場合、第１昇降機構２３３は、基板ＷＦをトップリング３０２から受け取る際に、ベース２７４を下降させた状態においてセンサ２１６ｂにより基板ＷＦが無いと検知された場合には、ベース２７４の昇降を繰り返すように構成することができる。すなわち、トップリング３０２から基板ＷＦの受け取りが正常に行われなかった場合には、第１昇降機構２３３は、再度、ベース２７４を上昇させて支持面２７２ａを基板ＷＦに接触させ、吸引路２７２ｂを介して基板ＷＦを吸引している状態でベース２７４を下降させることができる。

【0038】

上述の構成によれば、第２昇降機構２３１は、第１ステージ２７０および第２ステージ２３２の両方を高さ方向（ｚ方向）に移動させ、第１昇降機構２３３は、第１ステージ２７０を第２ステージ２３２に対して高さ方向（ｚ方向）に移動させることができる。また、第１ステージ２７０および第２ステージ２３２は、ＸＹステージ２４８により、水平面内で直交する２方向（ｘｙ方向）に移動可能である。さらに、第１ステージ２７０および第２ステージ２３２は、回転ステージ２５０により、水平面内（ｚ軸を中心に）で回転可能である。そのため、プッシャ２３０と後述するトップリング３０２との間で基板ＷＦを授受するときに、プッシャ２３０とトップリング３０２との位置合わせを行うことができる。なお、図示の実施形態においては、第１昇降機構２３３および第２昇降機構２３１は、空圧式の昇降機構であるが、これらの昇降機構は液圧式でもよく、またモータおよびボールネジなどを使用した電動式の昇降機構としてもよい。第２昇降機構２３１により、第２ステージ２３２および第１ステージ２７０は下位置および上位置の間を移動することができる。

【0039】

次に、プッシャ２３０による基板ＷＦの受け渡しについて説明する。図８は、第１ステージ２７０および第２ステージ２３２が下位置にあるときを示している。第１ステージ２７０および第２ステージ２３２が下位置にあるときは、図８に示されるように第２ステージ２３２の支持柱２３４の端部および第１ステージ２７０の支持柱２７２の端部は、搬送ローラ２０２の基板ＷＦを支持する面より低い位置にある。基板ＷＦをトップリング３０２に受け渡す場合、プッシャ２３０は、図８に示す状態から第２昇降機構２３１により第１ステージ２７０および第２ステージ２３２を上昇させることにより、支持柱２７２の支持面２７２ａを基板ＷＦに接触させて基板ＷＦを持ち上げ、図１１に示す状態になる。

【0040】

図１１は、第１ステージ２７０および第２ステージ２３２が上位置にあるときを示している。第１ステージ２７０および第２ステージ２３２が上位置にあるときは、第２ステージ２３２の支持柱２３４の端部および第１ステージ２７０の支持柱２７２の端部は、搬送ローラ２０２の基板を支持する面より高い位置にある。すなわち、第２ステージ２３２および第１ステージ２７０が下位置から上位置に移動するときに、搬送ローラ２０２上に配置された基板ＷＦを第１ステージ２７０で持ち上げて受け取ることができる。図１１に示す状態では、支持柱２３４の支持面２３４ａがトップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持する。プッシャ２３０は、図１１に示す状態から第１昇降機構２３３によって第１ステージ２７０を第２ステージ２３２に対して上昇させることによって、図１２に示す状態になる。

【0041】

図１２は、第１ステージ２７０および第２ステージ２３２が上位置にあり、さらに第１ステージ２７０が、第２ステージ２３２に対して上昇した位置にあるときを示している。基板ＷＦをプッシャ２３０からトップリング３０２に受け渡すときは、図１２に示されるように、プッシャ２３０は基板ＷＦを保持する第１ステージ２７０を第２ステージ２３２
に対して上昇させる。これにより、図１２に示すように、基板ＷＦがトップリング３０２に接触する。この状態でトップリング３０２の圧力室Ｐ１に対する真空引きを行うことによって基板ＷＦはトップリング３０２に吸着され、基板ＷＦはトップリング３０２に受け渡される。基板ＷＦをトップリング３０２に受け渡した後、プッシャ２３０は図８に示す状態に戻る。基板ＷＦをトップリング３０２に受け渡す際には、真空源２６０による真空引きは停止されている。

【0042】

一方、プッシャ２３０がトップリング３０２から基板ＷＦを受け取る際には、プッシャ２３０は、図８に示す状態から図１１に示す状態に移行し、その後図１１に示す状態から図１２に示す状態に移行する。すなわち、プッシャ２３０は、図１２に示すように、第１昇降機構２３３によってベース２７４を上昇させて支持面２７２ａを基板ＷＦに接触させる。図１２の状態において、トップリング３０２の圧力室Ｐ１に対する真空引きを停止するとともに、真空源２６０による真空引きを開始する。これにより、吸引路２７２ｂを介して基板ＷＦが支持面２７２ａに吸着される。プッシャ２３０は、基板ＷＦを支持面２７２ａに吸着している状態で第１昇降機構２３３によってベース２７４を下降させることにより、図１１に示す状態になる。

【0043】

図１１に示す状態において、センサ２１６ｂによって支持面２７２ａ上の基板ＷＦの有無を検知する。プッシャ２３０は、支持面２７２ａ上に基板ＷＦが無いと判定された場合には、再度、第１昇降機構２３３によってベース２７４を上昇させて、基板ＷＦの受け取り動作を行う。プッシャ２３０は、支持面２７２ａ上に基板ＷＦが無いと判定された場合の基板ＷＦの受け取り動作の再試行を、あらかじめ設定された回数繰り返すことができる。基板ＷＦの受け取り動作の再試行をあらかじめ設定された回数繰り返しても支持面２７２ａ上に基板ＷＦが無いと判定された場合には、基板処理装置１０００にアラームを発生させて、基板処理装置１０００を停止することができる。

【0044】

一方、プッシャ２３０は、支持面２７２ａ上に基板ＷＦが有ると判定された場合には、真空源２６０による真空引きを停止するとともに、第２昇降機構２３１を用いて第１ステージ２７０および第２ステージ２３２を下降させることによって、基板ＷＦを搬送ローラ２０２上に置き、その後図８に示す状態になる。

【0045】

本実施形態によれば、トップリング３０２に対する基板ＷＦの受け渡しおよび受け取りの際に、プッシャ２３０における支持柱２７２の支持面２７２ａのみが基板ＷＦに接触するので、プッシャ２３０と基板ＷＦとの接触面積を抑えることができる。これにより、基板ＷＦのパターン領域の自由度を広げることができる。また、プッシャ２３０を基板ＷＦに接触するまで上昇させた状態でトップリング３０２から基板ＷＦを受け取るので、基板ＷＦをプッシャ２３０に落下させる場合に比べて、基板ＷＦを破損させず安全に受け取ることができる。さらに、基板ＷＦを受け取る際に、支持柱２７２に形成された吸引路２７２ｂを介して基板ＷＦを吸引するので、プッシャ２３０が確実に基板ＷＦを受け取ることができる。

【0046】

図５、６に示される搬送ユニット２００は、洗浄部を有する。図５、６に示されるように、洗浄部は洗浄ノズル２８４を有する。洗浄ノズル２８４は、搬送ローラ２０２の上側に配置される上洗浄ノズル２８４ａと、下側に配置される下洗浄ノズル２８４ｂとを有する。上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂは、図示しない洗浄液の供給源に接続される。上洗浄ノズル２８４ａは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの上面に洗浄液を供給するように構成される。下洗浄ノズル２８４ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの下面に洗浄液を供給するように構成される。上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの幅と同程度、またはそれ以上の幅を備え、基板ＷＦが搬送ローラ２０２上を搬送されることで、基板
ＷＦの全面が洗浄されるように構成される。図５、図６に示されるように、洗浄部は、搬送ユニット２００の基板受け渡し領域よりも下流側に位置している。

【0047】

図５に示されるように、洗浄部において、搬送ローラ２０２の上には上搬送ローラ２９０が配置されている。上搬送ローラ２９０は、動力源に接続されており、回転可能に構成されている。一実施形態において、上搬送ローラ２９０は、搬送ローラ２０２と同様にギア２０６およびモータ２０８により駆動されるように構成される。

【0048】

図１３は、一実施形態による、搬送ユニットを模式的に示す側面図である。図１４は、図１３に示される搬送ユニットを矢印１４の方から見た図である。図１３、図１４に示すように、上搬送ローラ２９０は、上ローラシャフト（第２ローラシャフト）２９１に取り付けられている。図１４に示される実施形態において、上ローラシャフト２９１に３個の上搬送ローラ２９０が取り付けられている。一実施形態において、上搬送ローラ２９０は、搬送ローラ２０２の上に所定の間隔を空けて配置される。所定の間隔は、搬送される基板ＷＦの厚さと同程度とすることができる。この所定の間隔は、後述するように調整可能である。上搬送ローラ２９０の寸法は任意であり、搬送ローラ２０２と同じ寸法でもよく、異なる寸法でもよい。一実施形態において、図１３、１４に示されるように、上搬送ローラ２９０の直径は、搬送ローラ２０２の直径よりも小さい。上搬送ローラ２９０の直径を小さくすることで、搬送ユニット２００の全体の寸法を小さくすることができる。

【0049】

図１３、１４に示されるように、ローラシャフト２０４にはギア２８２ａが取り付けられており、上ローラシャフト２９１にはギア２８２ｂが取り付けられている。ローラシャフト２０４の回転力は、ギア ２８２ａ、２８２ｂを介して上ローラシャフト２９１に伝達される。一実施形態において、ギア２８２ａ、２８２ｂはマグネットギアとすることができ、また、機械式のギアとしてもよい。搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０の寸法に応じて、搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０の回転速度が適切になるようにギア２８２ａ、２８２ｂを調整したり、各ギアのサイズや仕様を変更したりことができる。

【0050】

上ローラシャフト２９１の両端部は、支持部材２９２に連結されている。また、複数の上ローラシャフト２９１の両側には、基板ＷＦの搬送方向に伸びるベース２９５が設けられている。ベース２９５の上面と支持部材２９２の下面との間にはバネなどの弾性部材２９６が設けられており、弾性部材２９６により支持部材２９２はベース２９５に向けて付勢されている。そのため、支持部材２９２は、弾性部材２９６によりベース２９５に向けて付勢されているが、上方向に移動可能である。

【0051】

また、図５に示すように、搬送ユニット２００は、基板ＷＦの厚みを測定する厚みセンサ２１７を含む。厚みセンサ２１７は、搬送ユニット２００の入口付近に配置され、搬送ユニット２００に搬入された基板ＷＦの厚みを測定するように構成される。また、搬送ユニット２００は、厚みセンサ２１７による測定結果に応じて、搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０の少なくとも一方の位置を動かせて、互いに対向する搬送ローラ２０２と上搬送ローラ２９０との間の間隔を調整する駆動装置２１１を含む。図１３、図１４の実施形態では、駆動装置２１１は、ベース２９５にねじ込まれたねじ軸２１０と、ねじ軸２１０を回転駆動するモータ２０９と、を含む。駆動装置２１１は、厚みセンサ２１７によって測定された基板ＷＦの厚みに応じてモータ２０９を回転駆動することによってベース２９５の位置を上下に駆動することができ、これによって搬送ローラ２０２と上搬送ローラ２９０との間の間隔を調整することができる。

【0052】

たとえば、駆動装置２１１は、厚みセンサ２１７によって測定された基板ＷＦの厚みが薄い場合には、ベース２９５の位置を下げて搬送ローラ２０２と上搬送ローラ２９０との
間の間隔を狭くする。一方、駆動装置２１１は、厚みセンサ２１７によって測定された基板ＷＦの厚みが厚い場合には、ベース２９５の位置を上げて搬送ローラ２０２と上搬送ローラ２９０との間の間隔を広くする。本実施形態によれば、様々な厚みを有する多種多様の基板ＷＦを取り扱う場合、または、基板ＷＦに反りがある場合であっても、上搬送ローラ２９０を基板ＷＦに常に適切な応力で接触させて上搬送ローラ２９０の回転力を基板ＷＦに伝達でき、搬送ローラ２０２と上搬送ローラ２９０とで基板ＷＦを安定的に搬送することができる。

【0053】

これに加えて、支持部材２９２は、弾性部材２９６によりベース２９５に向けて付勢された状態で、上方向に移動可能である。そのため、搬送する基板ＷＦに凹凸がある場合や、基板ＷＦに反りがある場合にでも、上搬送ローラ２９０を基板ＷＦに常に接触させて上搬送ローラ２９０の回転力を基板ＷＦに伝達でき、搬送ローラ２０２と上搬送ローラ２９０とで基板ＷＦを安定的に搬送することができる。なお、上搬送ローラ２９０の上ローラシャフト２９１への取り付け位置は、搬送ローラ２０２とともに搬送する基板ＷＦの寸法に応じて変更することができる。

【0054】

一実施形態において、上述の上搬送ローラ２９０は、基板受け渡し領域以外の領域に設けることができる。たとえば、上搬送ローラ２９０を基板受け渡し領域の下流にある洗浄部に設けることができ、また、基板受け渡し領域の上流側に設けてもよい。さらに、上搬送ローラ２９０は、上述したロードユニット１００、後述する乾燥ユニット５００、およびアンロードユニット６００に設けてもよい。

【0055】

図５に示されるように、センサ２１６ｄは、洗浄部の入口付近に配置されている。一実施形態において、センサ２１６ｄにより基板ＷＦを検知したら、洗浄ノズル２８４から洗浄液を噴射して基板ＷＦの洗浄を開始することができる。また、基板ＷＦの洗浄中は、搬送ローラ２０２の回転数を洗浄用の速度にしてもよい。センサ２１６ｅは洗浄部内に配置されており、センサ２１６ｅにより基板ＷＦの位置を監視しながら、基板ＷＦを洗浄しながら基板ＷＦが搬送される。図５の実施形態において、センサ２１６ｆは洗浄部出口点付近に配置される。一実施形態において、センサ２１６ｆにより基板ＷＦを検知したら、洗浄ノズル２８４からの洗浄液の噴射を終了することができる。基板ＷＦの洗浄中は、搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０により基板ＷＦが挟まれて搬送されるので、洗浄液の噴射中であっても基板ＷＦを安定的に搬送することができる。

【0056】

図５に示されるように、搬送ユニット２００は、開閉可能な出口シャッタ２８６を有する。また、搬送ユニット２００は、出口付近にセンサ２１６ｇを備える。一実施形態において、センサ２１６ｇにより基板ＷＦを検知したら、出口シャッタ２８６を開き、次のユニットに基板ＷＦを搬送するようにしてもよい。一実施形態において、センサ２１６ｇにより基板ＷＦを検知したら、出口シャッタ２８６を開かずに、搬送ローラ２０２での基板ＷＦの搬送を停止し、次のユニットの処理を待ち、次のユニットの基板受け入れ準備が整った後に、出口シャッタ２８６を開き、基板ＷＦを次のユニットへ搬送するようにしてもよい。

【0057】

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

【0058】

上述の実施形態から少なくとも以下の技術的思想が把握される。
［形態１］形態１によれば、プッシャが提供され、プッシャは、基板を支持するための支持面を一方の端部に有する複数の第１支持柱と、前記複数の第１支持柱の他方の端部と連結される第１ベースと、前記第１ベースを昇降させる第１昇降機構と、を含み、前記支持面は、前記基板をトップリングに受け渡す際および前記基板を前記トップリングから受け取る際に前記基板を支持するように構成され、前記複数の第１支持柱の少なくとも１つには、真空源に連通し前記支持面に開口する吸引路が形成される。

【0059】

［形態２］形態２によれば、前記複数の第１支持柱の少なくとも１つは、前記基板を前記トップリングから受け取る際に前記吸引路を介して前記基板を吸引するように構成される。

【0060】

［形態３］形態３によれば、前記第１昇降機構は、前記基板を前記トップリングから受け取る際に、前記第１ベースを上昇させて前記支持面を前記基板に接触させ、前記吸引路を介して前記基板を吸引している状態で前記第１ベースを下降させるように構成される。

【0061】

［形態４］形態４によれば、プッシャは、前記支持面上の基板の有無を検知するためのセンサをさらに含み、前記第１昇降機構は、前記基板を前記トップリングから受け取る際に、前記第１ベースを下降させた状態において前記センサにより基板が無いと検知された場合には、前記第１ベースの昇降を繰り返すように構成される。

【0062】

［形態５］形態５によれば、プッシャは、前記基板を前記トップリングに受け渡す際および前記基板を前記トップリングから受け取る際に前記トップリングを支持するための支持面を一方の端部に有する複数の第２支持柱と、前記複数の第２支持柱の他方の端部と連結される第２ベースと、前記第１ベースおよび前記第２ベースを昇降させる第２昇降機構と、をさらに含む。

【0063】

［形態６］形態６によれば、基板を搬送するための基板搬送装置が提供される。基板搬送装置は、基板の下面を支持するように構成される複数の第１搬送ローラと、前記複数の搬送ローラが取り付けられる複数の第１ローラシャフトと、前記複数の第１ローラシャフトを回転させるためのモータと、前記複数の第１搬送ローラの上にある基板を持ち上げて前記トップリングに受け渡すとともに前記トップリングから受け取った基板を前記複数の第１搬送ローラの上に置くための上記のいずれかに記載のプッシャと、を有し、前記プッシャは、前記複数の第１支持柱が前記複数の第１ローラシャフトの間の隙間を通過するように配置される。

【0064】

［形態７］形態７によれば、前記プッシャは、前記複数の第１支持柱とともに前記複数の第２支持柱が前記複数の第１ローラシャフトの間の隙間を通過するように配置される。

【0065】

［形態８］形態８によれば、基板搬送装置は、前記基板の上面を支持するように構成される複数の第２搬送ローラと、前記複数の第２搬送ローラが取り付けられる複数の第２ローラシャフトと、をさらに含み、前記モータは、前記第１ローラシャフトとともに前記第２ローラシャフトを回転させるように構成される。

【0066】

［形態９］形態９によれば、基板搬送装置は、前記基板の厚みを測定する厚みセンサと、前記厚みセンサによる測定結果に応じて、前記複数の第１搬送ローラおよび前記複数の第２搬送ローラの少なくとも一方の位置を動かせて前記複数の第１搬送ローラと前記複数の第２搬送ローラとの間の間隔を調整する駆動装置と、をさらに含む。

【0067】

［形態１０］形態１０によれば、基板搬送装置は、前記第２搬送ローラを前記第１搬送ローラの方向に向けて付勢するように構成された弾性部材をさらに含む。

【0068】

［形態１１］形態１１によれば、基板処理装置が提供され、基板処理装置は、基板を研磨するための研磨ユニットと、基板を搬送するための搬送ユニットと、基板を乾燥させるための乾燥ユニットと、を含み、前記搬送ユニットは、上記のいずれかに記載の基板搬送装置を含む。

【符号の説明】

【0069】

２００ 搬送ユニット
２０２ 搬送ローラ（第１搬送ローラ）
２０４ ローラシャフト（第１ローラシャフト）
２０８ モータ
２０９ モータ
２１１ 駆動装置
２１６ センサ
２１７ 厚みセンサ
２３０ プッシャ
２３１ 第２昇降機構
２３３ 第１昇降機構
２３４ 支持柱（第２支持柱）
２３４ａ 支持面
２３６ ベース（第２ベース）
２６０ 真空源
２７２ 支持柱（第１支持柱）
２７２ａ 支持面
２７２ｂ 吸引路
２７４ ベース（第１ベース）
２９０ 上搬送ローラ（第２搬送ローラ）
２９１ 上ローラシャフト（第２ローラシャフト）
２９６ 弾性部材
３００ 研磨ユニット
３０２ トップリング
５００ 乾燥ユニット
１０００ 基板処理装置
ＷＦ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】