特許 7454699 極紫外線マスク用吸収体材料

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-13

(45)【発行日】2024-03-22

(54)【発明の名称】極紫外線マスク用吸収体材料

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/24 20120101AFI20240314BHJP

   G03F 1/32 20120101ALI20240314BHJP

   G03F 1/58 20120101ALI20240314BHJP

   C23C 14/06 20060101ALI20240314BHJP

【ＦＩ】

G03F1/24

G03F1/32

G03F1/58

C23C14/06 N

【請求項の数】 23

(21)【出願番号】P 2022557714

(86)(22)【出願日】2021-03-24

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-05-08

(86)【国際出願番号】 US2021023857

(87)【国際公開番号】W WO2021195194

(87)【国際公開日】2021-09-30

【審査請求日】2022-11-09

(31)【優先権主張番号】63/000,724

(32)【優先日】2020-03-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】17/209,707

(32)【優先日】2021-03-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】リウ， シューウェイ

(72)【発明者】

【氏名】リウ， シーユイ

(72)【発明者】

【氏名】ゼラード， アゼディン

(72)【発明者】

【氏名】ジンダル， ビブー

【審査官】右▲高▼ 孝幸

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１２０００９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２７３６７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１５－００５６４３５（ＫＲ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／１３５４６８（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０３Ｆ １／２４

Ｃ２３Ｃ １４／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、
基板と、
ＥＵＶ放射を反射させ、複数の反射層対を含む多層スタックと、
前記多層スタック上のキャッピング層と、
前記キャッピング層上の吸収体であって、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＶの合金、Ｍｏの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｖの酸化物、Ｍｏの窒化物、Ｎｂの窒化物及びＶの窒化物で構成される群から選択される、前記キャッピング層上の第１の層と、ＴａＳｂ、ＣＳｂ、ＳｂＮ、ＴａＮｉ、ＴａＣｕ及びＴａＲｕで構成される群から選択される、前記第１の層上の第２の層とを含み、前記吸収体の前記第１の層及び前記第２の層は、調整可能な位相シフトと反射率を提供する、吸収体と
を備える、ＥＵＶマスクブランク。

【請求項2】

前記第２の層はＴａＳｂを含む、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項3】

前記ＴａＳｂは、約２１．９重量％から約７８．２重量％の範囲のタンタル及び約２１．８重量％から約７８．１重量％の範囲のアンチモンを含む、請求項２に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項4】

前記第２の層はＣＳｂを含む、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項5】

前記ＣＳｂは、約０．３重量％から約３．６重量％の範囲の炭素及び約９６．４重量％から約９９．７重量％の範囲のアンチモン、又は約５．０重量％から約１０．８重量％の範囲の炭素及び約８９．２重量％から約９５．０重量％の範囲のアンチモンを含む、請求項４に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項6】

前記第２の層はＳｂＮを含む、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項7】

前記ＳｂＮは、約７８．８重量％から約９９．８重量％の範囲のアンチモン及び約０．２重量％から約２１．２重量％の範囲の窒素を含む、請求項６に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項8】

前記第２の層はＴａＮｉを含む、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項9】

前記ＴａＮｉは、約５６．９重量％から約９４．６重量％の範囲のタンタル及び約５．４重量％から約４３．１重量％の範囲のニッケルを含む、請求項８に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項10】

前記第２の層はＴａＣｕを含む、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項11】

前記ＴａＣｕは、約７４．０重量％から約９４．２重量％の範囲のタンタル及び約５．８重量％から約２６．０重量％の範囲の銅、又は約１３．０重量％から約６５．０重量％の範囲のタンタル及び約３５．０重量％から８７．０重量％の範囲の銅を含む、請求項１０に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項12】

前記第２の層はＴａＲｕを含む、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項13】

前記ＴａＲｕは、約３０．９重量％から約８０．７重量％の範囲のタンタル及び約１９．３重量％から約６９．１重量％の範囲のルテニウムを含む、請求項１２に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項14】

極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製造方法であって、
基板上にＥＵＶ放射を反射させる多層スタックを形成することであって、前記多層スタックは複数の反射層対を含む、多層スタックを形成することと、
前記多層スタック上にキャッピング層を形成することと、
前記キャッピング層上に吸収体を形成することであって、前記吸収体は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＶの合金、Ｍｏの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｖの酸化物、Ｍｏの窒化物、Ｎｂの窒化物及びＶの窒化物で構成される群から選択される、前記キャッピング層上の第１の層と、ＴａＳｂ、ＣＳｂ、ＳｂＮ、ＴａＮｉ、ＴａＣｕ及びＴａＲｕで構成される群から選択される、前記第１の層上の第２の層とを含み、前記吸収体の前記第１の層及び前記第２の層は、調整可能な位相シフトと反射率を提供する、吸収体を形成することと
を含む方法。

【請求項15】

前記第２の層は、約２１．９重量％から約７８．２重量％の範囲のタンタル及び約２１．８重量％から約７８．１重量％の範囲のアンチモンを含むＴａＳｂを含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記第２の層は、約０．３重量％から約３．５重量％の範囲の炭素及び約９６．５重量％から約９９．７重量％の範囲のアンチモン、又は約５重量％から約１０．８重量％の範囲の炭素及び約８９．２重量％から約９５重量％の範囲のアンチモンを含むＣＳｂを含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項17】

前記第２の層は、約７８．８重量％から約９９．８重量％の範囲のアンチモン及び約０．２重量％から約２１．２重量％の範囲の窒素を含むＳｂＮを含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項18】

前記第２の層は、約５６．９重量％から約９４．６重量％の範囲のタンタル及び約５．４重量％から約４３．１重量％の範囲のニッケルを含むＴａＮｉを含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項19】

前記第２の層は、約７４．０重量％から約９４．２重量％の範囲のタンタル及び約５．８重量％から約２６．０重量％の範囲の銅、又は約１３．０重量％から約６５．０重量％の範囲のタンタル及び約３５．０重量％から８７．０％の範囲の銅を含むＴａＣｕを含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項20】

前記第２の層は、約３０．９重量％から約８０．７重量％の範囲のタンタル及び約１９．３重量％から約６９．１重量％の範囲のルテニウムを含むＴａＲｕを含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項21】

前記吸収体の前記第１の層及び前記第２の層は、６から１５％の反射率で２１５度近くの位相シフトを達成する、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項22】

極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、
基板と、
ＥＵＶ放射を反射させ、複数の反射層対を含む多層スタックと、
前記多層スタック上のキャッピング層と、
前記キャッピング層上の吸収体であって、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＶの合金、Ｍｏの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｖの酸化物、Ｍｏの窒化物、Ｎｂの窒化物及びＶの窒化物で構成される群から選択される第１の層と、ＴａＣｕ又はＴａＲｕの少なくとも一方を含む第２の層とを含む吸収体と
を備える、ＥＵＶマスクブランク。

【請求項23】

極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製造方法であって、
基板上にＥＵＶ放射を反射させる多層スタックを形成することであって、前記多層スタックは複数の反射層対を含む、多層スタックを形成することと、
前記多層スタック上にキャッピング層を形成することと、
前記キャッピング層上に吸収体を形成することであって、前記吸収体は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＶの合金、Ｍｏの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｖの酸化物、Ｍｏの窒化物、Ｎｂの窒化物及びＶの窒化物で構成される群から選択される第１の層と、ＴａＣｕ又はＴａＲｕの少なくとも一方を含む第２の層とを含む、吸収体を形成することと
を含む方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本開示は、概して、極紫外線リソグラフィに関し、より具体的には、第１の層及び第２の層を含む吸収体を有する極紫外線マスクブランク及びその製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

［０００２］軟Ｘ線投影リソグラフィとしても知られる極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、０．０１３５ミクロン以下の最小特徴サイズの半導体デバイスの製造に使用することが可能である。しかし、一般に５から１００ナノメートルの波長域にある極紫外光は、ほぼすべての材料に強く吸収される。そのため、極紫外線システムは、光の透過ではなく反射によって機能する。一連のミラー又はレンズ要素、もしくは無反射の吸収体マスクパターンでコーティングされた反射素子又はマスクブランクの使用を通して、パターニングされた作用光がレジストコーティングされた半導体基板上に反射する。

【0003】

［０００３］極紫外線リソグラフィシステムのレンズ要素及びマスクブランクは、モリブデン及びシリコン等の材料の反射多層膜でコーティングされる。例えば１３．５ナノメートルの紫外光に対して１２．５から１４．５ナノメートルのバンドパス等の、極端に狭い紫外線バンドパス内の光を強く反射させる多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって、レンズ要素、又はマスクブランクあたり約６５％の反射値が得られている。

【0004】

［０００４］図１は、ＥＵＶマスクブランクから形成され、基板１４上に反射多層スタック１２を含み、ブラッグ干渉によってマスクされていない部分でＥＵＶ放射を反射させる、従来のＥＵＶ反射マスク１０を示す図である。従来のＥＵＶ反射マスク１０のマスクされた（無反射）領域１６は、バッファ層１８及び吸収層２０をエッチングすることによって形成される。吸収層は、典型的には、５１ｎｍから７７ｎｍの範囲の厚さを有する。キャッピング層２２は、反射多層スタック１２の上に形成され、エッチングプロセス中に反射多層スタック１２を保護する。以下で更に説明するように、ＥＵＶマスクブランクは、多層、キャッピング層及び吸収層でコーティングされた低熱膨張材料基板に形成され、その後、マスクされた（無反射）領域１６及び反射領域２４を得るためにエッチングされる。

【0005】

［０００５］国際半導体技術ロードマップ（ＩＴＲＳ）は、ノードのオーバーレイ要件を、技術の最小ハーフピッチ特徴サイズに対するある割合として規定する。すべての反射型リソグラフィシステムに固有の画像配置及びオーバーレイエラーへの影響のため、ＥＵＶ反射型マスクは、将来の生産のために、より正確な平面度仕様に準拠する必要があるであろう。更に、ＥＵＶブランクは、ブランクの作業領域における欠陥に対する許容度が非常に低い。更に、吸収層の役割は光を吸収することであるが、吸収層の屈折率と真空の屈折率との差（ｎ＝１）による位相シフト効果もあり、この位相シフトが３Ｄマスクの効果を担っている。３Ｄマスク効果を緩和する吸収体を有するＥＵＶマスクブランクを提供することが求められる。

【発明の概要】

【0006】

［０００６］本開示の１又は複数の実施形態は、基板と、ＥＵＶ放射を反射させ、複数の反射層対を含む多層スタックと、ＵＶ放射を反射させる多層スタック上のキャッピング層と、キャッピング層上の吸収体であって、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＶの合金、Ｍｏの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｖの酸化物、Ｍｏの窒化物、Ｎｂの窒化物及びＶの窒化物で構成される群から選択される第１の層と、ＴａＳｂ、ＣＳｂ、ＳｂＮ、ＴａＮｉ、ＴａＣｕ及びＴａＲｕで構成される群から選択される第２の層とを含む吸収体とを備えるＥＵＶマスクブランクを対象とする。

【0007】

［０００７］本開示の追加の実施形態は、基板上にＥＵＶ放射を反射させる多層スタックを形成することであって、多層スタックは複数の反射層対を含む、基板上にＥＵＶ放射を反射させる多層スタックを形成することと、多層スタック上にキャッピング層を形成することと、キャッピング層上に吸収体を形成することであって、吸収体は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＶの合金、Ｍｏの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｖの酸化物、Ｍｏの窒化物、Ｎｂの窒化物及びＶの窒化物で構成される群から選択される第１の層と、ＴａＳｂ、ＣＳｂ、ＳｂＮ、ＴａＮｉ、ＴａＣｕ及びＴａＲｕで構成される群から選択される第２の層とを含む、キャッピング層上に吸収体を形成することとを含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製造方法を対象とする。

【0008】

［０００８］上述した本開示の特徴を詳細に理解できるように、一部が添付の図面に例示されている実施形態を参照しながら、上記に要約した本開示をより具体的に説明する。しかし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を単に示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることに留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】従来の吸収体を採用した背景技術のＥＵＶ反射マスクを概略的に示す図である。

【図2】極紫外線リソグラフィシステムの一実施形態を概略的に示す図である。

【図3】極紫外線反射素子製造システムの一実施形態を示す図である。

【図4】ＥＵＶマスクブランク等の極紫外線反射素子の一実施形態を示す図である。

【図5】ＥＵＶマスクブランク等の極紫外線反射素子の一実施形態を示す図である。

【図6】マルチカソード物理的堆積チャンバの一実施形態を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［００１５］本開示の幾つかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明に記載される構築又はプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実行又は実施することができる。

【0011】

［００１６］本明細書で使用する「水平」という用語は、その配向にかかわらず、マスクブランクの平面又は表面に平行な面として定義される。用語「垂直」は、先ほど定義した水平に垂直な方向を指す。「上方（ａｂｏｖｅ）」、「下方（ｂｅｌｏｗ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上部（ｔｏｐ）」、「側面（ｓｉｄｅ）」（「側壁」のように）、「上の（ｈｉｇｈｅｒ）」、「下の（ｌｏｗｅｒ）」、「上方の（ｕｐｐｅｒ）」、「上の（ｏｖｅｒ）」、「下方の（ｕｎｄｅｒ）」等の用語は、図に示すように、水平面に対して定義される。

【0012】

［００１７］用語「上に（ｏｎ）」は、要素間に直接的な接触があることを示す。用語「直接上に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」は、介在する要素がなく、要素間に直接接触があることを示す。

【0013】

［００１８］当業者は、プロセス領域を説明するための「第１」及び「第２」のような序数の使用が、処理チャンバ内の特定の位置、又は処理チャンバ内の露出の順序を意味するものではないことを理解されよう。

【0014】

［００１９］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する用語「基板」は、プロセスが作用する表面、又は表面の一部を指す。また、当業者には、基板への言及が、文脈が別途明示しない限り、基板の一部のみを指し得ることが理解されよう。更に、基板への堆積への言及は、ベア基板と、その上に１又は複数の膜又は特徴が堆積又は形成された基板との両方を意味し得る。

【0015】

［００２０］ここで、極紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な実施形態を示す図２を参照する。極紫外線リソグラフィシステム１００は、極紫外光１１２を生成するための極紫外光源１０２と、一組の反射素子と、ターゲットウエハ１１０とを含む。反射素子は、コンデンサ１０４、ＥＵＶ反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、又はそれらの組み合わせを含む。

【0016】

［００２１］極紫外光源１０２は、極紫外光１１２を発生させる。極紫外光１１２は、５から５０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長を有する電磁放射線である。例えば、極紫外光源１０２は、レーザ、レーザ生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザ、放射光、又はそれらの組み合わせを含む。

【0017】

［００２２］極紫外光源１０２は、様々な特性を有する極紫外光１１２を発生させる。極紫外光源１０２は、波長範囲にわたる広帯域の極紫外線放射を生成する。例えば、極紫外光源１０２は、５から５０ｎｍの範囲の波長を有する極紫外光１１２を発生させる。

【0018】

［００２３］１又は複数の実施形態では、極紫外光源１０２は、狭い帯域幅を有する極紫外光１１２を生成する。例えば、極紫外光源１０２は、極紫外光１１２を１３．５ｎｍで発生させる。波長ピークの中心は、１３．５ｎｍである。

【0019】

［００２４］コンデンサ１０４は、極紫外光１１２を反射及び集束させるための光学ユニットである。コンデンサ１０４は、極紫外光源１０２からの極紫外光１１２を反射及び集光させて、ＥＵＶ反射マスク１０６に照射する。

【0020】

［００２５］コンデンサ１０４を単一要素として示したが、コンデンサ１０４は、極紫外光１１２を反射及び集光させるための、凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、又はそれらの組み合わせ等の１又は複数の反射素子を含み得ることを理解されたい。例えば、コンデンサ１０４は、単一の凹面鏡、又は凸状、凹状、及び平坦な光学素子を有する光学アセンブリであってよい。

【0021】

［００２６］ＥＵＶ反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極紫外線反射素子である。ＥＵＶ反射マスク１０６により、ターゲットウエハ１１０に形成されるべき回路レイアウトを形成するためのリソグラフィパターンができる。ＥＵＶ反射マスク１０６は、極紫外光１１２を反射させる。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部を画定する。

【0022】

［００２７］光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像を縮小するための光学ユニットである。ＥＵＶ反射マスク１０６からの極紫外光１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって縮小され、ターゲットウエハ１１０に反射される。光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像のサイズを縮小するために、ミラー及び他の光学素子を含み得る。例えば、光学縮小アセンブリ１０８は、極紫外光１１２を反射及び集束させるための凹面鏡を含み得る。

【0023】

［００２８］光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４の像のサイズを縮小する。例えば、マスクパターン１１４が、光学縮小アセンブリ１０８によってターゲットウエハ１１０上に４：１の比率で結像され、マスクパターン１１４によって表される回路がターゲットウエハ１１０上に形成され得る。極紫外光１１２は、ＥＵＶ反射マスク１０６をターゲットウエハ１１０に同期させて走査し、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４を形成し得る。

【0024】

［００２９］ここで、極紫外線反射素子製造システム２００の一実施形態を示す図３を参照する。極紫外線反射素子は、ＥＵＶマスクブランク２０４、極紫外線ミラー２０５、又はＥＵＶ反射マスク１０６等の他の反射素子を含む。

【0025】

［００３０］極紫外線反射素子製造システム２００は、図２の極紫外光１１２を反射させるマスクブランク、ミラー、又は他の素子を製造することができる。極紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを施すことによって反射素子を製造する。

【0026】

［００３１］ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するための多層構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、半導体製造技法を使用して形成され得る。ＥＵＶ反射マスク１０６は、エッチング及び他のプロセスによってＥＵＶマスクブランク２０４上に形成された図２のマスクパターン１１４を有し得る。

【0027】

［００３２］極紫外線ミラー２０５は、極紫外光の範囲を反射させる多層構造である。極紫外線ミラー２０５は、半導体製造技法を使用して形成され得る。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、各素子上に形成される層に関して類似の構造であり得るが、極紫外線ミラー２０５は、マスクパターン１１４を有さない。

【0028】

［００３３］反射素子は、極紫外光１１２の効率的なリフレクタである。一実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、６０％を超える極紫外線反射率を有する。反射素子は、極紫外光１１２を６０％を超えて反射させる場合、効率的である。

【0029】

［００３４］極紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３がロードされ、そこから反射素子がアンロードされるウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２を含む。大気ハンドリングシステム２０６は、ウエハハンドリング真空チャンバ２０８へのアクセスを提供する。ウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２は、システム内で基板を大気から真空に移送するための、基板輸送ボックス、ロードロック、及び他の構成要素を含み得る。ＥＵＶマスクブランク２０４は、非常に微小な寸法のデバイスを形成するのに使用されるため、ソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４は、汚染及び他の欠陥を防止するために真空システムで処理される。

【0030】

［００３５］ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、第１の真空チャンバ２１０及び第２の真空チャンバ２１２の２つの真空チャンバを含み得る。第１の真空チャンバ２１０は、第１のウエハハンドリングシステム２１４を含み、第２の真空チャンバ２１２は、第２のウエハハンドリングシステム２１６を含む。２つの真空チャンバを有するウエハハンドリング真空チャンバ２０８を説明したが、システムは、任意の数の真空チャンバを有し得ることを理解されたい。

【0031】

［００３６］ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、他の様々なシステムを取り付けるために、その周辺に複数のポートを有し得る。第１の真空チャンバ２１０は、ガス抜きシステム２１８、第１の物理的気相堆積システム２２０、第２の物理的気相堆積システム２２２、及び前洗浄システム２２４を有する。ガス抜きシステム２１８は、基板から水分を熱的に放出させるためのものである。前洗浄システム２２４は、ウエハ、マスクブランク、ミラー、又は他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。

【0032】

［００３７］第１の物理的気相堆積システム２２０及び第２の物理的気相堆積システム２２２等の物理的気相堆積システムは、ソース基板２０３に導電性材料の薄膜を形成するために使用され得る。例えば、物理的気相堆積システムは、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積等の真空堆積システム、又はそれらの組み合わせを含み得る。マグネトロンスパッタリングシステム等の物理的気相堆積システムは、シリコン、金属、合金、化合物、又はそれらの組み合わせの層を含むソース基板２０３に薄層を形成する。

【0033】

［００３８］物理的気相堆積システムは、反射層、キャッピング層、及び吸収体層を形成する。例えば、物理的気相堆積システムは、シリコン、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオブ、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオブ、クロム、アンチモン、窒化物、化合物、又はそれらの組み合わせの層を形成し得る。幾つかの化合物は酸化物として記載しているが、化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、又はそれらの組み合わせを含み得ることを理解されたい。

【0034】

［００３９］第２の真空チャンバ２１２には、第１のマルチカソード源２２６、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２が接続されている。例えば、化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ化学気相堆積システム（ＣＶＤ）、エアロゾルＣＶＤ、熱フィラメントＣＶＤシステム、又は同様のシステムを含み得る。別の実施例では、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２は、極紫外線反射素子製造システム２００とは分離したシステムにあってよい。

【0035】

［００４０］化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３に材料の薄膜を形成することができる。例えば、化学気相堆積システム２２８は、単結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、又はそれらの組み合わせを含む材料の層をソース基板２０３に形成するために使用され得る。化学気相堆積システム２２８は、シリコン、酸化ケイ素、シリコンオキシカーバイド、タンタル、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、及び化学気相堆積に適した他の材料の層を形成することが可能である。例えば、化学気相堆積システムは、平坦化層を形成することができる。

【0036】

［００４１］第１のウエハハンドリングシステム２１４は、大気ハンドリングシステム２０６と第１の真空チャンバ２１０の周辺の様々なシステムとの間でソース基板２０３を連続的な真空中で移動させることができる。第２のウエハハンドリングシステム２１６は、ソース基板２０３を連続的な真空に維持しながら第２の真空チャンバ２１２の周囲でソース基板２０３を移動させることができる。極紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３とＥＵＶマスクブランク２０４を、第１のウエハハンドリングシステム２１４と第２のウエハハンドリングシステム２１６との間で連続的な真空中で移送することが可能である。

【0037】

［００４２］ここで、極紫外線反射素子３０２の一実施形態を示す図４を参照する。１又は複数の実施形態では、極紫外線反射素子３０２は、図３のＥＵＶマスクブランク２０４又は図３の極紫外線ミラー２０５である。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、図２の極紫外光１１２を反射させるための構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２に示すＥＵＶ反射マスク１０６を形成するのに使用され得る。

【0038】

［００４３］極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、反射層の多層スタック３０６、及びキャッピング層３０８を含む。１又は複数の実施形態では、極紫外線ミラー２０５は、図２のコンデンサ１０４又は図２の光学縮小アセンブリ１０８で使用するための反射構造を形成するために使用される。

【0039】

［００４４］ＥＵＶマスクブランク２０４であってよい極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、反射層の多層スタック３０６、キャッピング層３０８、及び吸収体３１０を含む。極紫外線反射素子３０２は、ＥＵＶマスクブランク２０４であってよく、これは、必要な回路のレイアウトで吸収体３１０をパターニングすることによって、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される。

【0040】

［００４５］以下のセクションでは、ＥＵＶマスクブランク２０４の用語は、簡略化のために極紫外線ミラー２０５の用語と交互に使用される。１又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のマスクパターン１１４を形成するために、吸収体３１０が追加された極紫外線ミラー２０５の構成要素を含む。

【0041】

［００４６］ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有するＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造である。１又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４の反射面は、図２の極紫外光１１２等の入射光を反射させるための平坦な焦点面を形成する。

【0042】

［００４７］基板３０４は、極紫外線反射素子３０２に構造的支持を与えるための素子である。１又は複数の実施形態では、基板３０４は、温度変化中の安定性を得るために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料から作られる。１又は複数の実施形態では、基板３０４は、機械的サイクル、熱サイクル、結晶形成、又はそれらの組合せに対する安定性等の特性を有する。１又は複数の実施形態に係る基板３０４は、シリコン、ガラス、酸化物、セラミックス、ガラスセラミックス、又はそれらの組み合わせ等の材料から形成される。

【0043】

［００４８］多層スタック３０６は、極紫外光１１２に対して反射性を有する構造である。多層スタック３０６は、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４の交互の反射層を含む。

【0044】

［００４９］第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、図４の反射ペア３１６を形成する。非限定的な実施形態では、多層スタック３０６は、２０から６０の範囲の反射ペア３１６、合計最大１２０の反射層を含む。

【0045】

［００５０］第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、様々な材料から形成され得る。一実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、それぞれ、シリコン及びモリブデンから形成される。層をシリコン及びモリブデンとして示したが、交互の層は他の材料から形成され得る、又は他の内部構造を有し得ることを理解されたい。

【0046】

［００５１］第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、様々な構造を有し得る。一実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４はいずれも、単層、多層、分割層構造、不均一構造、又はそれらの組み合わせで形成される。

【0047】

［００５２］ほとんどの材料が極紫外線波長で光を吸収するため、使用される光学素子は、他のリソグラフィシステムで使用されるような透過性ではなく、反射性である。多層スタック３０６は、ブラッグリフレクタ又はミラーを作り出すために、異なる光学特性を有する材料の交互の薄層を有することによって、反射構造を形成する。

【0048】

［００５３］一実施形態では、各交互層は、極紫外光１１２に対して異なる光学定数を有する。交互層は、交互層の厚さの周期が極紫外光１１２の波長の１／２であるときに、共振反射率を提供する。一実施形態では、１３ｎｍの波長の極紫外光１１２に対して、交互層は約６．５ｎｍの厚さである。記載のサイズ及び寸法は、典型的な素子に対する通常の工学的公差の範囲内であることを理解されたい。

【0049】

［００５４］多層スタック３０６は、様々な方法で形成することができる。一実施形態では、第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組合せで形成される。

【0050】

［００５５］例示的な実施形態では、多層スタック３０６は、マグネトロンスパッタリング等の物理的気相堆積技法を用いて形成される。一実施形態では、多層スタック３０６の第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、マグネトロンスパッタリング技法によって形成される、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む特性を有する。一実施形態では、多層スタック３０６の第１の反射層３１２及び第２の反射層３１４は、物理的気相堆積によって形成される、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む特性を有する。

【0051】

［００５６］物理的気相堆積技法を用いて形成された多層スタック３０６の層の物理的寸法は、反射率を高めるために精密に制御され得る。一実施形態では、シリコンの層等の第１の反射層３１２は、４．１ｎｍの厚さを有する。モリブデンの層等の第２の反射層３１４は、２．８ｎｍの厚さを有する。層の厚さは、極紫外線反射素子の反射率のピーク波長を決定する。層の厚さが正しくない場合、所望の波長１３．５ｎｍにおける反射率が低下する可能性がある。

【0052】

［００５７］一実施形態では、多層スタック３０６は、６０％を超える反射率を有する。一実施形態では、物理的気相堆積を用いて形成された多層スタック３０６は、６６％から６７％の範囲の反射率を有する。１又は複数の実施形態では、より硬い材料で形成された多層スタック３０６の上にキャッピング層３０８を形成すると、反射率が改善される。幾つかの実施形態では、低い粗さの層、層間の清浄なインターフェース、改善された層材料、又はそれらの組合せを用いて、７０％を超える反射率が達成される。

【0053】

［００５８］１又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、極紫外光１１２の透過を可能にする保護層である。一実施形態では、キャッピング層３０８は、多層スタック３０６上に直接形成される。１又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、汚染物質及び機械的損傷から多層スタック３０６を保護する。一実施形態では、多層スタック３０６は、酸素、タンタル、ヒドロタンタル、又はそれらの組み合わせによる汚染の影響を受けやすい。一実施形態に係るキャッピング層３０８は、汚染物質と相互作用して、汚染物質を中和する。

【0054】

［００５９］１又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、極紫外光１１２に対して透明である光学的に均一な構造である。極紫外光１１２は、キャッピング層３０８を通過して、多層スタック３０６から反射する。１又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、１％から２％の全反射率損失を有する。１又は複数の実施形態では、異なる材料は各々、厚さに依存して異なる反射率損失を有するが、それらは全て１％から２％の範囲である。

【0055】

［００６０］１又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、滑らかな表面を有する。例えば、キャッピング層３０８の表面は、０．２ｎｍＲＭＳ（二乗平均平方根）未満の粗さを有し得る。別の実施例では、キャッピング層３０８の表面は、１／１００ｎｍ及び１／１μｍの範囲の長さに対して０．０８ｎｍＲＭＳの粗さを有する。ＲＭＳ粗さは、それが測定される範囲に依存して変化する。１００ｎｍから１μｍの特定範囲では、粗さは０．０８ｎｍ以下となる。それ以上の範囲では、粗さは増加する。

【0056】

［００６１］キャッピング層３０８は、様々な方法で形成され得る。一実施形態では、キャッピング層３０８は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、電子ビーム蒸着、高周波（ＲＦ）スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせで多層スタック３０６上に又は多層スタック３０６に直接形成される。１又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、マグネトロンスパッタリング技法によって形成される、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む物理的特性を有する。一実施形態では、キャッピング層３０８は、物理的気相堆積によって形成される、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄なインターフェースを含む物理的特性を有する。

【0057】

［００６２］１又は複数の実施形態では、キャッピング層３０８は、洗浄中の腐食に抵抗するのに十分な硬度を有する様々な材料から形成される。一実施形態では、ルテニウムは、良好なエッチング停止であり、動作条件下で比較的不活性であるため、キャッピング層材料として使用される。しかしながら、他の材料をキャッピング層３０８の形成に使用することができることを理解されたい。具体的な実施形態では、キャッピング層３０８は、２．５から５．０ｎｍの範囲の厚さを有する。

【0058】

［００６３］１又は複数の実施形態では、吸収体３１０は、極紫外光１１２を吸収する層である。一実施形態では、吸収体３１０は、極紫外光１１２を反射しない領域を提供することによって、ＥＵＶ反射マスク１０６上にパターンを形成するために使用される。吸収体３１０は、１又は複数の実施形態によれば、極紫外光１１２の特定の周波数、例えば約１３．５ｎｍに対して高い吸収係数を有する材料を含む。一実施形態では、吸収体３１０は、キャッピング層３０８に直接形成され、吸収体３１０は、ＥＵＶ反射マスク１０６のパターンを形成するために、フォトリソグラフィプロセスを用いてエッチングされる。

【0059】

［００６４］１又は複数の実施形態によれば、極紫外線ミラー２０５等の極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層スタック３０６、及びキャッピング層３０８で形成される。極紫外線ミラー２０５は、光学的に平坦な表面を有し、極紫外光１１２を効率的かつ均一に反射させることができる。

【0060】

［００６５］１又は複数の実施形態によれば、ＥＵＶマスクブランク２０４等の極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層スタック３０６、キャッピング層３０８、及び吸収体３１０で形成される。マスクブランク２０４は、光学的に平坦な表面を有し、極紫外光１１２を効率的かつ均一に反射させることができる。一実施形態では、マスクパターン１１４は、ＥＵＶマスクブランク２０４の吸収体３１０で形成される。

【0061】

［００６６］１又は複数の実施形態によれば、キャッピング層３０８の上に吸収体３１０を形成することによって、ＥＵＶ反射マスク１０６の信頼性が向上する。キャッピング層３０８は、吸収体３１０のためのエッチング停止層として機能する。図２のマスクパターン１１４が吸収体３１０にエッチングされると、吸収体３１０の下のキャッピング層３０８がエッチング作用を停止して、多層スタック３０６を保護する。１又は複数の実施形態では、吸収体３１０は、キャッピング層３０８に対してエッチング選択性がある。幾つかの実施形態では、キャッピング層３０８はルテニウムを含み、吸収体３１０はルテニウムに対してエッチング選択性がある。

【0062】

［００６７］ここで、基板４１４と、基板４１４上の反射層４１２の多層スタックとを備え、反射層４１２の多層スタックは複数の反射層対を含む、極紫外線マスクブランク４００を示す図５を参照する。１又は複数の実施形態では、複数の反射層対は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料及びシリコン（Ｓｉ）含有材料から選択される材料からできている。幾つかの実施形態では、複数の反射層対は、モリブデン及びシリコンの交互層を含む。極紫外線マスクブランク４００は更に、反射層４１２の多層スタック上にキャッピング層４２２を含み、キャッピング層４２２上に吸収体４２０が存在する。一実施形態では、吸収体４２０は、第１の層４２０及び第２の層４２０ｂを含み、吸収体層対を提供する。１又は複数の実施形態では、複数の反射層４１２は、モリブデン（Ｍｏ）含有材料及びシリコン（Ｓｉ）含有材料から選択され、キャッピング層４２２は、ルテニウムを含む。

【0063】

［００６８］具体的な実施形態では、複数の吸収体層対があり、複数の吸収体層対４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄ、４２０ｅ、４２０ｆを含み、各ペアが（第１の層４２０ａ／第２の層４２０ｂ、第１の層４２０ｃ／第２の層４２０ｄ、第１の層４２０ｅ／第２の層４２０ｆ）を含む吸収体層の多層スタック４２０を提供する。１又は複数の実施形態では、第１の層及び第２の層の厚さは、異なる材料及び用途に最適化され、典型的には、１０から１００ｎｍの範囲である。

【0064】

［００６９］１又は複数の実施形態では、キャッピング層上に吸収体４２０があり、吸収体は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＶの合金、Ｍｏの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｖの酸化物、Ｍｏの窒化物、Ｎｂの窒化物及びＶの窒化物で構成される群から選択される第１の層（例えば４２０ａ）、並びにＴａＳｂ、ＣＳｂ、ＳｂＮ、ＴａＮｉ、ＴａＣｕ及びＴａＲｕで構成される群から選択される第２の層（例えば４２０ｂ）とを含む。具体的な実施形態では、第２の層の材料ＴａＳｂ、ＣＳｂ、ＳｂＮ、ＴａＮｉ、ＴａＣｕ及びＴａＲｕの各々は合金であり、より具体的な実施形態では、材料の各々はアモルファス合金である。

【0065】

［００７０］１又は複数の実施形態では、第１の層４２０ａ及び第２の層４２０ｂを含む吸収体４２０は、第１の層が位相シフタであり、第２の層が追加の吸収体である２層構造を形成する。これは、異なる種類の用途において吸収体の性能を最適化するために「調整可能な」位相シフト及び反射率値を有する、エッチング可能な位相シフトマスクスタックを実現し得る。１又は複数の実施形態では、本明細書に記載の第１の層は、ＴａＳｂ、ＣＳｂ、ＳｂＮ、ＴａＮｉ、ＴａＣｕ又はＴａＲｕ等の第２の層の吸収体と共に使用される場合、６から１５％の反射率で２１５度近くの位相シフトを達成する。これにより、焦点深度（ＤＯＦ）、規格化イメージログスロープ（ＮＩＬＳ）、テレセントリック性誤差（ＴＣＥ）の面で、最新のＴａベースの吸収体と比較してマスクの性能を大幅に向上させることができる。

【0066】

［００７１］ＤＯＦは、リソグラフィプロセスにおけるプロセスウインドウサイズに関連するものである。ＮＩＬＳは、リソグラフィプロセスにおける空間像の品質の尺度である。ＴＣＥは、リソグラフィプロセスにおけるデフォーカスを伴う画像シフトの尺度である。１又は複数の実施形態では、本明細書に記載のマスクブランクは、可能な限り低いＴＣＥで可能な限り高いＤＯＦ及びＮＩＬＳを提供する。

【0067】

［００７２］実施形態では、２層のうちの第１の層は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ及びそれらの合金並びにそれらの酸化物及び窒化物から選択される金属である。ＴａＳｂ等の２層の吸収体と共に使用される場合の材料の範囲は、６から１５％の反射率で２１５度近くの位相シフトを達成し得る。これにより、焦点深度（ＤＯＦ）、規格化イメージログスロープ（ＮＩＬＳ）、テレセントリック性誤差（ＴＣＥ）の面で、最新のＴａベースの吸収体と比較してマスクの性能を大幅に向上させることができる。ＴａＳｂの代わりに使用できる他の材料としては、ＣＳｂ、ＳｂＮ、ＴａＮｉ、ＴａＣｕ及びＴａＲｕ等、高い誘電率値でエッチング可能なあらゆる材料が含まれる。

【0068】

［００７３］具体的な実施形態では、第１の層４２０ａは、モリブデン（Ｍｏ）、又はＭｏの酸化物及び／又は窒化物を含む。

【0069】

［００７４］具体的な実施形態では、第１の層４２０ａは、ニオブ（Ｎｂ）、又はＮｂの酸化物及び／又は窒化物を含む。

【0070】

［００７５］具体的な実施形態では、第１の層４２０ａは、バナジウム（Ｖ）、又はＶの酸化物及び／又は窒化物を含む。

【0071】

［００７６］具体的な実施形態では、第２の層はＴａＳｂを含む。より具体的な実施形態では、ＴａＳｂは、約２１．９重量％から約７８．２重量％の範囲のタンタルと、約２１．８重量％から約７８．１重量％の範囲のアンチモンとを含む。

【0072】

［００７７］具体的な実施形態では、第２の層はＣＳｂを含む。より具体的な実施形態では、ＣＳｂは、約０．３重量％から約３．６重量％の範囲の炭素及び約９６．４重量％から約９９．７重量％の範囲のアンチモン、又は約５．０重量％から約１０．８重量％の範囲の炭素及び約８９．２重量％から約９５．０重量％の範囲のアンチモンを含む。

【0073】

［００７８］具体的な実施形態では、第２の層はＳｂＮを含む。より具体的な実施形態では、ＳｂＮは、約７８．８重量％から約９９．８重量％の範囲のアンチモン及び約０．２重量％から約２１．２重量％の範囲の窒素を含む。

【0074】

［００７９］具体的な実施形態では、第２の層はＴａＮｉを含む。より具体的な実施形態では、ＴａＮｉは、約５６．９重量％から約９４．６重量％の範囲のタンタルと、約５．４重量％から約４３．１重量％の範囲のニッケルを含む。

【0075】

［００８０］具体的な実施形態では、第２の層はＴａＣｕを含む。より具体的な実施形態では、ＴａＣｕは、約７４．０重量％から約９４．２重量％の範囲のタンタル及び約５．８重量％から約２６．０重量％の範囲の銅、又は約１３．０重量％から約６５．０重量％の範囲のタンタル及び約３５．０重量％から８７．０重量％の範囲の銅を含む。

【0076】

［００８１］具体的な実施形態では、第２の層はＴａＲｕを含む。より具体的な実施形態では、ＴａＲｕは、約３０．９重量％から約８０．７重量％の範囲のタンタル及び約１９．３重量％から約６９．１重量％の範囲のルテニウムを含む。

【0077】

［００８２］１又は複数の実施形態によれば、吸収体層対は、第１の層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）及び第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）を含み、第１の吸収体層（４２０ａ、４２０ｃ、４２０ｅ）及び第２の吸収体層（４２０ｂ、４２０ｄ、４２０ｆ）は各々、０．１ｎｍから１０ｎｍの範囲、例えば１ｎｍから５ｎｍの範囲、又は１ｎｍから３ｎｍの範囲の厚さを有する。１又は複数の具体的な実施形態では、第１の層４２０ａの厚さは、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．７ｎｍ、０．８ｎｍ、０．９ｎｍ、１ｎｍ、１．１ｎｍ、１．２ｎｍ、１．３ｎｍ、１．４ｎｍ、１．５ｎｍ、１．６ｎｍ、１．７ｎｍ、１．８ｎｍ、１．９ｎｍ、２ｎｍ、２．１ｎｍ、２．２ｎｍ、２．３ｎｍ、２．４ｎｍ、２．５ｎｍ、２．６ｎｍ、２．７ｎｍ、２．８ｎｍ、２．９ｎｍ、３ｎｍ、３．１ｎｍ、３．２ｎｍ、３．３ｎｍ、３．４ｎｍ、３．５ｎｍ、３．６ｎｍ、３．７ｎｍ、３．８ｎｍ、３．９ｎｍ、４ｎｍ、４．１ｎｍ、４．２ｎｍ、４．３ｎｍ、４．４ｎｍ、４．５ｎｍ、４．６ｎｍ、４．７ｎｍ、４．８ｎｍ、４．９ｎｍ及び５ｎｍである。１又は複数の実施形態では、各ペアの第１の吸収体層及び第２の吸収体層の厚さは、同じである又は異なっている。例えば、第１の吸収体層及び第２の吸収体層は、第２の吸収体層の厚さに対する第１の吸収体層の厚さの比が、１：１、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、又は２０：１となり、第１の吸収層が各ペアにおいて第２の吸収層の厚さと等しい又はそれ以上の厚さを有するような厚さを有する。あるいは、第１の吸収体層及び第２の吸収体層は、第１の吸収体層の厚さに対する第２の吸収体層の厚さの比が、１．５：１、２：１、２．５：１、３：１、３．５：１、４：１、４．５：１、５：１、６：１、７：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、１２：１、１３：１、１４：１、１５：１、１６：１、１７：１、１８：１、１９：１、又は２０：１となり、第２の吸収体層が各ペアにおいて第１の吸収体層の厚さと等しい又はそれ以上の厚さを有するような厚さを有する。

【0078】

［００８３］１又は複数の実施形態によれば、極紫外光が、吸光度により、また反射層の多層スタックからの光との弱め合う干渉によって生じる位相変化により吸収されるように、異なる吸収体材料及び吸収体層の厚さが選択される。図５に示す実施形態は、３つの吸収体層対、４２０ａ／４２０ｂ、４２０ｃ／４２０ｄ及び４２０ｅ／４２０ｆを示しているが、特許請求の範囲は、特定の数の吸収体層対に限定されるべきではない。１又は複数の実施形態によれば、ＥＵＶマスクブランク４００は、１から６０の範囲の吸収体層対、又は１０から４０の範囲の吸収体層対を含み得る。

【0079】

［００８４］１又は複数の実施形態によれば、吸収体層は、２％未満の反射率及び他のエッチング特性を提供する厚さを有する。吸収体層の材料特性を更に修正するために供給ガスを使用することができ、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスを使用して、上記に記載される材料の窒化物を形成することができる。１又は複数の実施形態に係る吸収体層の多層スタックは、異なる材料の個々の厚さの反復パターンであり、これにより、ＥＵＶ光が、吸光度による吸収だけでなく、多層吸収体スタックにより生じる位相変化によって吸収され、下の反射材料の多層スタックからの光との弱め合い干渉によって、より良いコントラストが得られる。

【0080】

［００８５］本開示の別の態様は、基板上の反射層の多層スタック上に複数の反射層対を含む多層スタックを形成することと、反射層の多層スタック上にキャッピング層を形成することと、キャッピング層上に吸収体を形成することとを含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製造方法に関し、吸収体は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＶの合金、Ｍｏの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｖの酸化物、Ｍｏの窒化物、Ｎｂの窒化物及びＶの窒化物で構成される群から選択される第１の層と、ＴａＳｂ、ＣＳｂ、ＳｂＮ、ＴａＮｉ、ＴａＣｕ及びＴａＲｕで構成される群から選択される第２の層とを含む。

【0081】

［００８６］幾つかの実施形態では、第１の層は、Ａｒ又はＫｒを用いたマグネトロンスパッタリングによる金属Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ及びそれらの合金の堆積によって形成される。Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖの窒化物又は酸化物は、Ｍｏ、Ｎｂ、及びＶの金属ターゲットを用いて反応性スパッタリングによって形成することができ、酸素ドーピングを伴う又は伴わない窒化物堆積においては、Ａｒ＋Ｎ_２又はＡｒ＋Ｏ_２＋Ｎ_２のガスによってスパッタリングが行われうる。あるいは、気相窒化作用又は酸化作用を利用することができる。このような窒化作用又は酸化作用は、金属Ｍｏ、Ｎｂ又はＶの薄層（例えば、１ｎｍから２ｎｍ）を堆積させ、電力を停止し、ＰＶＤチャンバで～２ｍＴのＮ_２ガス又はＮ_２＋Ｏ_２ガスを５秒間流すことによって実施することができ、これが１サイクルを形成する。窒化作用の条件としては、２ｍＴのＮ_２圧力でＰＶＤチャンバに電力を供給しないことを含み得る。１サイクルは、期待する金属窒化物の厚さに達するまで繰り返され得る。

【0082】

［００８７］ＥＵＶマスクブランクは、図４及び図５に関して上述した実施形態の特性のいずれかを有していてよく、方法は、図３に関して説明したシステムにおいて実施することができる。

【0083】

［００８８］別の具体的な方法の実施形態では、異なる吸収体層は、第１の吸収体材料を含む第１のカソード及び第２の吸収体材料を含む第２のカソードを有する物理的堆積チャンバで形成される。ここで、一実施形態に係るマルチカソードチャンバ５００の上部を示す図６を参照する。マルチカソードチャンバ５００は、上部アダプタ５０４によってキャッピングされた円筒形本体部分５０２を有するベース構造５０１を含む。上部アダプタ５０４には、上部アダプタ５０４の周囲に位置決めされたカソード源５０６、５０８、５１０、５１２、及び５１４等の多数のカソード源が設けられている。

【0084】

［００８９］１又は複数の実施形態では、本方法は、５ｎｍから６０ｎｍの範囲の厚さを有する吸収体層を形成する。１又は複数の実施形態では、吸収体層は、５１ｎｍから５７ｎｍの範囲の厚さを有する。１又は複数の実施形態では、吸収体層を形成するために使用される材料は、吸収体層のエッチング特性を効果的にするように選択される。１又は複数の実施形態では、吸収体層の合金は、物理的堆積チャンバで形成された合金吸収体材料を共スパッタリングすることによって形成され、これにより、はるかに薄い吸収体層厚（３０ｎｍ未満）が得られ、２％未満の反射率及び所望のエッチング特性を達成することができる。一実施形態では、各吸収体材料の合金割合を制御することによって、吸収体層のエッチング特性及び他の所望の特性を仕様に合わせて調整することができる。一実施形態では、合金割合は、物理的気相堆積チャンバの電圧、圧力、流量等の動作パラメータによって正確に制御することができる。一実施形態では、材料特性を更に修正するためにプロセスガスが使用され、例えば、Ｎ_２及び／又はＯ_２ガスが、Ｍｏ、Ｎｂ、又はＶの窒化物及び／又は酸化物、又はＴａＳｂ、ＣＳｂ、ＳｂＮ、ＴａＮｉ、ＴａＣｕ又はＴａＲｕの窒化物又は酸化物を形成するために使用される。

【0085】

［００９０］１又は複数の実施形態では、本明細書に記載の合金はドーパントを含む。ドーパントは、窒素又は酸素のうちの１又は複数から選択され得る。一実施形態では、ドーパントは酸素を含む。代替の実施形態では、ドーパントは窒素を含む。一実施形態では、ドーパントは、合金の重量を基準にして、約０．１重量％から約５重量％の範囲の量で合金中に存在する。他の実施形態では、ドーパントは、約０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．４重量％、０．５重量％、０．６重量％、０．７重量％、０．８重量％、０．９重量％、１．０重量％、１．１重量％、１．２重量％、１．３重量％、１．４重量％、１．５重量％、１．６重量％、１．７重量％、１．８重量％、１．９重量％、２．０重量％、２．１重量％、２．２重量％、２．３重量％、２．４重量％、２．５重量％、２．６重量％、２．７重量％、２．８重量％、２．９重量％、３．０重量％、３．１重量％、３．２重量％、３．３重量％、３．４重量％、３．５重量％、３．６重量％、３．７重量％、３．８重量％、３．９重量％、４．０重量％、４．１重量％、４．２重量％、４．３重量％、４．４重量％、４．５重量％、４．６重量％、４．７重量％、４．８重量％、４．９重量％、又は５．０重量％の量で合金中に存在する。

【0086】

［００９１］１又は複数の実施形態では、吸収体層の合金は、物理的堆積チャンバで形成された共スパッタ合金吸収体材料であり、２％未満の反射率と適切なエッチング特性を達成しながら、はるかに薄い吸収体層厚（３０ｎｍ未満）を得ることが可能である。１又は複数の実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ_２）、又は窒素（Ｎ_２）のうちの１又は複数から選択されるガスによって共スパッタリングされ得る。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンと酸素の混合ガス（Ａｒ＋Ｏ_２）によって共スパッタリングされ得る。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素の混合ガスによる共スパッタリングは、合金の各金属の酸化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素の混合ガスによる共スパッタリングは、合金の各金属の酸化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンと窒素の混合ガス（Ａｒ＋Ｎ_２）により共スパッタリングされ得る。幾つかの実施形態では、アルゴンと窒素の混合ガスによる共スパッタリングは、合金の各金属の窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと窒素の混合ガスによる共スパッタリングは、金属合金の窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層の合金は、アルゴンと酸素と窒素の混合ガス（Ａｒ＋Ｏ_２＋Ｎ_２）により共スパッタリングされ得る。幾つかの実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合ガスによる共スパッタリングは、各金属の酸化物及び／又は窒化物を形成する。他の実施形態では、アルゴンと酸素と窒素の混合物による共スパッタリングは、金属の酸化物又は窒化物を形成しない。一実施形態では、吸収体層のエッチング特性及び／又は他の特性は、上述したように、合金割合（複数可）を制御することによって、仕様に合わせて調整することができる。一実施形態では、合金割合（複数可）は、物理的気相堆積チャンバの電圧、圧力、流量等の動作パラメータによって正確に制御することができる。一実施形態では、材料特性を更に修正するためにプロセスガスが使用され、例えば、Ｎ_２ガスが、本明細書に記載の材料の窒化物を形成するために使用される。

【0087】

［００９２］１又は複数の実施形態では、本明細書で使用する「共スパッタリング」とは、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ_２）、又は窒素（Ｎ_２）から選択される１又は複数のガスを用いて、１つのターゲットが第１の金属を含み、第２のターゲットが第２の金属を含む２つのターゲットを同時にスパッタリングし、本明細書に記載の材料の合金を含む吸収体層を堆積させる／形成することを意味する。

【0088】

［００９３］マルチカソード源チャンバ５００は、図３に示すシステムの一部であってよい。一実施形態では、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク製造システムは、ＥＵＶマスクブランクを形成するための、真空を作り出すための基板ハンドリング真空チャンバと、真空中で基板ハンドリング真空チャンバにロードされた基板を輸送するための基板ハンドリングプラットフォームと、基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバとを備える。ＥＵＶマスクブランクは、基板上の反射層の多層スタックであって、多層スタックは複数の反射層対を含む、基板上の反射層の多層スタックと、反射層の多層スタック上のキャッピング層と、キャッピング層上の吸収体とを含み、吸収体層は本明細書に記載の材料でできている。本システムは、図４又は図５に関して示したＥＵＶマスクブランクを作るために使用され、上記の図４又は図５に関して説明したＥＵＶマスクブランクに関して記載された特性のうちのいずれかを有し得る。

【0089】

［００９４］プロセスは、一般に、プロセッサによって実行されると、プロセスチャンバに本開示のプロセスを実行させるソフトウェアルーチンとしてメモリに記憶され得る。ソフトウェアルーチンはまた、プロセッサによって制御されているハードウェアから遠隔に位置する第２のプロセッサ（図示せず）によっても記憶及び／又は実行され得る。本開示の方法の一部又は全部は、ハードウェアでも実行され得る。このように、プロセスは、ソフトウェアで実装され、コンピュータシステムを使用して実行され得る、又は例えば、特定用途向け集積回路又は他のタイプのハードウェア実装態様としてハードウェアで実装され得る、又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせとして実装され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、汎用コンピュータを、プロセスが実行されるようにチャンバ動作を制御する特定目的コンピュータ（コントローラ）に変換する。

【0090】

［００９５］本明細書全体における「一実施形態」、「特定の実施形態」、「１又は複数の実施形態」又は「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明した特定の特徴、構造、材料、又は特性が本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体の様々な場所での「１又は複数の実施形態では」、「特定の実施形態では」、「一実施形態では」又は「実施形態では」等の句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指すとは限らない。更に、１又は複数の実施形態において特定の特徴、構造、材料、又は特性を任意の適切な方法で組み合わせることができる。

【0091】

［００９６］本明細書の開示を、具体的な実施形態を参照しながら説明してきたが、これらの実施形態は、本開示の原理及び適用の単なる例示であることを理解されたい。本開示の主旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に様々な修正及び変更を加えることができることが、当業者には明らかであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びその等価物の範囲内にある修正及び変更を含むことが意図されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】