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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-28
(45)【発行日】2024-04-05
(54)【発明の名称】磁気記録媒体用スパッタリングターゲット
(51)【国際特許分類】
G11B 5/851 20060101AFI20240329BHJP
C23C 14/34 20060101ALI20240329BHJP
【ＦＩ】
G11B5/851
C23C14/34 A
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2021533123
(86)(22)【出願日】2020-07-16
(86)【国際出願番号】 JP2020028611
(87)【国際公開番号】W WO2021010490
(87)【国際公開日】2021-01-21
【審査請求日】2023-02-06
(31)【優先権主張番号】P 2019132859
(32)【優先日】2019-07-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】509352945
【氏名又は名称】田中貴金属工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100118902
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 修
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100196508
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 淳一
(74)【代理人】
【識別番号】100112634
【弁理士】
【氏名又は名称】松山 美奈子
(72)【発明者】
【氏名】鎌田 知成
(72)【発明者】
【氏名】櫛引 了輔
【審査官】中野 和彦
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－１６０５３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１７／１７０１３８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１６－１１５３７９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－１７５９４４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭５９－０８８８０７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ１１Ｂ ５／８５１
Ｃ２３Ｃ １４／３４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、少なくともＢとＯを含有し、Ｍｇ及びＡｌを含まない酸化物相と、からなる磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの金属相成分の合計に対して、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有し、
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して前記酸化物相を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有する
ことを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。
【請求項2】
Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、少なくともＢとＯを含有する酸化物相と、からなる磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの金属相成分の合計に対して、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下、ＣｒもしくはＲｕから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％超過３０ｍｏｌ％以下含有し、
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して前記酸化物相を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有する
ことを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。
【請求項3】
前記酸化物相は、Ｖ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびＺｒから選択される少なくとも１の元素の酸化物をさらに含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。
【請求項4】
Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、Ｍｇ及びＡｌを含まない酸化物相と、からなる磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの金属相成分の合計に対して、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有し、
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して前記酸化物相を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有する
ことを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。
【請求項5】
Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、酸化物相と、からなる磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの金属相成分の合計に対して、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下、ＣｒもしくはＲｕから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％超過３０ｍｏｌ％以下含有し、
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して前記酸化物相を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有する
ことを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。
【請求項6】
前記酸化物相は、Ｂ、Ｖ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびＺｒから選択される少なくとも１の元素の酸化物を含有することを特徴とする請求項４又は５に記載の磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。
【請求項7】
前記酸化物相は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＣｏＯ、Ｂ２Ｏ３及びこれらの任意の組み合わせから選択される１種以上の酸化物を含有することを特徴とする請求項４～６のいずれか1項に記載の磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体用スパッタリングターゲットに関し、詳しくは、Ｃｏ、Ｐｔ、および酸化物を含有してなるスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【0002】
ハードディスクドライブの磁気ディスクにおいては、情報信号が磁気記録媒体の微細なビットに記録されている。磁気記録媒体の記録密度をさらに向上させるためには、１つの記録情報を保持するビットの大きさを縮小しながら、情報品質の指標であるノイズに対する信号の比率も増大させる必要がある。ノイズに対する信号の比率を増大させるためには、信号の増大またはノイズの低減が必要不可欠である。
【0003】
現在、情報信号の記録を担う磁気記録媒体として、ＣｏＰｔ基合金－酸化物のグラニュラ構造からなる磁性薄膜が用いられている（例えば、非特許文献１参照）。このグラニュラ構造は、柱状のＣｏＰｔ基合金結晶粒とその周囲を取り囲む酸化物の結晶粒界とからなっている。
【0004】
このような磁気記録媒体を高記録密度化する際には、記録ビット間の遷移領域を平滑化してノイズを低減させることが必要である。記録ビット間の遷移領域を平滑化するためには、磁性薄膜に含まれるＣｏＰｔ基合金結晶粒の微細化が必須である。
【0005】
一方、磁性結晶粒が微細化すると、１つの磁性結晶粒が保持できる記録信号の強さは小さくなる。磁性結晶粒の微細化と記録信号の強さとを両立するためには、結晶粒の中心間距離を低減させることが必要である。
【0006】
他方、磁気記録媒体中のＣｏＰｔ基合金結晶粒の微細化が進むと、超常磁性現象により記録信号の熱安定性が損なわれて記録信号が消失してしまうという、いわゆる熱揺らぎ現象が発生することがある。この熱揺らぎ現象は、磁気ディスクの高記録密度化への大きな障害となっている。
【0007】
この障害を解決するためには、各ＣｏＰｔ基合金結晶粒において、磁気エネルギーが熱エネルギーに打ち勝つように磁気エネルギーを増大させることが必要である。各ＣｏＰｔ基合金結晶粒の磁気エネルギーはＣｏＰｔ基合金結晶粒の体積ｖと結晶磁気異方性定数Ｋｕとの積ｖ×Ｋｕで決定される。このため、ＣｏＰｔ基合金結晶粒の磁気エネルギーを増大させるためには、ＣｏＰｔ基合金結晶粒の結晶磁気異方性定数Ｋｕを増大させることが必要不可欠である（例えば、非特許文献２参照）。
【0008】
また、大きいＫｕを持つＣｏＰｔ基合金結晶粒を柱状に成長させるためには、ＣｏＰｔ基合金結晶粒と粒界材料との相分離を実現させることが必須である。ＣｏＰｔ基合金結晶粒と粒界材料との相分離が不十分で、ＣｏＰｔ基合金結晶粒間の粒間相互作用が大きくなってしまうと、ＣｏＰｔ基合金－酸化物のグラニュラ構造からなる磁性薄膜の保磁力Ｈｃが小さくなってしまい、熱安定性が損なわれて熱揺らぎ現象が発生しやすくなってしまう。したがって、ＣｏＰｔ基合金結晶粒間の粒間相互作用を小さくすることも重要である。
【0009】
磁性結晶粒の微細化および磁性結晶粒の中心間距離の低減は、Ｒｕ下地層（磁気記録媒体の配向制御のために設けられた下地層）の結晶粒を微細化させることにより達成できる可能性がある。
【0010】
しかしながら、結晶配向を維持しながらＲｕ下地層の結晶粒を微細化することは困難である（例えば、非特許文献３参照）。そのため、現行の磁気記録媒体のＲｕ下地層の結晶粒の大きさは、面内磁気記録媒体から垂直磁気記録媒体に切り替わったときの大きさとほとんど変わらず、約７ｎｍ～８ｎｍとなっている。
【0011】
一方、Ｒｕ下地層ではなく、磁気記録層に改良を加える観点から、磁性結晶粒の微細化を進める検討もなされており、具体的には、ＣｏＰｔ基合金－酸化物磁性薄膜の酸化物の添加量を増加させて磁性結晶粒体積比率を減少させて、磁性結晶粒を微細化させることが検討された（例えば、非特許文献４参照）。そして、この手法によって磁性結晶粒の微細化は達成された。しかしながら、この手法では、酸化物添加量の増加により結晶粒界の幅が増加するため、磁性結晶粒の中心間距離を低減させることはできない。
【0012】
また、従来のＣｏＰｔ基合金－酸化物磁性薄膜に用いられる単一の酸化物の他に第２酸化物を添加することが検討された（例えば、非特許文献５参照）。しかしながら、複数の酸化物材料を添加する場合、その材料の選定の指針が明確になっておらず、現在でも、ＣｏＰｔ基合金結晶粒に対する粒界材料として用いる酸化物について検討が続けられている。本発明者らは低融点と高融点の酸化物を含有させること（具体的には、融点が４５０℃と低いＢ２Ｏ３と、ＣｏＰｔ合金の融点（約１４５０℃）よりも融点の高い高融点酸化物とを含有させること）が効果的であることを見出し、Ｂ２Ｏ３と高融点酸化物とを含有するＣｏＰｔ基合金と酸化物を含む磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを提案した（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0013】
【文献】ＷＯ２０１８／０８３９５１号公報
【非特許文献】
【0014】
【文献】Ｔ．Ｏｉｋａｗａ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，２００２年９月，ＶＯＬ．３８，ＮＯ．５，ｐ．１９７６－１９７８
【文献】Ｓ．Ｎ．Ｐｉｒａｍａｎａｙａｇａｍ，ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ，２００７年，１０２，０１１３０１
【文献】Ｓ．Ｎ．Ｐｉｒａｍａｎａｙａｇａｍ ｅｔ ａｌ．，ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，２００６年，８９，１６２５０４
【文献】Ｙ．Ｉｎａｂａ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，２００４年７月，ＶＯＬ．４０，ＮＯ．４，ｐ．２４８６－２４８８
【文献】Ｉ．Ｔａｍａｉ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，２００８年１１月，ＶＯＬ．４４，ＮＯ．１１，ｐ．３４９２－３４９５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0015】
本発明は、さらなる高容量化のために、一軸磁気異方性を向上させ、粒間交換結合を低減させ、熱安定性及びＳＮＲ（信号ノイズ比）を向上させた磁性薄膜を作製可能な磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0016】
本発明者らは、特許文献１において採用した酸化物成分の制御とは異なり、金属成分に着目して、Ｖ又はＭｎを含む合金相を有するスパッタリングターゲットを用いることにより、スパッタリングによって得られる磁性薄膜の結晶性磁気異方性定数Ｋｕの低下を最小限に抑制し、αを低減させることができることを見出し、一軸磁気異方性の向上、及び粒間交換結合の低減が実現できることを知見し、本発明を完成するに至った。
【0017】
本発明によれば、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、少なくともＢとＯを含有する酸化物相と、からなる磁気記録媒体用スパッタリングターゲットが提供される。
【0018】
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの金属相成分の合計に対して、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有し、前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して前記酸化物相を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有することが好ましい。
【0019】
また、本発明によれば、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、少なくともＢとＯを含有する酸化物相と、からなる磁気記録媒体用スパッタリングターゲットが提供される。
【0020】
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの金属相成分の合計に対して、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％超過３０ｍｏｌ％以下含有し、前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して前記酸化物相を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有することが好ましい。
【0021】
前記少なくともＢとＯを含有する酸化物相は、Ｖ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびＺｒから選択される少なくとも１の元素の酸化物をさらに含有してもよい。
【0022】
さらに、本発明によれば、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、酸化物相と、からなる磁気記録媒体用スパッタリングターゲットが提供される。
【0023】
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの金属相成分の合計に対して、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有し、前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して前記酸化物相を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有することが好ましい。
【0024】
また、本発明によれば、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、酸化物相と、からなる磁気記録媒体用スパッタリングターゲットが提供される。
【0025】
前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの金属相成分の合計に対して、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％超過３０ｍｏｌ％以下含有し、前記磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して前記酸化物相を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有することが好ましい。
【0026】
前記酸化物相は、Ｂ、Ｖ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびＺｒから選択される少なくとも１の元素の酸化物をさらに含有してもよい。
【発明の効果】
【0027】
本発明の磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いることにより、一軸磁気異方性の向上、及び粒間交換結合の低減により、熱安定性及びＳＮＲが向上した高記録密度磁気記録媒体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】実施例１における焼結体テストピースの厚さ方向断面の走査型電子顕微鏡（加速電圧１５ｋｅＶ）の観察写真（上段：９００倍、下段：３０００倍）
【図3】実施例１のグラニュラ媒体磁化曲線
【図4】実施例２における焼結体テストピースの厚さ方向断面の走査型電子顕微鏡（加速電圧１５ｋｅＶ）の観察写真（上段：９００倍、下段：３０００倍）
【図6】実施例１，２及び比較例１の磁性膜の膜面垂直方向のＸＲＤプロファイル
【図7】実施例１，２及び比較例１の磁性膜（成膜１６ｎｍ）のＴＥＭ観察画像
【図8】実施例１，２及び比較例１の磁性膜のＭｓの測定結果を示すグラフ
【図9】実施例１，２及び比較例１の磁性膜のＨｃの測定結果を示すグラフ
【図10】実施例１，２及び比較例１の磁性膜のＨｎの測定結果を示すグラフ
【図11】実施例１，２及び比較例１の磁性膜のαを示すグラフ
【図12】実施例１，２及び比較例１の磁性膜のＫｕＧｒａｉｎの測定結果を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【0029】
以下、添付図面を参照しながら本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書では、磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを単にスパッタリングターゲットまたはターゲットと記載することがある。
【0030】
（１）第一実施形態
本発明の第一実施形態に係る磁気記録媒体用スパッタリングターゲットは、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、少なくともＢとＯを含有する酸化物相と、からなることを特徴とする。
本発明の第一実施形態に係る磁気記録媒体用スパッタリングターゲットは、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、少なくともＢとＯを含有する酸化物相と、からなることを特徴とする。
【0031】
第一実施形態のターゲットは、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有し、金属相の残部はＣｏ及び不可避不純物であり、磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して、少なくともＢとＯを含有する酸化物相を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有することが好ましい。
【0032】
ＢとＯを含有する酸化物相とは、ホウ素酸化物を含有する相であることを意味する。ホウ素酸化物としては、Ｂ２Ｏ３が一般的であるが、ＢとＯが非化学量論比で結合している酸化物も含まれる。しかし、非化学量論比のホウ素酸化物そのものを分析することは困難であるため、ホウ素酸化物のＩＣＰ分析では同定されたＢが全量Ｂ２Ｏ３であると仮定して計算している。本明細書においても、ホウ素酸化物をＢ２Ｏ３として説明する。
【0033】
Ｍｎ及びＶから選択される１種以上、Ｃｏ、及びＰｔは、スパッタリングによって形成される磁性薄膜のグラニュラ構造において、磁性結晶粒（微小な磁石）の構成成分となる。以下、本明細書において、Ｍｎ及びＶから選択される１種以上を「Ｘ」と略記し、第一実施形態のターゲットを用いて成膜する磁気記録媒体の磁性薄膜に含まれる磁性結晶粒を「ＣｏＰｔＸ合金結晶粒」ともいう。
【0034】
Ｃｏは強磁性金属元素であり、磁性薄膜のグラニュラ構造の磁性結晶粒（微小な磁石）の形成において中心的な役割を果たす。スパッタリングによって得られる磁性薄膜中のＣｏＰｔＸ合金結晶粒（磁性結晶粒）の結晶磁気異方性定数Ｋｕを大きくするという観点および得られる磁性薄膜中のＣｏＰｔＸ合金結晶粒（磁性結晶粒）の磁性を維持するという観点から、第一実施形態に係るスパッタリングターゲット中のＣｏの含有割合は、金属成分の全体に対して２５ｍｏｌ％以上９８．５ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
【0035】
Ｐｔは、所定の組成範囲でＣｏ及びＸと合金化することにより合金の磁気モーメントを低減させる機能を有し、磁性結晶粒の磁性の強さを調整する役割を有する。スパッタリングによって得られる磁性薄膜中のＣｏＰｔＸ合金結晶粒（磁性結晶粒）の結晶磁気異方性定数Ｋｕを大きくするという観点および得られる磁性薄膜中のＣｏＰｔＸ合金結晶粒（磁性結晶粒）の磁性を調整するという観点から、第一実施形態に係るスパッタリングターゲット中のＰｔの含有割合は、金属成分の全体に対して１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
【0036】
本発明者らは、Ｖ及びＭｎが、磁性薄膜中の酸化物相によるＣｏＰｔＸ合金結晶粒（磁性結晶粒）の分離性を向上させる機能を有し、粒間交換結合を低減させることができることを知見した。ＣｏＰｔＸ－Ｂ２Ｏ３ターゲット（Ｘ＝Ｖ又はＭｎ）を用いてスパッタリングにより成膜した磁性薄膜と、ＣｏＰｔ－Ｂ２Ｏ３ターゲットを用いてスパッタリングにより成膜した磁性薄膜とを比較すると、隣接するＣｏＰｔＸ合金結晶粒の隔壁としてＢ２Ｏ３酸化物相が深さ方向により深く存在しており（図７：ＴＥＭ観察画像）、磁化曲線における横軸（負荷磁場）と交わる地点の傾きαはより小さく（図１１）、磁性結晶粒の分離性が向上していることが確認できる。一方、単位粒子当たりの結晶磁気異方性定数Ｋｕｇｒａｉｎは同等であり（図１２）、磁性薄膜の一軸磁気異方性が良好であることが確認できる。後述する実施例から、ＭｎよりＶの方がαの低減幅が大きく、Ｋｕの低減幅が小さいことが判明しており、Ｖがより好ましいといえる。
【0037】
第一実施形態に係るスパッタリングターゲット中のＸの含有割合は、金属相成分の全体に対して０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下とすることが好ましく、１ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％未満がより好ましく、５ｍｏｌ％以下とすることが特に好ましい。Ｍｎ及びＶは、それぞれ単独あるいは組み合わせて、スパッタリングターゲットの金属相成分として含有させることができる。特にＭｎとＶとを組み合わせて用いることで、粒間交換結合をより低減させ、かつ、一軸磁気異方性を維持することができるため、好ましい。
【0038】
酸化物相は、磁性薄膜のグラニュラ構造において、磁性結晶粒（微小な磁石）同士の間を仕切る非磁性マトリックスとなる。第一実施形態に係るスパッタリングターゲットの酸化物相は、少なくともＢとＯを含む。他の酸化物として、Ｖ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびＺｒから選択される少なくとも１の元素の酸化物を含んでいてもよい。他の酸化物として具体的には、ＶＯ２、ＶＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＲｕＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＭｏＯ２、ＷＯ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３およびＺｒＯ２を挙げることができる。
【0039】
一般的なホウ素酸化物であるＢ２Ｏ３は融点が４５０℃と低いため、スパッタリングによる成膜過程において、析出する時期が遅く、ＣｏＰｔＸ合金結晶粒が柱状に結晶成長している間は、柱状のＣｏＰｔＸ合金結晶粒の間に液体の状態で存在する。このため、最終的には、Ｂ２Ｏ３は柱状に結晶成長したＣｏＰｔＸ合金結晶粒同士を仕切る結晶粒界となるように析出し、磁性薄膜のグラニュラ構造において、磁性結晶粒（微小な磁石）同士の間を仕切る非磁性マトリックスとなる。磁性薄膜中の酸化物の含有量を多くした方が磁性結晶粒同士の間を確実に仕切りやすくなり、磁性結晶粒同士を独立させやすくなるので好ましい。この点から、第一実施形態に係るスパッタリングターゲット中に含まれる酸化物の含有量は２５ｖｏｌ％以上であることが好ましく、２８ｖｏｌ％以上であることがより好ましく、２９ｖｏｌ％以上であることがさらに好ましい。ただし、磁性薄膜中の酸化物の含有量が多くなりすぎると、酸化物がＣｏＰｔＸ合金結晶粒（磁性結晶粒）中に混入して、ＣｏＰｔＸ合金結晶粒（磁性結晶粒）の結晶性に悪影響を与えて、ＣｏＰｔＸ合金結晶粒（磁性結晶粒）においてｈｃｐ以外の構造の割合が増えるおそれがある。また、磁性薄膜における単位面積あたりの磁性結晶粒の数が減るため、記録密度を高めにくくなる。これらの点から、第一実施形態に係るスパッタリングターゲット中に含まれる酸化物相の含有量は４０ｖｏｌ％以下であることが好ましく、３５ｖｏｌ％以下であることがより好ましく、３１ｖｏｌ％以下であることがさらに好ましい。
【0040】
第一実施形態に係るスパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングターゲット全体に対する金属相成分の合計の含有割合および酸化物相成分の合計の含有割合は、目的とする磁性薄膜の成分組成によって決まり、特に限定されているわけではないが、スパッタリングターゲット全体に対する金属相成分の合計の含有割合は例えば８９．４ｍｏｌ％以上９６．４ｍｏｌ％以下とすることができ、スパッタリングターゲット全体に対する酸化物相成分の合計の含有割合は例えば３．６ｍｏｌ％以上１１．６ｍｏｌ％以下とすることができる。
【0041】
第一実施形態に係るスパッタリングターゲットのミクロ構造は特に限定されるわけではないが、金属相と酸化物相とが微細に分散し合ったミクロ構造とすることが好ましい。このようなミクロ構造とすることにより、スパッタリングを実施している際に、ノジュールやパーティクル等の不具合が発生しにくくなる。
【0042】
第一実施形態に係るスパッタリングターゲットは、例えば、以下のようにして製造することができる。
【0043】
所定の組成となるように各金属成分を秤量してＣｏＰｔ合金溶湯を作製する。そして、ガスアトマイズを行い、ＣｏＰｔ合金アトマイズ粉末を作製する。作製したＣｏＰｔ合金アトマイズ粉末を分級して、所定の粒径以下（例えば１０６μｍ以下）とする。
【0044】
作製したＣｏＰｔ合金アトマイズ粉末に、Ｖ及びＭｎから選択される１種以上のＸ金属粉末、Ｂ２Ｏ３粉末、及び必要に応じて他の酸化物粉末（例えばＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末、ＺｒＯ２粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、ＭｎＯ粉末、Ｍｎ３Ｏ４粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏ３Ｏ４粉末、ＮｉＯ粉末、ＺｎＯ粉末、Ｙ２Ｏ３粉末、ＭｏＯ２粉末、ＷＯ３粉末、Ｌａ２Ｏ３粉末、ＣｅＯ２粉末、Ｎｄ２Ｏ３粉末、Ｓｍ２Ｏ３粉末、Ｅｕ２Ｏ３粉末、Ｇｄ２Ｏ３粉末、Ｙｂ２Ｏ３粉末、およびＬｕ２Ｏ３粉末）を加えてボールミルで混合分散して、加圧焼結用混合粉末を作製する。ＣｏＰｔ合金アトマイズ粉末、Ｘ金属粉末ならびにＢ２Ｏ３粉末、及び必要に応じて他の酸化物粉末をボールミルで混合分散することにより、ＣｏＰｔ合金アトマイズ粉末、Ｘ金属粉末ならびにＢ２Ｏ３粉末、及び必要に応じて他の酸化物粉末が微細に分散し合った加圧焼結用混合粉末を作製することができる。
【0045】
得られるスパッタリングターゲットを用いて作製される磁性薄膜において、Ｂ２Ｏ３及び必要に応じて他の酸化物によって磁性結晶粒同士の間を確実に仕切って磁性結晶粒同士を独立させやすい点、ＣｏＰｔＸ合金結晶粒（磁性結晶粒）がｈｃｐ構造となりやすい点、および記録密度を高める点から、Ｂ２Ｏ３粉末及び必要に応じて他の酸化物粉末の合計の加圧焼結用混合粉末の全体に対する体積分率は、２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下であることが好ましく、２８ｖｏｌ％以上３５ｖｏｌ％以下であることがより好ましく、２９ｖｏｌ％以上３１ｖｏｌ％以下であることがさらに好ましい。
【0046】
作製した加圧焼結用混合粉末を、例えば真空ホットプレス法により加圧焼結して成形し、スパッタリングターゲットを作製する。加圧焼結用混合粉末はボールミルで混合分散されており、ＣｏＰｔ合金アトマイズ粉末と、Ｘ金属粉末と、Ｂ２Ｏ３粉末と必要に応じて他の酸化物粉末とが微細に分散し合っているので、本製造方法により得られたスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行っているとき、ノジュールやパーティクルの発生等の不具合は発生しにくい。なお、加圧焼結用混合粉末を加圧焼結する方法は特に限定されず、真空ホットプレス法以外の方法でもよく、例えばＨＩＰ法等を用いてもよい。
【0047】
加圧焼結用混合粉末を作製する際に、アトマイズ粉末に限定されず、各金属単体の粉末を用いてもよい。この場合には、各金属単体粉末と、Ｂ２Ｏ３粉末と、必要に応じて他の酸化物粉末と、をボールミルで混合分散して加圧焼結用混合粉末を作製することができる。
【0048】
また、他の酸化物は、加圧焼結用混合粉末作製時又は焼結時に金属相の原料であるＣｏ、Ｖ及びＭｎの少なくとも一部が酸化して形成されたものでもよい。
【0049】
（２）第二実施形態
本発明の第二実施形態に係る磁気記録媒体用スパッタリングターゲットは、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、少なくともＢとＯを含有する酸化物相と、からなることを特徴とする。
本発明の第二実施形態に係る磁気記録媒体用スパッタリングターゲットは、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、少なくともＢとＯを含有する酸化物相と、からなることを特徴とする。
【0050】
第二実施形態のターゲットは、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％超過３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下、残余はＣｏ及び不可避不純物からなる金属相を含有し、磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して、少なくともＢとＯを含有する酸化物を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有することが好ましい。
【0051】
ＢとＯを含有する酸化物相とは、ホウ素酸化物を含有する相であることを意味する。ホウ素酸化物としては、Ｂ２Ｏ３が一般的であるが、ＢとＯが非化学量論比で結合している酸化物も含まれる。しかし、非化学量論比のホウ素酸化物そのものを分析することは困難であるため、ホウ素酸化物のＩＣＰ分析では同定されたＢが全量Ｂ２Ｏ３であると仮定して計算している。本明細書においても、ホウ素酸化物をＢ２Ｏ３として説明する。
【0052】
Ｍｎ及びＶから選択される１種以上（以下「Ｘ」ともいう。）、Ｃｒ及びＲｕから選択される１種以上（以下「Ｍ」ともいう。）、Ｃｏ、及びＰｔは、スパッタリングによって形成される磁性薄膜のグラニュラ構造において、磁性結晶粒（微小な磁石）の構成成分となる。以下、本明細書において、第二実施形態の磁性結晶粒を「ＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒」ともいう。
【0053】
Ｃｏは強磁性金属元素であり、磁性薄膜のグラニュラ構造の磁性結晶粒（微小な磁石）の形成において中心的な役割を果たす。スパッタリングによって得られる磁性薄膜中のＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒（磁性結晶粒）の結晶磁気異方性定数Ｋｕを大きくするという観点および得られる磁性薄膜中のＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒（磁性結晶粒）の磁性を維持するという観点から、第二実施形態に係るスパッタリングターゲット中のＣｏの含有割合は、金属成分の全体に対して２５ｍｏｌ％以上９８ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
【0054】
Ｐｔは、所定の組成範囲でＣｏ、Ｘ及びＭと合金化することにより合金の磁気モーメントを低減させる機能を有し、磁性結晶粒の磁性の強さを調整する役割を有する。スパッタリングによって得られる磁性薄膜中のＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒（磁性結晶粒）の結晶磁気異方性定数Ｋｕを大きくするという観点および得られる磁性薄膜中のＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒（磁性結晶粒）の磁性を調整するという観点から、第二実施形態に係るスパッタリングターゲット中のＰｔの含有割合は、金属相成分の全体に対して１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
【0055】
Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上は、所定の組成範囲でＣｏと合金化することによりＣｏの磁気モーメントを低下させる機能を有し、磁性結晶粒の磁性の強さを調整する役割を有する。スパッタリングによって得られる磁性薄膜中のＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒（磁性結晶粒）の結晶磁気異方性定数Ｋｕを大きくするという観点および得られる磁性薄膜中のＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒の磁性を維持するという観点から、第二実施形態に係るスパッタリングターゲット中のＣｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上の含有割合は、金属相成分の全体に対して０．５ｍｏｌ％超過３０ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。Ｃｒ及びＲｕは、それぞれ単独あるいは組み合わせて用いることができ、Ｃｏ及びＰｔと共にスパッタリングターゲットの金属相を形成する。後述する実施例から、ＣｒよりＲｕの方がＫｕの低下幅を小さくできることが判明したことから、Ｒｕがより好ましいといえる。
【0056】
本発明者らは、Ｖ及びＭｎが磁性薄膜中の酸化物相によるＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒（磁性結晶粒）の分離性を向上させる機能を有し、粒間交換結合を低減させることができることを知見した。一方で、結晶磁気異方性定数Ｋｕを大きく低減させることはない。後述する実施例から、ＭｎよりＶの方がαの低減幅が大きく、Ｋｕの低減幅が小さいことが判明しており、Ｖがより好ましいといえる。
【0057】
第二実施形態に係るスパッタリングターゲット中のＸの含有割合は、金属相成分の全体に対して０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下とすることが好ましく、１ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％未満がより好ましく、５ｍｏｌ％以下とすることが特に好ましい。Ｍｎ及びＶは、それぞれ単独あるいは組み合わせて、スパッタリングターゲットの金属相成分として含有させることができる。特にＶとＭｎとを組み合わせて用いることで、粒間交換結合を低減させ、かつ、一軸磁気異方性を向上させることができるため、好ましい。
【0058】
酸化物相は、磁性薄膜のグラニュラ構造において、磁性結晶粒（微小な磁石）同士の間を仕切る非磁性マトリックスとなる。第二実施形態に係るスパッタリングターゲットの酸化物相は、少なくともＢとＯを含む。他の酸化物成分として、Ｖ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびＺｒから選択される少なくとも１の元素の酸化物を含んでいてもよい。他の酸化物として具体的には、ＶＯ２、ＶＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＲｕＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＭｏＯ２、ＷＯ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３およびＺｒＯ２を挙げることができる。
【0059】
一般的なホウ素酸化物であるＢ２Ｏ３は融点が４５０℃と低いため、スパッタリングによる成膜過程において、析出する時期が遅く、ＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒が柱状に結晶成長している間は、柱状のＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒の間に液体の状態で存在する。このため、最終的には、Ｂ２Ｏ３は柱状に結晶成長したＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒同士を仕切る結晶粒界となるように析出し、磁性薄膜のグラニュラ構造において、磁性結晶粒（微小な磁石）同士の間を仕切る非磁性マトリックスとなる。磁性薄膜中の酸化物の含有量を多くした方が磁性結晶粒同士の間を確実に仕切りやすくなり、磁性結晶粒同士を独立させやすくなるので好ましい。この点から、第二実施形態に係るスパッタリングターゲット中に含まれる酸化物の含有量は２５ｖｏｌ％以上であることが好ましく、２８ｖｏｌ％以上であることがより好ましく、２９ｖｏｌ％以上であることがさらに好ましい。ただし、磁性薄膜中の酸化物の含有量が多くなりすぎると、酸化物がＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒（磁性結晶粒）中に混入して、ＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒（磁性結晶粒）の結晶性に悪影響を与えて、ＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒（磁性結晶粒）においてｈｃｐ以外の構造の割合が増えるおそれがある。また、磁性薄膜における単位面積あたりの磁性結晶粒の数が減るため、記録密度を高めにくくなる。これらの点から、第二実施形態に係るスパッタリングターゲット中に含まれる酸化物相の含有量は４０ｖｏｌ％以下であることが好ましく、３５ｖｏｌ％以下であることがより好ましく、３１ｖｏｌ％以下であることがさらに好ましい。
【0060】
第二実施形態に係るスパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングターゲット全体に対する金属相成分の合計の含有割合および酸化物相成分の合計の含有割合は、目的とする磁性薄膜の成分組成によって決まり、特に限定されているわけではないが、スパッタリングターゲット全体に対する金属相成分の合計の含有割合は例えば８８．２ｍｏｌ％以上９６．４ｍｏｌ％以下とすることができ、スパッタリングターゲット全体に対する酸化物相成分の合計の含有割合は例えば３．６ｍｏｌ％以上１１．８ｍｏｌ％以下とすることができる。
【0061】
第二実施形態に係るスパッタリングターゲットのミクロ構造は特に限定されるわけではないが、金属相と酸化物相とが微細に分散し合ったミクロ構造とすることが好ましい。このようなミクロ構造とすることにより、スパッタリングを実施している際に、ノジュールやパーティクル等の不具合が発生しにくくなる。
【0062】
第二実施形態に係るスパッタリングターゲットは、例えば、以下のようにして製造することができる。
【0063】
所定の組成となるように、Ｃｒ及びＲｕから選択される１種以上のＭ金属粉末、Ｃｏ及びＰｔを秤量してＣｏＰｔＭ合金溶湯を作製する。そして、ガスアトマイズを行い、ＣｏＰｔＭ合金アトマイズ粉末を作製する。作製したＣｏＰｔＭ合金アトマイズ粉末を分級して、所定の粒径以下（例えば１０６μｍ以下）とする。
【0064】
作製したＣｏＰｔＭ合金アトマイズ粉末に、Ｖ及びＭｎから選択される１種以上のＸ金属粉末、Ｂ２Ｏ３粉末、及び必要に応じて他の酸化物粉末（例えばＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末、ＺｒＯ２粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末、ＭｎＯ粉末、Ｍｎ３Ｏ４粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏ３Ｏ４粉末、ＮｉＯ粉末、ＺｎＯ粉末、Ｙ２Ｏ３粉末、ＭｏＯ２粉末、ＷＯ３粉末、Ｌａ２Ｏ３粉末、ＣｅＯ２粉末、Ｎｄ２Ｏ３粉末、Ｓｍ２Ｏ３粉末、Ｅｕ２Ｏ３粉末、Ｇｄ２Ｏ３粉末、Ｙｂ２Ｏ３粉末、およびＬｕ２Ｏ３粉末）を加えてボールミルで混合分散して、加圧焼結用混合粉末を作製する。ＣｏＰｔＭ合金アトマイズ粉末、Ｘ金属粉末及びＢ２Ｏ３粉末並びに必要に応じて他の酸化物粉末をボールミルで混合分散することにより、ＣｏＰｔＭ合金アトマイズ粉末、Ｘ金属粉末及びＢ２Ｏ３粉末、並びに必要に応じて他の酸化物粉末が微細に分散し合った加圧焼結用混合粉末を作製することができる。
【0065】
得られるスパッタリングターゲットを用いて作製される磁性薄膜において、Ｂ２Ｏ３及び必要に応じて他の酸化物によって磁性結晶粒同士の間を確実に仕切って磁性結晶粒同士を独立させやすい点、ＣｏＰｔＸＭ合金結晶粒（磁性結晶粒）がｈｃｐ構造となりやすい点、および記録密度を高める点から、Ｂ２Ｏ３粉末及び必要に応じて他の酸化物粉末の合計の加圧焼結用混合粉末の全体に対する体積分率は、２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下であることが好ましく、２８ｖｏｌ％以上３５ｖｏｌ％以下であることがより好ましく、２９ｖｏｌ％以上３１ｖｏｌ％以下であることがさらに好ましい。
【0066】
作製した加圧焼結用混合粉末を、例えば真空ホットプレス法により加圧焼結して成形し、スパッタリングターゲットを作製する。加圧焼結用混合粉末はボールミルで混合分散されており、ＣｏＰｔＭ合金アトマイズ粉末とＸ金属粉末とＢ２Ｏ３粉末と必要に応じて他の酸化物粉末とが微細に分散し合っているので、本製造方法により得られたスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行っているとき、ノジュールやパーティクルの発生等の不具合は発生しにくい。なお、加圧焼結用混合粉末を加圧焼結する方法は特に限定されず、真空ホットプレス法以外の方法でもよく、例えばＨＩＰ法等を用いてもよい。
【0067】
加圧焼結用混合粉末を作製する際に、アトマイズ粉末に限定されず、各金属単体の粉末を用いてもよい。この場合には、各金属単体粉末と、必要に応じてＢ粉末と、Ｂ２Ｏ３粉末と、必要に応じて他の酸化物粉末と、をボールミルで混合分散して加圧焼結用混合粉末を作製することができる。
【0068】
また、他の酸化物は、加圧焼結用混合粉末作製時又は焼結時に金属相の原料であるＣｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｖ及びＭｎの少なくとも一部が酸化して形成されたものでもよい。
【0069】
（３）第三実施形態
本発明の第三実施形態に係る磁気記録媒体用スパッタリングターゲットは、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、酸化物相と、からなることを特徴とする。
本発明の第三実施形態に係る磁気記録媒体用スパッタリングターゲットは、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、酸化物相と、からなることを特徴とする。
【0070】
第三実施形態のターゲットは、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下、残余はＣｏ及び不可避不純物からなる金属相を含有し、磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して、酸化物を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有することが好ましい。
【0071】
第三実施形態は、酸化物相がホウ素酸化物を含むものに限定されない点を除いて第一実施形態と同様であるため、説明は割愛し、ホウ素酸化物を含む酸化物相に限定されない理由を説明する。
【0072】
後述する実施例により明かなように、金属相がＶ又はＭｎを含むものであれば、酸化物としてホウ素酸化物を含まないものでも、Ｋｕの低減が少なく、αが低下することが判明している。酸化物としてＳｉＯ２及びＴｉＯ２を含む場合には、αが低下するのみではなくＫｕも増加するので特に好ましい。酸化物として、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＣｏＯ、Ｂ２Ｏ３及びこれらの任意の組み合わせを用いる場合に、αが低下し、Ｋｕの低下は小さいことが確認できている。酸化物は、柱状に結晶成長したＣｏＰｔＸ合金結晶粒同士を仕切る結晶粒界となるように析出し、磁性薄膜のグラニュラ構造において、磁性結晶粒（微小な磁石）同士の間を仕切る非磁性マトリックスとなる。
【0073】
第三実施形態に係る磁気記録媒体用スパッタリングターゲットは、上述した酸化物に加えて、Ｖ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびＺｒから選択される少なくとも１の元素の酸化物をさらに含んでいてもよい。他の酸化物として具体的には、ＶＯ２、ＶＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＲｕＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、ＭｏＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３およびＺｒＯ２を挙げることができる。
【0074】
（４）第四実施形態
本発明の第四実施形態に係る磁気記録媒体用スパッタリングターゲットは、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、酸化物相と、からなることを特徴とする。
本発明の第四実施形態に係る磁気記録媒体用スパッタリングターゲットは、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上、Ｐｔ、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる金属相と、酸化物相と、からなることを特徴とする。
【0075】
第四実施形態のターゲットは、Ｐｔを１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％超過３０ｍｏｌ％以下、Ｍｎ及びＶから選択される少なくとも１種以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下、残余はＣｏ及び不可避不純物からなる金属相を含有し、磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの全体に対して、酸化物を２５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下含有することが好ましい。
【0076】
第四実施形態は、ホウ素酸化物を含む酸化物相に限定されない点を除いて第二実施形態と同様であり、また、任意の酸化物を含み得る点については第三実施形態と同様であるため、説明は割愛する。
【実施例】
【0077】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をさらに説明する。
【0078】
（実施例１）
実施例１として作製したターゲット全体の組成は、（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｖ）－３０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３（金属成分については原子比で示す）であり、モル比で表すと、９２．４７（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｖ）－７．５３Ｂ２Ｏ３である。
実施例１として作製したターゲット全体の組成は、（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｖ）－３０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３（金属成分については原子比で示す）であり、モル比で表すと、９２．４７（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｖ）－７．５３Ｂ２Ｏ３である。
【0079】
実施例１に係るターゲットの作製に際しては、まず、５０Ｃｏ－５０Ｐｔ合金および１００Ｃｏアトマイズ粉を作製した。具体的には、合金アトマイズ粉は組成がＣｏ：５０ａｔ％、Ｐｔ：５０ａｔ％となるように各金属を秤量し、両組成とも１５００℃以上に加熱して合金溶湯とし、ガスアトマイズを行ってそれぞれ５０Ｃｏ－５０Ｐｔ合金、１００Ｃｏアトマイズ粉末を作製した。
【0080】
作製した５０Ｃｏ－５０Ｐｔ合金および１００Ｃｏアトマイズ粉末を１５０メッシュのふるいで分級して、それぞれ粒径が１０６μｍ以下の５０Ｃｏ－５０Ｐｔ合金および１００Ｃｏアトマイズ粉末を得た。
【0081】
（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｖ）－３０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３の組成となるように、分級後の５０Ｃｏ－５０Ｐｔ合金と１００Ｃｏアトマイズ粉末に、Ｖ粉末、およびＢ２Ｏ３粉末を添加してボールミルで混合分散を行い、加圧焼結用混合粉末を得た。
【0082】
得られた加圧焼結用混合粉末を用いて、焼結温度：８１０℃、焼結圧力：２４．５ＭＰａ、焼結時間：３０分、雰囲気：５×１０－２Ｐａ以下の真空条件でホットプレスを行い、焼結体テストピース（φ３０ｍｍ）を作製した。作製した焼結体テストピースの相対密度は９８．８％であった。なお、計算密度は８．９０ｇ／ｃｍ３である。得られた焼結体テストピースの厚さ方向断面を鏡面研磨し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：ＪＥＯＬ製ＪＣＭ－６０００Ｐｌｕｓ）を用い加速電圧１５ｋｅＶにて観察した結果を図１に示す。また同装置に設置されたエネルギー分散型Ｘ線分光器（ＥＤＳ）を用いて断面組織の組成分析を行った結果を図２に示す。これらの結果により金属相（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｖ合金相）と酸化物相（Ｂ２Ｏ３）とは微細に分散されていることが確認できた。得られた焼結体テストピースをＩＣＰ分析した結果を表３に示す。
【0083】
次に、作製した加圧焼結用混合粉末を用いて、焼結温度：８１０℃、焼結圧力：２４．５ＭＰａ、焼結時間：６０分、雰囲気：５×１０－２Ｐａ以下の真空条件でホットプレスを行い、φ１５３．０×１．０ｍｍ＋φ１６１．０×４．０ｍｍのターゲットを１つ作製した。作製したターゲットの相対密度は９８．３％であった。
【0084】
作製したターゲットを用いてＤＣスパッタ装置（エイコーエンジニアリング製ＥＳ－３１００Ｗ）でスパッタリングを行い、（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｖ）－３０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３からなる磁性薄膜をガラス基板上に成膜させ、磁気特性測定用サンプルおよび組織観察用サンプルを作製した。具体的には、ガラス基板と金属膜との密着性を確保するための層としてＴａをＡｒガス圧０．６Ｐａ、投入電力５００Ｗの条件で５ｎｍ成膜した。次に、配向膜を形成するためのシード層としてＮｉ９０Ｗ１０を０．６Ｐａ、５００Ｗで６ｎｍ成膜した。続いて、ｈｃｐ構造下地としてＲｕを０．６Ｐａ、５００Ｗで１０ｎｍ成膜した後、表面凹凸形状を形成する為にＲｕを８．０Ｐａ、５００Ｗで１０ｎｍ成膜した。さらに、磁性コラムの分離性をよくする目的でＣｏ－２５Ｃｒ－５０Ｒｕ－３０ｖｏｌ％ＴｉＯ２を０．６Ｐａ、３００Ｗで１ｎｍ成膜した。その上に、磁性層として（Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｖ）－３０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３を４．０Ｐａ、５００Ｗでそれぞれ４ｎｍ、８ｎｍ、１２ｎｍ、１６ｎｍ成膜した。最後に、表面保護層としてＣを０．６Ｐａ、３００Ｗで７ｎｍ成膜した。これらのサンプルの層構成は、ガラス基板に近い方から順に表示して、Ｔａ（５ｎｍ，０．６Ｐａ）／Ｎｉ９０Ｗ１０（６ｎｍ，０．６Ｐａ）／Ｒｕ（１０ｎｍ，０．６Ｐａ）／Ｒｕ（１０ｎｍ，８．０Ｐａ）／Ｃｏ－２５Ｃｒ－５０Ｒｕ－３０ｖｏｌ％ＴｉＯ２（１ｎｍ、４．０Ｐａ）／（Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｖ）－３０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３（Ｙｎｍ（Ｙ＝４、８、１２又は１６），４Ｐａ）／Ｃ（７ｎｍ，０．６Ｐａ）である。括弧内の左側の数字は膜厚を示し、右側の数字はスパッタリングを行ったときのＡｒ雰囲気の圧力を示す。実施例１で作製したターゲットを用いて成膜した磁性薄膜はＣｏＰｔＶ合金－酸化物（Ｂ２Ｏ３）であり、垂直磁気記録媒体の記録層となる磁性薄膜である。なお、この磁性薄膜を成膜する際には基板は昇温させておらず、室温で成膜した。
【0085】
得られた磁気特性測定用サンプルの磁気特性の測定には、振動試料型磁力計（ＶＳＭ：（株）玉川製作所製 ＴＭ－ＶＳＭ２１１４８３－ＨＧＣ型）、トルク磁力計（（株）玉川製作所製 ＴＭ－ＴＲ２０５０－ＨＧＣ型）及び極カー効果測定装置（ＭＯＫＥ：ネオアーク（株）製 ＢＨ－８１０ＣＰＭ－ＣＰＣ）を用いた。
【0086】
【0087】
磁気特性測定用サンプルのグラニュラ媒体磁化曲線の測定結果から、飽和磁化（Ｍｓ）、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）を求めた。また、磁気異方性定数（Ｋｕ）はトルク磁力計を用いて測定した。それらの値を、他の実施例および比較例の結果と合わせて表１、図８～１２に示す。
【0088】
また、得られた組織観察用サンプルの構造の評価（磁性結晶粒の粒径等の評価）には、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ：（（株）リガク製 ＳｍａｒｔＬａｂ）および透過電子顕微鏡（ＴＥＭ：（株）日立ハイテクノロジーズ製 Ｈ－９５００）を用いた。膜面垂直方向のＸＲＤプロファイルを図６及び表２、ＴＥＭ画像を図７に示す。
【0089】
（実施例２）
実施例２として作製したターゲット全体の組成は、（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｍｎ）－３０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３（金属成分については原子比で示す）であり、モル比で表すと、９２．５１（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｍｎ）－７．４９Ｂ２Ｏ３である。ターゲットの組成を実施例１から変更した以外は、実施例１と同様にして磁気特性測定用サンプルおよび組織観察用サンプルを作製して観察を行った。結果を図４及び図５に示す。用いたＭｎ粉末は平均粒径３μｍ以下であり、焼結温度：８４０℃、焼結圧力：２４．５ＭＰａ、焼結時間：３０分、雰囲気：５×１０－２Ｐａ以下の真空条件でホットプレスを行い、焼結体テストピース（φ３０ｍｍ）を作製した。作製した焼結体テストピースの相対密度は１０２．６％であった。なお、計算密度は８．９７ｇ／ｃｍ３である。得られた焼結体テストピースの厚さ方向断面を金属顕微鏡で観察したところ、金属相（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｍｎ合金相）と酸化物相（Ｂ２Ｏ３）とは微細に分散されていることが確認できた。得られた焼結体テストピースをＩＣＰ分析した結果を表３に示す。
実施例２として作製したターゲット全体の組成は、（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｍｎ）－３０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３（金属成分については原子比で示す）であり、モル比で表すと、９２．５１（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｍｎ）－７．４９Ｂ２Ｏ３である。ターゲットの組成を実施例１から変更した以外は、実施例１と同様にして磁気特性測定用サンプルおよび組織観察用サンプルを作製して観察を行った。結果を図４及び図５に示す。用いたＭｎ粉末は平均粒径３μｍ以下であり、焼結温度：８４０℃、焼結圧力：２４．５ＭＰａ、焼結時間：３０分、雰囲気：５×１０－２Ｐａ以下の真空条件でホットプレスを行い、焼結体テストピース（φ３０ｍｍ）を作製した。作製した焼結体テストピースの相対密度は１０２．６％であった。なお、計算密度は８．９７ｇ／ｃｍ３である。得られた焼結体テストピースの厚さ方向断面を金属顕微鏡で観察したところ、金属相（７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｍｎ合金相）と酸化物相（Ｂ２Ｏ３）とは微細に分散されていることが確認できた。得られた焼結体テストピースをＩＣＰ分析した結果を表３に示す。
【0090】
次に、作製した加圧焼結用混合粉末を用いて、焼結温度：８４０℃、焼結圧力：２４．５ＭＰａ、焼結時間：６０ｍｉｎ、雰囲気：５×１０－２Ｐａ以下の真空条件でホットプレスを行い、φ１５３．０×１．０ｍｍ＋φ１６１．０×４．０ｍｍのターゲットを１つ作製した。作製したターゲットの相対密度は１０４．８％であった。
【0091】
次に実施例１と同様に膜に関する磁気特性の評価及び組織観察を行った。磁気特性の測定結果をターゲットの組成とともに表１、図８～１２に示す。また、組織観察の膜面垂直方向のＸＲＤプロファイルを図６及び表２、ＴＥＭ画像を図７に示す。
【0092】
（比較例１）
ターゲット全体の組成を（８０Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３（金属成分については原子比で示す）として、実施例１及び２と同様に焼結体テストピース及びターゲットを作製し、磁性薄膜を成膜し、評価した。磁気特性の測定結果をターゲットの組成とともに表１、図８～１２に示し、組織観察の膜面垂直方向のＸＲＤプロファイルを図６に示し、ＸＲＤプロファイルから読み取れるＣｏＰｔ（００２）のピーク位置（２θ）及びＣ軸の格子定数を表２に示し、ＴＥＭ画像を図７に示す。得られた焼結体テストピースをＩＣＰ分析した結果を表３に示す。
ターゲット全体の組成を（８０Ｃｏ－２０Ｐｔ）－３０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３（金属成分については原子比で示す）として、実施例１及び２と同様に焼結体テストピース及びターゲットを作製し、磁性薄膜を成膜し、評価した。磁気特性の測定結果をターゲットの組成とともに表１、図８～１２に示し、組織観察の膜面垂直方向のＸＲＤプロファイルを図６に示し、ＸＲＤプロファイルから読み取れるＣｏＰｔ（００２）のピーク位置（２θ）及びＣ軸の格子定数を表２に示し、ＴＥＭ画像を図７に示す。得られた焼結体テストピースをＩＣＰ分析した結果を表３に示す。
【0093】
表１の略記号の意味は以下のとおりである。
ｔＭａｇ１：積層膜のうち磁性層の膜厚
Ｍｓ Ｇｒａｉｎ：積層膜の磁性層のうち磁性粒子のみの飽和磁化
Ｈｃ：Ｋｅｒｒで測定した保磁力
Ｈｎ：Ｋｅｒｒで測定した核形成磁場
α：Ｋｅｒｒで測定した磁化曲線における横軸（負荷磁場）と交わる地点の傾き
Ｈｃ－Ｈｎ：Ｋｅｒｒで測定した保磁力と核形成磁場の差
Ｋｕ Ｇｒａｉｎ：積層膜の磁性層のうち磁性粒子のみの結晶磁気異方性定数
ｔＭａｇ１：積層膜のうち磁性層の膜厚
Ｍｓ Ｇｒａｉｎ：積層膜の磁性層のうち磁性粒子のみの飽和磁化
Ｈｃ：Ｋｅｒｒで測定した保磁力
Ｈｎ：Ｋｅｒｒで測定した核形成磁場
α：Ｋｅｒｒで測定した磁化曲線における横軸（負荷磁場）と交わる地点の傾き
Ｈｃ－Ｈｎ：Ｋｅｒｒで測定した保磁力と核形成磁場の差
Ｋｕ Ｇｒａｉｎ：積層膜の磁性層のうち磁性粒子のみの結晶磁気異方性定数
【0094】
【表1】
【0095】
【表2】
【0096】
【表3】
【0097】
図６及び表２より、実施例１（Ｖ）及び実施例２（Ｍｎ）は、比較例１（Ｃｏ）よりもＣｏＰｔ（００２）ピークが低角へシフトしていることが確認できる。このことから、Ｖ又はＭｎの少なくとも一部はＣｏと置換しているといえる。しかしながら、ピーク位置から計算されるＣｏＰｔ相のＣ軸の格子定数の変化は０．１Å以下である。また、ＣｏＰｔ相の構造変化は確認されない。一方、Ｒｕ及びＮｉＷについてはピークのシフトは確認されない。
【0098】
図７より、Ｖ又はＭｎを含む磁性薄膜は、Ｖ又はＭｎを含まない磁性薄膜（Ｘ＝Ｃｏ）と比較すると、隣接する磁性カラムの間の隙間が深さ方向により深く延在している様子が確認できる。このことから、Ｖ又はＭｎを含むターゲットを用いることで、磁性結晶粒の分離性が向上していることが確認できる。
【0099】
図８より、比較例１（Ｃｏ）に対して、成膜４ｎｍの場合に実施例１（Ｖ）及び実施例２（Ｍｎ）では若干のＭｓの増大が確認されるが、成膜８ｎｍ以上ではほぼ同等であり、ＣｏＰｔＸ合金結晶粒（磁性結晶粒）の磁性を維持できることがわかる。
【0100】
図９より、Ｖ又はＭｎを含む磁性薄膜は、Ｖ又はＭｎを含まない磁性薄膜（Ｘ＝Ｃｏ）と比較すると、同等程度または僅かに低いＨｃを示している。しかし、組成の最適化やＶとＭｎを組み合わせて投入することなどにより更なる向上が見込める。
【0101】
図１０より、比較例１（Ｃｏ）に対して、実施例１（Ｖ）ではＨｎの低下が確認される。実施例２（Ｍｎ）では実施例１（Ｖ）よりも更なるＨｎの低下が確認される。このことは磁性結晶粒の分離性が向上していることを示唆している。
【0102】
図１１より、Ｖ又はＭｎを含む磁性薄膜は、Ｖ又はＭｎを含まない磁性薄膜（Ｘ＝Ｃｏ）と比較して低いαを示しており、磁性結晶粒の分離性が向上していることが確認できる。
【0103】
図１２より、Ｖ又はＭｎを含む磁性薄膜は、Ｖ又はＭｎを含まない磁性薄膜（Ｘ＝Ｃｏ）と比較して同等のＫｕを示しており、高い一軸磁気異方性を維持していることが確認できる。
【0104】
（実施例３～４、比較例２）
酸化物相を３０ｖｏｌ％ＳｉＯ２に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表４に示す。
酸化物相を３０ｖｏｌ％ＳｉＯ２に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表４に示す。
【0105】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＳｉＯ２を含む実施例３～４は、比較例２よりもαが低減し、Ｋｕが増加しており、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を示すといえる。
【0106】
（実施例５～６、比較例３）
酸化物相を３０ｖｏｌ％ＴｉＯ２に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表４に示す。
酸化物相を３０ｖｏｌ％ＴｉＯ２に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表４に示す。
【0107】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＴｉＯ２を含む実施例５～６は、比較例３よりもαが低減し、Ｋｕが増加しており、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を示すといえる。
【0108】
（実施例７～８、比較例４）
酸化物相を３０ｖｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表４に示す。
酸化物相を３０ｖｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表４に示す。
【0109】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＣｒ２Ｏ３を含む実施例７～８は、比較例４よりもαが低減し、Ｋｕの低下は０．９５以下と小さく、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を維持しているといえる。
【0110】
（実施例９～１０、比較例５）
酸化物相を３０ｖｏｌ％Ｎｂ２Ｏ５に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表４に示す。
酸化物相を３０ｖｏｌ％Ｎｂ２Ｏ５に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表４に示す。
【0111】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＮｂ２Ｏ５を含む実施例９～１０は、比較例５よりもαが低減し、Ｋｕの低下は０．３９以下と小さく、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を維持しているといえる。
【0112】
（実施例１１～１２、比較例６）
酸化物相を３０ｖｏｌ％Ｔａ２Ｏ５に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表４に示す。
酸化物相を３０ｖｏｌ％Ｔａ２Ｏ５に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表４に示す。
【0113】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＴａ２Ｏ５を含む実施例１１～１２は、比較例６よりもαが低減し、Ｋｕの低下は０．４７以下と小さく、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を維持しているといえる。
【0114】
（実施例１３～１４、比較例７）
酸化物相を３０ｖｏｌ％ＭｏＯ３に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
酸化物相を３０ｖｏｌ％ＭｏＯ３に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
【0115】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＭｏＯ３を含む実施例１３～１４は、比較例７よりもαが低減し、Ｋｕの低下は０．３０以下と小さく、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を維持しているといえる。
【0116】
（実施例１５～１６、比較例８）
酸化物相を３０ｖｏｌ％ＷＯ３に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
酸化物相を３０ｖｏｌ％ＷＯ３に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
【0117】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＷＯ３を含む実施例１５～１６は、比較例８よりもαが低減し、Ｋｕの低下は０．５１以下と小さく、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を維持しているといえる。
【0118】
（実施例１７～１８、比較例９）
酸化物相を１５ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ２に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
酸化物相を１５ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３－１５ｖｏｌ％ＳｉＯ２に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
【0119】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＢ２Ｏ３及びＳｉＯ２を含む実施例１７～１８は、比較例９よりもαが低減し、Ｋｕの低下は０．１８以下と小さく、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を維持しているといえる。
【0120】
（実施例１９～２０、比較例１０）
酸化物相を１５ｖｏｌ％ＳｉＯ２－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ２に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
酸化物相を１５ｖｏｌ％ＳｉＯ２－１５ｖｏｌ％ＴｉＯ２に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
【0121】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＳｉＯ２及びＴｉＯ２を含む実施例１９～２０は、比較例１０よりもαが低減し、Ｋｕは増加又は０．０１の低下と非常に小さく、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を示すといえる。
【0122】
（実施例２１～２２、比較例１１）
酸化物相を２０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３－５ｖｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
酸化物相を２０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３－５ｖｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
【0123】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＢ２Ｏ３及びＣｒ２Ｏ３を含む実施例２１～２２は、比較例１１よりもαが低減し、Ｋｕの低下は０．５４以下と小さく、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を維持しているといえる。
【0124】
（実施例２３～２４、比較例１２）
酸化物相を１０ｖｏｌ％ＳｉＯ２－１０ｖｏｌ％ＴｉＯ２－１０ｖｏｌ％ＣｏＯに代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
酸化物相を１０ｖｏｌ％ＳｉＯ２－１０ｖｏｌ％ＴｉＯ２－１０ｖｏｌ％ＣｏＯに代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表５に示す。
【0125】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＳｉＯ２、ＴｉＯ２及びＣｏＯを含む実施例２３～２４は、比較例１２よりもαが低減し、Ｋｕの低下は０．３５と小さく、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を示すといえる。
【0126】
（実施例２５～２６、比較例１３）
酸化物相を２０ｖｏｌ％ＳｉＯ２－５ｖｏｌ％ＴｉＯ２－５ｖｏｌ％ＣｏＯに代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
酸化物相を２０ｖｏｌ％ＳｉＯ２－５ｖｏｌ％ＴｉＯ２－５ｖｏｌ％ＣｏＯに代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0127】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＳｉＯ２、ＴｉＯ２及びＣｏＯを含む実施例２５～２６は、比較例１３よりもαが低減し、Ｋｕの低下は１．０２と小さく、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を示すといえる。
【0128】
（実施例２７～２８、比較例１４）
酸化物相を２０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３－５ｖｏｌ％ＳｉＯ２－５ｖｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
酸化物相を２０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３－５ｖｏｌ％ＳｉＯ２－５ｖｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３に代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0129】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＳｉＯ２、ＴｉＯ２、及びＣｏＯを含む実施例２７～２８は、比較例１４よりもαが低減し、Ｋｕが増加または０．１９と非常に小さい低下を示し、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を示すといえる。
【0130】
（実施例２９～３０、比較例１５）
酸化物相を２０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３－３ｖｏｌ％ＳｉＯ２－３ｖｏｌ％ＴｉＯ２－１０ｖｏｌ％ＣｏＯに代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
酸化物相を２０ｖｏｌ％Ｂ２Ｏ３－３ｖｏｌ％ＳｉＯ２－３ｖｏｌ％ＴｉＯ２－１０ｖｏｌ％ＣｏＯに代えた以外は実施例１～２及び比較例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0131】
金属相にＶ又はＭｎを含み、酸化物相としてＢ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２及びＣｏＯを含む実施例２９～３０は、比較例１５よりもαが低減し、Ｋｕが増加し、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を示すといえる。
【0132】
（実施例３１）
金属相組成を７９Ｃｏ－２０Ｐｔ－１Ｖに代えた以外は実施例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
金属相組成を７９Ｃｏ－２０Ｐｔ－１Ｖに代えた以外は実施例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0133】
金属相にＶを１ｍｏｌ％含む実施例３１は、Ｖを５ｍｏｌ％含む実施例１よりαの低下幅が小さいが、Ｋｕの低下幅が０．０４と小さくなった。
【0134】
（実施例３２）
金属相組成を７９Ｃｏ－２０Ｐｔ－１Ｍｎに代えた以外は実施例２と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
金属相組成を７９Ｃｏ－２０Ｐｔ－１Ｍｎに代えた以外は実施例２と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0135】
金属相にＭｎを１ｍｏｌ％含む実施例３２は、Ｍｎを５ｍｏｌ％含む実施例２よりαの低下幅が小さいが、Ｋｕの低下幅が小さくなった。
【0136】
（実施例３３）
金属相組成を７０Ｃｏ－２０Ｐｔ－１０Ｖに代えた以外は実施例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
金属相組成を７０Ｃｏ－２０Ｐｔ－１０Ｖに代えた以外は実施例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0137】
金属相にＶを１０ｍｏｌ％含む実施例３３は、Ｖを５ｍｏｌ％含む実施例１と同様にαが低下したが、Ｋｕの低下幅が大きくなった。
【0138】
（実施例３４）
金属相組成を７０Ｃｏ－２０Ｐｔ－１０Ｍｎに代えた以外は実施例２と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
金属相組成を７０Ｃｏ－２０Ｐｔ－１０Ｍｎに代えた以外は実施例２と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0139】
金属相にＭｎを１０ｍｏｌ％含む実施例３４は、Ｍｎを５ｍｏｌ％含む実施例２と同様にαが低下したが、Ｋｕの低下幅が大きくなった。
【0140】
（比較例１６）
金属相組成を６５Ｃｏ－２０Ｐｔ－１５Ｖに代えた以外は実施例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
金属相組成を６５Ｃｏ－２０Ｐｔ－１５Ｖに代えた以外は実施例１と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0141】
Ｖを１５ｍｏｌ％含む比較例１６は、Ｖを１～１０ｍｏｌ％含む実施例１、３１及び３３よりもＫｕの低下幅が著しく大きかった。
【0142】
（比較例１７）
金属相組成を６５Ｃｏ－２０Ｐｔ－１５Ｍｎに代えた以外は実施例２と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
金属相組成を６５Ｃｏ－２０Ｐｔ－１５Ｍｎに代えた以外は実施例２と同様にして調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0143】
Ｍｎを１５ｍｏｌ％含む比較例１７は、Ｍｎを１～１０ｍｏｌ％含む実施例２、３２及び３４よりもＫｕの低下幅が著しく大きかった。
【0144】
（実施例３５～３６、比較例１８）
実施例３５は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－２Ｃｒ－３Ｖに代えた以外は実施例１と同様にして、実施例３６は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－２Ｃｒ－３Ｍｎに代えた以外は実施例２と同様にして、比較例１８は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｃｒに代えた以外は比較例１と同様にして、それぞれ調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
実施例３５は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－２Ｃｒ－３Ｖに代えた以外は実施例１と同様にして、実施例３６は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－２Ｃｒ－３Ｍｎに代えた以外は実施例２と同様にして、比較例１８は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｃｒに代えた以外は比較例１と同様にして、それぞれ調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0145】
金属相組成にＣｒをさらに含む実施例３５～３６は、実施例１～２よりもＫｕの低下が小さくなり、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を示すといえる。
【0146】
（実施例３７～３８、比較例１９）
実施例３７は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－２Ｒｕ－３Ｖに代えた以外は実施例１と同様にして、実施例３８は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－２Ｒｕ－３Ｍｎに代えた以外は実施例２と同様にして、比較例１９は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｒｕに代えた以外は比較例１と同様にして、それぞれ調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
実施例３７は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－２Ｒｕ－３Ｖに代えた以外は実施例１と同様にして、実施例３８は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－２Ｒｕ－３Ｍｎに代えた以外は実施例２と同様にして、比較例１９は金属相組成を７５Ｃｏ－２０Ｐｔ－５Ｒｕに代えた以外は比較例１と同様にして、それぞれ調製した磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして厚さ８ｎｍの磁性層を成膜させ、保磁力（Ｈｃ）、核形成磁場（Ｈｎ）、横軸と交わる地点の傾き（α）、結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を測定した。結果を表６に示す。
【0147】
金属相組成にＲｕをさらに含む実施例３７～３８は、実施例１～２よりもＫｕの低下が小さくなり、磁性結晶粒の分離性が向上し、高い一軸磁気異方性を示すといえる。
【0148】
表４～６に示す結果から、金属相にＶを含む方がＭｎを含むよりもαの低下が大きく、Ｋｕの低減が小さいことがわかる。Ｖ又はＭｎを含むことにより、磁性結晶粒の分離性の向上及び高い一軸磁気異方性の維持が達成されると共に、Ｖが磁性結晶粒の分離性のより一層の向上、高い一軸磁気異方性のより一層の維持に効果があるといえる。また、いずれの酸化物であっても磁性結晶粒の分離性の向上及び高い一軸磁気異方性の維持を達成することができ、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２を含むとより一層の効果があるといえる。さらにＢ２Ｏ３を含むことにより一軸磁気異方性（Ｋｕ）を高くすることができ、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２を含むことにより高い一軸磁気異方性（Ｋｕ）を維持しつつαを低減することができることが確認された。
【0149】
【表4】
【表5】
【表6】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】