(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-04-04
(45)【発行日】2024-04-12
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
B24B 37/005 20120101AFI20240405BHJP
B24B 49/12 20060101ALI20240405BHJP
B24B 37/10 20120101ALI20240405BHJP
B24B 37/12 20120101ALI20240405BHJP
B25J 13/00 20060101ALI20240405BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240405BHJP
【FI】
B24B37/005 Z
B24B49/12
B24B37/10
B24B37/12 D
B25J13/00 Z
H01L21/304 621D
H01L21/304 622R
H01L21/304 622S
H01L21/304 622Y
(21)【出願番号】P 2020192585
(22)【出願日】2020-11-19
【審査請求日】2023-04-14
(73)【特許権者】
【識別番号】000000239
【氏名又は名称】株式会社荏原製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100146710
【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男
(74)【代理人】
【識別番号】100186613
【氏名又は名称】渡邊 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100172041
【氏名又は名称】小畑 統照
(72)【発明者】
【氏名】鳥越 恒男
【審査官】マキロイ 寛済
(56)【参考文献】
【文献】特開2001-293653(JP,A)
【文献】特開2006-263903(JP,A)
【文献】特開2008-294093(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
B24B 37/005
B24B 49/12
B24B 37/10
B24B 37/12
B25J 13/00
H01L 21/304
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を支持するためのテーブルと、
前記テーブルに支持された基板を研磨するための研磨パッドを保持するためのパッドホルダと、
前記パッドホルダを前記基板の径方向に揺動させるための駆動モジュールと、
前記
駆動モジュールによって前記テーブルの外側へ揺動された研磨パッドを支持するための支持面を有する支持部材と、
前記テーブルに支持された基板の被研磨面および前記支持面を撮影するための撮影モジュールと、
機械学習によって構築される学習モデルが格納された記憶部と、
前記撮影モジュールによる撮影情報を前記学習モデルに入力して当該学習モデルの学習を行うと共に、前記学習モデルを使用して前記支持面と前記被研磨面との段差を推定する、段差推定モジュールと、
推定された前記段差に基づいて、前記基板を研磨しながら前記支持面の高さを調整するための調整モジュールと、
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
前記段差推定モジュールは、前記撮影モジュールによる基板が置かれていない状態の前記テーブルの撮影情報を前記学習モデルに入力して当該学習モデルの学習を行う、請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記段差推定モジュールは、前記撮影モジュールによる撮影情報と前記学習モデルとに基づいて前記基板の厚みを計測可能である、請求項1または2に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記段差推定モジュールは、前記撮影モジュールによる撮影情報と前記学習モデルとに基づいて前記基板の表面プロファイルを計測可能である、請求項1から3の何れか1項に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記撮影モジュールは、基板に予め形成されたノッチを検出するノッチ検出モジュールとして機能する、請求項1から4の何れか1項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記学習モデルは、前記撮影モジュールによる前記支持面の撮影情報を教師データとする学習により構築される、請求項1から5の何れか1項に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記学習モデルは、前記撮影モジュールによる基準基板の撮影情報を教師データとする学習により構築される、請求項1から6の何れか1項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記撮影モジュールは、前記支持面および前記テーブルに対向して設けられる、請求項1から7の何れか1項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記撮影モジュールは、CCDセンサまたはCMOSセンサを有する、請求項1から8の何れか1項に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記段差推定モジュールは、前記撮影モジュールによる撮影情報における少なくともフォーカス値に基づいて前記段差を推定する、請求項1から9の何れか1項に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記支持部材は、前記テーブルの外側の前記研磨パッドの揺動経路に配置された第1の支持部材と、前記テーブルを挟んで前記第1の支持部材と反対側の前記研磨パッドの揺動経路に配置された第2の支持部材と、を含む、
請求項1から10の何れか1項に記載の基板処理装置。
【請求項12】
テーブルに基板を設置する設置ステップと、
前記テーブルに設置された基板を研磨するための研磨パッドを前記基板に押圧する押圧ステップと、
前記研磨パッドを前記基板の径方向に揺動させる揺動ステップと、
前記揺動ステップによって前記テーブルの外側へ揺動される研磨パッドを支持するための支持面と前記テーブルに支持された基板の被研磨面とを撮影する撮影ステップと、
前記撮影ステップによる撮影情報を学習モデルに入力して当該学習モデルの学習を行うと共に、前記学習モデルを使用して前記支持面と前記被研磨面との段差を推定する段差推定ステップと、
前記段差推定ステップによって推定された前記段差に基づいて、前記基板を研磨しながら前記支持面の高さを調整する調整ステップと、
を含む、基板処理方法。
【請求項13】
基板が置かれていない状態の前記テーブルの撮影情報を前記学習モデルに入力して当該学習モデルの学習を行う学習ステップを更に含む、請求項12に記載の基板処理方法。
【請求項14】
前記学習モデルは、前記撮影
ステップによる前記支持面の撮影情報を教師データとする学習により構築される、請求項12または13に記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記学習モデルは、前記撮影
ステップによる基準基板の撮影情報を教師データとする学習により構築される、請求項12から14の何れか1項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体加工工程において用いられる基板処理装置の一例として、CMP(Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨)装置が知られている。CMP装置は、基板の被研磨面が向いている方向によって「フェースアップ式(基板の被研磨面が上向きの方式)」と「フェースダウン式(基板の被研磨面が下向きの方式)」に大別され得る。
【0003】
特許文献1には、フェースアップ式のCMP装置において、基板よりも小径の研磨パッドを回転させながら基板に接触させて揺動させることによって基板を研磨することが開示されている。このCMP装置では、基板の周囲に支持部材を設け、基板の外側まで揺動させた研磨パッドを支持部材によって支持するとともに、支持部材の高さおよび水平方向の位置を調整可能にすることが開示されている。
【0004】
また、特許文献2には、基板を搬送する搬送システムにおいて、基板の側面方向から透過式センサで搬送面検出治具の傾斜部を検出することにより、基板の搬送面の傾きを検出することが開示されている。特許文献2に記載の搬送システムでは、少なくとも3点の正射影点によって治具の表面の式を算出できることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開2003-229388号公報
【文献】特開2008-260559号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
CMP装置の研磨対象である基板は、製造誤差などのために厚み又は表面プロファイルにバラつきがある。このため、被研磨面の研磨の均一性を向上させるために、処理対象である基板の厚みを基板処理装置において計測することが好ましい。しかし、特許文献2に記載のシステムのように基板の側面にセンサを設けると、基板処理装置のフットプリントが大きくなってしまう。
【0007】
そこで、本願は、上記課題の少なくとも1つを解決することを目的とし、被研磨面の研磨の均一性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
一実施形態によれば、基板処理装置に関し、かかる基板処理装置は、基板を支持するためのテーブルと、前記テーブルに支持された基板を研磨するための研磨パッドを保持するためのパッドホルダと、前記パッドホルダを前記基板の径方向に揺動させるための駆動モジュールと、前記駆動モジュールによって前記テーブルの外側へ揺動された研磨パッドを支持するための支持面を有する支持部材と、前記テーブルに支持された基板の被研磨面および前記支持面を撮影するための撮影モジュールと、機械学習によって構築される学習モデルが格納された記憶部と、前記撮影モジュールによる撮影情報を前記学習モデルに入力して当該学習モデルの学習を行うと共に、前記学習モデルを使用して前記支持面と前記被研磨面との段差を推定する、段差推定モジュールと、推定された前記段差に基づいて、前記基板を研磨しながら前記支持面の高さを調整するための調整モジュールと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【
図1】一実施形態による基板処理装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。
【
図2】一実施形態による基板処理装置の全体構成を概略的に示す平面図である。
【
図3】一実施形態によるテーブル、支持部材、および撮影モジュールを概略的に示す斜視図である。
【
図4】一実施形態によるテーブル、支持部材、および撮影モジュールを概略的に示す側面図である。
【
図5】一実施形態による段差推定モジュールの機能ブロック図である。
【
図6】一実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。
【
図7】変形例における基板処理システムの構成概略を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下に、本発明に係る基板処理装置および基板処理方法の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。
【0011】
図1は、一実施形態による基板処理装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。
図2は、一実施形態による基板処理装置の全体構成を概略的に示す平面図である。
図1および
図2に示される基板処理装置1000は、テーブル100と、多軸アーム200(
図1では不図示)と、支持部材300A,300Bと、センタリング機構400A~400Cと、ドレッサ500と、撮影モジュール600と、洗浄ノズル700A、700Bと、制御モジュール800と、を有する。
【0012】
<テーブル>
テーブル100は、処理対象となる基板WFを支持するための部材である。一実施形態において、テーブル100は、基板WFを支持するための支持面100aを有し、図示していないモータなどの駆動機構によって回転可能に構成される。支持面100aには複数の穴102が形成されており(
図2参照)、テーブル100は、穴102を介して基板WFを真空吸着することができるように構成される。
【0013】
<多軸アーム>
多軸アーム200は、テーブル100に支持された基板WFに対して各種処理を行うための複数の処理具を保持する部材であり、テーブル100に隣接して配置される。本実施形態の多軸アーム200は、基板WFを研磨するための大径の研磨パッド222と、基板WFを洗浄するための洗浄具232と、基板WFを仕上げ研磨するための小径の研磨パッド242と、水などの液体を基板WFに放出するためのアトマイザ252と、を保持するように構成される。本実施形態では、大径の研磨パッド222、洗浄具232、小径の研磨パッド242、アトマイザ252のそれぞれは、放射状に延在する第1のアーム220、第2のアーム230、第3のアーム240、第4のアーム250のそれぞれに設けられている。多軸アーム200は、テーブル100に支持された基板WFに対して研磨パッド222、242を回転、昇降、および揺動させるための駆動モジュール280を更に備えている。
【0014】
本実施形態では、第1のアーム220、第2のアーム230、第3のアーム240、および第4のアーム250は、平面視で反時計回りに90度ずれて揺動シャフト210の周りに放射状に伸びる。駆動モジュール280は、第1~第4のアーム220~250を回転駆動することによって、大径の研磨パッド222、洗浄具232、小径の研磨パッド2
42、およびアトマイザ252のいずれかを基板WF上に移動させることができる。また、駆動モジュール280は、研磨パッド222、242をドレッサ500上に移動させることができる。なお、本実施形態では、駆動モジュール280は、第1~第4のアーム220~250を回転駆動することによって研磨パッド222、242を基板WF上で円弧状に揺動(反復移動)させることができる。ただし、駆動モジュール280は、第1~第4のアーム220~250の回転駆動とは別に、研磨パッド222、242を基板WF上で揺動させることができるように構成されてもよい。なお、駆動モジュール280は、研磨パッド222,242を直線状に揺動させてもよい。基板処理装置1000は、例えば研磨パッド222が基板WF上にある場合には、テーブル100を回転させるとともに研磨パッド222を回転させ、研磨パッド222を基板WFに押圧しながら回転駆動機構212によって研磨パッド222を揺動させることによって、基板WFの研磨を行うように構成される。
【0015】
<支持部材>
図1および
図2に示すように、基板処理装置1000は、テーブル100の外側の研磨パッド222の揺動経路に配置された第1の支持部材300Aと、テーブル100を挟んで第1の支持部材300Aと反対側の研磨パッド222の揺動経路に配置された第2の支持部材300Bと、を含む。第1の支持部材300Aおよび第2の支持部材300Bは、基板WFを挟んで線対称になっている。このため、以下では第1の支持部材300Aおよび第2の支持部材300Bをまとめて支持部材300として説明する。また、以下では、一例として、大径の研磨パッド222を基板WFに対して揺動させる場合の支持部材300の機能について説明を行うが、洗浄具232または小径の研磨パッド242についても同様である。
【0016】
支持部材300は、揺動シャフト210の回転によってテーブル100の外側へ揺動された研磨パッド222を支持するための部材である。すなわち、基板処理装置1000は、基板WFを研磨する際に研磨パッド222を基板WFの外側に飛び出すまで揺動させる(オーバーハングさせる)ことによって、基板WFの被研磨面を均一に研磨するように構成される。ここで、研磨パッド222をオーバーハングさせた場合には、パッドホルダ226が傾くなど様々な要因によって基板WFの周縁部に研磨パッド222の圧力が集中して、基板WFの被研磨面が均一に研磨されないおそれがある。そこで、本実施形態の基板処理装置1000は、基板WFの外側にオーバーハングした研磨パッド222を支持するための支持部材300をテーブル100の両側に設けている。
【0017】
図3は、一実施形態によるテーブルおよび支持部材を概略的に示す側面図である。
図3に示すように、支持部材300(第1の支持部材300Aおよび第2の支持部材300Bそれぞれ)は、研磨パッド222の基板WFと接触する研磨面222aの全体を支持可能な支持面300aを有する。すなわち、支持面300aは、研磨パッド222の研磨面222aの面積よりも大きな面積を有しているので、研磨パッド222が完全に基板WFの外側までオーバーハングしたとしても研磨面222aの全体が支持面300aに支持される。これにより、本実施形態では、研磨パッド222は、基板WF上を揺動しているときには研磨面222aの全体が基板WFに接触して支持されており、テーブル100の外側まで揺動しているときも研磨面222aの全体が支持部材300に支持されているので、揺動中に基板WFの被研磨面および支持面300aの領域からはみ出さないようになっている。
【0018】
図2に示すように、基板処理装置1000は、支持部材300の高さを変更するための支持部材駆動機構380を含む。支持部材駆動機構380は、モータおよびボールねじなどの様々な公知の機構で構成することができ、支持部材300(支持面301aおよび支持面301b)を所望の高さに調整することができる。なお、支持部材駆動機構380は
、支持部材300の水平方向の位置、すなわちテーブル100に支持された基板WFの径方向に沿った位置を調整することによって基板WFに対する支持部材300の距離を調整できるように構成されてもよい。
【0019】
<撮影モジュール>
基板処理装置1000は、テーブル100に支持された基板WFの被研磨面と支持部材300の支持面300aとを撮影するための撮影モジュール600を含む。本実施形態の撮影モジュール600では、
図3に示すように、高さ方向に伸びる回転シャフト610がテーブル100に隣接して配置されている。回転シャフト610は、図示していないモータなどの回転駆動機構によって回転シャフト610の軸周りに回転可能になっている。回転シャフト610には揺動アーム620が取り付けられおり、撮影モジュール600は、揺動アーム620の先端に取り付けられている。撮影モジュール600は、回転シャフト610の回転によって回転シャフト610の軸周りに旋回揺動するように構成される。これにより、撮影モジュール600は、基板WFの研磨中に、回転シャフト610の回転によって基板WFの径方向に沿って揺動することができるようになっている。なお、撮影モジュール600は、こうした例に限定されず、テーブル100と支持面300aとに対向するように、基板処理装置1000における図示しない躯体に固定されていてもよい。
【0020】
図4は、一実施形態のよる、テーブル、支持部材、および撮影モジュールを概略的に示す側面図である。撮影モジュール600は、支持部材300の支持面300aとテーブル100とに対向するように、これらの上方に配置することができる。本実施形態では、撮影モジュール600は、支持部材300の支持面300aを撮影するための第1の撮影機602と、テーブル100または基板WFの被研磨面を撮影するための第2の撮影機604とを含む。これらの撮影機602、604としては、一例として、CCDセンサを有するCCDカメラ、またはCMOSセンサを有するCMOSカメラが使用されてもよい。第1の撮影機602と第2の撮影機604とは、互いに固定されて一体に移動するように構成されている。ただし、こうした例に限定されず、第1の撮影機602と第2の撮影機604とは互いに独立して移動できるように構成されてもよい。また、撮影モジュール600は、2つの撮影機602、604を有するものに限定されず、支持部材300の支持面300aとテーブル100との両方を撮影可能な1つの撮影機によって構成されてもよいし、3つ以上の撮影機によって構成されてもよい。
【0021】
<センタリング機構>
図1および
図2に示すように、基板処理装置1000は、基板WFをセンタリングするためのセンタリング機構400A~400Cを含む。センタリング機構400A~400Cは、本実施形態では、テーブル100に支持された基板WFをテーブル100の中心方向に押圧して位置合わせするように構成される。センタリング機構400A,400B,400Cは、テーブル100の周囲に適宜の間隔をあけて配置される。なお、制御モジュール800は、センタリング機構400A,400B,400Cによる基板WFの位置合わせ結果に基づいて基板WFの直径を算出してもよい。
【0022】
<ドレッサ>
図1および
図2に示すように、ドレッサ500は、揺動シャフト210の回転による研磨パッド222、242の旋回経路に配置される。ドレッサ500は、表面にダイヤモンド粒子などが強固に電着しており、研磨パッド222、242を目立て(ドレッシング)するための部材である。ドレッサ500は、図示していないモータなどの回転駆動機構によって回転するように構成される。ドレッサ500の表面には図示していないノズルから純水を供給可能になっている。基板処理装置1000は、ノズルから純水をドレッサ500に供給しながらドレッサ500を回転させるとともに、研磨パッド222、242を回転させ、ドレッサ500に押圧しながらドレッサ500に対して揺動させる。これによっ
て、ドレッサ500により研磨パッド222、242が削り取られ、研磨パッド222、242の研磨面がドレッシングされる。
【0023】
<洗浄ノズル>
図1および
図2に示すように、洗浄ノズル700A、700Bは、テーブル100に隣接して配置される。洗浄ノズル700Aは、テーブル100と支持部材300Aとの間の隙間に向けて純水などの洗浄液を供給するように構成される。これにより、テーブル100と支持部材300Aとの間に入った研磨カスなどを洗い流すことができる。洗浄ノズル700Bは、テーブル100と支持部材300Bとの間の隙間に向けて純水などの洗浄液を供給するように構成される。これにより、テーブル100と支持部材300Bとの間に入った研磨カスなどを洗い流すことができる。
【0024】
<制御モジュール>
図1に示すように、基板処理装置1000は、装置全体の制御を司る制御モジュール800を含む。制御モジュール800には、撮影モジュール600を含む各種センサからの情報が入力される。また、制御モジュール800は、テーブル100、多軸アーム200、および支持部材駆動機構380など、各種機器に指令を送ることができる。制御モジュール800は、記憶部810と図示しないCPUなどの演算部とを含む。制御モジュール800は、ソフトウェアを用いて所定の機能を実現するマイクロコンピュータによって構成されてもよいし、専用の演算処理を行う装置によって構成されてもよい。本実施形態では、制御モジュール800は、後述する段差推定モジュール820および調整モジュール830として機能する。
【0025】
<段差推定モジュール>
段差推定モジュール820は、撮影モジュール600による撮影情報と記憶部810に記憶された学習モデルとに基づいて、支持部材300の支持面300aと基板WFの被研磨面との段差(高さの差、
図4参照)δhを推定するように構成されている。本実施形態では、制御モジュール800が段差推定モジュール820として機能する。
図5は、本実施形態における段差推定モジュール820の概略的な機能ブロック図である。段差推定モジュール820は、状態変数SVを取得する状態変数取得部822と、取得した状態変数SVに基づいて、記憶部810に記憶される学習モデルを学習・生成する学習モデル生成部824と、取得した状態変数SVと学習モデルとに基づいて支持部材300の支持面300aと基板WFの被研磨面との段差δhを推定(意思決定)する意思決定部828と、を備える。
【0026】
状態変数取得部822は、所定時間(例えば、数msec、数十msec)ごとに、状態変数SVを取得する。一例として、所定時間は、学習モデル生成部824による学習周期と同一または対応した時間とすることができる。なお、本実施形態では、制御モジュール800への各種センサからの情報の入力が、状態変数取得部822による状態変数SVの取得に当たる。状態変数SVは、少なくとも撮影モジュール600による撮影情報S1を含む。ここで、撮影情報S1は、第1の撮影機602による支持面300aの撮影情報と、第2の撮影機604による基板WFの被研磨面の撮影情報と、を含む。なお、撮影情報S1には、撮影モジュール600(撮影機602、604)によるフォーカス値、F値が含まれてもよく、撮影機602、604における複数の撮影素子ごとの位置と当該撮影素子におけるフォーカス値等とが含まれてもよい。また、状態変数SVには、撮影モジュール600による撮影情報に加えて、制御モジュール800による支持部材300の高さ調整量、またはテーブル100または研磨パッド222、242(多軸アーム200)における駆動モジュール280の出力値(回転トルク指令値、またはモータ電流など)などが含まれてもよい。また、状態変数SVには、図示しない他のセンサ等によって測定または推定された基板WFの厚み情報または表面プロファイル情報などが含まれてもよい。こ
うした状態変数SVは、基板WFの研磨を行いながら取得されるものとしてもよいし、基板WFの研磨前または研磨後に取得されるものとしてもよい。さらに、状態変数SVには、予めユーザーによって基板処理装置1000に入力された情報が含まれてもよい。一例として、状態変数SVには、基板WFの材質の情報などが含まれてもよい。
【0027】
学習モデル生成部824は、機械学習と総称される任意の学習アルゴリズムに従って、学習モデル(状態変数SVに対する段差δhの推定値)を学習する。学習モデル生成部824は、状態変数取得部822によって取得される状態変数SVに基づく学習を反復実行する。学習モデル生成部824は、複数の状態変数SVを取得し、状態変数SVの特徴を識別して相関性を解釈する。また、学習モデル生成部824は、現在の状態変数SVに対して支持部材300と基板WFとの段差δhが推定されたときの、次回に取得される状態変数SVの相関性を解釈する。そして、学習モデル生成部824は、学習を繰り返すことにより、取得される状態変数SVに対する支持部材300と基板WFとの段差δhの推定について最適化を図る。
【0028】
一例として、学習モデル生成部824は、教師あり学習によって構築される。教師あり学習は、基板処理装置1000の設置場所において行われてもよいし、製造所、または専用の学習用場所において行われてもよい。学習モデル生成部824は、教師あり学習の一例として、基板WFが置かれていない状態のテーブル100の撮影情報を教師データとしてもよい。また、学習モデル生成部824は、教師あり学習の一例として、予め用意された基準基板の撮影情報を教師データとしてもよい。基準基板としては、厚さまたは板面プロファイルが既知である基板を使用することができる。なお、基準基板は、厚さが一様であってもよいし、表面プロファイルとして所定の凹凸パターンが形成されていてもよい。また、学習モデル生成部824は、教師あり学習の一例として、支持部材300の支持面300aの撮影情報を教師データとしてもよい。この場合、支持部材300の支持面300aの高さごとに複数の撮影情報を取得し、当該撮影情報ごとの支持面300aの高さ情報を教師データとして利用してもよい。一例として、基板WFが置かれていない状態、または基準基板が置かれた状態で、支持部材300の支持面300aの高さを変更しながら撮影モジュール600によって支持面300aとテーブル100(または基準基板)とを撮影し、当該撮影情報を教師データとして利用することができる。
【0029】
また、学習モデル生成部824は、強化学習を実行して学習モデルを学習してもよい。強化学習は、ある環境において、現在状態(入力)に対して実行される行動(出力)に報酬を与え、最大の報酬が得られるような学習モデルを生成する手法である。強化学習を行う一例として、学習モデル生成部824は、状態変数SVに基づいて評価値を計算する評価値計算部825と、評価値に基づいて学習モデルの学習を行う学習部826と、を有する。一例として、評価値計算部825は、状態変数SVの安定度が高いほど大きな報酬を与える、つまり、前回取得した状態変数SVと今回取得した状態変数SVとの変化が小さいほど大きな報酬を与えるものとしてもよい。また、一例として、評価値計算部825は、研磨中の基板WFと支持部材300との段差δhが小さいほど、推定される段差δhが値0に近いほど大きな報酬を与えるものとしてもよい。また、一例として、評価値計算部825は、駆動モジュール280における負荷の安定度が高いほど大きな報酬を与えるものとしてもよい。また、一例として評価値計算部825は、基板処理装置1000におけるエネルギー消費量が小さいほど、大きな報酬を与えるものとしてもよい。また、一例として、評価値計算部825は、基板処理装置1000における研磨処理にかかる時間が短いほど、大きな報酬を与えるものとしてもよい。また、一例として、評価値計算部825は、基板WFの表面プロファイルが一定であるほど、大きな報酬を与えるものとしてもよい。
【0030】
<調整モジュール>
調整モジュール830は、段差推定モジュール820によって推定された基板WFと支持面300aとの段差δhに基づいて、研磨中に支持面300aの高さを調整するように構成されている。本実施形態では、支持部材300を駆動するための支持部材駆動機構380と、支持部材駆動機構380に指令を送る制御モジュール800とが調整モジュールにして機能する。調整モジュール830(制御モジュール800)は、基板WFと支持面300aとの段差δhの推定値に基づいて、基板WFと支持面300aとの段差が値0となるように、支持部材駆動機構380を駆動する。
【0031】
<フローチャート>
次に、本実施形態による支持部材300の高さ位置の調整を含む基板処理方法の手順を説明する。
図6は、一実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。
図6に示すように、基板処理方法では、まず、テーブル100に基板WFを設置する(S110:設置ステップ)。設置ステップは、図示しない搬送機構によって行われてもよいし、ユーザーによって行われてもよい。続いて、センタリング機構400A、400B、400Cによって基板WFの位置合わせを行う(S120)。なお、支持部材300の高さの初期調整を行ってもよい。支持部材300の高さの初期調整は、例えば、事前に計測された基板WFの厚みに基づいて行われてもよいし、基板WFが置かれた後に段差推定モジュール820によって推定された段差δhに基づいて行われてもよい。
【0032】
続いて、テーブル100を回転させるとともに研磨パッド222を回転させながら基板WFに押圧する(S130:押圧ステップ)。続いて、研磨パッド222を揺動させる(S140:揺動ステップ)。続いて、支持部材300の支持面300aと基板WFの研磨面とを撮影し(撮影ステップ)、当該撮影情報を含む状態変数を取得する(S150)。続いて、取得した状態変数に基づいて学習モデルの学習・生成を行う(S160)。続いて、学習モデルに状態変数を入力して支持面300aと基板WFの研磨面との段差δhを推定する(S170:段差推定ステップ)。続いて、推定された段差δhに基づいて、基板WFを研磨しながら支持面300aの高さを調整する(S180:調整ステップ)。
【0033】
そして、研磨が終了するまで(S190,No)、S150~S180の処理を繰り返し実行し、研磨が終了することにより(S190,Yes)、基板処理方法は終了する。
【0034】
以上説明した本実施形態の基板処理装置1000によれば、テーブル100に支持された基板WFの被研磨面と支持部材300の支持面300aとを撮影モジュール600によって撮影し、当該撮影情報に基づいて支持面300aと基板WFの被研磨面との段差δhを推定する。そして、基板処理装置1000は、推定された段差δhに基づいて、研磨中に支持面300aの高さを調整する。こうした基板処理装置1000によれば、研磨中に支持面300aの高さを好適に調整することができ、被研磨面の研磨の均一性を向上させることができる。しかも、本実施形態の基板処理装置1000は、撮影モジュール600が、支持部材300とテーブル100とに対向して設けられているので、フットプリントを大きくすることなく上記の作用、効果を実現することができる。
【0035】
<変形例1>
上記した実施形態では、制御モジュール800(段差推定モジュール820)は、支持部材300の支持面300aと基板WFの被研磨面との段差δhを推定するものとした。これに加えて、制御モジュール800は、撮影モジュール600による撮影情報と学習モデルとに基づいて基板WFの厚みを計測できるものとしてもよい。一例として、制御モジュール800は、支持面300aと基板WFとの段差δと、支持面300aの高さ位置とに基づいて、基板WFの厚みを測定してもよい。
【0036】
<変形例2>
また、制御モジュール800は、撮影モジュール600による撮影情報と学習モデルとに基づいて基板WFの表面プロファイルを計測できるものとしてもよい。一例として、制御モジュール800は、基板WFを回転させながら撮影モジュール600によって基板WFの被研磨面を撮影し、当該撮影情報と学習モデルとに基づいて基板WFの周方向位置ごとの厚さ(または支持面300aと被研磨面との段差δh)を推定することにより、基板WFの表面プロファイルを計測してもよい。
【0037】
<変形例3>
また、上記した実施形態では、撮影モジュール600は、支持部材300の支持面300aと基板WFの被研磨面との段差δhを推定するために使用されるものとした。これに加えて撮影モジュール600は、基板WFに予め形成されたノッチ(不図示)を検出するために使用されてもよい。こうすれば、撮影モジュール600は、ノッチを検出するための機構と、基板WFと被研磨面との段差δhを推定するための機構とを兼ねるので、基板処理装置1000における部品点数を少なくすることができる。
【0038】
<変形例4>
図7は、変形例における基板処理システムの構成概略を示す図である。基板処理システムは、段差推定システム820Aと、有線または無線で通信可能に接続された複数の基板処理装置(
図7に示す例では、3つのAM装置1000A,1000B,1000C)と、を備えている。変形例における段差推定システム820Aは、上記した実施形態における段差推定モジュール820と概して同一の機能を実現することができるように構成されており、重複する説明は省略する。変形例の段差推定システム820Aは、複数の基板処理装置から状態変数SVを取得することができる。これにより、段差推定システム820Aは、より多くの状態変数SVを取得して、学習モデルの学習精度を向上させることができる。一例として、複数の基板処理装置には、段差推定モジュール820Aを備えない基板処理装置1000Aが含まれてもよい。機械学習装置を備えていない場合、基板処理装置1000Aは、段差推定システム820Aから送信されて更新される学習モデルを使用することにより段差δhを推定して基板処理を行うものとしてもよい。また、一例として、複数の基板処理装置には、段差推定モジュール820を備える基板処理装置1000B,1000Cが含まれてもよい。基板処理装置1000B,1000Cは、上記した実施形態における段差推定モジュール820と同一の機能・構成を有す段差推定モジュール820B、820Cを備えている。この場合、段差推定システム820Aおよび段差推定モジュール820B,820Cのそれぞれは、各自が生成した学習モデルを互いに取得し、学習モデルの最適化を図るものとしてもよい。また、段差推定システム820Aおよび段差推定モジュール820B,820Cのうちのいずれかが上位として機能し、複数の学習モデルを取得して、学習モデルの最適化を図り、下位の段差推定システムまたは段差推定モジュールへ更新された学習モデルを送信するように構成されてもよい。ここで、段差推定システムまたは段差推定モジュールが行う学習モデルの最適化の例としては、複数の学習モデルに基づく蒸留モデルの生成が挙げられる。
【0039】
以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
【0040】
上述の実施形態から少なくとも以下の技術的思想が把握される。
[形態1]形態1によれば、基板処理装置が提案され、かかる基板処理装置は、基板を支
持するためのテーブルと、前記テーブルに支持された基板を研磨するための研磨パッドを保持するためのパッドホルダと、前記パッドホルダを前記基板の径方向に揺動させるための駆動モジュールと、前記揺動機構によって前記テーブルの外側へ揺動された研磨パッドを支持するための支持面を有する支持部材と、前記テーブルに支持された基板の被研磨面および前記支持面を撮影するための撮影モジュールと、機械学習によって構築される学習モデルが格納された記憶部と、前記撮影モジュールによる撮影情報を前記学習モデルに入力して当該学習モデルの学習を行うと共に、前記学習モデルを使用して前記支持面と前記被研磨面との段差を推定する、段差推定モジュールと、推定された前記段差に基づいて、前記基板を研磨しながら前記支持面の高さを調整するための調整モジュールと、を備える。形態1によれば、研磨中に支持面の高さを好適に調整することができ、被研磨面の研磨の均一性を向上させることができる。
【0041】
[形態2]形態2によれば、形態1において、前記段差推定モジュールは、前記撮影モジュールによる基板が置かれていない状態の前記テーブルの撮影情報を前記学習モデルに入力して当該学習モデルの学習を行う。
【0042】
[形態3]形態3によれば、形態1または2において、前記段差推定モジュールは、前記撮影モジュールによる撮影情報と前記学習モデルとに基づいて前記基板の厚みを計測可能である。
【0043】
[形態4]形態4によれば、形態1から3において、前記段差推定モジュールは、前記撮影モジュールによる撮影情報と前記学習モデルとに基づいて前記基板の表面プロファイルを計測可能である。
【0044】
[形態5]形態5によれば、形態1から4において、前記撮影モジュールは、基板に予め形成されたノッチを検出するノッチ検出モジュールとして機能する。
【0045】
[形態6]形態6によれば、形態1から5において、前記学習モデルは、前記撮影モジュールによる前記支持面の撮影情報を教師データとする学習により構築される。
【0046】
[形態7]形態7によれば、形態1から6において、前記学習モデルは、前記撮影モジュールによる基準基板の撮影情報を教師データとする学習により構築される。
【0047】
[形態8]形態8によれば、形態1から7において、前記撮影モジュールは、前記支持面および前記テーブルに対向して設けられる。
【0048】
[形態9]形態9によれば、形態1から8において、前記撮影モジュールは、CCDセンサまたはCMOSセンサを有する。
【0049】
[形態10]形態10によれば、形態1から9において、前記段差推定モジュールは、前記撮影モジュールによる撮影情報における少なくともフォーカス値に基づいて前記段差を推定する。
【0050】
[形態11]形態11によれば、形態1から10において、前記支持部材は、前記テーブルの外側の前記研磨パッドの揺動経路に配置された第1の支持部材と、前記テーブルを挟んで前記第1の支持部材と反対側の前記研磨パッドの揺動経路に配置された第2の支持部材と、を含む。
【0051】
[形態12]形態12によれば、基板処理方法が提案され、かかる基板処理方法は、テーブルに基板を設置する設置ステップと、前記テーブルに設置された基板を研磨するための
研磨パッドを前記基板に押圧する押圧ステップと、前記研磨パッドを前記基板の径方向に揺動させる揺動ステップと、前記揺動ステップによって前記テーブルの外側へ揺動される研磨パッドを支持するための支持面と前記テーブルに支持された基板の被研磨面とを撮影する撮影ステップと、前記撮影ステップによる撮影情報を学習モデルに入力して当該学習モデルの学習を行うと共に、前記学習モデルを使用して前記支持面と前記被研磨面との段差を推定する段差推定ステップと、前記段差推定ステップによって推定された前記段差に基づいて、前記基板を研磨しながら前記支持面の高さを調整する調整ステップと、を含む。
【0052】
[形態13]形態13によれば、形態12において、基板が置かれていない状態の前記テーブルの撮影情報を前記学習モデルに入力して当該学習モデルの学習を行う学習ステップを更に含む。
【0053】
[形態14]形態14によれば、形態12または13において、前記学習モデルは、前記撮影モジュールによる前記支持面の撮影情報を教師データとする学習により構築される。
【0054】
[形態15]形態15によれば、形態12から14において、前記学習モデルは、前記撮影モジュールによる基準基板の撮影情報を教師データとする学習により構築される。
【符号の説明】
【0055】
100…テーブル
200…多軸アーム
210…揺動シャフト
222…研磨パッド
226…パッドホルダ
242…研磨パッド
280…駆動モジュール
300…支持部材
300a…支持面
380…支持部材駆動機構
600…撮影モジュール
602…第1の撮影機
604…第2の撮影機
800…制御モジュール
810…記憶部
820…段差推定モジュール
830…調整モジュール
1000…基板処理装置
WF…基板