特許 7471152 リフトオフ方法及びレーザー加工装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-11

(45)【発行日】2024-04-19

(54)【発明の名称】リフトオフ方法及びレーザー加工装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20240412BHJP

   B23K 26/57 20140101ALI20240412BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240412BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20240412BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20240412BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 C

B23K26/57

H01L21/304 611

H01L21/78 B

H01L33/00 Z

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020105642

(22)【出願日】2020-06-18

(65)【公開番号】P2021197539

(43)【公開日】2021-12-27

【審査請求日】2023-04-26

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】小柳 将

(72)【発明者】

【氏名】三村 純也

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－０４９９３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－０２１２２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１０１８８２５７８（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２

Ｂ２３Ｋ ２６／５７

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｈ０１Ｌ ３３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、
光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合材を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合ステップと、
該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊ステップと、
該バッファー層破壊ステップを実施した後に、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を含み、
該バッファー層破壊ステップでは、
外径と、内径と、を指定したリング状の領域毎にレーザービームの照射条件を変更して、該光デバイスウエーハに対してレーザービームを照射することを特徴とする、リフトオフ方法。

【請求項2】

エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合材を介して移設基板に接合した複合基板におけるバッファー層にレーザービームを照射してバッファー層を破壊するレーザー加工装置であって、
複合基板の移設基板側を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持された複合基板のバッファー層にレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、
各構成要素を制御する制御ユニットと、を有し、
該制御ユニットは、
内径と、外径と、を指定することでレーザービームを照射する領域を複数のリング状の領域を有するように設定し、複数のリング状の領域毎に異なる該レーザービームの照射条件を設定する照射領域設定部を有することを特徴とする、レーザー加工装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、リフトオフ方法及びレーザー加工装置に関する。

【背景技術】

【0002】

エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合材を介して移設基板に接合し、光デバイスウエーハと移設基板とが接合材により接合されて構成された複合基板のバッファー層にレーザービームを照射して破壊し、光デバイス層をエピタキシー基板から移設基板に移設するリフトオフ方法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３－２２９３８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載された複合基板をレーザービームの照射で分離するリフトオフ方法において、複合基板は、光デバイスウエーハと移設基板等との貼り合わせに起因する反りを有している。

【0005】

このような複合基板に対してレーザービームを照射する場合、外周部と中央部とでレーザービームの照射のされ方（集光状態）が異なるため、外周部のみが先に剥離して中央部が剥離しない、またはその逆の現象が起きてしまい、所望の加工結果が得られないという問題がある。

【0006】

さらに、剥離していない領域の剥離を促進するために、複合基板全体に対してレーザービームを追加して照射すると、加工時間が長くなる上、既に剥離している箇所にダメージを与えてしまい品質低下を招くという問題が存在する。

【0007】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、所望の加工結果を得ることを可能としながらも品質低下を抑制することができるリフトオフ方法及びレーザー加工装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のリフトオフ方法は、エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合材を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合ステップと、該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊ステップと、該バッファー層破壊ステップを実施した後に、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を含み、該バッファー層破壊ステップでは、外径と、内径と、を指定したリング状の領域毎にレーザービームの照射条件を変更して、該光デバイスウエーハに対してレーザービームを照射することを特徴とする。

【0009】

本発明のレーザー加工装置は、エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合材を介して移設基板に接合した複合基板におけるバッファー層にレーザービームを照射してバッファー層を破壊するレーザー加工装置であって、複合基板の移設基板側を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された複合基板のバッファー層にレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、各構成要素を制御する制御ユニットと、を有し、該制御ユニットは、内径と、外径と、を指定することでレーザービームを照射する領域を複数のリング状の領域を有するように設定し、複数のリング状の領域毎に異なる該レーザービームの照射条件を設定する照射領域設定部を有することを特徴とする。

【発明の効果】

【0010】

本願発明は、所望の加工結果を得ることを可能としながらも品質低下を抑制することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施形態１に係るレーザー加工装置の構成例の要部を示す斜視図である。

【図2】図２は、図１に示されたレーザー加工装置の加工対象の複合基板を示す斜視図である。

【図3】図３は、図２に示された複合基板の要部の断面図である。

【図4】図４は、図２に示された複合基板を構成する光デバイスウエーハの斜視図である。

【図5】図５は、図４に示された光デバイスウエーハの要部の断面図である。

【図6】図６は、実施形態１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。

【図7】図７は、図５に示されたリフトオフ方法の移設基板接合ステップにおいて、光デバイスウエーハの光デバイス層と移設基板とを対向させた状態の斜視図である。

【図8】図８は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップを実施するレーザー加工装置の照射領域設定部に設定されたバッファー層のリング状の領域を示す平面図である。

【図9】図９は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップを模式的に示す側面図である。

【図10】図１０は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップのレーザービームの集光点の軌跡を示す平面図である。

【図11】図１１は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップのバッファー層の第１領域にレーザービームを照射した状態を示す平面図である。

【図12】図１２は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップのバッファー層の第２領域にレーザービームを照射した状態を示す平面図である。

【図13】図１３は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップのバッファー層の第３領域にレーザービームを照射した状態を示す平面図である。

【図14】図１４は、図６に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップを模式的に示す斜視図である。

【図15】図１５は、実施形態２に係るリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップを実施するレーザー加工装置の照射領域設定部に設定されたリング状の領域を示す平面図である。

【図16】図１６は、実施形態３に係るリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップの全体照射ステップ後の平面図である。

【図17】図１７は、実施形態３に係るリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップの領域照射ステップ後の平面図である。

【図18】図１８は、実施形態１、実施形態２及び実施形態３の変形例１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。

【図19】図１９は、実施形態１、実施形態２及び実施形態３の変形例２に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

【0013】

〔実施形態１〕
まず、本発明の実施形態１に係るレーザー加工装置を説明する。図１は、実施形態１に係るレーザー加工装置の構成例の要部を示す斜視図である。実施形態１に係る図１に示すレーザー加工装置１００は、図２及び図３に示された複合基板１のバッファー層６を破壊する装置である。

【0014】

（複合基板）
複合基板１を説明する。図２は、図１に示されたレーザー加工装置の加工対象の複合基板を示す斜視図である。図３は、図２に示された複合基板の要部の断面図である。図４は、図２に示された複合基板を構成する光デバイスウエーハの斜視図である。図５は、図４に示された光デバイスウエーハの要部の断面図である。なお、図４は、実施形態１の説明のため、光デバイス９を光デバイスウエーハ２に対して実際よりも大きく模式的に示している。

【0015】

複合基板１は、図２及び図３に示すように、光デバイスウエーハ２と、移設基板３とを備える。光デバイスウエーハ２は、図２、図３、図４及び図５に示すように、エピタキシー基板４を含む。光デバイスウエーハ２は、エピタキシー基板４の表面５にバッファー層６を介して光デバイス層７が積層されている。

【0016】

エピタキシー基板４は、実施形態１において、外径が１００ｍｍ程度で厚みが１．２ｍｍ～１．５ｍｍ程度の円板形状を有するサファイアからなる基板である。光デバイス層７は、実施形態１において、図５に示すように、エピタキシー基板４の表面５にエピタキシャル成長法によって合計６μｍ程度の厚さで形成されるｎ型窒化ガリウム半導体層７－１およびｐ型窒化ガリウム半導体層７－２を含む。光デバイス層７は、例えば、ＬＥＤとして使用されるものである。バッファー層６は、実施形態１において、エピタキシー基板４に光デバイス層７を積層する際に、エピタキシー基板４の表面５と光デバイス層７のｐ型窒化ガリウム半導体層７－２との間に形成される厚みが１μｍ程度の窒化ガリウム（ＧａＮ）から構成された層である。

【0017】

光デバイス層７は、実施形態１において、図４に示すように、格子状に交差した複数のストリート８によって区画された複数の領域に光デバイス９を形成している。光デバイス９同士の間隔、即ちストリート８の幅は、実施形態１において、５μｍ程度である。なお、エピタキシー基板４は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）ウエーハであってもよい。

【0018】

移設基板３は、外径がエピタキシー基板４の外径と等しい円板状に形成されている。移設基板３は、実施形態１において、厚みがエピタキシー基板４と同程度であり、シリコンから構成されるが、本発明では、シリコンに限定されずに、例えば、銅合金、モリブデン又はガラスなどで構成されても良い。

【0019】

移設基板３は、一方の面３－１に接着剤が接合されて接合材１０が積層される。接合材１０を構成する接着剤は、有機化合物を含んで構成されるもの、例えば、粘着テープに使用される糊が好適なものとして用いられる。接着剤は、加熱されることで軟化して粘性が低下し、さらに加熱するか、または紫外線を照射することで、硬化反応等の化学反応が起きて硬化して粘性がさらに低下する性質を有しても良い。また、接合材１０は、金、白金、クロム、インジウム、又はパラジウムなどの金属で構成されても良い。

【0020】

複合基板１は、移設基板３の一方の面３－１に積層された接合材１０が光デバイス９の光デバイス層７に接合されて構成される。即ち、複合基板１は、光デバイスウエーハ２の光デバイス層７を接合材１０を介して移設基板３に接合して構成されている。

【0021】

（レーザー加工装置）
レーザー加工装置１００は、複合基板１におけるバッファー層６にレーザービーム１２１を照射して、バッファー層６を破壊する装置である。レーザー加工装置１００は、図１に示すように、複合基板１の移設基板３側を保持する保持面１１１を備えたチャックテーブル１１０と、レーザービーム照射ユニット１２０と、図示しない移動ユニットと、撮像ユニット１３０と、制御ユニット１４０とを有する。

【0022】

チャックテーブル１１０は、複合基板１を保持面１１１で保持する。保持面１１１は、ポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続されている。チャックテーブル１１０は、保持面１１１上に載置された複合基板１を吸引保持する。実施形態１では、保持面１１１は、水平方向と平行な平面である。

【0023】

また、チャックテーブル１１０は、移動ユニットの回転移動ユニットにより保持面１１１に対して直交しかつ鉛直方向と平行なＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。チャックテーブル１１０は、回転移動ユニットとともに、移動ユニットのＸ軸移動ユニットにより水平方向と平行なＸ軸方向に移動されかつＹ軸移動ユニットにより水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動される。

【0024】

レーザービーム照射ユニット１２０は、チャックテーブル１１０に保持された複合基板１のバッファー層６に対してパルス状のレーザービーム１２１を照射するユニットである。実施形態１では、レーザービーム照射ユニット１２０は、複合基板１のエピタキシー基板４に対しては透過性を有し、バッファー層６に対しては吸収性を有する波長のパルス状のレーザービーム１２１を照射する。レーザービーム照射ユニット１２０の一部は、移動ユニットのＺ軸移動ユニットによりＺ軸方向に移動自在に支持されている。

【0025】

レーザービーム照射ユニット１２０は、エピタキシー基板４に対して透過性を有しかつバッファー層６に対して吸収性を有する波長のパルス状のレーザービーム１２１を発振するレーザービーム発振手段１２２（図９に示す）と、レーザービーム発振手段１２２から発振されたレーザービーム１２１の集光点１２３をバッファー層６に位置付けて、チャックテーブル１１０の保持面１１１に保持した複合基板１にレーザービーム１２１を照射する集光レンズ１２４と、レーザービーム発振手段１２２と集光レンズ１２４との間のレーザービーム１２１の光路上に設けられたミラー１２５とを含む。

【0026】

集光レンズ１２４は、チャックテーブル１１０の保持面１１１とＺ軸方向に対向する位置に配置され、レーザービーム発振手段１２２から発振されたレーザービーム１２１を透過して、レーザービーム１２１を集光点２１１に集光させる。

【0027】

ミラー１２５は、レーザービーム１２１を反射するものであって、実施形態１では、ガルバノミラー等で構成されレーザービーム１２１の反射角度を調整可能とされる。ミラー１２５は、レーザービーム１２１がバッファー層６の水平方向の任意の位置で集光レンズ１２４により集光されるように、レーザービーム１２１を走査可能である。実施形態１では、平面視において、ミラー１２５は、レーザービーム１２１の集光点１２３がエピタキシー基板４の最外周から中心に向けてスパイラル状の軌跡となるように、レーザービーム１２１を走査する。これにより、レーザービーム照射ユニット１２０は、バッファー層１３の全面にレーザービーム１２１を照射する。

【0028】

移動ユニットは、レーザービーム照射ユニット１２０とチャックテーブル１１０とをＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びＺ軸方向と平行な軸心回りに相対的に移動させるものである。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、保持面１１１と平行な方向である。移動ユニットは、チャックテーブル１１０をＸ軸方向に移動させる加工送りユニットであるＸ軸移動ユニットと、チャックテーブル１１０をＹ軸方向に移動させる割り出し送りユニットであるＹ軸移動ユニットと、レーザービーム照射ユニット１２０に含まれる集光レンズ１２４をＺ軸方向に移動させるＺ軸移動ユニットと、チャックテーブル１１０をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニットとを備える。

【0029】

また、レーザー加工装置１００は、チャックテーブル１１０のＸ軸方向の位置を検出するため図示しないＸ軸方向位置検出ユニットと、チャックテーブル１１０のＹ軸方向の位置を検出するための図示しないＹ軸方向位置検出ユニットと、レーザービーム照射ユニット１２０に含まれる集光レンズ１２４のＺ軸方向の位置を検出するＺ軸方向位置検出ユニットとを備える。各位置検出ユニットは、検出結果を制御ユニット１４０に出力する。

【0030】

撮像ユニット１３０は、チャックテーブル１１０に保持された複合基板１を撮像するものである。撮像ユニット１３０は、チャックテーブル１１０に保持された複合基板１を撮像するＣＣＤ（Charge Coupled Device）撮像素子又はＣＭＯＳ（Complementary MOS）撮像素子等の撮像素子を備える。実施形態１では、撮像ユニット１３０は、レーザービーム照射ユニット１２０の筐体の先端に取り付けられて、レーザービーム照射ユニット１２０の集光レンズ１２４とＸ軸方向に並ぶ位置に配置されている。撮像ユニット１３０は、複合基板１を撮像して、複合基板１とレーザービーム照射ユニット１２０との位置合わせを行うアライメントを遂行するための画像を得て、得た画像を制御ユニット１４０に出力する。

【0031】

制御ユニット１４０は、レーザー加工装置１００の上述した各構成要素をそれぞれ制御して、被加工物２００に対する加工動作をレーザー加工装置１００に実施させるものである。なお、制御ユニット１４０は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット１４０の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置１００を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置１００の上述した構成要素に出力する。

【0032】

また、制御ユニット１４０は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニット１４１と、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニット１４２とが接続されている。入力ユニット１４２は、表示ユニット１４１に設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。

【0033】

また、制御ユニット１４０は、照射領域設定部１４３を有する。照射領域設定部１４３は、複合基板１のバッファー層のリング状の領域２１（図８に例示する）毎に設定された照射条件を記憶するものである。照射領域設定部１４３は、入力ユニット１４２などから入力された内径２３と、外径２２とを受け付けると、内径２３と外径２２とで定められるバッファー層６のリング状の領域２１が設定される。照射領域設定部１４３は、入力ユニット１４２などから入力された照射条件と、リング状の領域２１の内径２３及び外径２２とを対応付けて記憶する。なお、実施形態１では、照射条件は、レーザービーム１２１の出力、インデックス、デフォーカスであるが、これらに限定されない。こうして、照射領域設定部１４３は、内径２３と、外径２２とを指定することでレーザービーム１２１を照射する領域として少なくとも１のリング状の領域２１を有するように設定するものである。なお、実施形態１では、照射領域設定部１４３の機能は、前述した記憶装置により実現される。

【0034】

次に、実施形態１に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図６は、実施形態１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。実施形態１に係るリフトオフ方法は、光デバイスウエーハ２の光デバイス層７をエピタキシー基板４から移設基板３に移し替える方法である。実施形態１に係るリフトオフ方法は、図６に示すように、移設基板接合ステップ１００１と、バッファー層破壊ステップ１００２と、光デバイス層移設ステップ１００３とを含む。

【0035】

（移設基板接合ステップ）
図７は、図５に示されたリフトオフ方法の移設基板接合ステップにおいて、光デバイスウエーハの光デバイス層と移設基板とを対向させた状態の斜視図である。移設基板接合ステップ１００１は、光デバイスウエーハ２の光デバイス層７の表面に接合材１０を介して移設基板３を接合して複合基板１を形成するステップである。

【0036】

移設基板接合ステップ１００１では、移設基板３の一方の面３－１に接着剤を塗布して、接合材１０を形成する。移設基板接合ステップ１００１では、図７に示すように、光デバイスウエーハ２の光デバイス層７と、移設基板３の一方の面３－１に形成された接合材１０とを対向させて、光デバイスウエーハ２と移設基板３とを互いに近づけ、光デバイス層７に接合材１０を接触させる。移設基板接合ステップ１００１では、光デバイスウエーハ２と移設基板３とを圧着して、接合材１０を介して光デバイス層７の表面に移設基板３を接合して、図２及び図３に示す複合基板１を形成する。

【0037】

（バッファー層破壊ステップ）
図８は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップを実施するレーザー加工装置の照射領域設定部に設定されたバッファー層のリング状の領域を示す平面図である。図９は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップを模式的に示す側面図である。図１０は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップのレーザービームの集光点の軌跡を示す平面図である。図１１は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップのバッファー層の第１領域にレーザービームを照射した状態を示す平面図である。図１２は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップのバッファー層の第２領域にレーザービームを照射した状態を示す平面図である。図１３は、図６に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップのバッファー層の第３領域にレーザービームを照射した状態を示す平面図である。

【0038】

バッファー層破壊ステップ１００２は、複合基板１を構成する光デバイスウエーハ２のエピタキシー基板４の表面５の裏側の裏面１１側からエピタキシー基板４に対しては透過性を有しバッファー層６に対しては吸収性を有する波長のパルス状のレーザービーム１２１を照射し、バッファー層６を破壊するステップである。

【0039】

バッファー層破壊ステップ１００２では、オペレータが入力ユニット１４２を操作するなどして加工内容情報を制御ユニット１４０に入力する。実施形態１において、加工内容情報として、複合基板１のバッファー層６全体に同じ照射条件でレーザービーム１２１を照射する全体照射ステップと、全体照射ステップ後に、バッファー層６の複数のリング状の領域２１に互いに異なる照射条件でレーザービーム１２１を照射する領域照射ステップを実施する情報が制御ユニット１４０に入力され、制御ユニット１４０が入力された情報を受け付けて、照射領域設定部１４３に記憶する。

【0040】

また、バッファー層破壊ステップ１００２では、加工内容情報を設定する際には、全体照射ステップの照射条件を制御ユニット１４０に入力し、制御ユニット１４０が照射条件を受け付けて、受け付けた照射条件を全体照射ステップと対応付けて照射領域設定部１４３に記憶する。実施形態１では、全体照射ステップの照射条件は、例えば、レーザービーム１２１の出力を３μＪ（マイクロジュール）以上でかつ１０μＪ以下とし、インデックスを１０μｍ（マイクロメータ）以上でかつ２０μｍ以下とし、デフォーカスを０ｍｍ以上でかつ２．０ｍｍ以下とする。

【0041】

また、バッファー層破壊ステップ１００２では、加工内容情報を設定する際には、領域照射ステップにおいて照射条件が異なるバッファー層６のリング状の各領域２１の情報である外径２２と内径２３と照射条件とを入力し、制御ユニット１４０がこれらを受け付けて、受け付けた外径２２と内径２３とで定められる領域２１と照射条件とを対応付けて照射領域設定部１４３に記憶する。

【0042】

実施形態１では、領域照射ステップの領域２１の情報として、図８に示すバッファー層６の外径２２（以下、符号２２－１で示す）と、バッファー層６の外径２２－１よりも小さい第１内径２３（内径に相当し、以下、２３－１と記す）とが入力され、制御ユニット１４０の照射領域設定部１４３に外径２２－１と第１内径２３－１とで囲まれるリング状の領域２１（以下、第１領域２１－１と記す）が設定される。実施形態１では、バッファー層６の外径２２－１は、例えば、１０１．６ｍｍであり、第１内径２３－１は、例えば、６７．８ｍｍである。

【0043】

オペレータが入力ユニット１４２を操作するなどして領域照射ステップの第１領域２１－１の照射条件を制御ユニット１４０に入力し、制御ユニット１４０が照射条件を受け付けて、受け付けた照射条件を第１領域２１－１の外径２２－１及び第１内径２３－１と対応付けて照射領域設定部１４３に記憶する。実施形態１では、第１領域２１－１の照射条件は、例えば、レーザービーム１２１の出力を２μＪ（マイクロジュール）以上でかつ８μＪ以下とし、インデックスを１０μｍ（マイクロメータ）以上でかつ２０μｍ以下とし、デフォーカスを０ｍｍ以上でかつ３．０ｍｍ以下とする。

【0044】

実施形態１では、領域照射ステップの領域２１の情報として、第１内径２３－１と等しい第２外径２２（外径に相当し、以下、符号２２－２で示す）と、第２外径２２－２よりも小さい第２内径２３（内径に相当し、以下、符号２３－２で示す）とが入力され、制御ユニット１４０の照射領域設定部１４３に第２外径２２－２と第２内径２３－２とで囲まれるリング状の領域２１（以下、第２領域２１－２と記す）が設定される。実施形態１では、第２外径２２－２は、例えば、６７．８ｍｍであり、第２内径２３－２は、３３．８ｍｍである。

【0045】

オペレータが入力ユニット１４２を操作するなどして領域照射ステップの第２領域２１－２の照射条件を制御ユニット１４０に入力し、制御ユニット１４０が照射条件を受け付けて、受け付けた照射条件を第２領域２１－２の第２外径２２－２及び第２内径２３－２と対応付けて照射領域設定部１４３に記憶する。実施形態１では、第２領域２１－２の照射条件は、例えば、レーザービーム１２１の出力を２μＪ（マイクロジュール）以上でかつ６μＪ以下とし、インデックスを１０μｍ（マイクロメータ）以上でかつ２０μｍ以下とし、デフォーカスを０ｍｍ以上でかつ３．０ｍｍ以下とする。

【0046】

実施形態１では、領域照射ステップの領域２１の情報として、第２内径２３－２と等しい第３外径２２（外径に相当し、以下、符号２２－３で示す）と、第３外径２２－３よりも小さい第３内径（内径に相当）とが入力され、制御ユニット１４０の照射領域設定部１４３に第３外径２２－３で囲まれる円形の領域２１（以下、第３領域２１－３と記す）が設定される。実施形態１では、第３外径２２－３は、例えば、３３．８ｍｍであり、第３内径は、０ｍｍである。なお、本明細書では、第３領域２１－３は、内径が零のリング状の領域でもある。

【0047】

オペレータが入力ユニット１４２を操作するなどして領域照射ステップの第３領域２１－３の照射条件を制御ユニット１４０に入力し、制御ユニット１４０が照射条件を受け付けて、受け付けた照射条件を第３領域２１－３の第３外径２２－３と対応付けて照射領域設定部１４３に記憶する。実施形態１では、第３領域２１－３の照射条件は、例えば、レーザービーム１２１の出力を１μＪ（マイクロジュール）以上でかつ５μＪ以下とし、インデックスを１０μｍ（マイクロメータ）以上でかつ２０μｍ以下とし、デフォーカスを０ｍｍ以上でかつ３．０ｍｍ以下とする。

【0048】

なお、実施形態１において、バッファー層破壊ステップ１００２の領域照射ステップの第１領域２１－１の照射条件よりも第２領域２１－２の照射条件が、レーザービームの出力などが低くされ、領域照射ステップの第２領域２１－２の照射条件よりも第３領域２１－３の照射条件が、レーザービームの出力などが低くされる。こうして、実施形態１では、バッファー層破壊ステップ１００２の領域照射ステップの内周側の領域２１－２，２１－３の照射条件は、外周側の領域２１－１，２１－２の照射条件よりもレーザービーム１２１の出力などが低くされる。

【0049】

バッファー層破壊ステップ１００２では、複合基板１の移設基板３側がチャックテーブル１１０の保持面１１１に載置され、制御ユニット１４０が真空吸引源を動作させて、レーザー加工装置１００が複合基板１の移設基板３をチャックテーブル１１０の保持面１１１に吸引保持する。バッファー層破壊ステップ１００２では、制御ユニット１４０が、チャックテーブル１１０に保持した集光点１２３を複合基板１のバッファー層６に設定して、レーザー加工装置１００が、図９に示すように、レーザービーム照射ユニット１２０からレーザービーム１２１をエピタキシー基板４の裏面１１側からバッファー層６に照射する。

【0050】

バッファー層破壊ステップ１００２では、制御ユニット１４０が、加工内容情報通りにレーザービーム１２１をバッファー層６に照射する。また、バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００は、全体照射ステップでは、図１０に示すように、制御ユニット１４０がミラー１２５を制御して最初に集光点１２３をエピタキシー基板４の最外周に位置付け、集光点１２３が最外周から中心に向かうスパイラル状の軌跡３０（図１０に示す）上を移動するように、設定された照射条件のレーザービーム１２１を走査する。

【0051】

バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００は、全体照射ステップ後、制御ユニット１４０がミラー１２５を制御して最初に集光点１２３をエピタキシー基板４の最外周に位置付け、集光点１２３がスパイラル状の軌跡３０上を移動するように、レーザービーム１２１を走査して、領域照射ステップを実施する。バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００は、領域照射ステップにおいて、図１１に平行斜線で示すバッファー層６の第１領域２１－１に照射領域設定部１４３に設定された第１領域２１－１の照射条件のレーザービーム１２１を走査して照射する。

【0052】

バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００は、領域照射ステップにおいて、バッファー層６の第１領域２１－１にレーザービーム１２１を照射した後に、図１２に網掛けで示すバッファー層６の第２領域２１－２に照射領域設定部１４３に設定された第２領域２１－２の照射条件のレーザービーム１２１を走査して照射する。バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００は、領域照射ステップにおいて、バッファー層６の第２領域２１－２にレーザービーム１２１を照射した後に、図１３にクロスハッチングで示すバッファー層６の第３領域２１－３に照射領域設定部１４３に設定された第３領域２１－３の照射条件のレーザービーム１２１を走査して照射する。

【0053】

このように、バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００は、全体照射ステップ後、集光点１２３がスパイラル状の軌跡３０上を移動するように、制御ユニット１４０がレーザービーム１２１を走査するとともに、レーザービーム１２１の走査中に照射領域設定部１４３に設定された各領域２１－１，２１－２，２１－３の照射条件となるように、レーザービーム１２１の照射条件を変更する。こうして、バッファー層破壊ステップ１００２では、外径２２－１，２２－２と内径２３－１，２３－２とを指定したリング状の領域２１－１，２１－２及び第３外径２２－３を指定した円形の第３領域２１－３毎にレーザービーム１２１の照射条件を変更して、光デバイスウエーハ２のバッファー層６に対してレーザービーム１２１を照射する。

【0054】

パルス状のレーザービーム１２１は、エピタキシー基板４に対しては透過性を有しバッファー層６に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームである。これにより、バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザービーム１２１が照射されたバッファー層６は、Ｇａ化合物が破壊され、Ｎ_２ガスからなる気泡とＧａからなるＧａ層とに分離される。バッファー層破壊ステップ１００２では、バッファー層６を破壊し、バッファー層６内に気泡を生成する。なお、気泡と、気泡以外の箇所は、エピタキシー基板４の裏面１１側から視認すると、色合い等が異なり、互いに区別することができる。

【0055】

（光デバイス層移設ステップ）
図１４は、図６に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップを模式的に示す斜視図である。光デバイス層移設ステップ１００３は、バッファー層破壊ステップ１００２を実施した後に、エピタキシー基板４を光デバイス層７から剥離して、光デバイス層７を移設基板３に移設するステップである。

【0056】

光デバイス層移設ステップ１００３では、図１４に示すように、複合基板１の移設基板３を移設装置１５０の保持テーブル１５１に保持し、複合基板１のエピタキシー基板４の裏面１１に超音波ホーン１５２を接触させる。光デバイス層移設ステップ１００３では、振動付与手段１５３を動作させて、振動付与手段１５３から超音波ホーン１５２に超音波振動を付与し、超音波ホーン１５２から複合基板１に超音波振動を付与する。これにより、光デバイス層移設ステップ１００３では、エピタキシー基板４が振動し、破壊されたバッファー層６を起点として、エピタキシー基板４が光デバイス層７から剥離する。光デバイス層移設ステップ１００３では、エピタキシー基板４を複合基板１から除去して、光デバイス層７を移設基板３に移設する。

【0057】

以上説明した実施形態１に係るリフトオフ方法は、外径２２－１，２２－２，２２－３と内径２３－１，２３－２を指定したリング状又は円形の領域２１－１，２１－２，２１－３毎に照射条件を設定する。したがって、反りを有する複合基板１に対して、外周部と中央部の照射条件を変更でき、それぞれ最適な集光状態や出力でレーザービーム１２１を照射する加工ができるため、加工時間の削減や品質不良の低減に貢献する。その結果、実施形態１に係るリフトオフ方法は、所望の加工結果を得ることを可能としながらも品質低下を抑制することができるという効果を奏する。

【0058】

〔実施形態２〕
実施形態２に係るレーザー加工装置及びリフトオフ方法を説明する。図１５は、実施形態２に係るリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップを実施するレーザー加工装置の照射領域設定部に設定されたリング状の領域を示す平面図である。なお、図１５は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0059】

実施形態２に係るリフトオフ方法は、バッファー層破壊ステップ１００２において、全体照射ステップを実施せずに、領域照射ステップのみを実施し、領域照射ステップの照射条件が異なること以外、実施形態１と同じである。実施形態２において、バッファー層破壊ステップ１００２において、加工内容情報として、バッファー層６の複数のリング状の領域２１に互いに異なる照射条件でレーザービームを照射する領域照射ステップを実施する情報が制御ユニット１４０に入力され、制御ユニット１４０が入力された情報を受け付けて、照射領域設定部１４３に記憶する。

【0060】

実施形態２では、バッファー層破壊ステップ１００２の領域照射ステップの領域２１の情報として、図１５に示すバッファー層６の外径２２－１と、バッファー層６の外径２２－１、第１内径２３－１及び第２内径２３－２よりも小さい第４内径２３（内径に相当し、以下、符号２３－４で示す）とが入力され、制御ユニット１４０の照射領域設定部１４３に外径２２－１と第４内径２３－４とで囲まれるリング状の領域２１（図１５に示し、以下、第４領域２１－４と記す）が設定される。実施形態１では、バッファー層６の外径２２－１は、例えば、１０１．６ｍｍであり、第４内径２３－４は、例えば、５．０ｍｍである。

【0061】

オペレータが入力ユニット１４２を操作するなどして領域照射ステップの第４領域２１－４の照射条件を制御ユニット１４０に入力し、制御ユニット１４０が照射条件を受け付けて、受け付けた照射条件を第４領域２１－４の外径２２－１及び第４内径２３－４と対応付けて照射領域設定部１４３に記憶する。実施形態２では、第４領域２１－４の照射条件は、例えば、レーザービーム１２１の出力を３μＪ以上でかつ１０μＪ以下とし、インデックスを１０μｍ以上でかつ２０μｍ以下とし、デフォーカスを０ｍｍ以上でかつ３．０ｍｍ以下とする。

【0062】

実施形態２では、バッファー層破壊ステップ１００２の領域照射ステップの領域２１の情報として、第４内径２３－４と等しい第５外径２２（外径に相当し、以下、２２－５で示す）と、第５外径２２－５よりも小さい第５内径（内径に相当）とが入力され、制御ユニット１４０の照射領域設定部１４３に第５外径２２－５で囲まれる円形の領域２１（以下、第５領域２１－５と記す）が設定される。実施形態１では、第５外径２２－５は、例えば、５．０ｍｍであり、第５内径は、０ｍｍである。なお、本明細書では、第５領域２１－５は、内径が零のリング状の領域でもある。

【0063】

オペレータが入力ユニット１４２を操作するなどして領域照射ステップの第５領域２１－５の照射条件を制御ユニット１４０に入力し、制御ユニット１４０が照射条件を受け付けて、受け付けた照射条件を第５領域２１－５の第５外径２２－５と対応付けて照射領域設定部１４３に記憶する。実施形態２では、第５領域２１－５の照射条件は、例えば、レーザービーム１２１の出力を１μＪ以上でかつ５μＪ以下とし、インデックスを１０μｍ以上でかつ２０μｍ以下とし、デフォーカスを０ｍｍ以上でかつ３．０ｍｍ以下とする。

【0064】

なお、実施形態２において、バッファー層破壊ステップ１００２の領域照射ステップの第４領域２１－４の照射条件よりも第５領域２１－５の照射条件が、レーザービーム１２１の出力などが低くされる。こうして、実施形態２では、バッファー層破壊ステップ１００２の領域照射ステップの内周側の第５領域２１－５の照射条件は、外周側の第４領域２１－４の照射条件よりもレーザービーム１２１の出力などが低くされる。

【0065】

バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００が複合基板１の移設基板３をチャックテーブル１１０の保持面１１１に吸引保持し、集光点１２３をバッファー層６に設定して、レーザー加工装置１００がレーザービーム１２１をバッファー層６に照射する。実施形態２において、バッファー層破壊ステップ１００２では、制御ユニット１４０がミラー１２５を制御して最初に集光点１２３をエピタキシー基板４の最外周に位置付け、集光点１２３がスパイラル状の軌跡３０上を移動するように、レーザービーム１２１を走査するとともに、レーザービーム１２１の走査中に照射領域設定部１４３に設定された各領域２１－４，２１－５の照射条件となるように、レーザービーム１２１の照射条件を変更する。

【0066】

実施形態２に係るリフトオフ方法は、外径２２－１，２２－５と内径２３－４を指定したリング状又は円形の領域２１－４，２１－５毎に照射条件を設定する。したがって、反りを有する複合基板１に対して、外周部と中央部の照射条件を変更でき、それぞれ最適な集光状態や出力でレーザービーム１２１を照射する加工ができるため、加工時間の削減や品質不良の低減に貢献する。その結果、実施形態２に係るリフトオフ方法は、実施形態１と同様に、所望の加工結果を得ることを可能としながらも品質低下を抑制することができるという効果を奏する。

【0067】

〔実施形態３〕
実施形態３に係るレーザー加工装置及びリフトオフ方法を説明する。図１６は、実施形態３に係るリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップの全体照射ステップ後の平面図である。図１７は、実施形態３に係るリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップの領域照射ステップ後の平面図である。なお、図１６及び図１７は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0068】

実施形態３に係るリフトオフ方法は、バッファー層破壊ステップ１００２において、領域照射ステップの照射条件が異なること以外、実施形態１と同じである。実施形態３において、バッファー層破壊ステップ１００２において、加工内容情報として、全体照射ステップを実施する情報と、領域照射ステップを実施する情報が制御ユニット１４０に入力され、制御ユニット１４０が入力された情報を受け付けて、照射領域設定部１４３に記憶する。

【0069】

実施形態３において、バッファー層破壊ステップ１００２では、オペレータが入力ユニット１４２を操作するなどして加工内容情報を設定する際には、全体照射ステップの照射条件を実施形態１と同様に制御ユニット１４０に入力し、制御ユニット１４０が照射条件を受け付けて、受け付けた照射条件を全体照射ステップと対応付けて照射領域設定部１４３に記憶する。

【0070】

実施形態３では、領域照射ステップの領域２１の情報として、バッファー層６の外径２２－１と、バッファー層６の外径２２－１よりも小さい第６内径２３（図１７に示し、内径に相当し、以下、符号２３－６で示す）とが入力され、制御ユニット１４０の照射領域設定部１４３に外径２２－１と第６内径２３－６とで囲まれるリング状の領域２１（以下、第６領域２１－６と記す）が設定される。また、実施形態３では、オペレータが入力ユニット１４２を操作するなどして領域照射ステップの第６領域２１－６の照射条件を制御ユニット１４０に入力し、制御ユニット１４０が照射条件を受け付けて、受け付けた照射条件を第６領域２１－６の外径２２－１及び第６内径２３－６と対応付けて照射領域設定部１４３に記憶する。なお、実施形態３において、バッファー層破壊ステップ１００２では、全体照射ステップを実施後に、領域照射ステップにおいて第６領域２１－６のみにレーザービーム１２１を照射するので、バッファー層６の内周側は、外周側よりも照射されるレーザービーム１２１の出力などが低くなる。

【0071】

バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００が複合基板１の移設基板３をチャックテーブル１１０の保持面１１１に吸引保持し、集光点１２３をバッファー層６に設定して、レーザー加工装置１００がレーザービーム１２１をバッファー層６に照射する。実施形態３において、バッファー層破壊ステップ１００２では、制御ユニット１４０がミラー１２５を制御して最初に集光点１２３をエピタキシー基板４の最外周に位置付け、集光点１２３がスパイラル状の軌跡３０上を移動するように、レーザービーム１２１を走査して、全体照射ステップの照射条件でバッファー層６全体に図１６に平行斜線で示すようにレーザービーム１２１を照射する。

【0072】

実施形態３において、バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００は、全体照射ステップ後、制御ユニット１４０がミラー１２５を制御して最初に集光点１２３をエピタキシー基板４の最外周に位置付け、集光点１２３がスパイラル状の軌跡３０上を移動するように、レーザービーム１２１を走査する。実施形態３において、バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００は、図１７に網かけで示すバッファー層６の第６領域２１－６に照射領域設定部１４３に設定された第６領域２１－６の照射条件のレーザービーム１２１を走査して照射する。実施形態３において、バッファー層破壊ステップ１００２では、レーザー加工装置１００が第６領域２１－６にレーザービーム１２１を照射すると、終了する。

【0073】

実施形態３に係るリフトオフ方法は、外径２２－１と第６内径２３－６を指定したリング状の第６領域２１－６の照射条件を設定する。したがって、反りを有する複合基板１に対して、外周部と中央部の照射条件を変更でき、それぞれ最適な集光状態や出力でレーザービーム１２１を照射する加工ができるため、加工時間の削減や品質不良の低減に貢献する。その結果、実施形態３に係るリフトオフ方法は、実施形態１と同様に、所望の加工結果を得ることを可能としながらも品質低下を抑制することができるという効果を奏する。

【0074】

（変形例１）
実施形態１、実施形態２及び実施形態３の変形例１に係るリフトオフ方法を説明する。図１８は、実施形態１、実施形態２及び実施形態３の変形例１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。なお、図１８は、実施形態１、実施形態２及び実施形態３と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0075】

変形例１に係るリフトオフ方法は、図１８に示すように、移設基板接合ステップ１００１、バッファー層破壊ステップ１００２と、光デバイス層移設ステップ１００３に加え、確認ステップ１００４と、再加工ステップ１００５とを含むこと以外、実施形態１、実施形態２及び実施形態３と同じである。

【0076】

確認ステップ１００４は、バッファー層破壊ステップ１００２の実施後、バッファー層破壊ステップ１００２において、エピタキシー基板４を光デバイス層７が剥離できる程度に破壊したか否かを確認するステップである。確認ステップ１００４では、撮像ユニット１３０でチャックテーブル１１０上の複合基板１を撮像し、複合基板１全体の画像を取得する。確認ステップ１００４では、取得した複合基板１全体の画像に基づいて、気泡を認識するなどして、エピタキシー基板４を光デバイス層７が剥離できる程度に破壊したか否かを確認する。

【0077】

確認ステップ１００４では、オペレータが表示ユニット１４１に表示された複合基板１全体の画像を視認して、エピタキシー基板４を光デバイス層７が剥離できる程度に破壊したか否かを確認しても良い。また、確認ステップ１００４では、制御ユニット１４０が、複合基板１全体の画像を予め設定された複数の領域に区画し、各領域の気泡を抽出し、各領域の気泡の面積の割合を算出する。確認ステップ１００４では、制御ユニット１４０が、算出した各領域の気泡の面積の割合が予め定められた所定値以上であるか否かを判定し、全ての領域の気泡の面積の割合が予め定められた所定値以上であると、エピタキシー基板４を光デバイス層７が剥離できる程度に破壊したと判定する。確認ステップ１００４では、制御ユニット１４０が、少なくとも一つの領域の気泡の面積の割合が予め定められた所定値未満であると、エピタキシー基板４を光デバイス層７が剥離できる程度に破壊していないと判定する。

【0078】

確認ステップ１００４では、エピタキシー基板４を光デバイス層７が剥離できる程度に破壊したと判定する（Ｙｅｓ）と、光デバイス層移設ステップ１００３に進み、エピタキシー基板４を光デバイス層７が剥離できる程度に破壊していないと判定する（Ｎｏ）と、再加工ステップ１００５に進む。

【0079】

再加工ステップ１００５は、確認ステップ１００４において、バッファー層６の破壊が不十分であると判定された領域に再度、レーザービーム１２１を照射するステップである。再加工ステップ１００５は、確認ステップ１００４において、オペレータが表示ユニット１４１に表示された複合基板１全体の画像を視認して確認した場合には、オペレータが入力ユニットを操作するなどして、レーザー加工装置１００が、バッファー層６の破壊が不十分であると判定された領域にレーザービーム１２１を照射する。また、再加工ステップ１００５では、制御ユニット１４０が表示ユニット１４１に表示された複合基板１全体の画像に基づいて確認した場合には、レーザー加工装置１００が、バッファー層６の破壊が不十分であると判定された領域である気泡の面積の割合が予め定められた所定値未満であった領域にレーザービーム１２１を照射する。

【0080】

変形例１に係るリフトオフ方法は、外径２２－１，２２－２，２２－３，２２－５と内径２３－１，２３－２，２３－４，２３－６を指定したリング状又は円形の領域２１－１，２１－２，２１－３，２１－４，２１－５，２１－６の照射条件を設定する。したがって、反りを有する複合基板１に対して、外周部と中央部の照射条件を変更でき、それぞれ最適な集光状態や出力でレーザービーム１２１を照射する加工ができるため、加工時間の削減や品質不良の低減に貢献する。その結果、変形例１に係るリフトオフ方法は、実施形態１と同様に、所望の加工結果を得ることを可能としながらも品質低下を抑制することができるという効果を奏する。

【0081】

また、変形例１に係るリフトオフ方法は、確認ステップ１００４と再加工ステップ１００５を含むので、バッファー層６の破壊が十分であるか否かを確認し、不十分である場合に再加工ステップ１００５を実施するので、バッファー層６を確実に十分に破壊でき、光デバイス層７を移設基板３に破損させることなく移設することができる。

【0082】

（変形例２）
実施形態１、実施形態２及び実施形態３の変形例２に係るリフトオフ方法を説明する。図１９は、実施形態１、実施形態２及び実施形態３の変形例２に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。なお、図１９は、実施形態１、実施形態２、及び実施形態３と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0083】

変形例２に係るリフトオフ方法は、図１９に示すように、移設基板接合ステップ１００１、バッファー層破壊ステップ１００２と、光デバイス層移設ステップ１００３に加え、光デバイス層移設ステップ１００３において、光デバイス層７を移設基板３に移設できなかった場合に実施する接合材除去ステップ１００７と、再移設ステップ１００８とを含むこと以外、実施形態１、実施形態２及び実施形態３と同じである。

【0084】

接合材除去ステップ１００７は、光デバイス層移設ステップ１００３において、複合基板１からエピタキシー基板４を除去できずに、光デバイス層７を移設基板３に移設できなかった（ステップ１００６：Ｎｏ）場合、エピタキシー基板４の外縁からはみ出した接合材１０によりエピタキシー基板４と移設基板３とが接合していると考えて、エピタキシー基板４の外縁からはみ出した接合材１０を除去するステップである。

【0085】

接合材除去ステップ１００７では、レーザー加工装置１００が、チャックテーブル１１０の保持面１１１に複合基板１の移設基板３を吸引保持し、オペレータにより入力された接合材除去ステップ１００７用の加工内容情報を受け付けて、照射領域設定部１４３に記憶し、設定する。変形例２において、接合材除去ステップ１００７で設定される加工内容情報として、リング状の領域にレーザービーム１２１を照射するリング状領域照射ステップを実施する情報が制御ユニット１４０に入力され、制御ユニット１４０が入力された情報を受け付けて、記憶する。

【0086】

接合材除去ステップ１００７では、オペレータが入力ユニット１４２を操作するなどして加工内容情報を設定する際には、リング状領域照射ステップの照射開始の位置を示すリング状の領域の外径と照射終了位置を示すリング状の領域の内径と照射条件とを入力し、制御ユニット１４０がこれらを受け付けて、受け付けた外径と内径とで定められるリング状の領域と照射条件とを対応付けて記憶する。

【0087】

変形例２では、リング状領域照射ステップのリング状の領域の情報として、バッファー層６の外径２２－１よりも若干大きな外径と、バッファー層６の外径２２－１がリング状の領域の内径として入力され、制御ユニット１４０の照射領域設定部１４３に外径と内径とで囲まれるリング状の領域が設定される。オペレータが入力ユニット１４２を操作するなどしてリング状領域照射ステップの照射条件を制御ユニット１４０に入力し、制御ユニット１４０が照射条件を受け付けて、受け付けた照射条件をリング状の領域と対応付けて記憶する。実施形態１では、リング状の領域の照射条件は、例えば、レーザービーム１２１の出力を５μＪ以上でかつ１０μＪ以下とし、インデックスを１０μｍ以上でかつ２０μｍ以下とし、デフォーカスを０ｍｍ以上でかつ１．０ｍｍ以下とする。

【0088】

接合材除去ステップ１００７では、制御ユニット１４０が、ミラー１２５を制御して最初に集光点１２３をリング状の領域の最外周に位置付け、集光点１２３が最外周からリング状の領域の内縁に向かうスパイラル状の軌跡上を移動するように、設定された照射条件のレーザービーム１２１を照射するリング状領域照射ステップを実施して、エピタキシー基板４の外縁からはみ出した接合材１０を除去する。

【0089】

接合材除去ステップ１００７実施後、再移設ステップ１００８を実施する。再移設ステップ１００８は、光デバイス層移設ステップ１００３と同様に、光デバイス層を移設するステップである。再移設ステップ１００８を実施後、リフトオフ方法を終了する。光デバイス層移設ステップ１００３において、複合基板１からエピタキシー基板４を除去でき、光デバイス層７を移設基板３に移設できた場合には、リフトオフ方法を終了する。

【0090】

なお、変形例２に係るリフトオフ方法は、変形例１と同様に、確認ステップ１００４と再加工ステップ１００５とを含んでも良い。

【0091】

変形例２に係るリフトオフ方法は、エピタキシー基板４の外縁からはみ出した接合材１０のみを加工することができるので、光デバイス層７に過度なダメージを与えることなく安定的な剥離を実現できるという効果を奏する。

【0092】

また、変形例２に係るリフトオフ方法は、接合材除去ステップ１００７と再移設ステップ１００８を含むので、光デバイス層７を移設基板３に破損させることなく移設することができる。

【0093】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。なお、前述した実施形態において、バッファー層破壊ステップ１００２では、バッファー層６の内周側が、外周側よりも照射されるレーザービーム１２１の出力などが低くされるが、本発明では、これに限定されずに、バッファー層６の内周側が、外周側よりも照射されるレーザービーム１２１の出力などが高くされても良い。

【0094】

また、本発明は、接合材１０がエピタキシー基板４の外縁からはみ出しているかを最初に目視等で確認し、接合材除去ステップ１００７を実施して、まずはみ出した接合材１０を除去してからバッファー層破壊ステップ１００２を実施してバッファー層６を破壊してもよい。

【符号の説明】

【0095】

１ 複合基板
２ 光デバイスウエーハ
３ 移設基板
４ エピタキシー基板
５ 表面
６ バッファー層
７ 光デバイス層
１０ 接合材
１１ 裏面
２１，２１－１，２１－２，２１－３，２１－４，２１－５，２１－６ 領域
２２，２２－１，２２－２，２２－３，２２－５ 外径
２３，２３－１，２３－２，２３－４，２３－６ 内径
１００ レーザー加工装置
１１０ チャックテーブル
１１１ 保持面
１２０ レーザービーム照射ユニット
１２１ パルス状のレーザービーム
１４０ 制御ユニット
１４３ 照射領域設定部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】