特許 7472274 スペックル低減のための一連のスタックされた共焦点パルスストレッチャ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-12

(45)【発行日】2024-04-22

(54)【発明の名称】スペックル低減のための一連のスタックされた共焦点パルスストレッチャ

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20240415BHJP

   H01S 3/10 20060101ALI20240415BHJP

   H01S 3/00 20060101ALI20240415BHJP

   G02B 17/06 20060101ALI20240415BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 505

G03F7/20 521

H01S3/10 Z

H01S3/00 A

G02B17/06

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2022518912

(86)(22)【出願日】2020-10-14

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-12-15

(86)【国際出願番号】 US2020055623

(87)【国際公開番号】W WO2021076658

(87)【国際公開日】2021-04-22

【審査請求日】2022-05-18

(31)【優先権主張番号】62/916,139

(32)【優先日】2019-10-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】513192029

【氏名又は名称】サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】メイソン，エリック，アンダース

(72)【発明者】

【氏名】ツァオ，ゾン チュアン

(72)【発明者】

【氏名】イエ，ホン

【審査官】植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】特開２０００－２２３３９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１８６０４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００７－５１１９０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００９－５３２８６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２７８４３１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｈ０１Ｓ ３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

レーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャであって、
２つ以上の凹面ミラーを備え、前記レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャと、
４つ以上の凹面ミラーを備え、前記第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャと、
４つ以上の凹面ミラーを備え、前記第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて前記出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャと、
前記第１ステージ光パルスストレッチャに対応し、前記レーザビームを受けて前記レーザビームの前記一部を前記第１ステージ光パルスストレッチャの前記２つ以上の凹面ミラーに向けるように構成された、第１のビームスプリッタと、
を備え、
前記第１のビームスプリッタは、前記第１ステージ光パルスストレッチャを平坦化するように及び前記レーザビームの前記一部が前記第１ステージ光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、前記２つ以上の凹面ミラーの曲率中心に対して位置決めされる、光パルスストレッチャ。

【請求項2】

前記第１ステージ光パルスストレッチャは、前記第１ステージ光パルスストレッチャの前記２つ以上の凹面ミラーを用いて前記レーザビームの前記一部を４回反射させることによって前記第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている、請求項１の光パルスストレッチャ。

【請求項3】

前記第２ステージ光パルスストレッチャは、前記第２ステージ光パルスストレッチャの前記４つ以上の凹面ミラーを用いて前記第１のパルスストレッチレーザビームの前記一部を１２回反射させることによって前記第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている、請求項１の光パルスストレッチャ。

【請求項4】

前記第２ステージ光パルスストレッチャに対応し、前記第１のパルスストレッチレーザビームを受けて前記第１のパルスストレッチレーザビームの前記一部を前記第２ステージ光パルスストレッチャの前記４つ以上の凹面ミラーに向けるように構成された、第２のビームスプリッタ
を更に備える、請求項１の光パルスストレッチャ。

【請求項5】

前記第３ステージ光パルスストレッチャに対応し、前記第２のパルスストレッチレーザビームを受けて前記第２のパルスストレッチレーザビームの前記一部を前記第３ステージ光パルスストレッチャの前記４つ以上の凹面ミラーに向けるように構成された、第３のビームスプリッタ
を更に備える、請求項４の光パルスストレッチャ。

【請求項6】

前記第３のビームスプリッタは、前記第３ステージ光パルスストレッチャを平坦化するように及び前記第２のパルスストレッチレーザビームの前記一部が前記第３ステージ光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、前記第３ステージ光パルスストレッチャの前記４つ以上の凹面ミラーの曲率中心に対して位置決めされる、請求項５の光パルスストレッチャ。

【請求項7】

前記第２のビームスプリッタは前記第２の光パルスストレッチャの前記４つ以上の凹面ミラーのうち第１対により近接して位置決めされ、
前記第２のビームスプリッタはＤ型ビームスプリッタであり、
前記第３のビームスプリッタは前記第３の光パルスストレッチャの前記４つ以上の凹面ミラーのうち第１対により近接して位置決めされ、
前記第３のビームスプリッタはＤ型ビームスプリッタである、
請求項５の光パルスストレッチャ。

【請求項8】

前記第１ステージ光パルスストレッチャによって受けられる前記レーザビームは直交ステージ光パルスストレッチャによって生成されるパルスストレッチレーザビームを備え、
前記直交ステージ光パルスストレッチャは、前記光パルスストレッチャの外部に、前記光パルスストレッチャに略垂直に位置決めされる、
請求項１の光パルスストレッチャ。

【請求項9】

レーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャ
を備えるレーザ源であって、前記光パルスストレッチャは、
２つ以上の凹面ミラーを備え、前記レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャと、
４つ以上の凹面ミラーを備え、前記第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャと、
４つ以上の凹面ミラーを備え、前記第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて前記出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャと、
前記第１ステージ光パルスストレッチャに対応し、前記レーザビームを受けて前記レーザビームの前記一部を前記第１ステージ光パルスストレッチャの前記２つ以上の凹面ミラーに向けるように構成された、第１のビームスプリッタと、
を備え、
前記第１のビームスプリッタは、前記第１ステージ光パルスストレッチャを平坦化するように及び前記レーザビームの前記一部が前記第１ステージ光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、前記２つ以上の凹面ミラーの曲率中心に対して位置決めされる、レーザ源。

【請求項10】

放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターニングデバイスによって前記放射ビームに付与されたパターンを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記照明システムはレーザ源を備えており、前記レーザ源はレーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャを備えており、前記光パルスストレッチャは、
第１の複数の共焦点共振器を備え、前記レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャと、
第２の複数の共焦点共振器を備え、前記第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャと、
第３の複数の共焦点共振器を備え、前記第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて前記出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャと、
前記第１ステージ光パルスストレッチャに対応し、前記レーザビームを受けて前記レーザビームの前記一部を前記第１ステージ光パルスストレッチャの前記第１の複数の共焦点共振器に向けるように構成された、第１のビームスプリッタと、
を備え、
前記第１のビームスプリッタは、前記第１ステージ光パルスストレッチャを平坦化するように及び前記レーザビームの前記一部が前記第１ステージ光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、前記第１の複数の共焦点共振器の曲率中心に対して位置決めされる、リソグラフィ装置。

【請求項11】

前記第１ステージ光パルスストレッチャは第１の光遅延を有し、
前記第２ステージ光パルスストレッチャは前記第１の光遅延に等しい又は前記第１の光遅延よりも大きい第２の光遅延を有し、
前記第３ステージ光パルスストレッチャは前記第２の光遅延に等しい又は前記第２の光遅延よりも大きい第３の光遅延を有する、
請求項１０のリソグラフィ装置。

【請求項12】

前記第１ステージ光パルスストレッチャは、前記レーザビームの前記一部を４回反射させることによって前記第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されており、
前記第２ステージ光パルスストレッチャは、前記第１のパルスストレッチレーザビームの前記一部を１２回反射させることによって前記第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されており、
前記第３ステージ光パルスストレッチャは、前記第２のパルスストレッチレーザビームの前記一部を１２回反射させることによって前記出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている、
請求項１０のリソグラフィ装置。

【請求項13】

前記レーザ源は、
前記レーザビームを前記光パルスストレッチャに向けるように構成された直交ステージ光パルスストレッチャであって、前記光パルスストレッチャの外部に、前記光パルスストレッチャに略垂直に位置決めされる、直交ステージ光パルスストレッチャ
を更に備える、請求項１０のリソグラフィ装置。

【請求項14】

前記直交ステージ光パルスストレッチャは４つの円形凹面ミラーを備える、請求項１３のリソグラフィ装置。

【請求項15】

レーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャであって、
前記光パルスストレッチャ内にスタックされた２つ以上の共焦点光パルスストレッチャを備えており、
前記２つ以上の共焦点光パルスストレッチャのうち第１の共焦点光パルスストレッチャは、前記レーザビームの一部を受けて前記レーザビームの前記一部を４回反射させることにより第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された第１の複数のミラーを備え、
前記２つ以上の共焦点光パルスストレッチャのうち第２の共焦点光パルスストレッチャは、前記第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて前記第１のパルスストレッチレーザビームの前記一部を１２回反射させることにより第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された第２の複数のミラーを備え、
前記光パルスストレッチャは、前記第１の共焦点光パルスストレッチャに対応し、前記レーザビームを受けて前記レーザビームの前記一部を前記第１の共焦点光パルスストレッチャの前記第１の複数のミラーに向けるように構成された、第１のビームスプリッタ、を更に備え、
前記第１のビームスプリッタは、前記第１の共焦点光パルスストレッチャを平坦化するように及び前記レーザビームの前記一部が前記第１の共焦点光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、前記第１の複数のミラーの曲率中心に対して位置決めされる、光パルスストレッチャ。

【請求項16】

第１の複数の共焦点共振器を備え、レーザビームを受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャと、
スタックされた共焦点光パルスストレッチャであって、
第２の複数の共焦点共振器を備え、前記第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャと、
第３の複数の共焦点共振器を備え、前記第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第３のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャと、
第４の複数の共焦点共振器を含み、前記第３のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて前記出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第４ステージ光パルスストレッチャと、
を備えるスタックされた共焦点パルスストレッチャと、
を備える、拡張された光パルスストレッチャであって、
前記第１ステージ光パルスストレッチャは、前記スタックされた共焦点パルスストレッチャに略垂直に位置決めされる、拡張された光パルスストレッチャ。

【請求項17】

前記第１ステージ光パルスストレッチャは第１の光遅延を有し、
前記第２ステージ光パルスストレッチャは前記第１の光遅延に等しい又は前記第１の光遅延よりも大きい第２の光遅延を有し、
前記第３ステージ光パルスストレッチャは前記第２の光遅延に等しい又は前記第２の光遅延よりも大きい第３の光遅延を有し、
前記第４ステージ光パルスストレッチャは前記第２の光遅延に等しい又は前記第２の光遅延よりも大きい第４の光遅延を有する、
請求項１６の拡張された光パルスストレッチャ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１９年１０月１６日に提出されたSERIES OF STACKED CONFOCAL PULSE STRETCHERS FOR SPECKLE REDUCTIONと題された米国出願第６２／９１６，１３９号の優先権を主張するものであり、同出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

[0002] 本開示は、例えばリソグラフィ装置において、例えばパルス光源として使用するために、本質的に同じドーズ量を送達しつつパルスのピークパワーを低減させるように高パワーガス放電レーザシステムのようなレーザ源の出力のパルスを長くするのに有用な、光パルスストレッチャに関する。

【背景技術】

【0003】

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、ターゲット部分を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

【0004】

[0004] 例えばパターニングデバイスを照明するための照明放射を生成するために、レーザ源がリソグラフィ装置と共に用いられ得る。レーザ源は、高パワーガス放電レーザシステムの出力のパルスを長くするための光パルスストレッチャを含み得る。しかしながら、既存の技術は、十分なパルスストレッチングを十分な光効率で提供できず、レーザ源の利用可能なボリュームにも収まらない可能性がある。

【発明の概要】

【0005】

[0005] 本開示においては、非常に長いパルスストレッチング並びに利用可能なレーザボリュームに収まる能力を実現するように設計された、スタックされた共焦点パルスストレッチャの実施形態が説明される。

【0006】

[0006] 本開示の一態様は、レーザビームを受けるように及び出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャを提供する。光パルスストレッチャは、２つ以上のミラーを含み、レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャは更に、４つ以上のミラーを含み、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャは、４つ以上のミラーを含み、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャも含む。

【0007】

[0007] いくつかの実施形態においては、第１ステージ光パルスストレッチャの２つ以上のミラー、第２ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラー、及び第３ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーは、凹面ミラーを含む。

【0008】

[0008] いくつかの実施形態においては、第１ステージ光パルスストレッチャの２つのミラー、第２ステージ光パルスストレッチャの４つのミラー、及び第３ステージ光パルスストレッチャの４つのミラーは、矩形凹面ミラーを含む。

【0009】

[0009] いくつかの実施形態においては、第１ステージ光パルスストレッチャは、第１ステージ光パルスストレッチャの２つ以上のミラーを用いてレーザビームの一部を４回反射させることによって第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている。また、いくつかの実施形態においては、第２ステージ光パルスストレッチャは、第２ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーを用いて第１のパルスストレッチレーザビームの一部を１２回反射させることによって第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている。さらに、いくつかの実施形態においては、第３ステージ光パルスストレッチャは、第３ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーを用いて第２のパルスストレッチレーザビームの一部を１２回反射させることによって出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている。

【0010】

[0010] いくつかの実施形態においては、光パルスストレッチャは更に、第１ステージ光パルスストレッチャに対応し、レーザビームを受けてそのレーザビームの一部を第１ステージ光パルスストレッチャの２つ以上のミラーに向けるように構成された、第１のビームスプリッタを含む。いくつかの実施形態においては、第１のビームスプリッタは第１の光パルスストレッチャの２つ以上のミラーのうち第１のミラーにより近接して位置決めされ得ると共に、第１のビームスプリッタはＤ型ビームスプリッタであり得る。いくつかの実施形態においては、第１のビームスプリッタは、第１ステージ光パルスストレッチャを平坦化（flatten）するように及びレーザビームの一部が第１ステージ光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、２つ以上のミラーの曲率中心に対して位置決めされる。

【0011】

[0011] いくつかの実施形態においては、光パルスストレッチャは更に、第２ステージ光パルスストレッチャに対応し、第１のパルスストレッチレーザビームを受けてその第１のパルスストレッチレーザビームの一部を第２ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーに向けるように構成された、第２のビームスプリッタを含む。いくつかの実施形態によれば、第２のビームスプリッタは、第２ステージ光パルスストレッチャを平坦化するように及び第１のパルスストレッチレーザビームの一部が第２ステージ光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、４つ以上のミラーの曲率中心に対して位置決めされる。

【0012】

[0012] いくつかの実施形態においては、光パルスストレッチャは更に、第３ステージ光パルスストレッチャに対応し、第２のパルスストレッチレーザビームを受けてその第２のパルスストレッチレーザビームの一部を第３ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーに向けるように構成された、第３のビームスプリッタを含み得る。いくつかの実施形態においては、第３のビームスプリッタは、第３ステージ光パルスストレッチャを平坦化するように及び第２のパルスストレッチレーザビームの一部が第３ステージ光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、４つ以上のミラーの曲率中心に対して位置決めされる。

【0013】

[0013] いくつかの実施形態においては、第２のビームスプリッタは第２の光パルスストレッチャの４つ以上のミラーのうち第１対により近接して位置決めされ得ると共に、第２のビームスプリッタはＤ型ビームスプリッタであり得る。いくつかの実施形態においては、第３のビームスプリッタは第３の光パルスストレッチャの４つ以上のミラーのうち第１対により近接して位置決めされ得ると共に、第３のビームスプリッタはＤ型ビームスプリッタであり得る。

【0014】

[0014] いくつかの実施形態においては、第１ステージ光パルスストレッチャによって受けられるレーザビームは直交ステージ光パルスストレッチャによって生成されるパルスストレッチレーザビームであり、直交ステージ光パルスストレッチャは、光パルスストレッチャの外部に、光パルスストレッチャに垂直又は略垂直に位置決めされる。いくつかの実施形態においては、直交ステージ光パルスストレッチャは、レーザビームの一部を４回反射させるように構成されている。

【0015】

[0015] 本開示の別の一態様は、レーザ源を提供する。レーザ源は、レーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャは、２つのミラーを含み、レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャは更に、４つ以上のミラーを含み、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャは、４つ以上のミラーを含み、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャも含む。

【0016】

[0016] 本開示の別の一態様は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターニングデバイスにより放射ビームに付与されたパターンを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置を提供する。照明システムはレーザ源を含む。レーザ源は、レーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャは、第１の複数の共焦点共振器を含み、レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャは更に、第２の複数の共焦点共振器を含み、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャは更に、第３の複数の共焦点共振器を含み、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャを含む。

【0017】

[0017] いくつかの実施形態においては、第１ステージ光パルスストレッチャは第１の光遅延を有する。第２ステージ光パルスストレッチャは第１の光遅延に等しい又は第１の光遅延よりも大きい第２の光遅延を有する。第３ステージ光パルスストレッチャは第２の光遅延に等しい又は第２の光遅延よりも大きい第３の光遅延を有する。

【0018】

[0018] 本開示の別の一態様は、レーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャを提供する。光パルスストレッチャは、光パルスストレッチャ内にスタックされた２つ以上の共焦点光パルスストレッチャを含む。２つ以上の共焦点光パルスストレッチャのうち第１の共焦点光パルスストレッチャは、レーザビームの一部を受けてそのレーザビームの一部を４回反射させることにより第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている。２つ以上の共焦点光パルスストレッチャのうち第２の共焦点光パルスストレッチャは、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けてその第１のパルスストレッチレーザビームの一部を１２回反射させることにより第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている。

【0019】

[0019] 本開示の別の一態様は、拡張された（extended）光パルスストレッチャを提供する。拡張された光パルスストレッチャは、第１の複数の共焦点共振器を含み、レーザビームを受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャを含む。拡張された光パルスストレッチャは更に、スタックされた共焦点パルスストレッチャを含む。スタックされた共焦点パルスストレッチャは、第２の複数の共焦点共振器を含み、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャを含む。スタックされた共焦点パルスストレッチャは、第３の複数の共焦点共振器を含み、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第３のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャを含む。スタックされた共焦点パルスストレッチャは、第４の複数の共焦点共振器を含み、第３のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第４ステージ光パルスストレッチャを含む。第１ステージ光パルスストレッチャは、スタックされた共焦点パルスストレッチャに垂直又は略垂直に位置決めされる。

【0020】

[0020] いくつかの実施形態においては、第１ステージ光パルスストレッチャは第１の光遅延を有する。第２ステージ光パルスストレッチャは第１の光遅延に等しい又は第１の光遅延よりも大きい第２の光遅延を有する。第３ステージ光パルスストレッチャは第２の光遅延に等しい又は第２の光遅延よりも大きい第３の光遅延を有する。第４ステージ光パルスストレッチャは第２の光遅延に等しい又は第２の光遅延よりも大きい第４の光遅延を有する。

【0021】

[0021] 本開示の別の一態様は、レーザビームを生成するため及びそのレーザビームを光パルスストレッチャを通じて方向付けるための方法を提供する。光パルスストレッチャは、第１の複数の共焦点共振器を含み、レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャは更に、第２の複数の共焦点共振器を含み、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャは、第３の複数の共焦点共振器を含み、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャも含む。

【0022】

[0022] 更なる特徴、並びに様々な実施形態の構造及び動作は、添付の図面を参照して、以下で詳細に説明する。なお、本開示は、本明細書中に説明される具体的な実施形態に限定されない。そのような実施形態は、例示のみを目的として本明細書中に提示される。当業者には、本明細書に含まれる教示に基づいて、追加的な実施形態が明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

【0023】

[0023] 本明細書に組み込まれその一部を形成する添付の図面は、本開示を図示すると共に、更に、明細書と合わせて本開示の実施形態の原理を説明し、当業者が本開示の実施形態を作成して使用することを可能にする働きをする。

【0024】

【図1】[0024] 例示的な実施形態に係る反射型リソグラフィ装置の概略図である。

【図2】[0025] 例示的な実施形態に係る透過型リソグラフィ装置の概略図である。

【図3】[0026] 例示的な実施形態に係るリソグラフィセルの概略図である。

【図4】[0027] 本開示のいくつかの実施形態に係る拡張された光パルスストレッチャを有するレーザ源の概略を図示する。

【図5A】[0028] 本開示のいくつかの実施形態に係る第１の光パルスストレッチャ及び第２の光パルスストレッチャを有する拡張された光パルスストレッチャの正面視の概略を図示する。

【図5B】[0029] 本開示のいくつかの実施形態に係る第２の光パルスストレッチャの上面視の概略を図示する。

【図5C】[0030] 本開示のいくつかの実施形態に係る第１の光パルスストレッチャ及び第２の光パルスストレッチャを有する拡張された光パルスストレッチャの側面視の概略を図示する。

【図6A】[0031] 本開示のいくつかの実施形態に係る第２の光パルスストレッチャにおけるレーザビームの経路の一部の概略図を図示する。

【図6B】[0032] 本開示のいくつかの実施形態に係る第２の光パルスストレッチャにおけるレーザビームの経路の一部及び第２の光パルスストレッチャにおいて用いられるミラーの一部の概略図を図示する。

【図7A】[0033] 本開示のいくつかの実施形態に係る第２の光パルスストレッチャの第１ステージの概略上面図を図示する。

【図7B】[0034] 本開示のいくつかの実施形態に係る第２の光パルスストレッチャの第２又は第３ステージの概略上面図を図示する。

【図8】[0035] 本開示のいくつかの実施形態に係る第１の光パルスストレッチャにおけるレーザビームの経路の一部の概略図を図示する。

【0025】

[0036] 本開示の特徴は、図面と併せて捉えたときに、以下に記載された詳細な説明からより明らかになるであろう。全図を通じて、同じ参照符号は対応する要素を識別する。図面では、別途示されない限り、同じ参照番号は一般に同一、機能的に類似、及び／又は構造的に類似の要素を示す。さらに、一般に、参照番号の左端の桁は、その参照番号が最初に現れる図面を識別する。別途示されない限り、本開示を通じて提供される図面は、縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

【発明を実施するための形態】

【0026】

[0037] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される１つ又は複数の実施形態は本発明を例示しているに過ぎない。本開示の範囲は開示される１つ又は複数の実施形態に限定されない。本開示の幅及び範囲は、添付の特許請求の範囲及びその均等物によって定義される。

【0027】

[0038] 記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。

【0028】

[0039] 「下（beneath）」、「下（below）」、「下（lower）」、「上（above）」、「上（on）」、「上（upper）」などのような空間的に相対的な用語は、図に示すように、ある要素又は機能と別の１つ又は複数の要素又は１つ又は複数の機能との関係を説明するのを容易にするために、本明細書で使用され得る。空間的に相対的な用語は、図に示されている方向に加えて、使用中又は動作中のデバイスの様々な方向を包含することを意図している。装置は、他の方法で方向付けられてもよく（９０度又は他の方向に回転されてもよい）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述語は、同様にそれに応じて解釈され得る。

【0029】

[0040] 本明細書で使用される「約」という語は、特定の技術に基づいて変化し得る所与の量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」という語は、例えばその値の１０～３０％（例えば、その値の±１０％、±２０％、又は±３０％）の範囲内で変化する所与の量の値を示す可能性がある。

【0030】

[0041] このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。

【0031】

[0042] 例示的なリソグラフィシステム
[0043] 図１及び図２は、それぞれ本開示の実施形態が実装され得るリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’はそれぞれ以下の、放射ビームＢ（例えば深紫外（ＤＵＶ）放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成されるとともに、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成されるとともに、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴとを備える。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。

【0032】

[0044] 照明システムＩＬは、放射ビームＢを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

【0033】

[0045] 支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置１００及び１００’のうちの少なくとも１つの設計等の条件、及びパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、フレーム又はテーブルでもよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。センサを使用することにより、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば、投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにできる。

【0034】

[0046] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成する等のために放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用され得る何らかのデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応する可能性がある。

【0035】

[0047] パターニングデバイスＭＡは、（図２のリソグラフィ装置１００’におけるように）透過型であっても、（図１のリソグラフィ装置１００におけるように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、又はプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、又はハーフトーン型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、それぞれが入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜され得る小さいミラーのマトリクス配列を採用する。傾斜されたミラーは、小さいミラーのマトリクスにより反射される放射ビームＢにパターンを付与する。

【0036】

[0048] 本明細書で使用される「投影システム」ＰＳという用語は、用いられる露光放射、又は基板Ｗ上での液浸液の使用もしくは真空の使用といった他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、及び静電光学システム、又はこれらの任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを包含することができる。

【0037】

[0049] リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってよい。このような「マルチステージ」マシンにおいては、追加の基板テーブルＷＴが並行して使用されるか、あるいは１つ以上の基板テーブルＷＴが露光に使用されている間に、１つ以上の他のテーブルで準備工程が実行されてよい。ある状況では、追加のテーブルは基板テーブルＷＴでなくてもよい。

【0038】

[0050] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野でよく知られている。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。

【0039】

[0051] 図１及び図２を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’とは別個の物理的実体であってよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を構成するとは見なされず、放射ビームＢは放射源ＳＯから、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤ（図２）を介してイルミネータＩＬへ通過する。他の場合、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００、１００’の一体部分であってよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビームデリバリシステムＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと呼ばれることがある。

【0040】

[0052] イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（図２）を備えてよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ「σ-outer」及び「σ-inner」と呼ばれる）を調整することができる。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネント（図２）を備えてもよい。イルミネータＩＬは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームＢを調節するのに使用することができる。

【0041】

[0053] 図１を参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後に、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けによって、基板テーブルＷＴを（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。

【0042】

[0054] 図２を参照すると、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。マスクＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームを合焦させる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役な瞳ＰＰＵを有する。放射の一部は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から生じ、マスクパターンにおいて回折の影響を受けることなくマスクパターンを横切り、照明システム瞳ＩＰＵにおいて強度分布の像を作り出す。

【0043】

[0055] 投影システムＰＳは、マスクパターンＭＰの像ＭＰ’を投影する。像ＭＰ’は、強度分布からの放射によりマークパターンＭＰから生成された回折ビームによって、基板Ｗ上に被覆されたフォトレジスト層上に形成される。例えば、マスクパターンＭＰには、ラインとスペースのアレイが含まれてよい。アレイでの放射回折でゼロ次回折でないものからは、ラインと垂直な方向に方向が変わった誘導回折ビームが生成される。非回折ビーム（すなわち、いわゆるゼロ次回折ビーム）は、伝搬方向が変化することなくパターンを横断する。ゼロ次回折ビームは、投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵの上流にある投影システムＰＳの上部レンズ又は上部レンズグループを横断して、共役な瞳ＰＰＵに到達する。ゼロ次回折ビームに関連する共役な瞳ＰＰＵの面における強度分布の部分が、照明システムＩＬの照明システム瞳ＩＰＵの強度分布の像である。開口デバイスＰＤは、例えば投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵを含む平面に又は概ね平面に配置される。

【0044】

[0056] 投影システムＰＳは、レンズ又はレンズグループＬによって、ゼロ次回折ビームばかりでなく１次又は１次以上の回折ビーム（図示しない）をもキャプチャするように配置される。いくつかの実施形態においては、ラインに垂直な方向に延伸するラインパターンを結像するための二重極照明を使用して、二重極照明の高解像度化効果を利用することができる。例えば、１次回折ビームは、対応するゼロ次回折ビームとウェーハＷのレベルで干渉して、可能な最高解像度及びプロセスウィンドウ（すなわち、許容可能な露光ドーズ偏差と組み合わせた使用可能な焦点深度）でラインパターンＭＰの画像を作り出す。

【0045】

[0057] 第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、（例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、（例えばマスクライブラリの機械的な取り出し後又はスキャン中に）第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図２に図示せず）とを使用して、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。

【0046】

[0058] 一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。（図示のような）基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

【0047】

[0059] マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバＶ内にあってよい。真空内ロボットＩＶＲを用いて、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバ内及び外に移動させることができる。代替的に、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外側にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、様々な輸送作業のために真空外ロボットを用いることができる。真空内及び真空外ロボットは、共に中継ステーションの固定されたキネマティックマウントへの任意のペイロード（例えばマスク）のスムーズな移動のために較正される必要がある。

【0048】

[0060] リソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

【0049】

[0061] １．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、実質的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。

【0050】

[0062] ２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。

【0051】

[0063] ３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス放射源ＳＯを使用することができ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

【0052】

[0064] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

【0053】

[0065] 例示的なリソグラフィセル
[0066] 図３は、リソセル又はクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセル３００を示している。リソグラフィ装置１００又は１００’はリソグラフィセル３００の一部を構成することがある。また、リソグラフィセル３００は、基板に露光前プロセス及び露光後プロセスを実行する１つ以上の装置を含んでよい。従来から、これらにはレジスト層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光したレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラ、すなわちロボットＲＯが、入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を取り出し、それらを様々なプロセス装置間で移動させ、リソグラフィ装置１００又は１００’のローディングベイＬＢに引き渡す。これらのデバイスは、まとめてトラックと呼ばれることも多く、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳによって制御され、ＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。従って、これらの様々な装置はスループット及び処理効率を最大化するように動作させることができる。

【0054】

[0067] 例示的な一連のスタックされた共焦点パルスストレッチャ
[0068] いくつかの実施形態によれば、レーザ源のために、一連のスタックされた光パルスストレッチャを含む１つ以上の拡張された光パルスストレッチャが提供される。いくつかの実施形態によれば、レーザ源は、リソグラフィ装置１００又は１００’の放射源ＳＯの一部として又は放射源ＳＯに加えて用いることができる。追加的又は代替的には、レーザ源は、リソグラフィ装置１００もしくは１００’又は他のＤＵＶリソグラフィ装置において用いられるＤＵＶ放射を生成する際に用いることができる。

【0055】

[0069] いくつかの実施形態によれば、レーザ源は、ガス放電レーザ光源、例えばＫｒＦ又はＡｒＦ又は分子フッ素ガス放電レーザであり得る。いくつかの例においては、本開示の一連のスタックされた光パルスストレッチャを含む拡張された光パルスストレッチャは長い光遅延を有し得るが、既存のレーザフレームに取り付けられるか又はビームデリバリユニット内に含まれると共に例えば製造設備のクリーンルームサブフロアルームに収まるように、実用的な物理的長さを有するように制約され得る。いくつかの実施形態によれば、本開示の拡張された光パルスストレッチャは、光回路構成毎に４回の反射、４回の反射、１２回の反射、及び１２回の反射を生じるように組み合わせた共焦点パルスストレッチャを組み合わせる。いくつかの実施形態によれば、異なるミラー間隔及び遅延パス長（例えば４回反射及び１２回反射の遅延長）の組み合わせを含むことは、非常に長いパルスストレッチング、長い光遅延、及び最小の効率損失をもたらし得る。本開示の実施形態は更に、システムを位置合わせするのに必要な調整の数を最小化することができると共に、かなりの量のミスアライメントを許容し得る。いくつかの実施形態によれば、本開示の拡張された光パルスストレッチャは、異なる光回路において異なるミラーの組み合わせを用いて４回の反射、４回の反射、１２回の反射、及び１２回の反射を生じることができるが、他の実施形態においては他の数の反射が利用されてもよい。追加的又は代替的には、本開示の拡張された光パルスストレッチャにおいては、ビームが同じ平面内で（例えばフロアに平行に）伝搬することを可能にするように回路の各々を「平坦化」するべく、１つ以上のビームスプリッタがミラーの曲率中心に対して位置決めされる。追加的又は代替的には、個々のミラーの曲率及び大きさは、パルスストレッチャがレーザシステム内の割り当てられた場所に適切に収まることを可能にするべく上側のビームスプリッタがエキシマレーザキャビティの後に設置されることを可能にするように、ミラーの列のうち１つに近接して１つ以上のビームスプリッタを位置決めするように設計され得る。

【0056】

[0070] いくつかの実施形態によれば、本開示の拡張された光パルスストレッチャは窒素パージ環境において実装され得る。代替的には、本開示の拡張された光パルスストレッチャは真空環境において実装され得る。

【0057】

[0071] 図４は、本開示のいくつかの実施形態による、拡張された光パルスストレッチャ４０１を有するレーザ源４００の概略を図示している。いくつかの実施形態においては、レーザ源４００は、リソグラフィ装置１００又は１００’の放射源ＳＯの一部として又は放射源ＳＯに加えて用いることができる。追加的又は代替的には、レーザ源４００は、図２の放射源ＳＯにおいて用いられるレーザを提供し得る。追加的又は代替的には、レーザ源４００は、リソグラフィ装置１００もしくは１００’又は他のＤＵＶリソグラフィ装置において用いられるＤＵＶ放射を生成する際に用いることができる。

【0058】

[0072] 図４に図示されているように、レーザ源４００はデュアルチャンバレーザ源を含み得る。例えば、レーザ源４００は、第１のレーザチャンバ４０３ａ及び第２のレーザチャンバ４０３ｂを含み得る。例示的な一実施形態においては、第１のレーザチャンバ４０３ａはマスタ発振器（master oscillator）を含み得るか又はマスタ発振器の一部であり得る。例えば、レーザ源４００はマスタ発振器を含むことが可能で、マスタ放射源（master source）は第１のレーザチャンバ４０３ａを含む。本例においては、第２のレーザチャンバ４０３ｂはパワー増幅器を含み得るか又はパワー増幅器の一部であり得る。例えば、レーザ源はパワー増幅器を含むことが可能で、パワー増幅器は第２のレーザチャンバ４０３ｂを含む。いくつかの実施形態はデュアルチャンバレーザ源に関して述べられるが、本開示の実施形態はこれらの例に限定されない。本開示の実施形態は、１つのチャンバを有するレーザ源又は複数のレーザチャンバを有するレーザ源に適用することができる。

【0059】

[0073] いくつかの実施形態によれば、第１のチャンバ４０３ａは第１のレーザビーム４０９を生成し、これは第２のレーザチャンバ４０３ｂに渡され、そこで第１のレーザビーム４０９は増幅されて第２のレーザビーム４１１を生じる。第２のレーザビーム４１１は拡張された光パルスストレッチャ４０１に入力され、そこで第２のレーザビーム４１１のコピーが遅延及び再結合されてスペックルを低減させる。第３のレーザビーム４１３が拡張された光パルスストレッチャからリソグラフィ装置（例えばリソグラフィ装置１００及び／又は１１０’）に出力される。

【0060】

[0074] いくつかの実施形態によれば、各レーザチャンバ４０３ａ及び４０３ｂはガスの混合物を含む。例えば、エキシマレーザ源においては、第１のレーザチャンバ４０３ａ及び第２のレーザチャンバ４０３ｂは、ハロゲン、例えばフッ素を、アルゴン、ネオンなどの他のガス、そして事によると他のものと共に、合計で全圧になる様々な分圧で含み得る。レーザチャンバ４０３ａ及び４０３ｂは、レーザビームの生成及び増幅において用いられる他のガスを含み得る。追加的又は代替的には、レーザチャンバ４０３ａ及び４０３ｂは、同じ又は異なるガスの混合物を含み得る。

【0061】

[0075] いくつかの実施形態においては、レーザ源４００は、ガス源（例えばガス容器）４２０ａ及び４２０ｂを含み得る（又はこれらに連結され得る）。例えば、ガス源４２０ａは、第１のレーザビーム４０９を生成するために用いられるガス混合物を提供するように第１のレーザチャンバ４０３ａに連結され得る。そして、ガス源４２０ｂは、第２のレーザビーム４１１を生成するために用いられるガス混合物を提供するように第２のレーザチャンバ４０３ｂに連結され得る。いくつかの例においては、ガス源４２０ａ及び４２０ｂは、それぞれバルブ（図示しない）を通じてレーザチャンバ４０３ａ及び４０３ｂに連結され得る。ガス源４２０ａ及び４２０ｂからレーザチャンバ４０３ａ及び４０３ｂにガスを送るためのバルブを制御するために制御システム（図示しない）が用いられてもよい。

【0062】

[0076] いくつかの実施形態においては、ガス源４２０ａは、フッ素、アルゴン、及びネオンを含むがこれらに限定されないガスの混合物を含み得る。いくつかの実施形態によれば、ガス源４２０ｂは、アルゴン、ネオン、及び／又は他のガスの混合物を含み得るが、フッ素は含まない。もっとも、ガス源４２０ａ及び４２０ｂにおいては他のガス混合物が用いられてもよい。

【0063】

[0077] いくつかの実施形態によれば、及び上述したように、拡張された光パルスストレッチャ４０１は、第２のレーザビーム４１１を受けると共に第２のレーザビーム４１１のコピーを遅延及び再結合してスペックルを低減させるように構成されている。いくつかの例においては、コヒーレント光の干渉によって生成される明るい点と暗い点との強度パターンを用いてスペックルコントラストを定義することができる。スペックルパターンの明るい領域と暗い領域との強度コントラストはコヒーレンスの程度であり得る。いくつかの例においては、時間的コヒーレンス及び空間的コヒーレンスがコヒーレンス全体に寄与し得る。スペックルコントラストは平均強度で除算した強度変動の標準偏差として定義することができる。いくつかの例においては、スペックルコントラストは、レーザパラメータに基づいて推定することができる。

【0064】

[0078] いくつかの実施形態によれば、拡張された光パルスストレッチャ４０１は２つの部分、すなわち第１の光パルスストレッチャ４０１ａ及び第２の光パルスストレッチャ４０１ｂを含み得る。例えば、第１の光パルスストレッチャ４０１ａは、第２のレーザビーム４１１を受けると共に第２のレーザビーム４１１のコピーを遅延及び再結合して第１の出力レーザビームを生成する。第１の出力レーザビームは第２の光パルスストレッチャ４０１ｂに入力される。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂは、第１の出力レーザビームを受けると共に第１の出力レーザビームのコピーを遅延及び再結合して第２の出力レーザビームを生成する。第２の出力レーザビームは第１の光パルスストレッチャ４０１ａに入力され、そこで第２の出力レーザビームは第３のレーザビーム４１３としてリダイレクトされる。

【0065】

[0079] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂは一連のスタックされた光パルスストレッチャを含む。換言すれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂ内にはいくつかの光パルスストレッチャが積み重ねられている。光パルスストレッチャのステージの一つ一つ（例えばステージ光パルスストレッチャ）は複数の共焦点共振器を含む。例えば、光パルスストレッチャ４０１ｂは、第１の複数の共焦点共振器を含む第１ステージ光パルスストレッチャを含み得る。光パルスストレッチャ４０１ｂは更に、第２の複数の共焦点共振器を含む第２ステージ光パルスストレッチャを含む。光パルスストレッチャ４０１ｂは更に、第３の複数の共焦点共振器を含む第３ステージ光パルスストレッチャを含む。いくつかの例によれば、第１の複数の共焦点共振器は２つの矩形凹面ミラーを含み、第２の複数の共焦点共振器は４つの矩形凹面ミラーを備え、第３の複数の共焦点共振器は４つの矩形凹面ミラーを備える。もっとも、本開示の実施形態は、光パルスストレッチャ４０１ｂにおいて他の数のステージの光パルスストレッチャを含み得ると共に、各ステージ光パルスストレッチャは他の数の共焦点共振器を含み得る。また、本開示の実施形態は、共焦点共振器として他のタイプのミラーを含み得る。さらに、図４においては直交して配置されている第１の光パルスストレッチャ４０１ａと第２の光パルスストレッチャ４０１ｂとの相対的な方向は、単なる例として提供されているに過ぎず、他の実施形態においては他の相対的な構成及び方向が用いられてもよい。

【0066】

[0080] 図５Ａは、本開示のいくつかの実施形態による、第１の光パルスストレッチャ４０１ａ及び第２の光パルスストレッチャ４０１ｂを有する拡張された光パルスストレッチャ４０１の正面視の概略を図示している。

【0067】

[0081] いくつかの実施形態によれば、及び以下で詳述するように、第１の光パルスストレッチャ４０１ａは、レーザビームの４回の反射を間で生じる４つのミラー（第１対のミラー５０９及び第２対のミラー５１０）を含む光学設計を有する１つのステージ光パルスストレッチャ５０７を含み得る。本例については４つのミラーをもって述べられるが、１つのステージ光パルスストレッチャ５０７は他の数のミラーを含んでいてもよい。これらのミラーは、レーザビームの４回の反射を生成するように位置決めされ得る。いくつかの実施形態においては、第１の光パルスストレッチャ４０１ａの１つのステージ光パルスストレッチャ５０７の２対のミラー５０９及び５１０は、約１ｍ～３ｍの物理的距離によって互いに分離され得る。例えば、物理的距離は約１．５ｍから２．５ｍであってもよい。これらの距離は例として提供されているに過ぎず、他の実施形態においては他の距離が用いられ得る。いくつかの例においては、第１の光パルスストレッチャ４０１ａの１つのステージ光パルスストレッチャ５０７は、例から、約３０ｎｓ～５０ｎｓの光遅延を有する光パルスストレッチングが可能であり得る。例えば、約３５ｎｓ～４５ｎｓの光遅延である。例えば、約４０ｎｓ～４４ｎｓの光遅延である。なお、提供された２つのミラー間の物理的距離の例及び光遅延の例は本開示の実施形態を限定しない。第１の光パルスストレッチャ４０１ａは、様々な他の物理的距離及び／又は様々な光遅延が実現されるように設計され得る。

【0068】

[0082] いくつかの実施形態によれば、第１の光パルスストレッチャ４０１ａの１つのステージ光パルスストレッチャ５０７の２対のミラー５０９及び５１０のミラーの各々は円形凹面ミラーを含み得る。

【0069】

[0083] いくつかの実施形態によれば、第１の光パルスストレッチャ４０１ａは追加的な光学要素を含み得る。一例においては、第１の光パルスストレッチャ４０１ａの１つのステージ光パルスストレッチャ５０７は、レーザビーム４１１を分割するため及びレーザビーム４１１のコピーを生成するために用いられるビームスプリッタ５１１を含み得る。第１の光パルスストレッチャ４０１ａのビームスプリッタ５１１は、例えば約５０％～７０％の反射率を有し得る。いくつかの例においては、ビームスプリッタ５１１は約５５％～６５％の反射率を有し得る。しかし、本開示の実施形態はこれらの例に限定されず、様々な他の値の反射率が用いられ得る。いくつかの例においては、ビームスプリッタ５１１の反射率は、第１の光パルスストレッチャ４０１ａにおいて用いられるミラーの反射率に依存し得る及び／又は基づいて算出され得る。

【0070】

[0084] また、第１の光パルスストレッチャ４０１ａは、ビーム転向、ビームリレー、及び／又はアライメントフィーチャを含み得る。

【0071】

[0085] いくつかの実施形態によれば、及び以下で詳述するように、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂは、２つ以上（例えば３つ）のステージの共焦点光パルスストレッチャを含み得る。いくつかの例においては、これらの３つのステージの共焦点光パルスストレッチャは、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂにおいて、互いに略平行に位置決めされ得る。いくつかの実施形態においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂは、第１の光パルスストレッチャ４０１ａに垂直又は略垂直に位置決めされ得る。換言すれば、いくつかの実施形態においては、第１の光パルスストレッチャ４０１ａ（例えば鉛直に位置決めされ得る直交光パルスストレッチャ）は、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの２つ以上（例えば３つ）のステージの共焦点光パルスストレッチャに垂直又は略垂直に位置決めされる。いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂは、追加的な光遅延を提供し、非常に長いパルスストレッチングを実現するように設計され、安定的でアライメントのための追加的な調整を必要とせず、既存のレーザフレームに取り付けられ得るか又はビームデリバリユニット内に含まれ得ると共に利用可能なレーザボリュームに収まり得る（例えば、製造設備のクリーンルームサブフロアルームに収まり得る）。例えば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂは、例えば第１のレーザチャンバ４０３ａの上の狭小空間内に収まり得る。

【0072】

[0086] いくつかの実施形態によれば、拡張された光パルスストレッチャ４０１は２つ以上の共焦点光パルスストレッチャを組み合わせる。例えば、拡張された光パルスストレッチャ４０１は、光回路構成毎に４回の反射、４回の反射、１２回の反射、及び１２回の反射の組み合わせで共焦点光パルスストレッチャを組み合わせる。いくつかの実施形態によれば、異なるミラー間隔及び遅延パス長（例えば４回反射及び１２回反射の遅延長）の組み合わせを含むことは、非常に長いパルスストレッチング及び最小の効率損失をもたらし得る。

【0073】

[0087] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂは３つのステージの共焦点光パルスストレッチャを含み得る。もっとも、本開示の実施形態はこれらの例に限定されず、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂは他の数のステージの共焦点光パルスストレッチャを含み得る。いくつかの例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージは２つのミラーを有するものとして述べられる。しかしながら、本開示の実施形態はこれらの例に限定されず、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージは他の数（例えば２つ以上）及び／又は構成のミラーを含み得る。いくつかの例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージにおいて用いられる複数のミラーは、それらの間でレーザビームの４回の反射を生成するように構成される。

【0074】

[0088] いくつかの例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージは４つのミラーを有するものとして述べられる。しかしながら、本開示の実施形態はこれらの例に限定されず、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージは他の数（例えば４つ以上）及び／又は構成のミラーを含み得る。いくつかの例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージにおいて用いられる複数のミラーは、それらの間でレーザビームの１２回の反射を生成するように構成される。

【0075】

[0089] いくつかの例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージは４つのミラーを有するものとして述べられる。しかしながら、本開示の実施形態はこれらの例に限定されず、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージは他の数（例えば４つ以上）及び／又は構成のミラーを含み得る。いくつかの例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージにおいて用いられる複数のミラーは、それらの間でレーザビームの１２回の反射を生成するように構成される。

【0076】

[0090] いくつかの実施形態によれば、第１の光パルスストレッチャ４０１ａと第２の光パルスストレッチャ４０１ｂのステージとは、第１の光パルスストレッチャ４０１ａから第２の光パルスストレッチャ４０１ｂに向かって光遅延が増大するように設計される。また、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの各ステージの光遅延は第１ステージから第３ステージに向かって増大する。例えば、第１の光パルスストレッチャ４０１ａ（例えば直交光パルスストレッチャ）は光遅延を有し得る。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージは、第１の光パルスストレッチャ４０１ａの光遅延に等しい又はそれよりも大きい第１の光遅延を有し得る。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージは、第１の光遅延に等しい又はそれよりも大きい第２の光遅延を有し得る。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージは、第２の光遅延に等しい又はそれよりも大きい第３の光遅延を有し得る。いくつかの実施形態によれば、光遅延は光パルスストレッチャ内でビームが進む距離に基づいて決定され得る。

【0077】

[0091] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージは、レーザビームの４回の反射を間で生じる２つのミラー（例えば図５Ａのミラー５０１及び５０２の２つの下側のミラー）を含む光学設計を有し得る。本例については２つのミラーをもって述べられているが、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージは他の数のミラー（例えば２つ以上のミラー）を含み得る。これらのミラーは、間でレーザビームの４回の反射を生成するように位置決めされ得る。いくつかの実施形態においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージの２つのミラーは、約２ｍ～４ｍの物理的距離によって互いに分離され得る。例えば、物理的距離は約２．５ｍから３．５ｍであってもよい。これらの距離は例として提供されているにすぎず、他の実施形態においては他の距離が用いられ得る。いくつかの例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージは、例から、約６０ｎｓ～８０ｎｓの光遅延を有する光パルスストレッチングが可能であり得る。例えば、約６５ｎｓ～７５ｎｓの光遅延である。例えば、約７０ｎｓ～７５ｎｓの光遅延である。なお、提供された２つのミラー間の物理的距離の例及び光遅延の例は本開示の実施形態を限定しない。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージは、様々な他の物理的距離及び／又は様々な光遅延が実現されるように設計され得る。

【0078】

[0092] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージのミラー（例えば、ミラー５０１及び５０２の２つの下側ミラー）は矩形凹面ミラーを含み得る。例えば２つの大きな矩形凹面ミラーが用いられ得るが、他の実施形態においては他の形状が用いられる。いくつかの実施形態によれば、ミラーの反射面は、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージの２つのミラー（例えば、ミラー５０１及び５０２の２つの下側ミラーの表面）間の距離が２つのミラーの各々の曲率半径に等しく（又は概ね等しく）なるように、球状に凹状であり得る。例えば、ミラーは、テレセントリック設計に基づいて設計及び位置決めされ得る。いくつかの実施形態によれば、凹面ミラーは、直交チップ－チルト調整（orthogonal tip-tilt adjustment）及びＺ軸（例えばビームの伝搬の方向）調整をもって設計され得る。

【0079】

[0093] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージは追加的な光学要素を含み得る。一例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージは、レーザビームを分割するため及びレーザビームのコピーを生成するために用いられるビームスプリッタ（図５Ａのビームスプリッタ５０３の下側のビームスプリッタ）を含み得る。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージのビームスプリッタは、例えば約４５％～６５％の反射率を有し得る。いくつかの例においては、ビームスプリッタは約５０％～６０％の反射率を有し得る。しかし、本開示の実施形態はこれらの例に限定されず、様々な他の値の反射率が用いられ得る。いくつかの例においては、ビームスプリッタの反射率は、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージにおいて用いられるミラーの反射率に依存し得る及び／又は基づいて算出され得る。

【0080】

[0094] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージは、レーザビームの１２回の反射を間で生じる４つのミラー（例えば図５Ａのミラー５０１及び５０２の４つの中央のミラー）を含む光学設計を有し得る。本例については４つのミラーをもって述べられているが、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージは他の数のミラー（例えば４つ以上のミラー）を含み得る。これらのミラーは、間でレーザビームの１２回の反射を生成するように位置決めされ得る。いくつかの実施形態においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージの２対のミラーは、約２ｍ～４ｍの物理的距離によって互いに分離され得る。例えば、物理的距離は約２．５ｍから３．５ｍであってもよい。これらの距離は例として提供されているに過ぎず、他の実施形態においては他の距離が用いられ得る。いくつかの例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージは、例から、約１７０ｎｓ～２１０ｎｓの光遅延を有する光パルスストレッチングが可能であり得る。例えば、約１８０ｎｓ～１９０ｎｓの光遅延である。例えば、約１８５ｎｓ～１９５ｎｓの光遅延である。なお、提供された２対のミラー間の物理的距離の例及び光遅延の例は本開示の実施形態を限定しない。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージは、様々な他の物理的距離及び／又は様々な光遅延が実現されるように設計され得る。

【0081】

[0095] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージのミラー（例えば、ミラー５０１及び５０２の４つの中央のミラー）は矩形凹面ミラーを含み得る。例えば４つの大きな矩形凹面ミラーが用いられ得るが、他の実施形態においては他の形状が用いられる。いくつかの実施形態によれば、ミラーの反射面は、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージの２対のミラー（例えば、ミラー５０１及び５０２の２対の中央のミラーの表面）間の距離が４つのミラーの各々の曲率半径に等しく（又は概ね等しく）なるように、球状に凹状であり得る。例えば、ミラーは、テレセントリック設計に基づいて設計及び位置決めされ得る。いくつかの実施形態によれば、凹面ミラーは直交チップ－チルト調整をもって設計され得る。

【0082】

[0096] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージは追加的な光学要素を含み得る。一例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージは、レーザビームを分割するため及びレーザビームのコピーを生成するために用いられるビームスプリッタ（図５Ａのビームスプリッタ５０３の中央のビームスプリッタ）を含み得る。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージのビームスプリッタは、例えば約４５％～６５％の反射率を有し得る。いくつかの例においては、ビームスプリッタは約５０％～６０％の反射率を有し得る。しかし、本開示の実施形態はこれらの例に限定されず、様々な他の値の反射率が用いられ得る。いくつかの例においては、ビームスプリッタの反射率は、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージにおいて用いられるミラーの反射率に依存し得る及び／又は基づいて算出され得る。

【0083】

[0097] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージは、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージと類似又は同一であり得る。例えば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージは、レーザビームの１２回の反射を間で生じる４つのミラー（例えば図５Ａのミラー５０１及び５０２の４つの上部ミラー）を含む光学設計を有し得る。本例については４つのミラーをもって述べられているが、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージは他の数のミラー（例えば４つ以上のミラー）を含み得る。これらのミラーは、間でレーザビームの１２回の反射を生成するように位置決めされ得る。いくつかの実施形態においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージの２対のミラーは、約２ｍ～４ｍの物理的距離によって互いに分離され得る。例えば、物理的距離は約２．５ｍから３．５ｍであってもよい。これらの距離は例として提供されているに過ぎず、他の実施形態においては他の距離が用いられ得る。いくつかの例によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの異なるステージにおけるミラー間の距離は、類似又は同一であり得る。

【0084】

[0098] いくつかの例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージは、例から、約１５０ｎｓ～１９０ｎｓの光遅延を有する光パルスストレッチングが可能であり得る。例えば、約１６０ｎｓ～１８０ｎｓの光遅延である。例えば、約１６５ｎｓ～１７５ｎｓの光遅延である。なお、提供された２対のミラー間の物理的距離の例及び光遅延の例は本開示の実施形態を限定しない。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージは、様々な他の物理的距離及び／又は様々な光遅延が実現されるように設計され得る。

【0085】

[0099] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージのミラー（例えば、ミラー５０１及び５０２の４つの上部ミラー）は矩形凹面ミラーを含み得る。例えば４つの大きな矩形凹面ミラーが用いられ得るが、他の実施形態においては他の形状が用いられる。いくつかの実施形態によれば、ミラーの反射面は、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージの２対のミラー（例えば、ミラー５０１及び５０２の２対の上部ミラーの表面）間の距離が４つのミラーの各々の曲率半径に等しく（又は概ね等しく）なるように、球状に凹状であり得る。例えば、ミラーは、テレセントリック設計に基づいて設計及び位置決めされ得る。いくつかの実施形態によれば、凹面ミラーは直交チップ－チルト調整をもって設計され得る。

【0086】

[0100] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージは追加的な光学要素を含み得る。一例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージは、レーザビームを分割するため及びレーザビームのコピーを生成するために用いられるビームスプリッタ（図５Ａのビームスプリッタ５０３の上部ビームスプリッタ）を含み得る。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージのビームスプリッタは、例えば約４５％～６５％の反射率を有し得る。いくつかの例においては、ビームスプリッタは約５０％～６０％の反射率を有し得る。しかし、本開示の実施形態はこれらの例に限定されず、様々な他の値の反射率が用いられ得る。いくつかの例においては、ビームスプリッタの反射率は、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージにおいて用いられるミラーの反射率に依存し得る及び／又は基づいて算出され得る。

【0087】

[0101] 第２の光パルスストレッチャ４０１ｂは追加的な光学要素を含み得る。例えば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂはミラー５０５ａ及び５０５ｂを含み得る。ミラー５０５ａ及び５０５ｂは光学的にストレッチされたレーザビームを第１の光パルスストレッチャ４０１ａの方に戻すように方向付けるために用いられ得るものであり、そこで、光学的にストレッチされたレーザビームは、レーザ源４００から第３のレーザビーム４１３として出力され得る。なお、いくつかの実施形態によれば、第１の光パルスストレッチャ４０１ａの方にリダイレクトされた、光学的にストレッチされたレーザビームは、第１の光パルスストレッチャ４０１ａのステージ５０７は通過せず、レーザ源４００を出力する第３のレーザビーム４１３としてリダイレクトされる。

【0088】

[0102] いくつかの実施形態によれば、ミラー５０５ａ及び５０５ｂは、（約４５度の入射角を提供するように）約４５度で取り付けられたｓ偏光ミラーを含み得る。もっとも、ミラー５０５ａ及び５０５ｂの他の例及び／又は方向が本開示の実施形態と共に用いられ得る。

【0089】

[0103] 図５Ｂは、本開示のいくつかの実施形態による第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの上面視の概略を図示している。図５Ｃは、本開示のいくつかの実施形態による、第１の光パルスストレッチャ４０１ａ及び第２の光パルスストレッチャ４０１ｂを有する拡張された光パルスストレッチャ４０１の側面視の概略を図示している。

【0090】

[0104] 図５Ｂの第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの上面図には、例えば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージの４つのミラーが図示されている。これらの４つのミラーは、２対のミラー、すなわちミラー５０１ｄ及び５０１ｅとミラー５０２ｄ及び５０２ｅとを含み得る。図５Ｂの上面図はビームスプリッタ５０３も図示している。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２及び第３ステージの４つのミラー間でのレーザビームの反射及び伝搬については、図７Ｂに関して更に後述する。

【0091】

[0105] 図５Ｃの第１の光パルスストレッチャ４０１ａ及び第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの側面図には、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの一方の側の５つのミラーが図示されている。本例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージのミラー５０２ａが図示されている。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージの他方の側には１つのミラー（例えばミラー５０１ａ）があるが、これは同図には図示されていない。本例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージの１対のミラー５０２ｂ及び５０２ｃが図示されている。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージの他方の側には別の１対のミラー（例えば１対のミラー５０１ｂ及び５０１ｃ）があるが、これは同図には図示されていない。また、本例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージの１対のミラー５０２ｄ及び５０２ｅが図示されている。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージの他方の側には別の１対のミラー（例えば１対のミラー５０１ｄ及び５０１ｅ）があるが、これは同図には図示されていない。

【0092】

[0106] 図６Ａは、本開示のいくつかの実施形態による、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂにおけるレーザビームの経路の一部の概略図を図示する。

【0093】

[0107] 図６Ａに図示されるように、第１の光パルスストレッチャ４０１ａのステージを用いて光学的にストレッチされたレーザビーム６０１は第２の光パルスストレッチャ４０１ｂに進入する。第１のビームスプリッタ５０３ａを用いて、レーザビーム６０１は、レーザビーム６０３とレーザビーム６０５とに分割される。レーザビーム６０５は、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージに進入する。レーザビーム６０３は、２つのミラーを含む、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージに進入する。（例えば図７Ａに図示されるような）第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージの２つのミラーからの４回の反射の後、レーザビームはビームスプリッタ５０３ａを用いて第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージに進入する。

【0094】

[0108] レーザビーム６０５（及び／又は第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージからのレーザビーム）は、レーザビーム６０７とレーザビーム６０９とに分割される。レーザビーム６０９は、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージに進入する。レーザビーム６０７は、４つのミラーを含む、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージに進入する。（例えば図７Ｂに図示されるような）第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージの４つのミラーからの１２回の反射の後、レーザビームはビームスプリッタ５０３ｂを用いて第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージに進入する。

【0095】

[0109] レーザビーム６０９（及び／又は第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージからのレーザビーム）は、レーザビーム６１１とレーザビーム６１３とに分割される。レーザビーム６１３は、ミラー５０５ａ及び５０５ｂを用いて、第１の光パルスストレッチャ４０１ａに戻るように反射される。レーザビーム６１１は、４つのミラーを含む、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージに進入する。（例えば図７Ｂに図示されるような）第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージの４つのミラーからの１２回の反射の後、レーザビームはビームスプリッタ５０３ｃ並びにミラー５０５ａ及び５０５ｂを用いて第１の光パルスストレッチャ４０１ａに戻るように反射される。

【0096】

[0110] 図６Ｂは、本開示のいくつかの実施形態による、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂにおけるレーザビームの経路の一部及び第２の光パルスストレッチャ４０１ｂにおいて用いられるミラーの一部の概略図を図示している。

【0097】

[0111] 図６Ｂには、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの一方の側の５つのミラーが図示されている。本例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージのミラー５０２ａが図示されている。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージの他方の側には１つのミラー（例えばミラー５０１ａ）があるが、これは同図には図示されていない。本例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージの１対のミラー５０２ｂ及び５０２ｃが図示されている。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージの他方の側には別の１対のミラー（例えば１対のミラー５０１ｂ及び５０１ｃ）があるが、これは同図には図示されていない。また、本例においては、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージの１対のミラー５０２ｄ及び５０２ｅが図示されている。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージの他方の側には別の１対のミラー（例えば１対のミラー５０１ｄ及び５０１ｅ）があるが、これは同図には図示されていない。

【0098】

[0112] 図７Ａは、本開示のいくつかの実施形態による、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージの概略上面図を図示している。図７Ａに図示されるように、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージは、２つのミラー５０１ａ及び５０２ａと、ビームスプリッタ５０３ａと、任意選択的な補償器７０１とを含む。

【0099】

[0113] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージのミラーミラー５０１ａ及び５０２ａは矩形凹面ミラーを含み得る。例えば２つの大きな矩形凹面ミラーが用いられ得るが、他の実施形態においては他の形状が用いられる。いくつかの実施形態によれば、ミラー５０１ａ及び５０２ａの反射面は、ミラー５０１ａと５０２ａとの間の距離がミラー５０１ａ及び５０２ａの各々の曲率半径に等しく（又は概ね等しく）なるように、球状に凹状であり得る。例えば、ミラー５０１ａ及び５０２ａは、テレセントリック設計に基づいて設計及び位置決めされ得る。いくつかの実施形態によれば、凹面ミラーは直交チップ－チルト調整をもって設計され得る。いくつかの実施形態によれば、及び例えば円形ミラーと比較すると、ミラー５０１ａ及び５０２ａは、ミラーのミスアライメントに比較的無感応であり得、より少ない部品点数を有し得、実装設計を単純化することができ、及び／又は削減された部品及び自由によって位置合わせがより容易になり得る。

【0100】

[0114] いくつかの実施形態によれば、ミラー５０１ａ及び５０２ａの個々の曲率及び大きさは、パルスストレッチャがレーザシステム内の割り当てられた場所に適切に収まることを可能にするべく上側のビームスプリッタ（例えば第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの上側のステージのビームスプリッタ）がエキシマレーザキャビティの後に設置されることを可能にするように、ミラーの列のうち１つに近接して（例えばミラー５０１ａに近接して）ビームスプリッタ５０３ａを位置決めするように設計され得る。例えば、ビームスプリッタ５０３ａは「Ｄ」型ビームスプリッタであり得る。しかしながら、本開示の実施形態はこれらの例に限定されず、様々な他のタイプのビームスプリッタ及び／又は様々な他の構成のビームスプリッタ及びミラーも用いられ得る。

【0101】

[0115] いくつかの実施形態によれば、ビームスプリッタ５０３ａは、レーザビームが同じ平面内で（例えばフロアに平行に）伝搬することを可能にするように回路の各々を「平坦化」するべく、ミラー５０１ａ及び／又は５０２ａの曲率中心に対して位置決めされる。

【0102】

[0116] いくつかの実施形態によれば、任意選択的な補償器７０１は、ビームスプリッタ５０３ａの有限厚さからのレーザビームウォークオフを補償するように及びミラー調整の自由度（ＤＯＦ）を低減するように（例えば、小さいミラー設計の８ＤＯＦに対して大きいミラー設計の４ＤＯＦ）構成された補償板を含み得る。

【0103】

[0117] いくつかの実施形態によれば、ミラー５０１ａと５０２ａとの間の距離は製造の際に調整され得、ミラーのチップ／チルト調整はフィールド内でなされ得る。

【0104】

[0118] 図７Ｂは、本開示のいくつかの実施形態による、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２又は第３ステージの概略上面図を図示している。図７Ｂに図示されるように、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２又は第３ステージは、４つのミラー５０１ｂ，５０１ｃ，５０２ｂ，及び５０２ｃと、ビームスプリッタ５０３ｂとを含み得る。

【0105】

[0119] 図７Ｂについて、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージに関して述べる。しかしながら、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージは同一又は類似であり得る。いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージのミラー５０１ｂ，５０１ｃ，５０２ｂ，及び５０２ｃは矩形凹面ミラーを含み得る。例えば２つの大きな矩形凹面ミラーが用いられ得るが、他の実施形態においては他の形状が用いられる。

【0106】

[0120] いくつかの実施形態によれば、ミラー５０１ｂ，５０１ｃ，５０２ｂ，及び５０２ｃの反射面は、ミラー５０１ｂと５０２ｂと（又はミラー５０１ｃと５０２ｃと）の間の距離がミラー５０１ｂ，５０１ｃ，５０２ｂ，及び５０２ｃの各々の曲率半径に等しく（又は概ね等しく）なるように、球状に凹状であり得る。例えば、ミラー５０１ｂ，５０１ｃ，５０２ｂ，及び５０２ｃは、テレセントリック設計に基づいて設計及び位置決めされ得る。いくつかの実施形態によれば、凹面ミラーは直交チップ－チルト調整をもって設計され得る。いくつかの実施形態によれば、及び例えば円形ミラーと比較すると、ミラー５０１ｂ，５０１ｃ，５０２ｂ，及び５０２ｃは、ミラーのミスアライメントに比較的無感応であり得、より少ない部品点数を有し得、実装設計を単純化することができ、及び／又は削減された部品及び自由によって位置合わせがより容易になり得る。

【0107】

[0121] いくつかの実施形態によれば、ミラー５０１ｂ，５０１ｃ，５０２ｂ，及び５０２ｃの個々の曲率及び大きさは、パルスストレッチャが割り当てられたレーザボリュームに適切に収まることを可能にするべく上側のビームスプリッタ（例えば第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの上側のステージのビームスプリッタ）がエキシマレーザキャビティの後に設置されることを可能するように、ミラーの列のうち１つに近接して（例えばミラー５０１ｂ及び５０１ｃに近接して）ビームスプリッタ５０３ｂを位置決めするように設計され得る。例えば、ビームスプリッタ５０３ｂは「Ｄ」型ビームスプリッタであり得る。しかしながら、本開示の実施形態はこれらの例に限定されず、様々な他のタイプのビームスプリッタ及び／又は様々な他の構成のビームスプリッタ及びミラーも用いられ得る。

【0108】

[0122] いくつかの実施形態によれば、ビームスプリッタ５０３ｂは、レーザビームが同じ平面内で（例えばフロアに平行に）伝搬することを可能にするように回路の各々を「平坦化」するべく、ミラー５０１ｂ，５０１ｃ，５０２ｂ，及び／又は５０２ｃの曲率中心に対して位置決めされる。

【0109】

[0123] いくつかの実施形態によれば、（図示しない、図７Ａの補償器７０１に類似の）任意選択的な補償器が用いられ得る。任意選択的な補償器は、ビームスプリッタ５０３ｂの有限厚さからのレーザビームウォークオフを補償するように及びミラー調整の自由度（ＤＯＦ）を低減するように（例えば、小さいミラー設計の８ＤＯＦに対して大きいミラー設計の４ＤＯＦ）構成された補償板を含み得る。

【0110】

[0124] いくつかの実施形態によれば、ミラー５０１ｂ，５０１ｃ，５０２ｂ，及び５０２ｃ間の距離は製造の際に調整され得、ミラーのチップ／チルト調整はフィールド内で実施され得る。

【0111】

[0125] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージ（及び／又は第３ステージ）内でのレーザビームの伝搬の経路は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第７，４１５，０６５号明細書に述べられているレーザビームの伝搬の経路と類似し得る。

【0112】

[0126] 本例においては、レーザビームは、例えばビームスプリッタ５０３ｂを用いて、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第２ステージに進入する。いくつかの実施形態によれば、進入したレーザビームは第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１ステージのレーザビーム出力であり得る。レーザビームは第１の点１でミラー５０１ｂに入射する。ミラー５０１ｂ上の点１から、反射されたビームは、ミラー５０２ｃ上の点２に入射する。ミラー５０２ｃ上の点２から、反射されたビームは、ミラー５０１ｂ上の点３に入射する。ミラー５０１ｂ上の点３から、反射されたビームは、ミラー５０２ｂ上の点４に入射する。ミラー５０２ｂ上の点４から、反射されたビームは、ミラー５０１ｃ上の点５に入射する。ミラー５０１ｃ上の点５から、反射されたビームは、ミラー５０２ｂ上の点６に入射する。

【0113】

[0127] ミラー５０２ｂ上の点５から、反射されたビームは、ミラー５０１ｂ上の点７に入射する。ミラー５０１ｂ上の点７から、反射されたビームは、ミラー５０２ｃ上の点８に入射する。ミラー５０２ｃ上の点８から、反射されたビームは、ミラー５０１ｂ上の点９に入射する。ミラー５０１ｂ上の点９から、反射されたビームは、ミラー５０２ｂ上の点１０に入射する。ミラー５０２ｂ上の点１０から、反射されたビームは、ミラー５０１ｃ上の点１１に入射する。ミラー５０１ｃ上の点１１から、反射されたビームは、ミラー５０２ｂ上の点１２に入射する。ミラー５０２ｂ上の点１２から、反射されたビームは、ビームスプリッタ５０３ｂに入射する。

【0114】

[0128] ビームスプリッタ５０３ｂを用いて、ミラー５０２ｂ上の点１２から反射されたビームは、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージの方に反射され得る。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第３ステージでは、同様の１２回の反射及びビーム伝搬が起こり得る。

【0115】

[0129] いくつかの実施形態によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの第１、第２、及び第３ステージ（及び／又は第１の光パルスストレッチャ４０１ａの光パルスストレッチャステージ）は、その設計が初期ミスアライメント及び／又は動作時の振動問題に耐え得るように設計され得る。

【0116】

[0130] いくつかの実施形態によれば、及び上述したように、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂのレーザビーム出力は、第１の光パルスストレッチャ４０１ａの方に反射されて戻され、反射されると共にレーザ源４００から送出される。いくつかの例によれば、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂと出力レーザ源４００との間の距離のため、第１の光パルスストレッチャ４０１ａはビームリレーを含み得る。第１の光パルスストレッチャ４０１ａのビームリレーは、第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの出力及び図４の出力レーザビーム４１３を受けるように構成されている。いくつかの例においては、ビームリレーは、テレスコピック構成で構成された２つ以上のレンズを含み得る。追加的又は代替的には、ビームリレーは１つ以上のアパーチャを含み得る。

【0117】

[0131] 図８は、本開示のいくつかの実施形態による、第１の光パルスストレッチャ４０１ａにおけるレーザビームの経路の一部の概略図を図示している。いくつかの実施形態によれば、図４の第２のレーザビーム４１１は第１の光パルスストレッチャ４０１ａに入力される。第２のビームレーザ４１１は、任意選択的なビームスプリッタ８０２及び任意選択的なアライメント光学素子８０４（例えばアライメントプリズム）を通過し得る。アライメント光学素子８０４は、例えば、光学要素及び／又はビームを位置合わせする目的で、第１の光パルスストレッチャ４０１ａを組み立てるときのアライメントのために用いられ得る。アライメント光学素子８０４は第２の光パルスストレッチャ４０１ｂ及びレーザ源４００の動作時に除去され得る。

【0118】

[0132] 第２のレーザビーム４１１は更に、第１の光パルスストレッチャ４０１ａの光パルスストレッチャステージ５０７のビームスプリッタに入射し得る。第２のレーザビーム４１１の一部分８０７は、第１の光パルスストレッチャ４０１ａの光パルスストレッチャステージ５０７に進入して光学的にストレッチされ得る。第１の光パルスストレッチャ４０１ａの光パルスストレッチャステージ５０７の出力は、ミラー８０８ａを用いて第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの方へ反射８０９され得る。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの出力（例えばレーザビーム８１１）は、第１の光パルスストレッチャ４０１ａに送り返される。

【0119】

[0133] 光学要素８１２は、上述した任意選択的なビームリレーの任意選択的な光学要素であり得る。第２の光パルスストレッチャ４０１ｂの出力（例えばレーザビーム８１１）は、ミラー８０８ｂを用いて反射される。反射されたレーザビームは、１つ以上の任意選択的なシステムアパーチャ８１４及び／又はビームスプリッタ８１６を通って進み得る。（図４の）第３のレーザビーム４１３はレーザ源４００の出力である。

【0120】

[0134] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラックユニット（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジユニット及び／又はインスペクションユニットで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、従って本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

【0121】

[0135] 本明細書中の言い回し又は専門用語は説明を目的とするものであって限定を目的とするものではないことが理解されるべきであり、従って、本明細書の専門用語又は言い回しは、本明細書中の教示に照らして当業者によって解釈されるべきである。

【0122】

[0136] 本明細書で使用される「基板」という用語は、その上に材料層が追加される材料を記述する。一部の実施形態では、基板自体にパターンが付与されると共に、その上に追加された材料にもパターンが付与されるか、又はパターン付与されないままである場合がある。

【0123】

[0137] 上述及び以下の例はこの開示の実施形態を説明するものであるが限定的ではない。本技術分野で通常見られ、当業者に自明と思われる各種の条件及びパラメータのその他の適切な変更形態及び適応形態も本開示の趣旨及び範囲内にある。

【0124】

[0138] 本文では、ＩＣの製造における本実施形態による装置及び／又はシステムの使用について特に言及しているが、そのような装置及び／又はシステムは他の多くの可能な用途を有することを明確に理解されるべきである。例えば、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤパネル、薄膜磁気ヘッドなどに使用できる。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「レチクル」、「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「マスク」、「基板」及び「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と置き換えられてよいことが当業者には認識される。

【0125】

[0139] 本開示の特定の実施形態が上に記載されているが、本実施形態は、記載されている以外の方法で実施され得ることが理解されるであろう。本明細書は、本実施形態を限定することを意図するものではない。

【0126】

[0140] 特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、従って本実施形態及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。

【0127】

[0141] 以上では、特定の機能の実施例を例示する機能的構成要素及びその関係を用いていくつかの実施形態について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的境界を画定することができる。

【0128】

[0142] 特定の実施形態の前述の説明は、本実施形態の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。従って、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の均等物の意味及び範囲に入るものとする。

【0129】

[0143] 本発明の他の態様は、以下の番号を付した条項に記載する。
１．レーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャであって、
２つ以上のミラーを備え、レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャと、
４つ以上のミラーを備え、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャと、
４つ以上のミラーを備え、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャと、
を備える、光パルスストレッチャ。
２．第１ステージ光パルスストレッチャの２つ以上のミラー、第２ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラー、及び第３ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーは、凹面ミラーを備える、条項１の光パルスストレッチャ。
３．第１ステージ光パルスストレッチャは、第１ステージ光パルスストレッチャの２つ以上のミラーを用いてレーザビームの一部を４回反射させることによって第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている、条項１の光パルスストレッチャ。
４．第２ステージ光パルスストレッチャは、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を１２回反射させることによって第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されており、第３ステージ光パルスストレッチャは、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を１２回反射させることによって出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている、条項３の光パルスストレッチャ。
５．第２ステージ光パルスストレッチャは、第２ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーを用いて第１のパルスストレッチレーザビームの一部を１２回反射させることによって第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている、条項１の光パルスストレッチャ。
６．第３ステージ光パルスストレッチャは、第３ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーを用いて第２のパルスストレッチレーザビームの一部を１２回反射させることによって出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている、条項１の光パルスストレッチャ。
７．第１ステージ光パルスストレッチャに対応し、レーザビームを受けてレーザビームの一部を第１ステージ光パルスストレッチャの２つ以上のミラーに向けるように構成された、第１のビームスプリッタ
を更に備える、条項１の光パルスストレッチャ。
８．第１のビームスプリッタは第１の光パルスストレッチャの２つ以上のミラーのうち第１のミラーにより近接して位置決めされ、第１のビームスプリッタはＤ型ビームスプリッタである、条項７の光パルスストレッチャ。
９．第１のビームスプリッタは、第１ステージ光パルスストレッチャを平坦化するように及びレーザビームの一部が第１ステージ光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、２つ以上のミラーの曲率中心に対して位置決めされる、条項７の光パルスストレッチャ。
１０．第２ステージ光パルスストレッチャに対応し、第１のパルスストレッチレーザビームを受けて第１のパルスストレッチレーザビームの一部を第２ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーに向けるように構成された、第２のビームスプリッタ
を更に備える、条項７の光パルスストレッチャ。
１１．第２のビームスプリッタは、第２ステージ光パルスストレッチャを平坦化するように及び第１のパルスストレッチレーザビームの一部が第２ステージ光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、第２ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーの曲率中心に対して位置決めされる、条項１０の光パルスストレッチャ。
１２．第３ステージ光パルスストレッチャに対応し、第２のパルスストレッチレーザビームを受けて第２のパルスストレッチレーザビームの一部を第３ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーに向けるように構成された、第３のビームスプリッタ
を更に備える、条項１０の光パルスストレッチャ。
１３．第３のビームスプリッタは、第３ステージ光パルスストレッチャを平坦化するように及び第２のパルスストレッチレーザビームの一部が第３ステージ光パルスストレッチャ内を同じ平面内で伝搬することを可能にするように、第３ステージ光パルスストレッチャの４つ以上のミラーの曲率中心に対して位置決めされる、条項１２の光パルスストレッチャ。
１４．第２のビームスプリッタは第２の光パルスストレッチャの４つ以上のミラーのうち第１対により近接して位置決めされ、
第２のビームスプリッタはＤ型ビームスプリッタであり、
第３のビームスプリッタは第３の光パルスストレッチャの４つ以上のミラーのうち第１対により近接して位置決めされ、
第３のビームスプリッタはＤ型ビームスプリッタである、
条項１２の光パルスストレッチャ。
１５．第１ステージ光パルスストレッチャによって受けられるレーザビームは直交ステージ光パルスストレッチャによって生成されるパルスストレッチレーザビームを備え、
直交ステージ光パルスストレッチャは、光パルスストレッチャの外部に、光パルスストレッチャに略垂直に位置決めされる、
条項１の光パルスストレッチャ。
１６．直交ステージ光パルスストレッチャはレーザビームの一部を４回反射させるように構成されている、条項１５の光パルスストレッチャ。
１７．レーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャ
を備えるレーザ源であって、光パルスストレッチャは、
２つ以上のミラーを備え、レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャと、
４つ以上のミラーを備え、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャと、
４つ以上のミラーを備え、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャと、
を備える、レーザ源。
１８．放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターニングデバイスによって放射ビームに付与されたパターンを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
照明システムはレーザ源を備えており、レーザ源はレーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャを備えており、光パルスストレッチャは、
第１の複数の共焦点共振器を備え、レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャと、
第２の複数の共焦点共振器を備え、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャと、
第３の複数の共焦点共振器を備え、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャと、
を備える、リソグラフィ装置。
１９．第１の複数の共焦点共振器は２つ以上の凹面ミラーを備え、
第２の複数の共焦点共振器は４つ以上の凹面ミラーを備え、
第３の複数の共焦点共振器は４つ以上の凹面ミラーを備える、
条項１８のリソグラフィ装置。
２０．第１ステージ光パルスストレッチャは第１の光遅延を有し、
第２ステージ光パルスストレッチャは第１の光遅延に等しい又は第１の光遅延よりも大きい第２の光遅延を有し、
第３ステージ光パルスストレッチャは第２の光遅延に等しい又は第２の光遅延よりも大きい第３の光遅延を有する、
条項１８のリソグラフィ装置。
２１．第１ステージ光パルスストレッチャは、レーザビームの一部を４回反射させることによって第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されており、
第２ステージ光パルスストレッチャは、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を１２回反射させることによって第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されており、
第３ステージ光パルスストレッチャは、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を１２回反射させることによって出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている、
条項１８のリソグラフィ装置。
２２．レーザ源は、
レーザビームを光パルスストレッチャに向けるように構成された直交ステージ光パルスストレッチャであって、光パルスストレッチャの外部に、光パルスストレッチャに略垂直に位置決めされる、直交ステージ光パルスストレッチャ
を更に備える、条項１８のリソグラフィ装置。
２３．直交ステージ光パルスストレッチャは４つの円形凹面ミラーを備える、条項２２のリソグラフィ装置。
２４．出力パルスストレッチレーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームをレーザ源から出力するように構成されたビームリレー
を更に備える、条項２２のリソグラフィ装置。
２５．レーザビームを受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された光パルスストレッチャであって、
光パルスストレッチャ内にスタックされた２つ以上の共焦点光パルスストレッチャを備えており、
２つ以上の共焦点光パルスストレッチャのうち第１の共焦点光パルスストレッチャは、レーザビームの一部を受けてレーザビームの一部を４回反射させることにより第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されており、
２つ以上の共焦点光パルスストレッチャのうち第２の共焦点光パルスストレッチャは、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームの一部を１２回反射させることにより第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている、
光パルスストレッチャ。
２６．２つ以上の共焦点光パルスストレッチャのうち第１の共焦点光パルスストレッチャは第１の光遅延を有し、
２つ以上の共焦点光パルスストレッチャのうち第２の共焦点光パルスストレッチャは第１の光遅延に等しい又は第１の光遅延よりも大きい第２の光遅延を有する、
条項２５の光パルスストレッチャ。
２７．第１の複数の共焦点共振器を備え、レーザビームを受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャと、
スタックされた共焦点光パルスストレッチャであって、
第２の複数の共焦点共振器を備え、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャと、
第３の複数の共焦点共振器を備え、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第３のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャと、
第４の複数の共焦点共振器を含み、第３のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第４ステージ光パルスストレッチャと、
を備えるスタックされた共焦点パルスストレッチャと、
を備える、拡張された光パルスストレッチャであって、
第１ステージ光パルスストレッチャは、スタックされた共焦点パルスストレッチャに略垂直に位置決めされる、拡張された光パルスストレッチャ。
２８．第１ステージ光パルスストレッチャは第１の光遅延を有し、
第２ステージ光パルスストレッチャは第１の光遅延に等しい又は第１の光遅延よりも大きい第２の光遅延を有し、
第３ステージ光パルスストレッチャは第２の光遅延に等しい又は第２の光遅延よりも大きい第３の光遅延を有し、
第４ステージ光パルスストレッチャは第２の光遅延に等しい又は第２の光遅延よりも大きい第４の光遅延を有する、
条項２７の拡張された光パルスストレッチャ。
２９．第１ステージ光パルスストレッチャは、レーザビームの一部を受けてレーザビームの一部を４回反射させることにより第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されており、
第２ステージ光パルスストレッチャは、レーザビームの一部を受けてレーザビームの一部を４回反射させることにより第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されており、
第３ステージ光パルスストレッチャは、レーザビームの一部を受けてレーザビームの一部を１２回反射させることにより第３のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されており、
第４ステージ光パルスストレッチャは、レーザビームの一部を受けてレーザビームの一部を１２回反射させることにより第４のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成されている、
条項２７の拡張された光パルスストレッチャ。
３０．レーザビームを生成することと、
レーザビームを光パルスストレッチャを通じて方向付けることと、
を備える方法であって、光パルスストレッチャは、
第１の複数の共焦点共振器を備え、レーザビームの一部を受けて第１のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第１ステージ光パルスストレッチャと、
第２の複数の共焦点共振器を備え、第１のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて第２のパルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第２ステージ光パルスストレッチャと、
第３の複数の共焦点共振器を備え、第２のパルスストレッチレーザビームの一部を受けて出力パルスストレッチレーザビームを生成するように構成された、第３ステージ光パルスストレッチャと、
を備える、方法。
３１．光パルスストレッチャは更に、レーザビームを第１ステージ光パルスストレッチャに向けるように構成された直交ステージ光パルスストレッチャを備えており、直交ステージ光パルスストレッチャは、第１ステージ、第２ステージ、及び第３ステージ光パルスストレッチャに略垂直に位置決めされる、条項３０の方法。

【0130】

本実施形態の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその均等物によってのみ規定されるものである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図8】