特許 7489454 基板支持体のための一体化された電極及び接地面

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-15

(45)【発行日】2024-05-23

(54)【発明の名称】基板支持体のための一体化された電極及び接地面

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240516BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240516BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240516BHJP

   H05B 6/54 20060101ALI20240516BHJP

   H05B 6/76 20060101ALI20240516BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/31 C

H01L21/302 101G

H05B6/54

H05B6/76

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2022520962

(86)(22)【出願日】2020-09-21

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-12-01

(86)【国際出願番号】 US2020051835

(87)【国際公開番号】W WO2021071659

(87)【国際公開日】2021-04-15

【審査請求日】2022-06-01

(31)【優先権主張番号】62/911,729

(32)【優先日】2019-10-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】パーケ， ヴィジェイ ディー．

【審査官】井上 和俊

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－１４０１５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－２１４４９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０５Ｂ ６／５４

Ｈ０５Ｂ ６／７６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板支持体であって、
セラミック本体、
前記セラミック本体内に配置された電極、
前記セラミック本体内に配置された接地プレートであって、少なくとも一部が前記電極と同一平面上にある、接地プレート、
前記電極と同軸構造をなす接地シールドアセンブリであって、前記セラミック本体内に配置され、１つ又は複数の導電性素子から形成された、接地シールドアセンブリ、及び
前記接地シールドアセンブリ内に配置された１つ又は複数の加熱素子
を備えている基板支持体。

【請求項2】

基板支持体であって、
セラミック本体、
前記セラミック本体内に配置された電極、
前記電極と同軸構造をなす接地シールドアセンブリであって、前記セラミック本体内に配置され、１つ又は複数の導電性素子から形成された、接地シールドアセンブリ、及び
前記接地シールドアセンブリ内に配置された１つ又は複数の加熱素子
を備え、前記接地シールドアセンブリが、
１つ又は複数の接地リード線、
前記１つ又は複数の接地リード線の反対側の第１の導電性部材、
前記１つ又は複数の接地リード線と前記第１の導電性部材との間で延在する第２の導電性部材、及び
前記第２の導電性部材の反対側にあり、前記１つ又は複数の接地リード線と前記第１の導電性部材との間で延在する第３の導電性部材
を備えている基板支持体。

【請求項3】

前記第１の導電性部材が、前記１つ又は複数の接地リード線の径方向外側にあり、前記第１の導電性部材が、前記第２の導電性部材から前記第３の導電性部材へ延在する、請求項２に記載の基板支持体。

【請求項4】

基板支持体であって、
セラミック本体、
前記セラミック本体内に配置された電極、
前記電極と同軸構造をなす接地シールドアセンブリであって、前記セラミック本体内に配置され、１つ又は複数の導電性素子から形成された、接地シールドアセンブリ、及び
前記接地シールドアセンブリ内に配置された１つ又は複数の加熱素子
を備え、前記接地シールドアセンブリが、
１つ又は複数の接地リード線、
前記１つ又は複数の接地リード線に対して、少なくとも部分的に、実質的に平行な複数の第１の導電性部材であって、前記１つ又は複数の接地リード線の径方向外側に配置された、複数の第１の導電性部材、
前記１つ又は複数の接地リード線と前記複数の第１の導電性部材との間で延在する複数の第２の導電性部材、及び
前記複数の第２の導電性部材の反対側にあり、前記１つ又は複数の接地リード線と前記複数の第１の導電性部材との間で延在する複数の第３の導電性部材
を備えている基板支持体。

【請求項5】

前記接地シールドアセンブリが、前記１つ又は複数の加熱素子を取り囲む格子構造を形成する、請求項４に記載の基板支持体。

【請求項6】

前記格子構造がファラデーケージである、請求項５に記載の基板支持体。

【請求項7】

基板支持体であって、
第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有する本体であって、前記第１の表面が、複数のメサと、複数の谷とを含み、前記複数の谷の各々が、前記複数のメサのうちの少なくとも２つの間に配置されている、本体、
前記本体内に配置された電極であって、前記電極の複数の部分の各々が、前記複数のメサのうちの１つと整列している、電極、
前記本体内に配置された接地シールドアセンブリであって、格子構造を形成する、接地シールドアセンブリ、
前記本体内に配置され、前記接地シールドアセンブリに連結された接地プレートであって、前記電極と同一平面上にある、接地プレート、及び
前記本体内に配置され、前記接地シールドアセンブリによって取り囲まれた１つ又は複数の加熱素子
を備えている基板支持体。

【請求項8】

基板支持体であって、
第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有する本体であって、前記第１の表面が、複数のメサと、複数の谷とを含み、前記複数の谷の各々が、前記複数のメサのうちの少なくとも２つの間に配置されている、本体、
前記本体内に配置された電極であって、前記電極の複数の部分の各々が、前記複数のメサのうちの１つと整列している、電極、
前記本体内に配置された接地シールドアセンブリであって、格子構造を形成する、接地シールドアセンブリ、及び
前記本体内に配置され、前記接地シールドアセンブリによって取り囲まれた１つ又は複数の加熱素子
を備え、前記接地シールドアセンブリが、
１つ又は複数の接地リード線、
前記１つ又は複数の接地リード線の反対側にあり、前記１つ又は複数の接地リード線の径方向外側にある複数の第１の部材、
複数の第２の部材であって、当該複数の第２の部材の各々が、前記１つ又は複数の接地リード線から前記複数の第１の部材へ延在する、複数の第２の部材、及び
前記複数の第２の部材の反対側の複数の第３の部材であって、当該複数の第３の部材の各々が、前記１つ又は複数の接地リード線から前記複数の第１の部材へ延在する、複数の第３の部材、
を備えている基板支持体。

【請求項9】

前記接地シールドアセンブリのインピーダンスが、前記電極に連結された１つ又は複数の電力リード線のインピーダンスより小さい、請求項８に記載の基板支持体。

【請求項10】

前記電極が単極性である、請求項７に記載の基板支持体。

【請求項11】

前記電極が二極性である、請求項７に記載の基板支持体。

【請求項12】

処理チャンバであって
チャンバ本体、及びその中の処理空間を画定するリッド、
前記処理空間内に配置され、前記リッドに連結されたシャワーヘッド、
前記リッドの反対側の前記チャンバ本体の底部から延在するステム、並びに
前記処理空間内で前記ステム上に配置された基板支持体であって、
本体と、
前記本体内に配置された電極と、
前記本体内に配置された接地プレートであって、少なくとも一部が前記電極と同一平面上にある、接地プレートと、
前記本体内に配置された接地シールドアセンブリと、
前記接地シールドアセンブリ内に配置された１つ又は複数の加熱素子と
を備えた基板支持体
を備えている処理チャンバ。

【請求項13】

前記接地シールドアセンブリが、
１つ又は複数の接地リード線、
前記１つ又は複数の接地リード線の反対側にあり、前記１つ又は複数の接地リード線の径方向外側にある第１の部材、
前記１つ又は複数の接地リード線から前記第１の部材へ延在する第２の部材、及び
前記１つ又は複数の接地リード線から前記第１の部材へ延在し、前記第２の部材の反対側にある第３の部材、
を備えている、請求項１２に記載の処理チャンバ。

【請求項14】

前記１つ又は複数の加熱素子が、前記接地シールドアセンブリ内に封入されている、請求項１３に記載の処理チャンバ。

【請求項15】

前記第１の部材が、前記第２の部材から前記第３の部材へ延在する、請求項１４に記載の処理チャンバ。

【請求項16】

前記接地シールドアセンブリが、
複数の第１の部材、
複数の第２の部材、及び
複数の第３の部材
を備えている、請求項１５に記載の処理チャンバ。

【請求項17】

前記接地シールドアセンブリが、前記１つ又は複数の加熱素子を取り囲む格子構造を形成する、請求項１６に記載の処理チャンバ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本開示の実施形態は、概して、基板処理のための基板支持体に関し、より具体的には、基板支持体内の一体化された電極及び接地面に関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］集積回路及びその他の電子デバイスを製作する際に、様々な材料層を堆積したり、又はエッチングしたりするためにプラズマ処理を用いることが多い。プラズマ処理は、熱処理に勝る多くの利点を提供する。例えば、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）は、類似した熱処理で達成可能な温度及び堆積速度よりも低い温度及び高い堆積速度で堆積処理を行うことを可能にする。

【0003】

［０００３］プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）などのプラズマ処理は、基板上にブランケット誘電体膜などの材料を堆積するために使用される。高周波（ＲＦ）電力を使用して、処理チャンバ内の処理ガスを活性化することができる。ＲＦ電力は、源に戻る傾向がある。場合によっては、浮遊プラズマが形成されることにより、チャンバの様々な領域でＲＦ電力が失われる。処理チャンバ内のＲＦ電力によりアーキングが発生する場合があり、これにより処理チャンバとその構成要素が損傷を被る可能性がある。接地経路は、ＲＦ電力を処理チャンバの特定の領域から離して、より制御された態様で所定の領域に導くために設けられる。これにより、処理チャンバの損失又は損傷を防止し、処理チャンバ内の浮遊プラズマ又はアーキングの発生の低減が試みられる。しかしながら、現在の接地経路設計は複雑であり、その結果、アーキング、浮遊プラズマ、又は非対称的な接地経路が発生し、プラズマ処理のバリエーションが生じる。さらに、現在の接地経路設計では、ＲＦ電流が代替経路を移動することが可能であり、結果的に処理チャンバのより反復可能な性能がもたらされる。

【0004】

［０００４］したがって、改善された基板支持体設計が必要とされる。

【発明の概要】

【0005】

［０００５］一実施形態では、本体を含む基板支持体が提供される。電極及び接地シールドアセンブリが、本体内に配置される。１つ又は複数の加熱素子が、接地シールドアセンブリ内に配置される。

【0006】

［０００６］別の実施形態では、第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有する本体を含む基板支持体が提供される。第１の表面は、複数のメサ及び複数の谷部を含む。複数の谷の各々は、複数のメサのうちの少なくとも２つの間に配置される。電極は、本体内に配置される。電極の複数の部分の各々が、複数のメサのうちの１つと整列する。接地シールドアセンブリは、本体内に配置され、格子構造を形成する。１つ又は複数の加熱素子が、本体内に配置され、接地シールドアセンブリによって取り囲まれる。

【0007】

［０００７］さらに別の実施形態では、処理チャンバが提供される。処理チャンバは、チャンバ本体、及びその中の処理空間を画定するリッドを含む。シャワーヘッドが、処理空間内に配置され、リッドに連結される。ステムが、リッドの反対側のチャンバ本体の底部から延在する。基板支持体が、処理空間内でステム上に配置される。基板支持体は、本体、本体内に配置された電極、及び本体内に配置された接地シールドアセンブリを含む。１つ又は複数の加熱素子が、接地シールドアセンブリ内に配置される。

【0008】

［０００８］本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって得ることができる。そのうちの幾つかの実施形態は添付の図面で例示されている。しかしながら、添付の図面は例示的な実施形態を示しているに過ぎず、したがって、その範囲を限定するものとみなすべきではなく、本開示は、他の同等に有効な実施形態を許容し得ることに留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1A】幾つかの実施形態に係る処理チャンバの概略断面図を示す。

【図1B】本開示の幾つかの実施形態に係る処理チャンバの概略断面図を示す。

【図2】幾つかの実施形態に係る基板支持体の上面概略図を示す。

【図3】幾つかの実施形態に係る、基板支持体を形成するための方法である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［００１３］理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号が使用された。１つの実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有利に組み込まれ得るように意図されている。

【0011】

［００１４］本明細書に記載された実施形態は、処理チャンバ内の高周波（ＲＦ）接地のための装置、及びその装置を形成する方法に関する。一実施形態では、ヒータが、基板支持体内に配置される。ヒータは、接地シールドアセンブリによって囲まれている。基板支持体は、その中に配置されたマルチゾーン電極をさらに含む。マルチゾーン電極は、平面に配置された電極の１つ又は複数の部分を含む。マルチゾーン接地面の１つ又は複数の部分は、電極の１つ又は複数の部分間に介在する。すなわち、マルチゾーン接地面及びマルチゾーン電極は、基板支持体の平面全体にわたって、マルチゾーン接地面の１つ又は複数の部分と交互に設けられる電極の１つ又は複数の部分と同一平面上にある。

【0012】

［００１５］図１Ａは、本開示の幾つかの実施形態に係る処理チャンバ１００の概略図を示す。図１Ｂは、本開示の幾つかの実施形態に係る処理チャンバ１８０の概略図を示す。処理チャンバ１８０は、以下に説明する電極１２０の極性を除いて、処理チャンバ１００と類似する。

【0013】

［００１６］処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０２、及びその中の処理空間１１４を画定するリッド１０４を含む。チャンバ本体１０２の底部１５６は、リッド１０４の反対側にある。ポート１０６が、リッド１０４を貫通して形成されている。ガス源１０８が、ポート１０６と流体連通している。シャワーヘッド１１０が、リッド１０４に連結されている。複数の開口１１２が、シャワーヘッド１１０を貫通して形成されている。ガス源１０８が、ポート１０６及び開口１１２を介して処理空間１１４と流体連通している。

【0014】

［００１７］基板支持体１１６が、処理空間１１４内でリッド１０４に対向して移動可能に配置される。基板支持体１１６は、ステム１５４上に配置された支持体１５０を含む。支持体本体１５０は、ステム１５４の反対側に配置され、かつシャワーヘッド１１０に対向する支持面１５２を含む。開口１４８が、リッド１０４と底部１５６との間でチャンバ本体１０２を貫通して形成されている。動作中、基板（図示せず）が、開口１４８を通して支持面１５２の上に載置される。アクチュエータ１４２は、基板支持体１１６に連結されており、基板支持体上の基板を載置かつ処理するために、基板支持体１１６をシャワーヘッド１１０に向けてかつシャワーヘッド１１０から離すように移動させる。

【0015】

［００１８］支持面１５２は、１つ又は複数のメサ１１８を含む。１つ又は複数のメサ１１８の各々は、２つ以上の谷１１９の間に形成される。１つ又は複数の谷１１９の各々は、１つ又は複数のメサ１１８の各々の間の支持面１５２から材料を除去することによって形成することができる。

【0016】

［００１９］電極１２０及び接地プレート１２２は、支持体本体１５０内に配置される。電極１２０の１つ又は複数の部分が、支持面１５２に対して実質的に垂直な平面に配置される。接地プレート１２２の１つ又は複数の部分（例えば接地面部分）１２３も平面に配置される。すなわち、電極１２０の１つ又は複数の部分と接地プレート１２２の１つ又は複数の部分１２３とは、平面にわたって互いに交互に配置される。上述の１つ又は複数の実施形態と組み合わせることができる１つの実施形態では、電極１２０及び接地プレート１２２は、交互に設けられ、同一平面上にある。上述の１つ又は複数の実施形態と組み合わせることができる別の実施形態では、電極１２０及び接地プレート１２２は、互いに嵌合し、同一平面上にある。一実施形態では、電極１２０は、接地部分１２３によって（例えば、同軸構造で）囲まれる。１つ又は複数の他の実施形態では、電極１２０は、接地部分１２３によって（例えば、同軸構造で）囲まれながら、ＲＦ電力及び高電圧ＤＣ電力と結合する。

【0017】

［００２０］図１Ａに示すように、電極１２０は単極性である。上述の１つ又は複数の実施形態と組み合わせることができる他の実施形態では、電極１２０は、図１Ｂに示すように二極性である。電極１２０の１つ又は複数の部分の各々は、１つ又は複数のメサ１１８のうちの１つと垂直に整列する。すなわち、電極１２０の１つ又は複数の部分の各々は、１つ又は複数のメサ１１８のうちの１つとチャンバ本体１０２の底部１５６との間に配置される。接地プレート１２２の１つ又は複数の部分１２３の各々は、１つ又は複数の谷１１９のうちの１つと整列する。

【0018】

［００２１］電極１２０の１つ又は複数の部分の各々は、複数の高周波（ＲＦ）ジャンパーリード線１３２のうちの１つに連結される。各ＲＦジャンパーリード線１３２は、１つ又は複数のＲＦリード線１２６に連結されている。ＲＦリード線１２６は、ＲＦ電源１４６に連結されている。ＲＦ電源１４６は、ＲＦ電力を電極１２０の１つ又は複数の部分に供給する。

【0019】

［００２２］一実施形態では、電極１２０は、複数の電極（又は電極部分）を含む。さらに、接地プレート１２２は、複数の接地プレート１２２を備えている。電極１２０の各々は、ＲＦ電源１４６及び電源１４４からのＤＣ電源から、それぞれＲＦ電力及びチャッキング電圧を受け取るように適合されている。電極１２０は、ＲＦジャンパーリード線１３２と互いに嵌合している。ＲＦジャンパーリード線１３２の各々は、接地プレート１２２（例えば、接地部分１２３）と同軸に（例えば、同軸構造で）整列する。ＲＦ電力が（基板支持体１１６の頂部又は底部から）基板支持体１１６に印加されると、接地プレート１２２によって対称的な接地リターン経路が設けられる。これにより、優れた膜の均一性が実現し、かつ／又は基板支持体１１６の下方での浮遊プラズマ形成のアーキングが最小限に抑えられる。

【0020】

［００２３］電極１２０の１つ又は複数の部分に印加されるＤＣ電力は、基板を支持面１５２に保持するための静電力の発生を容易にする。すなわち、基板が支持面１５２に載置された後、かつ処理中に、ＲＦ電力が電極１２０の１つ又は複数の部分に供給され得る。

【0021】

［００２４］１つ又は複数の加熱素子１２４が、支持体１５０内に配置される。１つ又は複数の加熱素子１２４は、抵抗ヒータであってもよい。１つ又は複数の加熱素子１２４は、螺旋状のコイルであってもよく、又は支持体１５０の中心から径方向外側に延在してもよい。１つ又は複数の加熱素子１２４は、１つ又は複数のヒータ電源リード線１３６を介して、電源１４４に連結される。上述の１つ又は複数の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、電源１４４は、直流（ＤＣ）電源である。上述の１つ又は複数の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、１つ又は複数の加熱素子１２４は、支持体１５０のマルチゾーン加熱を行う。図１Ａ及び図１Ｂに示すように、１つ又は複数の加熱素子１２４は、接地プレート１２２の平面に実質的に平行であり、その下方の平面に配置される。しかしながら、他の構成も想定される。

【0022】

［００２５］１つ又は複数の加熱素子１２４は、接地シールドアセンブリ１６０によって囲まれている。接地シールドアセンブリ１６０は、第１の部材１６２、第２の部材１６４、及び第３の部材１６６を含む。部材１６２、１６４、１６６の各々は、例えば、他の導電性材料の中でもとりわけ、導電性メッシュ、ワイヤ、又はシートであってもよく、１つ又は複数の加熱素子１２４の周りのファラデーケージの構築を容易にする。第３の部材１６６は、第１の部材１６２の反対側に配置される。第３の部材１６６は、第１の部材１６２及び第２の部材１６４に対して実質的に平行又は実質的に垂直であり得る１つ又は複数の部分を含み得る。

【0023】

［００２６］接地プレート１２２の１つ又は複数の部分１２３の各々は、１つ又は複数の接地ジャンパー１３８を介して共通接地１４０に連結される。共通接地１４０は、第１の部材１６２の少なくとも一部と同一平面上にある。接地ジャンパー１３８の１つ又は複数は、第１の部材１６２に直接連結され得る。第１の部材１６２及び第３の部材１６６は、１つ又は複数の接地リード線１３４を介して接地に直接連結される。

【0024】

［００２７］接地シールドアセンブリ１６０の第１部材１６２は、第２部材１６４と接地リード１３４との間に直接連結され、それらの間で延在する。第２の部材１６４は、第１の部材１６２及び第３の部材１６６に連結され、それらの間で延在する。第３の部材１６６は、第２の部材１６４及び接地リード線１３４に連結され、それらの間で延在する。１つ又は複数の加熱素子１２４は、第１の部材１６２と第３の部材１６６との間、及び第２の部材１６４と接地リード線１３４との間に配置される。第３の部材１６６は、基板支持体１１６の本体１５０内に配置される。上述の１つ又は複数の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、第３の部材１６６は、基板支持体１１６の本体１５０の底面１２８の外側に、かつそれに沿って配置される。

【0025】

［００２８］上述の１つ又は複数の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、第１の部材１６２、第２の部材１６４、第３の部材１６６、及び接地リード線１３４のうちの１つ又は複数は、ケーブル又はワイヤのような可撓性導体である。上述の１つ又は複数の実施形態と組み合わせることができる他の実施形態では、第１の部材１６２、第２の部材１６４、第３の部材１６６、及び接地リード線１３４のうちの１つ又は複数は、剛性導体である。

【0026】

［００２９］動作中、１つ又は複数のガスが、ガス源１０８から処理空間１１４に供給される。ガスは、リッド１０４のポート１０６を通り、シャワーヘッド１１０の開口１１２を通って流れる。ＤＣ電力は、電源１４４を介して、１つ又は複数の加熱素子１２４に供給される。１つ又は複数の加熱素子１２４は、基板支持体１１６及び支持面１５２に配置された基板を処理温度まで加熱する。

【0027】

［００３０］ＲＦ電力は、ＲＦ電源１４６を介して電極１２０に供給される。ＲＦ電力は、処理空間１１４内のガスを活性化し、その中にプラズマを発生させる。プラズマを使用して、材料を基板上に堆積させる。ＲＦ電力は、ＲＦ電源１４６を戻る傾向を有する。しかしながら、ＲＦリターン電流は、処理チャンバ１００の他の構成要素（例えば、１つ又は複数の加熱素子１２４、及びそれに接続された電源１４４）へ移動することがあり、結果的にこれらの構成要素のうちの１つ又は複数に損傷を与える。

【0028】

［００３１］接地シールドアセンブリ１６０は、１つ又は複数の加熱素子１２４の周りに格子状構造を形成し、１つ又は複数の加熱素子１２４、ヒータ電源リード線１３６、及び電源１４４に移動するＲＦリターン電流の発生を実質的に低減する。すなわち、接地シールドアセンブリ１６０は、接地への低インピーダンス経路を設ける。これにより、支持体１５０を通って移動する任意のＲＦ電流が、接地シールドアセンブリ１６０内に誘導され、接地に向けられる。

【0029】

［００３２］幾つかの実施形態では、接地シールドアセンブリ１６０は、１つ又は複数の接地ストラップ１６８（図１Ｂに示す）を介してチャンバ本体１０２に連結される。この場合、チャンバ本体１０２は接地に連結される。接地ストラップ１６８は、接地シールドアセンブリ１６０を通って移動する任意のＲＦ電流のための低インピーダンス接地経路を設ける。

【0030】

［００３３］図２は、本開示の幾つかの実施形態に係る接地プレート１２２の上面概略図を示す。接地プレート１２２は、貫通するように形成された複数の孔２０２を有する。すなわち、複数の孔２０２の各々が、接地プレート１２２の部分２０４によって囲まれている。

【0031】

［００３４］動作中、図１Ａ及び図１Ｂに関連して論じた電極１２０のような電極の部分は、電極１２０が接地プレート１２２と同一平面上にあるように、孔２０２内に配置される。電極１２０の部分が接地プレート１２２に接触しないように、電極１２０と接地プレート１２２の部分は空間（図示せず）によって分離されている。孔２０２の各々は、基板支持体のメサ（例えば、図１Ａ及び図１Ｂに関して論じたメサ１１８及び基板支持体１１６）と整列する。

【0032】

［００３５］幾つかの実施形態では、電極１２０の部分は、接地プレート１２２の上方に配置される。このようにして、接地プレート１２２（及び接地シールドアセンブリ１６０）によって分路（ｓｈｕｎｔ）される、電極１２０によって生成される電界の発生が実質的に低減される。電極１２０が接地プレート１２２の下方に配置されれば、電界は分路（ｓｈｕｎｔ）されるであろう。

【0033】

［００３６］図３は、幾つかの実施形態に係る、基板支持体を形成するための方法３００である。方法３００は、動作３０２で始まる。動作３０２では、第１の接地面が、例えば、付加製造又はスクリーン印刷により、第１のセラミックシートの上面にプリントされる。接地面は、導電性材料から製作されてもよい。動作３０４では、ビアの第１のセットが第１のセラミックシートに形成される。

【0034】

［００３７］動作３０６では、ヒータ電極が、第２のセラミックシートの上面にプリントされる。ヒータ電極は、導電性材料から製作されてもよい。動作３０８では、ビアの第２のセットが第２のセラミックシートに形成される。第２のビアは、第１のビアと垂直に整列している。動作３１０では、第２の接地面が、第３のセラミックシートの上面にプリントされる。動作３１２では、ビアの第３のセットが第３のセラミックシートに形成される。第３のビアは、第１のビアと垂直に整列している。

【0035】

［００３８］動作３１４では、第３の接地面及びＲＦ電極が、第４のセラミックシートの上面にプリントされる。第３の接地面及びＲＦ電極は、少なくとも部分的に同一平面上にある。動作３１６では、ビアの第４のセットが第４のセラミックシートに形成される。第４のビアは、第１のビアと垂直に整列している。動作３１８では、第５のセラミックシートが、第１のシートの上面に配置され、基板支持体の本体を形成する。各々のセラミックシートは、窒化アルミニウムのようなセラミック含有材料から製作されてもよい。

【0036】

［００３９］以上の記載は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び追加の実施形態を考案してもよい。本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3】