特許 7490302 クリーニング装置及びクリーニング方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-17

(45)【発行日】2024-05-27

(54)【発明の名称】クリーニング装置及びクリーニング方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240520BHJP

   B23K 26/16 20060101ALI20240520BHJP

   B23K 26/70 20140101ALI20240520BHJP

   B23K 26/122 20140101ALI20240520BHJP

   B23K 26/03 20060101ALI20240520BHJP

   B08B 7/00 20060101ALI20240520BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 645D

B23K26/16

B23K26/70

B23K26/122

B23K26/03

B08B7/00

H01L21/304 648G

H01L21/304 645A

H01L21/304 645B

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2020026208

(22)【出願日】2020-02-19

(65)【公開番号】P2021132099

(43)【公開日】2021-09-09

【審査請求日】2022-12-16

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】100075384

【弁理士】

【氏名又は名称】松本 昂

(74)【代理人】

【識別番号】100172281

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100206553

【弁理士】

【氏名又は名称】笠原 崇廣

(74)【代理人】

【識別番号】100189773

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 英哲

(74)【代理人】

【識別番号】100184055

【弁理士】

【氏名又は名称】岡野 貴之

(72)【発明者】

【氏名】高橋 邦充

(72)【発明者】

【氏名】村澤 尚樹

【審査官】安田 雅彦

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－２００３３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１２８４８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１３６２３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００２／００２３９０２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００６－３４４７１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０９９７１６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４－２１／３０８

Ｈ０１Ｌ ２１／０２ －２１／０３３

Ｂ２３Ｋ ２６／００ －２６／７０

Ｂ０８Ｂ １／００ －１７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

レーザービームを対象物に照射して該対象物に付着した付着物を除去するクリーニング装置であって、
該対象物を冷却する冷却ユニットと、
該冷却ユニットにより冷却された該対象物にガスを供給するガス供給ユニットと、
レーザー発振器と、開口を有するノズルと、該開口に支持された集光レンズと、を有し、該レーザー発振器から出射した該レーザービームを該開口に入射させて該集光レンズを通過させ、該対象物に該レーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、を有し、
該ノズルは、該ノズルの内部に設けられ、一端が該ノズルの該開口で開口し、他端が該ガス供給ユニットに接続された流路を有し、
該流路は、該流路の該一端から噴射された該ガスが流動する経路上に該レーザービームの集光点が配置されるように構成されており、
該ガス供給ユニットは、該ノズルの該流路を介して該ガスを該冷却ユニットによって冷却された該対象物に供給し、該対象物の該付着物が付着した領域で該ガスを凝縮させることによって、該付着物を液体で覆い、
該レーザービームは、該液体に吸収される波長に設定され、
該レーザービーム照射ユニットは、該集光レンズを介して該液体に該レーザービームを照射することにより、該液体を蒸発させて該付着物を該対象物から除去することを特徴とするクリーニング装置。

【請求項2】

該液体は、該付着物の全体を覆うことを特徴とする請求項１に記載のクリーニング装置。

【請求項3】

該対象物は、保持テーブルの保持面であることを特徴とする請求項１又は２に記載のクリーニング装置。

【請求項4】

該保持面は吸引源に接続されており、該保持テーブルは該吸引源を作動させることにより該保持面に負圧が作用するように構成されており、
該保持面への該ガスの供給及び該レーザービームの照射は、該吸引源を作動させず、該保持面に負圧が作用していない状態で行われることを特徴とする請求項３に記載のクリーニング装置。

【請求項5】

該対象物を撮像する撮像ユニットと、
該撮像ユニットによって撮像された該対象物の該付着物が付着した領域の位置を記憶する記憶部と、
該ガスが供給される位置及び該レーザービームの集光点を、該対象物の該付着物が付着した領域に位置付ける位置付けユニットと、を更に有することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のクリーニング装置。

【請求項6】

レーザービームを対象物に照射して該対象物に付着した付着物を除去するクリーニング方法であって、
該対象物を冷却する冷却ステップと、
冷却された該対象物の該付着物が付着した領域にガス供給ユニットによりガスを供給して凝縮させ、該付着物を液体で覆うガス供給ステップと、
該付着物を覆う該液体にレーザービーム照射ユニットにより該レーザービームを照射することにより、該液体を蒸発させて該付着物を該対象物から除去するレーザービーム照射ステップと、を有し、
該レーザービーム照射ユニットは、レーザー発振器と、開口を有するノズルと、該開口に支持された集光レンズと、を有し、該レーザー発振器から出射した該レーザービームを該開口に入射させて該集光レンズを通過させ、該対象物に該レーザービームを照射するように構成されており、
該ノズルは、該ノズルの内部に設けられ、一端が該ノズルの該開口に開口し、他端が該ガス供給ユニットに接続された流路を有し、該流路に該ガスが供給されるように構成されており、
該流路は、該流路の該一端から噴射された該ガスが流動する経路上に該レーザービームの集光点が配置されるように構成されており、
該ガス供給ステップでは、該ノズルの該流路を介して該ガスを供給し、
該レーザービームは、該液体に吸収される波長に設定され、
該レーザービーム照射ステップでは、該集光レンズを介して該レーザービームを照射することを特徴とするクリーニング方法。

【請求項7】

該液体は、該付着物の全体を覆うことを特徴とする請求項６に記載のクリーニング方法。

【請求項8】

該対象物は、保持テーブルの保持面であることを特徴とする請求項６又は７に記載のクリーニング方法。

【請求項9】

該保持面は吸引源に接続されており、該保持テーブルは該吸引源を作動させることにより該保持面に負圧が作用するように構成されており、
該ガス供給ステップ及び該レーザービーム照射ステップは、該吸引源を作動させず、該保持面に負圧が作用していない状態で行われることを特徴とする請求項８に記載のクリーニング方法。

【請求項10】

該対象物を撮像する撮像ステップと、
該撮像ステップで撮像された該対象物の該付着物が付着した領域の位置を記憶する記憶ステップと、
該ガスが供給される位置及び該レーザービームの集光点を、該対象物の該付着物が付着した領域に位置付ける位置付けステップと、を更に有することを特徴とする、請求項６乃至９のいずれかに記載のクリーニング方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、レーザービームを対象物に照射して対象物に付着した付着物を除去するクリーニング装置及びクリーニング方法に関する。

【背景技術】

【0002】

デバイスチップの製造工程では、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。

【0003】

近年では、レーザー加工によってウェーハを加工するプロセスが広く実用化されている。例えば、レーザービームの照射によるアブレーション加工によって、ウェーハの分割予定ラインに沿って溝を形成し、この溝を分割起点（分割のきっかけ）としてウェーハを分割する手法等が用いられている。

【0004】

ウェーハにレーザー加工を施すと、レーザービームが照射された領域でデブリ（加工屑）が発生し、このデブリがウェーハやウェーハを保持する保持テーブルに付着することがある。そして、ウェーハや保持テーブルにデブリが残存すると、デバイスチップの品質が低下したり、保持テーブルによるウェーハの保持や保持テーブルからのウェーハの搬送が妨げられたりする。そのため、ウェーハの加工後には、ウェーハや保持テーブルに付着している付着物を除去する洗浄処理が施される。

【0005】

ここで、例えば原子力施設、航空機、船舶、建築物等の分野においては、レーザービームの照射によるアブレーションによって、所定の部材に付着した付着物を除去する手法が提案されている（特許文献１参照）。そして、このようなレーザービームの照射によって付着物を除去する手法は、ウェーハの加工に用いられる加工装置にも応用されている。特許文献２には、ウェーハを保持する保持テーブルに付着した付着物を、レーザービームの照射によって除去することが可能なレーザー加工装置が開示されている。

【0006】

しかしながら、ウェーハや保持テーブル等の対象物に付着した付着物をレーザービームの照射によって除去すると、対象物自体も意図せずレーザービームによって加工され、対象物に加工痕が残存したり対象物が損傷したりするおそれがある。そこで、対象物に付着した付着物を覆うように水膜を形成した後、この水膜を蒸発させることによって付着物を飛散させて除去する手法が提案されている（非特許文献１参照）。この手法を用いると、レーザービームを対象物に直接照射して付着物を除去する場合と比較して、レーザービームの出力を低く抑えることができ、加工痕の残存や対象物の損傷が抑制される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】特開平７－２２５３００号公報

【文献】特開２０１０－９９７１６号公報

【非特許文献】

【0008】

【文献】P.Leiderer et. al, ”Laser-induced Particle Removal from Silicon Wafers”, Proc. SPIE 4065, 249-259, 2000.

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

上記のように、対象物に付着した付着物（異物）を覆う水膜にレーザービームを照射して付着物を除去する手法を用いることにより、対象物のダメージが低減される。ここで、例えばウェーハの表面に付着したデブリを除去する場合のように、対象物の表面の広範囲にわたって付着した付着物を除去する際には、付着物が確実に液体で覆われるように、対象物の表面の全体に所定の厚さの水膜が形成される。

【0010】

しかしながら、対象物の表面の全体を水膜で被覆するためには、水膜を形成するための大掛かりな設備を準備する必要がある。例えば、対象物に水を供給して水膜を形成する場合には、水の供給量を正確に制御可能な給水設備や、水膜の形成時に使用された水を排出するための排水設備等が必要となる。そのため、水膜にレーザービームを照射して対象物から付着物を除去するクリーニング方法を採用すると、設備の準備や稼働が負担になり、コストも増大する。

【0011】

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、対象物に付着した付着物を簡易に除去可能なクリーニング装置及びクリーニング方法の提供を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の一態様によれば、レーザービームを対象物に照射して該対象物に付着した付着物を除去するクリーニング装置であって、該対象物を冷却する冷却ユニットと、該冷却ユニットにより冷却された該対象物にガスを供給するガス供給ユニットと、レーザー発振器と、開口を有するノズルと、該開口に支持された集光レンズと、を有し、該レーザー発振器から出射した該レーザービームを該開口に入射させて該集光レンズを通過させ、該対象物に該レーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、を有し、該ノズルは、該ノズルの内部に設けられ、一端が該ノズルの該開口で開口し、他端が該ガス供給ユニットに接続された流路を有し、該流路は、該流路の該一端から噴射された該ガスが流動する経路上に該レーザービームの集光点が配置されるように構成されており、該ガス供給ユニットは、該ノズルの該流路を介して該ガスを該冷却ユニットによって冷却された該対象物に供給し、該対象物の該付着物が付着した領域で該ガスを凝縮させることによって、該付着物を液体で覆い、該レーザービームは、該液体に吸収される波長に設定され、該レーザービーム照射ユニットは、該集光レンズを介して該液体に該レーザービームを照射することにより、該液体を蒸発させて該付着物を該対象物から除去することを特徴とするクリーニング装置が提供される。

【0013】

なお、好ましくは、該液体は、該付着物の全体を覆う。また、好ましくは、該レーザービームは、該液体に吸収される。また、好ましくは、該対象物は、保持テーブルの保持面である。また、好ましくは、該保持面は吸引源に接続されており、該保持テーブルは該吸引源を作動させることにより該保持面に負圧が作用するように構成されており、該保持面への該ガスの供給及び該レーザービームの照射は、該吸引源を作動させず、該保持面に負圧が作用していない状態で行われる。また、好ましくは、該クリーニング装置は、該対象物を撮像する撮像ユニットと、該撮像ユニットによって撮像された該対象物の該付着物が付着した領域の位置を記憶する記憶部と、該ガスが供給される位置及び該レーザービームの集光点を、該対象物の該付着物が付着した領域に位置付ける位置付けユニットと、を更に有する。

【0014】

また、本発明の他の一態様によれば、レーザービームを対象物に照射して該対象物に付着した付着物を除去するクリーニング方法であって、該対象物を冷却する冷却ステップと、冷却された該対象物の該付着物が付着した領域にガス供給ユニットによりガスを供給して凝縮させ、該付着物を液体で覆うガス供給ステップと、該付着物を覆う該液体にレーザービーム照射ユニットにより該レーザービームを照射することにより、該液体を蒸発させて該付着物を該対象物から除去するレーザービーム照射ステップと、を有し、該レーザービーム照射ユニットは、レーザー発振器と、開口を有するノズルと、該開口に支持された集光レンズと、を有し、該レーザー発振器から出射した該レーザービームを該開口に入射させて該集光レンズを通過させ、該対象物に該レーザービームを照射するように構成されており、該ノズルは、一端が該ノズルの該開口に開口し、他端が該ガス供給ユニットに接続された流路を有し、該流路に該ガスが供給されるように構成されており、該流路は、該流路の該一端から噴射された該ガスが流動する経路上に該レーザービームの集光点が配置されるように構成されており、該ガス供給ステップでは、該ノズルの該流路を介して該ガスを供給し、該レーザービームは、該液体に吸収される波長に設定され、該レーザービーム照射ステップでは、該集光レンズを介して該レーザービームを照射するクリーニング方法が提供される。

【0015】

なお、好ましくは、該液体は、該付着物の全体を覆う。また、好ましくは、該レーザービームは、該液体に吸収される。また、好ましくは、該対象物は、保持テーブルの保持面である。また、好ましくは、該保持面は吸引源に接続されており、該保持テーブルは該吸引源を作動させることにより該保持面に負圧が作用するように構成されており、該ガス供給ステップ及び該レーザービーム照射ステップは、該吸引源を作動させず、該保持面に負圧が作用していない状態で行われる。また、好ましくは、該クリーニング方法は、該対象物を撮像する撮像ステップと、該撮像ステップで撮像された該対象物の該付着物が付着した領域の位置を記憶する記憶ステップと、該ガスが供給される位置及び該レーザービームの集光点を、該対象物の該付着物が付着した領域に位置付ける位置付けステップと、を更に有する。

【発明の効果】

【0016】

本発明の一態様に係るクリーニング装置及びクリーニング方法では、対象物の付着物が付着した領域でガスを凝縮させることによって付着物を液体で覆った後、この液体をレーザービームの照射によって蒸発させ、付着物を対象物から除去する。これにより、大掛かりな設備を準備及び稼働することなく付着物を覆う液体を局所的に形成でき、対象物から付着物を簡易に除去できる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】クリーニング装置を示す斜視図である。

【図2】対象物から付着物を除去するクリーニング装置を示す断面図である。

【図3】クリーニング装置を用いたクリーニング方法のフローチャートである。

【図4】撮像画像を示す画像図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るクリーニング装置の構成例について説明する。図１は、クリーニング装置２を示す斜視図である。クリーニング装置２は、レーザービームの照射によって、所定の対象物に付着した付着物（異物）を除去する。

【0019】

クリーニング装置２は、クリーニング装置２を構成する各構成要素を支持する基台４を備える。基台４の上面は、Ｘ軸方向（加工送り方向、左右方向、第１水平方向）及びＹ軸方向（割り出し送り方向、前後方向、第２水平方向）と概ね平行に形成されており、基台４の上面上には位置付けユニット（位置付け機構、移動ユニット、移動機構）６が設けられている。位置付けユニット６は、Ｙ軸移動機構（Ｙ軸移動ユニット）８と、Ｘ軸移動機構（Ｘ軸移動ユニット）１８と、Ｚ軸移動機構（Ｚ軸移動ユニット）３４とを備える。

【0020】

Ｙ軸移動機構８は、基台４の上面上にＹ軸方向に沿って配置された一対のＹ軸ガイドレール１０を備える。一対のＹ軸ガイドレール１０には、板状のＹ軸移動テーブル１２がＹ軸ガイドレール１０に沿ってスライド可能な状態で装着されている。

【0021】

Ｙ軸移動テーブル１２の裏面（下面）側にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部は、一対のＹ軸ガイドレール１０の間にＹ軸方向に沿って配置されたＹ軸ボールねじ１４に螺合されている。また、Ｙ軸ボールねじ１４の端部には、Ｙ軸ボールねじ１４を回転させるＹ軸パルスモータ１６が連結されている。Ｙ軸パルスモータ１６でＹ軸ボールねじ１４を回転させると、Ｙ軸移動テーブル１２が一対のＹ軸ガイドレール１０に沿ってＹ軸方向に移動する。

【0022】

Ｘ軸移動機構１８は、Ｙ軸移動テーブル１２の表面（上面）側にＸ軸方向に沿って配置された一対のＸ軸ガイドレール２０を備える。一対のＸ軸ガイドレール２０には、板状のＸ軸移動テーブル２２がＸ軸ガイドレール２０に沿ってスライド可能な状態で装着されている。

【0023】

Ｘ軸移動テーブル２２の裏面（下面）側にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部は、一対のＸ軸ガイドレール２０の間にＸ軸方向に沿って配置されたＸ軸ボールねじ２４に螺合されている。また、Ｘ軸ボールねじ２４の端部には、Ｘ軸ボールねじ２４を回転させるＸ軸パルスモータ２６が連結されている。Ｘ軸パルスモータ２６でＸ軸ボールねじ２４を回転させると、Ｘ軸移動テーブル２２が一対のＸ軸ガイドレール２０に沿ってＸ軸方向に移動する。

【0024】

Ｘ軸移動テーブル２２の表面（上面）上には、クリーニング装置２によるクリーニングの対象となる対象物（被洗浄物、被加工物）１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）２８が固定されている。チャックテーブル２８の上面は、対象物１１を保持する保持面２８ａを構成する。保持面２８ａは、例えば平面視で円形の平坦面であり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に概ね平行に形成されている。また、チャックテーブル２８の周囲には、対象物１１を支持するフレーム１５を把持して固定する複数（図１では４個）のクランプ３０が設けられている。

【0025】

対象物１１は、例えばシリコン等の半導体でなる円盤状の半導体ウェーハであり、互いに概ね平行な表面１１ａ（第１面）及び裏面１１ｂ（第２面）を備える。対象物１１の裏面１１ｂ側には、対象物１１より径の大きい円形のテープ１３が貼付されている。例えばテープ１３は、フィルム状の基材と、基材上に形成された粘着層（糊層）とを備える。基材は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層は、エポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。

【0026】

テープ１３の外周部は、金属等でなり、対象物１１より径の大きい円形の開口を中央部に備える環状のフレーム１５に貼付される。対象物１１は、フレーム１５の開口の内側に配置された状態で、テープ１３を介してフレーム１５によって支持される。

【0027】

例えば、対象物１１の表面１１ａ側は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）によって、複数の矩形状の領域に区画されている。そして、この領域にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のデバイスが形成されている。対象物１１を分割予定ラインに沿って分割すると、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。

【0028】

ただし、対象物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば対象物１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる任意の形状のウェーハであってもよい。また、対象物１１は、ミラー、レンズ等の光学部品であってもよい。

【0029】

Ｙ軸移動テーブル１２をＹ軸方向に沿って移動させると、チャックテーブル２８が割り出し送り方向に移動する。また、Ｘ軸移動テーブル２２をＸ軸方向に沿って移動させると、チャックテーブル２８が加工送り方向に移動する。すなわち、Ｙ軸移動機構８は割り出し送り機構として機能し、Ｘ軸移動機構１８は加工送り機構として機能する。また、チャックテーブル２８にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、この回転駆動源はチャックテーブル２８をＺ軸方向（鉛直方向、上下方向）に概ね平行な回転軸の周りで回転させる。

【0030】

チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８と、チャックテーブル２８によって保持された対象物１１とを冷却する冷却ユニット（冷却機構）３２が備えられている。冷却ユニット３２は、チャックテーブル２８によって保持された対象物１１を冷却する冷却器として機能する。冷却ユニット３２の具体的な構成例は後述する。

【0031】

基台４の後端部（Ｙ軸移動機構８、Ｘ軸移動機構１８、及びチャックテーブル２８の後方）には、Ｚ軸移動機構３４が設けられている。Ｚ軸移動機構３４は、基台４の上面上に配置された直方体状の基部３６ａと、基部３６ａの端部から上方に突出する柱状の支持部３６ｂとを含む支持構造３６を備える。支持部３６ｂの表面（側面）は、Ｚ軸方向に沿って平面状に形成されている。

【0032】

支持部３６ｂの表面には、一対のＺ軸ガイドレール３８がＺ軸方向に沿って設けられている。一対のＺ軸ガイドレール３８には、板状のＺ軸移動テーブル４０がＺ軸ガイドレール３８に沿ってスライド可能な状態で装着されている。

【0033】

Ｚ軸移動テーブル４０の裏面側にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部は、一対のＺ軸ガイドレール３８の間にＺ軸方向に沿って配置されたＺ軸ボールねじ（不図示）に螺合されている。また、Ｚ軸ボールねじの端部には、Ｚ軸ボールねじを回転させるＺ軸パルスモータ４２が連結されている。Ｚ軸パルスモータ４２でＺ軸ボールねじを回転させると、Ｚ軸移動テーブル４０が一対のＺ軸ガイドレール３８に沿ってＺ軸方向に移動する。

【0034】

Ｚ軸移動テーブル４０の表面側には、支持部材４４が固定されている。この支持部材４４は、チャックテーブル２８によって保持された対象物１１にレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット４６を支持している。また、レーザービーム照射ユニット４６には、チャックテーブル２８によって保持された対象物１１にガスを供給するガス供給ユニット４８が接続されている。

【0035】

更に、レーザービーム照射ユニット４６の先端部には、チャックテーブル２８によって保持された対象物１１等を撮像する撮像ユニット５０が設けられている。例えば撮像ユニット５０は、可視光を受光して電気信号に変換する撮像素子を備える可視光カメラや、赤外線を受光して電気信号に変換する撮像素子を備える赤外線カメラ等によって構成される。なお、撮像ユニット５０は、異なる波長域の光を検出可能な２以上のカメラ（可視光カメラと赤外線カメラ等）を備えていてもよいし、倍率が異なる２以上のカメラを備えていてもよい。

【0036】

例えば撮像ユニット５０は、レーザービーム照射ユニット４６とＸ軸方向において隣接するように配置される。そして、撮像ユニット５０で対象物１１を撮像することによって取得された画像に基づいて、チャックテーブル２８とレーザービーム照射ユニット４６との位置合わせや、対象物１１の状態の確認等が行われる。

【0037】

Ｚ軸移動テーブル４０をＺ軸方向に沿って移動させると、レーザービーム照射ユニット４６及び撮像ユニット５０がＺ軸方向に移動する。これにより、レーザービーム照射ユニット４６から照射されるレーザービームの集光点の高さ位置の調整と、撮像ユニット５０のピント合わせとが行われる。

【0038】

Ｙ軸移動機構８、Ｘ軸移動機構１８、Ｚ軸移動機構３４によって、チャックテーブル２８（及びチャックテーブル２８によって保持された対象物１１）と、レーザービーム照射ユニット４６及び撮像ユニット５０との位置関係を調整する位置付けユニット６が構成される。この位置付けユニット６によって、レーザービームの照射位置、ガスの供給位置、撮像位置等が制御される。

【0039】

また、クリーニング装置２は、クリーニング装置２を構成する各構成要素（位置付けユニット６、チャックテーブル２８、クランプ３０、冷却ユニット３２、レーザービーム照射ユニット４６、ガス供給ユニット４８、撮像ユニット５０等）に接続された制御ユニット（制御部）５２を備える。制御ユニット５２は、クリーニング装置２の構成要素それぞれの動作を制御する。

【0040】

例えば、制御ユニット５２はコンピュータによって構成され、クリーニング装置２の稼働に必要な各種の処理（演算等）を行う処理部５４と、処理部５４による処理に用いられる各種の情報（データ、プログラム等）が記憶される記憶部５６とを含む。処理部５４は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサを含んで構成される。また、記憶部は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリによって構成される。処理部５４と記憶部５６とは、バスを介して互いに接続されている。

【0041】

クリーニング装置２は、付着物（異物）が付着した状態の対象物１１に対して、ガスを供給した後にレーザービームを照射することにより、対象物１１から付着物を除去する。付着物の例としては、対象物１１に所定の加工（切削加工、研削加工、研磨加工、レーザー加工等）が施された際に生じた加工屑や、対象物１１の保管、加工、又は搬送の際に対象物１１に付着したダスト等が挙げられる。

【0042】

例えば、対象物１１が半導体ウェーハである場合には、対象物１１を複数のデバイスチップに分割するため、対象物１１に対してレーザービームの照射によるアブレーション加工が施されることがある。この場合、対象物１１のレーザービームが照射された領域ではデブリ（溶融物等）が発生し、このデブリが対象物１１の表面１１ａ側に付着することがある。

【0043】

そこで、本実施形態では、対象物１１に付着したデブリ等の付着物を、クリーニング装置２によって除去する。図２は、対象物１１から付着物を除去するクリーニング装置２を示す断面図である。

【0044】

チャックテーブル２８は、ＳＵＳ（ステンレス鋼）等の金属、ガラス、セラミックス、樹脂等でなる円柱状の枠体（本体部）６０を備える。枠体６０の上面６０ａ側の中央部には、円柱状の凹部６０ｂが形成されている。この凹部６０ｂには、ポーラスセラミックス等の多孔質部材でなる円盤状の吸引部６２が嵌め込まれている。なお、吸引部６２の厚さは凹部６０ｂの深さと概ね同一に設定されており、枠体６０の上面６０ａと吸引部６２の上面（吸引面）６２ａとによってチャックテーブル２８の保持面２８ａが構成される。

【0045】

また、チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８と、チャックテーブル２８によって保持された対象物１１とを冷却する冷却ユニット３２が搭載されている。例えば冷却ユニット３２は、冷却液等の冷媒をチャックテーブル２８の内部で流動させることにより、チャックテーブル２８及び対象物１１を冷却する。

【0046】

具体的には、凹部６０ｂの底側には、複数の流路（吸引路、凹部）６４が設けられている。凹部６０ｂに嵌め込まれた吸引部６２は、流路６４及びバルブ６６を介して、エジェクタ等の吸引源６８に接続されている。また、枠体６０の中央部の底側には、冷媒が供給される流路（冷媒循環路、凹部）７０が設けられている。凹部６０ｂに嵌め込まれた吸引部６２は、流路７０及びバルブ７２を介して、冷媒を供給する冷媒供給源７４に接続されている。

【0047】

冷媒供給源７４は、例えば所定の温度に維持された冷却液（水等）を冷媒として流路７０に供給する。そして、冷媒は、ポーラス状の吸引部６２の内部を流動した後、流路６４を介して吸引源６８によって回収される。このように、冷却ユニット３２は、流路６４、バルブ６６、吸引源６８、流路７０、バルブ７２、冷媒供給源７４を含んで構成される。なお、冷媒供給源７４から供給される冷媒に制限はない。例えば冷媒は、水以外の液体であってもよいし、気体であってもよい。

【0048】

また、冷却ユニット３２の構成は、チャックテーブル２８及び対象物１１の冷却が可能であれば制限はない。例えば冷却ユニット３２は、チャックテーブル２８とは独立して設けられ、圧縮空気を噴出口から噴出してチャックテーブル２８及び対象物１１に冷気を供給するエアークーラー（ジェットクーラー）等であってもよい。この場合、エアークーラーは、噴出口がチャックテーブル２８の保持面２８ａと対向するように設置される。そして、チャックテーブル２８及び対象物１１のうち冷気が供給された領域が、局所的に冷却される。

【0049】

レーザービーム照射ユニット４６は、レーザービームをパルス発振するレーザー発振器８０を備える。レーザー発振器８０の種類は適宜選択でき、例えばＹＡＧレーザー、ＹＶＯ_４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＣＯ_２レーザー（炭酸ガスレーザー）等が用いられる。レーザー発振器８０によって発振されたレーザービームは、ミラー８２で反射し、集光レンズ８４に入射する。

【0050】

また、レーザービーム照射ユニット４６は、チャックテーブル２８の上方に配置された円柱状のノズル８６を備える。ノズル８６の中央部には、ノズル８６を上下に貫通する円柱状の開口８６ａが設けられており、この開口８６ａの内側で集光レンズ８４が支持される。そして、ミラー８２で反射したレーザービームは開口８６ａに入射して集光レンズ８４を通過し、集光レンズ８４によって所定の位置で集光される。

【0051】

ノズル８６には、ガス供給ユニット４８が接続されている。例えばガス供給ユニット４８は、水等の液体９２を貯留する容器９０を備える。容器９０には、外部から容器９０に流入するガスが流れるガス流入路９４と、容器９０から外部に流出するガスが流れるガス流出路９６とが接続されている。

【0052】

ガス流入路９４の一端側は容器９０の内部に接続され、ガス流入路９４の他端側は所定のガス（エアー、Ｎ_２ガス等）を供給するガス供給源（不図示）に接続されている。また、ガス流出路９６の一端側は容器９０の内部に接続され、ガス流出路９６の他端側はノズル８６に接続されている。

【0053】

ノズル８６の内部には、ノズル８６の周方向に沿って形成された環状の第１流路８６ｂと、一端側が第１流路８６ｂに接続され他端側が開口８６ａの下端部で開口する複数の第２流路８６ｃとが設けられている。複数の第２流路８６ｃは、例えばノズル８６の周方向に沿って概ね等間隔に設けられる。

【0054】

ガス供給ユニット４８のガス流出路９６は、ノズル８６の第１流路８６ｂに接続される。例えば、液体９２として水が注入された容器９０を加熱しつつ、ガス供給源からガス（エアー、Ｎ_２ガス等）を供給すると、蒸気（水蒸気）を含むガスがガス流出路９６を介してノズル８６に供給される。そして、蒸気を含むガスは、第１流路８６ｂを介して複数の第２流路８６ｃに供給され、開口８６ａの内側で露出する第２流路８６ｃの端部（開口、噴射口）８６ｄから下方（チャックテーブル２８側）に向かって噴射される。

【0055】

なお、ガス流入路９４を介して容器９０に供給されるガスの成分や、容器９０に貯留される液体９２の種類は、適宜変更できる。また、容器９０に供給されるガス及び容器９０に貯留された液体９２の温度は、蒸気を含むガスが適切に生成されるように、ガスの成分や液体９２の種類に応じて制御される。

【0056】

第２流路８６ｃは、第２流路８６ｃの端部８６ｄから噴射されたガスが、集光レンズ８４によって集光されたレーザービームの集光点を通過するように形成される。具体的には、第２流路８６ｃの端部８６ｄから噴射されたガスが流動する経路上にレーザービームの集光点が配置されるように、第２流路８６ｃの位置、形状、大きさ、角度等が設定される。これにより、ノズル８６を移動させることなく、レーザービームの集光点とガスが供給される位置（ガス供給位置）とを同じ位置に位置付けることができる。

【0057】

次に、上記のクリーニング装置２を用いて対象物１１に付着した付着物を除去するクリーニング方法の具体例を、図２及び図３を参照しながら説明する。図３は、クリーニング装置２を用いたクリーニング方法のフローチャートである。なお、以下のクリーニングを実施する際におけるクリーニング装置２の各構成要素の動作は、制御ユニット５２（図１参照）によって制御される。

【0058】

対象物１１のクリーニングを実施する際は、まず、付着物が付着した状態の対象物１１をチャックテーブル２８によって保持する。例えば、対象物１１の表面１１ａ側にデブリ等の付着物が付着している場合には、表面１１ａ側が上方に露出し、裏面１１ｂ側（テープ１３側）が保持面２８ａと対向するように、対象物１１をチャックテーブル２８上に配置する。また、対象物１１を支持しているフレーム１５（図１参照）を、複数のクランプ３０（図１参照）で固定する。

【0059】

この状態で、バルブ６６を開き、吸引源６８の負圧を吸引部６２に作用させる。これにより、対象物１１の裏面１１ｂ側がテープ１３を介して吸引部６２の上面６２ａに吸引され、対象物１１がチャックテーブル２８によって保持される。

【0060】

次に、対象物１１を冷却する（冷却ステップＳ１）。冷却ステップＳ１では、冷却ユニット３２によって対象物１１を冷却する。具体的には、バルブ６６を開いた状態で、更にバルブ７２を開き、冷媒供給源７４から流路７０に冷媒を供給する。冷媒としては、例えば所定の温度に維持された冷却液（水等）が用いられる。

【0061】

冷媒供給源７４から供給された冷媒は、流路７０を介してポーラス状の吸引部６２の内部に入り込む。そして、吸引部６２の内部の冷媒は、複数の流路６４及びバルブ６６を介して吸引源６８に吸引される。このように、冷媒が枠体６０及び吸引部６２の内部を流動することにより、チャックテーブル２８が冷却される。そして、チャックテーブル２８が冷却されると、チャックテーブル２８の保持面２８ａに接触した状態のテープ１３が冷却されるとともに、テープ１３に貼付された対象物１１が冷却される。

【0062】

なお、冷却ユニット３２は、対象物１１の温度を測定する温度測定ユニット（不図示）を備えていてもよい。例えば温度測定ユニットは、対象物１１の温度を直接測定する温度計や、チャックテーブル２８の温度を測定することによって対象物１１の温度を間接的に測定する温度計等によって構成される。

【0063】

温度測定ユニットによって測定された対象物１１の温度は、制御ユニット５２（図１参照）に入力される。そして、制御ユニット５２は、温度測定ユニットから入力された温度の値と、予め記憶部５６に記憶された基準値（閾値）とを比較し、対象物１１の温度が基準値以下であるか否かを判定する。対象物１１の温度が基準値以下であると判定されると、制御ユニット５２は冷却ユニット３２に制御信号を出力し、冷却ユニット３２によるチャックテーブル２８及び対象物１１の冷却を停止させる。

【0064】

また、チャックテーブル２８の冷却は、対象物１１がチャックテーブル２８によって保持される前に開始してもよい。この場合には、既に冷却された状態のチャックテーブル２８上に対象物１１が配置され、対象物１１が冷却される。

【0065】

次に、Ｙ軸移動機構８及びＸ軸移動機構１８（図１参照）によってチャックテーブル２８を撮像ユニット５０（図１参照）の下方に配置する。そして、Ｚ軸移動機構３４（図１参照）によって撮像ユニット５０の高さ位置を調整した後、撮像ユニット５０で対象物１１を撮像する（撮像ステップＳ２）。これにより、チャックテーブル２８によって保持された対象物１１の表面１１ａ側が表された画像（撮像画像）が取得される。

【0066】

図４は、撮像画像１００を示す画像図である。撮像画像１００には、対象物１１の表面１１ａ側に付着した複数の付着物１７が表示されている。なお、図４では説明の便宜上、付着物１７を視認可能な大きさで表しているが、例えば粒径が１μｍ以下の微細な粒子が付着物１７として付着している場合もある。

【0067】

撮像ユニット５０によって取得された撮像画像は、制御ユニット５２（図１参照）に入力される。そして、制御ユニット５２は撮像画像に所定の画像処理を施すことにより、対象物１１に付着している付着物１７の位置を特定する。例えば、処理部５４は撮像画像に対して二値化処理等を施し、対象物１１のうち付着物１７が付着している領域と、その他の領域とを区別する。そして、処理部５４は、画像処理が施された撮像画像の階調等に基づいて、付着物１７が付着している領域の位置を特定する。

【0068】

ただし、付着物１７が付着している領域の位置の特定方法に制限はない。例えば、クリーニング装置２に備えられた表示部（タッチパネル式のディスプレイ等）に撮像画像を拡大して表示させ、オペレーターがこの撮像画像を確認して付着物１７が付着している領域の位置を特定してクリーニング装置２に入力してもよい。

【0069】

そして、対象物１１の付着物１７が付着している領域の位置を、記憶部５６に記憶する（記憶ステップＳ３）。具体的には、付着物１７が付着している領域の位置が特定されると、処理部５４は記憶部５６にアクセスし、該位置の情報（座標等）を記憶部５６に記憶する。なお、対象物１１に複数の付着物１７が付着している場合には、全ての付着物１７の位置情報が記憶されてもよいし、対象物１１の所定の領域内に存在する各付着物１７の位置情報が記憶されてもよい。

【0070】

次に、ガスが供給される位置（ガス供給位置）及びレーザービームの集光点を、対象物１１の付着物１７が付着した領域に位置付ける（位置付けステップＳ４）。位置付けステップでは、まず、処理部５４が記憶部５６にアクセスし、付着物１７が付着している位置の情報を記憶部５６から読み出す。そして、制御ユニット５２によって位置付けユニット６（図１参照）が制御され、位置付けユニット６は、ガス供給位置及びレーザービーム１２０の集光点を、対象物１１の付着物１７が付着している領域に位置付ける。

【0071】

図２に示すように、クリーニング装置２では、ガス供給ユニット４８からノズル８６を介してチャックテーブル２８に向かってガス１１０が供給されるとともに、レーザービーム照射ユニット４６からチャックテーブル２８に向かってレーザービーム１２０が照射される。そして、前述の通り、ガス１１０はレーザービーム１２０の集光点を通過するように噴射される。

【0072】

そのため、レーザービーム１２０の集光点を対象物１１の付着物１７が付着した領域に位置付けると、ガス供給位置も該領域に自動的に位置付けられる。すなわち、対象物１１及びレーザービーム１２０の集光点の位置合わせと、対象物１１及びガス供給位置の位置合わせとが同時に実施される。これにより、位置合わせの際のクリーニング装置２の動作が簡略化される。

【0073】

次に、対象物１１の付着物１７が付着した領域にガス１１０を供給する（ガス供給ステップＳ５）。ガス供給ステップＳ５では、ガス供給ユニット４８からノズル８６に供給されたガス１１０が、第２流路８６ｃの端部８６ｄから対象物１１の付着物１７が付着した領域に向かって噴出する。これにより、対象物１１の付着物１７が付着した領域に、局所的にガス１１０が供給される。

【0074】

このとき、対象物１１は冷却ユニット３２によって冷却されている。この状態で、対象物１１の付着物１７が付着した領域にガス１１０が供給されると、付着物１７を核としてガス１１０が凝縮する。その結果、対象物１１の表面１１ａ側には、付着物１７を覆う液体１９が形成される。例えば、ガス１１０に水蒸気が含まれる場合には、水蒸気が凝縮して水滴になり、付着物１７が水によって覆われる。なお、図２では説明の便宜上、付着物１７及び液体１９を拡大して示している。

【0075】

このように、付着物１７の付近にガス１１０を供給すると、付着物１７を覆う液体１９が局所的に形成される。これにより、付着物１７が存在する領域のみに微細な液滴を選択的に形成できる。なお、液体１９の形状は、付着物１７の大きさや密度（数）に応じて異なる。例えば、付着物１７を覆う液滴（水滴）が離れた位置に複数形成されることもあるし、複数の液滴が連結して液膜（水膜）が局所的に形成されることもある。

【0076】

上記の方法で付着物１７を覆う液体１９を形成する場合、対象物１１に水を正確な流量で供給して付着物１７を覆う水膜を形成する給水設備や、水膜の形成に使用された水を排出する排水設備等を、新たにクリーニング装置２に設置する必要がない。これにより、大掛かりな設備を準備及び稼働することなく、付着物１７を覆う液体１９を簡易に形成できる。

【0077】

なお、対象物１１の温度は、ガス１１０が対象物１１に到達した際にガス１１０が凝縮して液体１９が形成されるように、冷却ユニット３２によって調整される。例えば、ガス１１０が水蒸気を含む場合、冷却ユニット３２は、対象物１１の温度が露点温度以下となるように対象物１１を冷却する。

【0078】

次に、付着物１７を覆う液体１９にレーザービーム１２０を照射する（レーザービーム照射ステップＳ６）。レーザービーム照射ステップでは、ノズル８６から照射されたレーザービーム１２０が、対象物１１の付着物１７が付着した領域で集光される。その結果、付着物１７を覆う液体１９がレーザービーム１２０を吸収して瞬時に蒸発し、その際に生じる圧力（蒸発反力）によって付着物１７が飛散し、対象物１１から離脱する。これにより、付着物１７が対象物１１から除去される。

【0079】

上記のように、液体１９の蒸発によって付着物１７を除去する場合、必ずしも付着物１７自体にアブレーション加工を施す必要がない。そのため、レーザービーム１２０の出力を低く抑えることができ、対象物１１の損傷が抑制される。なお、レーザービーム１２０の照射条件は、液体１９が蒸発して付着物１７が除去されるように設定される。

【0080】

例えば、液体１９が水である場合、付着物１７を除去するためのレーザービーム１２０の照射条件は以下のように設定できる。ただし、レーザービーム１２０の照射条件は、対象物１１や付着物１７に応じて適宜変更できる。例えば、対象物１１の寸法や材質、付着物１７の大きさ等に応じて、パルスエネルギーの値が調整される。
レーザー発振器 ：ＹＡＧレーザー
波長 ：１０６４ｎｍ
パルス幅 ：２０ｎｓ
パルスエネルギー：１０～１００ｍＪ
スポット径 ：５ｍｍ

【0081】

その後、対象物１１に他の付着物１７が付着しているか否かを判定する（判断ステップＳ７）。そして、対象物１１に他の付着物１７が付着している場合には（判断ステップＳ７でＮＯ）、更に位置付けステップＳ４、ガス供給ステップＳ５、レーザービーム照射ステップＳ６を実施して、他の付着物１７を除去する。そして、対象物１１に付着している全ての付着物１７（又は、対象物１１の所定の領域内に存在する全ての付着物１７）が除去されると（判断ステップＳ７でＹＥＳ）、対象物１１のクリーニングが完了する。

【0082】

上記の対象物１１のクリーニングは、例えば、記憶部５６に記憶されたプログラムを処理部５４が実行することによって実現される。具体的には、対象物１１のクリーニングに必要な各ステップ（図３のステップＳ１～Ｓ７等）を実施するために必要なクリーニング装置２の各構成要素の一連の動作を記述するプログラムが、記憶部５６に予め記憶されている。そして、オペレーターがクリーニング装置２に対して対象物１１のクリーニングを実施する旨の指示を与えると、処理部５４は記憶部５６から該プログラムを読み出して実行し、クリーニング装置２の各構成要素の動作を制御するための制御信号を順次生成する。

【0083】

以上の通り、本実施形態に係るクリーニング装置及びクリーニング方法では、対象物１１の付着物１７が付着した領域でガス１１０を凝縮させることによって付着物１７を液体１９で覆った後、この液体１９をレーザービーム１２０の照射によって蒸発させ、付着物１７を対象物１１から除去する。これにより、給水設備、排水設備等の大掛かりな設備を準備及び稼働することなく付着物１７を覆う液体１９を局所的に形成でき、対象物１１から付着物１７を簡易に除去できる。

【0084】

なお、上記実施形態で説明したクリーニング方法に含まれる各ステップの順序は、付着物１７の除去に支障がない範囲内で適宜変更できる。例えば、冷却ステップＳ１は、撮像ステップＳ２とガス供給ステップＳ５との間の任意のタイミングで実施できる。また、冷却ステップＳ１は、撮像ステップＳ２、記憶ステップＳ３、又は位置付けステップＳ４と同時進行で実施されてもよい。

【0085】

また、冷却ユニット３２が対象物１１の一部を局所的に冷却できる場合には、対象物１１のうち付着物１７が付着した領域のみを冷却してもよい。この場合には、記憶ステップＳ３の実施後に、記憶部５６に記憶された位置（対象物１１の付着物１７が付着した位置）を冷却ユニット３２で局所的に冷却する冷却ステップＳ１が実施される。

【0086】

なお、対象物１１の局所的な冷却には、ノズル８６を用いることもできる。例えば、ノズル８６の第１流路８６ｂには、ノズル８６にエアーを供給するエアー供給源（不図示）が接続されていてもよい。エアー供給源は、圧縮空気を噴出してノズル８６に冷気を供給するエアークーラー（ジェットクーラー）等によって構成される。

【0087】

エアー供給源からノズル８６に供給された冷気は、第１流路８６ｂ及び第２流路８６ｃを流動し、第２流路８６ｃの端部８６ｄからチャックテーブル２８に向かって噴出する。この冷気により、対象物１１が局所的に冷却される。

【0088】

例えば、位置付けステップＳ４の実施後、エアー供給源からノズル８６に冷気を供給すると、対象物１１の付着物１７が付着した領域に冷気が供給される。これにより、対象物１１の付着物１７が付着した領域が局所的に冷却される（冷却ステップＳ１）。その後、エアー供給源からノズル８６への冷気の供給を停止するとともに、ガス供給ユニット４８からノズル８６にガス１１０を供給する。これにより、対象物１１の付着物１７が付着した領域にガス１１０が局所的に供給される（ガス供給ステップＳ５）。

【0089】

また、クリーニング装置２は、対象物１１のクリーニングのみでなく、対象物１１にレーザー加工を施す機能を備えていてもよい。例えば、レーザービーム照射ユニット４６から照射されるレーザービームの波長を、少なくともレーザービームの一部が対象物１１に吸収されるように設定し、このレーザービームを対象物１１に照射して対象物１１にアブレーション加工を施してもよい。この場合、クリーニング装置２はレーザー加工装置としての機能も有する。

【0090】

さらに、本実施形態では、クリーニングの対象が半導体ウェーハ等の対象物１１である場合について説明したが、クリーニングの対象に制限はない。例えば、対象物１１にレーザー加工を施すと、レーザービームによって溶融されたテープ１３の一部が、チャックテーブル２８の保持面２８ａに付着物として付着することがある。この場合には、クリーニング装置２によるクリーニングの対象をチャックテーブル２８の保持面２８ａに設定し、保持面２８ａから付着物を除去してもよい。

【0091】

なお、チャックテーブル２８の保持面２８ａにクリーニングを施す場合には、バルブ６６を閉じ、吸引源６８の負圧が吸引部６２に作用していない状態でガス１１０を供給することが好ましい。これにより、ガス１１０が凝縮して液体が生成されても、その液体が吸引部６２や流路６４に入り込みにくくなる。

【0092】

その他、本実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

【符号の説明】

【0093】

１１ 対象物（被洗浄物、被加工物）
１１ａ 表面（第１面）
１１ｂ 裏面（第２面）
１３ テープ
１５ フレーム
１７ 付着物
１９ 液体
２ クリーニング装置（レーザー加工装置）
４ 基台
６ 位置付けユニット（位置付け機構、移動ユニット、移動機構）
８ Ｙ軸移動機構（Ｙ軸移動ユニット）
１０ Ｙ軸ガイドレール
１２ Ｙ軸移動テーブル
１４ Ｙ軸ボールねじ
１６ Ｙ軸パルスモータ
１８ Ｘ軸移動機構（Ｘ軸移動ユニット）
２０ Ｘ軸ガイドレール
２２ Ｘ軸移動テーブル
２４ Ｘ軸ボールねじ
２６ Ｘ軸パルスモータ
２８ チャックテーブル（保持テーブル）
２８ａ 保持面
３０ クランプ
３２ 冷却ユニット（冷却機構）
３４ Ｚ軸移動機構（Ｚ軸移動ユニット）
３６ 支持構造
３６ａ 基部
３６ｂ 支持部
３８ Ｚ軸ガイドレール
４０ Ｚ軸移動テーブル
４２ Ｚ軸パルスモータ
４４ 支持部材
４６ レーザービーム照射ユニット
４８ ガス供給ユニット
５０ 撮像ユニット
５２ 制御ユニット（制御部）
５４ 処理部
５６ 記憶部
６０ 枠体（本体部）
６０ａ 上面
６０ｂ 凹部
６２ 吸引部
６２ａ 上面（吸引面）
６４ 流路（吸引路、凹部）
６６ バルブ
６８ 吸引源
７０ 流路（冷媒循環路、凹部）
７２ バルブ
７４ 冷媒供給源
８０ レーザー発振器
８２ ミラー
８４ 集光レンズ
８６ ノズル
８６ａ 開口
８６ｂ 第１流路
８６ｃ 第２流路
８６ｄ 端部（開口、噴射口）
９０ 容器
９２ 液体
９４ ガス流入路
９６ ガス流出路
１００ 撮像画像
１１０ ガス
１２０ レーザービーム

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】