特許 7493102 半導体リソグラフィ用の投影露光装置のアクチュエータを測定する方法及び装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-22

(45)【発行日】2024-05-30

(54)【発明の名称】半導体リソグラフィ用の投影露光装置のアクチュエータを測定する方法及び装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20240523BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 521

G03F7/20 502

G03F7/20 503

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2023521894

(86)(22)【出願日】2021-10-08

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-10-23

(86)【国際出願番号】 EP2021077830

(87)【国際公開番号】W WO2022078886

(87)【国際公開日】2022-04-21

【審査請求日】2023-05-30

(31)【優先権主張番号】102020212853.7

(32)【優先日】2020-10-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(73)【特許権者】

【識別番号】503263355

【氏名又は名称】カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】100147485

【弁理士】

【氏名又は名称】杉村 憲司

(74)【代理人】

【識別番号】230118913

【弁護士】

【氏名又は名称】杉村 光嗣

(74)【代理人】

【識別番号】100139491

【弁理士】

【氏名又は名称】河合 隆慶

(72)【発明者】

【氏名】マルクス ラーブ

(72)【発明者】

【氏名】ムハンマド アワド

(72)【発明者】

【氏名】マティアス マンガー

(72)【発明者】

【氏名】バスチアン ケラー

(72)【発明者】

【氏名】アニカ リーフ

(72)【発明者】

【氏名】ダニエル ザイツ

(72)【発明者】

【氏名】アレクサンダー ヴォグラー

【審査官】田中 秀直

(56)【参考文献】

【文献】特表２０１８－５３４６０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１９－５１０４５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１９０９８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０６７３４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１６９３２５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｇ０２Ｂ ２６／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体リソグラフィ用の投影露光装置（１、２）の、特に投影レンズ（２７、９）のアクチュエータ（３８．２）を測定する方法であって、ここで、少なくとも２つのアクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）は相互に機械的に結合されており、当該機械的に結合された少なくとも２つのアクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）は光学素子（３２）を変形させるように機能するものであり、
一定の制御信号を用いて第１のアクチュエータ（３８．２）を駆動し撓ませ、且つ機械的結合により別のアクチュエータ（３８．１、３８．３）を撓ませるステップと、
前記結合により撓んだ前記別のアクチュエータ（３８．１、３８．３）の静電容量を求めるステップと
を含む方法。

【請求項2】

請求項１に記載の方法において、
前記アクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）は、圧電又は電歪アクチュエータであることを特徴とする方法。

【請求項3】

請求項１又は２に記載の方法において、
前記アクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）は、光学素子（３２）、特にミラーに接続されることを特徴とする方法。

【請求項4】

請求項１～３のいずれか１項に記載の方法において、
前記第１のアクチュエータ（３８．２）の撓みが、該アクチュエータ（３８．２）の全撓みの４０％を超える、全撓みの７０％を超える、又は全撓みの１００％であることを特徴とする方法。

【請求項5】

請求項１～４のいずれか１項に記載の方法において、
前記別のアクチュエータ（３８．１、３８．３）の前記静電容量は、一定の周波数のＡＣ電圧を用いて検出されることを特徴とする方法。

【請求項6】

請求項１～５のいずれ１項に記載の方法において、
前記静電容量は、前記アクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）の典型的な静電容量の１０^－４以下、１０^－５、又は１０^－６の分解能で測定されることを特徴とする方法。

【請求項7】

請求項１～６のいずれか１項に記載の方法において、
前記静電容量は、一定の温度で検出されることを特徴とする方法。

【請求項8】

請求項１～７のいずれか１項に記載の方法において、
前記アクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）の撓みは、検出された静電容量値を前記アクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）の作動時に求められた設定静電容量値と比較することにより較正されることを特徴とする方法。

【請求項9】

制御装置（４０）及び測定装置（４３）を含む、機械的に結合された少なくとも２つのアクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）であって、当該機械的に結合された少なくとも２つのアクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）は光学素子（３２）を変形させるように機能する、少なくとも２つのアクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）を測定する装置を含む、半導体リソグラフィ用の投影露光装置（１、２１）であって、
前記測定装置（４３）は、少なくとも１つのアクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）の静電容量を求めるよう構成されることを特徴とする投影露光装置。

【請求項10】

請求項９に記載の投影露光装置（１、２１）において、
前記少なくとも２つのアクチュエータ（３８．１、３８．２、３８．３）は、投影露光装置（１、２１）の光学素子、特にミラーに接続されることを特徴とする装置。

【請求項11】

請求項９又は１０に記載の投影露光装置（１、２１）において、
前記制御装置（４０）は、ＡＣ電圧源及び／又はＤＣ電圧源を含むことを特徴とする装置。

【請求項12】

請求項９～１１のいずれか１項に記載の投影露光装置（１、２１）において、
前記測定装置（４３）は、静電容量の検出時に温度を検出するセンサ（４４）を含むことを特徴とする装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本特許出願は、独国特許出願第１０ ２０２０ ２１２ ８５３．７号の優先権を主張し、その内容を参照により本明細書に完全に援用する。

【0002】

本発明は、半導体リソグラフィ用の投影露光装置又は投影レンズのアクチュエータを測定する方法及び装置に関する。

【背景技術】

【0003】

このような装置は、特に半導体コンポーネント又は他の微細構造コンポーネント部品に極めて微細な構造を作製するのに用いられる。上記装置の動作原理は、感光材料が設けられた構造化すべき要素、いわゆるウェーハに、レチクルと称するものを用いたマスク上の構造を概して縮小結像することにより、ナノメートル範囲の非常に微細な構造を作製することに基づく。作製される構造の最小寸法は、使用光の波長に直接依存する。近年では、数ナノメートルの範囲の、例えば１ｎｍ～１２０ｎｍの、特に約１３．５ｎｍの発光波長を有する光源の使用が増えている。記載した波長域をＥＵＶ領域とも称する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ＥＵＶシステムの使用のほかに、微細構造コンポーネント部品は、１００ｎｍ～４００ｎｍ、特に１９３ｎｍ又は２４８ｎｍの波長の商業的に定着したＤＵＶシステムを用いても作製される。ＥＵＶ領域の導入の結果として、ひいてはより小さな構造を作製できる可能性がある結果として、競合する波長１９３ｎｍのＤＵＶシステムでの光学補正に対する要求もさらに高まっている。さらに、収益性を上げるために、波長とは関係なく投影露光装置の世代が新しくなるたびにスループットが向上し、これにより、通常は熱負荷が大きくなり、ひいては熱が引き起こす結像収差が大きくなる。結像収差を補正するために、特に、光学素子の位置及びアライメントを変更するか又は光学活性面の変形により光学素子、特にミラーの結像特性に影響を及ぼすマニピュレータを利用することができる。例として、変形は、ミラーの裏側に配置されたアクチュエータにより実現される。利用可能な設置空間が限られるので、技術的且つ経済的な観点から実現可能なセンサで、光学活性面のトポグラフィを求めるのに利用可能であり得るものは現在のところない。したがって、アクチュエータは開制御ループで駆動される。制御信号とアクチュエータの撓みとの間の関係の変化及び／又はアクチュエータの若しくはアクチュエータとミラーとの接続の欠陥を検出できないので、これは不利である。

【0005】

この問題を解決するための文献から既知のインピーダンス分光法は、非常に高価であると共に技術的観点から実現が困難である。

【課題を解決するための手段】

【0006】

代替的な解決手段は、独立請求項に記載の特徴を有する方法及び装置により示される。従属請求項は、有利な発展形態及び変形形態に関するものである。

【0007】

半導体リソグラフィ用の投影露光装置のアクチュエータを測定する方法が、
一定の制御信号を用いて第１のアクチュエータを駆動し撓ませ、且つ第１のアクチュエータとの機械的結合により別のアクチュエータを撓ませるステップと、
結合により撓んだ上記別のアクチュエータの静電容量の変化を求めるステップと
を含む。

【0008】

ここで、アクチュエータの機械的結合は、特に、圧電的又は電歪的に活性な材料、例えば圧電セラミック内に電極を組み込むことでアクチュエータを圧電又は電歪アクチュエータとして形成することにより得ることができる。機械的結合は、比較的剛性のばねのように働く圧電セラミック自体により実施される。上記別のアクチュエータは、調整可能なキャパシタのように働き、その静電容量は、特にその撓みに応じて変わる。したがって、第１のアクチュエータの駆動の結果として且つ第１のアクチュエータの撓みの上記別のアクチュエータへの機械的な伝達の結果として、上記別のアクチュエータの撓みが変わる場合に、上記別のアクチュエータの静電容量が変わる。

【0009】

結果として、第１のアクチュエータが撓んだときの上記別のアクチュエータの現在の静電容量を求めることで、第１のアクチュエータの部位の条件に関する結論を出すことができる。特に、これにより、アクチュエータ間の機械的結合の品質、ひいては周囲の材料の完全性又は接着結合部位の状態に関する結論を出すことができる。

【0010】

しかしながら、欠陥のある第１のアクチュエータ及び上記別のアクチュエータの欠陥に特に起因して、上記別のアクチュエータの測定された静電容量のずれも生じ得る。この場合、第１のアクチュエータの撓み中に第１のアクチュエータの周囲の複数のアクチュエータの静電容量を連続して求めることにより、誤差を明確に求めることができる。誤差は、こうして確認されたデータの総観により絞ることができる。

【0011】

アクチュエータは、半導体リソグラフィ用の投影露光装置の光学素子に接続される。特に、光学素子は、ＥＵＶ投影露光装置又はＤＵＶ投影露光装置のミラーであり得る。特に、光学素子は、投影露光装置の投影レンズの一部であり得る。

【0012】

第１のアクチュエータの撓みがアクチュエータの全撓みの４０％を超える、好ましくは全撓みの７０％を超える、特に好ましくは全撓みの１００％である結果として、上記別のアクチュエータの静電容量に対して測定可能な影響を及ぼすのに十分なほど上記別のアクチュエータを撓ませることができる。

【0013】

特に、第２のアクチュエータの静電容量は、一定の周波数のＡＣ電圧を用いて検出することができる。ここで、特に、関連の装置の機械的固有周波数から十分に離れた周波数を選択することが可能である。

【0014】

静電容量がアクチュエータの典型的な静電容量の１０^－４以下、好ましくは１０^－５、特に好ましくは１０^－６の分解能で測定されれば有利である。

【0015】

有利な実施形態において、静電容量は一定の温度で検出される。結果として、上記別のアクチュエータの静電容量に対する温度の影響が排除され、測定の意義が増す。

【0016】

一変形形態において、アクチュエータの撓みは、検出された静電容量値をアクチュエータの作動時に求められた設定静電容量値と比較することにより較正される。これにより、アクチュエータのエージング効果を確認することが可能になり、特に、装置の通常動作の範囲内でアクチュエータの駆動時にこれを考慮することが可能になる。

【0017】

制御装置及び測定装置を含む、少なくとも２つの機械的に結合されたアクチュエータを測定する装置を含む、半導体リソグラフィ用の投影露光装置又は投影レンズは、測定装置が少なくとも１つのアクチュエータの静電容量を求めるよう構成されることを特徴とする。

【0018】

ここで、少なくとも２つのアクチュエータは、投影露光装置又は投影レンズの光学素子に接続され得る。

【0019】

制御装置は、特にＡＣ電圧源及びＤＣ電圧源を含み得る。電圧装置をアクチュエータの所要電圧範内で動作させることができなければならない。さらに、低周波数範囲＜５０Ｈｚの電圧変化が得策である。

【0020】

さらに、制御装置及び測定装置は、必ずしも別個のユニットとして実現される必要はなく、両方の機能が共通のアセンブリに組み込まれていてもよい。

【0021】

測定デバイスが静電容量の検出時に温度を検出するセンサを含む場合、測定の精度をさらに向上させることができる。

【0022】

図面を参照して例示的な実施形態及び変形形態を以下でより詳細に説明する。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】ＤＵＶ投影露光装置の基本図を示す。

【図2】ＥＵＶ投影露光装置の基本図を示す。

【図3a】従来技術から既知のデフォーマブルミラーのアクチュエータ配置を示す。

【図3b】従来技術から既知のデフォーマブルミラーのアクチュエータ配置を示す。

【図3c】従来技術から既知のデフォーマブルミラーのアクチュエータ配置を示す。

【図4a】原理を説明する概略図を示す。

【図4b】原理を説明する概略図を示す。

【図4c】原理を説明する概略図を示す。

【図5】測定方法のフローチャートを示す。

【発明を実施するための形態】

【0024】

図１は、本発明を用いることができる例示的なＤＵＶ投影露光装置２１を示す。投影露光装置２１は、コンピュータチップ等の半導体コンポーネントの製造のために、感光材料で覆われ且つ概して主にケイ素からなるウェーハ２２とも称する基板に構造を露光する働きをする。

【0025】

投影露光装置２１は、この場合、照明装置２３と、ウェーハ２２上のその後の構造を決定する構造が設けられたマスク、いわゆるレチクル２５を収容し且つ正確に位置決めするレチクルホルダ２４と、上記ウェーハ２２を保持し、移動させ、且つ正確に位置決めするウェーハホルダ２６と、複数の光学素子２８を有する結像装置、具体的には投影レンズ２７とを実質的に備えており、光学素子２８は、投影レンズ２７のレンズハウジング３０にマウント２９により保持される。

【0026】

この場合の基本的な機能原理では、レチクル２５に導入された構造がウェーハ２２に概して縮小して結像される。

【0027】

照明装置２３は、ウェーハ２２へのレチクル２５の結像に必要な電磁放射線の形態の投影ビーム３１を供給し、上記放射線の波長域は特に１００ｎｍ～３００ｎｍにある。レーザ、プラズマ源等をこの放射線の供給源として用いることができる。照明装置２３の光学素子を用いて、レチクル２５への入射時に投影ビーム３１が直径、偏光、波面形態等に関して所望の特性を有するように放射線が整形される。

【0028】

レチクル２５の像は、投影ビーム３１により生成され、既に上述したように適当な縮小形態で投影レンズ２７からウェーハ２２に転写される。この場合、レチクル２５及びウェーハ２２を同期して移動させることができるので、レチクル２５の各領域が、いわゆる走査プロセス中に事実上連続してウェーハ２２の対応領域に結像される。投影レンズ２７は、複数の個別の屈折、回折、及び／又は反射光学素子２８、例えばレンズ素子、ミラー、プリズム、終端板等を有し、上記光学素子２８は、例えばここに記載するアクチュエータ配置の１つ又は複数により作動され得る。

【0029】

図２は、本発明を同様に適用することができるマイクロリソグラフィＥＵＶ投影露光装置１の基本構成を例として示す。投影露光装置１の照明系は、光源３に加えて、物体面６の物体視野５を照明する照明光学ユニット４を有する。光源３が発生した使用放射線の形態のＥＵＶ放射線１４が、中間焦点面１５の領域の中間焦点を通過した後に視野ファセットミラー２に入射するように、光源３に組み込まれたコレクタにより位置合わせされる。視野ファセットミラー２の下流で、ＥＵＶ放射線１４は瞳ファセットミラー１６により反射される。瞳ファセットミラー１６とミラー１８、１９、及び２０を有する光学アセンブリ１７とを用いて、視野ファセットミラー２の視野ファセットが物体視野５に結像される。

【0030】

物体視野５に配置され、概略的に示すレチクルホルダ８により保持されたレチクル７が照明される。概略的に示してあるにすぎない投影レンズ９が、物体視野５を像面１１の像視野１０に結像する働きをする。レチクル７上の構造が、像面１１の像視野１０の領域に配置されたウェーハ１２の感光層に結像され、ウェーハ１２は、同じく部分的に表すウェーハホルダ１３により保持される。光源３は、特に１ｎｍ～１２０ｎｍの波長の使用放射線を発することができる。

【0031】

図３ａ～図３ｃは、上記に示す装置の１つで用いられる、デフォーマブルミラー３２として具現された光学素子のための従来技術から既知の種々のアクチュエータ配置を示す。

【0032】

図３ａは、アクチュエータ３７がデフォーマブルミラー３２の裏側３５とフレーム３６との間に配置されたアクチュエータ配置を示す。各アクチュエータ３７が制御装置４０に接続される。図３ａに示すように、アクチュエータ３７が駆動されて中立位置から撓んだ場合、ミラー体３３、ひいては結像特性に関係するミラー面３４が変形する。

【0033】

図３ｂは、アクチュエータ３８がデフォーマブルミラー３２の裏側３５に配置されたさらに別のアクチュエータ配置を示す。アクチュエータ３８は、ミラー体３３の裏側３５に対して垂直に実行される撓みにより、ミラー体３３、ひいては結像特性に関係するミラー面３４を変形させる。図３ａに示すアクチュエータ３７とは異なり、ミラー体３３の変形は、この場合はアクチュエータ３８の横方向の収縮により起こる。図３ａのように、ミラー３２は変形状態で示されている。通常、アクチュエータ３８は、予め張力をかけて、すなわち既に撓んだ状態でミラー裏側３５に接続され、その結果としてアクチュエータ３８は２方向に作用することができる。図３ａに示すように、各アクチュエータ３８が制御装置４０に接続される。

【0034】

図３は、アクチュエータ３８がアクチュエータ本体３９の一部として具現されたさらに別の代替的なアクチュエータ配置を示す。アクチュエータ本体３９は、アクチュエータ３８と同じ材料を含み、アクチュエータ３８は、アクチュエータ本体３９が電極（図示せず）の領域でのみ撓むようにアクチュエータ本体３９に電極を配置することにより形成される。アクチュエータ３８をミラー３２のミラー裏側３５に個別に取り付ける必要がなく、その代わりにアクチュエータ３８の群を１つのコンポーネント部品としてミラー裏側３５に取り付けることができるので、これは有利である。個々のアクチュエータ３８は、アクチュエータ本体３９により相互に機械的に結合される。ミラー体３３及びミラー面３４の変形の基本機能は、図３ｂに示した通りである。同様に、各アクチュエータ３８が制御装置４０に接続される。

【0035】

図４ａ～図４ｃはそれぞれ、アクチュエータ３８同士及びアクチュエータ３８とミラー３２との機械的結合（図４ａ及び図４ｂ）及び測定原理（図４ｃ）を説明する等価回路図を示す。

【0036】

ここで、図４ａは、９個のアクチュエータ３８．ｘを含むアクチュエータ本体３９を有するミラー体３３の裏側３５の平面図を示す。アクチュエータ３８．ｘは、全てがアクチュエータ本体３９により相互に機械的に結合され、アクチュエータ同士の機械的結合をばね４１により概略的に示し、アクチュエータ３８．ｘとミラー体３３との結合をばね４２により概略的に示す。図４ａに破線を用いて示す、アクチュエータ本体３９の中心にあるアクチュエータ３８．２は、本発明による測定中に制御装置４０により駆動され、一定の電圧で撓ませられる。

【0037】

図４ｂは、図４ａの線ＩＶｂに沿ったミラー３２の断面を示す。３つのアクチュエータ３８．１、３８．２、３８．３を断面図で明確に見ることができ、アクチュエータ３８．２は、制御装置４０に接続されているがまだ駆動されておらず、すなわち撓みはゼロである。アクチュエータ３８．ｘの部位の温度の測定に用いられるセンサ４４も同様に、図４ｂで明確に見ることができる。

【0038】

次に、図４ｃは、アクチュエータ３８．２が一定の電圧で制御装置４０により駆動されるミラー３２の断面を示す。アクチュエータ３８．２は、ミラー体３３の裏側３５に対して垂直に撓むと同時に、ミラー体３３の裏側３５と平行に収縮する。ミラー体３３は、アクチュエータ３８．２とミラー体３３とが結合されている結果として変形する。アクチュエータ３８．１、３８．３は、アクチュエータ本体３９及びミラー体３３によりアクチュエータ３８．２に機械的に結合されており、アクチュエータ３８．２が撓むと応力が生じてアクチュエータ３８．１、３８．３が変形する。これにより、電歪又は圧電アクチュエータ３８．１、３８．３においては静電容量が変化し、これを測定することができる。この目的で、測定中にセンサとして働く２つのアクチュエータ３８．１及び３８．３は、測定装置４３に接続される。測定装置４３は、図４ｂに示す無負荷状態と図４ｃに示すアクチュエータ３８．２の撓みにより生じた応力による負荷状態との間でのアクチュエータ３８．１、３８．３の静電容量の変化を検出する。図４ｃは、全てのアクチュエータ３８．１、３８．２、３８．３の順次測定が可能であるように、全てのアクチュエータ３８．１、３８．２、３８．３が制御装置４０及び測定装置４３に接続されることを示す。

【0039】

当然ながら、図４ａ～図４ｃに基づいて説明した測定原理は、例示的にここで示す配置に加えて全く異なるアクチュエータ配置に適用することができる。

【0040】

この測定プロセスの理論的背景を以下で簡単に要約する。

【0041】

下記の式（１）は、アクチュエータ３８の歪みＳと電場Ｅと応力σとの間の関係を記述したものである。材料パラメータＭは、機械的歪みと電場Ｅとの間の結合を表す。材料のヤング率の逆数をｓで表す。
Ｓ＝Ｍ＊Ｅ²＋ｓ＊σ （１）

【0042】

電場は（２）から得られる。
Ｅ＝Ｕ／ｄ_{ｌａｙｅｒ} （２）
式中、ｄ_{ｌａｙｅｒ}はアクチュエータ３８の２つの電極間の層厚を示し、Ｕは電圧である。

【0043】

応力σは、（３）により計算され、単位面積Ａあたりの印加された力Ｆから形成される。
σ＝Ｆ／Ａ （３）

【0044】

線形圧電材料と同様に、電歪材料も（４）で記述される逆電歪効果εを有する。
Ｄ＝ε＊Ｅ＋２＊Ｍ＊Ｅ＊σ （４）

【0045】

その結果、電場Ｅ及び応力σに応じた電束密度Ｄが生じる。

【0046】

電歪アクチュエータの静電容量Ｃは、電束密度Ｄ及び印加電圧Ｕから（５）を用いて計算することができる。ここで、Ｃは静電容量を示し、Ａはアクチュエータのアクティブ面積を示し、Ｎは層の数を示し、ｄ_{ｌａｙｅｒ}は層の厚さを示す。
Ｃ＝（Ｄ＊Ａ＊Ｎ）／Ｕ （５）

【0047】

（４）及び（５）から、アクチュエータの静電容量は
Ｃ＝（ε＊Ａ＊Ｎ）／ｄ_{ｌａｙｅｒ}＋（２＊Ｍ＊σ＊Ｎ）／ｄ_{ｌａｙｅｒ} （６）
として得られる。

【0048】

ここで、ここに示す電歪アクチュエータ３８．１、３８．３の場合には一定のバイアス電圧が印加され、静電容量は一定の周波数で求められる。便宜上、静電容量測定に対する温度変化の影響を排除するために一定の温度で測定が実行される。静電容量測定は、圧電アクチュエータの場合にも適用することができ、このタイプのアクチュエータでは、圧電効果の結果としての応力を電圧測定により求めることもできる。

【0049】

図５は、２つのアクチュエータが相互に機械的に結合された投影露光装置のアクチュエータを測定する本発明による方法のフローチャートを示す。

【0050】

第１の方法ステップ５１において、一定の制御信号を用いて第１のアクチュエータ３８．２を駆動し撓ませ、且つ機械的結合４１の結果として別のアクチュエータ３８．１、３８．３を撓ませる。

【0051】

第２の方法ステップ５２において、結合の結果として撓んだ上記別のアクチュエータ３８．１、３８．３の静電容量を求める。

【符号の説明】

【0052】

１ 投影露光装置（ＥＵＶ）
２ 視野ファセットミラー（ＥＵＶ）
３ 光源（ＥＵＶ）
４ 照明光学ユニット（ＥＵＶ）
５ 物体視野（ＥＵＶ）
６ 物体面（ＥＵＶ）
７ レチクル（ＥＵＶ）
８ レチクルホルダ（ＥＵＶ）
９ 投影レンズ（ＥＵＶ）
１０ 像視野（ＥＵＶ）
１１ 像面（ＥＵＶ）
１２ ウェーハ（ＥＵＶ）
１３ ウェーハホルダ（ＥＵＶ）
１４ ＥＵＶ放射線（ＥＵＶ）
１５ 中間視野焦点面（ＥＵＶ）
１６ 瞳ファセットミラー（ＥＵＶ）
１７ アセンブリ（ＥＵＶ）
１８ ミラー（ＥＵＶ）
１９ ミラー（ＥＵＶ）
２０ ミラー（ＥＵＶ）
２１ 投影露光装置（ＤＵＶ）
２２ ウェーハ（ＤＵＶ）
２３ 照明光学ユニット（ＤＵＶ）
２４ レチクルホルダ（ＤＵＶ）
２５ レチクル（ＤＵＶ）
２６ ウェーハホルダ（ＤＵＶ）
２７ 投影レンズ（ＤＵＶ）
２８ 光学素子（ＤＵＶ）
２９ マウント（ＤＵＶ）
３０ レンズハウジング（ＤＵＶ）
３１ 投影ビーム（ＤＵＶ）
３２ ミラー
３３ ミラー体
３４ ミラー面
３５ ミラー裏側
３６ フレーム
３７ アクチュエータ－ミラー裏側に対して垂直なコントローラ出力
３８．１～３８．３ アクチュエータ－ミラー裏側と平行なコントローラ出力
３９ アクチュエータ本体
４０ 制御装置
４１ ばね（アクチュエータ本体における機械的結合）
４２ ばね（ミラー本体との機械的結合）
４３ 測定装置
４４ センサ
５１ 方法ステップ１
５２ 方法ステップ２

【図1】

【図2】

【図3】

【図4a】

【図4b】

【図4c】

【図5】